KR102560702B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102560702B1
KR102560702B1 KR1020180090692A KR20180090692A KR102560702B1 KR 102560702 B1 KR102560702 B1 KR 102560702B1 KR 1020180090692 A KR1020180090692 A KR 1020180090692A KR 20180090692 A KR20180090692 A KR 20180090692A KR 102560702 B1 KR102560702 B1 KR 102560702B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing electrodes
layer
sensing
electrode
segments
Prior art date
Application number
KR1020180090692A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200015872A (ko
Inventor
김종화
김일주
이경수
한정윤
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180090692A priority Critical patent/KR102560702B1/ko
Priority to US16/530,807 priority patent/US11086467B2/en
Priority to CN201910711362.4A priority patent/CN110797375A/zh
Publication of KR20200015872A publication Critical patent/KR20200015872A/ko
Priority to US17/398,848 priority patent/US11467705B2/en
Priority to KR1020230096271A priority patent/KR102665320B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102560702B1 publication Critical patent/KR102560702B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 일측변에 만입부를 가지는 표시패널; 및 상기 표시패널 상에 위치한 입력감지유닛;을 포함하고 상기 입력감지유닛은 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제1 감지전극들, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제2 감지전극들, 및 상기 복수의 제1 감지전극들 중 상기 만입부의 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극들을 전기적으로 연결하는 연결배선을 포함하고, 상기 연결배선은, 서로 이격된 복수의 절편들과, 인접한 두 개의 절편들을 전기적으로 연결하는 접속부를 포함하는 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입력감지유닛을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 표시장치들의 입력장치로써 키보드 또는 마우스 등을 포함한다. 또한, 표시장치들은 입력장치로써 터치패널을 구비한다.
본 발명의 실시예들은, 정전기방전에 의한 결함발생을 방지할 수 있는 입력감지유닛을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는, 일측변에 만입부를 가지는 표시패널; 및 상기 표시패널 상에 위치한 입력감지유닛;을 포함하고 상기 입력감지유닛은 제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제1 감지전극들, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제2 감지전극들, 및 상기 복수의 제1 감지전극들 중 상기 만입부의 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극들을 전기적으로 연결하는 연결배선을 포함하고, 상기 연결배선은, 서로 이격된 복수의 절편들과, 인접한 두 개의 절편들을 전기적으로 연결하는 접속부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은, 인접한 두 개의 제1 감지전극들을 연결하는 연결부와, 인접한 두 개의 제2 감지전극들을 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하고, 상기 연결부는 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 브릿지 전극은 상기 제2 감지전극들과 다른 층에 위치하며, 상기 접속부는 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 복수의 절편들은 상기 브릿지 전극과 동일한 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들 사이, 및 상기 절편들과 상기 접속부 사이의 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들은 상기 제1 절연층에 형성된 제1 컨택홀을 통해 서로 연결되고, 상기 절편들과 상기 접속부는 상기 제1 절연층에 형성된 제2 컨택홀을 통해 서로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 브릿지 전극이 상기 제2 감지전극들 보다 낮은 층에 위치하며, 상기 입력감지유닛은, 상기 제1 감지전극들, 상기 제2 감지전극들, 및 상기 접속부 상의 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 절편들 각각은 단부의 면적이 확장된 확장부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은 상기 복수의 제1 감지전극들과 상기 복수의 제2 감지전극들이 위치한 터치영역을 포함하고, 상기 연결배선은 상기 터치영역 외부에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 터치영역 외부에는 상기 복수의 제1 감지전극들 또는 상기 복수의 제2 감지전극과 연결된 배선과, 플로팅 상태의 더미라인이 배치되고, 상기 더미라인은 상기 배선과 상기 연결배선 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 더미라인은, 상기 더미라인의 일부가 제거된 절개부를 포함하고, 상기 확장부는 상기 단부에서 상기 절개부로 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은 상기 표시패널 상에 직접 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시패널은 유기발광소자를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 디스플레이 장치는, 일측변에 만입부를 가지는 표시패널; 및 상기 표시패널 상에 위치한 입력감지유닛;을 포함하고 상기 입력감지유닛은, 복수의 제1 감지전극들이 제1 방향으로 서로 연결된 복수의 제1 감지전극 어레이들을 포함하고, 상기 복수의 제1 감지전극 어레이들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 이격되고 나란하게 배열되며, 상기 복수의 제1 감지전극 어레이들 중 상기 만입부에 의해 단절된 형상을 가지는 제1 감지전극 어레이는, 상기 만입부의 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극들을 포함하고, 상기 한 쌍의 제1 감지전극들은 상기 만입부를 우회하는 연결배선에 의해 서로 전기적으로 연결되며, 상기 단절된 형상을 가지는 제1 감지전극 어레이의 저항 값과 제1 감지전극들이 연속적으로 배열된 다른 제1 감지전극 어레이의 저항 값은 동일할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연결배선은, 서로 이격된 복수의 절편들과, 인접한 두 개의 절편들을 전기적으로 연결하는 접속부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은, 상기 복수의 제1 감지전극들이 위치한 터치영역을 포함하고, 상기 연결배선은 상기 터치영역 외부에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 터치영역 외부에는 상기 복수의 제1 감지전극들 또는 상기 복수의 제2 감지전극과 연결된 배선과, 플로팅 상태의 더미라인이 배치되고, 상기 더미라인은 상기 배선과 상기 연결배선 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 더미라인은, 상기 더미라인의 일부가 제거된 절개부를 포함하고, 상기 복수의 절편들 각각은 단부의 면적이 확장된 확장부를 포함하며, 상기 확장부는 상기 단부에서 상기 절개부로 연장될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은 상기 제2 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제2 감지전극들을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은, 인접한 두 개의 제1 감지전극들을 연결하는 연결부와, 인접한 두 개의 제2 감지전극들을 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하고, 상기 연결부는 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 브릿지 전극은 상기 제2 감지전극들과 다른 층에 위치하며, 상기 접속부는 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 복수의 절편들은 상기 브릿지 전극과 동일한 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지유닛은, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들 사이, 및 상기 절편들과 상기 접속부 사이의 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들은 상기 제1 절연층에 형성된 제1 컨택홀을 통해 서로 연결되고, 상기 절편들과 상기 접속부는 상기 제1 절연층에 형성된 제2 컨택홀을 통해 서로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 브릿지 전극이 상기 제2 감지전극들 보다 낮은 층에 위치하며, 상기 입력감지유닛은, 상기 제1 감지전극들, 상기 제2 감지전극들, 및 상기 접속부 상의 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시패널은 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 보호하는 봉지층을 포함하고, 상기 입력감지유닛은 상기 봉지층 상에 직접 위치할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 장치의 만입부의 양측에 배치된 제1 감지전극들을 연결하는 연결배선이 복수의 절편들로 구성됨으로써, 연결배선에 축적되는 전하량을 감소시켜, 정전기방전에 의한 입력감지유닛에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 표시 패널의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 A 부분을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4의 III-III'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 B 부분을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 C 부분을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 IV-IV' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 도 6의 C 부분의 다른 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(10)는 표시패널(100)과 표시패널(100)의 상부에 위치하는 입력감지유닛(200)을 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(10)는 일측변에 디스플레이 장치(10)의 내부방향을 향하여 움푹 들어간 형상을 가지는 만입부(T)를 포함할 수 있다. 이는 디스플레이 장치(10)의 만입부(T)에 대응하도록 표시패널(100)과 입력감지유닛(200)의 일측변이 만입된 형상을 가지는 것을 의미한다. 만입부(T)에는 카메라 모듈, 스피커, 센서 등과 같이 디스플레이 장치(10)의 기능을 확장할 수 있는 구성품이 배치될 수 있다.
