CN112750723A - 清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法，即使在切割品的尺寸小的情况下也能够提高清洗效率。包括：容器(21)，收纳封装基板被切割而形成的多个切割品(Sa)；旋转机构(22)，使容器(21)旋转；供液机构(23)，向容器(21)内供给清洗液；以及排液机构(24)，排出容器(21)内的清洗液，多个切割品(Sa)在浸渍于清洗液的状态下，在通过旋转机构(22)旋转的容器(21)内被清洗。

Description

清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法
技术领域
本发明涉及一种清洗模块、包含清洗模块的切割装置以及切割品的制造方法。
背景技术
搭载有芯片的引线框、基板等通常通过树脂封装而用作电子部件。以往，已知有如下切割装置：在将以搭载多个芯片的方式布线的基板一并进行树脂封装而制造封装基板后，将该封装基板切割(单片化)而制造多个切割品(电子部件)(例如，参照专利文献1)。
专利文献1所记载的切割装置包括：切削单元，将封装基板切割为多个切割品；输送单元，抽吸并输送多个切割品；上表面清洗单元，利用喷射的清洗液对多个切割品的上表面进行清洗；下表面清洗单元，利用由海绵等构成的清洗辊对多个切割品的下表面进行清洗；以及干燥单元，利用加热器或暖风对多个切割品的上表面及下表面进行干燥。切割、清洗、干燥后的多个切割品用刷子刷落到去毛刺容器中，摆动机构使去毛刺容器摆动，由此对切割品赋予振动而除去毛刺。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-084893号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在以往的切割装置中，对封装基板被切割而形成的多个切割品进行输送、清洗、干燥，但若切割品的尺寸小至不足例如2mm见方，则输送等变得困难。特别是，若切割品的尺寸变小，则在清洗时容易发生芯片位移(切割品从抽吸位置移动)、切割品的飞散。
因此，期望即使在切割品的尺寸小的情况下，也能够提高清洗效率的清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法。
用于解决问题的手段
本发明涉及的清洗模块的特征结构在于，包括：容器，收纳封装基板被切割而形成的多个切割品；旋转机构，使所述容器旋转；供液机构，向所述容器内供给清洗液；以及排液机构，排出所述容器内的所述清洗液，多个所述切割品在浸渍于所述清洗液的状态下，在通过所述旋转机构旋转的所述容器内被清洗。
本发明涉及的切割装置的特征结构在于，包括：所述清洗模块；切割机构，切割所述封装基板；以及输送机构，将由所述切割机构切割而形成的多个所述切割品输送到所述容器。
本发明涉及的切割品的制造方法的特征在于，包括：切割工序，切割封装基板而形成多个切割品；收纳工序，将多个所述切割品收纳在容器中；清洗工序，向所述容器内供给清洗液，使所述容器旋转来清洗多个所述切割品；以及取出工序，使所述容器上下反转，取出多个所述切割品。
发明效果
根据本发明，提供一种清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法，即使在切割品的尺寸小的情况下也能够提高清洗效率。
附图说明
图1是示出切割装置的示意图；
图2是示出输送机构的概略立体图；
图3是示出清洗模块的概略立体图；
图4是图3的IV-IV线剖视图；
图5是示出清洗模块的驱动方式的图；
图6是示出将多个切割品收纳于容器内的状态的剖视图；
图7是示出在容器内对多个切割品进行清洗的状态的剖视图；
图8是示出在容器内对多个切割品进行干燥的状态的剖视图；
图9是示出使清洗模块的容器移动的状态的剖视图；
图10是示出使清洗模块的容器移动的状态的俯视图；
图11是示出清洗模块的反转机构的概略立体图；
图12是示出其他实施方式涉及的输送机构的概略图；
图13是示出其他实施方式涉及的输送机构的切割品输送状态的概略图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明涉及的清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法的实施方式进行说明。但是，并不限于以下的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。
[装置结构]
