CN113728048B - 切割薄膜用基膜、切割薄膜以及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种具有充分的柔软性与透明度且抗粘连性出色的切割薄膜用基膜、使用该切割薄膜用基膜的切割薄膜以及这些基膜和切割薄膜的制造方法。解决该课题的本发明为一种切割薄膜用基膜，其包含(A)结晶聚丙烯与(B)聚烯烃弹性体，且满足特性(i)～(iv):(i)内部浊度为20％以下；(ii)至少一个面的光泽度为40％以下；(iii)熔点为150℃以上；(iv)熔化焓为30～90J/g。两面的光泽度可以分别为40％以下。此外，可以满足以下要求：(v‑1)机器方向的拉伸弹性模量为600MPa以下；(v‑2)机器方向的拉伸屈服应力与拉伸下屈服应力的差为2.5MPa以下。

Description

切割薄膜用基膜、切割薄膜以及制造方法
技术领域
本发明涉及一种黏合薄膜(以下，称为“切割薄膜”)的基膜、使用该基膜的切割薄膜以及这些基膜和切割薄膜的制造方法，该基膜在切割(切割分离)硅晶圆等时，以保护表面等为目的，贴合于该硅晶圆等的表面和/或背面而使用。
背景技术
半导体芯片在大径的硅晶圆上集中形成多个后，切割成单个半导体芯片而生产。该切割工艺以保护半导体芯片的表面、固定并拾取切割的单个半导体芯片等为目的，通常在硅晶圆(形成有多个半导体芯片)的表面和/或背面上贴合切割薄膜而进行。
特别是，在扩展工艺与拾取工艺中，如果切割胶带的柔软性不充分，则会引起切割胶带从环状肋骨脱落、切割胶带断裂、被切割的晶圆间隔狭窄而拾取成品率降低以及由对半导体晶圆的负载导致芯片飞散且破损等问题，因此要求切割薄膜用基膜具有较高的柔软性。
以往，由于切割薄膜的基膜具有耐热性与柔软性之间的平衡较高、具有适合扩展工艺的拉伸特性、透明度高以及成本低等诸多优点，因此多用于软聚氯乙烯树脂组合物薄膜。另一方面，由于软聚氯乙烯树脂组合物的薄膜中配比有大量增塑剂，因此存在增塑剂向黏合剂过渡而使黏合特性不稳定(使黏合力降低或增加)，增塑剂污染半导体芯片等问题。因此，作为切割薄膜的基膜提出一种聚丙烯树脂与聚丙烯树脂组合物的薄膜(例如，参考专利文献1～3)。但是，作为切割薄膜的基膜的这些性能不及软聚氯乙烯树脂组合物的薄膜。另外，聚丙烯树脂与聚丙烯树脂组合物的薄膜还存在以下问题，即，如果作为切割薄膜的基膜赋予充分的柔软性与透明度，则抗粘连性不充分。
需要一种具有充分的柔软性与透明度且抗粘连性出色的切割薄膜用基膜，但迄今尚未开发出这种基膜。
然而，切割薄膜通常包含切割薄膜用基膜以及形成于其表面的黏合剂层。为了提高切割薄膜用基膜与黏合剂层之间的黏着性(锚固性)，通常通过向切割薄膜用基膜的黏合剂层形成面照射电晕放电能量进行电晕放电处理。但是，由于实施电晕放电处理，会使薄膜处理面发粘，因此存在较容易产生粘连的问题。实际上，电晕放电处理有在薄膜的一面实施的情况和在两面实施的情况，不管是哪一种情况，均可能引起因实施电晕放电处理而较容易产生粘连的问题。
优选为，一种具备所要求的上述诸多特性，特别是在对表面实施电晕放电处理(以下，简称为“电晕表面处理”)的情况下也能够有效防止粘连的切割薄膜用基膜。但是，迄今尚未开发出这种基膜。
先行技术文献
专利文献
专利文献1日本专利文献特开2009-290001号公报
专利文献2日本专利文献特开2016-089138号公报
专利文献3日本专利文献特开2016-127161号公报
专利文献4国际公开第2011/055803号
专利文献5日本专利文献特开2015-093918号公报
专利文献6日本专利文献特开2015-096580号公报
发明内容
本发明的一课题在于提供一种作为切割薄膜用较佳的基膜、使用该基膜的切割薄膜以及这些基膜和切割薄膜的制造方法，该基膜可以替代软聚氯乙烯树脂组合物的薄膜，具有充分的柔软性与透明度且抗粘连性出色。
本发明的另一课题在于提供一种作为切割薄膜用较佳的基膜、使用该基膜的切割薄膜以及这些基膜和切割薄膜的制造方法，该基膜可以替代软聚氯乙烯树脂组合物的薄膜，具有充分的柔软性与透明度且抗粘连性出色，特别是在实施电晕表面处理的情况下也能够有效防止粘连。
本发明人进行深入研究的结果发现，通过特定的树脂薄膜可以实现上述课题。
即，本发明的各个方面如下所述。
[1].
一种切割薄膜用基膜，其包含：
(A)结晶聚丙烯与(B)聚烯烃弹性体，
且满足下述特性(i)～(iv)：
(i)内部浊度为20％以下；
(ii)至少一个面的光泽度为40％以下；
(iii)熔点为150℃以上；
(iv)熔化焓为30～90J/g。
[2].
上述[1]项所述的切割薄膜用基膜，其两面的光泽度分别为40％以下。
[3].
上述[1]或[2]项所述的切割薄膜用基膜，其还满足下述特性(v-1)及(v-2)：
(v-1)机器方向的拉伸弹性模量为600MPa以下；
(v-2)机器方向的拉伸屈服应力与拉伸下屈服应力的差为2.5MPa以下。
[4].
上述[1]或[2]项所述的切割薄膜用基膜，(B)聚烯烃弹性体为由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物。
[5].
上述[4]项所述的切割薄膜用基膜，所述无规共聚物中的结晶聚丙烯区域与非晶聚丙烯区域的质量比在40:60～60:40的范围内。
[6].
上述[4]或[5]项所述的切割薄膜用基膜，所述无规共聚物中非晶聚丙烯区域相对于所述(A)结晶聚丙烯及所述(B)无规共聚物聚烯烃弹性体的总质量的质量比为10％以上。
[7].
一种切割薄膜，其包含上述[1]～[6]项中任意一项所述的切割薄膜用基膜。
[8].
一种上述[1]～[6]项中任意一项所述的切割薄膜用基膜的成膜方法，其包括以下工艺：
(1)使用具备挤出机与T字模的挤出装置，从T字模连续挤出熔融薄膜的工艺；
(2)向旋转的平滑辊或压纹辊即第一辊与旋转的压纹辊即第二辊之间，供给投入上述熔融薄膜，通过上述第一辊与上述第二辊模压上述熔融薄膜的工艺；以及
(3)使第一辊带着在上述工艺(2)中模压的薄膜送出至下一个旋转辊的工艺。
[9].
上述[8]项所述的方法，其中上述压纹辊为缎纹橡胶辊或缎纹金属辊。
[10].
上述[8]或[9]项所述的方法，其中上述平滑辊为镜面金属辊。
[11].
一种上述[7]项所述的切割薄膜的制造方法，其包括以下工艺：
(1)通过上述[8]～[10]项中任意一项所述的方法使切割薄膜用基膜成膜的工艺；以及
(2)在上述工艺(1)中得到的切割薄膜用基膜的光泽度为40％以下的面上形成黏合剂层的工艺。
[12].