표시패널(100)은 영상을 표시하며, 입력감지유닛(200)은 제1 감지전극(210)들과 제2 감지전극(230)들을 포함하여, 사용자의 손 또는 펜과 같은 외부의 터치 입력수단의 접촉 등을 감지하여 입력신호를 생성할 수 있다.
제1 감지전극(210)들은 제1 방향으로 서로 연결되어 복수의 제1 감지전극 어레이(210-1, 210-2)들을 이룰 수 있다. 또한, 복수의 제1 감지전극 어레이(210-1, 210-2)들은 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 이격되고 나란하게 배열될 수 있다.
한편, 만입부(T) 근방에 배치된 제1 감지전극(210)들은 만입부(T)에 의해 제1 방향으로 연속적으로 배열되는 것이 차단될 수 있다. 예를 들어, 만입부(T)가 제1 감지전극 어레이(210-1)의 위치까지 형성된 경우, 제1 감지전극 어레이(210-1)를 이루는 제1 감지전극(210)들 중, 만입부(T) 양측에 위치하는 한 쌍의 제1 감지전극(210)들은 서로 직접적으로 연결될 수 없다. 따라서, 본 발명은 만입부(T) 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극(210)들을 전기적으로 연결하기 위해, 만입부(T)를 우회하는 연결배선(도 6의 250)을 포함할 수 있다.
이때, 연결배선(도 6의 250)에 의해 전기적으로 연결된 한 쌍의 제1 감지전극(210)들을 포함하는 제1 감지전극 어레이(210-1)의 저항 값과 제1 감지전극(210)들이 연속적으로 배열된 다른 제1 감지전극 어레이(210-2)의 저항 값이 동일해 지도록 연결배선(도 6의 250)의 폭 등이 조절될 수 있다.
제2 감지전극(230)들은 제1 방향과 제2 방향을 따라 제1 감지전극(210)들 사이사이에 위치하며, 복수의 제1 감지전극 어레이(210-1, 210-2)들과 교차하는 방향으로 서로 연결될 수 있다. 따라서, 제2 감지전극(230)들은 만입부(T)에 의해 연속적 배열이 차단되지 않으므로, 제2 감지전극(230)들을 전기적으로 연결하기 위한 우회 배선이 불필요하다.
한편, 도 1에서는 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230)이 마름모 형상인 예를 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230)은 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치의 표시 패널의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 만입부(도 1의 T)에 대응하도록 일측변이 표시 패널(100)의 내부 방향을 향하여 움푹 들어간 만입부(T1)를 가지며, 영상을 표시하는 디스플레이영역(DA)과, 디스플레이영역(DA) 외측에 위치하는 주변영역(PA)을 포함한다. 이는 기판(101)의 일측변이 만입되고, 디스플레이영역(DA) 및 주변영역(PA)을 갖는 것으로 이해될 수도 있다. 주변영역(PA)은 각종 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 부착되는 영역인 패드영역(PADA)을 포함하고, 전압선들(410, 420)이 위치할 수 있다. 이때, 만입된 형상을 가지는 표시 패널(100)의 일측변은 패드영역(PADA)과 반대측일 수 있다.
한편, 도 2는 표시 패널(100)의 제조 과정 중의 기판(101) 등의 모습을 나타낸 평면도로 이해될 수 있다. 최종적인 표시 패널(100)이나 표시 패널(100)을 포함하는 스마트폰 등의 전자장치에 있어서는, 사용자에 의해 인식되는 주변영역(PA)의 면적을 최소화하기 위해, 기판(101) 등의 일부가 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 기판(101)이 패드영역(PADA)과 디스플레이영역(DA) 사이에서 벤딩되어, 패드영역(PADA)의 적어도 일부가 디스플레이영역(DA)과 중첩하여 위치하도록 할 수 있다. 물론 패드영역(PADA)이 디스플레이영역(DA)을 가리는 것이 아니라 패드영역(PADA)이 디스플레이영역(DA)의 뒤쪽에 위치하도록, 벤딩방향이 설정된다. 이에 따라 사용자는 디스플레이영역(DA)이 디스플레이 장치(도 1의 10)의 대부분을 차지하는 것으로 인식하게 된다.
또한, 디스플레이영역(DA)의 좌우측 가장자리들은 외부로 볼록한 형상을 가지도록 휘어질 수 있다. 이에 의해 디스플레이 장치(도 1의 10)를 정면에서 바라보았을 때, 디스플레이 장치(도 1의 10)의 양측 가장자리는 베젤이 없는 상태로 인식되고, 디스플레이 영역(DA)이 확장되는 효과를 가질 수 있다.
