TWI821560B - 切割薄膜用基膜及其成膜方法、以及切割薄膜及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種具有充分的可撓性與透明度
且耐封端性良好的切割薄膜用基膜、使用該切割薄膜用基膜的切割薄膜以及該等之製造方法。解決該課題之本發明為一種切割薄膜用基膜，其包含(A)結晶聚丙烯與(B)聚烯烴彈性體，且滿足特性(i)~(iv)：(i)內部霧度為20%以下；(ii)至少一個面之光澤度為40%以下；(iii)熔點為150℃以上；(iv)熔化焓為30J/g~90J/g。兩面的光澤度可以分別為40%以下。再則，可以滿足以下要求：(v-1)機器方向的拉伸模數為600MPa以下；(v-2)機器方向的拉伸屈服應力與拉伸下屈服應力之差為2.5MPa以下。
Description
本發明是有關於一種黏合薄膜(以下，稱為“切割薄膜”)的基膜、使用該基膜的切割薄膜以及該等之製造方法，該基膜在切割(切割分離)矽晶片等時，以保護表面為目的，黏合於該矽晶片等表面或/及背面而使用。
半導體晶片，在大直徑矽晶片上統一形成多個後，切割成單個半導體晶片而被生產。為保護半導體晶片的表面，固定並拾取被切割的單個半導體晶片，該切割步驟通常在矽晶片(形成有多個半導體晶片者)的表面或/及背面上黏合切割薄膜而進行。
特別是，在擴展步驟與拾取步驟中，如果切割膠帶的可撓性不充分，會引起切割膠帶從環狀肋骨脫落；切割膠帶發生斷裂；切割的晶片間隔狹窄，拾取量降低；因對半導體晶圓的負載而發生晶片飛散且損壞等缺陷，因此要求切割薄膜用基膜具有較高的可撓性。
先前，由於切割薄膜的基膜具有耐熱性與可撓性之間的平衡良好、具有適合擴展步驟的拉伸特性、透明度高以及成本低等眾多優點，因此多用於軟聚氯乙烯樹脂組成物薄膜。另一方面，由於軟聚氯乙烯樹脂組成物薄膜中摻合有大量可塑劑，故有可塑劑向黏合劑轉移，有時使黏合特性不穩定(使黏合力降低或增加)，有時可塑劑污染半導體晶片等缺陷。因此，作為切割薄膜的基膜提出一種聚丙烯樹脂與聚丙烯樹脂組成物之薄膜(例如，參照專利文獻1~3)。但是，作為切割薄膜的基膜之該等性能達不到軟聚氯乙烯樹脂組成物之薄膜的性能。又，聚丙烯樹脂與聚丙烯樹脂組成物之薄膜亦存在以下缺陷，即，如果作為切割薄膜的基膜賦予充分的可撓性與透明度，則耐封端性不充分。
需要一種具有充分的可撓性與透明度且耐封端性良好的切割薄膜用基膜，但迄今尚未開發出此類基膜。
然而，切割薄膜通常包含切割薄膜用基膜以及形成於其表面的黏合劑層。為提高切割薄膜用基膜與黏合劑層之間的黏著性(錨固性)，通常向切割薄膜用基膜的黏合劑層形成面照射電暈放電能量而進行電暈放電處理。但是，由於實施電暈放電處理，使薄膜處理面膠黏，故存在容易產生封端的缺陷。實際上，電暈放電處理有時實施於薄膜的一面，有時實施於兩面，但在任何情況下，都可能引起因實施電暈放電處理而容易產生封端的缺陷。
較佳為一種具有所要求的上述諸特性，特別是在對表面實施電暈放電處理(以下，也單純稱為“電暈表面處理”)的情況下也
能夠有效地防止封端的切割薄膜用基膜。但是，迄今尚未開發出此類基膜。
[專利文獻1]日本特開2009-290001號公報
[專利文獻2]日本特開2016-089138號公報
[專利文獻3]日本特開2016-127161號公報
[專利文獻4]國際公開第2011/055803號
[專利文獻5]日本特開2015-093918號公報
[專利文獻6]日本特開2015-096580號公報
本發明之一課題為提供一種作為切割薄膜用較佳的基膜、使用該基膜的切割薄膜以及該等之製造方法，該基膜可以代替軟聚氯乙烯樹脂組成物之薄膜，具有充分的可撓性與透明度且耐封端性良好。
本發明之另一課題為提供一種作為切割薄膜用較佳的基膜、使用該基膜的切割薄膜以及該等之製造方法，該基膜可以代替軟聚氯乙烯樹脂組成物之薄膜，具有充分的可撓性與透明度且耐封端性良好，特別是在實施電暈表面處理的情況下也能夠有效地防止封端。
本發明者經銳意研究之結果發現，藉由特定之樹脂薄膜可以實現上述課題。
即，本發明之諸態樣如下。
〔1〕.一種切割薄膜用基膜，其包含(A)結晶聚丙烯與(B)聚烯烴彈性體，且滿足下述特性(i)~(iv)：(i)內部霧度為20%以下；(ii)至少一個面之光澤度為40%以下；(iii)熔點為150℃以上；(iv)熔化焓為30~90J/g。
〔2〕.上述〔1〕項所述之切割薄膜用基膜，其兩面的光澤度分別為40%以下。
〔3〕.上述〔1〕或〔2〕項所述之切割薄膜用基膜，其進一步滿足下述特性(v-1)以及(v-2)：(v-1)機器方向的拉伸模數為600MPa以下；(v-2)機器方向的拉伸屈服應力與拉伸下屈服應力之差為2.5MPa以下。
〔4〕.上述〔1〕或〔2〕項所述之切割薄膜用基膜，(B)聚烯烴彈性體為由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物。
〔5〕.上述〔4〕項所述之切割薄膜用基膜，所述隨機共聚物中結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域之質量比在40：60~60：40範圍內。
〔6〕.上述〔4〕或〔5〕項所述之切割薄膜用基膜，所述隨機共聚物中非晶聚丙烯區域相對於所述(A)結晶聚丙烯以及所述(B)隨機共聚物聚烯烴彈性體的總質量的質量比為10%以上
。
〔7〕.一種切割薄膜，其包含上述〔1〕~〔6〕項中任意一項所述之切割薄膜用基膜。
〔8〕.一種上述〔1〕~〔6〕項中任意一項所述之切割薄膜用基膜的成膜方法，其包括以下步驟：(1)使用具備擠出機與T字模的擠出裝置，從T字模連續擠出熔融薄膜；(2)向旋轉的光滑輥或壓紋輥即第1輥與旋轉的壓紋輥即第2輥之間供給投入上述熔融薄膜，利用上述第1輥與上述第2輥模壓上述熔融薄膜；以及(3)使第1輥帶著在上述步驟(2)中模壓的薄膜送出至下一個旋轉輥。
〔9〕.上述〔8〕項所述之方法，其中上述壓紋輥為緞紋橡膠輥或緞紋金屬輥。
〔10〕.上述〔8〕或〔9〕項所述之方法，其中上述光滑輥為鏡面金屬輥。
〔11〕.一種上述〔7〕項所述之切割薄膜的製造方法，其包括以下步驟：(1)利用上述〔8〕~〔10〕項中任意一項所述之方法使切割薄膜用基膜成膜；以及(2)在上述步驟(1)中得到的切割薄膜用基膜之光澤度為40%以下的面上形成黏合劑層。
〔12〕.一種上述〔7〕項所述之切割薄膜的製造方法，其包括以下步驟：(1)利用上述〔8〕~〔10〕項中任意一項所述之方法使切割薄膜用基膜成膜；以及(2)在上述步驟(1)中得到的切割薄膜用基膜之光澤度為50%以上的面存在的情況下，在該面上形成黏合劑層。
本發明之薄膜，藉由不摻合可塑劑，從根本上解決軟聚氯乙烯樹脂組成物之薄膜的可塑劑引起的問題。又，本發明之薄膜，可撓性、透明度以及耐封端性良好。本發明之較佳之薄膜，還具有良好的耐熱性、可撓性、透明度、耐溶劑性以及耐封端性，且具有適合擴展步驟的拉伸特性。由於切割薄膜用基膜之可撓性、進而切割薄膜之可撓性良好，因此在擴展步驟與拾取步驟中，可以有效地抑制切割膠帶從環狀肋骨脫落；切割膠帶發生斷裂；被切割的晶圓間隔狹窄，拾取量降低；因對半導體晶圓的負載而發生晶片飛散並損壞等故障。本發明之更佳之薄膜，除具有上述諸特性之外，特別是在實施電暈表面處理的情況下耐封端性良好。因此，本發明之薄膜作為切割薄膜的基膜可以較佳地使用。藉由本發明之製造方法，可以較佳地生產本發明之薄膜。
1:擠出機
2:T字模
3:熔融薄膜
4:第1輥
5:第2輥
6:旋轉輥
7:薄膜
σ1:拉伸下屈服應力
σy:拉伸屈服應力
ε1:應變
εy:拉伸屈服應變
△σ:應力差
圖1是例1的薄膜之DSC曲線。
圖2是應力-應變曲線之示意圖。
圖3是實施例中使用的結晶聚丙烯(A-1)之DSC曲線。
圖4是實施例中使用的聚烯烴彈性體(B-1)之DSC曲線。
圖5是實施例中使用的成膜裝置之示意圖。
圖6是實施例中使用的聚烯烴彈性體(B-1)之13C-NMR頻譜圖。
在本說明書中，用語“樹脂”作為亦包含包括2種以上樹脂之樹脂混合物以及包括樹脂以外之成分之樹脂組成物之用語使用。在本說明書中，用語“薄膜”可以與“薄片”相互交換或相互取代地使用。在本說明書中，用語“薄膜”以及“薄片”用於在工業上可捲繞成捲狀者。用語“板”用於在工業上不能捲繞成捲狀者。又，在本說明書中，依序積層某一層與其他層，包括直接積層該等層以及在該等層之間使1層以上錨固塗膜(anchor coat)等其他層存在而積層之兩者。