搭载有芯片的引线框、基板等成形对象物通过进行树脂封装而用作电子部件。作为对成形对象物进行树脂封装的技术，可举出压缩方式或转移方式。压缩方式例如是在脱模膜上供给液态或粉粒体状的树脂后，将该脱模膜载置于成形模具的腔中，并将成形对象物浸渍在脱模膜上的树脂中进行树脂成形的方式。转移方式例如是将成形对象物收纳于成形模具的腔中，向成形模具的罐供给树脂料片而进行加热、熔融后，将熔融树脂供给到腔而进行树脂成形的方式。
关于压缩方式或转移方式的树脂成形装置，从制造效率化的观点出发，有时使用制造将以搭载多个芯片的方式布线的基板一并进行树脂封装的MAP(mold arraypackaging，模具阵列封装)等封装基板的装置。在该装置中制造封装基板后，利用切割装置切割(单片化)，所形成的切割品在经过品质检查之后被用作电子部件。在切割装置中，对封装基板被切割而形成的多个切割品进行输送、清洗、干燥，但若切割品的尺寸小至例如不足2mm见方，则输送等变得困难。特别是，若切割品的尺寸变小，则在清洗时容易发生芯片位移(切割品从抽吸位置移动)、切割品的飞散。因此，在本实施方式中，提供即使在切割品的尺寸小的情况下也能够提高清洗效率的清洗模块、切割装置以及切割品的制造方法。以下，将搭载有多个半导体芯片的封装基板作为切割对象物的一例进行说明，有时将重力方向作为下方、将与重力方向相反的方向作为上方进行说明。
图1中示出切割装置D的示意图。本实施方式中的切割装置D与树脂成形装置E分体构成，接收由树脂成形装置E进行了树脂封装的封装基板S，将该封装基板S切割、清洗、干燥，制造多个切割品Sa。该制造出的切割品Sa在经过了规定的品质检查之后被用作电子部件。
切割装置D包括切割模块1、清洗模块2以及控制部3。切割模块1和清洗模块2能够独立地安装或拆卸。另外，切割装置D在切割模块1和清洗模块2的范围内包括输送机构4。控制部3作为控制切割装置D的动作的软件，包含存储于HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)、存储器等硬件的程序，通过计算机的CPU(Central Processing Unit，中央处理器)执行。即，控制部3控制切割模块1、清洗模块2以及输送机构4的动作。
切割模块1包括接收部11和切割机构12。此外，接收部11、切割机构12的个数也可以设置一个或两个以上，没有特别限定。
接收部11从树脂成形装置E接收俯视呈矩形状的封装基板S作为切割对象物。所接收的封装基板S载置于预工作台11a上。切割机构12包括移送封装基板S的两个切割用移送机构12a、配置在切割用移送机构12a上的两个切割台12b、以及两个切割部12c。切割用移送机构12a构成为在封装基板S被固定在切割台12b上的状态下，能够在Y方向上移动，并且能够在θ方向上旋转。切割用移送机构12a和切割部12c的驱动源没有特别限定，例如可以使用伺服马达等电动马达。
在切割台12b中，从接收部11接收的封装基板S以被树脂封装的一侧作为下表面，通过空气吸附等被固定。切割部12c包括主轴部12c1和旋转刀片12c2，通过旋转刀片12c2切割固定于切割台12b的封装基板S。另外，在切割台12b的上表面、即固定封装基板S的固定面上，以能够供旋转刀片12c2进入的方式形成有槽。旋转刀片12c2固定于主轴部12c1的旋转轴，构成为能够沿X方向和Z方向移动，并且能够高速旋转。切割用移送机构12a沿Y方向及θ方向移动和旋转，旋转刀片12c2沿X方向及Z方向移动，由此调整旋转刀片12c2与封装基板S的相对位置。一边反复进行该相对位置的调整，一边利用旋转刀片12c2将封装基板S以从上表面朝向下表面贯通的方式切割，形成俯视呈矩形状的多个切割品Sa。此时，也可以一边向旋转刀片12c2与封装基板S的接触部位供给切削水一边进行切割。另外，也可以使切割用移送机构12a或旋转刀片12c2中的任一者移动而进行相对位置的调整。另外，两个切割部12c能够处于主轴部12c1为直线状且旋转刀片12c2相互对置的位置，两个旋转刀片12c2的间隔的距离是可变的，在X方向上也能够移动到两个切割台12b中任一者的上部。
清洗模块2包括清洗机构2A、流体供排机构2B和俯视呈矩形状的回收箱2C。清洗机构2A将多个切割品Sa与水等清洗液一起收纳在容器21内，通过使该容器21旋转而产生液流来清洗多个切割品Sa。流体供排机构2B包括气体供排泵(未图示)，该气体供排泵向清洗机构2A的容器21内供给压缩空气(气体的一例)、或者抽吸后述的流体管42内的空气并将其排出。另外，流体供排机构2B能够从供水源(例如上水道、工厂内的纯水供给管)向容器21内供给清洗液。清洗模块2的细节将在后面叙述。