도 3은 도 2의 표시 패널(100)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도로써, 표시 패널(100)이 유기발광소자(310)인 유기발광 디스플레이 패널을 도시하고 있다. 하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 패널(100)은 액정소자 등 다른 종류의 디스플레이소자를 포함할 수 있다.
기판(101)은 예를 들어, SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 그 외에도 기판(101)은 예컨대 금속을 포함할 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
기판(101)의 디스플레이영역(DA)에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치되는데, 박막트랜지스터(TFT) 외에 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 유기발광소자(310)도 배치된다. 디스플레이소자인 유기발광소자(310)가 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된다는 것은, 유기발광소자(310)가 포함하는 화소전극(311)이 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 물론 기판(101)의 주변영역(PA)에도 박막트랜지스터(미도시)가 배치될 수 있다. 이러한 주변영역(PA)에 위치하는 박막트랜지스터는 예컨대 디스플레이영역(DA) 내에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 회로부의 일부일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(111), 게이트전극(113), 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)을 포함한다. 기판(101) 상에는 기판(101)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(111)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성된 버퍼층(110)이 배치되고, 이 버퍼층(110) 상에 반도체층(111)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(111)의 상부에는 게이트전극(113)이 배치되는데, 이 게이트전극(113)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(115a)과 드레인전극(115b)이 전기적으로 연결된다. 게이트전극(113)은 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디윰(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 이때 반도체층(111)과 게이트전극(113)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물으로 형성되는 게이트절연층(120)이 반도체층(111)과 게이트전극(113) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(113)의 상부에는 층간절연층(130)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 단층 또는 다층구조를 갖도록 형성될 수 있다.
층간절연층(130)의 상부에는 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)이 배치된다. 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)은 층간절연층(130)과 게이트절연층(120)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(111)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT) 등의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 보호막은 단층일 수도 있고 다층일 수도 있다.
보호막 상에는 평탄화층(140)이 배치될 수 있다. 예컨대 도 3에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(TFT) 상부에 유기발광소자(310)가 배치될 경우, 평탄화층(140)은 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(140)은 예컨대 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다. 도 3에서는 평탄화층(140)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
물론 본 실시예에 따른 표시패널(100)은 보호막과 평탄화층(140)을 모두 가질 수도 있고 필요에 따라 평탄화층(140)만을 가질 수도 있다.
기판(101)의 디스플레이영역(DA) 내에 있어서, 평탄화층(140) 상에는, 화소전극(311), 대향전극(313) 및 이들 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층(315)을 갖는 유기발광소자(310)가 배치된다.
평탄화층(140)에는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되는 화소전극(311)이 평탄화층(140) 상에 배치된다. 화소전극(311)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 화소전극(311)이 (반)투명 전극일 경우에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 포함할 수 있다. 화소전극(311)이 반사형 전극일 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 화소전극(311)은 다양한 재질을 포함할 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
평탄화층(140) 상부에는 화소정의막(150)이 배치될 수 있다. 이 화소정의막(150)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(311)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같은 경우, 화소정의막(150)은 화소전극(311)의 가장자리와 화소전극(311) 상부의 대향전극(313)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(311)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
유기발광소자(310)의 중간층(315)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(315)이 고분자 물질을 포함할 경우에는 예컨대 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층(315)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
물론 중간층(315)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
대향전극(313)은 디스플레이영역(DA) 상부에 배치되는데, 도 3에 도시된 것과 같이 디스플레이영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(313)은 복수개의 유기발광소자(310)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수개의 화소전극(311)들에 대응할 수 있다. 이러한 대향전극(313)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 대향전극(313)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 대향전극(313)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 대향전극(313)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
유기발광소자(310)와 같은 디스플레이소자는 대향전극(313)을 구비하는바, 이미지의 디스플레이를 위해서는 이러한 대향전극(313)에 사전설정된 전기적 신호가 인가되어야 할 필요가 있다. 따라서 주변영역(PA)에는 전극전원공급라인(420)이 위치하여, 대향전극(313)에 사전설정된 전기적 신호를 전달한다.
이러한 전극전원공급라인(420)은 디스플레이영역(DA) 내의 다양한 도전층을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성할 수 있다. 도 3에서는 디스플레이영역(DA) 내의 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(115a)과 드레인전극(115b)이 층간절연층(130) 상에 위치하는 것처럼, 주변영역(PA)에서 전극전원공급라인(420)이 층간절연층(130) 상에 위치하는 것으로 도시하고 있다. 이 경우 디스플레이영역(DA) 내의 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(115a)과 드레인전극(115b)을 층간절연층(130) 상에 형성할 시, 동일 물질로 동시에 주변영역(PA)에서 층간절연층(130) 상에 전극전원공급라인(420)을 형성하는 것으로 이해될 수 있다. 이에 따라 전극전원공급라인(420)은 소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)과 동일한 구조를 갖게 된다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 게이트전극(113)을 형성할 시 전극전원공급라인(420)을 동일 물질로 동시에 게이트절연층(120) 상에 형성할 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
대향전극(313)은 전극전원공급라인(420)에 직접 컨택하는 것이 아니라, 도 3에 도시된 것과 같이 보호도전층(422)을 통해 전극전원공급라인(420)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 평탄화층(140) 상에 위치하는 보호도전층(422)이 전극전원공급라인(420) 상으로 연장되어 전극전원공급라인(420)에 전기적으로 연결되도록 할 수 있다. 이에 따라 대향전극(313)은 주변영역(PA)에서 보호도전층(422)에 컨택하고, 보호도전층(422)이 역시 주변영역(PA)에서 전극전원공급라인(420)에 컨택할 수 있다.