在本說明書中，數值範圍之“以上”之用語，以某一數值或超過某一數值的意思使用。例如，“20%以上”意味著20%或超過20%。數值範圍之“以下”之用語，以某一數值或小於某一數值之意思使用。例如，“20%以下”意味著20%或小於20%。數值範圍之“~”之符號，以某一數值、超過某一數值且小於其他某一數值、或其他某一數值之意思使用。此處，其他某一數值為大於某一數值之數值。例如，“10~90%”意味著10%、超過10%且小於90%、或90%。
此外，數值範圍之上限與下限，是可以任意進行組合者，是可以讀取任意組合之實施方式者。例如，由某一特性之數值範圍“通常為10%以上，較佳為20%以上。另一方面，通常為40%以下，較佳為30%以下。”與“通常為10~40%，較佳為20~30%。”之記載，某一特性在一實施方式中可以讀取為10~40%、20~30%、10~30%、或20~40%。
在實施例以外，或者只要未另行指定，在本說明書以及申請權利範圍中使用之所有數值，均應理解為藉由用語“約”而被修飾者。無需對申請權利範圍之均等論的適用進行限制，各數值應對照有效數字並藉由適用通常的四捨五入方法而被解釋。
1.切割薄膜用基膜
本發明之切割薄膜用基膜，(i)內部霧度通常為20%以下，較佳為15%以下，更佳為12%以下，更加佳為10%以下。藉由上述(i)內部霧度通常為20%以下，可以充分確保切割薄膜所要求的透明度，例如，進行雷射打印時的可視性。從透明度之觀點考慮，上述(i)內部霧度的下限並不受特殊限制，愈低愈佳。
在本說明書中，上述(i)內部霧度為按照下述方法測定的霧度：準備2張向表面光滑的玻璃板的一個表面上塗佈石蠟油者；接著，在上述2張玻璃板的石蠟油塗佈面之間夾持樣品作為測定片；然後，按照JIS K7136：2000進行測定。更加具體地說，本說明書中的內部霧度可以藉由下述實施例所述的方法進行測定。
本發明之切割薄膜用基膜，(ii)至少一個面之光澤度通
常為40%以下。此處，光澤度為按照JIS Z8741：1997測定的60度光澤度值。更加具體地說，本說明書中的光澤度可以藉由下述實施例所述的方法進行測定。
在以下，有時將光澤度調整至40%以下的本發明之切割薄膜用基膜的面稱為“亞光面”。又，在該行業中，“亞光面”有時也稱為“毛面”或“粗糙處理面”。由於本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的光澤度通常為40%以下，故即使作為切割薄膜用基膜賦予充分的可撓性，也能夠體現出充分的耐封端性。又，藉由在亞光面形成黏合劑層，能夠消除亞光面的凹凸引起的外部霧度，作為切割薄膜確保充分的透明度。此外，由於亞光面之凹凸較大，藉由在亞光面形成黏合劑層，能夠獲得提高本發明之切割薄膜用基膜與黏合劑層的黏合強度的效果。
從耐封端性之觀點考慮，切割薄膜用基膜之至少一個面(亞光面)的光澤度，較佳為35%以下，更佳為30%以下，再佳為25%以下，進一步再佳為20%以下，更進一步再佳為15%以下，更加佳為10%以下，最佳為6%以下。另一方面，從使黏合劑層的表面光滑之觀點考慮，切割薄膜用基膜之至少一個面(亞光面)的光澤度可以較佳為1%以上。
從耐封端性之觀點以及使黏合劑層的表面光滑之觀點考慮，本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的算術平均粗糙度(Ra)，可以通常為0.5~10μm，較佳為1~5μm。在本說明書中，算術平均粗糙度(Ra)按照JIS B0601：2013進行測定。更具體地說，本
說明書中的算術平均粗糙度(Ra)，可以藉由下述實施例所述的方法進行測定。
在一態樣中，本發明之切割薄膜用基膜，一個面的光澤度通常為40%以下，且另一個面的光澤度可以通常為50%以上。在以下，有時將光澤度調整至50%以上的本發明之切割薄膜用基膜的面稱為“光澤面”。由於光澤面的光澤度通常為50%以上，故作為切割薄膜用基膜能夠確保充分的透明度。從透明度之觀點考慮，切割薄膜用基膜的光澤面的光澤度，通常為50%以上，較佳為55%以上，進一步再佳為60%以上，更進一步再佳為65%以上，更佳為70%以上，更加佳為75%以上，再佳為80%以上，最佳為85%以上。另一方面，從耐封端性之觀點考慮，切割薄膜用基膜的光澤面的光澤度，可以較佳為140%以下，更佳為130%以下。
在另一態樣中，本發明之切割薄膜用基膜，兩面的光澤度可以通常分別為40%以下。即，本發明之切割薄膜用基膜的兩面可以均為亞光面亞光面(毛面)。在本態樣中，由於任何一個亞光面亞光面的光澤度均可以獨立地調整，因此兩側的光澤度可以實質上相等也可以不同。
由於本態樣之切割薄膜用基膜的各亞光面亞光面的光澤度通常為40%以下，故即使作為切割薄膜用基膜賦予充分的可撓性也能夠體現出充分的耐封端性。又，藉由在亞光面亞光面形成黏合劑層，消除亞光面的凹凸引起的外部霧度，作為切割薄膜確保充分的透明度。此外，由於亞光面凹凸較大，故藉由在亞光面形成黏合劑
層，能夠獲得提高本發明之切割薄膜用基膜與黏合劑層的黏合強度的效果。
再則，由於本態樣之切割薄膜用基膜的各亞光面的光澤度通常為40%以下，故即使在為提高與黏合劑層的黏著性(錨固性)對切割薄膜用基膜的黏合劑層形成面實施電暈放電處理的情況下，也能夠獲得良好的耐封端性。又，在對薄膜的一面實施電暈放電處理的情況下與對兩面實施電暈放電處理的情況下均能夠獲得該優點。
從耐封端性之觀點考慮，本態樣之切割薄膜用基膜的各亞光面的光澤度，可以分別獨立地，較佳為35%以下，更佳為30%以下，再佳為25%以下，進一步再佳為20%以下，更進一步再佳為15%以下，更加佳為10%以下，最佳為6%以下。另一方面，從使黏合劑層的表面光滑的觀點考慮，本態樣之切割薄膜用基膜的各亞光面的光澤度可以較佳為1%以上。
本發明之切割薄膜用基膜，(iii)熔點通常為150℃以上，較佳為155℃以上，更佳為160℃以上。由於上述(iii)熔點為150℃以上，故能夠充分確保切割薄膜所要求之耐熱性。又，能夠充分確保在本發明之切割薄膜用基膜的面(通常為亞光面)上形成黏合劑層時所需的耐溶劑性。從耐熱性以及耐溶劑性之觀點考慮，上述(iii)熔點愈高愈佳。
本發明之切割薄膜用基膜，從耐熱性、耐溶劑性以及耐封端性之觀點考慮，(iv)熔化焓通常為30J/g以上，較佳為40J/g以
上，更佳為50J/g以上。另一方面，本發明之切割薄膜用基膜，從可撓性之觀點考慮，(iv)熔化焓通常為90J/g以下，較佳為85J/g以下，更佳為80J/g以下，更進一步再佳為75J/g以下，更加佳為70J/g以下。
在本說明書中，按照JIS K7121-1987，並使用示差掃描熱析儀(DSC測定裝置)，由按照在25℃下保持5分鐘後，以10℃/分昇溫至190℃的程式測定的DSC快速熔化曲線計算出上述(iii)熔點以及上述(iv)熔化焓。此時，上述(iii)熔點為上述DSC快速熔化曲線中出現的熔化峰的峰頂溫度。又，在觀察到2個以上熔化峰時，以峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為上述(iii)熔點。圖1顯示例1的DSC測定例。圖1中最下方的曲線為DSC快速熔化曲線，最上方的曲線為DSC結晶曲線，中間的曲線為DSC二次熔化曲線。應注意，結晶聚丙烯樹脂組成物的DSC快速熔化曲線中出現的熔化峰，通常低溫側的摺邊平緩地伸長；以及，畫基線，使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲線的讀取方法中圖1所謂的高溫側的基線向低溫側延長的直線、與使相同低溫側的基線向高溫側延長的直線一致。
更具體地說，本說明書中的熔點以及熔化焓可以藉由後述之實施例所述的方法進行測定。
從可撓性之觀點考慮，在本發明之切割薄膜用基膜的機器方向成為拉伸方向的條件下測定的拉伸模數(以下，簡稱為“拉伸模數MD”)，可以通常為800MPa以下，較佳為700MPa以下，
更佳為600MPa以下，更加佳為550MPa以下。另一方面，從薄膜成膜的穩定性之觀點考慮，拉伸模數MD，可以通常為100MPa以上，較佳為200MPa以上，更佳為300MPa以上，更加佳為350MPa以上。
從可撓性之觀點考慮，在本發明之切割薄膜用基膜的橫向(與機器方向正交的方向)成為拉伸方向的條件下測定的拉伸模數(以下，簡稱為“拉伸模數TD”)，可以通常為800MPa以下，較佳為700MPa以下，更佳為600MPa以下，更加佳為550MPa以下。另一方面，從薄膜成膜的穩定性之觀點考慮，拉伸模數TD，可以通常為100MPa以上，較佳為200MPa以上，更佳為300MPa以上，更加佳為350MPa以上。
從使薄膜均勻地延伸之觀點考慮，在切割步驟後續的擴展步驟中，本發明之切割薄膜用基膜的拉伸模數MD與拉伸模數TD之比(拉伸模數MD/拉伸模數TD)可以通常為0.5~1.5，較佳為0.7~1.5，更佳為0.8~1.5，更加佳為0.8~1.2。