输送机构4将由切割机构12切割而形成的多个切割品Sa输送到清洗机构2A的容器21。如图2所示，本实施方式中的输送机构4包括：管口41(吸嘴的一例)，由侧视呈三角形状的中空板部件形成；流体管42，气体及液体与切割品Sa一起流通；气体供排泵，设置于流体供排机构2B；以及液体供给机构43。形成于管口41的一端的开口覆盖封装基板S的一边(短边)，形成于管口41的另一端的开口与流体管42连通。管口41利用流体供排机构2B所包含的气体供排泵的驱动力来抽吸切割台12b上的全部的切割品Sa。具体而言，管口41构成为能够沿X方向和Z方向移动，将配置于封装基板S的一边上的一列多个切割品Sa以覆盖形成于一端的开口的方式对位后，一边沿着封装基板S的另一边(长边，X方向)移动一边对全部的切割品Sa进行抽吸。流体管42的一端42a与供给水等液体的液体供给机构43连接，流体管42的另一端42b与容器21的内部连通。该液体供给机构43将来自上述流体供排机构2B的供水源(例如上水道、工厂内的纯水供给管)的液体供给到流体管42内。从管口41抽吸的多个切割品Sa流入流体管42，通过从液体供给机构43供给的液流输送至容器21。
以下，使用图3～图4对清洗模块2的清洗机构2A进行详细说明。
清洗模块2的清洗机构2A包括：容器21，收纳封装基板S被切割而形成的多个切割品Sa；旋转机构22，使容器21旋转；供液机构23，向容器21内供给清洗液；排液机构24，排出容器21内的清洗液；供气机构25，向容器21内供给压缩空气(气体的一例)；排气机构26，排出容器21内的空气(气体的一例)；以及转动反转机构27，使容器21转动和反转。另外，清洗机构2A也可以包括：排出机构28，以在容器21内超过规定的水位时将越过中间筒T(划分壁的一例)的上端面(顶部)的包含切屑等微小垃圾的清洗液排出；以及真空机构29，抽吸上述的输送机构4的流体管42内的空气。
容器21配置成相对于重力方向倾斜规定角度。该规定角度为5°～50°，优选为10°～40°，更优选设定在20°～30°的范围内。容器21包括：有底筒状的内筒21b(内容器的一例)，底壁形成为圆锥形状；以及外筒28a(外容器的一例)，配置在内筒21b的外侧，内筒21b和外筒28a构成为能够一体旋转。在内筒21b的底壁的内表面形成有越接近中央(旋转机构22的旋转轴22b)越朝向重力方向倾斜的倾斜面21b1。
在内筒21b与外筒28a之间以不能旋转的方式固定有中间筒T(划分壁的一例)。内筒21b中，从比侧壁上的中间筒T的上端面稍高的位置(规定的水位)到底壁，形成有大小使得切屑等微小垃圾通过但不能使切割品Sa通过的多个微细孔21c(贯通孔的一例)。即，内筒21b从中间筒T的上端面附近的侧壁到底壁包括网状结构。另外，在内筒21b形成有向径向外侧呈环状延伸的环状凸缘21d，在该环状凸缘21d的下表面形成有在旋转方向观察时包括倾斜面的多个倾斜突起21d1(参照图3的放大图)。中间筒T的底壁以固定有排液机构24的排液管24a的圆锥台形状构成。外筒28a作为排出机构28构成，排出机构28用于在容器21内超过规定的水位时将经由内筒21b的微细孔21c而越过中间筒T的上端面的包含切屑等微小垃圾的清洗液排出。外筒28a的底壁以内插管28a1突出的圆锥台形状构成，内插管28a1以能够相对旋转的方式内插于向排出目的地(例如下水道、工厂内的排出管)排出清洗液的排出管28b(参照图4)。另外，在外筒28a的上端外表面上突出形成有多个倾斜突起28a2，该多个倾斜突起28a2包括相对于内筒21b的倾斜突起21d1的倾斜面而在旋转方向上抵接的倾斜面(参照图3的放大图)。
另外，在清洗模块2设置有封闭内筒21b的上部开口的盖30，设置有使该盖30上下移动的由气缸等构成的盖移动机构31。在盖30上固定有输送机构4的流体管42、供液机构23的供液管23a以及供气机构25的供气管25a。在使盖30紧贴于内筒21b的状态下，从流体管42向内筒21b内通过液流供给多个切割品Sa，从供液管23a向内筒21b内供给清洗液。此时，在内筒21b形成有多个微细孔21c，因此内筒21b内的清洗液向中间筒T内流出，但切割品Sa无法通过微细孔21c。在本实施方式中，由于通过液流将多个切割品Sa供给到内筒21b内，因此能够防止切割品Sa附着于流体管42的管内而残留这样的不良情况。
旋转机构22包括：电动马达22a，使内筒21b及外筒28a围绕旋转轴22b旋转；以及上述内筒21b的倾斜突起21d1及外筒28a的倾斜突起28a2。通过利用电动马达22a的驱动力使外筒28a旋转，外筒28a的倾斜突起28a2与内筒21b的倾斜突起21d1抵接，内筒21b也一体地旋转。内筒21b及外筒28a通过旋转机构22旋转而在网眼结构的内筒21b的内部产生液流，在内筒21b内浸渍在清洗液中的多个切割品Sa被回旋的清洗液清洗。