보호도전층(422)은 도 3에 도시된 것과 같이 평탄화층(140) 상에 위치하는바, 따라서 디스플레이영역(DA) 내에서 평탄화층(140) 상에 위치하는 구성요소와 동일 물질로 동시에 형성할 수 있다. 구체적으로, 디스플레이영역(DA) 내의 화소전극(311)을 평탄화층(140) 상에 형성할 시, 동일 물질로 동시에 주변영역(PA)에서 평탄화층(140) 상에 보호도전층(422)을 형성할 수 있다. 이에 따라 보호도전층(422)은 화소전극(311)과 동일한 구조를 갖게 된다. 이러한 보호도전층(422)은 도 3에 도시된 것과 같이 평탄화층(140)에 의해 덮이지 않고 노출된 전극전원공급라인(420)의 부분을 덮을 수 있다. 이를 통해 후술하는 것과 같이 제1제한댐(610)이나 제2제한댐(620)을 형성하는 과정 등에서 전극전원공급라인(420)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 외부로부터의 산소나 수분 등의 불순물이 평탄화층(140)을 통해 디스플레이영역(DA) 내로 침투하는 것을 방지하기 위해, 도 3에 도시된 것과 같이 평탄화층(140)이 주변영역(PA)에서 개구(140b)를 갖도록 할 수 있다. 아울러 보호도전층(422)을 형성할 시 보호도전층(422)이 이 개구(140b)를 채우도록 할 수 있다. 이를 통해 주변영역(PA)의 평탄화층(140)에 침투한 불순물이 디스플레이영역(DA) 내의 평탄화층(140)으로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
대향전극(313) 상에는 유기발광소자(310)에서 발생된 광의 효율을 향상시키는 역할을 하는 캡핑층(160)이 위치한다. 캡핑층(160)은 대향전극(313)을 덮으며, 대향전극(313) 외측으로 연장되어 대향전극(313) 하부에 위치한 보호도전층(422)에 컨택할 수 있다. 대향전극(313)은 디스플레이영역(DA)을 덮으며 디스플레이영역(DA) 외측으로 연장되므로, 캡핑층(160) 역시 디스플레이영역(DA)을 덮으며 디스플레이영역(DA) 외측의 주변영역(PA)에까지 연장된다. 이러한 캡핑층(160)은 광효율을 개선하기 위하여 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화아연(ZnO2), 산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), Alq3, CuPc, CBP, a-NPB, 및 ZiO2 중 하나 이상의 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다
전술한 것과 같이 캡핑층(160)은 유기발광소자(310)에서 발생된 광의 효율을 향상시키는 역할을 한다. 예컨대 외부로의 광취출효율 등을 높이는 역할을 할 수 있다. 이러한 캡핑층(160)에 의한 효율 향상은 디스플레이영역(DA)에 있어서 균일하게 이루어지도록 하는 것이 바람직하다. 이러한 점을 고려하여, 캡핑층(160)이 그 하부층의 상면의 굴곡에 대응하는 상면을 갖도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 도 3에 도시된 것과 같이 대향전극(313) 상에 위치하는 캡핑층(160)의 부분에서는 캡핑층(160)의 상면이 대향전극(313)의 상면의 굴곡에 대응하는 형상을 갖도록 할 수 있다.
캡핑층(160) 상부에는 봉지층(500)이 위치한다. 봉지층(500)은 외부로부터의 수분이나 산소 등으로부터 유기발광소자(310)를 보호하는 역할을 한다. 이를 위해 봉지층(500)은 유기발광소자(310)가 위치하는 디스플레이영역(DA)은 물론 디스플레이영역(DA) 외측의 주변영역(PA)에까지 연장된 형상을 갖는다. 이러한 봉지층(500)은 도 3에 도시된 것과 같이 다층구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 봉지층(500)은 제1무기봉지층(510), 유기봉지층(520) 및 제2무기봉지층(530)을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(510)은 캡핑층(160)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 이러한 제1무기봉지층(510)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 도 3에 도시된 것과 같이 그 상면이 평탄하지 않을 수 있다.
유기봉지층(520)은 이러한 제1무기봉지층(510)을 덮으며 충분한 두께를 가져, 유기봉지층(520)의 상면은 디스플레이영역(DA) 전반에 걸쳐서 실질적으로 평탄할 수 있다. 이러한 유기봉지층(520)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다.
제2무기봉지층(530)은 유기봉지층(520)을 덮으며, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있다. 제2무기봉지층(530)은 유기봉지층(520) 외측으로 연장되어 제1무기봉지층(510)과 컨택함으로써, 유기봉지층(520)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.
이와 같이 봉지층(500)은 제1무기봉지층(510), 유기봉지층(520) 및 제2무기봉지층(530)을 포함하는바, 이와 같은 다층 구조를 통해 봉지층(500) 내에 크랙이 발생한다고 하더라도, 제1무기봉지층(510)과 유기봉지층(520) 사이에서 또는 유기봉지층(520)과 제2무기봉지층(530) 사이에서 그러한 크랙이 연결되지 않도록 할 수 있다. 이를 통해 외부로부터의 수분이나 산소 등이 디스플레이영역(DA)으로 침투하게 되는 경로가 형성되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
한편, 봉지층(500)을 형성하는 과정에서 그 하부의 구조물들이 손상될 수도 있다. 예컨대 제1무기봉지층(510)은 화학기상증착법을 이용하여 형성할 수 있는데, 이러한 화학기상증착법을 이용하여 제1무기봉지층(510)을 형성할 시 제1무기봉지층(510)이 형성되는 그 직하의 층이 손상될 수 있다. 따라서 제1무기봉지층(510)을 캡핑층(160) 상에 직접 형성하게 되면, 유기발광소자(310)에서 발생된 광의 효율을 향상시키는 역할을 하는 캡핑층(160)이 손상되어 디스플레이 장치의 광효율이 저하될 수 있다. 따라서 봉지층(500)을 형성하는 과정에서 캡핑층(160)이 손상되는 것을 방지하기 위해, 캡핑층(160)과 봉지층(500) 사이에 보호층(170)이 개재되도록 한다. 이러한 보호층(170)은 LiF를 포함할 수 있다.
전술한 것과 같이 캡핑층(160)은 디스플레이영역(DA)은 물론 그 외측의 주변영역(PA)에까지 연장된다. 이에 따라 보호층(170)은 캡핑층(160) 외측으로 연장되어, 캡핑층(160)과 봉지층(500)이 직접 컨택하지 않도록 할 수 있다. 이 경우 보호층(170)은 캡핑층(160)의 끝단을 덮어, 보호층(170)의 끝단이 평탄화층(140) 상에 위치하게 된다. 구체적으로는, 도 3에 도시된 것과 같이 보호층(170)은 그 끝단이 평탄화층(140) 상에서 보호도전층(422)에 직접 컨택하게 된다.
