CN114146505B - 过滤装置和半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种过滤装置和半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。该过滤装置包括壳体和过滤组件，壳体具有第一容纳腔、第二容纳腔、第一进气口和第一排气口。过滤组件设置于第一容纳腔内。过滤组件与壳体之间形成第一气流通道。第一进气口与第一气流通道连通且用于通入半导体设备的尾气。第一气流通道通过过滤组件与第一排气口连通。第二容纳腔围绕第一容纳腔设置，且第二容纳腔用于容纳冷却液。该过滤装置能解决半导体制造工艺过程中产生的尾气容易在排放过程中沉积，影响排气效率的问题。

Description

过滤装置和半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种过滤装置和半导体工艺设备。

背景技术

SiC（碳化硅）单晶具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高、化学稳定性很高等优良的半导体物理性质，在国防、高科技、工业生产、 供电、变电领域有巨大的应用价值。

在SiC晶体生长过程需要在大约2400℃高温下进行。并且，在SiC晶体生长过程中会发生一系列复杂的化学反应，产生含有多种杂质成分的尾气。

相关技术中，处理SiC晶体生长工艺过程中产生的尾气，需要先将产生的尾气输送至过滤装置内，以通过过滤装置过滤尾气内的杂质。但是，在尾气容易在排气通道的内壁和/或滤芯上沉积，并且随着沉积物的增加，会导致排气通道减小，滤芯通流性能降低，影响的排气效率。

发明内容

本发明公开一种过滤装置和半导体工艺设备，以解决半导体制造工艺过程中产生的尾气容易在排放过程中沉积，影响排气效率的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

本发明所述的过滤装置包括壳体和过滤组件，壳体具有第一容纳腔、第二容纳腔、第一进气口和第一排气口，

过滤组件设置于第一容纳腔内，过滤组件与壳体之间形成第一气流通道，第一进气口与第一气流通道连通且用于通入半导体设备的尾气，第一气流通道通过过滤组件与第一排气口连通；

第二容纳腔围绕第一容纳腔设置，且第二容纳腔用于容纳冷却液。

基于本发明所述的过滤装置，本申请提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括工艺腔室、真空单元和本申请所述的过滤装置，工艺腔室用于半导体材料的生长，工艺腔室设置有第三排气口，第三排气口与所述第一进气口相连。真空单元设置有第三进气口，第三进气口与第一排气口连通，且真空单元用于将工艺腔室和/或过滤装置内的气体抽出。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的过滤装置中，壳体具有第二容纳腔，进而可以通过向第二容纳腔内注入冷却液以用于过滤装置降温。过滤组件设置第一容纳腔，且过滤组件与壳体之间形成第一气流通道。第二容纳腔围绕第一容纳腔，即第二容纳腔围绕第一气流通道，进而使第二容纳腔内的冷却液不仅可以用于壳体降温，还可以用于降低第一气流通道内的气体的温度。该过滤装置通过对壳体和半导体制造过程中产生的尾气降温，可以避免尾气在过滤装置内沉积，进而可以解决半导体制造工艺过程中产生的尾气在排放过程中容易沉积，影响排气效率的问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明第一种实施例公开的过滤装置的剖面图；

图2为本发明一种实施例公开的过滤装置内气流轨迹的示意图；

图3为本发明第二种实施例公开的过滤装置的剖面图；

图4为本发明一种实施例公开的过滤装置的壳体的示意图；

图5为图1中的局部放大图；

图6为本发明第一种实施例公开的安装座的示意图；

图7为本发明第一种实施例公开的安装座的剖面图。

图中：100-壳体；110-第一容纳腔；111-第一气流通道；112-缓冲腔；120-第二容纳腔；130-第一进气口；140-第一排气口；150-进液口；160-出液口；170-外层壳体；180-内层壳体；181-密封槽；190-端盖；200-过滤组件；210-第二进气口；220-第二排气口；230-缓冲槽；240-安装座；241-定位槽；242-支撑部；243-唇边部；250-导流罩；260-滤芯；270-第三容纳腔；271-第二气流通道；280-隔热罩；281-隔热腔；290-隔热棉。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下结合图1至图7，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。