在本說明書中，按照JIS K7127：1999，使用為使薄膜的機器方向成為拉伸方向而從薄膜衝孔成上述標準的試驗片類型5(該JIS標準的圖2)的形狀的試驗片，由在拉伸速度200mm/min、以及溫度23℃的條件下進行拉伸試驗而得到的應力-應變曲線(以下，簡稱為“SS曲線”)，無論JIS K7127：1999的10項的計算以及結果的表示如何規定，以基於JIS K7161-1：2014的10.3.2項的2點求得的斜率的方法計算出拉伸模數MD。又，無論JIS K7161-1：2014
的10.3.2項如何規定，σ1為應變ε1=0.8%中的應力(MPa)，σ2為應變ε2=1.6%中的應力(MPa)。除為使薄膜的橫向成為拉伸方向而對試驗片進行衝孔以外，同樣地測定並計算出拉伸模數TD。
更具體地說，本說明書中的拉伸模數MD以及拉伸模數TD可以藉由後述之實施例所述的方法進行測定。
從適合切割的擴展步驟之觀點考慮，本發明之切割薄膜用基膜在機器方向成為拉伸方向的條件下測定的拉伸屈服應力(σy)與拉伸下屈服應力(拉伸應變超過拉伸屈服應變(εy)後，隨著拉伸應變的增加，減小的拉伸應力再次轉向增加的點(ε1)中的應力)(σ1)之應力差(△σ)(以下，簡稱為“應力差MD”)，可以通常為3MPa以下，較佳為2.5MPa以下，更佳為2MPa以下，再佳為1MPa以下，再進一步再佳為0.5MPa以下。從可擴展性之觀點考慮，應力差MD愈小愈佳。
從適合切割的擴展步驟之觀點考慮，本發明之切割薄膜用基膜在橫向(與機器方向正交的方向)成為拉伸方向的條件下測定的拉伸屈服應力(σy)與拉伸下屈服應力(σ1)之應力差(△σ)(以下，簡稱為“應力差TD”)，可以通常為3MPa以下，較佳為2MPa以下，更佳為1MPa以下，更加佳為0.5MPa以下。從可擴展性之觀點考慮，應力差TD愈小愈佳。
在本說明書中，按照JIS K7127：1999，使用為使薄膜的機器方向成為拉伸方向而從薄膜衝孔成上述標準的試驗片類型5(該JIS標準的圖2)的形狀的試驗片，由在拉伸速度200mm/min、以
及溫度23℃的條件下進行拉伸試驗得到的SS曲線，按照JIS K7161-1：2014的10.1項，將拉伸屈服應力(σy)作為拉伸屈服應變(εy)中的應力(此時，注意該JIS標準的附錄A)，將拉伸下屈服應力(σ1)作為應變(ε1)中的應力求得並計算出應力差MD。應力-應變曲線之示意圖如圖2所示。除為使薄膜的橫向成為拉伸方向而對試驗片進行衝孔以外，同樣地測定並計算出應力差TD。
更具體地說，本說明書中的應力差MD以及應力差TD可以藉由後述之實施例所述的方法進行測定。
本發明之切割薄膜用基膜的厚度並不受特殊限制，考慮到作為切割薄膜的基膜使用，可以適當選擇。本發明之切割薄膜用基膜的厚度，可以通常為30~300μm，較佳為50~200μm，更佳為70~150μm。
本發明之切割薄膜用基膜包括(A)結晶聚丙烯與與(B)聚烯烴彈性體。以下，對各成分進行說明。
(A)結晶聚丙烯
本發明之切割薄膜用基膜包括上述成分(A)結晶聚丙烯。上述成分(A)結晶聚丙烯發揮使本發明之切割薄膜用基膜的耐熱性與耐溶劑性良好之作用。
上述成分(A)結晶聚丙烯為主要包括來源於丙烯之結構單元且具有較高結晶度之樹脂。此處，“主要包括來源於丙烯之結構單元”意味著來源於丙烯之結構單元的含量通常為50莫耳%以上，較佳為60莫耳%以上，更佳為70莫耳%以上，更加佳為80
莫耳%以上，典型地為90~100莫耳%。關於成分(A)結晶聚丙烯“具有較高結晶度”意味著，熔化焓(測定方法後述)通常為50J/g以上。在一態樣中，成分(A)結晶聚丙烯的熔化焓可以較佳為60J/g以上，更佳為65J/g以上，更加佳為70J/g以上。
上述成分(A)結晶聚丙烯為同排聚丙烯時，內消旋二分體分數(來源於連續之2個丙烯之結構單元的立體構造具有等規構造之比例)可以通常為80莫耳%以上，較佳為90莫耳%以上，更佳為95莫耳%以上，典型地為97~100莫耳%。為對排聚丙烯時，外消旋二分體分數(來源於連續之2個丙烯之結構單元的立體構造具有對排構造的比例)可以通常為80莫耳%以上，較佳為90莫耳%以上，更佳為95莫耳%以上，典型地為97~100莫耳%。
作為上述成分(A)結晶聚丙烯，可以列舉出，例如，丙烯同元聚合物；丙烯與其他少量α-烯烴(例如，乙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、以及4-甲基-1-戊烯等)的1種或2種以上之共聚物(包括嵌段共聚物以及隨機共聚物)等。此處，作為成分(A)的此類丙烯與其他少量α-烯烴之嵌段共聚物，除結晶區域或結晶嵌段以外，還可以包含非晶區域或非晶嵌段。
在該等之中，作為上述成分(A)結晶聚丙烯，從使切割薄膜用基膜的熔點以及熔化焓處於規定範圍之觀點、以及使上述成分(A)結晶聚丙烯的熔點以及熔化焓處於後述之較佳範圍之觀點考慮，較佳為丙烯與其他少量α-烯烴的1種或2種以上之嵌段共聚物。作為上述成分(A)結晶聚丙烯，可以使用該等之嵌段共
聚物的1種或2種以上的混合物。
從耐熱性以及耐溶劑性之觀點考慮，上述成分(A)結晶聚丙烯的熔點可以較佳為150℃以上，更佳為155℃以上，更加佳為160℃以上。從耐熱性以及耐溶劑性之觀點考慮，上述成分(A)結晶聚丙烯的熔點愈高愈佳。又，從耐熱性以及耐溶劑性之觀點考慮，作為上述成分(A)結晶聚丙烯，較佳為在下述二次熔化曲線中不出現子峰即峰頂溫度小於150℃的峰。
從耐熱性以及耐溶劑性之觀點考慮，上述成分(A)結晶聚丙烯的熔化焓可以通常為50J/g以上，更佳為60J/g以上，更加佳為70J/g以上。另一方面，上述成分(A)的熔化焓雖然取決於上述成分(A)結晶聚丙烯與上述成分(B)聚烯烴彈性體之摻合比，但從可撓性之觀點考慮，可以較佳為110J/g以下，更佳為100J/g以下。
在本說明書中，按照JIS K7121-1987，並使用示差掃描熱析儀(DSC測定裝置)，由按照在190℃下保持5分鐘，以10℃/分冷卻至-10℃，在-10℃下保持5分鐘，以10℃/分昇溫至190℃的程式測定的二次熔化曲線(在最後的昇溫過程測定的熔化曲線)計算出上述成分(A)結晶聚丙烯的熔點以及熔化焓。此時，熔點為在上述二次熔化曲線中出現的熔化峰的峰頂溫度。又，在觀察到2個以上熔化峰時，將峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為熔點。圖3顯示在實施例中使用的下述成分(A-1)的DSC測定例。圖3下方的曲線為DSC二次熔化曲線，上方的曲線為DSC結晶曲線。應
注意，結晶聚丙烯的DSC二次熔化曲線中出現的熔化峰，通常低溫側的摺邊平緩地伸長；以及，畫基線使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲線的讀取方法中圖1所謂的高溫側的基線向低溫側延長的直線、與使相同低溫側的基線向高溫側延長的直線一致。
從成膜性之觀點考慮，上述成分(A)的熔體質量流量，可以較佳為0.1~50g/10分，更佳為0.5~20g/10分，更加佳為1~10g/10分。上述成分(A)的熔體質量流量按照JIS K7210-1：2014，在230℃、21.18N的條件下測定。
(B)聚烯烴彈性體
本發明之切割薄膜用基膜包括上述成分(B)聚烯烴彈性體。上述成分(B)聚烯烴彈性體發揮使本發明之切割薄膜用基膜的可撓性良好並賦予適合擴展步驟的拉伸特性之作用。
上述成分(B)聚烯烴彈性體為主要包含來源於α-烯烴之結構單元(通常為50莫耳%以上，較佳為70莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上。典型地為95~100莫耳%)的彈性體。
此處，關於成分(B)聚烯烴彈性體的“彈性體”意味著熔化焓(測定方法將後述)通常為45J/g以下。
作為一態樣，成分(B)聚烯烴彈性體的熔化焓，可以較佳為15J/g以下，更加佳為10J/g以下，再更加佳為5J/g以下，最佳為0J/g(DSC二次熔化曲線中未觀察到熔化峰)。
又，在另一態樣中，成分(B)聚烯烴彈性體的熔化焓，可以較佳為在10J/g以上20J/g以下的範圍內，更佳為在10J/g以上15J/g
以下的範圍內。
又，在另一態樣中，成分(B)聚烯烴彈性體的熔化焓，可以較佳為在25J/g以上40J/g以下的範圍內，更佳為在30J/g以上40J/g以下的範圍內，再佳為30J/g以上35J/g以下。