봉지층(500)의 최하층인 제1무기봉지층(510)은 유기물로 형성된 층과의 접합력보다 무기물로 형성된 층과의 접합력이 더 우수하다. 따라서, 캡핑층(160)이 유기물을 포함하는 경우, 캡핑층(160)과 제1무기봉지층(510)의 접합력보다 LiF와 같은 무기물로 형성된 보호층(170)과 제1무기봉지층(510)의 접합력이 더 우수하므로, 봉지층(500)은 그 하부층과의 접합력이 높게 유지될 수 있다. 따라서, 제조과정이나 제조 이후의 사용 과정에서 봉지층(500)이 하부층으로부터 박리되는 것을 효과적으로 방지하거나 최소화할 수 있다.
한편, 봉지층(500)을 형성할 시, 구체적으로 유기봉지층(520)을 형성할 시 유기봉지층(520) 형성용 물질이 사전설정된 영역 내에 위치하도록 한정하는 것이 필요하다. 이를 위해 도 3에 도시된 것과 같이 제1제한댐(610)이 주변영역(PA)에 위치하도록 할 수 있다. 구체적으로, 버퍼층(110), 게이트절연층(120) 및 층간절연층(130)은 물론, 평탄화층(140)은 도 3에 도시된 것과 같이 기판(101)의 디스플레이영역(DA)은 물론 주변영역(PA)에도 존재할 수 있다. 제1제한댐(610)은 이러한 평탄화층(140)으로부터 이격되도록 주변영역(PA)에 위치한다.
제1제한댐(610)은 다층구조를 가질 수 있다. 즉, 제1제한댐(610)은 기판(101)에 가까운 부분에서부터 멀어지는 방향으로 제1층(611)과 제2층(613)을 포함할 수 있다. 제1층(611)은 디스플레이영역(DA)의 평탄화층(140)을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성될 수 있고, 제2층(613)은 디스플레이영역(DA)의 화소정의막(150)을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성할 수 있다.
물론 도 3에 도시된 것과 같이 제1제한댐(610) 외에, 제1제한댐(610)과 평탄화층(140) 사이에 제2제한댐(620)도 존재할 수 있다. 이러한 제2제한댐(620)은 전극전원공급라인(420) 상의 보호도전층(422) 부분 상에 위치할 수 있다. 제2제한댐(620) 역시 평탄화층(140)으로부터 이격되어 주변영역(PA)에 위치한다. 제2제한댐(620)도 제1제한댐(610)처럼 다층구조를 가질 수 있는데, 제1제한댐(610)보다는 기판(101)으로부터의 높이가 낮도록 제1제한댐(610)보다 더 적은 개수의 층들을 포함할 수 있다. 도 3에서는 제2제한댐(620)이 제1제한댐(610)의 제2층(613)과 동일 물질로 동시에 형성된 것으로 도시하고 있다.
봉지층(500)의 화학기상증착법을 통해 형성되는 제1무기봉지층(510)은 도 3에 도시된 것처럼 이러한 제2제한댐(620)과 제1제한댐(610)을 덮어 제1제한댐(610) 외측까지 형성된다. 제1무기봉지층(510) 상의 유기봉지층(520)은 제2제한댐(620)에 의해 그 위치가 한정되어, 형성 과정에서 제2제한댐(620) 외측으로 유기봉지층(520) 형성용 물질이 넘치는 것이 방지되도록 할 수 있다. 만일 유기봉지층(520) 형성용 물질이 부분적으로 제2제한댐(620) 외측으로 넘친다 하더라도, 제1제한댐(610)에 의해 위치가 한정되어 더 이상 기판(101) 가장자리 방향으로 유기봉지층(520) 형성용 물질이 이동하지 않도록 할 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 것과 같이 주변영역(PA)에는 크랙방지댐(630)이 위치한다. 이 크랙방지댐(630)은 기판(101)의 가장자리의 적어도 일부를 따라 연장될 수 있다. 예컨대 크랙방지댐(630)은 디스플레이영역(DA)을 한 바퀴 일주(一周)하는 형상을 가질 수 있다. 물론 일부 구간에서는 크랙방지댐(630)이 불연속인 형상을 가질 수도 있다.
크랙방지댐(630)은 다양한 형상을 가질 수 있는데, 도 3에 도시된 것과 같이 디스플레이영역(DA)에 형성되는 일부 구성요소와 동일 물질로 동시에 형성될 수 있고, 또한 다층구조를 가질 수도 있다. 도 3에서는 크랙방지댐(630)이 두 개의 층으로 구성된 구조인 것을 도시하고 있다. 구체적으로, 도 3에서는 크랙방지댐(630)이 게이트절연층(120)과 동일 물질을 포함하는 하층과, 게이트절연층(120) 상의 층간절연층(130)과 동일 물질을 포함하는 상층을 포함하는 것으로 도시하고 있다. 이러한 크랙방지댐(630)은 버퍼층(110) 상에 위치할 수 있다. 물론 필요에 따라서는 크랙방지댐(630)은 버퍼층(110) 하부에 위치한 층 상에 위치하며, 버퍼층(110)과 동일한 물질을 포함하는 층도 포함할 수도 있다. 그리고 크랙방지댐(630)은 하나가 아니라 상호 이격된 복수개일 수도 있다.
크랙방지댐(630)은 게이트절연층(120)과 층간절연층(130)의 일부가 제거됨으로써 형성된 것으로 이해될 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 크랙방지댐(630)의 적어도 어느 한 측에는 게이트절연층(120)과 층간절연층(130)이 제거되어 형성된 전달방지홈(632)이 형성되며, 크랙방지댐(630)은 전달방지홈(632)과 인접한 게이트절연층(120)과 층간절연층(130)의 잔여분으로 구성될 수 있다.
한편, 크랙방지댐(630)은 커버층(650)으로 덮일 수 있다. 커버층(650)은 예컨대 디스플레이영역(DA)에 층간절연층(130)을 형성할 시 동일 물질로 동시에 형성될 수 있다. 즉, 커버층(650)은 무기물을 포함하는 크랙방지댐(630)을 덮는 유기물로 형성된 층일 수 있다. 이러한 커버층(650)은 전달방지홈(632)을 채우고, 크랙방지댐(630)도 덮을 수 있다.
도 4는 도 1의 A 부분을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 III-III'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 입력감지유닛(도 1의 200)은 표시패널(도 1의 100) 상에 집적 형성될 수 있다. 예를 들어, 입력감지유닛(도 1의 200)은 봉지층(500) 상에 직접 형성될 수 있다. 이에 따라, 디스플레이 장치(도 1의 10)의 두께가 저감될 수 있다. 다른 예로, 입력감지유닛(도 1의 200)은 기판(미도시) 상에 형성된 후, 기판(미도시)이 봉지층(500)가 접합될 수도 있다.
제1 감지전극(210)들과 제2 감지전극(230)들은 투명 도전층으로 이루어질 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다. 다른 예로, 제1 감지전극(210)들과 제2 감지전극(230)들은 불투명 금속층으로 이루어질 수도 있으며, 이때는 투광성을 위해 제1 감지전극(210)들과 제2 감지전극(230)들이 메쉬 형태를 가질 수 있다.
제1 방향을 따라 이웃하는 두 개의 제1 감지전극(210)들은 연결부(220)에 의해 연결될 수 있다. 연결부(220)는 제1 감지전극(210)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 연결부(220)는 제1 감지전극(210)과 일체적으로 형성될 수 있다.
제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 이웃하는 두 개의 제2 감지전극(230)들은 브릿지 배선(240)에 의해 서로 연결될 수 있다. 브릿지 배선(240)은 제1 감지전극(210) 및 제2 감지전극(230)과 다른 층에 위치할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(500) 상에 브릿지 배선(240)이 위치하고, 브릿지 배선(240) 상에는 제1 절연층(201)이 형성되며, 제1 절연층(201) 상에 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230)이 위치할 수 있다. 이때, 제1 절연층(201)에 형성된 제1 컨택홀(CNT-I)을 통해 브릿지 배선(240)과 제2 감지전극(230)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230) 상에는 제2 절연층(202)이 형성될 수 있다.
한편, 브릿지 배선(240)과 연결부(220)는 서로 교차하므로, 이들 사이에 기생 캐패시턴스를 줄이기 위해 브릿지 배선(240)의 폭(평면에서 측정됨)을 최소화하는 것이 바람직하다. 또한, 브릿지 배선(240)은 센싱감도를 향상시키기 위해 제2 감지전극(230) 보다 저항이 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 브릿지 배선(240)은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제1 절연층(201)과 제2 절연층(202) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 절연층(201)과 제2 절연층(202) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 절연층(201)과 제2 절연층(202)은 표시패널(도 2의 100)의 디스플레이 영역(도 2의 DA) 전체에 대응하도록 형성되고, 입력감지유닛(도 1의 200)은 표시패널(도 2의 100) 상에 위치하므로, 제1 절연층(201)의 굴절률이 제2 절연층(202)의 굴절률 보다 작게 형성됨으로써, 표시패널(도 2의 100)의 광추출효율이 향상될 수 있다.
한편, 도 4 및 도 5에서는 브릿지 배선(240)이 연결부(220)보다 낮은 층에 위치한 예를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 브릿지 배선(240)이 연결부(220)보다 높은 층에 위치할 수도 있다. 또한, 브릿지 배선(240)은 두 개 이상 형성될 수도 있다.
또한, 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230) 사이에는 제1 감지전극(210) 및 제2 감지전극(230)과 연결되지 않은 플로팅 상태의 더미 패턴이 더 위치할 수 있다. 더미 패턴은 제1 감지전극(210) 및 제2 감지전극(230)과 동일한 층에 형성됨으로써, 제1 감지전극(210)과 제2 감지전극(230) 경계 영역의 시인성을 감소시킬 수 있다.
도 6은 도 1의 B 부분을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 C 부분을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 8은 도 7의 IV-IV' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하에서는 도 1 및 도 6 내지 도 8을 함께 참조하여 설명한다. 또한, 설명의 편의상 제1 감지전극(210)들과 제2 감지전극(230)이 형성된 영역을 터치영역(TA)이라고 지칭한다.
도 1, 및 도 6 내지 도 8을 참조하면, 만입부(T)에 의해 제1 감지전극 어레이(210-1)는 단절된 형상을 가지며, 이에 따라 제1 감지전극 어레이(210-1)를 이루는 제1 감지전극(210)들 중, 만입부(T)의 양측에 배치된 제1 감지전극(도 1의 210)들은 연결배선(250)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 연결배선(250)은 터치영역(TA) 외부에서 봉지층(500) 상에 형성될 수 있다.
연결배선(250)은 서로 이격된 복수의 절편(251)과, 인접한 두 개의 절편(251)들을 전기적으로 연결하는 접속부(260)를 포함할 수 있다.
복수의 절편(251)들은 도 4 및 도 5에서 도시하고 설명한 브릿지 전극(도 4의 240)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 브릿지 전극(도 4의 240)과 동일한 재질을 포함할 수 있다. 또한, 접속부(260)는 제1 감지전극(도 1의 210) 및 제2 감지전극(도 1의 230)과 동일한 층에 위치하고, 제1 감지전극(도 1의 210) 및 제2 감지전극(도 1의 230)과 동일한 재질을 포함할 수 있다.
따라서, 복수의 절편(251)들은 봉지층(500) 상에 위치하고, 복수의 절편(251)들 상에는 제1 절연층(201)이 형성되며, 제1 절연층(201) 상에 접속부(260)가 위치할 수 있다. 이때, 제1 절연층(201)에 형성된 제2 컨택홀(CNT-II)을 통해 접속부(260) 와 절편(251)은 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 접속부(260) 상에는 제2 절연층(202)이 형성될 수 있다.
이와 같이, 연결배선(250)이 복수의 절편(251)으로 구성되면, 연결배선(250)이 일체형으로 이루어진 경우보다 연결배선(250)에 축적되는 전하량이 감소할 수 있다. 따라서, 축적된 전하가 방전되는 과정 중에 제1 절연층(201) 및/또는 제2 절연층(202)이 파괴되는 현상을 방지하고, 입력감지유닛(도 1의 200)에 손상이 발생하는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
한편, 터치영역(TA)의 외곽에는 제1 감지전극(도 1의 210) 또는 제2 감지전극(도 1의 230)을 패드(미도시)와 연결시키기 위한 배선(CL)과, 플로팅 상태의 더미라인(DL)이 배치될 수 있다. 즉, 터치영역(TA)의 외곽의 빈 공간에 더미라인(DL)을 형성함으로써, 배선(CL)의 시인성이 감소될 수 있다. 또한, 배선(CL), 더미라인(DL), 및 절편(251)들은 동일한 층에 위치하므로, 배선(CL)과 절편(251) 간의 단락을 방지하기 위해, 더미라인(DL)이 배선(CL)과 절편(251) 사이에 위치할 수 있다.
도 9 및 도 10은 도 6의 C 부분의 다른 예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 터치영역(TA) 외곽에는 배선(CL), 더미라인(DL), 및 절편(251)들이 위치할 수 있다. 이때, 배선(CL)과 절편(251) 사이에 위치한 더미라인(DL)은 일부가 제거된 절개부(CP)를 포함할 수 있으며, 절편(251)들은 단부에서 절개부(CP)로 연장된 확장부(252)를 포함할 수 있다. 또한, 절편(251)들을 연결하는 연결부(262)도 면적이 확장된 상태로 확장부(252)와 포개질 수 있다. 이때, 연결부(262)와 확장부(252)를 연결하기 위한 컨택홀은 도 8에 도시된 제2 컨택홀(도 8의 CNT-II)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 또는, 연결부(262)와 확장부(252)는 복수 개의 컨택홀에 의해 연결될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 연결배선(도 6의 250)에 의해 전기적으로 연결된 한 쌍의 제1 감지전극(도 1의 210)들을 포함하는 제1 감지전극 어레이(도 1의 210-1)의 저항 값과 제1 감지전극(도 1의 210)들이 연속적으로 배열된 다른 제1 감지전극 어레이(도 1의 210-2)의 저항 값이 동일해 지도록 연결배선(도 6의 250)의 폭 등을 조절할 필요가 있다. 따라서, 절편(251)들이 확장부(252)를 포함하도록 함으로써, 연결배선(도 6의 250)의 폭이 작은 경우에도 용이하게 제1 감지전극 어레이(도 1의 210-1)와 제2 감지전극 어레이(도 1의 210-2)가 동일한 저항을 가지도록 할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 일측변에 만입부를 가지는 표시패널; 및
    상기 표시패널 상에 위치한 입력감지유닛;을 포함하고
    상기 입력감지유닛은,
    제1 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제1 감지전극들과, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제2 감지전극들을 포함하는 터치영역, 및
    상기 복수의 제1 감지전극들 중 상기 만입부의 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극들을 전기적으로 연결하며, 상기 터치영역 외부에 배치된 연결배선을 포함하고,
    상기 연결배선은, 서로 이격된 복수의 절편들과, 상기 복수의 절편들 중 인접한 두 개의 절편들을 연결하는 접속부를 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은, 인접한 두 개의 제1 감지전극들을 연결하는 연결부와, 인접한 두 개의 제2 감지전극들을 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하고,
    상기 연결부는 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 브릿지 전극은 상기 제2 감지전극들과 다른 층에 위치하며,
    상기 접속부는 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 복수의 절편들은 상기 브릿지 전극과 동일한 층에 위치하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들 사이, 및 상기 절편들과 상기 접속부 사이의 제1 절연층을 더 포함하고,
    상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들은 상기 제1 절연층에 형성된 제1 컨택홀을 통해 서로 연결되고, 상기 절편들과 상기 접속부는 상기 제1 절연층에 형성된 제2 컨택홀을 통해 서로 연결된 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 브릿지 전극이 상기 제2 감지전극들 보다 낮은 층에 위치하며,
    상기 입력감지유닛은, 상기 제1 감지전극들, 상기 제2 감지전극들, 및 상기 접속부 상의 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 절연층의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다 작은 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 절편들 각각은 단부의 면적이 확장된 확장부를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 터치영역 외부에는 상기 복수의 제1 감지전극들 또는 상기 복수의 제2 감지전극들을 패드에 연결하는 배선과, 플로팅 상태의 더미라인이 더 배치되고,
    상기 더미라인은 상기 배선과 상기 연결배선 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 더미라인은, 상기 더미라인의 일부가 제거된 절개부를 포함하고,
    상기 확장부는 상기 단부에서 상기 절개부로 연장된 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은 상기 표시패널 상에 직접 형성된 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 표시패널은 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  11. 일측변에 만입부를 가지는 표시패널; 및
    상기 표시패널 상에 위치한 입력감지유닛;을 포함하고
    상기 입력감지유닛은,
    복수의 제1 감지전극들이 제1 방향으로 서로 연결된 복수의 제1 감지전극 어레이들을 포함하고, 상기 복수의 제1 감지전극 어레이들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 이격되고 나란하게 배열되며,
    상기 복수의 제1 감지전극 어레이들 중 상기 만입부에 의해 단절된 형상을 가지는 제1 감지전극 어레이는, 상기 만입부의 양측에 배치된 한 쌍의 제1 감지전극들을 포함하고, 상기 한 쌍의 제1 감지전극들은 상기 만입부를 우회하는 연결배선에 의해 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 입력감지유닛은, 상기 복수의 제1 감지전극들이 위치한 터치영역을 포함하고, 상기 연결배선은 상기 터치영역 외부에 위치하며,
    상기 연결배선은 서로 이격된 복수의 절편들과, 상기 복수의 절편들 중 인접한 두 개의 절편들을 연결하는 접속부를 포함하며,
    상기 복수의 절편들 각각은 평면도상 단부의 면적이 확장된 확장부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 터치영역 외부에는 상기 복수의 제1 감지전극들 또는 상기 복수의 제2 감지전극들을 패드에 연결하는 배선과, 플로팅 상태의 더미라인이 더 배치되고,
    상기 더미라인은 상기 배선과 상기 연결배선 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 더미라인은, 상기 더미라인의 일부가 제거된 절개부를 포함하고,
    상기 확장부는 상기 단부에서 상기 절개부로 연장된 디스플레이 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은 상기 제2 방향을 따라 서로 전기적으로 연결된 복수의 제2 감지전극들을 더 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은, 인접한 두 개의 제1 감지전극들을 연결하는 연결부와, 인접한 두 개의 제2 감지전극들을 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하고,
    상기 연결부는 상기 제1 감지전극들 및 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 브릿지 전극은 상기 제2 감지전극들과 다른 층에 위치하며,
    상기 접속부는 상기 제2 감지전극들과 동일한 층에 위치하고, 상기 복수의 절편들은 상기 브릿지 전극과 동일한 층에 위치하는 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 입력감지유닛은, 상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들 사이, 및 상기 절편들과 상기 접속부 사이의 제1 절연층을 더 포함하고,
    상기 브릿지 전극과 상기 제2 감지전극들은 상기 제1 절연층에 형성된 제1 컨택홀을 통해 서로 연결되고, 상기 절편들과 상기 접속부는 상기 제1 절연층에 형성된 제2 컨택홀을 통해 서로 연결된 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 브릿지 전극이 상기 제2 감지전극들 보다 낮은 층에 위치하며,
    상기 입력감지유닛은, 상기 제1 감지전극들, 상기 제2 감지전극들, 및 상기 접속부 상의 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 절연층의 굴절률이 상기 제2 절연층의 굴절률보다 작은 디스플레이 장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 표시패널은 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 보호하는 봉지층을 포함하고, 상기 입력감지유닛은 상기 봉지층 상에 직접 위치하는 디스플레이 장치.