一种上述[7]项所述的切割薄膜的制造方法，其包括以下工艺：
(1)通过上述[8]～[10]项中任意一项所述的方法使切割薄膜用基膜成膜的工艺；以及
(2)在存在上述工艺(1)中得到的切割薄膜用基膜的光泽度为50％以上的面的情况下，在其面上形成黏合剂层的工艺。
发明效果
本发明的薄膜不配比增塑剂，因此从根本上解决软聚氯乙烯树脂组合物的薄膜的增塑剂引起的问题。另外，本发明的薄膜具有出色的柔软性、透明度以及抗粘连性。本发明的较佳的薄膜，还具有出色的耐热性、柔软性、透明度、耐溶剂性以及抗粘连性，且具有适合扩展工艺的拉伸特性。由于切割薄膜用基膜的柔软性、以及切割薄膜的出色的柔软性，在扩展工艺与拾取工艺中，可以有效地抑制切割胶带从环状肋骨脱落、切割胶带断裂、被切割的晶圆间隔狭窄而拾取成品率降低、以及由对半导体晶圆的负载导致芯片飞散并破损等缺陷。本发明的更佳的薄膜，除具有上述诸多特性之外，特别是在实施电晕表面处理的情况下其抗粘连性也出色。因此，本发明的薄膜作为切割薄膜的基膜可以较佳地使用。通过本发明的制造方法，可以较佳地生产本发明的薄膜。
附图说明
图1是例1的薄膜的DSC曲线。
图2是应力-应变曲线的示意图。
图3是在实施例中使用的结晶聚丙烯(A-1)的DSC曲线。
图4是在实施例中使用的聚烯烃弹性体(B-1)的DSC曲线。
图5是在实施例中使用的成膜装置的示意图。
图6是在实施例中使用的聚烯烃弹性体(B-1)的13C-NMR光谱。
具体实施方式
在本说明书中，术语“树脂”作为还包括包含2种以上树脂的树脂混合物、或者包含除树脂之外的成分的树脂组合物的术语使用。在本说明书中，术语“薄膜”可以与“薄片”相互交换或相互取代而使用。在本说明书中，术语“薄膜”及“薄片”使用于在工业上可以卷成卷状的物品。术语“板”使用于在工业上不能卷成卷状的物品。另外，在本说明书中，依次层压某一层与其它层，包括直接层压这些层以及在这些层之间使1层以上锚固涂层等其他层存在而层压的两种方式。
在本说明书中，与数值范围相关的术语“以上”，以某一数值或者大于某一数值的意思使用。例如，“20％以上”意味着20％或大于20％。与数值范围相关的术语“以下”，以某一数值或小于某一数值的意思使用。例如，“20％以下”意味着20％或小于20％。与数值范围相关的符号“～”，以某一数值、大于某一数值且小于其他某一数值、或其他某一数值的意思使用。在这里，其他某一数值为大于某一数值的数值。例如，“10～90％”意味着10％、大于10％且小于90％或90％。此外，数值范围的上限与下限可以任意组合，且可以读取任意组合的实施方式。例如，从某一特性的数值范围“通常为10％以上，优选为20％以上。另一方面，通常为40％以下，优选为30％以下。”或者“通常为10～40％，优选为20～30％”的记载可知，某一特性，在一实施方式中可以读取为10～40％、20～30％、10～30％或20～40％。
除实施例之外，或只要未另行指定，在本说明书以及权利要求书中所使用的所有数值均应理解为通过术语“约”而被修饰。无需限制对权利要求书的均等论的适用，各数值应对照有效数字以及通过适用通常的四舍五入法进行解释。
1.切割薄膜用基膜
本发明的切割薄膜用基膜，(i)内部浊度通常为20％以下，优选为15％以下，更优选为12％以下，更加优选为10％以下。因为上述(i)内部浊度通常为20％以下，可以充分确保切割薄膜所要求的透明度，例如，进行激光打印时的可视性。从透明度的观点考虑，上述(i)内部浊度的下限并不受特殊限制，越低越好。
在本说明书中，上述(i)内部浊度为按照下述方法测定的浊度，即，准备2张在表面光滑的玻璃板的一个表面上涂布有石蜡油的玻璃板，然后在上述2张玻璃板的石蜡油涂布面之间夹持样品作为测定片，接着，按照JIS K7136:2000进行测定。更加具体地说，本说明书中的内部浊度可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
本发明的切割薄膜用基膜，(ii)至少一个面的光泽度通常为40％以下。在这里，光泽度为按照JIS Z8741:1997测定的60度光泽度值。更加具体地说，本说明书中的光泽度可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
以下，有时将光泽度调整至40％以下的本发明的切割薄膜用基膜的面称为“亚光面”。另外，在该行业中，“亚光面”有时也被称为“毛面”或“亚光处理面”。由于本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的光泽度通常为40％以下，因此即使作为切割薄膜用基膜赋予充分的柔软性，也能够表现出充分的抗粘连性。另外，通过在亚光面形成黏合剂层，能够消除由亚光面的凹凸引起的外部浊度，还能够确保切割薄膜的充分的透明度。此外，由于亚光面的凹凸较大，通过在亚光面形成黏合剂层，能够获得提高本发明的切割薄膜用基膜与黏合剂层的黏合强度的效果。
从抗粘连性的观点考虑，切割薄膜用基膜的至少一个面(亚光面)的光泽度，优选为35％以下，更优选为30％以下，更加优选为25％以下，进一步优选为20％以下，再进一步优选为15％以下，更进一步优选为10％以下，最优选为6％以下。另一方面，从使黏合剂层的表面光滑的观点考虑，切割薄膜用基膜的至少一个面(亚光面)的光泽度可以优选为1％以上。
从抗粘连性的观点以及使黏合剂层的表面光滑的观点考虑，本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的算术平均粗糙度(Ra)可以通常为0.5～10μm，优选为1～5μm。在本说明书中，算术平均粗糙度(Ra)按照JIS B0601:2013进行测定。更加具体地说，本说明书中的算术平均粗糙度(Ra)，可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
在一实施方式中，本发明的切割薄膜用基膜，一个面的光泽度通常为40％以下，且另一个面的光泽度可以通常为50％以上。以下，有时将光泽度调整至50％以上的本发明的切割薄膜用基膜的面称为“光泽面”。由于光泽面的光泽度通常为50％以上，因此能够确保切割薄膜用基膜的充分的透明度。从透明度的观点考虑，切割薄膜用基膜的光泽面的光泽度，通常为50％以上，优选为55％以上，进一步优选为60％以上，更进一步优选为65％以上，更加优选为70％以上，更优选为75％以上，更加优选为80％以上，最优选为85％以上。另一方面，从抗粘连性的观点考虑，切割薄膜用基膜的光泽面的光泽度，可以优选为140％以下，更优选为130％以下。
在另一实施方式中，通常，本发明的切割薄膜用基膜两面的光泽度可以分别为40％以下。即，本发明的切割薄膜用基膜的两面均可以为亚光面(毛面)。在本实施方式中，由于任何一个亚光面的光泽度均可以独立地进行调整，因此两侧的光泽度实际上可以相等也可以不同。
由于本实施方式的切割薄膜用基膜的各亚光面的光泽度通常为40％以下，因此即使作为切割薄膜用基膜赋予充分的柔软性也能够表现出充分的抗粘连性。另外，通过在亚光面形成黏合剂层，能够消除由亚光面的凹凸引起的外部浊度，还能够确保切割薄膜的充分的透明度。此外，由于亚光面的凹凸较大，通过在亚光面形成黏合剂层，能够获得提高本发明的切割薄膜用基膜与黏合剂层的黏合强度的效果。
此外，由于本实施方式的切割薄膜用基膜的各亚光面的光泽度通常为40％以下，因此即使在为提高与黏合剂层的黏着性(锚固性)对切割薄膜用基膜的黏合剂层形成面实施电晕放电处理的情况下，也能够获得出色的抗粘连性。另外，在对薄膜的一面实施电晕放电处理的情况下与对两面实施电晕放电处理的情况下均能够获得该优点。
从抗粘连性的观点考虑，本实施方式的切割薄膜用基膜的各亚光面的光泽度，可以分别独立地，优选为35％以下，更优选为30％以下，更加优选为25％以下，进一步优选为20％以下，更进一步优选为15％以下，更加进一步优选为10％以下，最优选为6％以下。另一方面，从使黏合剂层的表面光滑的观点考虑，本实施方式的切割薄膜用基膜的各亚光面的光泽度可以优选为1％以上。
本发明的切割薄膜用基膜，(iii)熔点通常为150℃以上，优选为155℃以上，更优选为160℃以上。由于上述(iii)熔点为150℃以上，因此能够充分确保切割薄膜所要求的耐热性。另外，能够充分确保在本发明的切割薄膜用基膜的面(通常为亚光面)上形成黏合剂层时所需的耐溶剂性。从耐热性及耐溶剂性的观点考虑，上述(iii)熔点越高越好。
从耐热性、耐溶剂性以及抗粘连性的观点考虑，本发明的切割薄膜用基膜的(iv)熔化焓通常为30J/g以上，优选为40J/g以上，更优选为50J/g以上。另一方面，从柔软性的观点考虑，本发明的切割薄膜用基膜的(iv)熔化焓通常为90J/g以下，优选为85J/g以下，更优选为80J/g以下，更进一步优选为75J/g以下，更加优选为70J/g以下。
在本说明书中，按照JIS K7121-1987，并使用差示扫描量热仪(DSC测定装置)，通过按照在25℃下保持5分钟后，以10℃/分升温至190℃的程序测定的DSC第一熔化曲线计算出上述(iii)熔点及上述(iv)熔化焓。此时，上述(iii)熔点为上述DSC第一熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。另外，在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为上述(iii)熔点。图1显示例1的DSC测定例。图1中最下方的曲线为DSC第一熔化曲线，最上方的曲线为DSC结晶曲线，中间的曲线为DSC第二熔化曲线。应注意，在结晶聚丙烯树脂组合物的DSC第一熔化曲线中出现的熔化峰，通常低温侧的峰脚下的曲线平缓地拉长，以及画基线以使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲线的读取方法中图1所示的高温侧的基线向低温侧延长的直线与使相同低温侧的基线向高温侧延长的直线一致。
更加具体地说，本说明书中的熔点及熔化焓可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
从柔软性的观点考虑，在本发明的切割薄膜用基膜的机器方向成为拉伸方向的条件下测定的拉伸弹性模量(以下，简称为“拉伸弹性模量MD”)可以通常为800MPa以下，优选为700MPa以下，更优选为600MPa以下，更加优选为550MPa以下。另一方面，从薄膜成膜的稳定性的观点考虑，拉伸弹性模量MD可以通常为100MPa以上，优选为200MPa以上，更优选为300MPa以上，更加优选为350MPa以上。
从柔软性的观点考虑，在本发明的切割薄膜用基膜的横向(与机器方向正交的方向)成为拉伸方向的条件下测定的拉伸弹性模量(以下，简称为“拉伸弹性模量TD”)可以通常为800MPa以下，优选为700MPa以下，更优选为600MPa以下，更加优选为550MPa以下。另一方面，从薄膜成膜的稳定性的观点考虑，拉伸弹性模量TD可以通常为100MPa以上，优选为200MPa以上，更优选为300MPa以上，更加优选为350MPa以上。
从使薄膜均匀地延伸的观点考虑，在切割工艺之后的扩展工艺中，本发明的切割薄膜用基膜的拉伸弹性模量MD与拉伸弹性模量TD之比(拉伸弹性模量MD/拉伸弹性模量TD)可以通常为0.5～1.5，优选为0.7～1.5，更优选为0.8～1.5，更加优选为0.8～1.2。
在本说明书中，按照JIS K7127:1999，使用以使薄膜的机器方向成为拉伸方向的方式从薄膜冲孔成上述标准的试验片类型5(该JIS标准的图2)的形状的试验片，通过在拉伸速度200mm/min、以及温度23℃的条件下进行拉伸试验而得到的应力-应变曲线(以下，简称为“SS曲线”)，无论JIS K7127:1999的10项的计算以及结果的表示如何规定，以基于JISK7161-1:2014的10.3.2项的2点求得的斜率的方法计算出拉伸弹性模量MD。另外，无论JISK7161-1:2014的10.3.2项如何规定，σ1为应变ε1＝0.8％中的应力(MPa)，σ2为应变ε2＝1.6％中的应力(MPa)。除以使薄膜的横向成为拉伸方向的方式对试验片进行冲孔之外，相同地测定并计算出拉伸弹性模量TD。
更加具体地说，本说明书中的拉伸弹性模量MD以及拉伸弹性模量TD可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
从适合切割的扩展工艺的观点考虑，本发明的切割薄膜用基膜在机器方向成为拉伸方向的条件下测定的拉伸屈服应力(σy)与拉伸下屈服应力(拉伸应变超过拉伸屈服应变(εy)后，随着拉伸应变的增加而减小的拉伸应力再次转向增加的点(ε1)中的应力)(σ1)的应力差(Δσ)(以下，简称为“应力差MD”)可以通常为3MPa以下，优选为2.5MPa以下，更优选为2MPa以下，更加优选为1MPa以下，更进一步优选为0.5MPa以下。从扩展性的观点考虑，应力差MD越小越好。
从适合切割的扩展工艺的观点考虑，本发明的切割薄膜用基膜在横向(与机器方向正交的方向)成为拉伸方向的条件下测定的拉伸屈服应力(σy)与拉伸下屈服应力(σ1)的应力差(Δσ)(以下，简称为“应力差TD”)可以通常为3MPa以下，优选为2MPa以下，更优选为1MPa以下，更加优选为0.5MPa以下。从扩展性的观点考虑，应力差TD越小越好。
在本说明书中，按照JIS K7127:1999，使用以使薄膜的机器方向成为拉伸方向的方式从薄膜冲孔成上述标准的试验片类型5(该JIS标准的图2)的形状的试验片，通过在拉伸速度200mm/min、以及温度23℃的条件下进行拉伸试验得到的SS曲线，按照JIS K7161-1:2014的10.1项，将拉伸屈服应力(σy)作为拉伸屈服应变(εy)中的应力(此时，注意该JIS标准的附录A)，将拉伸下屈服应力(σ1)作为应变(ε1)中的应力求得并计算出应力差MD。应力-应变曲线的示意图如图2所示。除以使薄膜的横向成为拉伸方向的方式对试验片进行冲孔之外，相同地测定并计算出应力差TD。
更加具体地说，本说明书中的应力差MD及应力差TD可以通过下述实施例所述的方法进行测定。
本发明的切割薄膜用基膜的厚度，并不受特殊限制，考虑到作为切割薄膜的基膜而使用，可以适当选择。本发明的切割薄膜用基膜的厚度可以通常为30～300μm，优选为50～200μm，更优选为70～150μm。
本发明的切割薄膜用基膜包含(A)结晶聚丙烯与(B)聚烯烃弹性体。以下，对各成分进行说明。
(A)结晶聚丙烯
本发明的切割薄膜用基膜包含上述成分(A)结晶聚丙烯。上述成分(A)结晶聚丙烯发挥使本发明的切割薄膜用基膜的耐热性与耐溶剂性出色的作用。
上述成分(A)结晶聚丙烯为主要包含来源于丙烯的结构单元且具有较高结晶度的树脂。在这里，“主要包含来源于丙烯的结构单元”意味着来源于丙烯的结构单元的含量通常为50摩尔％以上，优选为60摩尔％以上，更优选为70摩尔％以上，更加优选为80摩尔％以上，典型地为90～100摩尔％。关于成分(A)结晶聚丙烯“具有较高结晶度”意味着，熔化焓(测定方法后述)通常为50J/g以上。在一实施方式中，成分(A)结晶聚丙烯的熔化焓可以优选为60J/g以上，更优选为65J/g以上，更加优选为70J/g以上。
上述成分(A)结晶聚丙烯为等规聚丙烯时，内消旋二分体分数(来源于连续的2个丙烯的结构单元的立体结构具有等规结构的比例)可以通常为80摩尔％以上，优选为90摩尔％以上，更优选为95摩尔％以上，典型地为97～100摩尔％。为间规聚丙烯时，外消旋二分体分数(来源于连续的2个丙烯的结构单元的立体结构具有间规结构的比例)可以通常为80摩尔％以上，优选为90摩尔％以上，更优选为95摩尔％以上，典型地为97～100摩尔％。
作为上述成分(A)结晶聚丙烯，可以列举出，例如，丙烯均聚合物；丙烯与其他少量α-烯烃(例如，乙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯以及4-甲基-1-戊烯等)的1种或2种以上的共聚物(包含嵌段共聚物及无规共聚物)等。在这里，作为成分(A)的这种丙烯与其他少量α-烯烃的嵌段共聚物，除结晶区域或结晶嵌段之外，还可以包含非晶区域或非晶嵌段。
在这些之中，作为上述成分(A)结晶聚丙烯，从使切割薄膜用基膜的熔点及熔化焓在规定范围的观点、以及使上述成分(A)结晶聚丙烯的熔点及熔化焓在下述的较佳范围的观点考虑，优选为丙烯与其他少量α-烯烃的1种或2种以上的嵌段共聚物。作为上述成分(A)结晶聚丙烯，可以使用这些嵌段共聚物的1种或2种以上的混合物。
从耐热性及耐溶剂性的观点考虑，上述成分(A)结晶聚丙烯的熔点可以优选为150℃以上，更优选为155℃以上，更加优选为160℃以上。从耐热性及耐溶剂性的观点考虑，上述成分(A)结晶聚丙烯的熔点越高越好。另外，从耐热性及耐溶剂性的观点考虑，作为上述成分(A)结晶聚丙烯，优选为在下述第二熔化曲线中不出现子峰即峰顶温度小于150℃的峰。
从耐热性及耐溶剂性的观点考虑，上述成分(A)结晶聚丙烯的熔化焓可以通常为50J/g以上，更优选为60J/g以上，更加优选为70J/g以上。另一方面，上述成分(A)的熔化焓虽然取决于上述成分(A)结晶聚丙烯与上述成分(B)聚烯烃弹性体的配比，但从柔软性的观点考虑，可以优选为110J/g以下，更优选为100J/g以下。
在本说明书中，按照JIS K7121-1987，使用差示扫描量热仪(DSC测定装置)，通过按照在190℃下保持5分钟，以10℃/分冷却至-10℃，在-10℃下保持5分钟，以10℃/分升温至190℃的程序测定的第二熔化曲线(在最后的升温过程中测定的熔化曲线)计算出上述成分(A)结晶聚丙烯的熔点及熔化焓。此时，熔点为在上述第二熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。另外，在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为熔点。图3显示在实施例中使用的下述成分(A-1)的DSC测定例。图3下侧的曲线为DSC第二熔化曲线，上侧的曲线为DSC结晶曲线。应注意，在结晶聚丙烯的DSC第二熔化曲线中出现的熔化峰，通常低温侧的峰脚下的曲线平缓地拉长，以及画基线以使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲线的读取方法中图1所示的高温侧的基线向低温侧延长的直线与使相同低温侧的基线向高温侧延长的直线一致。