在本說明書中，按照JIS K7121-1987，並使用示差掃描熱析儀(DSC測定裝置)，由按照在190℃下保持5分鐘，以10℃/分冷卻至-50℃，在-50℃下保持5分鐘，以10℃/分昇溫至190℃的程式測定的二次熔化曲線(在最後的昇溫過程測定的熔化曲線)計算出上述成分(B)聚烯烴彈性體的熔點以及熔化焓。此時，熔點為上述二次熔化曲線中出現的熔化峰的峰頂溫度。又，在觀察到2個以上熔化峰時，將峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為熔點。又，應注意，彈性體的DSC二次熔化曲線中出現的熔化峰，通常摺邊在高溫側和低溫側均平緩地伸長；以及，畫基線使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲線的讀取方法中圖1所謂的高溫側的基線向低溫側延長的直線、與使相同低溫側的基線向高溫側延長的直線一致。圖4顯示在實施例中使用的下述成分(B-1)的DSC測定例。圖4下方的曲線為DSC二次熔化曲線，上方的曲線為DSC結晶曲線。在下述成分(B-1)的DSC二次熔化曲線中未觀察到熔化峰。
作為上述α-烯烴，可以列舉出，例如，直鏈狀α-烯烴、以及具有支鏈的α-烯烴等。作為上述直鏈狀α-烯烴，可以列舉出，例如，乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十一烯、
1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、以及1-二十烯等。作為具有上述支鏈的α-烯烴，可以列舉出，例如，3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4，4-二甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4，4-二甲基-1-己烯、4-乙基-1-己烯、以及3-乙基-1-己烯等。在該等之中，作為上述α-烯烴，較佳為碳原子數2~8者。作為上述α-烯烴，可以使用該等之1種或2種以上。
上述成分(B)聚烯烴彈性體，除上述α-烯烴以外，還可以包含來源於可與該等共聚的單體之結構單元。作為上述可共聚單體，可以列舉出，例如，5-亞乙基-2-降冰片烯等非共軛二烯化合物；苯乙烯等芳香族乙烯基化合物；丙烯酸、甲基丙烯酸等不飽和羧酸；以及、馬來酸酐等不飽和羧酸酐等。作為上述可共聚單體，可以使用該等之1種或2種以上。
作為上述成分(B)聚烯烴彈性體，可以列舉出，例如，乙烯與其他1種或2種以上α-烯烴(例如，丙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、以及4-甲基-1-戊烯等)之共聚物(包括嵌段共聚物以及隨機共聚物)；丙烯與1種或2種以上α-烯烴(例如，乙烯、1-丁烯、1-己烯、1-辛烯、以及4-甲基-1-戊烯等)之共聚物(包括嵌段共聚物以及隨機共聚物)；4-甲基-1-戊烯與1種或2種以上α-烯烴(例如，乙烯、丙烯、1-丁烯、1-己烯、以及1-辛烯等)之共聚物(包括嵌段共聚物以及隨機共聚物)；以及，乙烯、丙烯、以及5-亞乙基-2-降冰片烯的共聚物(包括嵌段共聚物以及隨機共聚物)等。
作為上述成分(B)聚烯烴彈性體，從可撓性與耐封端性之平衡之觀點考慮，在該等之中，較佳為4-甲基-1-戊烯與其他1種或2種以上α-烯烴之共聚物(在該行業中，有時稱為“TPX彈性體”)。該共聚物更佳為包含來源於4-甲基-1-戊烯的結構單元，通常為50~90莫耳%，較佳為60~80莫耳%，更佳為65~75莫耳%。此處，所有種類結構單元之總和為100莫耳%。此種4-甲基-1-戊烯與其他1種或2種以上α-烯烴之共聚物的熔化焓，可以較佳為15J/g以下，更加佳為10J/g以下，再更加佳為5J/g以下，最佳為0J/g(DSC二次熔化曲線中未觀察到熔化峰)。
作為上述成分(B)聚烯烴彈性體，從可撓性與耐封端性之平衡之觀點、以及與上述成分(A)結晶聚丙烯的混合性之觀點考慮，在該等之中，較佳為包含來源於4-甲基-1-戊烯的結構單元與來源於丙烯之結構單元的共聚物，該共聚物包含來源於4-甲基-1-戊烯的結構單元，通常為50~90莫耳%，較佳為60~80莫耳%，更佳為65~75莫耳%，更加為包含來源於丙烯之結構單元，通常為10~50莫耳%，較佳為20~40莫耳%，更佳為25~35莫耳%。此處，所有種類結構單元之總和為100莫耳%。作為此種共聚物，可以列舉出，4-甲基-1-戊烯與丙烯之共聚物、4-甲基-1-戊烯、丙烯、以及其他1種或2種以上α-烯烴之共聚物。
在其他實施方式中，從可撓性與耐封端性之平衡之觀點考慮，上述成分(B)聚烯烴彈性體較佳為由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物。
由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物中結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域之質量比，估計在通常為10：90~90：10，較佳為15：85~85：15，更佳為20：80~80：20，更加佳為25：75~75：25，進一步再佳為30：70~70：30的範圍內變動。據此，可以獲得可撓性與耐封端性之較佳平衡。從獲得此種特性之觀點考慮，由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物的熔化焓，可以較佳為在10J/g以上20J/g以下的範圍，更佳為在10J/g以上15J/g以下的範圍。
此外，與上述同樣地從可撓性與耐封端性之平衡之觀點考慮，再則，從即使在對切割薄膜用基膜實施電暈表面處理的情況下也能夠獲得良好的耐封端性之觀點考慮，由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物中結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域之質量比，估計可以較佳為35：65~65：35，更佳為40：60~60：40，再較佳為45：55~55：45，最佳為實質上50：50(例如48：52~52：48)。從獲得此種特性之觀點考慮，由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物的熔化焓，可以較佳為25J/g以上40J/g以下的範圍，更佳為30J/g以上40J/g以下的範圍，再佳為30J/g以上35J/g以下。
從成膜性之觀點考慮，上述成分(B)聚烯烴彈性體的熔體質量流量，可以較佳為0.1~50g/10分，更佳為0.5~20g/10分，更加佳為1~10g/10分。上述成分(B)的熔體質量流量，按照JIS K7210-1：2014，在230℃、21.18N的條件下測定。
從使本發明之切割薄膜用基膜的上述(iv)熔化焓為30~90J/g之觀點考慮，上述成分(A)結晶聚丙烯與上述成分(B)
聚烯烴彈性體之摻合比，可以考慮上述成分(A)結晶聚丙烯的熔化焓與上述成分(B)聚烯烴彈性體的熔化焓適當決定。基於後述之實施例進行考察，熔化焓之加成性基本成立。因此，例如，在期望使上述(iv)熔化焓為60J/g的情況下，相對於上述成分(A)的摻合量100質量份之上述成分(B)的摻合量b質量份，可以藉由對下式(1)求解b而決定。
(100．△HA+b．△HB)/(100+b)=60．．．(1)
此處，△HA為上述成分(A)的熔化焓(J/g)，△HB為上述成分(B)的熔化焓(J/g)。在使所期望的上述(iv)熔化焓一般化為△H時，可以對下式(2)求解b。
(100．△HA+b．△HB)/(100+b)=△H．．．(2)
此處，△H為所期望的上述(iv)熔化焓(J/g)，△HA為上述成分(A)的熔化焓(J/g)，△HB為上述成分(B)的熔化焓(J/g)。
如於後述之實施例中得到證明，作為相對於切割薄膜用基膜所包含的成分(A)與(B)的總質量的成分(B)的隨機共聚物中非晶聚丙烯區域之質量比愈大(相對於切割薄膜用基膜總體質量的非晶聚丙烯區域之質量比愈大)，薄膜的可撓性愈趨於良好。
另，本發明之切割薄膜用基膜中可以包含除上述成分(A)、(B)以外的該行業公知的任選成分(一種或多種)。此種任選成分的比例並不受特殊限制，例如，相對於薄膜的組分之總質量，可以為5質量%以下。較佳為，可塑劑不包含此種任選成分。
2.成膜方法
使本發明之切割薄膜用基膜成膜的方法並不受特殊限制，可以藉由任意方法成膜。
作為用於使本發明之切割薄膜用基膜成膜之較佳方法，可以列舉出，例如，包括以下步驟之方法：(1)使用具備擠出機與T字模的擠出裝置，從T字模連續擠出熔融薄膜；(2)向旋轉的光滑輥或壓紋輥即第1輥與旋轉的壓紋輥即第2輥之間供給投入上述熔融薄膜，利用上述第1輥與上述第2輥模壓上述熔融薄膜(在使兩面為“亞光面”(“粗糙處理面”)的情況下，使用壓紋輥作為第1輥)；以及(3)使第1輥帶著在上述步驟(2)中模壓的薄膜送出至下一個旋轉輥。
作為上述步驟(1)中使用的上述擠出機，並不受特殊限制，可以使用任意擠出機。作為上述擠出機，可以列舉出，例如，單螺桿擠出機、同向旋轉雙螺桿擠出機以及反向旋轉雙螺桿擠出機等。
為抑制原料樹脂劣變，較佳為對擠出機內進行氮氣沖洗。較佳為使原料樹脂成膜前進行乾燥。又，較佳為將用乾燥機乾燥的該等樹脂從乾燥機直接輸送至擠出機並投入。
作為上述步驟(1)中使用的上述T字模，並不受特殊限制，可以使用任意T字模。作為上述T字模，可以列舉出，例如，歧管模、魚尾模、以及衣架模等。
從穩定實施上述連續地擠出熔融薄膜的步驟之觀點考慮，上述T字模出口(模唇)的設定溫度可以通常為200℃以上，較佳為220℃以上，更佳為230℃以上。另一方面，從抑制原料之劣變之觀點考慮，上述T字模的設定溫度可以通常為300℃以下，較佳為280℃以下，更佳為260℃以下。
從使本發明之切割薄膜用基膜的光澤面的光澤度為50%以上之觀點考慮，上述步驟(2)中使用的上述光滑輥(在使用的情況下)可以適當選擇。從使本發明之切割薄膜用基膜的一個面的光澤度較佳為55%以上，進一步再佳為60%以上，更進一步再佳為65%以上，更佳為70%以上，更加佳為75%以上，再佳為80%以上，最佳為85%以上之觀點考慮，上述光滑輥較佳為鏡面輥。
上述鏡面輥為其表面經鏡面加工的輥。作為上述鏡面輥，可以列舉出，例如，其表面為金屬製、陶瓷製、橡膠製的鏡面輥。為防止腐蝕和刮傷，可以對上述鏡面輥的表面實施鍍鉻與鍍鐵磷合金、藉由PVD法與CVD法之硬碳處理等。
上述鏡面加工可以利用任意方法進行，並不受限制。上述鏡面加工，可以列舉出以下方法，例如，藉由使用精細研磨粒進行磨光，使上述鏡面體表面的算術平均粗糙度(Ra)較佳為100nm以下，更佳為50nm以下，或使十點平均粗糙度(Rz)較佳為500nm以下，更佳為250nm以下。
在本說明書中，算術平均粗糙度(Ra)與十點平均粗糙度(Rz)按照JIS B0601：2013測定。
上述步驟(2)中使用的上述光滑輥(在使用的情況下)發揮作為冷卻輥之作用。在上述步驟(3)中將薄膜送出至下一個旋轉輥時，從薄膜完全冷卻固化之觀點考慮，上述光滑輥較佳為金屬輥。從使本發明之切割薄膜用基膜的光澤面的光澤度為50%以上之觀點、以及在上述步驟(3)中將薄膜送出至下一個旋轉輥時使薄膜完全冷卻固化之觀點考慮，上述光滑輥更佳為鏡面金屬輥。
從使本發明之切割薄膜用基膜的光澤面的光澤度為50%以上之觀點、在上述步驟(3)中將薄膜送出至下一個旋轉輥時使薄膜完全冷卻固化之觀點、以及使上述光滑輥的表面不發生凝結之觀點考慮，上述步驟(2)中使用的上述光滑輥(在使用的情況下)的表面溫度可以適當選擇。從使過冷度(上述光滑輥的表面溫度與和上述光滑輥接蝕前的熔融薄膜溫度之溫度差)增加而使光澤面的光澤度提高至50%以上之觀點、以及在上述步驟(3)中將薄膜送出至下一個旋轉輥時使薄膜完全冷卻固化之觀點考慮，上述光滑輥的表面溫度，可以通常為80℃以下，較佳為60℃以下，更佳為50℃以下。另一方面，從使上述光滑輥的表面不發生凝結之觀點考慮，上述光滑輥的表面溫度雖然亦取決於成膜環境的溫度與濕度，但可以通常為15℃以上，較佳為20℃以上，更佳為25℃以上。
從使本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的光澤度為40%以下之觀點考慮，上述步驟(2)中使用的上述壓紋輥可以適當選擇。上述壓紋輥為其表面經壓紋加工的輥，典型地為經緞紋加工的
輥(緞紋輥)。作為上述壓紋輥，可以列舉出，例如，其表面為金屬製、陶瓷製、橡膠製的壓紋輥。在作為第2輥使用的情況下，從導熱性(冷卻效率)較低，易於降低光澤度之觀點、以及易於進行成膜操作(例如，不易發生損傷上述光滑輥的缺陷)之觀點考慮，上述壓紋輥較佳為其表面為橡膠製的壓紋輥。從以上觀點考慮，在作為第2輥使用的情況下，上述壓紋輥更佳為緞紋橡膠輥。另一方面，在作為第1輥使用的情況下，在上述步驟(3)中，從將薄膜送出至下一個旋轉輥時使薄膜完全冷卻固化之觀點考慮，上述壓紋輥可以較佳為金屬製，典型地為緞紋金屬輥。
上述緞紋橡膠輥，其表面為橡膠，且經緞紋加工。從使本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的光澤度為40%以下之觀點考慮，上述緞紋橡膠輥的表面粗糙度/支數可以適當選擇。上述緞紋橡膠輥表面的算術平均粗糙度(Ra)可以較佳為0.5~10μm，更佳為1~5μm。上述緞紋金屬輥，其表面為金屬，且經緞紋加工。其表面粗糙度/支數與上述緞紋橡膠輥相同。
從使本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的光澤度為40%以下之觀點、抑制並防止在上述壓紋輥上附著熔融薄膜之缺陷之觀點、以及使上述壓紋輥的表面不發生凝結之觀點考慮，上述步驟(2)中使用的上述壓紋輥的表面溫度可以適當選擇。從抑制並防止在上述壓紋輥上附著熔融薄膜之缺陷之觀點考慮，上述壓紋輥的表面溫度，可以通常為80℃以下，較佳為70℃以下，更佳為60℃以下。另一方面，從使本發明之切割薄膜用基膜的亞光面的光澤度
為40%以下之觀點、以及使上述壓紋輥的表面不發生凝結之觀點考慮，上述壓紋輥的表面溫度雖然取決於上述壓紋輥表面的材質、成膜環境的溫度與濕度，但可以通常為15℃以上，較佳為30℃以上，更佳為40℃以上。在一實施態樣中，在步驟(2)中根據需要可以對壓紋輥使用冷卻水。
上述步驟(3)為使第1輥帶著在上述步驟(2)中模壓的薄膜送出至下一個旋轉輥的步驟。藉由使第1輥帶著熔融薄膜，可以容易地實現在送出至下一個旋轉輥時使熔融薄膜完全冷卻固化。
圖5為實施例中使用的一態樣的成膜裝置之示意圖(在製造一面為亞光面(粗糙處理面)另一面為光澤面的切割薄膜用基膜的情況下)。原料樹脂藉由具備擠出機1與T字模2的擠出裝置成為熔融薄膜3，並從T字模2連續地擠出。接著，向旋轉的第1輥(在這種情況下為光滑輥)4與旋轉的第2輥(壓紋輥)5之間供給投入擠出的熔融薄膜3，並用第1輥4與第2輥5進行模壓。此外，在第1輥4帶著經模壓的熔融薄膜3送出至下一個旋轉輥6時，成為完全冷卻固化的薄膜7。
3.切割薄膜
本發明之切割薄膜為將本發明之切割薄膜用基膜作為基膜之切割薄膜。本發明之切割薄膜的黏合劑層，通常在本發明之切割薄膜用基膜的亞光面上直接或藉由錨固塗膜而形成。
用於形成上述黏合劑層之黏合劑，並不受特殊限制，可以
使用任意黏合劑。作為用於形成上述黏合劑層之黏合劑，可以列舉出，例如，聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與其他單體之共聚物等丙烯酸黏合劑；天然橡膠、丁基-異戊二烯橡膠等橡膠黏合劑；聚氨酯黏合劑；聚酯黏合劑；聚苯乙烯黏合劑、以及矽黏合劑等。
從切割薄膜所要求的透明度，例如，充分確保進行雷射打印時的可視性之觀點考慮，作為用於形成上述黏合劑層之黏合劑，較佳為透明度良好的黏合劑。此處，“透明度良好的黏合劑”意味著，可見光透射率通常為50%以上，較佳為70%以上，更佳為80%以上，更加佳為85%以上的黏合劑。此處，作為使用株式會社島津製作所的分光光度計“Solid Spec-3700”(商品名)，以及光程長度10mm的石英槽測定的黏合劑波長380~780納米中透射光譜的積分面積相對於假設波長380~780納米的總範圍中透射率為100%之情況下的透射光譜的積分面積的比例，能夠計算出可見光透射率。
作為用於形成上述黏合劑層之黏合劑，較佳為藉由使之進行熱硬化或有效電能線硬化能夠降低黏合強度的黏合劑。藉由降低黏合強度，在從工件上剝離切割薄膜時，能夠不殘留黏合劑，容易幹淨地剝離。作為藉由使之進行上述熱硬化或有效電能線硬化能夠降低黏合強度之黏合劑，可以列舉出，例如，1個分子中具有2個以上反應性官能基(可以列舉出，例如，氨基、乙烯基、環氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基以及異氰酸酯基等)之黏合劑；
該黏合劑與至少1種以上異氰酸酯硬化劑、光聚合起始劑以及有機過氧化物等之黏合劑組成物等。
上述黏合劑層之厚度，並不受特殊限制，可以為任意厚度。上述黏合劑層之厚度，通常為1~25μm，較佳為5~20μm左右。
測定方法
(i)內部霧度
準備2張向JIS R3202：2011規定的浮板玻璃(厚度2mm)的一個表面上塗佈石蠟油(株式會社MORESCO的“MORESCO WHITE P-350P”(商品名))者。接著，在上述2張玻璃板的石蠟油塗佈面之間夾持樣品作為測定片。然後，將按照JIS K7136：2000，並使用日本電色工業株式會社的濁度計“NDH2000”(商品名)測定的霧度作為內部霧度。
(ii)光澤度(60度光澤度值)
按照JIS Z8741：1997，並使用KONICA MINOLTA株式會社的多角度光澤度儀“GM-268”(商品名)測定光澤度(60度光澤度值)。對樣品之兩個面進行測定。表中，將成膜時光滑輥(鏡面金屬輥)側的面的值記載於“光澤面的光澤度”欄，另一面(壓紋輥(緞紋橡膠輥)側的面)的值記載於“亞光面的光澤度”欄。
(iii)熔點
切割薄膜用基膜熔點的測定方法如下。按照JIS K7121-1987，並使用Perkinelmer公司的示差掃描熱析儀“Diamond DSC”(商品
名)，在溫度25℃下保持5分鐘後，作為熔點計算按照以昇溫速度10℃/分昇溫至190℃的溫度程式測定的DSC快速熔化曲線出現的熔化峰的峰頂溫度。在觀察到2個以上熔化峰時，將峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為熔點。又，將子峰(峰頂高度最大的熔化峰以外的熔化峰)的峰頂溫度記載於表的子峰欄。另，在表的子峰欄中，“-”意味著未觀察到子峰(熔化峰為1個)。
又，按照JIS K7121-1987，並使用Perkinelmer公司的示差掃描熱析儀“Diamond DSC”(商品名)，由按照在190℃下保持5分鐘，以10℃/分冷卻至-10℃，在-10℃下保持5分鐘，以10℃/分昇溫至190℃的程式測定的二次熔化曲線(在最後的昇溫過程測定的熔化曲線)算出上述成分(A)結晶聚丙烯的熔點。此時，熔點為上述二次熔化曲線中出現的熔化峰的峰頂溫度。又，在觀察到2個以上熔化峰時，將峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為熔點。應注意，結晶聚丙烯的DSC二次熔化曲線中出現的熔化峰，通常低溫側的摺邊平緩地伸長；以及，畫基線使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲線的讀取方法中圖1所謂的高溫側的基線向低溫側延長的直線、與使相同低溫側的基線向高溫側延長的直線一致。
又，按照JIS K7121-1987，並使用Perkinelmer公司的示差掃描熱析儀“Diamond DSC”(商品名)，由按照在190℃下保持5分鐘，以10℃/分冷卻至-50℃，在-50℃下保持5分鐘，以10℃/分昇溫至190℃的程式測定的二次熔化曲線(在最後的昇溫過程測定的熔化曲線)算出上述成分(B)聚烯烴彈性體的熔點。此時，熔點為上述
二次熔化曲線中出現的熔化峰的峰頂溫度。又，在觀察到2個以上熔化峰時，將峰頂高度最大的熔化峰的峰頂溫度作為熔點。又，應注意，彈性體的DSC二次熔化曲線中出現的熔化峰，通常摺邊在高溫側和低溫側均平緩地伸長；以及，畫基線使JIS K7121-1987的9.DTA或DSC曲線的讀取方法中圖1所謂的高溫側的基線向低溫側延長的直線、與使相同低溫側的基線向高溫側延長的直線一致。
(iv)熔化焓
由上述(iii)熔點的測定得到之DSC快速熔化曲線算出切割薄膜用基膜的熔化焓。
又，由上述(iii)熔點的測定得到的DSC二次熔化曲線算出上述成分(A)結晶聚丙烯以及成分(B)聚烯烴彈性體的熔化焓。
(v)拉伸試驗
按照JIS K7127：1999，並使用株式會社島津製作所的拉伸試驗機“AUTOGRAPH AGS-1kNG”(商品名)，使用為使薄膜的機器方向成為拉伸方向而從薄膜衝孔成上述標準的試驗片類型5(該JIS標準的圖2)的形狀的樣品，在拉伸速度200mm/min、溫度23℃的條件下進行拉伸試驗，得到機器方向的應力-應變曲線(以下，簡稱為“SS曲線”)。又，除為使薄膜的橫向(與機器方向正交的方向)成為拉伸方向而對樣品進行衝孔以外，同樣地測定而得到橫向SS曲線。
(v-1)拉伸模數
無論JIS K7127：1999的10項的計算以及結果的表示如何規定
，利用基於JIS K7161-1：2014的10.3.2項的2點求得的斜率的方法，又，無論JIS K7161-1：2014的10.3.2項如何規定，由上述(v)拉伸試驗得到的機器方向的SS曲線，將σ1作為應變ε1=0.8%中的應力(MPa)，將σ2作為應變ε2=1.6%中的應力(MPa)計算出機器方向之拉伸模數(表中記載為“拉伸模數MD”)。同樣地由上述(v)拉伸試驗得到的橫向SS曲線計算出橫向之拉伸模數(表中記載為“拉伸模數TD”)。再則，計算出機器方向之拉伸模數與橫向之拉伸模數之比(機器方向拉伸模數/橫向拉伸模數。表中記載為“拉伸模數MD/TD”。)。
(v-2)應力差(△σ)
按照JIS K7161-1：2014的10.1項，由上述(v)拉伸試驗得到的機器方向的SS曲線，將拉伸屈服應力(σy)作為拉伸屈服應變(εy)中的應力(此時，注意該JIS標準的附錄A)，將拉伸下屈服應力(σ1)作為應變(ε1)中的應力計算出拉伸屈服應力(σy)與拉伸下屈服應力(σ1)，並計算出機器方向的應力差(△σ=σy-σ1)(表中記載為“應力差MD”)。同樣地，由上述(v)拉伸試驗得到的橫向SS曲線計算出橫向之應力差(表中記載為“應力差TD”)。
(v-3)5%應變拉伸應力、100%應變拉伸應力
按照JIS K7161-1：2014的10.1項，由上述(v)拉伸試驗得到的機器方向的SS曲線，計算出機器方向5%應變拉伸應力(表中記載為“5%模數MD”)以及機器方向100%應變拉伸應力(表中記載為“100%模數MD”)。同樣地，由上述(v)拉伸試驗得到的橫向SS曲
線計算出橫向5%應變拉伸應力(表中記載為“5%模數TD”)以及橫向100%應變拉伸應力(表中記載為“100%模數TD”)。再則，計算出機器方向5%應變拉伸應力與橫向5%應變拉伸應力之比(機器方向5%應變拉伸應力/橫向5%應變拉伸應力；表中記載為“5%模數MD/TD”)。同樣地，計算出機器方向100%應變拉伸應力與橫向100%應變拉伸應力之比(機器方向100%應變拉伸應力/橫向100%應變拉伸應力；表中記載為“100%模數MD/TD”)。
在切割的擴展步驟中，從使薄膜均勻地延伸之觀點考慮，上述機器方向5%應變拉伸應力與橫向5%應變拉伸應力之比，可以通常為0.7~1.3，較佳為0.8~1.2，更佳為0.9~1.1。在切割的擴展步驟中，從使薄膜均勻地延伸之觀點考慮，上述機器方向100%應變拉伸應力與橫向100%應變拉伸應力之比，可以通常為0.7~1.3，較佳為0.8~1.2，更佳為0.9~1.1。
(vi)亞光面的算術平均粗糙度(Ra)
按照JIS B0601：2013，並使用株式會社東京精密的粗糙度測定儀“HANDYSURF E-40A”(商品名)，測定亞光面的算術平均粗糙度(Ra)。
(vii)耐封端性
．耐封端性的測定方法(1)
從一側具有亞光面而另一側具有光澤面的薄膜採集大小為機器方向30cm、橫向10cm的2個樣品；使1個樣品的亞光面與另一個樣品的光澤面重疊，使2個樣品的各片大致一致；夾在2個30cm×1
0cm的金屬板之間並放平，使2個金屬板與重疊的2個樣品的各片大致一致；在其上放置1kg的配重，在25℃下處理48小時。然後，在試驗速度300mm/分，樣品的機器方向與剝離方向平行之條件下測定2個樣品的90°剝離力。表中，“<0.1”意味著90°剝離力小於0.1N/10cm。從耐封端性之觀點考慮，上述90°剝離力，可以較佳為0.5N/10cm以下，更佳為0.3N/cm以下。上述90°剝離力愈小愈佳。
．耐封端性的測定方法(2)
對於一側具有亞光面而另一側具有亞光面或光澤面並對兩面實施電暈表面處理的薄膜，將樣品的尺寸變更為機器方向20cm、橫向10cm的大小，使亞光面與亞光面或光澤面重疊，使配重引起的負荷變更為6kg，使老化條件變更為在80℃下處理5小時，使試驗速度變更為50mm/分，除此以外，藉由與上述說明相同的方法測定2個樣品的90°剝離力。
．耐封端性的測定方法(3)
對於一側具有亞光面而另一側具有亞光面或光澤面且未實施電暈表面處理或對兩面實施電暈表面處理的薄膜，一邊施加2kg的張力一邊以10英寸(25.4cm)的輥寬度捲繞成輥狀。在40℃環境下放置1週後，使用剝離試驗機對該捲繞成輥狀的薄膜測定以200mm/分的試驗速度從捲繞芯向長度方向拉出長度方向10m的位置處的薄膜時的剝離強度。
(viii)耐溶劑性
使用滴管向亞光面(成膜時為壓紋輥側的面；例2中為氣室側
的面)滴下3滴甲苯後，在溫度25℃，相對濕度50%的環境下放置24小時(使滴下的甲苯乾燥)。然後，藉由上述試驗(ii)的方法測定甲苯滴下處的光澤度(60度光澤度值)。計算出甲苯滴下處的光澤度與亞光面的光澤度之差(以下，有時稱為“光澤度差”；光澤度差=甲苯滴下處的光澤度-亞光面的光澤度)。在耐溶劑性較低的情況下，甲苯滴下處的光澤度，表面變粗糙而降低或者表面的凹凸熔化而昇高。因此，從耐溶劑性之觀點考慮，上述光澤度差，可以較佳為-3~3%，更佳為-2~2%，更加佳為-1~1%。上述光澤度差的絕對值愈小愈佳。
使用的原料
(A)結晶聚丙烯
(A-1)Japan Polypropylene株式會社的嵌段聚丙烯“NOVATEC BC5FA”(商品名)。MFR3.5g/10min、熔點162℃，熔化焓76J/g。
(A-2)SunAllomer株式會社的嵌段聚丙烯“VB170A”(商品名)。MFR0.4g/10min、熔點164℃，熔化焓77J/g、149℃時具有熔化肩峰。
(A-3)SunAllomer株式會社的嵌段聚丙烯“VB370A”(商品名)。MFR1.5g/10min、熔點164℃，熔化焓80J/g、148℃時具有熔化峰。
(A-4)SunAllomer株式會社的嵌段聚丙烯“PM870A”(商品名)。MFR17.0g/10min、熔點164℃，熔化焓87J/g。
(A-5)株式會社Prime Polymer的無規聚丙烯“PRIME POLYPRO S235WC”(商品名)。MFR11.0g/10min、熔點134℃，熔化焓66J/g。
(A-6)SunAllomer株式會社的均聚丙烯“PL500A”(商品名)。MFR3.0g/10min、熔點162℃，熔化焓104J/g。
(A-7)SunAllomer株式會社的均聚丙烯“PM600A”(商品名)。MFR7.5g/10min、熔點163℃，熔化焓102J/g。
(B)聚烯烴彈性體
(B-1)丙烯與4-甲基-1-戊烯之共聚物(三井化學株式會社的聚烯烴彈性體“ABSORTOMER EP-1001”(商品名))。藉由如圖6所示之13C-NMR測定的來源於丙烯的結構單元的量28.1莫耳%，來源於4-甲基-1-戊烯的結構單元的量71.9莫耳%。在DSC二次熔化曲線上未觀察到熔化峰。MFR(230℃，21.18N)10g/10分。
(B-2)三井化學株式會社的聚烯烴彈性體“ABSORTOMER EP-1013”(商品名)。MFR(230℃，21.18N)10g/10分、熔點130℃，熔化焓11J/g。
(B-3)住友化學株式會社的聚烯烴彈性體“TAFTHREN H3712D”(商品名)。丙烯/丁烯-1隨機共聚物(丁烯-1的比例為10質量%以下)。結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域的質量比15：85。熔點131℃，熔化焓14J/g。
(B-4)Dow Elastomers公司的EPDM“NORDEL IP3720P”(商品名)。熔點34℃，熔化焓41J/g。
(B-5)住友化學株式會社的聚烯烴彈性體“TAFTHREN T3732”(商品名)。丙烯/丁烯-1隨機共聚物(含有5質量%的丁烯-1)。結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域的質量比50：50。熔點129℃，熔化焓32J/g。
例1
使用上述成分(A-1)100質量份與上述成分(B-1)18質量份的樹脂混合物，利用圖5所示的成膜裝置(成膜裝置包括具有擠出機1與T字模2的擠出裝置以及收放卷裝置，該收放卷裝置具有藉由作為第1輥4的光滑輥(鏡面金屬輥)與作為第2輥5的壓紋輥(緞紋橡膠輥：表面的算術平均粗糙度(Ra)1.5μm，十點平均粗糙度(Rz)11.9μm)夾持的機構)，將上述樹脂混合物作為熔融薄膜3從T字模2連續地擠出。接著，向旋轉的第1輥4與旋轉的第2輥5之間供給投入擠出的熔融薄膜3，並用第1輥4與第2輥5進行模壓。然後，使第1輥4帶著模壓的熔融薄膜3送出至下一個旋轉輥6，使厚度100μm的薄膜7成膜。此時，T字模出口樹脂溫度210℃，第1輥4的表面溫度25℃，流向第2輥5的冷卻水溫度16℃，以及收放卷速度18m/分。進行上述試驗(i)~(viii)。試驗(vii)耐封端性藉由測定方法(1)進行測定。結果如表1所示。
例2
使用上述成分(A-1)100質量份與上述成分(B-1)18質量份的樹脂混合物，利用包括具有擠出機1與T字模2的擠出裝置、
以及具有鏡面金屬輥(冷卻輥)與氣室的收放卷裝置的成膜裝置，使厚度100μm的薄膜在T字模出口樹脂溫度220℃，鏡面金屬輥(冷卻輥)的表面溫度25℃，以及收放卷速度18m/分的條件下成膜。進行上述試驗(i)~(viii)。試驗(vii)耐封端性藉由測定方法(1)進行測定。結果如表1所示。
例3~19
除作為樹脂混合物使用表1~4的任意1項所示者以外，與例1同樣地進行薄膜成膜以及物理特性的測定與評估。結果如表1~4的任意1項所示。
藉由本發明之製造方法，可以較佳地生產本發明之薄膜。本發明之較佳之薄膜，耐熱性、可撓性、透明度、耐溶劑性以及耐封端性良好，且具有適合擴展步驟的拉伸特性。因此，可以作為切割薄膜基膜較佳地使用。
又，例1的基膜的霧度(按照JIS K7136：2000，使用日本電色工業株式會社的濁度計“NDH2000”(商品名)測定)為84.8%(該濁度計的直接輸出值)。然後，使用塗佈器向例1的基膜的亞光面上塗佈由藤倉化成株式會社的透明黏合劑“ACRYBASE LKG-1013”(商品名)333質量份(固體含量換算100質量份)、藤倉化成株式會社的異氰酸酯硬化劑“CL-201”(商品名)1質量份以及乙酸乙酯222質量份構成之黏合劑層形成用塗料，使其乾燥後的膜厚為10μm。接著，在溫度85℃下乾燥該塗膜，形成黏合劑層，得到切割薄膜。該切割薄膜的霧度(按照JIS K7136：2000，使用日本電色工業株式會社的濁度計“NDH2000”(商品名)測定)為11.0%。據此確認，藉由在亞光面上形成黏合劑層，消除亞光面的凹凸引起的外部霧度，確保作為切割薄膜的充分的透明度。
實施電暈表面處理情況下亞光表面處理條件的優化實驗
例20
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的橡膠製壓紋輥代替算術平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡膠製壓紋輥作為第2輥5的成膜裝置；使收放卷速度變更為18m/分至5m/分；使用春日電機(株)製的電暈處理用電源“AGI-020”，在放電量0.20kW．min/m2的條件下，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，使按照JIS K6768：1999測定的薄膜的電暈表面處理面的潤濕張力為50mN/m以上，除此以外，與例1同樣地使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(2)測定耐封端性。上述薄膜的電暈表面處理面的潤濕張力為56mN/m。結果如表5所示。電暈表面處理的使用電源以及放電量在以下示例中亦同樣。
例21
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(2)測定耐封端性。即，除未變更例1中作為第2輥5的算術平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡膠製壓紋輥以外，與例20同樣地進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表5所示。
例22
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞
紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4、且用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的橡膠製壓紋輥代替算術平均粗糙度(Ra)1.5μm的橡膠製壓紋輥作為第2輥5的成膜裝置，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(2)測定耐封端性。即，除進一步用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的壓紋輥代替光滑輥作為第1輥4以外，與例20同樣地進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表5所示。
例23