KR1020180090692A 2018-08-03 2018-08-03 디스플레이 장치 KR102560702B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180090692A KR102560702B1 (ko) 2018-08-03 2018-08-03 디스플레이 장치
US16/530,807 US11086467B2 (en) 2018-08-03 2019-08-02 Display device
CN201910711362.4A CN110797375A (zh) 2018-08-03 2019-08-02 显示装置
US17/398,848 US11467705B2 (en) 2018-08-03 2021-08-10 Display device
KR1020230096271A KR102665320B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-24 디스플레이 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180090692A KR102560702B1 (ko) 2018-08-03 2018-08-03 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230096271A Division KR102665320B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-24 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200015872A KR20200015872A (ko) 2020-02-13
KR102560702B1 true KR102560702B1 (ko) 2023-07-28

Family

ID=69228598

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180090692A KR102560702B1 (ko) 2018-08-03 2018-08-03 디스플레이 장치
KR1020230096271A KR102665320B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-24 디스플레이 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230096271A KR102665320B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-24 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11086467B2 (ko)
KR (2) KR102560702B1 (ko)
CN (1) CN110797375A (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102560702B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2020065858A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN109801937A (zh) * 2019-01-28 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 可见光通信器件及其制作方法、可见光通信系统
KR20210065244A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20210080811A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20210145877A (ko) 2020-05-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220051901A (ko) * 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
CN116230719A (zh) * 2021-12-02 2023-06-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129046A (ja) 2006-11-16 2008-06-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101453880B1 (ko) * 2012-11-29 2014-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106817451A (zh) 2017-02-23 2017-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种移动终端触控显示结构及其制造方法、移动终端

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4201041B2 (ja) * 2006-11-20 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス回路基板及び表示装置
US7830591B2 (en) * 2006-11-20 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Active-matrix circuit board and display
KR20090059335A (ko) * 2007-12-06 2009-06-11 엘지전자 주식회사 디스플레이 패널
US8816967B2 (en) * 2008-09-25 2014-08-26 Apple Inc. Capacitive sensor having electrodes arranged on the substrate and the flex circuit
KR101552994B1 (ko) * 2012-08-31 2015-09-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160035669A (ko) * 2014-09-23 2016-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102267357B1 (ko) 2014-12-15 2021-06-21 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 장치
KR102381659B1 (ko) * 2015-03-10 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
TWI567603B (zh) * 2015-04-16 2017-01-21 Au Optronics Corp 觸控顯示裝置
KR102355819B1 (ko) * 2015-07-31 2022-01-26 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR20170111827A (ko) * 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
FR3050043B1 (fr) 2016-04-12 2019-06-14 Visteon Global Technologies Inc Dispositif d'interface composite avec un ecran tactile et un bouton de commande
US10354578B2 (en) * 2016-04-15 2019-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102666831B1 (ko) * 2016-04-15 2024-05-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102556829B1 (ko) * 2016-06-29 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 터치 기능을 갖는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180026597A (ko) 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108132732A (zh) * 2018-01-31 2018-06-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触摸屏及移动终端
KR102560702B1 (ko) 2018-08-03 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129046A (ja) 2006-11-16 2008-06-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101453880B1 (ko) * 2012-11-29 2014-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106817451A (zh) 2017-02-23 2017-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种移动终端触控显示结构及其制造方法、移动终端

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230115284A (ko) 2023-08-02
US11086467B2 (en) 2021-08-10
KR102665320B1 (ko) 2024-05-14
CN110797375A (zh) 2020-02-14
KR20200015872A (ko) 2020-02-13
US20210373688A1 (en) 2021-12-02
US11467705B2 (en) 2022-10-11
US20200042123A1 (en) 2020-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102560702B1 (ko) 디스플레이 장치
US10976853B2 (en) Display device
US10840313B2 (en) Display device
EP3644369B1 (en) Display apparatus
CN109560109B (zh) 显示装置
KR102639568B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US11683954B2 (en) Flexible display apparatus
US9991465B2 (en) Display device having crack prevention portion
EP3644169B1 (en) Display device
US9622342B2 (en) Display apparatus
EP3706176A1 (en) Display panel
KR102449218B1 (ko) 디스플레이 장치
CN106960861B (zh) 显示装置
EP3866207B1 (en) Display device and electronic apparatus
CN106249936B (zh) 平板显示设备
US11462605B2 (en) Display apparatus
US11737323B2 (en) Display device
KR20190140123A (ko) 디스플레이 장치
KR102628847B1 (ko) 디스플레이 장치
CN111509004A (zh) 显示装置
KR20220068013A (ko) 표시장치
KR20230093720A (ko) 표시장치
KR20220052390A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant