CN114496562A - 多层电容器 - Google Patents

多层电容器 Download PDF

Info

Publication number
CN114496562A
CN114496562A CN202110734788.9A CN202110734788A CN114496562A CN 114496562 A CN114496562 A CN 114496562A CN 202110734788 A CN202110734788 A CN 202110734788A CN 114496562 A CN114496562 A CN 114496562A
Authority
CN
China
Prior art keywords
side edge
dielectric layers
multilayer capacitor
grain size
average grain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110734788.9A
Other languages
English (en)
Inventor
李種晧
徐彰晧
李银贞
孙命赞
朴正泰
朴昶守
金珉雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN114496562A publication Critical patent/CN114496562A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/224—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H01G4/0085—Fried electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明提供一种多层电容器，所述多层电容器包括：主体，包括堆叠有多个介电层的多层结构，还包括多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上，并且连接到所述内电极。所述主体还包括有效部和侧边缘部，所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容，所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面。包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸不同于包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸。所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。

Description

多层电容器
本申请要求于2020年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0141057号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电容器。
背景技术
电容器是一种能够基于当向两个面对的电极施加电压时通常在两个电极中的每个中累积电荷的原理来存储电力的装置。当施加直流(DC)电压时，电流在电容器中流动同时在电容器中累积电荷，并且当完成累积时，不存在电流流动。此外，当施加交流(AC)电压时，AC电流流动，同时电极的极性交替。
电容器可分为诸如铝电解电容器、钽电容器、陶瓷电容器、多层陶瓷电容器(MLCC)、薄膜电容器等的各种类型，在铝电解电容器中，电极利用铝形成并且薄的氧化物膜设置在铝电极之间，钽电容器使用钽作为电极材料，陶瓷电容器在电极之间使用高k介电材料(诸如，钛酸钡等)，MLCC将高k陶瓷的多层结构用作设置在电极之间的介电材料，薄膜电容器将聚苯乙烯薄膜用作电极之间的介电材料。
在电容器中，MLCC的优点在于具有优异的温度特性和频率特性，可实现为小尺寸，并因此已经广泛地应用于诸如高频率电路的各种领域。近年来，一直在继续尝试实现更小的多层陶瓷电容器，并且为此，介电层和内电极被形成为纤薄的。然而，随着组件的尺寸减小，对于增大堆叠的内电极的数量存在限制，因此难以确保预期的电容水平。
近来，已经进行了许多尝试，以减少由于在板安装期间出现的应力而引起的防潮可靠性劣化和裂纹。
发明内容
本公开的一方面可提供一种多层电容器，该多层电容器能够改善抵抗外部影响的可靠性(例如，防潮可靠性)。
根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括堆叠有多个介电层的多层结构，并且还包括多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上，并且连接到所述内电极。所述主体还包括有效部和侧边缘部，所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容，所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面。包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸不同于包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸。所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。
包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸可比包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸大。
所述侧边缘部可不覆盖所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面。
所述多个内电极中的各个内电极的未被所述延伸部覆盖的暴露区域的长度可基本一致。
每个内电极的所述暴露区域的长度可以是所述主体的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的长度的50％或更大。
堆叠所述多个介电层所沿的方向是第一方向，所述第一表面和所述第二表面相对所沿的方向是第二方向，并且所述内电极可在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上从所述主体暴露并连接到所述外电极。
基于所述主体的在所述第一方向和所述第二方向上切割的切割表面，包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸可以是存在于第一矩形中的晶粒的平均尺寸，所述第一矩形包括所述有效部在所述切割表面中的中心点，并且所述第一矩形的长度等于所述主体的在所述第一方向上的长度的一半，所述第一矩形的宽度等于所述有效部的在所述第二方向上的长度的一半。
包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸可以是存在于第二矩形中的晶粒的平均尺寸，所述第二矩形包括所述侧边缘部在所述切割表面中的中心点，并且所述第二矩形的长度等于所述侧边缘部的在所述第一方向上的长度的一半，所述第二矩形的宽度等于所述侧边缘部的在所述第二方向上的长度的一半。
所述外电极中的每个可包括与所述内电极接触的第一层以及覆盖所述第一层的第二层。
所述外电极中的每个的所述第一层可覆盖所述主体的暴露有所述内电极的表面，并且可延伸为覆盖所述侧边缘部和所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面。
所述外电极的所述第一层可仅覆盖所述主体的暴露有所述内电极的表面。
包括在所述侧边缘部的所述延伸部中的介电层的平均晶粒尺寸可比包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸小。
所述延伸部的在所述主体的暴露有所述内电极的两个表面彼此相对所沿的方向上的厚度与所述侧边缘部的剩余区域的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的厚度可基本相同。
根据本公开的另一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括堆叠有多个介电层的多层结构，并且还包括多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上，并且连接到所述内电极。所述主体还包括有效部和侧边缘部，所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容，所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面。所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面不被所述延伸部覆盖。
所述多个内电极中的各个内电极的未被所述延伸部覆盖的暴露区域的长度可基本一致。
包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸可比包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸大。
包括在所述侧边缘部的所述延伸部中的介电层的平均晶粒尺寸可比包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸小。
所述延伸部的在所述主体的暴露有所述内电极的两个表面彼此相对所沿的方向上的厚度与所述侧边缘部的剩余区域的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的厚度可基本相同。
所述多个内电极中的各个内电极的所述暴露区域的长度可比所述有效部的从所述有效部的所述第一表面到所述第二表面测量的宽度窄。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的立体图；
图2示出了图1的多层电容器中的主体的形状；
图3是沿着图1的线I-I'截取的多层电容器的截面图；
图4是沿着图1的线II-II'截取的多层电容器的截面图；
图5是图4中的主体区域的细分示图；
图6和图7示出了主体的每个区域的介电晶粒的形状；
图8和图9示出了图1的多层电容器中可采用的外电极的具体形状；以及
图10至图12示出了作为制造根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的工艺的一部分的形成侧边缘部的工艺。
具体实施方式
现在将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的立体图。图2示出了图1的多层电容器中的主体的形状。图3是沿着图1的线I-I'截取的多层电容器的截面图。图4是沿着图1的线II-II'截取的多层电容器的截面图。图5是图4中的主体区域的细分示图。图6和图7示出了主体的每个区域的介电晶粒的形状。图8和图9示出了图1的多层电容器中可采用的外电极的具体形状。
参照图1至图4，根据本公开中的示例性实施例的多层电容器100包括主体110以及外电极131和132，主体110包括介电层111以及多个内电极121和122，且介电层111介于内电极121和122之间。介电层111的平均晶粒尺寸被调整为在主体110的每个区域中是不同的。另外，主体110的侧边缘部113包括覆盖内电极121和122的一部分的延伸部E。
主体110包括多个介电层111在第一方向(X方向)上堆叠的多层结构，并且可例如通过堆叠多个生片然后烧结所述多个生片来获得。通过烧结工艺，多个介电层111可具有一体化的形式。包括在主体110中的介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷材料，例如BT基(即，钛酸钡(BaTiO3)基)陶瓷，但是本领域已知的其他材料也可用作介电层111的材料，只要可利用其获得足够的电容即可。除了作为主要组分的这样的陶瓷材料以外，如果需要，介电层111还可包括添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂和分散剂。在此，添加剂可包括金属组分，并且可在制造工艺期间以金属氧化物的形式被添加。这样的金属氧化物添加剂的示例可包括MnO2、Dy2O3、BaO、MgO、Al2O3、和Cr2O3中的至少一种。此外，添加剂还可包括SiO2、CaCO3等。