参照图1至图3，本申请所述的过滤装置，包括壳体100和过滤组件200。示例性地，壳体100为基础结构件，可以为过滤组件200提供安装基础和安装空间。过滤组件200用于过滤气体中的杂质。

参照图1，壳体100具有第一容纳腔110、第二容纳腔120、第一进气口130和第一排气口140。过滤组件200设置于第一容纳腔110内，过滤组件200与壳体100之间形成第一气流通道111。第一进气口130与第一气流通道111连通，且用于通入半导体设备的尾气。进一步地，第一气流通道111通过过滤组件200与第一排气口140连通。在对半导体设备的尾气进行过滤的过程中，半导体设备的尾气从第一进气口130进入第一气流通道111内。第一气流通道111内的气体可以穿过过滤组件200并从第一排气口140排出，进而达到过滤尾气中的杂质的目的。

第二容纳腔120围绕第一容纳腔110设置，且第二容纳腔120用于容纳冷却液。位于第二容纳腔120内的冷却液可与壳体100和位于第一气流通道111内的气体进行热交换，进而可以降低第一气流通道111内的气体的温度。需要说明的是，过滤组件200位于第一容纳腔110内，且过滤组件200与壳体100之间形成第一气流通道111，即第一气流通道111为第一容纳腔110的一部分。第二容纳腔120围绕第一容纳腔110设置，即第二容纳腔120内的冷却液可以对形成第一气流通道111的壳体100进行降温，进而可以进一步对位于第一气流通道111内的气体进行降温。

一种可选的实施例中，本申请所述的过滤装置用于过滤半导体制造工艺过程中产生的尾气中的杂质。半导体制造工艺过程需要在高温环境下完成，进而产生的尾气温度较高。示例性地，半导体可以为SiC单晶材料。SiC晶体生长工艺需要在2400℃高温进行，进而产生的尾气在工艺腔室内被加热。因此，从工艺腔室内排除的尾气温度较高。高温状态的尾气从第一进气口130进入第一气流通道111，并与壳体100和第二容纳腔120内的冷却液发生热交换，进而可以使尾气的温度降低，避免尾气在过滤装置内沉积。冷却液的种类有很多，例如水、冷却油等。为此，实施例不限定冷却液的具体种类。

示例性地，第一进气口130与制造半导体的工艺腔室相连，以使工艺腔室内的产生的尾气可以进入过滤装置。进一步地，第一排气口140与真空单元相连，以通过真空单元将工艺腔室和过滤装置内的气体吸出。示例性地，真空单元包括真空泵，以通过真空泵为气体排除工艺腔室和过滤装置提供动力。

上述实施例中所述的过滤装置中，第二容纳腔120内注入有冷却液，进而可以利用冷却液降低过滤装置内的尾气的温度，使得尾气不能达到沉积的温度条件，进而避免尾气在过滤装置内沉积，防止排气通道的通流面积因为尾气沉积而变小，保证半导体制造过程中的排气效率。

一种可选地实施例中，第一气流通道111环绕过滤组件200，以增加第一气流通道111内气体与壳体100的接触面积，进而有益于第一气流通道111内气体快速降温。

一种可选的实施例中，壳体100为筒状，过滤组件200为柱状或筒状，第一容纳腔110的直径大于过滤组件200的直径，且过滤组件200与壳体100之间形成环绕过滤组件200的筒状间隙。示例性地，过滤组件200可以与壳体100同轴设置，以使过滤组件200与壳体100之间间隙宽度的均匀性，以使第一气流通道111内各处的气体散热速率一致性更好，进而有益于提高第一气流通道111内各处的气体的温度的一致性，避免第一气流通道111内局部温度过高。

参照图1至图3，第一进气口130和第一排气口140分别设置于壳体100的两端，以延长尾气在第一容纳腔110内的路径，有益于延长尾气与壳体100和/或冷却液热交换时间，降低尾气的温度。

参照图1至图4，壳体100包括外层壳体170、内层壳体180和端盖190，外层壳体170套设于内层壳体180，且外层壳体170与内层壳体180围合形成第二容纳腔120。

参照图4，内层壳体180包括筒体部和盖体部。外层壳体170设置为筒状，且外层壳体170的内径大于内层壳体180中筒体部的外径，且外层壳体170套设于内层壳体180的筒体部。进一步地，筒体部与盖体部之间形成密封唇边。示例性地，密封唇边可以为环绕筒体部的环形凸起。可选地，盖体部的直径大于筒体部的直径，且盖体部与筒体部同轴设置，以使盖体部与筒体部形成环绕筒体部外周的环形凸起。可选地，外层壳体170和内侧壳体100密封配合，以避免冷却液从外层壳体170和内层壳体180之间的装配间隙泄露。示例性地，外层壳体170可以与环绕筒体部的环形凸起密封配合。另一种可选的实施例中，外层壳体170和内层壳体180之间可以通过焊接密封。

外层壳体170具有进液口150和出液口160，进液口150和出液口160均与第二容纳腔120连通。具体的，在过滤装置处于过滤尾气的过程中，可以通过进液口150向第二容纳腔120内注入冷却液，通过出液口160将第二容纳腔120内的冷却液排出。可选的，可以通过进液口150向第二容纳腔120内不断地注入温度较低的冷却液，并通过出液口160将第二容纳腔120内温度较高的冷却液排出，进而可以通过冷却液将过滤装置内尾气的热量带走，降低尾气的温度。示例性地，进液口150用于与冷却液供液管汇相连，且冷却液从进液口150进入第二容纳腔120。出液口160用于与冷却液排放管汇相连，且第二容纳腔120内的冷却液从出液口160排出第二容纳腔120。

一种可选的实施例中，进液口150设置于第二容纳腔120远离第一进气口130的一端，出液口160设置于第二容纳腔120靠近第一进气口130的一端，以提高冷却液冷量的利用率，增强过滤装置的冷却性能，有益于防止尾气在过滤装置内沉积。

参照图1至图3，端盖190与外层壳体170以及内层壳体180中的至少一者可拆卸相连，且端盖190与内层壳体180围合形成第一容纳腔110。示例性地，端盖190盖合于内层壳体180的端部，并与内层壳体180密封配合，进而通过端盖190和内层壳体180围合形成第一容纳腔110。

一种可选地实施例中，端盖190可以与内层壳体180的端部可拆卸连接。端盖190与内层壳体180可拆卸连接的方式有很多，例如，螺钉、卡扣、螺纹配合等。为此，本实施例不限定端盖190与内层壳体180的具体连接方式。

另一种可选的实施例中，端盖190的直径大于内层壳体180，以使端盖190与内层壳体180之间形成环绕内层壳体180侧壁的凸台。可选地，外层壳体170可以安装于端盖190凸出于内层壳体180侧壁的部分。进一步地，外层壳体170与端盖190可拆卸相连。端盖190与外层壳体170可拆卸连接的方式有很多，例如，螺钉、卡扣、螺纹配合等。为此，本实施例不限定端盖190与外层壳体170的具体连接方式。

上述实施例可以通过拆卸端盖190实现过滤装置内部结构检修。参照图1至图3，过滤组件200与端盖190相连。即过滤组件200可以安装于端盖190上。该方案中，可以通过拆卸端盖190实现过滤组件200的拆卸，以便于过滤组件200检修。

参照图1至图3，内层壳体180远离端盖190的一端开设有第一进气口130，端盖190开设有第一排气口140。示例性地，第一进气口130可以设置于内层壳体180中的盖体部。第一排气口140可以设置于端盖190。可选的，第一进气口130可以设置于盖体部的中心位置。第一排气口140可以设置于端盖190的中心位置。该实施例有利于从第一进气口130进入的气体可以均匀地进入第一气流通道111，有益于使第一气流通道111内的气体与冷却液之间的热交换更为充分。

参照图5，一种可选的实施例中，内层壳体180和/或端盖190上设置有密封槽181，且密封槽181内设置有密封圈，以通过密封圈密封端盖190与内层壳体180之间的装配间隙。可选地，端盖190可以通过螺钉或螺栓与内层壳体180可拆卸相连。

一种可选的实施例中，端盖190上设置与第一环形凹槽和第二环形凹槽。内层壳体180的筒体部至少部分嵌入第一环形凹槽，以使端盖190可以与内层壳体180围合形成第一容纳腔110。外层壳体170的至少部分嵌入第二环形凹槽，以使内层壳体180、外层壳体170和端盖190围合形成第二容纳腔120。进一步地，端盖190通过螺钉与内层壳体180和/或外层壳体170可拆卸相连，以便于对过滤装置进行的维护或检修。

参照图1至图3，过滤组件200设置有第三容纳腔270、第二进气口210和第二排气口220。示例性地，尾气从第二进气口210进入过滤组件200，经过过滤组件200过滤后的气体从第二排气口220排出。示例性地，第三容纳腔270通过第二进气口210与第一气流通道111远离第一进气口130的一端连通。第三容纳腔270通过第二排气口220与第一排气口140连通。冷却后的尾气从第二进气口210进入过滤组件200，不仅可以避免尾气温度过高损坏过滤组件200，还可以避免尾气在过滤组件200内沉积，进而延长过滤组件200的使用寿命。

进一步地，过滤组件200靠近第一进气口130的一侧与壳体100之间形成缓冲腔112，以使从第一进气口130进入的尾气可以通过冲击过滤组件200靠近第一进气口130的一侧，以减缓尾气在过滤装置内的流速。示例性地，过滤组件200靠近第一排气口140设置，以缩小第二排气口220与第一排气口140之间的间隙，提高第一容纳腔110内空间利用率。

缓冲腔112与第一气流通道111靠近第一进气口130的一端连通，以使缓冲腔112内的气体可以进入第一气流通道111，进而可以有效减缓尾气在第一气流通道111内的速率，以延长尾气与壳体100和/或冷却液热交换的时间，提升过滤装置的冷却尾气的性能。

上述实施例中，第一气流通道111的两端分别与缓冲腔112和第二进气口210连通，进而能够确保进入过滤组件200的尾气均经过第一气流通道111，避免尾气直接进入过滤组件200损伤过滤组件200或在过滤组件200内沉积。

参照图1至图3，过滤组件200靠近第一排气口140的一端设置有缓冲槽230，缓冲槽230与第一排气口140相对，且缓冲槽230的侧壁沿远离缓冲槽230中心的方向向上倾斜设置，以通过缓冲槽230降低尾气进入第一气流通道111内的速度，并且，可以通过缓冲槽230使得尾气从第一进气口130进入缓冲腔112内后可以沿缓冲槽230的槽底和/或槽壁向四周扩散。示例性地，第一进气口130设置于壳体100端部的中心位置，以使第一气流通道111内各处的尾气的流速更均匀。

参照图1至图3，过滤组件200包括安装座240、导流罩250和滤芯260，其中，安装座240为基础结构件，可以为导流罩250和滤芯260提供安装基础。安装座240与壳体100相连。一种可选的实施例中，安装座240与端盖190可以通过螺钉固定。另一种可选的实施例中，安装座240还可以与端盖190设置为一体结构。示例性地，安装座240可以与端盖190焊接为一体，或者，安装座240与端盖190通过注塑成型。

参照图1至图3，导流罩250盖合于安装座240，且导流罩250与安装座240围合形成第三容纳腔270。安装座240包括支撑部242和唇边部243。唇边部243环绕所述支撑部242设置于支撑部242的侧壁。支撑部242支撑于端盖190，唇边部243与端盖190之间形成与第一气流通道111连通的环形间隙。第二进气口210贯穿唇边部243，且第二进气口210连通第三容纳腔270与环形间隙。第二排气口220贯穿支撑部242，且第二排气口220与第一排气口140相对。滤芯260设置于第三容纳腔270，且滤芯260用于过滤经过第三容纳腔270的气体。示例性地，滤芯260设置于第二进气口210和第二排气口220之间，以使第二进气口210和第二排气口220通过滤芯260连通。

参照图1至图3，滤芯260为筒状，滤芯260的两端分别与导流罩250和安装座240相连，且滤芯260与导流罩250之间形成围绕滤芯260的第二气流通道271，第二气流通道271与第一气流通道111连通，滤芯260内的通道与第一排气口140连通。示例性地，第二气流通道271与第一气流通道111平行设置。进一步地，第二进气口210朝向导流罩250的顶部或导流罩250的内侧壁，以避免从第二进气口210进入的尾气直接冲击至滤芯260上，保证滤芯260的过滤效率。

上述实施例中，滤芯260与导流罩250之间形成第二气流通道271，不仅可以进一步延长尾气在过滤装置内的路径，还可以增加滤芯260的通流面积。需要说明的是，滤芯260的通流面积是指尾气在滤芯260中流动时，垂直与尾气流动方向的截面的面积，提升气体经过过滤装置的最大流量。进一步可选的实施例中，第二进气口210的数量可以为多个，且多个第二进气口210围绕滤芯260均匀设置，以使第二气流通道271内各处气流更均匀。

参照图6，导流罩250和/或安装座240设置有定位槽241，滤芯260的端部至少部分嵌入定位槽241。示例性地，定位槽241设置为环形。通过设置定位槽241不仅可以提升滤芯260与导流罩250或安装座240装配的稳固性，还有益于提升滤芯260与导流罩250或安装座240装配处的密封性。进一步可选的，定位槽241内设置有密封圈或密封棉，以通过密封圈或密封面进一步提升滤芯260与导流罩250或安装座240装配处的密封性，避免气体从滤芯260与导流罩250或安装座240装配处的间隙排出。

一种可选的实施例中，滤芯260的数量为至少两个，滤芯260沿第一排气口140的径向逐一套设。在实际生产过程中，可以通过实际需要选择设置滤芯260的数量。具体的，当需要提高过滤装置的过滤精度，可以增加滤芯260的数量。当然，对过滤精度要求相对差的情况下，可以减少滤芯260的数量。进一步地，相邻两个滤芯260中位于内侧的滤芯260的滤孔孔径小于位于外侧的滤芯260的滤孔孔径，以进一步提升过滤组件200过滤气体中杂质的性能，充分利用各滤芯260对不同粒径的杂质进行分级过滤。

参照图1至图3，过滤组件200还包括隔热罩280，隔热罩280设置于导流罩250靠近第一进气口130一端，且隔热罩280与导流罩250之间形成隔热腔281。隔热罩280与导流罩250之间形成隔热腔281，有益于降低隔热罩280与导流罩250之间的热传递效率，进而可以避免导流罩250靠近第一进气口130的一侧温度过高。由于滤芯260设置于导流罩250与安装座240形成的第三容纳腔270内，进而可以避免滤芯260受热损坏。

一种可选的实施例中，隔热腔281内的气体可以被抽出，以使隔热腔281形成真空空间。需要说明的是，热量的传递需要介质，隔热腔281形成真空空间，进而可以进一步降低隔热罩280与导流罩250之间的热传导效率，提升过滤组件200靠近第一进气口130一端的隔热性能。当然，过滤组件200还可以包括隔热棉290，隔热棉290设置于隔热腔281，以通过隔热棉290降低隔热罩280与导流罩250之间的热传导效率。

一种可选的实施例中，导流罩250与隔热罩280可拆卸相连，以便于拆卸或更换隔热罩280。参照图1至图3，导流罩250与隔热罩280可以通过螺纹配合相连。示例新地，导流罩250与隔热罩280中，一者设置有外螺纹，另一者设置有内螺纹，以使导流罩250与隔热罩280可以通过螺纹配合相连。

导流罩250与隔热罩280的连接方式有很多，例如导流罩250与隔热罩280还可以通过螺钉相连。为此，本申请实施例不限定导流罩250与隔热罩280的连接方式。

参照图1至图3，缓冲槽230可以开设于隔热罩280与第一进气口130相对的一侧。参照图3，尾气从第一进气口130进入过滤装置后，先冲击至缓冲槽230，不仅可以避免导流罩250和位于导流罩250内的滤芯260直接受热，还可以通过隔热罩280将从第一进气口130进入的气体分散至四周，以使第一气流通道111内各处的气体更为均匀。

基于本申请所述的过滤装置，本申请还公开了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备可以用于制作半导体。示例性地，该半导体工艺设备可以用于制造SiC单晶材料。该半导体工艺设备包括工艺腔室和本申请任意一项实施例中所述的过滤装置。工艺腔室用于半导体材料的生长，工艺腔室设置有第三排气口，第三排气口与第一进气口130相连，以使工艺腔室内的气体可以从第一进气口130进入过滤装置。进一步地，半导体工艺设备还包括真空单元，真空单元设置有第三进气口，第三进气口与第一排气口140连通，且真空单元用于将工艺腔室和/或过滤装置内的气体抽出。示例性地，真空单元可以为真空泵。

上述实施例中所述的半导体工艺设备中，工艺腔室的第三排气口与第一进气口130直接连通，不仅可以提高工艺腔室与过滤装置之间装配的紧凑性，还可以避免尾气在进入过滤装置前发生沉积。产生的尾气进入过滤装置，并通过第二容纳腔120内的冷却液降低尾气的温度，进而使得尾气不具备沉积的条件，避免尾气在过滤装置内沉积，保证半导体工艺设备的排气效率。并且，第一气流通道111通过过滤组件200与第一排气口140连通，进而可以实现对尾气中的杂质进行过滤，以避免尾气中的杂质从第一排气口140排出进入真空单元，以达到保护真空单元的目的。

本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体设备的尾气过滤装置，其特征在于，包括壳体（100）和过滤组件（200），所述壳体（100）具有第一容纳腔（110）、第二容纳腔（120）、第一进气口（130）和第一排气口（140），

所述过滤组件（200）设置于所述第一容纳腔（110）内，所述过滤组件（200）与所述壳体（100）之间形成第一气流通道（111），所述第一进气口（130）位于所述壳体（100）的顶部的中心位置，并与所述第一气流通道（111）连通且用于通入所述半导体设备的尾气，所述第一气流通道（111）通过所述过滤组件（200）与所述第一排气口（140）连通，所述第一排气口（140）位于所述壳体（100）的底部的中心位置；

所述第二容纳腔（120）围绕所述第一容纳腔（110）设置，且所述第二容纳腔（120）用于容纳冷却液；

所述过滤组件（200）靠近所述第一进气口（130）的一端设有缓冲槽（230），所述缓冲槽（230）与所述第一进气口（130）相对，且所述缓冲槽（230）的侧壁沿远离所述缓冲槽（230）中心的方向向上倾斜设置。

2.根据权利要求1所述的尾气过滤装置，其特征在于，所述壳体（100）包括外层壳体（170）、内层壳体（180）和端盖（190），所述外层壳体（170）套设于所述内层壳体（180），且所述外层壳体（170）与所述内层壳体（180）围合形成所述第二容纳腔（120），

所述外层壳体（170）具有进液口（150）和出液口（160），所述进液口（150）和所述出液口（160）均与所述第二容纳腔（120）连通；

所述端盖（190）与所述外层壳体（170）以及所述内层壳体（180）中的至少一者可拆卸相连，且所述端盖（190）与所述内层壳体（180）围合形成所述第一容纳腔（110），所述内层壳体（180）远离所述端盖（190）的一端开设有所述第一进气口（130），所述端盖（190）开设有所述第一排气口（140）；

所述过滤组件（200）与所述端盖（190）相连。

3.根据权利要求2所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件（200）具有第三容纳腔（270）、第二进气口（210）和第二排气口（220），所述第三容纳腔（270）通过所述第二进气口（210）与所述第一气流通道（111）远离所述第一进气口（130）的一端连通；所述第三容纳腔（270）通过所述第二排气口（220）与所述第一排气口（140）连通。

4.根据权利要求3所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件（200）靠近所述第一进气口（130）的一侧与所述壳体（100）之间形成缓冲腔（112），所述缓冲腔（112）与所述第一气流通道（111）靠近所述第一进气口（130）的一端连通。

5.根据权利要求3或4所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件（200）包括安装座（240）、导流罩（250）和滤芯（260），

所述安装座（240）与所述端盖（190）相连，所述导流罩（250）盖合于所述安装座（240），且所述导流罩（250）与所述安装座（240）围合形成所述第三容纳腔（270），

所述安装座（240）包括支撑部（242）和唇边部（243），所述唇边部（243）环绕所述支撑部（242）设置于所述支撑部（242）的侧壁，所述支撑部（242）支撑于所述端盖（190），所述唇边部（243）与所述端盖（190）之间形成与所述第一气流通道（111）连通的环形间隙，所述第二进气口（210）贯穿所述唇边部（243），且所述第二进气口（210）连通所述第三容纳腔（270）与所述环形间隙，所述第二排气口（220）贯穿所述支撑部（242），且所述第二排气口（220）与所述第一排气口（140）相对；

所述滤芯（260）设置于所述第三容纳腔（270），且所述滤芯（260）用于过滤经过所述第三容纳腔（270）的气体。

6.根据权利要求5所述的过滤装置，其特征在于，所述滤芯（260）为筒状，所述滤芯（260）的两端分别与所述导流罩（250）和所述安装座（240）相连，且所述滤芯（260）与所述导流罩（250）之间形成围绕所述滤芯（260）的第二气流通道（271），

所述第二气流通道（271）与所述第一气流通道（111）连通，所述滤芯（260）内的通道与所述第一排气口（140）连通。

7.根据权利要求6所述的过滤装置，其特征在于，所述导流罩（250）和/或所述安装座（240）设置有定位槽（241），所述滤芯（260）的端部至少部分嵌入所述定位槽（241）；

所述滤芯（260）的数量为至少两个，所述滤芯（260）沿所述第一排气口（140）的径向逐一套设，且相邻两个所述滤芯（260）中位于内侧的所述滤芯（260）的滤孔孔径小于位于外侧的所述滤芯（260）的滤孔孔径。

8.根据权利要求5所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件（200）还包括隔热罩（280），所述隔热罩（280）设置于所述导流罩（250）靠近所述第一进气口（130）一端，且所述隔热罩（280）与所述导流罩（250）之间形成隔热腔（281）。

9.根据权利要求8所述的过滤装置，其特征在于，所述过滤组件（200）还包括隔热棉（290），所述隔热棉（290）设置于所述隔热腔（281）。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、真空单元和权利要求1至9中任意一项所述的过滤装置，所述工艺腔室用于半导体材料的生长，所述工艺腔室设置有第三排气口，所述第三排气口与所述第一进气口（130）相连；

所述真空单元设置有第三进气口，所述第三进气口与所述第一排气口（140）连通，且所述真空单元用于将所述工艺腔室和/或所述过滤装置内的气体抽出。