从成膜性的观点考虑，上述成分(A)的熔体质量流量，可以优选为0.1～50g/10分，更优选为0.5～20g/10分，更加优选为1～10g/10分。上述成分(A)的熔体质量流量按照JISK7210-1:2014，在230℃、21.18N的条件下测定。
(B)聚烯烃弹性体
本发明的切割薄膜用基膜包含上述成分(B)聚烯烃弹性体。上述成分(B)聚烯烃弹性体发挥使本发明的切割薄膜用基膜的柔软性出色并赋予适合扩展工艺的拉伸特性的作用。
上述成分(B)聚烯烃弹性体为主要包含来源于α-烯烃的结构单元(通常为50摩尔％以上，优选为70摩尔％以上，更优选为90摩尔％以上，典型地为95～100摩尔％)的弹性体。
在这里，关于成分(B)聚烯烃弹性体的“弹性体”意味着熔化焓(测定方法将后述)通常为45J/g以下。
作为一实施方式，成分(B)聚烯烃弹性体的熔化焓，可以优选为15J/g以下，更优选为10J/g以下，更加优选为5J/g以下，最优选为0J/g(在DSC第二熔化曲线中未观察到熔化峰)。
另外，在另一实施方式中，成分(B)聚烯烃弹性体的熔化焓，可以优选为在10J/g以上20J/g以下的范围内，更优选为在10J/g以上15J/g以下的范围内。
另外，在另一实施方式中，成分(B)聚烯烃弹性体的熔化焓，可以优选为在25J/g以上40J/g以下的范围内，更优选为在30J/g以上40J/g以下的范围内，更加优选为30J/g以上35J/g以下。
在本说明书中，按照JIS K7121-1987，使用差示扫描量热仪(DSC测定装置)，通过按照在190℃下保持5分钟，以10℃/分冷却至-50℃，在-50℃下保持5分钟，以10℃/分升温至190℃的程序测定的第二熔化曲线(在最后的升温过程中测定的熔化曲线)计算出上述成分(B)聚烯烃弹性体的熔点及熔化焓。此时，熔点为在上述第二熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。另外，在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为熔点。另外，应注意，在弹性体的DSC第二熔化曲线中出现的熔化峰，通常峰脚下的曲线在高温侧与低温侧均平缓地拉长，以及画基线使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲线的读取方法中图1所示的高温侧的基线向低温侧延长的直线与使相同低温侧的基线向高温侧延长的直线一致。图4显示在实施例中使用的下述成分(B-1)的DSC测定例。图4下侧的曲线为DSC第二熔化曲线，上侧的曲线为DSC结晶曲线。在下述成分(B-1)的DSC第二熔化曲线中未观察到熔化峰。
作为上述α-烯烃，可以列举出，例如，直链α-烯烃、以及具有支链的α-烯烃等。作为上述直链α-烯烃，可以列举出，例如，乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十一烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯以及1-二十烯等。作为具有上述支链的α-烯烃，可以列举出，例如，3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4，4-二甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4，4-二甲基-1-己烯、4-乙基-1-己烯以及3-乙基-1-己烯等。在这些之中，作为上述α-烯烃，优选为碳原子数为2～8者。作为上述α-烯烃，可以使用这些的1种或2种以上。
上述成分(B)聚烯烃弹性体，除上述α-烯烃之外，还可以包含来源于可与这些共聚的单体的结构单元。作为上述可共聚单体，可以列举出，例如，5-亚乙基-2-降冰片烯等非共轭二烯化合物；苯乙烯等芳香族乙烯基化合物；丙烯酸、甲基丙烯酸等不饱和羧酸；以及马来酸酐等不饱和羧酸酐等。作为上述可共聚单体，可以使用这些的1种或2种以上。
作为上述成分(B)聚烯烃弹性体，可以列举出，例如，乙烯与其他1种或2种以上α-烯烃(例如，丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯以及4-甲基-1-戊烯等)的共聚物(包含嵌段共聚物及无规共聚物)；丙烯与1种或2种以上α-烯烃(例如，乙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯以及4-甲基-1-戊烯等)的共聚物(包含嵌段共聚物及无规共聚物)；4-甲基-1-戊烯与1种或2种以上α-烯烃(例如，乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯以及1-辛烯等)的共聚物(包含嵌段共聚物及无规共聚物)；以及乙烯、丙烯以及5-亚乙基-2-降冰片烯的共聚物(包含嵌段共聚物及无规共聚物)等。
作为上述成分(B)聚烯烃弹性体，从柔软性与抗粘连性的平衡的观点考虑，在这些之中，优选为4-甲基-1-戊烯与其他1种或2种以上α-烯烃的共聚物(在本行业中，有时称为“TPX弹性体”)。该共聚物更优选为包含来源于4-甲基-1-戊烯的结构单元，通常为50～90摩尔％，优选为60～80摩尔％，更优选为65～75摩尔％。在这里，所有种类结构单元的总和为100摩尔％。这种4-甲基-1-戊烯与其他1种或2种以上α-烯烃的共聚物的熔化焓，可以优选为15J/g以下，更优选为10J/g以下，更加优选为5J/g以下，最优选为0J/g(在DSC第二熔化曲线中未观察到熔化峰)。
作为上述成分(B)聚烯烃弹性体，从柔软性与抗粘连性的平衡的观点、以及与上述成分(A)结晶聚丙烯的混合性的观点考虑，在这些之中，优选为包含来源于4-甲基-1-戊烯的结构单元与来源于丙烯的结构单元的共聚物，该共聚物包含来源于4-甲基-1-戊烯的结构单元，通常为50～90摩尔％，优选为60～80摩尔％，更优选为65～75摩尔％，包含来源于丙烯的结构单元，通常为10～50摩尔％，优选为20～40摩尔％，更优选为25～35摩尔％。在这里，所有种类结构单元的总和为100摩尔％。作为这种共聚物，可以列举出，4-甲基-1-戊烯与丙烯的共聚物、4-甲基-1-戊烯、丙烯以及其他1种或2种以上α-烯烃的共聚物。
在其他实施方式中，从柔软性与抗粘连性的平衡的观点考虑，上述成分(B)聚烯烃弹性体优选为由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物。
推测由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物中结晶聚丙烯区域与非晶聚丙烯区域的质量比，在通常为10:90～90:10，优选为15:85～85:15，更优选为20:80～80:20，更加优选为25:75～75:25，进一步优选为30:70～70:30的范围内变动。据此，可以获得柔软性与抗粘连性的较佳平衡。从获得这种特性的观点考虑，由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物的熔化焓，可以优选为在10J/g以上20J/g以下的范围，更优选为在10J/g以上15J/g以下的范围。
此外，与上述相同地从柔软性与抗粘连性的平衡的观点考虑，此外，从即使在对切割薄膜用基膜实施电晕表面处理的情况下也能够获得出色的抗粘连性的观点考虑，推测由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物中结晶聚丙烯区域与非晶聚丙烯区域的质量比，可以优选为35:65～65:35，更优选为40:60～60:40，更加优选为45:55～55:45，最优选为实际上50:50(例如48:52～52:48)。从获得这种特性的观点考虑，由丙烯及丁烯-1构成的无规共聚物的熔化焓，可以优选为25J/g以上40J/g以下的范围，更优选为30J/g以上40J/g以下的范围，更加优选为30J/g以上35J/g以下。
从成膜性的观点考虑，上述成分(B)聚烯烃弹性体的熔体质量流量，可以优选为0.1～50g/10分，更优选为0.5～20g/10分，更加优选为1～10g/10分。上述成分(B)的熔体质量流量按照JIS K7210-1:2014，在230℃、21.18N的条件下测定。
从使本发明的切割薄膜用基膜的上述(iv)熔化焓为30～90J/g的观点考虑，上述成分(A)结晶聚丙烯与上述成分(B)聚烯烃弹性体的配比，可以考虑上述成分(A)结晶聚丙烯的熔化焓与上述成分(B)聚烯烃弹性体的熔化焓适当决定。基于下述实施例进行考察，熔化焓的加成性基本成立。因此，例如，在期望使上述(iv)熔化焓为60J/g的情况下，相对于上述成分(A)的配比量100质量份的上述成分(B)的配比量b质量份，可以通过对下述公式(1)求解b而确定。
(100·ΔHA+b·ΔHB)/(100+b)＝60… (1)
在这里，ΔHA为上述成分(A)的熔化焓(J/g)，ΔHB为上述成分(B)的熔化焓(J/g)。在使所期望的上述(iv)熔化焓一般化为ΔH时，可以对下述公式(2)求解b。
(100·ΔHA+b·ΔHB)/(100+b)＝ΔH… (2)
在这里，ΔH为所期望的上述(iv)熔化焓(J/g)，ΔHA为上述成分(A)的熔化焓(J/g)，ΔHB为上述成分(B)的熔化焓(J/g)。
如通过下述实施例得到证明，作为相对于切割薄膜用基膜所包含的成分(A)及(B)的总质量的成分(B)的无规共聚物中非晶聚丙烯区域的质量比越大(相对于切割薄膜用基膜总体质量的非晶聚丙烯区域的质量比越大)，薄膜的柔软性越趋于出色。
此外，在本发明的切割薄膜用基膜中，可以包含除上述成分(A)、(B)之外的本行业公知的任选成分(一种或多种)。这种任选成分的比例并不受特殊限制，例如，相对于薄膜的组成的总质量，可以为5质量％以下。优选为，增塑剂不包含这种任选成分。
2.成膜方法
使本发明的切割薄膜用基膜成膜的方法，并不受特殊限制，可以通过任意方法成膜。
作为用于使本发明的切割薄膜用基膜成膜的较佳方法，可以列举出，例如，包括以下工艺：
(1)使用具备挤出机与T字模的挤出装置，从T字模连续挤出熔融薄膜的工艺；
(2)向旋转的平滑辊或压纹辊即第一辊与旋转的压纹辊即第二辊之间，供给投入上述熔融薄膜，通过上述第一辊与上述第二辊模压上述熔融薄膜的工艺(在使两面为“亚光面”(“亚光处理面”)的情况下，作为第一辊使用压纹辊)；以及
(3)使第一辊带着在上述工艺(2)中模压的薄膜送出至下一个旋转辊的工艺。
作为在上述工艺(1)中使用的上述挤出机，并不受特殊限制，可以使用任意挤出机。作为上述挤出机，可以列举出，例如，单螺杆挤出机、同向旋转双螺杆挤出机以及反向旋转双螺杆挤出机等。
为抑制原料树脂劣变，优选为对挤出机内进行氮气吹洗。优选为在使原料树脂成膜前进行干燥。另外，优选为将通过干燥机干燥的这些树脂从干燥机直接输送至挤出机并投入。
作为在上述工艺(1)中使用的上述T字模，并不受特殊限制，可以使用任意T字模。作为上述T字模，可以列举出，例如，歧管模、鱼尾模以及衣架模等。
从稳定实施上述连续地挤出熔融薄膜的工艺的观点考虑，上述T字模出口(模唇)的设定温度可以通常为200℃以上，优选为220℃以上，更优选为230℃以上。另一方面，从抑制原料树脂的劣变的观点考虑，上述T字模的设定温度可以通常为300℃以下，优选为280℃以下，更优选为260℃以下。
从使本发明的切割薄膜用基膜的光泽面的光泽度为50％以上的观点考虑，在上述工艺(2)中使用的上述平滑辊(在使用的情况下)可以适当选择。从使本发明的切割薄膜用基膜的一个面的光泽度优选为55％以上，进一步优选为60％以上，更进一步优选为65％以上，更优选为70％以上，更加优选为75％以上，更加优选为80％以上，最优选为85％以上的观点考虑，上述平滑辊优选为镜面辊。
上述镜面辊为其表面经镜面加工的辊。作为上述镜面辊，可以列举出，例如，其表面为金属制、陶瓷制、橡胶制的镜面辊。以防止腐蚀和刮伤为目的，可以对上述镜面辊的表面实施镀铬与镀铁磷合金、通过PVD法与CVD法实施的硬碳处理等。
上述镜面加工并不受限制，可以通过任意方法进行。上述镜面加工，可以列举出以下方法，例如，通过使用精细研磨粒进行抛光，使上述镜面体表面的算术平均粗糙度(Ra)优选为100nm以下，更优选为50nm以下，或者，使十点平均粗糙度(Rz)优选为500nm以下，更优选为250nm以下。
在本说明书中，算术平均粗糙度(Ra)与十点平均粗糙度(Rz)按照JIS B0601:2013测定。
在上述工艺(2)中使用的上述平滑辊(在使用的情况下)发挥作为冷却辊的作用。在上述工艺(3)中将薄膜送出至下一个旋转辊时，从薄膜完全冷却固化的观点考虑，上述平滑辊优选为金属辊。从使本发明的切割薄膜用基膜的光泽面的光泽度为50％以上的观点，以及在上述工艺(3)中将薄膜送出至下一个旋转辊时，使薄膜完全冷却固化的观点考虑，上述平滑辊更优选为镜面金属辊。
从使本发明的切割薄膜用基膜的光泽面的光泽度为50％以上的观点、在上述工艺(3)中将薄膜送出至下一个旋转辊时使薄膜完全冷却固化的观点以及使上述平滑辊的表面不发生凝结的观点考虑，在上述工艺(2)中使用的上述平滑辊(在使用的情况下)的表面温度可以适当选择。从使过冷度(上述平滑辊的表面温度与和上述平滑辊接触前的熔融薄膜温度的温度差)增加而使光泽面的光泽度提高至50％以上的观点、以及在上述工艺(3)中将薄膜送出至下一个旋转辊时使薄膜完全冷却固化的观点考虑，上述平滑辊的表面温度可以通常为80℃以下，优选为60℃以下，更优选为50℃以下。另一方面，从使上述平滑辊的表面不发生凝结的观点考虑，虽然上述平滑辊的表面温度取决于成膜环境的温度与湿度，但可以通常为15℃以上，优选为20℃以上，更优选为25℃以上。
从使本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的光泽度为40％以下的观点考虑，在上述工艺(2)中使用的上述压纹辊可以适当选择。上述压纹辊为其表面经压纹加工的辊，典型地为经缎纹加工的辊(缎纹辊)。作为上述压纹辊，可以列举出，例如，其表面为金属制、陶瓷制、橡胶制的压纹辊。在作为第二辊使用的情况下，从导热性(冷却效率)较低，较容易降低光泽度的观点、以及较容易进行成膜操作(例如，难以发生损伤上述平滑辊的问题)的观点考虑，上述压纹辊优选为其表面为橡胶制的压纹辊。从以上观点考虑，在作为第二辊使用的情况下，上述压纹辊更优选为缎纹橡胶辊。另一方面，在作为第一辊使用的情况下，在上述工艺(3)中，从将薄膜送出至下一个旋转辊时使薄膜完全冷却固化的观点考虑，上述压纹辊可以优选为金属制，典型地为缎纹金属辊。
上述缎纹橡胶辊，其表面为橡胶，且经缎纹加工。从使本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的光泽度为40％以下的观点考虑，上述缎纹橡胶辊的表面粗糙度/支数可以适当选择。上述缎纹橡胶辊表面的算术平均粗糙度(Ra)可以优选为0.5～10μm，更优选为1～5μm。上述缎纹金属辊，其表面为金属，且经缎纹加工。其表面粗糙度/支数与上述缎纹橡胶辊相同。
从使本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的光泽度为40％以下的观点、抑制并防止在上述压纹辊上附着熔融薄膜的问题的观点、以及使上述压纹辊的表面不发生凝结的观点考虑，在上述工艺(2)中使用的上述压纹辊的表面温度可以适当选择。从抑制并防止在上述压纹辊上附着熔融薄膜的问题的观点考虑，上述压纹辊的表面温度可以通常为80℃以下，优选为70℃以下，更优选为60℃以下。另一方面，从使本发明的切割薄膜用基膜的亚光面的光泽度为40％以下的观点、以及使上述压纹辊的表面不发生凝结的观点考虑，虽然上述压纹辊的表面温度取决于上述压纹辊表面的材质、成膜环境的温度与湿度，但可以通常为15℃以上，优选为30℃以上，更优选为40℃以上。在一实施方式中，在工艺(2)中根据需要可以对压纹辊使用冷却水。
上述工艺(3)为使第一辊带着在上述工艺(2)中模压的薄膜送出至下一个旋转辊的工艺。通过使第一辊带着熔融薄膜，可以较容易实现在送出至下一个旋转辊时使熔融薄膜完全冷却固化。
图5是在实施例中使用的一实施方式的成膜装置的示意图(在制造一面为亚光面(亚光处理面)另一面为光泽面的切割薄膜用基膜的情况下)。原料树脂通过具备挤出机1与T字模2的挤出装置成为熔融薄膜3，并从T字模2连续地挤出。接着，向旋转的第一辊(在该情况下为平滑辊)4与旋转的第二辊(压纹辊)5之间供给投入挤出的熔融薄膜3，并用第一辊4与第二辊5进行模压。此外，经模压的熔融薄膜3在被第一辊4带着送出至下一个旋转辊6时，成为完全冷却固化的薄膜7。
3.切割薄膜
本发明的切割薄膜为将本发明的切割薄膜用基膜作为基膜的切割薄膜。本发明的切割薄膜的黏合剂层，通常在本发明的切割薄膜用基膜的亚光面上直接或通过锚固涂层而形成。
用于形成上述黏合剂层的黏合剂，并不受特殊限制，可以使用任意黏合剂。作为用于形成上述黏合剂层的黏合剂，可以列举出，例如，聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与其他单体的共聚物等丙烯酸黏合剂；天然橡胶、丁基-异戊二烯橡胶等橡胶黏合剂；聚氨酯黏合剂；聚酯黏合剂；聚苯乙烯黏合剂、以及硅黏合剂等。
从切割薄膜所要求的透明度，例如，充分确保进行激光打印时的可视性的观点考虑，作为用于形成上述黏合剂层的黏合剂，优选为透明度出色的黏合剂。在这里，“透明度出色的黏合剂”意味着，可见光透射率通常为50％以上，优选为70％以上，更优选为80％以上，更加优选为85％以上的黏合剂。在这里，作为使用株式会社岛津制作所的分光光度计“Solid Spec-3700”(商品名)、以及光程长度10mm的石英槽测定的黏合剂波长380～780纳米中透射光谱的积分面积相对于假设波长380～780纳米的总范围中透射率为100％的情况下的透射光谱的积分面积的比例，能够计算出可见光透射率。
作为用于形成上述黏合剂层的黏合剂，优选为通过进行热固化或活性能量线固化能够降低黏合强度的黏合剂。通过降低黏合强度，在从工件上剥离切割薄膜时，能够不残留黏合剂，较容易干净地进行剥离。作为通过进行上述热固化或活性能量线固化能够降低黏合强度的黏合剂，可以列举出，例如，在1个分子中具有2个以上反应性官能基(可以列举出，例如，氨基、乙烯基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基以及异氰酸酯基等)的黏合剂；该黏合剂与至少1种以上异氰酸酯固化剂、光聚合引发剂以及有机过氧化物等的黏合剂组合物等。
上述黏合剂层的厚度，并不受特殊限制，可以为任意厚度。上述黏合剂层的厚度，通常为1～25μm，优选为5～20μm左右。
【实施例】
测定方法
(i)内部浊度
准备2张向JIS R3202:2011规定的浮法玻璃(厚度2mm)的一个表面涂布石蜡油(株式会社MORESCO的“MORESCO WHITEP-350P”(商品名))的浮法玻璃。接着，在上述2张玻璃板的石蜡油涂布面之间夹持样品作为测定片。然后，将按照JIS K7136:2000，使用日本电色工业株式会社的浊度计“NDH2000”(商品名)测定的浊度作为内部浊度。
(ii)光泽度(60度光泽度值)
按照JIS Z8741:1997，使用KONICAMINOLTA株式会社的多角度光泽度仪“GM-268”(商品名)测定光泽度(60度光泽度值)。对样品的两个面进行了测定。表中，将成膜时平滑辊(镜面金属辊)侧的面的值记载于“光泽面的光泽度”栏，另一面(压纹辊(缎纹橡胶辊)侧的面)的值记载于“亚光面的光泽度”栏。
(iii)熔点
切割薄膜用基膜熔点的测定方法如下。按照JIS K7121-1987，使用Perkinelmer公司的差示扫描量热仪“Diamond DSC”(商品名)，在25℃的温度下保持5分钟后，作为熔点计算出按照以升温速度10℃/分升温至190℃的温度程序测定的DSC第一熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为熔点。另外，将子峰(除峰顶高度最大的熔化峰之外的熔化峰)的峰顶温度记载于表的子峰栏。此外，在表的子峰栏中，“－”意味着未观察到子峰(熔化峰为1个)。
另外，按照JIS K7121-1987，使用Perkinelmer公司的差示扫描量热仪“DiamondDSC”(商品名)，通过按照在190℃下保持5分钟，以10℃/分冷却至-10℃，在-10℃下保持5分钟，以10℃/分升温至190℃的程序测定的第二熔化曲线(在最后的升温过程中测定的熔化曲线)计算出上述成分(A)结晶聚丙烯的熔点。此时，熔点为在上述第二熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。另外，在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为熔点。应注意，在结晶聚丙烯的DSC第二熔化曲线中出现的熔化峰，通常低温侧的峰脚下的曲线平缓地拉长，以及画基线以使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲线的读取方法中图1所示的高温侧的基线向低温侧延长的直线与使相同低温侧的基线向高温侧延长的直线一致。
另外，按照JIS K7121-1987，使用Perkinelmer公司的差示扫描量热仪“DiamondDSC”(商品名)，通过按照在190℃下保持5分钟，以10℃/分冷却至-50℃，在-50℃下保持5分钟，以10℃/分升温至190℃的程序测定的第二熔化曲线(在最后的升温过程中测定的熔化曲线)计算出上述成分(B)聚烯烃弹性体的熔点。此时，熔点为在上述第二熔化曲线中出现的熔化峰的峰顶温度。另外，在观察到2个以上熔化峰时，将峰顶高度最大的熔化峰的峰顶温度作为熔点。另外，应注意，在弹性体的DSC第二熔化曲线中出现的熔化峰，通常峰脚下的曲线在高温侧与低温侧均平缓地拉长，以及画基线使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲线的读取方法中图1所示的高温侧的基线向低温侧延长的直线与使相同低温侧的基线向高温侧延长的直线一致。
(iv)熔化焓
通过由上述(iii)熔点的测定得到的DSC第一熔化曲线计算出切割薄膜用基膜的熔化焓。
另外，通过由上述(iii)熔点的测定得到的DSC第二熔化曲线计算出上述成分(A)结晶聚丙烯及成分(B)聚烯烃弹性体的熔化焓。
(v)拉伸试验
按照JIS K7127:1999，使用株式会社岛津制作所的拉伸试验机“AUTOGRAPHAGS-1kNG”(商品名)，使用以使薄膜的机器方向成为拉伸方向的方式从薄膜冲孔成上述标准的试验片类型5(该JIS标准的图2)的形状的样品，在拉伸速度200mm/min、以及温度23℃的条件下进行拉伸试验，得到机器方向的应力-应变曲线(以下，简称为“SS曲线”)。另外，除以使薄膜的横向(与机器方向正交的方向)成为拉伸方向的方式对样品进行冲孔之外，相同地测定而得到横向SS曲线。
(v-1)拉伸弹性模量
无论JIS K7127:1999的10项的计算以及结果的表示如何规定，通过基于JISK7161-1:2014的10.3.2项的2点求得的斜率的方法，另外，无论JIS K7161-1:2014的10.3.2项如何规定，通过上述(v)拉伸试验中得到的机器方向的SS曲线，将σ1作为应变ε1＝0.8％中的应力(MPa)，将σ2作为应变ε2＝1.6％中的应力(MPa)计算出机器方向的拉伸弹性模量(表中记载为“拉伸弹性模量MD”)。同样，通过上述(v)拉伸试验中得到的横向SS曲线计算出横向的拉伸弹性模量(表中记载为“拉伸弹性模量TD”)。此外，计算出机器方向的拉伸弹性模量与横向的拉伸弹性模量之比(机器方向拉伸弹性模量/横向拉伸弹性模量。表中记载为“拉伸弹性模量MD/TD”。)。
(v-2)应力差(Δσ)
按照JIS K7161-1:2014的10.1项，通过由上述(v)拉伸试验得到的机器方向的SS曲线，将拉伸屈服应力(σy)作为拉伸屈服应变(εy)中的应力(此时，需注意该JIS标准的附录A)，将拉伸下屈服应力(σ1)作为应变(ε1)中的应力，计算出拉伸屈服应力(σy)与拉伸下屈服应力(σ1)，并计算出机器方向的应力差(Δσ＝σy-σ1)(表中记载为“应力差MD”)。同样，通过由上述(v)拉伸试验得到的横向SS曲线计算出横向的应力差(表中记载为“应力差TD”)。
(v-3)5％应变拉伸应力、100％应变拉伸应力
按照JIS K7161-1:2014的10.1项，通过由上述(v)拉伸试验得到的机器方向的SS曲线，计算出机器方向的5％应变拉伸应力(表中记载为“5％模量MD”)以及机器方向的100％应变拉伸应力(表中记载为“100％模量MD”)。同样，通过由上述(v)拉伸试验得到的横向SS曲线计算出横向的5％应变拉伸应力(表中记载为“5％模量TD”)以及横向的100％应变拉伸应力(表中记载为“100％模量TD”)。此外，计算出机器方向的5％应变拉伸应力与横向的5％应变拉伸应力之比(机器方向5％应变拉伸应力/横向5％应变拉伸应力，表中记载为“5％模量MD/TD”)。同样，计算出机器方向的100％应变拉伸应力与横向的100％应变拉伸应力之比(机器方向100％应变拉伸应力/横向100％应变拉伸应力，表中记载为“100％模量MD/TD”)。
在切割的扩展工艺中，从使薄膜均匀地延伸的观点考虑，上述机器方向的5％应变拉伸应力与横向的5％应变拉伸应力之比可以通常为0.7～1.3，优选为0.8～1.2，更优选为0.9～1.1。在切割的扩展工艺中，从使薄膜均匀地延伸的观点考虑，上述机器方向的100％应变拉伸应力与横向的100％应变拉伸应力之比可以通常为0.7～1.3，优选为0.8～1.2，更优选为0.9～1.1。
(vi)亚光面的算术平均粗糙度(Ra)
按照JIS B0601:2013，使用株式会社东京精密的粗糙度仪“HANDYSURFE-40A”(商品名)，测定亚光面的算术平均粗糙度(Ra)。
(vii)抗粘连性
■抗粘连性的测定方法(1)
从一侧具有亚光面而另一侧具有光泽面的薄膜采集大小为机器方向30cm、横向10cm的2个样品，使1个样品的亚光面与另一个样品的光泽面以2个样品的各片大致一致的方式重叠，夹设在2个30cm×10cm的金属板之间，以与2个金属板重叠的2个样品的各片大致一致的方式放平，在其上放置1kg的砝码，在25℃下处理48小时。然后，在试验速度300mm/分，样品的机器方向与剥离方向平行的条件下测定2个样品的90°剥离力。表中，“<0.1”意味着90°剥离力小于0.1N/10cm。从抗粘连性的观点考虑，上述90°剥离力，可以优选为0.5N/10cm以下，更优选为0.3N/cm以下。上述90°剥离力越小越好。
■抗粘连性的测定方法(2)
对于一侧具有亚光面而另一侧具有亚光面或光泽面并对两面实施电晕表面处理的薄膜，将样品的尺寸变更为机器方向20cm、横向10cm的大小，使亚光面与亚光面或光泽面重叠，将由砝码引起的负荷变更为6kg，将老化条件变更为在80℃下处理5小时，将试验速度变更为50mm/分，除此之外，通过与上述说明相同的方法测定2个样品的90°剥离力。
■抗粘连性的测定方法(3)
对于一侧具有亚光面而另一侧具有亚光面或光泽面且未实施电晕表面处理或对两面实施电晕表面处理的薄膜，一边施加2kg的张力一边以10英寸(25.4cm)的辊宽卷绕成辊状。在40℃环境下放置1周后，使用剥离试验机对该卷绕成辊状的薄膜测定以200mm/分的试验速度从卷芯向长度方向拉出长度方向10m的位置处的薄膜时的剥离强度。
(viii)耐溶剂性
使用滴管向亚光面(成膜时为压纹辊侧的面，在例2中为气室侧的面)滴下3滴甲苯后，在温度25℃、相对湿度50％的环境下放置24小时(使滴下的甲苯干燥)。然后，通过上述试验(ii)的方法测定甲苯滴下部位的光泽度(60度光泽度值)。计算出甲苯滴下部位的光泽度与亚光面的光泽度之差(以下，有时称为“光泽度差”，光泽度差＝甲苯滴下部位的光泽度-亚光面的光泽度)。在耐溶剂性较低的情况下，甲苯滴下部位的光泽度，由于表面变粗糙而降低或者表面的凹凸熔化而升高。因此，从耐溶剂性的观点考虑，上述光泽度差，可以优选为-3～3％，更优选为-2～2％，更加优选为-1～1％。上述光泽度差的绝对值越小越好。
使用的原材料
(A)结晶聚丙烯
(A-1)Japan Polypropylene株式会社的嵌段聚丙烯“NOVATEC BC5FA”(商品名)。MFR3.5g/10min、熔点162℃、熔化焓76J/g。
(A-2)SunAllomer株式会社的嵌段聚丙烯“VB170A”(商品名)。MFR0.4g/10min、熔点164℃、熔化焓77J/g、149℃时具有熔化肩峰。
(A-3)SunAllomer株式会社的嵌段聚丙烯“VB370A”(商品名)。MFR1.5g/10min、熔点164℃、熔化焓80J/g、148℃时具有熔化肩峰。
(A-4)SunAllomer株式会社的嵌段聚丙烯“PM870A”(商品名)。MFR17.0g/10min、熔点164℃、熔化焓87J/g。
(A-5)株式会社PrimePolymer的无规聚丙烯“PRIMEPOLYPROS235WC”(商品名)。MFR11.0g/10min、熔点134℃、熔化焓66J/g。
(A-6)SunAllomer株式会社的均聚聚丙烯“PL500A”(商品名)。MFR3.0g/10min、熔点162℃、熔化焓104J/g。
(A-7)SunAllomer株式会社的均聚聚丙烯“PM600A”(商品名)。MFR7.5g/10min、熔点163℃、熔化焓102J/g。
(B)聚烯烃弹性体
(B-1)丙烯与4-甲基-1-戊烯的共聚物(三井化学株式会社的聚烯烃弹性体“ABSORTOMEREP-1001”(商品名))。通过13C-NMR测定的来源于丙烯的结构单元的量28.1摩尔％，来源于4-甲基-1-戊烯的结构单元的量71.9摩尔％。在DSC第二熔化曲线上未观察到熔化峰。MFR(230℃、21.18N)10g/10分。
(B-2)三井化学株式会社的聚烯烃弹性体“ABSORTOMEREP-1013”(商品名)。MFR(230℃、21.18N)10g/10分、熔点130℃、熔化焓11J/g。
(B-3)住友化学株式会社的聚烯烃弹性体“TAFTHRENH3712D”(商品名)。丙烯/丁烯-1无规共聚物(丁烯-1的比例为10质量％以下)。结晶聚丙烯区域与非晶聚丙烯区域的质量比15:85。熔点131℃、熔化焓14J/g。
(B-4)DowElastomers公司的EPDM“NORDELIP3720P”(商品名)。熔点34℃、熔化焓41J/g。
(B-5)住友化学株式会社的聚烯烃弹性体“TAFTHRENT3732”(商品名)。丙烯/丁烯-1无规共聚物(含有5质量％的丁烯-1)。结晶聚丙烯区域与非晶聚丙烯区域的质量比50:50。熔点129℃、熔化焓32J/g。
例1
使用上述成分(A-1)100质量份与上述成分(B-1)18质量份的树脂混合物，使用图5所示的成膜装置(成膜装置具备：挤出装置，具有挤出机1与T字模2；以及拉卷装置，具有通过作为第一辊4的平滑辊(镜面金属辊)与作为第二辊5的压纹辊(缎纹橡胶辊：表面的算术平均粗糙度(Ra)1.5μm，十点平均粗糙度(Rz)11.9μm)夹持的机构)，将上述树脂混合物作为熔融薄膜3从T字模2连续地挤出。接着，向旋转的第一辊4与旋转的第二辊5之间供给投入挤出的熔融薄膜3，并用第一辊4与第二辊5进行模压。然后，使第一辊4带着模压的熔融薄膜3送出至下一个旋转辊6，使厚度100μm的薄膜7成膜。此时，T字模出口树脂温度210℃、第一辊4的表面温度25℃、流向第二辊5的冷却水温度16℃以及拉卷速度18m/分。进行上述试验(i)～(viii)。试验(vii)抗粘连性通过测定方法(1)进行测定。结果如表1所示。
例2
使用上述成分(A-1)100质量份与上述成分(B-1)18质量份的树脂混合物，使用具备具有挤出机1与T字模2的挤出装置、以及具有镜面金属辊(冷却辊)与气室的拉卷装置的成膜装置，在T字模出口树脂温度220℃、镜面金属辊(冷却辊)的表面温度25℃以及拉卷速度18m/分的条件下，使厚度100μm的薄膜成膜。进行上述试验(i)～(viii)。试验(vii)抗粘连性通过测定方法(1)进行测定。结果如表1所示。
例3～19
除作为树脂混合物使用表1～4的任意1项所示的之外，与例1相同地进行薄膜成膜以及物理特性的测定与评估。将结果显示在表1～4中任意一个。
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
通过本发明的制造方法，可以较佳地生产本发明的薄膜。本发明的较佳薄膜，其耐热性、柔软性、透明度、耐溶剂性以及抗粘连性出色，且具有适合扩展工艺的拉伸特性。因此，可以作为切割薄膜基膜较佳地使用。
另外，例1的基膜的浊度(按照JIS K7136:2000，使用日本电色工业株式会社的浊度计“NDH2000”(商品名)测定)为84.8％(该浊度计的直接输出值)。然后，使用涂抹器向例1的基膜的亚光面上涂布由腾仓化成株式会社的透明黏合剂“ACRYBASELKG-1013”(商品名)333质量份(换算成固体含量100质量份)、腾仓化成株式会社的异氰酸酯固化剂“CL-201”(商品名)1质量份以及乙酸乙酯222质量份构成的黏合剂层形成用涂料，使其干燥后的膜厚为10μm。接着，在85℃的温度下干燥该涂膜，形成黏合剂层，并得到切割薄膜。该切割薄膜的浊度(按照JIS K7136:2000，使用日本电色工业株式会社的浊度计“NDH2000”(商品名)测定)为11.0％。据此确认，通过在亚光面上形成黏合剂层，消除亚光面的凹凸引起的外部浊度，确保作为切割薄膜的充分的透明度。
实施电晕表面处理时的亚光表面处理条件的最优化实验
例20
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的橡胶制压纹辊替代算术平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡胶制压纹辊作为第二辊5的成膜装置，将拉卷速度从18m/分变更为5m/分，使用春日电机(株)制的电晕处理用电源“AGI-020”，在放电量0.20kW■min/m2的条件下，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，以使按照JIS K6768:1999测定的薄膜的电晕表面处理面的润湿张力为50mN/m以上，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(2)测定抗粘连性。上述薄膜的电晕表面处理面的润湿张力为56mN/m。结果如表5所示。电晕表面处理的使用电源及放电量在以下示例中也相同。
例21
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(2)测定抗粘连性。即，除在例1中作为第二辊5未变更算术平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡胶制压纹辊之外，与例20相同地进行薄膜的成膜及物理特性测定。结果如表5所示。
例22
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4，且用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的橡胶制压纹辊替代算术平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡胶制压纹辊作为第二辊5的成膜装置，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(2)测定抗粘连性。即，除进一步用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的压纹辊替代平滑辊作为第一辊4之外，与例20相同地进行薄膜的成膜及物理特性测定。结果如表5所示。
例23
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(2)测定抗粘连性。即，除进一步用算术平均粗糙度(Ra)1.5μm的压纹辊替代一个算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的压纹辊之外，与例22相同地进行薄膜的成膜以及物理特性的测定。结果如表5所示。
【表5】
通过表5所示的结果可知，用于亚光表面处理的压纹辊的算术平均粗糙度(Ra)越大，即转录至薄膜表面的压纹的深度越深，越能够有效地抑制粘连。另外，可知对薄膜两面进行亚光表面处理比仅对一面进行亚光表面处理更能够有效地抑制粘连。
薄膜组成/电晕表面处理的有无/亚光表面处理条件的最优化实验
例24
除使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
例25
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。即，除用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4之外，与例24相同地进行薄膜的成膜以及物理特性的测定。结果如表6所示。
例26
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
例27
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。即，除用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4之外，与例26相同地进行薄膜的成膜以及物理特性的测定。结果如表6所示。
例28
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-1)30质量份的树脂混合物，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
例29
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-1)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。即，除用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4之外，与例28相同地进行薄膜的成膜以及物理特性的测定。结果如表6所示。
例30
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-2)30质量份的树脂混合物，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
例31
使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-2)30质量份的树脂混合物，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。即，除用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4之外，与例30相同地进行薄膜的成膜以及物理特性的测定。结果如表6所示。
例32
仅使用上述成分(A-1)作为树脂(未使用与成分(B)的混合物)，使用具备用算术平均粗糙度(Ra)0.5μm的金属制缎纹压纹辊替代平滑辊(镜面金属辊)作为第一辊4的成膜装置，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
例33
仅使用上述成分(B-1)作为树脂(未使用与成分(A)的混合物)，对所得到薄膜的两面实施电晕表面处理，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜通过上述(vii)的测定方法(3)测定抗粘连性。结果如表6所示。
此外，关于例24～33，在表6中，仅对薄膜的一面进行亚光表面处理的情况表示为“一面”，对薄膜两面进行亚光表面处理的情况表示为“两面”。
【表6】
通过表6所示的结果，进一步确认了对薄膜的两面进行亚光表面处理比仅对一面进行亚光表面处理更能够有效地抑制粘连(与表5相同)。另外，通过这些结果可知，即使在对两面实施电晕表面处理的情况下，通过对薄膜两面进行亚光表面处理也能够有效地抑制粘连。
非晶聚丙烯区域的质量比与薄膜的柔软性的关系
例34
与例24相同，即，使用上述成分(A-1)70质量份与上述成分(B-5)30质量份的树脂混合物，除此之外，与例1相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜进行上述(v)拉伸试验，测定(v-1)拉伸弹性模量、(v-2)应力差(Δσ)、(v-3)5％应变拉伸应力、100％应变拉伸应力。结果如表7所示。
例35～41
如表7所示，除变更成分(A)及(B)的种类以及配比量之外，与例34相同地使薄膜成膜，对成膜的薄膜进行上述(v)拉伸试验，测定(v-1)拉伸弹性模量、(v-2)应力差(Δσ)、(v-3)5％应变拉伸应力、100％应变拉伸应力。结果如表7所示。
【表7】
通过表7所示的结果可知，作为成分(B)的无规共聚物中非晶聚丙烯区域相对于切割薄膜用基膜所包含的成分(A)及(B)的总质量的质量比(在本实施例中，与非晶聚丙烯区域相对于切割薄膜用基膜总质量的质量比相等)越大，薄膜的柔软性越出色。
符号说明
1：挤出机
2：T字模
3：熔融薄膜
4：第一辊
5：第二辊
6：旋转辊
7：薄膜

Claims (10)

1.一种切割薄膜用基膜，其特征在于，包含：
（A）结晶聚丙烯与（B）聚烯烃弹性体，
所述（B）聚烯烃弹性体包含丙烯与4-甲基-1-戊烯的共聚物、和/或由丙烯和丁烯-1构成的无规共聚物，其中，当所述（B）聚烯烃弹性体包含由丙烯和丁烯-1构成的无规共聚物时，这是一种结晶性聚丙烯区域和非晶性聚丙烯区域的质量比在40:60~60:40的范围内的无规共聚物，
且所述切割薄膜用基膜满足下述特性（i）～（iv）：
（i）内部浊度为20%以下；
（ii）至少一个面的光泽度为40%以下；
（iii）熔点为150℃以上；
（iv）熔化焓为40～90J/g；
其中，至少一个面的光泽度为40%以下的面称为“亚光面”。
2.根据权利要求1所述的切割薄膜用基膜，其特征在于，
两面的光泽度分别为40%以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割薄膜用基膜，其特征在于，
进一步满足下述特性（v-1）及（v-2）：
（v-1）机器方向的拉伸弹性模量为600MPa以下；
（v-2）机器方向的拉伸屈服应力与拉伸下屈服应力的差为2.5MPa以下。
4.根据权利要求3所述的切割薄膜用基膜，其特征在于，
所述无规共聚物中非晶聚丙烯区域相对于所述（A）结晶聚丙烯及所述（B）无规共聚物聚烯烃弹性体的总质量的质量比为10%以上。
5.一种切割薄膜，其特征在于，
包含权利要求1至4的任意一项所述的切割薄膜用基膜。
6.一种权利要求1至4的任意一项所述的切割薄膜用基膜的成膜方法，其特征在于，包括以下工艺：
（1）使用具备挤出机与T字模的挤出装置，从T字模连续挤出熔融薄膜的工艺；
（2）向旋转的平滑辊或压纹辊即第一辊与旋转的压纹辊即第二辊之间，供给投入上述熔融薄膜，通过上述第一辊与上述第二辊模压上述熔融薄膜的工艺；以及
（3）使第一辊带着在上述工艺（2）中模压的薄膜送出至下一个旋转辊的工艺。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
上述压纹辊为缎纹橡胶辊或缎纹金属辊。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，
上述平滑辊为镜面金属辊。
9.一种权利要求5所述的切割薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下工艺：
（1）通过权利要求6至8的任意一项所述的方法使切割薄膜用基膜成膜的工艺；以及
（2）在上述工艺（1）中得到的切割薄膜用基膜的光泽度为40%以下的面上形成黏合剂层的工艺。
10.一种权利要求5所述的切割薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下工艺：
（1）通过权利要求6至8的任意一项所述的方法使切割薄膜用基膜成膜的工艺；以及
（2）在存在上述工艺（1）中得到的切割薄膜用基膜的光泽度为50%以上的面的情况下，在其面上形成黏合剂层的工艺。
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