多个内电极121和122可通过在陶瓷生片的一个表面上印刷包含导电金属的膏体至预定厚度然后烧结该膏体来获得。在这种情况下，如图3中所示，多个内电极121和122可包括彼此相对且从主体110的第三方向(Z方向)上的表面暴露的第一内电极121和第二内电极122。在此，如图2中所示，当主体110的有效部112的第一表面S1和第二表面S2彼此相对所沿的方向(即，垂直于第一表面S1和第二表面S2的方向)被称为第二方向(Y方向)时，第三方向(Z方向)可以是垂直于第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)的方向。第一内电极121和第二内电极122可连接到不同的外电极131和132以在被驱动时具有相反的极性，并且可通过设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层111而彼此电隔离。然而，外电极131和132的数量或者用于将外电极与内电极121和122连接的方法可根据示例性实施例而变化。内电极121和122的主要成分材料可包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)等，并且也可使用它们的合金。
外电极131和132可形成在主体110的外部，并且可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。外电极131和132可通过将包含导电金属的材料准备为膏体然后将该膏体涂覆到主体110的方法来形成。导电金属的示例包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)或它们的合金。在此，外电极131和外电极132还可包括包含Ni、Sn等的镀层。如在图8和图9中示出的具体示例中，外电极131和外电极132可具有多层结构。在图8的示例性实施例中，第一层131a和132a作为底层形成在主体110的暴露有内电极121和122的表面上，并且延伸到主体110的上表面和下表面。第一层131a和132a可通过将包含导电金属的材料形成为膏体然后将该膏体涂覆到主体110或将主体110浸入该膏体中来形成。导电金属的示例包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)或它们的合金。分别设置在第一层131a和132a上的第二层131b和132b可包括镀层，可包括Ni、Sn等，并且可实现为多层结构。图9的示例性实施例具有其中第一层131a和132a仅形成在主体110的暴露有内电极121和122的表面上的结构，并且该结构可通过经由转印工艺将第一层131a和132a附接到主体110来获得。
在本示例性实施例中，主体110包括：有效部112，多个内电极121和122位于有效部112中以形成电容；以及侧边缘部113，覆盖有效部的彼此相对的第一表面S1和第二表面S2。在这种情况下，第一表面S1和第二表面S2可在与第一方向(X方向)垂直的第二方向(Y方向)上相对。另外，主体110还可包括在第一方向(X方向)上覆盖有效部112的覆盖部114。在此，覆盖部114可通过堆叠用于形成包括在有效部112中的介电层111的陶瓷生片来形成，并且如果需要，可使用具有与用于形成包括在有效部112中的介电层111的陶瓷生片的组成、颗粒尺寸分布和粘合剂含量的不同的组成、颗粒尺寸分布和粘合剂含量的陶瓷生片。
在本示例性实施例的情况下，介电层111的平均晶粒尺寸在主体110的每个区域中是不同的，并且具体地，包括在有效部112中的介电层111的平均晶粒尺寸比包括在侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸大。晶粒尺寸的条件可通过在烧结之前调节有效部112和侧边缘部113中的陶瓷颗粒的颗粒尺寸分布、粘合剂含量、Ba/Ti摩尔比等来实现。侧边缘部113可具有与有效部112的特性不同的特性，以执行防潮保护功能或结构稳定性功能，并且为此，在本示例性实施例中，侧边缘部113和有效部112中的介电层111的平均晶粒尺寸被调整为彼此不同。在这种情况下，如图6和图7中所示，包括在有效部112的介电层111中的晶粒G1的平均晶粒尺寸可比包括在侧边缘部113中的介电层111中的晶粒G2的平均晶粒尺寸大。基于该形状，侧边缘部113可具有紧凑的结构，因此具有改善的防潮可靠性等。
参照图5，将描述测量晶粒尺寸的方法。图5示出了按区域划分的图4中的主体，其中，图5未示出内电极。图6和图7分别示出了有效部和侧边缘部中的介电晶粒的形状。作为测量介电层111的晶粒尺寸的方法的示例，可基于在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上切割的主体110的切割表面使用例如扫描电子显微镜(SEM)等来测量介电层111的平均晶粒尺寸。在这种情况下，切割表面可以是在主体110的在第三方向(Z方向)上的中央部分中的切割的表面，但是切割表面的位置不限于此。另外，如果需要，本领域普通技术人员可在主体110中的其他位置处选择切割表面。
包括在有效部112中的介电层111的平均晶粒尺寸可以是存在于第一矩形R1中的晶粒的平均尺寸，第一矩形R1包括有效部112在切割平面中的中心点CA，并且第一矩形R1的长度为主体110在第一方向(X方向)上的长度T的一半，第一矩形R1的宽度为有效部112在第二方向(Y方向)上的长度WA的一半。另外，包括在侧边缘部113中的介电层111的平均晶粒尺寸可以是存在于第二矩形R2中的晶粒的平均尺寸，第二矩形R2包括侧边缘部113在切割平面中的中心点CM，并且第二矩形R2的长度等于主体110在第一方向(X方向)上的长度T的一半，第二矩形R2的宽度为侧边缘部113在第二方向(Y方向)上的长度WM的一半。
此外，当测量晶粒G1和G2的尺寸时，可使用测量晶粒G1和G2的面积并将测量的面积转换为圆当量直径等的方法。此外，为了提高测量精度，可仅选择参考矩形R1和R2中的晶粒的整个区域被晶界包围的晶粒G1和G2，但是测量晶粒尺寸的方法不限于此。
作为用于进一步提高防潮可靠性的构造，侧边缘部113包括在外电极131和132与内电极121和122之间延伸以覆盖内电极121和122的一部分的延伸部E。由于延伸部E，内电极121和122的暴露区域的宽度W2比有效部112的从有效部112的第一表面S1到第二表面S2测量的宽度WA窄，以具有类似于瓶颈的结构。例如，由于延伸部E覆盖内电极121和122的拐角部分，因此在主体110的端部的使内电极121和122暴露的区域的宽度可减小到W2，从而形成瓶颈形状，但不限于此。外电极131和132可设置在主体110的端部上，以连接到内电极121和122的暴露区域。应用延伸部E可获得使内电极121和122设置为相对远离主体110的易受诸如镀覆液、湿气等的外部影响的边缘的效果，从而提高防潮可靠性。在这种情况下，作为侧边缘部113的一部分的延伸部E可形成与侧边缘部113的其他区域一体化的结构。因此，上述介电晶粒尺寸的条件也可应用于延伸部E。也就是说，包括在延伸部E中的介电层111的平均晶粒尺寸可比包括在有效部112中的介电层111的平均晶粒尺寸小。另外，延伸部E的厚度t1可与侧边缘部113的剩余区域的厚度t2基本相同，并且在此，延伸部E的厚度t1可以是在第三方向(Z方向)上测量的厚度，并且侧边缘部113的剩余区域的厚度t2可以是在第二方向(Y方向)上测量的厚度。
如稍后将描述的，延伸部E可以以将侧边缘部113附接到有效部112的第一表面S1和第二表面S2的方式形成，并且在这种情况下，侧边缘部113可以不覆盖在堆叠多个介电层111的方向上(即，在主体110中的第一方向(X方向)上)相对的第三表面S3和第四表面S4。该形状可以通过将侧边缘部113在第一方向(X方向)上的长度形成为等于主体110在第一方向(X方向)上的长度T来获得。
如图所示，多个内电极121和122中的各个内电极的未被延伸部E覆盖的暴露区域的长度W2可基本一致，内电极121和122的暴露区域的长度指的是内电极121和122的暴露区域在第一表面S1和第二表面S2彼此相对所沿的方向上(即，在第二方向(Y方向)上)的尺寸。该形状可以通过使延伸部E在第二方向(Y方向)上的长度形成为一致来获得。当多个内电极121和122的暴露区域的长度W2一致时，多层电容器100可具有均匀的电特性并且可被稳定地驱动。在这种情况下，为了充分地确保内电极121和122与外电极131和132彼此接触的区域，延伸部E的长度可调整为使得：相对于第一表面S1和第二表面S2彼此相对所沿的第二方向(Y方向)，内电极121和122的暴露区域的长度W2为主体110的长度W1的50％或更大。
在此，本领域普通技术人员将理解，表述“基本相同”或“基本一致”是指通过允许制造工艺中可能发生的工艺误差、位置偏差和/或测量误差而相同或一致。
此外，上述示例性实施例中描述的介电晶粒尺寸的条件(即，包括在有效部112中的介电层111的平均晶粒尺寸比包括在侧边缘部113中的介电层111的平均晶粒尺寸大的条件)可以不是必需的，并且可不被包括在变型示例中。在不包括介电晶粒尺寸的条件的变型示例中，侧边缘部113可不覆盖主体110中的在堆叠多个介电层111所沿的方向上(即，在第一方向(X方向)上)相对的第三表面S3和第四表面S4，并且该变型也可以是本实施例中预期的结构。
图10至图12示出了作为制造根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的工艺的一部分的形成侧边缘部的工艺。作为形成主体110的步骤，首先，提供多层体200。可通过堆叠陶瓷生片211以及用于内电极的导电膏221和222来获得多层体200。在这种情况下，可通过混合陶瓷粉末、粘合剂、溶剂等来制备浆料，并且通过刮刀法等利用浆料形成厚度为几μm或小于1μm的片，从而形成陶瓷生片211。可使用例如丝网印刷法或凹版印刷法将用于内电极的导电膏221和222涂覆到陶瓷生片211。
将陶瓷生片210设置在暴露有导电膏221和222的表面(图10中的上表面)上，并且根据多层体200的尺寸切割陶瓷生片210以形成用于侧边缘部的片220。在此，当通过个体化切割获得多层体200时，可使导电膏221和222暴露。另外，用于侧边缘部的片220可具有与多层体200中包括的陶瓷生片211的特性不同的特性，并且如上所述，陶瓷颗粒的颗粒尺寸分布、粘合剂含量、Ba/Ti摩尔比等可不同。另外，可将用于侧边缘部的片220制造为在一个方向上比多层体200长，因此，延伸部可部分地覆盖导电膏221和222的暴露区域。
如图11中所示，在将用于侧边缘部的片220设置在多层体200上之后，用于侧边缘部的片220通过包括诸如橡胶材料等的按压装置300附接到多层体200。如图12中所示，在该工艺中，用于侧边缘部的片220的一部分按照延伸部E的形式覆盖导电膏221和222的暴露区域的一部分。另外，图11和12的工艺可在多层体200的相对侧上执行。此后，可烧制多层体200并形成外电极，从而完成多层电容器。
如上所述，根据本公开的示例性实施例的多层电容器可具有改善的抵抗外部影响的可靠性(防潮可靠性)。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可做出修改和变形。

Claims (19)

1.一种多层电容器，包括：
主体，包括堆叠有多个介电层的多层结构，还包括多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外表面上，并且连接到所述内电极，
其中，所述主体还包括有效部和侧边缘部，所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容，所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面，
包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸不同于包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸，并且
所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸比包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸大。
3.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
所述侧边缘部不覆盖所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面。
4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
所述多个内电极中的各个内电极的未被所述延伸部覆盖的暴露区域的长度基本一致。
5.根据权利要求4所述的多层电容器，其中，
每个内电极的所述暴露区域的长度是所述主体的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的长度的50％或更大。
6.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
堆叠所述多个介电层所沿的方向是第一方向，所述第一表面和所述第二表面相对所沿的方向是第二方向，并且所述内电极在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上从所述主体暴露并连接到所述外电极。
7.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，
基于所述主体的在所述第一方向和所述第二方向上切割的切割表面，包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸是存在于第一矩形中的晶粒的平均尺寸，所述第一矩形包括所述有效部在所述切割表面中的中心点，并且所述第一矩形的长度等于所述主体的在所述第一方向上的长度的一半，所述第一矩形的宽度等于所述有效部的在所述第二方向上的长度的一半。
8.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，
包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸是存在于第二矩形中的晶粒的平均尺寸，所述第二矩形包括所述侧边缘部在所述切割表面中的中心点，并且所述第二矩形的长度等于所述侧边缘部的在所述第一方向上的长度的一半，所述第二矩形的宽度等于所述侧边缘部的在所述第二方向上的长度的一半。
9.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，
所述外电极中的每个包括与所述内电极接触的第一层以及覆盖所述第一层的第二层。
10.根据权利要求9所述的多层电容器，其中，
所述外电极中的每个的所述第一层覆盖所述主体的暴露有所述内电极的表面，并且延伸为覆盖所述侧边缘部和所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面。
11.根据权利要求9所述的多层电容器，其中，
所述外电极的所述第一层仅覆盖所述主体的暴露有所述内电极的表面。
12.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
包括在所述侧边缘部的所述延伸部中的介电层的平均晶粒尺寸比包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸小。
13.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，
所述延伸部的在所述主体的暴露有所述内电极的两个表面彼此相对所沿的方向上的厚度与所述侧边缘部的剩余区域的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的厚度基本相同。
14.一种多层电容器，包括：
主体，包括堆叠有多个介电层的多层结构，并且还包括多个内电极，且介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外表面上，并且连接到所述内电极，
其中，所述主体还包括有效部和侧边缘部，所述多个内电极位于所述有效部中以形成电容，所述侧边缘部覆盖所述有效部的彼此相对的第一表面和第二表面，
所述侧边缘部包括在所述外电极与所述内电极之间延伸以覆盖所述内电极的一部分的延伸部，并且
所述主体的在堆叠所述多个介电层所沿的方向上相对的两个表面不被所述延伸部覆盖。
15.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，
所述多个内电极中的各个内电极的未被所述延伸部覆盖的暴露区域的长度基本一致。
16.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，
包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸比包括在所述侧边缘部中的介电层的平均晶粒尺寸大。
17.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，
包括在所述侧边缘部的所述延伸部中的介电层的平均晶粒尺寸比包括在所述有效部中的介电层的平均晶粒尺寸小。
18.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，
所述延伸部的在所述主体的暴露有所述内电极的两个表面彼此相对所沿的方向上的厚度与所述侧边缘部的剩余区域的在所述有效部的所述第一表面和所述第二表面彼此相对所沿的方向上的厚度基本相同。
19.根据权利要求15所述的多层电容器，其中，
所述多个内电极中的各个内电极的所述暴露区域的长度比所述有效部的从所述有效部的所述第一表面到所述第二表面测量的宽度窄。
CN202110734788.9A 2020-10-28 2021-06-30 多层电容器 Pending CN114496562A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0141057 2020-10-28
KR1020200141057A KR20220056457A (ko) 2020-10-28 2020-10-28 적층형 커패시터

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114496562A true CN114496562A (zh) 2022-05-13

Family

ID=81257110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110734788.9A Pending CN114496562A (zh) 2020-10-28 2021-06-30 多层电容器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11557438B2 (zh)
KR (1) KR20220056457A (zh)
CN (1) CN114496562A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230081197A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-16 Taiyo Yuden Co., Ltd. Ceramic electronic device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6829134B2 (en) * 2002-07-09 2004-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated ceramic electronic component and method for manufacturing the same
JP5532027B2 (ja) * 2010-09-28 2014-06-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
KR101681358B1 (ko) * 2013-04-08 2016-11-30 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR20160013703A (ko) * 2014-07-28 2016-02-05 삼성전기주식회사 적층 커패시터, 그 제조 방법 및 그를 사용하는 전자기기
KR101963284B1 (ko) 2017-02-15 2019-03-28 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조방법
JP7150437B2 (ja) 2018-01-17 2022-10-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220056457A (ko) 2022-05-06
US20220130612A1 (en) 2022-04-28
US11557438B2 (en) 2023-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180061571A1 (en) Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
EP2822008A2 (en) Multilayer ceramic capacitor with improves sizes and board having the same mounted thereon
CN110880422B (zh) 多层电容器
US11961679B2 (en) Multilayer capacitor with core-shell dielectric
CN110875140B (zh) 多层电容器
US11756734B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
JP2021044533A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
US20210142948A1 (en) Multilayer ceramic electronic component
CN114446649A (zh) 多层电容器
CN212625194U (zh) 电容器组件
US11587735B2 (en) Multilayer electronic component and manufacturing method thereof
CN114694967A (zh) 多层电容器
CN114664565A (zh) 多层陶瓷电子组件和用于安装其的板
US11721486B2 (en) Multilayer ceramic electronic component having specified thickness ratio for different portions of external electrode
CN114496562A (zh) 多层电容器
US11133131B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
US11908623B2 (en) Multilayer capacitor having internal electrode with double bottleneck structure
US11996242B2 (en) Multilayer capacitor
US10854384B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
CN114373631A (zh) 多层电容器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination