CN115346467A - 显示装置 - Google Patents

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权善子
权泰勋
金炳善
金阳完
朴贤爱
李受珍
李承珪
李在容
郑镇泰
车承智
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Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，第二像素区域和第三像素区域中的每个具有比第一像素区域的表面积小的表面积并且连接到第一像素区域；第一像素至第三像素，分别设置在第一像素区域至第三像素区域中；第一线至第三线，分别连接到第一像素至第三像素；线连接部，将第二线和第三线连接；以及虚设单元，其中，虚设单元包括与线连接部叠置且沿着线连接部延伸所沿的方向彼此间隔开的多个部分。

Description

显示装置
本申请是申请日为2017年4月11日、申请号为201710231716.6、名称为“显示装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括具有彼此不同的表面积的区域的显示装置。
背景技术
显示装置包括具有显示元件的多个像素，每个像素设置有布线以及连接到布线并被构造为驱动显示元件的多个晶体管。布线可以根据它们的长度而具有不同的负载值，并且由于负载值的这样的差异，在由显示装置提供的最终图像中可能出现亮度的差异。
发明内容
根据本公开的实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，第二像素区域和第三像素区域具有比第一像素区域的表面积小的表面积并且连接到第一像素区域；第一像素至第三像素，各自分别设置在第一像素区域至第三像素区域中；第一线至第三线，分别连接到第一像素至第三像素，线连接部，将第二线和第三线连接；以及虚设单元，与线连接部叠置并被构造为补偿第一线的负载值和第二线的负载值的差异。第一线可以比第二线和第三线长。
在本公开的实施例中，显示装置还可以包括用于将数据信号提供到第一像素至第三像素的数据线，第一线可以是用于向第一像素提供扫描信号的第一扫描线，第二线和第三线可以是用于向第二像素和第三像素提供扫描信号的第二扫描线和第三扫描线。
在本公开的实施例中，基底还可以包括第一外围区域至第三外围区域，第一外围区域至第三外围区域中的每个分别围绕第一像素区域至第三像素区域，虚设单元可以在第二外围区域、第三外围区域以及将第二外围区域和第三外围区域连接的附加外围区域之中的至少附加外围区域中。
在本公开的实施例中，第二像素和第三像素中的每个可以包括连接到第二扫描线和第三扫描线以及数据线中对应的数据线的晶体管，晶体管可以包括：有源图案，设置在基底上；栅电极，设置在有源图案上；栅极绝缘膜，设置在有源图案与栅电极之间；层间绝缘膜，包括覆盖栅电极的第一层间绝缘膜和设置在第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及源电极和漏电极，布置在层间绝缘膜上并且源电极和漏电极中的每个连接到有源图案。
在本公开的实施例中，显示装置还可以包括布置在层间绝缘膜上并在第一外围区域、第二外围区域、第三外围区域和附加外围区域中的电源供应线，电源供应线与线连接部叠置，线连接部可以布置在第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜之间。
在本公开的实施例中，虚设单元可以包括连接到电源供应线并且布置在第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜之间的辅助电源供应图案，线连接部可以布置在栅极绝缘膜与第一层间绝缘膜之间。
在本公开的实施例中，显示装置还可以包括布置在第一外围区域、第二外围区域、第三外围区域和附加外围区域中并且布置在层间绝缘膜上并且与线连接部叠置的电源供应线，虚设图案可以被施加与电源供应线的电压相同的电压。
在本公开的实施例中，显示装置还可以包括向第一像素至第三像素提供数据信号的数据线以及用于向第一像素至第三像素提供扫描信号的第一扫描线至第三扫描线，第一线可以是向第一像素提供发光控制信号的第一发光控制线，第二线和第三线可以是向第二像素和第三像素提供发光控制信号的第二发光控制线和第三发光控制线。
在本公开的实施例中，第二像素区域和第三像素区域可以包括布置有多个像素的多个行，每个线连接部可以连接将布置在同一行中的像素连接的第二线和第三线。
在本公开的实施例中，线连接部(在下文中被称为第一线连接部)的长度可以大于线连接部(在下文中被称为第二线连接部)的长度，第一线连接部将布置在线连接部的行中的像素的数量较少的第二线和第三线连接，第二线连接部将布置在所述行中的像素的数量较多的第二线和第三线连接。
在本公开的实施例中，第一线连接部和虚设图案的重叠的表面积可以大于第二线连接部和虚设图案的重叠的表面积。
在本公开的实施例中，虚设图案和电源供应线中的至少一个可以包括与线连接部叠置并且彼此间隔开的多个开口区域。
在本公开的实施例中，第二像素区域和第二外围区域可以具有基于第一像素区域的中心线与第三像素区域和第三外围区域呈线对称的形状。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对本领域的普通技术人员将变得明显，在附图中：
图1A和图1B示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图2示出图1A的第二像素区域的放大图；
图3和图4示出驱动器的实施例和根据本公开的实施例的像素的框图；
图5示出根据本公开的另一实施例的像素和驱动器的框图；
图6示出根据本公开的又一实施例的像素和驱动器的框图；
图7示出图3中所示的第一像素的实施例的图；
图8示出图3的详细的第一像素的平面图；
图9示出沿图8的线I-I'截取的剖视图；
图10示出沿图8的线II-II'截取的剖视图；
图11和图12示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图；
图13示出图11的区域AA的放大图；
图14示出沿图13的线III-III'截取的剖视图；
图15示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图；
图16示出图15的区域BB的放大图；
图17示出沿图16的线IV-IV'截取的剖视图；
图18示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图；
图19示出图18的区域CC的放大图；
图20至图22示出沿图19的线V-V'截取的剖视图；
图23示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图；
图24示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图；
图25示出其中布置有根据本公开的实施例的虚设单元的区域的平面图；以及
图26和图27示出沿图25的线VI-VI'截取的剖视图。
具体实施方式
现在在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实现，并且不应该被解释为受限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，为了清晰的说明，会夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作为“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两层“之间”时，该层可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指示同样的元件。
诸如“第一”、“第二”的术语可以用于解释各种构造元件，但是构造元件不应被上述术语限制。这些术语仅用来将一个构造元件与另一构造元件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一构造元件可以命名为第二构造元件，同样地，第二构造元件可以命名为第一构造元件。除非在上下文中另有明确说明，否则单数的表述可以包括复数的表述。
在本申请中，应当理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语用来表示说明书中公开的特征、数字、步骤、操作、构造元件、组件或它们的组合的存在，并且不预先排除存在或可能添加一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、构造元件、组件或它们的组合。此外，在本说明书中，当诸如层、膜、区域、板等的部件形成在另一部件上时，形成方向不限于上方向，而是也可以包括侧方向和下方向。
在下文中，将参照附图进一步地详细解释本公开的优选实施例。
图1A和图1B是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图，图2是图1A的第二像素区域的放大图。
参照图1A、图1B和图2，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的例如PXL1、PXL2、PXL3的多个像素PXL、设置在基底SUB上且被构造为驱动像素PXL的驱动器、被构造为向像素PXL供应电源的电源供应部以及连接像素PXL和驱动器的引线部。
基底SUB包括多个区域，这些区域中的至少两个区域可以具有彼此不同的表面积。例如，基底SUB可以具有两个区域，这两个区域可以具有彼此不同的表面积。在另一示例中，基底SUB可以具有三个区域，这三个区域可以具有彼此不同的表面积，或者这三个区域中的仅两个可以具有彼此不同的表面积。在又一示例中，基底SUB可以具有四个或更多个区域。
在下文的实施例中，为了便于解释，将包括三个区域(即，第一至第三区域A1、A2、A3)的基底SUB作为示例进行描述。第一至第三区域A1、A2、A3中的每个可以具有各种形状。例如，第一至第三区域A1、A2、A3中的每个可以设置为各种形状，例如，包括直边的闭合多边形的形式、包括由曲线形成的边的圆形或椭圆形的形式、包括由直线形成的边和由曲线形成的边等的半圆形或半椭圆形的形式等。
例如，第一至第三区域A1、A2、A3中的每个可以具有总体上矩形形状，并且可以具有其中去除了与矩形形状的顶点之中的至少一个顶点相邻的区域的形状。例如，如图1A中示出的，第二区域A2(图1A中的布局的左上方)可以具有去除了三角形角部(图1A中的左上角)的总体上矩形形状。在另一示例中，如图1B中示出的，第二区域A2(图1B中的布局的左上方)可以具有去除了四边形角部(图1B中的左上角)的总体上矩形形状。第一至第三区域A1、A2、A3可以分成对应于去除的区域的第一子区域以及除了第一子区域之外的第二子区域。这里，第一子区域的宽度可以大于第二子区域的宽度。
与矩形形状的顶点中的至少一个顶点相邻并从其去除的区域的形状可以是三角形形状和矩形形状中的一种。例如，如图1A中示出的，与第一至第三区域A1、A2、A3的去除区域对应的边可以具有相对于矩形形状的一个边倾斜的对角线形状或弯曲的线段形状。
第一至第三区域A1、A2、A3中的每个可以具有像素区域PXA1、PXA2、PXA3(在下文中被称为PXA)、外围区域PPA1、PPA2、PPA3(在下文中被称为PPA)。像素区域PXA是设置有用于显示图像的像素PXL的区域。稍后将对每个像素PXL做出解释。在本公开的实施例中，第一至第三像素区域PXA1、PXA2、PXA3中的每个可以大体上具有分别与第一至第三区域A1、A2、A3的形状对应的形状，例如，像素区域PXA2可以具有去除了角部的矩形形状，该角部与它对应的区域A2的去除的角部对应且叠置。
外围区域PPA是其中不设置像素PXL并且因此不显示图像的区域。在外围区域PPA中，可以设置用于驱动像素PXL的驱动器、用于向像素PXL施加电源的电源供应部以及用于使像素PXL和驱动器连接的布线(未示出)的一部分。外围区域PPA对应于最终的显示装置中的边框(bezel)，可以根据外围区域PPA的宽度来确定边框的宽度。
对第一至第三区域A1、A2、A3中的每个的解释如下。第一区域A1在第一至第三区域A1、A2、A3之中可以具有最大表面积。第一区域A1可以具有第一像素区域PXA1(即，显示图像的区域)和围绕第一像素区域PXA1的至少一部分的第一外围区域PPA1。
第一像素区域PXA1可以以与第一区域A1的形状对应的形状设置。在本公开的实施例中，第一像素区域PXA1可以具有在第一方向DR1上的第一宽度W1以及在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上的第一长度L1。
第一外围区域PPA1可以至少设置在第一像素区域PXA1的一侧处。在本公开的实施例中，第一外围区域PPA1可以围绕第一像素区域PXA1的外围，但是可以设置在除了布置有第二区域A2和第三区域A3的部分之外的区域中。在本公开的实施例中，第一外围区域PPA1可以包括在宽度方向上延伸的宽度部分和在纵向方向上延伸的长度部分。第一外围区域PPA1的长度部分可以设置为沿第一像素区域PXA1的宽度方向彼此间隔开的一对。
第二区域A2可以具有比第一区域A1的表面积小的表面积。第二区域A2可以具有第二像素区域PXA2(即，显示图像的区域)和围绕第二像素区域PXA2的至少一部分的第二外围区域PPA2。
第二像素区域PXA2可以以与第二区域A2的形状对应的形状设置。在本公开的实施例中，第二像素区域PXA2可以具有比第一区域A1的第一宽度W1小的第二宽度W2。第二像素区域PXA2可以具有比第一区域A1的第一长度L1小的第二长度L2。第二像素区域PXA2可以以从第一像素区域PXA1突出的形式设置，并且可以直接连接到第一像素区域PXA1。换句话说，在第二像素区域PXA2中，最靠近第一像素区域PXA1的边缘部分可以与第一像素区域PXA1的边缘重合。
第二外围区域PPA2可以至少设置在第二像素区域PXA2的一侧处。在本公开的实施例中，第二外围区域PPA2可以围绕第二像素区域PXA2，但是可以不设置在其中第一像素区域PXA1和第二像素区域PXA2彼此连接的部分中。在本公开的实施例中，第二外围区域PPA2也可以包括在宽度方向上延伸的宽度部分和在纵向方向上延伸的长度部分。第二外围区域PPA2的长度部分可以设置为沿第二像素区域PXA2的宽度方向彼此间隔开的一对。
第三区域A3可以具有比第一区域A1的表面积小的表面积。第三区域A3可以具有与第二区域A2的表面积相同的表面积。第三区域A3可以具有第三像素区域PXA3(即，显示图像的区域)和围绕第三像素区域PXA3的至少一部分的第三外围区域PPA3。