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(2)測定耐封端性。即，除進一步用算術平均粗糙度(Ra)1.5μm的壓紋輥代替一個算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的壓紋輥以外，與例22同樣地，進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表5所示。
由表5所示的結果可知，用於亞光表面處理的壓紋輥的算術平均粗糙度(Ra)愈大，即轉錄至薄膜表面的壓紋之深度愈大，愈能夠有效地抑制封端。又，可知對薄膜兩面進行亞光表面處理比僅對一面進行亞光表面處理更能夠有效地抑制封端。
薄膜組成/電暈表面處理的有無/亞光表面處理條件的優化實驗
例24
除使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
例25
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。即，除用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4以外，與例24同樣地，進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表6所示。
例26
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
例27
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。即，除用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4以外，與例26同樣地，進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表6所示。
例28
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-1)30質量份的樹脂混合物，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
例29
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-1)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞
紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。即，除用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4以外，與例28同樣地，進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表6所示。
例30
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-2)30質量份的樹脂混合物，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
例31
使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-2)30質量份的樹脂混合物，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。即，除用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4以外，與例30同樣地，進行薄膜的成膜以及物理特性的測定。結果如表6所示。
例32
僅使用上述成分(A-1)作為樹脂(未使用與成分(B)的混合
物)，使用具有用算術平均粗糙度(Ra)0.5μm的金屬製緞紋壓紋輥代替光滑輥(鏡面金屬輥)作為第1輥4的成膜裝置，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
例33
僅使用上述成分(B-1)作為樹脂(未使用與成分(A)的混合物)，對所得到薄膜的兩面實施電暈表面處理，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜藉由上述(vii)的測定方法(3)測定耐封端性。結果如表6所示。
另，關於例24~33，在表6中，僅對薄膜之一面進行亞光表面處理的情況表示為“一面”，對薄膜兩面進行亞光表面處理的情況表示為“兩面”。
由表6所示的結果進一步確認對薄膜之兩面進行亞光表面處理比僅對一面進行亞光表面處理更能夠有效地抑制封端(與表5相同)。又，由該等結果可知，即使在對兩面實施電暈表面處理的情況下，藉由對薄膜兩面進行亞光表面處理能夠有效地抑制封端。
非晶聚丙烯區域的質量比與薄膜的可撓性的關係
例34
與例24同樣，即，使用上述成分(A-1)70質量份與上述成分(B-5)30質量份的樹脂混合物，除此以外，與例1同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜進行上述(v)拉伸試驗，測定(v-1)拉伸模數、(v-2)應力差(△σ)、(v-3)5%應變拉伸應力、100%應變拉伸應力。結果如表7所示。
例35~41
如表7所示，除變更成分(A)與(B)的種類以及摻合量以外，與例34同樣地，使薄膜成膜，對成膜的薄膜進行上述(v)拉伸試驗，測定(v-1)拉伸模數、(v-2)應力差(△σ)、(v-3)5%應變拉伸應力、100%應變拉伸應力。結果如表7所示。
由表7所示的結果可知，作為成分(B)的隨機共聚物中非晶聚丙烯區域相對於切割薄膜用基膜所包含的成分(A)與(B)的總質量的質量比(在本實施例中，與非晶聚丙烯區域相對於切割薄膜用基膜總質量的質量比相等)愈大，薄膜的可撓性愈佳。
Claims (13)
- 一種切割薄膜用基膜，其特徵為，包含(A)結晶聚丙烯與(B)聚烯烴彈性體；且滿足下述特性(i)~(iv)：(i)內部霧度為20%以下；(ii)至少一個面之光澤度為40%以下；(iii)熔點為150℃以上；(iv)熔化焓為30J/g~90J/g。
- 如請求項1所述之切割薄膜用基膜，其中兩面的光澤度分別為40%以下。
- 如請求項1或請求項2所述之切割薄膜用基膜，其中進一步滿足下述特性(v-1)以及(v-2)：(v-1)機器方向的拉伸模數為600MPa以下；(v-2)機器方向的拉伸屈服應力與拉伸下屈服應力之差為2.5MPa以下。
- 如請求項1或請求項2所述之切割薄膜用基膜，其中(B)聚烯烴彈性體為由丙烯和丁烯-1構成之隨機共聚物。
- 如請求項4所述之切割薄膜用基膜，其中所述隨機共聚物中結晶聚丙烯區域與非晶聚丙烯區域之質量比在40：60~60：40範圍內。
- 如請求項4所述之切割薄膜用基膜，其中所述隨機共聚物中非晶聚丙烯區域相對於所述(A)結晶聚丙烯以及(B)隨機共聚物聚烯烴彈性體的總質量的質量比為10%以上。
- 如請求項5所述之切割薄膜用基膜，其中所述隨機共聚物中非晶聚丙烯區域相對於所述(A)結晶聚丙烯以及(B)隨機共聚物聚烯烴彈性體的總質量的質量比為10%以上。
- 一種切割薄膜，其特徵為，包含如請求項1至請求項7中任意一項所述之切割薄膜用基膜。
- 一種切割薄膜用基膜的成膜方法，其為如請求項1至請求項7中任意一項所述之切割薄膜用基膜的成膜方法，所述切割薄膜用基膜的成膜方法的特徵為，包括以下步驟：步驟(1)，使用具備擠出機與T字模的擠出裝置，從T字模連續擠出熔融薄膜；步驟(2)，向旋轉的光滑輥或壓紋輥即第1輥與旋轉的壓紋輥即第2輥之間供給投入所述熔融薄膜，利用所述第1輥與所述第2輥模壓所述熔融薄膜；以及步驟(3)，使第1輥帶著在所述步驟(2)中模壓的薄膜送出至下一個旋轉輥。
- 如請求項9所述之切割薄膜用基膜的成膜方法，其中所述壓紋輥為緞紋橡膠輥或緞紋金屬輥。
- 如請求項9或請求項10所述之切割薄膜用基膜的成膜方法，其中所述光滑輥為鏡面金屬輥。
- 一種切割薄膜的製造方法，其為如請求項8所述之切割薄膜的製造方法，其特徵為，包括以下步驟：步驟(1)，利用如請求項9至請求項11中任意一項所述之 切割薄膜用基膜的成膜方法使切割薄膜用基膜成膜；以及步驟(2)，在所述步驟(1)中得到的切割薄膜用基膜光澤度為40%以下的面上形成黏合劑層。
- 一種切割薄膜的製造方法，其為如請求項8所述之切割薄膜的製造方法，其特徵為，包括以下步驟：步驟(1)，利用如請求項9至請求項11中任意一項所述之切割薄膜用基膜的成膜方法使切割薄膜用基膜成膜；以及步驟(2)，在存在所述步驟(1)中得到的切割薄膜用基膜光澤度為50%以上的面的情況下，在所述面上形成黏合劑層。
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