第三像素区域PXA3可以以与第三区域A3的形状对应的形状设置。在本公开的实施例中，第三像素区域PXA3可以具有比第一区域A1的第一宽度W1小的第三宽度W3。第三像素区域PXA3可以具有比第一区域A1的第一长度L1小的第三长度L3。第二宽度W2和第三宽度W3可以彼此相等。此外，第二长度L2和第三长度L3可以彼此相等。
第三像素区域PXA3可以以从第一像素区域PXA1突出的形式设置，并且可以直接连接到第一像素区域PXA1。换句话说，在第三像素区域PXA3中，最靠近第一像素区域PXA1的边缘部分可以与第一像素区域PXA1的边缘重合。
第三外围区域PPA3可以至少设置在第三像素区域PXA3的一侧处。在本公开的实施例中，第三外围区域PPA3可以围绕第三像素区域PXA3，但是可以不设置在其中第一像素区域PXA1和第三像素区域PXA3彼此连接的部分中。在本公开的实施例中，第三外围区域PPA3也可以包括在宽度方向上延伸的宽度部分和在纵向方向上延伸的长度部分。第三外围区域PPA3的长度部分也可以设置为沿第三像素区域PXA3的宽度方向彼此间隔开的一对。
在本公开的实施例中，基于穿过第一区域A1的假想中心线，第三区域A3可以具有相对于第二区域A2线对称的形状。如此，除了一些布线之外，设置在第三区域A3中的每个构造元件的布置关系可以与第二区域A2中的布置关系基本相同。
此外，基底SUB可以具有第二区域A2和第三区域A3相对于第一区域A1在与第二方向DR2相反的方向上突出的形状。此外，由于第二区域A2和第三区域A3被布置为使得它们在第一方向DR1上彼此间隔开，所以基底SUB可以具有第二区域A2和第三区域A3之间的空间凹陷的形状，例如，可以去除基底SUB的在第二区域A2和第三区域A3之间的部分以限定凹陷。即，基底SUB可以在第二区域A2和第三区域A3之间设置有凹口。
在本公开的实施例中，第一外围区域PPA1的长度部分可以分别连接到第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3的长度部分的一部分。例如，第一外围区域PPA1的左长度部分和第二外围区域PPA2的左长度部分可以彼此连接。第一外围区域PPA1的右长度部分和第三外围区域PPA3的右长度部分可以彼此连接。此外，第一外围区域PPA1的左长度部分和第二外围区域PPA2的左长度部分可以具有相同的宽度W4。第一外围区域PPA1的右长度部分和第三外围区域PPA3的右长度部分可以具有相同的宽度W5。
第一外围区域PPA1和第二外围区域PPA2的左长度部分的宽度W4可以不同于第一外围区域PPA1和第三外围区域PPA3的右长度部分的宽度W5。例如，第一外围区域PPA1和第二外围区域PPA2的左长度部分的宽度W4可以小于第一外围区域PPA1和第三外围区域PPA3的右长度部分的宽度W5。
在本公开的实施例中，第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3可以通过附加外围区域APA来连接。例如，附加外围区域APA可以将第二外围区域PPA2的右长度部分和第三外围区域PPA3的左长度部分连接。即，附加外围区域APA可以设置在第一像素区域PXA1的在第二区域A2和第三区域A3之间的一侧上。
像素PXL可以在基底SUB上设置在像素区域PXA中，即，在第一至第三像素区域PXA1、PXA2、PXA3中。每个像素PXL是用于显示图像的最小单位，并且可以设置为多个。像素PXL可以包括发射颜色光的显示元件。例如，显示元件可以是液晶显示(LCD)装置、电泳显示(EPD)装置、电润湿显示(EWD)装置和有机发光二极管(OLED)装置中的任意一种。同时，在下文中，为了方便，将有机发光显示装置作为显示元件的示例来进行解释。
每个像素PXL可以发射红色、绿色和蓝色之中的一种颜色，但是不限于此。例如，每个像素PXL可以发射诸如青色、品红色、黄色和白色等的颜色。
像素PXL可以包括布置在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1、布置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2和布置在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3。在本公开的实施例中，第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3可以各自设置为多个，并且沿着在第一方向DR1上延伸的行并沿着在第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置。然而，对第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的布置形式没有具体限制，因此，可以以各种形式布置第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3。例如，第一像素PXL1可以布置为使得第一方向DR1是线方向，但是第二像素PXL2可以布置为使得不同于第一方向DR1的方向(例如，相对于第一方向DR1倾斜(例如，与第一方向DR1成倾斜角倾斜)的方向)是线方向。此外，可以以与第一像素PXL1和/或第二像素PXL2相同或不同的方向来布置第三像素PXL3。除此以外，在本公开的另一实施例中，行方向可以是第二方向DR2，列方向可以是第一方向DR1。
同时，在第二区域A2和第三区域A3中，第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量可以根据行而不同。例如，在第二区域A2和第三区域A3中，布置在与角部(该角部由具有倾斜的对角线的边构成)对应的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量可以小于布置在与角部(该角部由直线的边构成)对应的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量。例如，如图2中示出的，布置在与第二区域A2和第三区域A3的矩形形状的缺角相邻(例如，与缺角的至少一部分对准)的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量可以小于布置在第二区域A2和第三区域A3的矩形形状的两条平行的边之间的行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量。此外，布置在行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量可以随着行的长度变短而减少。因此，连接第二像素PXL2和第三像素PXL3的布线的长度可以变短。
此外，在第二区域A2和第三区域A3中，对应于同一行的第二像素PXL2和第三像素PXL3的扫描线或发光控制线可以通过扫描线连接部或发光控制线连接部来电连接。驱动器可以通过引线部向每个像素提供信号，并因此控制每个像素PXL的操作。在图1A和图1B中，为了便于解释，省略了引线部，稍后将更详细地解释引线部。
驱动器可以包括扫描驱动器SDV1、SDV2、SDV3(在下文中被称为SDV)、发光驱动器EDV1、EDV2、EDV3(在下文中被称为EDV)、数据驱动器DDV和时序控制单元(未示出)，其中，扫描驱动器SDV沿扫描线向每个像素提供扫描信号，发光驱动器EDV沿发光控制线向每个像素提供发光控制信号，数据驱动器DDV沿数据线向每个像素提供数据信号。时序控制单元可以控制扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和数据驱动器DDV。
在本公开的实施例中，扫描驱动器SDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一扫描驱动器SDV1、连接到第二像素PXL2的第二扫描驱动器SDV2以及连接到第三像素PXL3的第三扫描驱动器SDV3。在本公开的实施例中，发光驱动器EDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一发光驱动器EDV1、连接到第二像素PXL2的第二发光驱动器EDV2以及连接到第三像素PXL3的第三发光驱动器EDV3。
第一扫描驱动器SDV1可以布置在第一外围区域PPA1的长度部分中，例如，第一扫描驱动器SDV1可以在第二方向DR2上沿第一区域A1的线性侧并沿限定第一区域A1的缺角的相对于第二方向DR2的对角线方向的一部分连续地延伸(图1A)。第一外围区域PPA1的长度部分设置为沿第一像素区域PXA1的宽度方向彼此间隔开的一对，因此，第一扫描驱动器SDV1可以至少布置在第一外围区域PPA1的长度部分的一侧处。第一扫描驱动器SDV1可以最终沿第一外围区域PPA1的纵向方向延伸。以与之类似的方法，第二扫描驱动器SDV2可以布置在第二外围区域PPA2中，第三扫描驱动器SDV3可以布置在第三外围区域PPA3中。
在本公开的实施例中，发光驱动器EDV可以直接安装在基底SUB上。在发光驱动器EDV直接安装在基底SUB上的情况下，它们可以在形成像素PXL的工艺期间一起形成。然而，不对提供发光驱动器EDV的位置或方法作出限制。例如，发光驱动器EDV可以形成在单独的芯片上并以玻璃覆晶形式设置在基底SUB上，或者可以安装到印刷电路板上并通过连接构件连接到基底SUB。
第一发光驱动器EDV1也可以以与第一扫描驱动器SDV1的布置方式类似的方式布置在第一外围区域PPA1之中的长度部分中，例如，第一发光驱动器EDV1可平行于第一扫描驱动器SDV1延伸。第一发光驱动器EDV1可以布置在第一外围区域PPA1的长度部分的至少一侧中。第一发光驱动器EDV1可以最终沿第一外围区域PPA1的纵向方向延伸。以与上述类似的方式，第二发光驱动器EDV2可以布置在第二外围区域PPA2中，第三发光驱动器EDV3可以布置在第三外围区域PPA3中。
在本公开的实施例中，作为示例示出了扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV彼此相邻，并且仅形成在外围区域PPA的成对的长度部分的一侧处，但不限于此。扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV的布置可以改变。例如，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的长度部分的一侧处，第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的长度部分的另一侧处。除此以外，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的长度部分的两侧处，第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的长度部分的仅一侧处。
数据驱动器DDV可以布置在第一外围区域PPA1中。具体地，数据驱动器DDV可以被布置在第一外围区域PPA1的宽度部分中。数据驱动器DDV可以最终沿第一外围区域PPA1的宽度方向(例如，沿第一方向DR1)延伸。在本公开的实施例中，扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和/或数据驱动器DDV可以彼此交换位置。
时序控制单元可以以各种方法通过布线连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2、SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2、EDV3和数据驱动器DDV，并且对布置的位置没有具体的限制。例如，时序控制单元可以安装到印刷电路板上，并且可以连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2、SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2、EDV3和数据驱动器DDV，印刷电路板可以布置在各种位置中，诸如在基底SUB的一侧处和在基底的后表面上，等等。
此外，在与同一行对应的第二像素PXL2和第三像素PXL3的扫描线或发光控制线通过扫描线连接部或发光控制线连接部电连接的构造中，可以省略第二扫描驱动器SDV2和第三扫描驱动器SDV3中的一个以及第二发光驱动器EDV2和第三发光驱动器EDV3中的一个。
电源供应部可以包括至少一条电源供应线ELVDD、ELVSS。例如，电源供应部可以包括第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS。第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS可以向第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3供应电源。
第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS中的一条(例如，第一电源供应线ELVDD)可以布置为对应于第一像素区域PXA1的一侧。例如，第一电源供应线ELVDD可以布置在其中布置有第一外围区域PPA1的数据驱动器DDV的区域中。此外，第一电源供应线ELVDD可以在第一像素区域PXA1的宽度方向上延伸。
除了其中布置有第一外围区域PPA1的数据驱动器DDV的区域之外，第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS中的另一条(例如，第二电源供应线ELVSS)可以布置为围绕第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3。例如，第二电源供应线ELVSS可以具有沿第一外围区域PPA1的左长度部分、第二外围区域PPA2、第三外围区域PPA3、附加外围区域APA以及第一外围区域PPA1的右长度部分延伸的形状。
以上，作为示例解释了第一电源供应线ELVDD布置为在第一外围区域PPA1之中的与第一像素区域PXA1的一侧对应，并且解释了第二电源供应线ELVSS布置在其余的外围区域中，但是不限于此。例如，第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS可以布置为围绕第一像素区域PXA1、第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3。正在施加到第一电源供应线ELVDD的电压可以大于正在施加到第二电源供应线ELVSS的电压。
图3和图4是示出驱动器的实施例和根据本公开的实施例的像素的框图。
参照图1A、图1B和图2至图4，根据本公开的实施例的显示装置包括像素PXL、驱动器和引线部。
像素PXL包括第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3，驱动器包括第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2、SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2、EDV3、数据驱动器DDV以及时序控制单元TC。在图3中，第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2、SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2、EDV3、数据驱动器DDV和时序控制单元TC的位置是为了方便起见，因此，当实际实现显示装置时，它们可以布置在显示装置内的不同位置中。例如，数据驱动器DDV布置为与第二区域A2和第三区域A3相比更靠近第一区域A1，但是不限于此。例如，数据驱动器DDV可以布置为与第二区域A2和第三区域A3相邻，如图4中示出的。
引线部将驱动器的信号提供到每个像素PXL，并且包括扫描线、数据线、线连接部ES、线连接部EE、发光控制线、电源线和初始化电源线。扫描线包括其中的每条分别连接到第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3的第一至第三扫描线S11至S1n、S21和S22、S31和S32，发光控制线包括其中的每条分别连接到第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3的第一至第三发光控制线E11至E1n、E21和E22、E31和E32。数据线D1至Dm和电源线连接到第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3。
另外，第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32通过扫描线连接部ES电接入。例如，第二扫描线S21通过第一扫描线连接部ES电接入到第三扫描线S31。此外，第二扫描线S22通过第二扫描线连接部ES电接入到第三扫描线S32。
此外，第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32通过发光控制线连接部EE电接入。例如，第二发光控制线E21通过第一发光控制线连接部EE电接入到第三发光控制线E31。此外，第二发光控制线E22通过第二发光控制线连接部EE电接入到第三发光控制线E32。
第一像素PXL1设置在第一像素区域PXA1中。第一像素PXL1连接到第一扫描线S11至S1n、第一发光控制线E11至E1n以及数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，将来自数据线D1至Dm的数据信号提供到这些第一像素PXL1。接收了数据信号的第一像素PXL1控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管流到第二电源ELVSS的电流的量。
第二像素PXL2设置在第二像素区域PXA2中。第二像素PXL2连接到第二扫描线S21和S22、第二发光控制线E21和E22以及数据线D1至D3。当从第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32供应扫描信号时，将来自数据线D1至D3的数据信号提供到这样的第二像素PXL2。接收了数据信号的第二像素PXL2控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管流到第二电源ELVSS的电流的量。
另外，虽然图3中示出了六个第二像素PXL2通过两条第二扫描线S21和S22、两条第二发光控制线E21和E22和三条数据线D1至D3而设置在第二像素区域PXA2中，但不限于此。即，多个第二像素PXL2布置为与第二像素区域PXA2的尺寸对应，第二扫描线、第二发光控制线和数据线的数量可以被各种各样地设定以对应于第二像素PXL2。
第三像素PXL3设置在由第三扫描线S31和S32、第三发光控制线E31和E32以及数据线Dm-2至Dm划分的第三像素区域PXA3中。当从第三扫描线S31和S32以及第二扫描线S21和S22供应扫描信号时，将来自数据线Dm-2至Dm的数据信号提供到这样的第三像素PXL3。接收了数据信号的第三像素PXL3控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管流到第二电源ELVSS的电流的量。
另外，虽然图3中示出了六个第三像素PXL3通过两条第三扫描线S31和S32、两条第三发光控制线E31和E32以及三条数据线Dm-2至Dm而设置在第三像素区域PXA3中，但不限于此。即，多个第三像素PXL3布置为与第三像素区域PXA3的尺寸对应，第三扫描线、第三发光控制线和数据线的数量可以被各种各样地设定以对应于第三像素PXL3。
第一扫描驱动器SDV1响应于来自时序控制单元TC的第一栅极控制信号GCS1而将扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n。例如，第一扫描驱动器SDV1可以将扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n。当扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n时，以水平行单位顺序地选择第一像素PXL1。
第二扫描驱动器SDV2响应于来自时序控制单元TC的第二栅极控制信号GCS2而将扫描信号供应到第二扫描线S21和S22。这里，供应到第二扫描线S21和S22的扫描信号经由扫描线连接部ES供应到第三扫描线S31和S32。第二扫描驱动器SDV2可以将扫描信号顺序地供应到第二扫描线S21和S22。当扫描信号顺序地供应到第二扫描线S21和S22时，以水平行单位顺序地选择第二像素PXL2和第三像素PXL3。
第三扫描驱动器SDV3响应于来自时序控制单元TC的第三栅极控制信号GCS3而将扫描信号供应到第三扫描线S31和S32。这里，供应到第三扫描线S31和S32的扫描信号经由扫描线连接部ES供应到第二扫描线S21和S22。第三扫描驱动器SDV3可以将扫描信号顺序地供应到第三扫描线S31和S32。当扫描信号顺序地供应到第三扫描线S31和S32时，以水平行单位顺序地选择第二像素PXL2和第三像素PXL3。
同时，由于第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32通过扫描线连接部ES电接入，所以正在从第二扫描驱动器SDV2供应的扫描信号和正在从第三扫描驱动器SDV3供应的扫描信号被供应为使得它们彼此同步。
例如，从第二扫描驱动器SDV2供应到第二扫描线S21的扫描信号与从第三扫描驱动器SDV3供应到第三扫描线S31的扫描信号可以同时供应。同样地，从第二扫描驱动器SDV2供应到第二扫描线S22的扫描信号与从第三扫描驱动器SDV3供应到第三扫描线S32的扫描信号可以同时供应。
当使用第二扫描驱动器SDV2和第三扫描驱动器SDV3将扫描信号供应到第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32时，可以防止由于第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32的RC延迟造成的扫描信号的延迟，因此，能够将期望的扫描信号供应到第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32。
另外，第二扫描驱动器SDV2和第三扫描驱动器SDV3可以被驱动为使得它们彼此同步，因此，可以通过相同的栅极控制信号GCS来驱动第二扫描驱动器SDV2和第三扫描驱动器SDV3。例如，正在供应到第三扫描驱动器SDV3的第三栅极控制信号GCS3可以被设定为与第二栅极控制信号GCS2相同的信号。
第一发光驱动器EDV1响应于来自时序控制单元TC的第四栅极控制信号GCS4将发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n。例如，第一发光驱动器EDV1可以将发光控制信号顺序地供应到第一发光控制线E11至E1n。
这里，发光控制信号可以设定为具有比扫描信号的宽度大的宽度。例如，正在供应到第i条(i为自然数)第一发光控制线E1i的发光控制信号可以被供应为使得它与正在供应到第i-1条第一扫描线S1i-1的扫描信号和正在供应到第i条第一扫描线S1i的扫描信号叠置至少部分时间段。
第二发光驱动器EDV2响应于来自时序控制单元TC的第五栅极控制信号GCS5而将发光控制信号供应到第二发光控制线E21和E22。这里，供应到第二发光控制线E21和E22的发光控制信号经由发光控制线连接部EE供应到第三发光控制线E31和E32。第二发光控制驱动器EDV2可以将发光控制信号顺序地供应到第二发光控制线E21和E22。
第三发光驱动器EDV3响应于来自时序控制单元TC的第六栅极控制信号GCS6将发光控制信号供应到第三发光控制线E31和E32。这里，供应到第三发光控制线E31和E32的发光控制信号经由发光控制线连接部EE供应到第二发光控制线E21和E22。第三发光驱动器EDV3可以将发光控制信号顺序地供应到第三发光控制线E31和E32。
另外，发光控制信号可以设定为栅极截止电压(例如，高电压)，使得像素PXL中包括的晶体管可以截止，扫描信号可以设定为栅极导通电压(例如，低电压)，使得像素PXL中包括的晶体管可以导通。
同时，由于第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32通过发光控制线连接部EE电接入，所以正在从第二发光驱动器EDV2供应的发光控制信号与正在从第三发光驱动器EDV3供应的发光控制信号可以被供应为使得它们彼此同步。
例如，从第二发光驱动器EDV2供应到第二发光控制线E21的发光控制信号与从第三发光控制驱动器EDV3供应到第三发光控制线E31的发光控制信号可以同时供应。同样地，从第二发光驱动器EDV2供应到第二发光控制线E22的发光控制信号与从第三发光控制驱动器EDV3供应到第三发光控制线E32的发光控制信号可以同时供应。
当使用第二发光驱动器EDV2和第三发光驱动器EDV3将发光控制信号供应到第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32时，可以防止由于第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32的RC延迟造成的发光控制信号的延迟，因此，能够将期望的发光控制信号供应到第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32。
另外，第二发光驱动器EDV2和第三发光驱动器EDV3可以被驱动为使得它们彼此同步，因此，可以通过相同的栅极控制信号GCS来驱动第二发光驱动器EDV2和第三发光驱动器EDV3。例如，正在供应到第三发光驱动器EDV3的第六栅极控制信号GCS6可以被设定为与第五栅极控制信号GCS5相同的信号。
数据驱动器DDV可以响应于数据控制信号DCS将数据信号供应到数据线D1至Dm。供应到数据线D1至Dm的数据信号被供应到由扫描信号选择的像素PXL。
时序控制单元TC将基于从外部供应的时序信号产生的栅极控制信号GCS1至GCS6供应到扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV，并且将数据控制信号DCS供应到数据驱动器DDV。
栅极控制信号GCS1至GCS6中的每个包括起始脉冲和时钟信号。起始脉冲控制第一扫描信号或第一发光控制信号的时序。时钟信号用于使起始脉冲移位。
数据控制信号DCS包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲控制数据采样的起始时间点。时钟信号用于控制采样操作。
同时，当正在顺序地驱动显示装置时，可以将第二扫描驱动器SDV2的最后输出信号作为起始脉冲来提供给第一扫描驱动器SDV1。同样地，当正在顺序地驱动显示装置时，可以将第二发光驱动器EDV2的最后输出信号作为起始脉冲来提供给第一发光驱动器EDV1。
图5是示出根据本公开的另一实施例的像素和驱动器的框图。当解释图5时，对于与图3中的构造相同的构造，将给出相同的附图标记，并且将省略对其详细的描述。
参照图5，根据本公开的另一实施例的显示装置包括像素PXL、驱动器和引线部。
像素PXL包括第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3，驱动器包括第一扫描驱动器SDV1、第二扫描驱动器SDV2、第一发光驱动器EDV1、第二发光驱动器EDV2、数据驱动器DDV和时序控制单元TC。将图5和图3进行比较，在图5中可省略第三扫描驱动器SDV3和第三发光驱动器EDV3。
即，根据本公开的另一实施例的显示装置使用第二扫描驱动器SDV2驱动第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32，并使用第二发光驱动器EDV2驱动第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32。
更详细地，第二扫描线S21和S22以及第三扫描线S31和S32通过扫描线连接部ES电接入，第二发光控制线E21和E22以及第三发光控制线E31和E32通过发光控制线连接部EE电接入。因此，来自第二扫描驱动器SDV2的扫描信号可以经由第二扫描线S21和S22以及扫描线连接部ES供应到第三扫描线S31和S32。同样，来自第二发光驱动器EDV2的发光控制信号可以经由第二发光控制线E21和E22以及发光控制线连接部EE供应到第三发光控制线E31和E32。
图6是示出根据本公开的又一实施例的像素和驱动器的框图。当解释图6时，对于与图3中的构造相同的构造，将给出相同的附图标记，并且将省略对其详细的描述。
参照图6，根据本公开的又一实施例的显示装置包括像素PXL、驱动器和引线部。
像素PXL包括第一至第三像素PXL1、PXL2、PXL3，驱动器包括第一扫描驱动器SDV1、第二扫描驱动器SDV2、第三扫描驱动器SDV3、第四扫描驱动器SDV4、第一发光驱动器EDV1、第二发光驱动器EDV2、第三发光驱动器EDV3、第四发光驱动器EDV4、数据驱动器DDV和时序控制单元TC。
第四扫描驱动器SDV4响应于来自时序控制单元TC的第七栅极控制信号GCS7将扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n。例如，第四扫描驱动器SDV4可以将扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n。当扫描信号顺序地供应到第一扫描线S11至S1n时，以水平行单位顺序选择第一像素PXL1。
同时，第四扫描驱动器SDV4将扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n，使得它与第一扫描驱动器SDV1同步。例如，可以同时向第一扫描线S11提供来自第一扫描驱动器SDV1和第四扫描驱动器SDV4的扫描信号。同样，可以同时向第一扫描线S1n提供来自第一扫描驱动器SDV1和第四扫描驱动器SDV4的扫描信号。
当使用第一扫描驱动器SDV1和第四扫描驱动器SDV4将扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n时，可以防止由于第一扫描线S11至S1n的RC延迟造成的扫描信号的延迟，因此，能够将期望的扫描信号供应到第一扫描线S11至S1n。
另外，第一扫描驱动器SDV1和第四扫描驱动器SDV4可以被驱动为使得它们彼此同步，因此，可以通过相同的栅极控制信号GCS来驱动第一扫描驱动器SDV1和第四扫描驱动器SDV4。例如，正在供应到第四扫描驱动器SDV4的第七栅极控制信号GCS7可以被设定为与第一栅极控制信号GCS1相同的信号。同时，当正在顺序地驱动显示装置时，可以将第三扫描驱动器SDV3的最后输出信号作为起始脉冲来提供给第四扫描驱动器SDV4。
第四发光驱动器EDV4响应于来自时序控制单元TC的第八栅极控制信号GCS8而将发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n。例如，第四发光驱动器EDV4可以将发光控制信号顺序地供应到第一发光控制线E11至E1n。
同时，第四发光驱动器EDV4将发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n，使得第四发光驱动器EDV4与第一发光驱动器EDV1同步。例如，可以同时向第一发光控制线E11提供来自第一发光驱动器EDV1和第四发光驱动器EDV4的发光控制信号。同样，可以同时向最后的第一发光控制线E1n提供来自第一发光驱动器EDV1和第四发光驱动器EDV4的发光控制信号。
当如前所述使用第一发光驱动器EDV1和第四发光驱动器EDV4将发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n时，可以防止由于第一发光控制线E11至E1n的RC延迟造成的发光控制信号的延迟，因此，能够将期望的发光控制信号供应到第一发光控制线E11至E1n。
此外，第一发光驱动器EDV1和第四发光驱动器EDV4可以被驱动使得它们彼此同步，因此，可以通过相同的栅极控制信号GCS来驱动它们。例如，正在供应到第四发光驱动器SDV4的第八栅极控制信号GCS8可以被设定为与第四栅极控制信号GCS4相同的信号。同时，当顺序地驱动显示装置时，可以将第三发光驱动器EDV3的最后输出信号作为起始脉冲来提供给第四发光驱动器EDV4。
此外，图3至图6中示出的驱动器SDV1至SDV4、EDV1至EDV4可以由开发人员以各种形式布置。例如，第三扫描驱动器SDV3、第四扫描驱动器SDV4、第三发光驱动器EDV3和第四发光驱动器EDV4可以布置在显示装置中，可以省略第一扫描驱动器SDV1、第二扫描驱动器SDV2、第一发光驱动器EDV1和第二发光驱动器EDV2。
图7是示出图3中所示的第一像素的示例的图。在图7中，为了便于解释，示出了接入到第m条数据线Dm和第i条第一扫描线S1i的像素。
参照图7，根据本公开的实施例的第一像素PXL1设置有有机发光二极管OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。
有机发光二极管OLED的阳极经由第六晶体管T6接入到第一晶体管T1，有机发光二极管OLED的阴极接入到第二电源ELVSS。这样的有机发光二极管OLED产生与从第一晶体管T1供应的电流的量对应的一定亮度的光。
第一电源ELVDD可以设定为比第二电源ELVSS的电压高的电压，使得电流可以流到有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7接入在初始化电源Vint和有机发光二极管OLED的阳极之间。此外，第七晶体管T7的栅电极接入到第i条第一扫描线S1i。这样的第七晶体管T7在扫描信号供应到第i条第一扫描线S1i时导通，并且将初始化电源Vint的电压提供给有机发光二极管OLED的阳极。这里，初始化电源Vint可以设定为比数据信号的电压低的电压。
第六晶体管T6接入在第一晶体管T1和有机发光二极管OLED之间。此外，第六晶体管T6的栅电极接入到第i条第一发光控制线E1i。这样的第六晶体管T6在发光控制信号供应到第i条第一发光控制线E1i时截止，而在其它情况下，第六晶体管T6导通。
第五晶体管T5接入在第一电源ELVDD和第一晶体管T1之间。此外，第五晶体管T5的栅电极接入到第i条第一发光控制线E1i。这样的第五晶体管T5在发光控制信号供应到第i条第一发光控制线Eli时截止，而在其它情况下，第五晶体管T5导通。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极经由第五晶体管T5接入到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管接入到有机发光二极管OLED的阳极。此外，第一晶体管T1的栅电极接入到第一节点N1。这样的第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压来控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流到第二电源ELVSS的电流的量。
第三晶体管T3接入在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。此外，第三晶体管T3的栅电极接入到第i条第一扫描线S1i。这样的第三晶体管T3在扫描信号供应到第i条第一扫描线S1i时导通，并且使第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电接入。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管形式接入。
第四晶体管T4接入在第一节点N1和初始化电源Vint之间。此外，第四晶体管T4的栅电极接入到第i-1条第一扫描线S1i-1。这样的第四晶体管T4在扫描信号供应到第i-1条第一扫描线Sli-1时导通，并且将初始化电源Vint的电压供应到第一节点N1。
第二晶体管T2接入在第m条数据线Dm与第一晶体管T1的第一电极之间。此外，第二晶体管T2的栅电极接入到第i条第一扫描线S1i。这样的第二晶体管T2在扫描信号供应到第i条第一扫描线S1i时导通，并且使第m条数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极电接入。
存储电容器Cst接入在第一电源ELVDD和第一节点N1之间。这样的存储电容器Cst存储数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。
同时，第二像素PXL2和第三像素PXL3可以以与第一像素PXL1的电路相同的电路来实现。因此，省略对第二像素PXL2和第三像素PXL3的详细解释。
图8是详细地示出图3的第一像素的平面图，图9是沿图8的线I-I'截取的剖视图，图10是沿图8的线II-II'截取的剖视图。
图8至图10示出了与布置在第一像素区域PXA1中的第i行和第j列中布置的一个第一像素PXL1连接的两条第一扫描线S1i-1和S1i、第一发光控制线E1i、电源线PL和数据线Dj。在图9和图10中，为了便于解释，第i-1行的第一扫描线表示为“第i-1条第一扫描线S1i-1”，第i行的第一扫描线表示为“第i条第一扫描线S1i”，第i行的发光控制线表示为“发光控制线E1i”，第j列的数据线表示为“数据线Dj”，第j条电源线表示为“电源线PL”。
参照图3至图10，显示装置可以包括基底SUB、引线部和像素PXL。
基底SUB可以由诸如玻璃和树脂等的绝缘材料制成。此外，基底SUB可以由具有柔性的材料制成使得基底SUB可以弯曲或折叠，基底SUB可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，构成基底SUB的材料可以改变，并且可以包含纤维增强塑料(FRP)等。
引线部可以向每个第一像素PXL1提供信号，并且可以包括第一扫描线S1i-1和S1i、第一发光控制线E1i、电源线PL和初始化电源线IPL。
第一扫描线S1i-1和S1i可以在第一方向DR1上延伸。第一扫描线S1i-1和S1i可以包括沿第二方向DR2顺序地布置的第i-1条第一扫描线S1i-1和第i条第一扫描线S1i。第一扫描线S1i-1和S1i可以被施加有扫描信号。例如，可以向第i-1条第一扫描线S1i-1施加第i-1扫描信号，可以向第i条第一扫描线S1i施加第i扫描信号。第i条第一扫描线S1i可以分叉为两条线，分叉的第i条第一扫描线S1i可以连接到不同的晶体管。例如，第i条第一扫描线S1i可以包括与第i-1条第一扫描线S1i-1相邻的上第i条第一扫描线S1i以及远离第i-1条第一扫描线S1i-1和上第i条第一扫描线S1i的下第i条第一扫描线S1i。
第一发光控制线E1i可以在第一方向DR1上延伸。第一发光控制线E1i布置为在两条第i条第一扫描线S1i之间与第i条第一扫描线S1i间隔开。第一发光控制线E1i可以被施加有发光控制信号。
数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸。数据线Dj可以被施加有数据信号。
电源线PL可以沿第二方向DR2延伸。电源线PL可以布置为与数据线Dj间隔开。电源线PL可以被施加有第一电源ELVDD。
初始化电源线IPL可以在第一方向DR1上延伸。初始化电源线IPL可以设置在下第i条第一扫描线S1i和下一行像素的第i-1条第一扫描线S1i-1之间。初始化电源线IPL可以被施加有初始化电源Vint。
每个第一像素PXL1可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。
第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和连接线CNL。
第一栅电极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3和第四晶体管T4的第四漏电极DE4。连接线CNL可以将第一栅电极GE1、第三漏电极DE3和第四漏电极DE4连接。连接线CNL的一端可以通过第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1，连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
在本公开的实施例中，第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第一有源图案ACT1由不掺杂杂质的半导体层制成。
第一有源图案ACT1可以具有沿某一方向延伸的条的形状，其中，所述某一方向沿延伸的纵向方向弯曲多次。当从平面图看时，第一有源图案ACT1可以与第一栅电极GE1叠置。当最终形成第一有源图案ACT1时，最终可以形成第一晶体管T1的沟道区。因此，增大施加到第一晶体管T1的栅极电压的驱动范围。因此，能够控制之后从有机发光二极管OLED发射的光的灰度。
第一源电极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一端。第一源电极SE1可以连接到第二晶体管T2的第二漏电极DE2和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。第一漏电极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一端。第一漏电极DE1可以连接到第三晶体管T3的第三源电极SE3并连接到第六晶体管T6的第六源电极SE6。
第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2可以连接到上第i条第一扫描线S1i。第二栅电极GE2可以设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分或者设置为从上第i条第一扫描线S1i突出的形状。在本公开的实施例中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第二有源图案ACT2由不掺杂杂质的半导体层制成。第二有源图案ACT2是与第二栅电极GE2叠置的部分。第二源电极SE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二源电极SE2的另一端可以通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj。第二漏电极DE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二漏电极DE2的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1并连接到第五晶体管T5的第五漏电极DE5。
第三晶体管T3可以设置为双栅结构以防止漏电流。即，第三晶体管T3可以包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a可以包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a。第3b晶体管T3b可以包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。在下文中，第3a栅电极GE3a和第3b栅电极GE3b将表示为第三栅电极GE3，第3a有源图案ACT3a和第3b有源图案ACT3b将表示为第三有源图案ACT3，第3a源电极SE3a和第3b源电极SE3b将表示为第三源电极SE3，第3a漏电极DE3a和第3b漏电极DE3b将表示为第三漏电极DE3。
第三栅电极GE3可以连接到上第i条第一扫描线S1i。第三栅电极GE3可以设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分或者设置为从上第i条第一扫描线S1i突出的形状。例如，第3a栅电极GE3a可以设置为从上第i条第一扫描线S1i突出的形状，而第3b栅电极GE3b设置为上第i条第一扫描线S1i的一部分。
第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第三有源图案ACT3由不掺杂杂质的半导体层制成。第三有源图案ACT3是与第三栅电极GE3叠置的部分。第三源电极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源电极SE3的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1并连接到第六晶体管T6的第六源电极SE6。第三漏电极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏电极DE3的另一端可以连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。此外，第三漏电极DE3可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第四晶体管T4可以设置为双栅结构以防止漏电流。即，第四晶体管T4可以包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a可以包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a和第4a漏电极DE4a，第4b晶体管可以包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b和第4b漏电极DE4b。在下文中，第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b将表示为第四栅电极GE4，第4a有源图案ACT4a和第4b有源图案ACT4b将表示为第四有源图案ACT4，第4a源电极SE4a和第4b源电极SE4b将表示为第四源电极SE4，第4a漏电极DE4a和第4b漏电极DE4b将表示为第四漏电极DE4。
第四栅电极GE4可以连接到第i-1条第一扫描线S1i-1。第四栅电极GE4可以设置为第i-1条第一扫描线S1i-1的一部分或者设置为从第i-1条第一扫描线S1i-1突出的形状。例如，第4a栅电极GE4a可以设置为第i-1条第一扫描线S1i-1的一部分。第4b栅电极GE4b可以设置为从第i-1条第一扫描线S1i-1突出的形状。
第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第四有源图案ACT4由不掺杂杂质的半导体层制成。第四有源图案ACT4是与第四栅电极GE4叠置的部分。
第四源电极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源电极SE4的另一端可以连接到前一行的像素的初始化电源线IPL并连接到前一行的像素的第七晶体管T7的第七漏电极DE7。辅助连接线AUX可以设置在第四源电极SE4和初始化电源线IPL之间。辅助连接线AUX的一端可以通过第九接触孔CH9连接到第四源电极SE4。辅助连接线AUX的另一端可以通过前一行的第八接触孔连接到前一行的初始化电源线IPL。第四漏电极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏电极DE4的另一端连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。第四漏电极DE4还通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
第五栅电极GE5可以连接到第一发光控制线E1i。第五栅电极GE5可以设置为第一发光控制线E1i的一部分或者设置为从第一发光控制线E1i突出的形状。第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第五有源图案ACT5由不掺杂杂质的半导体层制成。第五有源图案ACT5是与第五栅电极GE5叠置的部分。第五源电极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源电极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5连接到电源线PL。第五漏电极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏电极DE5的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1，并且连接到第二晶体管T2的第二漏电极DE2。
第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
第六栅电极GE6可以连接到第一发光控制线E1i。第六栅电极GE6可以设置为第一发光控制线E1i的一部分或者设置为从第一发光控制线E1i突出的形状。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第六有源图案ACT6由不掺杂杂质的半导体层制成。第六有源图案ACT6是与第六栅电极GE6叠置的部分。第六源电极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源电极SE6的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第三晶体管T3的第三源电极SE3。第六漏电极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏电极DE6的另一端可以连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7。
第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。
第七栅电极GE7可以连接到下第i条第一扫描线S1i。第七栅电极GE7可以设置为下第i条第一扫描线S1i的一部分或者设置为从下第i条第一扫描线S1i突出的形状。第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可由掺杂杂质或不掺杂杂质的半导体层形成。例如，第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂杂质的半导体层制成，而第七有源图案ACT7由不掺杂杂质的半导体层制成。第七有源图案ACT7是与第七栅电极GE7叠置的部分。第七源电极SE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七源电极SE7的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第七漏电极DE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七漏电极DE7的另一端可以连接到初始化电源线IPL。此外，第七漏电极DE7可以连接到下一行的像素的第四晶体管T4的第四源电极SE4。第七漏电极DE7和下一行的像素的第四晶体管T4的第四源电极SE4可以通过辅助连接线AUX、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9彼此连接。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以由第一晶体管T1的第一栅电极GE1形成。
上电极UE可以与第一栅电极GE1叠置，并且当从平面图看时可以覆盖下电极LE。通过增加上电极UE和下电极LE彼此叠置的表面积，能够增大存储电容器Cst的电容。上电极UE可以在第一方向DR1上延伸。在本公开的实施例中，对上电极UE，可以施加与第一电源ELVDD的电压相同电平的电压。在形成被第一栅电极GE1和连接线CNL触摸的第一接触孔CH1的区域中，上电极UE可以具有开口OPN。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD以及设置在第一电极AD和第二电极CD之间的发光层EML。
第一电极AD可以设置在与每个第一像素PXL1对应的发光区域内。第一电极AD可以通过第七接触孔CH7和第十接触孔CH10连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7和第六晶体管T6的第六漏电极DE6。桥接图案BRP可以设置在第七接触孔CH7和第十接触孔CH10之间。桥接图案BRP可以连接第六漏电极DE6、第七源电极SE7和第一电极AD。
在下文中，将参照图8至图10以堆叠顺序解释根据本公开的实施例的显示装置的结构。
有源图案ACT1至ACT7(在下文中被称为ACT)可以设置在基础基底BS上。有源图案可以包括第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7。第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7可以由半导体材料制成。
在基础基底BS与第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7之间，可以设置缓冲层(未示出)。
在形成有第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7的基础基底BS上，可以设置栅极绝缘膜GI。
在栅极绝缘膜GI上，可以设置第i-1条第一扫描线S1i-1、第i条第一扫描线S1i、发光控制线E1i以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7。第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与上第i条第一扫描线S1i一体地形成。第四栅电极GE4可以与第i-1条第一扫描线S1i-1一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与发光控制线E1i一体地形成。第七栅电极GE7可以与下第i条第一扫描线S1i一体地形成。
在形成有第i-1条第一扫描线S1i-1等的基础基底BS上，可以设置第一层间绝缘膜IL1。
在第一层间绝缘膜IL1上，可以设置存储电容器Cst的上电极UE和初始化电源线IPL。上电极UE可以覆盖下电极LE。上电极UE可以与下电极LE一起以及设置在其间的第一层间绝缘膜IL1构成存储电容器Cst。
在形成有上电极UE等的基础基底BS上，可以设置第二层间绝缘膜IL2。
在第二层间绝缘膜IL2上，可以设置数据线Dj、电源线PL、连接线CNL、辅助连接线AUX和桥接图案BRP。
数据线Dj可以通过穿透第一层间绝缘膜IL1、第二层间绝缘膜IL2和栅极绝缘膜GI的第六接触孔CH6连接到第二源电极SE2。电源线PL可以通过穿透第二层间绝缘膜IL2的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到存储电容器Cst的上电极UE。
电源线PL也可以通过穿透第一层间绝缘膜IL1、第二层间绝缘膜IL2和栅极绝缘膜GI的第五接触孔CH5连接到第五源电极SE5。
连接线CNL可以通过穿透第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1。此外，连接线CNL可以通过穿透栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
辅助连接线AUX可以通过穿过第二层间绝缘膜IL2的第八接触孔CH8连接到初始化电源线IPL。此外，辅助连接线AUX可以通过穿透栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的第九接触孔CH9连接到前一行的第七漏电极DE7和第四源电极SE4。
桥接图案BRP可以是作为第六漏电极DE6和第一电极AD之间的媒介而设置的图案，以连接第六漏电极DE6和第一电极AD。桥接图案BRP通过穿透栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜IL1、第二层间绝缘膜IL2的第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。
在形成有数据线Dj等的基础基底BS上，可以设置保护层PSV。
在保护层PSV上，可以设置有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以包括第一电极AD、第二电极CD以及设置在第一电极AD和第二电极CD之间的发光层EML。
第一电极AD可以设置在保护层PSV上。第一电极AD可以通过穿透保护层PSV的第十接触孔CH10连接到桥接图案BRP。由于桥接图案BRP通过第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6并连接到第七源电极SE7，所以第一电极AD可以最终连接到第六漏电极DE6并连接到第七源电极SE7。
在形成有第一电极AD等的基础基底BS上，可以设置用于将发光区域划分为与每个像素PXL对应的像素限定膜PDL。像素限定膜PDL可以沿像素PXL的外围从基础基底BS突出，同时暴露第一电极AD的上表面。
在由像素限定膜PDL围绕的发光区域中，设置发光层EML，并且在发光层EML上，可以设置第二电极CD。在第二电极CD上，可以设置覆盖第二电极CD的包封膜SLM。
第一电极AD和第二电极CD中的一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。例如，第一电极AD可以是阳极电极，第二电极CD可以是阴极电极。
此外，第一电极AD和第二电极CD中的至少一个可以是透射式电极。例如，在有机发光二极管OLED是后表面发光式有机发光二极管的情况下，第一电极AD可以是透射式电极，第二电极CD可以是反射式电极。在有机发光二极管OLED是前表面发光式有机发光二极管的情况下，第一电极AD可以是反射式电极，第二电极CD可以是透射式电极。在有机发光二极管OLED是双侧发光式有机发光二极管的情况下，第一电极AD和第二电极CD两者可以是透射式电极。基于有机发光二极管OLED是前表面发光式有机发光二极管并且第一电极AD是阳极电极的假设来解释本实施例。
第一电极AD可以包括能够反射光的反射膜(未示出)和布置在反射膜的上部或下部上的透明导电膜(未示出)。透明导电膜和反射膜中的至少一个可以接入到漏电极DE。
反射膜可以包括能反射光的材料。例如，反射膜可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)及其合金中的至少一种。
透明导电膜可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺氟氧化锡(FTO)中的至少一种透明导电氧化物。
像素限定膜PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定膜PDL可以是聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中的至少一种。
发光层EML可以布置在第一电极AD的暴露的表面上。发光层EML可以具有至少包括光产生层的多层薄膜结构。例如，发光层EML可以设置有用于注入空穴的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、用于通过注入的电子和空穴的复合而发光的光产生层、用于限制在光产生层中不能结合的空穴的迁移的空穴阻挡层HBL、用于将电子顺利地输送到光产生层的电子传输层ETL以及用于注入电子的电子注入层EIL，其中，空穴传输层HTL具有优异的空穴传输能力并且被构造为通过限制不能在光产生层中结合的电子的迁移来增加空穴和电子的复合的机会。
光产生层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种，但是在本实施例中不限于此。例如，光产生层中产生的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层可以是在彼此相邻的发光区域中连接的公共膜。
第二电极CD可以是半透射反射膜。例如，第二电极CD可以是具有足以使从发光层EML发射的光透射的厚度的薄金属层。第二电极CD可以使从发光层EML发射的光的一部分透射，而使从发光层EML发射的光的其余部分反射。
第二电极CD可以包括具有比透明导电膜的逸出功低的逸出功的材料。例如，第二电极CD可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其合金中的至少一种。
从发光层EML发射的光的一部分可以不从第二电极CD透射，并且被第二电极CD反射的光可以再次被反射膜反射。即，在反射膜和第二电极CD之间，从发光层EML发射的光可以谐振。通过光的谐振，可以改善有机发光二极管OLED的光提取效率。
反射膜和第二电极CD之间的距离可以根据从发光层EML发射的光的颜色而不同。即，根据从发光层EML发射的光的颜色，可以将反射膜和第二电极CD之间的距离调整为适合于谐振距离。
包封膜SLM可以防止氧和潮气渗入有机发光二极管OLED。包封膜SLM可以包括多个无机膜(未示出)和多个有机膜(未示出)。例如，包封膜(SLM)可以包括多个单元包封层，多个单元包封层包括无机膜和布置在无机膜上的有机膜。此外，在包封膜SLM的最下部和最上部上，可以布置无机膜。无机膜可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡中的至少一种。
在本公开的实施例中，第二像素区域PXA2中设置的第二像素PXL2和第三像素区域PXA3中设置的第三像素PXL3具有与第一像素PXL1的像素结构基本相同的像素结构，因此，省略对其的重复解释。
图11和图12是示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图，图13是图11的区域AA的放大图，图14是沿图13的线III-III'截取的剖视图。在图11至图14中，为了方便仅示出了一些构造元件。
参照图8至图14，相对于连接到第一区域A1的第一像素PXL1的扫描线的负载值，分别连接到第二区域A2的第二像素PXL2和第三区域A3的第三像素PXL3中的每个的扫描线的负载值可以不同。这是因为第二区域A2和第三区域A3中的每个中的像素的数量和对应的扫描线的长度不同于第一区域A1中的像素的数量和对应的扫描线的长度。换句话说，第一区域A1内的扫描线的负载值可以大于第二区域A2和第三区域A3中的每个内的扫描线的负载值。
因此，在本公开的实施例中，为了补偿像素区域之间的负载值的差异，可以使用虚设单元将不同结构的寄生电容施加到每个像素区域。即，为了补偿第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3中的扫描线的负载值相对于第一像素区域PXA1中的扫描线的负载值的差异，虚设单元不设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，然而虚设单元设置在将与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2和与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3连接的附加外围区域APA中。
详细地，在本公开的实施例中，虚设单元DU限定在将第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3连接的附加外围区域APA中，使得虚设单元DU的寄生电容补偿第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3中的扫描线的负载值相对于第一像素区域PXA1中的扫描线的负载值的差异。即，在虚设单元DU中，在附加外围区域APA中电源供应部与扫描线连接部ES和/或发光控制线连接部EE之间的叠置形成寄生电容器以补偿负载值，如下面将更详细地描述的。
在附加外围区域APA中，如图3和图11中示出的，可以设置将布置在同一行中的第二区域A2的第二扫描线S21、S22与第三区域A3的第三扫描线S31、S32连接的至少一个扫描线连接部ES。例如，如图11中示出的，在附加外围区域APA中，可以设置连接第二扫描线S21、S22与第三扫描线S31、S32中的每个的多个扫描线连接部ES。此外，如图16中示出的，在附加外围区域APA中，可以设置连接第二扫描线S21、S22与第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES，然而第二扫描线S21、S22中的一些和第三扫描线S31、S32中的一些不连接到扫描线连接部ES。同样地，在附加外围区域APA中，可以设置用于将布置在同一行中的第二区域A2的第二发光控制线E21、E22和第三区域A3的第三发光控制线E31、E32连接的至少一个发光控制线连接部EE。
在本公开的实施例中，虚设单元DU可以设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与电源供应部叠置的区域中。电源供应部可以是第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS中的一个。在下文中，为了方便，将基于虚设单元DU设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS叠置的区域中的假设进行解释。
扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以由与初始化电源线IPL和存储电容器Cst的上电极UE的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE与初始化电源线IPL和上电极UE可以形成在同一层上。在本公开的实施例中，基于如下假设进行解释：扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE与初始化电源线IPL和上电极UE形成在同一层上，但是不限于此。例如，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以与第二扫描线S21、S22形成在同一层上。
第二电源供应线ELVSS可以由与连接线CNL、桥接图案BRP和电源线PL的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，第二电源供应线ELVSS与连接线CNL、桥接图案BRP和电源线PL可以形成在同一层上，例如，形成在第二层间绝缘膜IL2上。在本公开的实施例中，基于如下假设进行解释：第二电源供应线ELVSS与连接线CNL、桥接图案BRP和电源线PL形成在同一层上，但是不限于此。例如，第二电源供应线ELVSS可以与初始化电源线IPL和上电极UE形成在同一层上。
在虚设单元DU中，第二电源供应线ELVSS与扫描线连接部ES之间的叠置形成寄生电容器。寄生电容器的寄生电容可以增大第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载，从而补偿第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值。结果，第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值可以与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n的负载值相同或相似。在本公开的实施例中，可根据扫描线的负载值而不同地设定由虚设单元DU形成的寄生电容以进行补偿。
同样，虚设单元DU可以补偿第二像素区域PXA2的第二发光控制线E21、E22和第三像素区域PXA3的第三发光控制线E31、E32的负载值。例如，在虚设单元DU中，第二电源供应线ELVSS和发光控制线连接部EE形成寄生电容器。寄生电容器的寄生电容可以增大第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载，从而补偿第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载。结果，第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载值可以与第一像素区域PXA1的第一发光控制线E11至E1n的负载值相同或相似。
在本公开的实施例中，布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度可以短于布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度。在扫描线连接部ES之中，连接到短的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度可以大于连接到长的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度。
由于虚设单元DU布置在第二电源供应线ELVSS和扫描线连接部ES彼此叠置的区域中，所以第二电源供应线ELVSS和长的扫描线连接部ES叠置的表面积可大于第二电源供应线ELVSS和短的扫描线连接部ES叠置的表面积。通过第二电源供应线ELVSS和长的扫描线连接部ES的重叠形成的寄生电容器的寄生电容可以大于通过第二电源供应线ELVSS和短的扫描线连接部ES的重叠形成的寄生电容器的寄生电容。
因此，在第二像素区域PXA2中，布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值与布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值可以相同或相似。
可以根据扫描线连接部ES的负载值而不同地设定寄生电容以进行补偿，可以通过具有第二电源供应线ELVSS和扫描线连接部ES的重叠的不同的表面积来得到负载值。同样，也可以通过具有第二电源供应线ELVSS和发光控制线连接部的重叠的不同的表面积来得到发光控制线连接部的负载值的差异。
此外，在本实施例中，如图12中示出的，未连接到扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE的像素行的扫描线或发光控制线可以不具有通过虚设单元DU补偿的它们的负载值。未连接到扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE的像素行的扫描线或发光控制线可以在其端部具有附加的虚设单元DU，以具有补偿的它们的负载值。
图15是示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图，图16是图15的区域BB的放大图，图17是沿图16的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图8至图10和图15至图17，连接到第二区域A2的第二像素PXL2和第三区域A3的第三像素PXL3中的每个的扫描线的负载值与连接到第一区域A1的第一像素PXL1的扫描线的负载值可以彼此不同。
因此，在本公开的实施例中，为了补偿像素区域之间的负载值的差异，可以使用虚设单元将不同结构的寄生电容施加到每个像素区域。即，为了补偿第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3之间的扫描线的负载值的差异，虚设单元可以不设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，然而虚设单元设置在将与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2和与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3连接的附加外围区域APA中。
在附加外围区域APA中，可以设置将布置在同一行中的第二区域A2的第二扫描线S21、S22与第三区域A3的第三扫描线S31、S32连接的至少一个扫描线连接部ES。同样地，在附加外围区域APA中，可以设置将布置在同一行中的第二区域A2的第二发光控制线E21、E22与第三区域A3的第三发光控制线E31、E32连接的至少一个发光控制线连接部EE。
在本公开的实施例中，虚设单元可以设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与电源供应部叠置的区域中。电源供应部可以是第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS中的一个，例如，第二电源供应线ELVSS。
此外，虚设单元可以包括连接到第二电源供应线ELVSS的辅助电源供应图案AUP。辅助电源供应图案AUP可以布置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS之间，并且可以与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE和第二电源供应线ELVSS叠置。例如，辅助电源供应图案AUP可以由与初始化电源线IPL和存储电容器Cst的上电极UE的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，辅助电源供应图案AUP与初始化电源线IPL和上电极UE可以形成在同一层上。即，辅助电源供应图案AUP可以布置在第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2之间。
扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以由与第二扫描线S21、S22或第二发光控制线E21、E22的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE与第二扫描线S21、S22或第二发光控制线E21、E22可以形成在同一层上。即，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以布置在栅极绝缘膜GI和第一层间绝缘膜IL1之间。
在虚设单元中，辅助电源供应图案AUP可以与扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE叠置以形成寄生电容器。
寄生电容器的寄生电容可以增大第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载，从而补偿第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值。结果，第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值可以与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n的负载值相同或相似。
同样，虚设单元可以补偿第二像素区域PXA2的第二发光控制线E21、E22和第三像素区域PXA3的第三发光控制线E31、E32的负载值。
图18是示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图，图19是图18的区域CC的放大图，图20至图22是沿图19的线III-III'截取的剖视图。为了便于解释，图18至图22仅示出了一些构造元件。
首先，参照图8至图10和图18至图20，连接到第二区域A2的第二像素PXL2和第三区域A3的第三像素PXL3中的每个的扫描线的负载值与连接到第一区域A1的第一像素PXL1的扫描线的负载值可以彼此不同。
因此，在本公开的实施例中，为了补偿由像素区域引起的负载值的差异，可以使用虚设单元将不同结构的寄生电容施加到每个像素区域。即，为了补偿第一像素区域PXA1与第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3之间的扫描线的负载值的差异，虚设单元可以不设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，然而虚设单元设置在将与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2和与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3连接的附加外围区域APA中。
在本公开的实施例中，在附加外围区域APA中，可以设置将布置在同一行中的第二区域A2的第二扫描线S21、S22与第三区域A3的第三扫描线S31、S32连接的至少一个扫描线连接部ES。
同样地，在附加外围区域APA中，可以设置将布置在同一行中的第二区域A2的第二发光控制线E21、E22与第三区域A3的第三发光控制线E31、E32连接的至少一个发光控制线连接部EE。
在本公开的实施例中，虚设单元可以设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与电源供应部叠置的区域中。电源供应部可以是第一电源供应线ELVDD和第二电源供应线ELVSS中的一个，例如，第二电源供应线ELVSS。
第二电源供应线ELVSS可以由与连接线CNL、桥接图案BRP和电源线PL的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，第二电源供应线ELVSS可以与连接线CNL、桥接图案BRP和电源线PL形成在同一层(例如，第二层间绝缘膜IL2)上。
扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以由与初始化电源线IPL和存储电容器Cst的上电极UE的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以与初始化电源线IPL和上电极UE形成在同一层上。第二电源供应线ELVSS可以与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE叠置以形成寄生电容器。
此外，虚设单元可以连接到第二电源供应线ELVSS，并且可以包括与第二电源供应线ELVSS叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以由与布置在每个像素中的有源图案的材料相同的材料制成并且在同一工艺中制成。虚设图案DMP可以与有源图案形成在同一层上。即，虚设图案DMP可以布置在基底SUB和栅极绝缘膜GI之间，并且可以由掺杂杂质的半导体层形成。
虚设图案DMP可以通过穿透栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的接触孔CNT连接到第二电源供应线ELVSS。虚设图案DMP可以被施加有与第二电源供应线ELVSS的电压相同的电压。因此，虚设图案DMP可以与扫描线连接部ES叠置以形成寄生电容器。因此，虚设单元可以包括由扫描线连接部ES和第二电源供应线ELVSS形成的寄生电容器以及由扫描线连接部ES和虚设图案DMP形成的寄生电容器。
由虚设单元形成的寄生电容器的寄生电容可以增大第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载，从而补偿第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值。结果，第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n的负载值可以相同或相似。
在本公开的实施例中，由虚设单元形成的寄生电容可以根据扫描线的负载值而不同地设定以进行补偿。
同样，虚设单元可以补偿第二像素区域PXA2的第二发光控制线E21、E22和第三像素区域PXA3的第三发光控制线E31、E32的负载值。例如，发光控制线连接部EE可以布置在附加外围区域APA中，第二电源供应线ELVSS、虚设图案DMP和发光控制线连接部EE可以形成寄生电容器。寄生电容可以增大第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载，从而补偿第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载值。结果，第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载值与第一像素区域PXA1的第一发光控制线E11至E1n的负载值可以相同或相似。
在本公开的实施例中，虚设单元可以以各种方法实现。在上述实施例中，与有源图案布置在同一层上的虚设图案DMP使用第二电源供应线ELVSS与扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE之间的寄生电容器补偿扫描线和发光控制线的负载值，但不限于此。
在本公开的实施例中，虚设图案DMP可以与第二扫描线S21、S22布置在同一层上。因此，虚设单元可以包括由扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS形成的寄生电容器，以及由扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE与虚设图案DMP形成的寄生电容器。虚设单元可以使用寄生电容器来补偿扫描线之间的负载值差异与发光控制线之间的负载值差异。
接下来，参照图8至图10、图18、图19和图21，第二电源供应线ELVSS可以与扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE叠置以形成寄生电容器。扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以由与初始化电源线IPL和存储电容器Cst的上电极UE的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。即，扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE可以与初始化电源线IPL和上电极UE形成在同一层上。
虚设单元可以包括与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以由与第二扫描线S21、S22的材料相同的材料制成并且在同一工艺中制成。因此，虚设图案DMP可以包括与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以由与第二扫描线S21、S22的材料相同的材料制成并且在同一工艺中制成。因此，虚设图案DMP与第二扫描线S21、S22可以形成在同一层上。即，可以在栅极绝缘膜GI与第一层间绝缘膜IL1之间布置虚设图案DMP。
虚设图案DMP可以通过穿透第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的接触孔CNT连接到第二电源供应线ELVSS。因此，虚设图案DMP可以被施加有与第二电源供应线ELVSS的电压相同的电压。因此，虚设图案DMP可以与扫描线连接部ES叠置以形成寄生电容器。
此外，扫描线连接部ES与第二电源供应线ELVSS可以形成寄生电容器。
因此，寄生电容器的寄生电容可以增大第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载，从而补偿第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值。结果，第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n的负载值可以相同或相似。
在本公开的实施例中，由虚设单元形成的寄生电容可根据扫描线的负载值而不同地设定以进行补偿。
同样地，虚设单元可以包括在虚设图案DMP和发光控制线连接部EE彼此叠置时形成的寄生电容器以及在发光控制线连接部EE和第二电源供应线ELVSS彼此叠置时形成的寄生电容器。因此，虚设单元可以通过寄生电容器的寄生电容来补偿第二像素区域PXA2的第二发光控制线E21、E22和第三像素区域PXA3的第三发光控制线E31、E32的负载值。结果，第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载值与第一像素区域PXA1的第一发光控制线E11至E1n的负载值可以相同或相似。
接下来，参照图8至图10和图19至图22，第二电源供应线ELVSS可以与扫描线连接部ES和发光控制线连接部EE叠置以形成寄生电容器。
扫描线连接部ES可以由与第二扫描线S21、S22的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，扫描线连接部ES与第二扫描线S21、S22可以形成在同一层上。即，扫描线连接部ES可以布置在栅极绝缘膜GI和第一层间绝缘膜IL1之间。
发光控制线连接部EE可以由与第二发光控制线E21、E22的材料相同的材料制成且在同一工艺中制成。因此，发光控制线连接部EE与第二发光控制线E21、E22可以形成在同一层上。即，发光控制线连接部EE可以布置在第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2之间。
虚设单元可以设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS叠置的区域中。虚设单元可以包括与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以布置在基底SUB和栅极绝缘膜GI之间，并且可以由掺杂杂质的半导体层形成。
虚设图案DMP可以通过穿透栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜IL1和第二层间绝缘膜IL2的接触孔CNT连接到第二电源供应线ELVSS。因此，虚设图案DMP可以被施加有与第二电源供应线ELVSS的电压相同的电压。因此，虚设图案DMP可以与扫描线连接部ES叠置以形成寄生电容器。
虚设单元可以包括由扫描线连接部ES和第二电源供应线ELVSS形成的寄生电容器以及由扫描线连接部ES和虚设图案DMP形成的寄生电容器。
由虚设单元形成的寄生电容器的寄生电容可以增大第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载，从而补偿第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值。结果，第二扫描线S21、S22和第三扫描线S31、S32的负载值与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n的负载值可以相同或相似。
在本公开的实施例中，由虚设单元形成的寄生电容可根据扫描线的负载值而不同地设定以进行补偿。
同样地，虚设单元可以包括在虚设图案DMP和发光控制线连接部EE彼此叠置时形成的寄生电容器以及在发光控制线连接部EE和第二电源供应线ELVSS彼此叠置时形成的寄生电容器。因此，虚设单元可以通过寄生电容器的寄生电容来补偿第二像素区域PXA2的第二发光控制线E21、E22和第三像素区域PXA3的第三发光控制线E31、E32的负载值。结果，第二发光控制线E21、E22和第三发光控制线E31、E32的负载值与第一像素区域PXA1的第一发光控制线E11至E1n的负载值可以相同或相似。
图23是示出根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图。
参照图1A、图1B、图2至图10和图23，在第二外围区域PPA2的右长度部分中以及在第三外围区域PPA3的左长度部分中，可以布置将连接到第二像素区域PXA2的第二像素PXL2的第二扫描线S21、S22和连接到第三像素区域PXA3的第三像素PXL3的第三扫描线S31、S32连接的扫描线连接部ES。
布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度可以短于布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度。
在扫描线连接部ES之中，连接到短的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度可以大于连接到长的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度。
虚设单元可以布置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS叠置的区域中。虚设单元可以包括与扫描线连接部ES叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以具有延伸到第二外围区域PPA2的右长度部分并延伸到第三外围区域PPA3的左长度部分的形状。
虚设单元可以包括由扫描线连接部ES和第二电源供应线ELVSS形成的寄生电容器和由扫描线连接部ES和虚设图案DMP形成的寄生电容器。
此外，长的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠的表面积可以大于短的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠的表面积。因此，由长的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠形成的寄生电容可以大于由短的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠形成的寄生电容。
因此，在第二像素区域PXA2中，布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值与布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值可以相同或相似。
寄生电容可以根据扫描线连接部的负载值而不同地设定以进行补偿，可以通过具有虚设图案和扫描线连接部的重叠的不同的表面积来得到负载值。
同样，可以通过具有虚设图案和发光控制线连接部的重叠的不同的表面积来得到发光控制线连接部的负载值的差异。
图24是根据本公开的实施例的第二区域、第三区域和附加外围区域的平面图。
参照图1A、图1B、图2至图10和图24，在第二外围区域PPA2的右长度部分中、在附加外围区域APA中以及在第三外围区域PPA3的左长度部分中，可以布置将连接到第二像素区域PXA2的第二像素PXL2的第二扫描线S21、S22和连接到第三像素区域PXA3的第三像素PXL3的第三扫描线S31、S32连接的扫描线连接部ES。
布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度可以短于布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的长度。
在扫描线连接部ES之中，连接到短的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度可以大于连接到长的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的扫描线连接部ES的长度。
虚设单元可以设置在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE与第二电源供应线ELVSS叠置的区域中。虚设单元可以包括与扫描线连接部ES叠置的虚设图案DMP。虚设图案DMP可以具有延伸到第二外围区域PPA2的右长度部分并延伸到第三外围区域PPA3的左长度部分的形状。
虚设单元可以包括由扫描线连接部ES和第二电源供应线ELVSS形成的寄生电容器和由扫描线连接部ES和虚设图案DMP形成的寄生电容器。
在虚设图案DMP中，在第二扫描线S21、S22之中，与连接到较短的扫描线S21的扫描线连接部ES叠置的区域的宽度可以大于与连接到较长的第二扫描线S22的扫描线连接部ES叠置的区域的宽度。例如，虚设图案DMP可以具有离第一像素区域PXA1越远其宽度越大的梯形形状。
长的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠的表面积可以大于短的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠的表面积。
通过长的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠形成的寄生电容可以大于通过短的扫描线连接部ES和虚设图案DMP的重叠形成的寄生电容。
因此，在第二像素区域PXA2中，布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量少)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值与布置在一行(其中，布置在该行中的第二像素PXL2和第三像素PXL3的数量多)中的第二扫描线S21、S22或第三扫描线S31、S32的负载值可以相同或相似。
寄生电容可以根据扫描线连接部的负载值而不同地设定以进行补偿，可以通过具有虚设图案和扫描线连接部的重叠的不同的表面积来得到负载值。
同样，也可以通过具有虚设图案和发光控制线连接部的重叠的不同的表面积来得到发光控制线连接部的负载值的差异。
图25是示出根据本公开的实施例的其中布置有虚设单元的区域的平面图，图26和图27是沿图25的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图1A、图1B、图2至图10和图25至图27，在第二外围区域PPA2中，可以提供第二扫描驱动器SDV2和第二发光驱动器EDV2。此外，在第三外围区域PPA3中，可以提供第三扫描驱动器SDV3和第三发光驱动器EDV3。
虚设图案DMP和第二电源供应线ELVSS中的至少一个可以包括被布置为它们彼此间隔开的多个开口区域OP、OP'。
开口区域OP、OP'可以与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE叠置。扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE可以均与至少两个开口区域OP、OP'叠置。
开口区域OP、OP'可以用作在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE中发生短路缺陷时进行修复所用的激光照射区域。例如，当在扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE中发生短路时，可以通过与扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE中发生短路的点的两侧对应的开口区域OP、OP'照射激光。当通过开口区域OP、OP'照射激光时，与这些开口区域OP、OP'对应的扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE可以断开。因此，可以防止由于扫描线连接部ES或发光控制线连接部EE的短路引起的缺陷。
通过总结和回顾，根据实施例，提供了具有一致的(例如，均匀的)亮度而与区域无关的显示装置。即，显示装置可以具有表面积不同的两个或更多个区域，以及在所述两个或更多个区域中的表面积较小的区域中与线叠置的虚设单元，因此虚设单元补偿所述两个或更多个区域中的线的负载值之间的差异。如此，显示装置在两个或更多个区域中提供均匀的亮度，而不管表面积和其上的线如何。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是它们仅仅在一般和描述性意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，对截止到本申请提交时的本领域普通技术人员将明显的是，除非另有明确指示，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件结合来使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个具有比所述第一像素区域的表面积小的表面积并且连接到所述第一像素区域；
第一像素至第三像素，分别设置在所述第一像素区域至所述第三像素区域中；
第一线至第三线，分别连接到所述第一像素至所述第三像素；
线连接部，将所述第二线和所述第三线连接；以及
虚设单元，
其中，所述虚设单元包括与所述线连接部叠置且沿着所述线连接部延伸所沿的方向彼此间隔开的多个部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述虚设单元包括与所述线连接部叠置且彼此间隔开的多个开口区域，并且
其中，所述多个部分通过所述多个开口区域彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一线将扫描信号或发光控制信号提供到所述第一像素，
所述第二线将所述扫描信号或所述发光控制信号提供到所述第二像素，并且
所述第三线将所述扫描信号或所述发光控制信号提供到所述第三像素。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二像素和所述第三像素中的每个包括在所述基底上具有有源图案的晶体管，并且
其中，所述虚设单元与所述有源图案在同一层上并且包括与所述有源图案的材料相同的材料。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述晶体管还具有：
栅电极，在所述有源图案上；
栅极绝缘膜，在所述有源图案与所述栅电极之间；
层间绝缘膜，包括覆盖所述栅电极的第一层间绝缘膜和布置在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及
源电极和漏电极，布置在所述基底上并且所述源电极和所述漏电极中的每个连接到所述有源图案，并且
其中，所述线连接部在所述第一层间绝缘膜与所述第二层间绝缘膜之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述层间绝缘膜上的电源供应线，
其中，所述电源供应线与所述线连接部叠置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，第一电源电压和第二电源电压被提供到所述第一像素至所述第三像素，
其中，所述第一电源电压比所述第二电源电压大，并且
其中，所述第一电源电压被施加到所述电源供应线。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述虚设单元通过穿透所述层间绝缘膜的接触孔连接到所述电源供应线。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一线比所述第二线和所述第三线中的每条长。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底还包括在所述第二像素区域与所述第三像素区域之间的外围区域，并且
其中，所述线连接部设置在所述外围区域中。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个包括布置有多个像素的多个行，并且
其中，所述线连接部连接布置在同一行中的像素。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述线连接部的长度由于电连接到所述第二线的像素的数量较小而较长。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述线连接部和所述虚设单元的重叠的面积由于电连接到所述第二线的像素的数量较小而较大。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个具有比所述第一像素区域的表面积小的表面积并且连接到所述第一像素区域；
第一像素至第三像素，分别设置在所述第一像素区域至所述第三像素区域中；
第一线至第三线，分别连接到所述第一像素至所述第三像素；
线连接部，将所述第二线和所述第三线连接；以及
虚设单元，与所述线连接部叠置，
其中，所述第二像素和所述第三像素中的每个包括在所述基底上具有有源图案的晶体管，并且
其中，所述虚设单元与所述有源图案在同一层上并且包括与所述有源图案的材料相同的材料。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述晶体管还具有：
栅电极，在所述有源图案上；
栅极绝缘膜，在所述有源图案与所述栅电极之间；
层间绝缘膜，包括覆盖所述栅电极的第一层间绝缘膜和布置在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及
源电极和漏电极，布置在所述基底上并且所述源电极和所述漏电极中的每个连接到所述有源图案，并且
其中，所述线连接部在所述第一层间绝缘膜与所述第二层间绝缘膜之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述层间绝缘膜上的电源供应线，
其中，所述电源供应线与所述线连接部叠置。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，第一电源电压和第二电源电压被提供到所述第一像素至所述第三像素，
其中，所述第一电源电压比所述第二电源电压大，并且
其中，所述第一电源电压被施加到所述电源供应线。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述虚设单元通过穿透所述层间绝缘膜的接触孔连接到所述电源供应线。
19.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，所述第二像素区域和所述第三像素区域中的每个具有比所述第一像素区域的表面积小的表面积并且连接到所述第一像素区域；
第一像素至第三像素，分别设置在所述第一像素区域至所述第三像素区域中；
第一线至第三线，分别连接到所述第一像素至所述第三像素；
线连接部，将所述第二线和所述第三线连接；
虚设单元，与所述线连接部叠置；以及
电源供应线，与所述线连接部叠置。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，第一电源电压和第二电源电压被提供到所述第一像素至所述第三像素，
其中，所述第一电源电压比所述第二电源电压大，并且
其中，所述第一电源电压被施加到所述电源供应线。
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