供液机构23包括供液管23a，该供液管23a的一端与上水道或工厂内的纯水供给管连接且另一端与盖30连接。排液机构24包括排液管24a，该排液管24a的一端与下水道或工厂内的排出管连接且另一端与中间筒T的底壁连接。在供液机构23的供液管23a以及排液机构24的排液管24a分别设置有由电磁阀等构成的开闭阀Va以及开闭阀Vb。
供气机构25包括：气体供排泵，设置于流体供排机构2B；以及供气管25a，一端以能够导入压缩空气等的方式与气体供排泵连接，另一端与盖30连接。排气机构26包括排气管26a，该排气管26a的一端与外部空气连接且另一端经由分支部20a与中间筒T及外筒28a的底壁连接。在供气机构25的供气管25a及排气机构26的排气管26a上分别设置有由电磁阀等构成的开闭阀Vc及开闭阀Vd。此外，供气机构25不需要包括气体供排泵，只要是能够向供气管25a导入压缩空气等的结构即可，例如也可以是工厂内的压缩空气供给用的配管经由电磁阀与供气管25a的一端连接的结构。
转动反转机构27包括：夹紧机构27a，使夹持内筒21b的夹紧部件27a1工作；内筒上下机构27d，使由夹紧部件27a1夹持的内筒21b上下移动；转动机构27b，使内筒21b围绕转动轴27b1转动；以及内筒反转机构27c(反转机构的一例)，使内筒21b围绕反转轴27c1旋转而上下反转。转动反转机构27的驱动源由电动马达、气缸等构成。
排出机构28包括：外筒28a；以及排出管28b，一端与下水道或工厂内的排出管连接，另一端与外筒28a的底壁连接。真空机构29包括：气体供排泵，设置于流体供排机构2B；以及真空管29a，其一端以能够排气的方式与气体供排泵连接且另一端经由分支部20a与中间筒T及外筒28a的底壁连接。在排出机构28的排出管28b和真空机构29的真空管29a上分别设置有由电磁阀等构成的开闭阀Ve和开闭阀Vf。上述排出管28b在分支部20a中与排液管24a合流而向下方延伸，排气管26a和真空管29a在分支部20a中与排出管28b合流而向上方延伸。通过该结构，液体在排液管24a和排出管28b内流动，气体在排气管26a和真空管29a内流通。本实施方式中的分支部20a位于比中间筒T的上端面(越过中间筒T的上端面的最高水位20b)靠上方的位置，切割品Sa的清洗、干燥时越过中间筒T的上端面的清洗液不会因分支部20a与容器21内的最高水位20b的水位差而流入排气管26a及真空管29a。另外，在切割品Sa的清洗中，排液机构24的开闭阀Vb处于闭阀状态时，滞留于排液管24a的清洗液不会因分支部20a与容器21内的最高水位20b的水位差而流入排气管26a及真空管29a。万一滞留于排液管24a的清洗液到达分支部20a的水位的情况下，也从与分支部20a连接的排出管28b排出。此外，真空机构29如果不使外筒28a内成为负压，则不需要包括气体供排泵，只要是能够经由分支部20a从真空管29a排气的结构即可，例如也可以是工厂内的排气管道与真空管29a的一端连接的结构。
[切割品的制造方法]
使用图1至图11对切割品Sa的制造方法进行说明。
如图1所示，用树脂成形装置E树脂成形的封装基板S被输送到接收部11，该封装基板S被载置在预工作台11a上。接着，切割用移送机构12a将从接收部11接收的作为切割对象物的封装基板S以树脂封装的一侧作为下表面而固定在切割台12b上，并移送至切割部12c。然后，通过切割用移送机构12a及切割部12c，调整封装基板S与旋转刀片12c2的相对位置，利用旋转刀片12c2以从上表面朝向下表面贯通的方式对封装基板S进行切割，形成俯视呈矩形状的多个切割品Sa(切割工序)。
接着，输送机构4将由切割机构12切割而形成的多个切割品Sa输送至清洗机构2A的容器21(输送工序)。如图2所示，本实施方式中的输送机构4在停止了位于切割台12b上的切割品Sa的空气吸附的状态下，管口41抽吸切割台12b上的多个切割品Sa而流入流体管42，并通过从液体供给机构43供给的液流输送至容器21，将多个切割品Sa从流体管42的另一端42b收纳到容器21的内部(输送工序、收纳工序)。此时，如图5的输送收纳工序所示，在将供液机构23、排液机构24、供气机构25、排气机构26以及排出机构28的开闭阀Va～Ve设为关闭状态、并将旋转机构22设为非驱动状态的状态下，打开真空机构29的开闭阀Vf。其结果，如图6所示，通过流体供排机构2B所包含的气体供排泵，经由与真空机构29的真空管29a连通的容器21及流体管42使负压作用于管口41，从而抽吸多个切割品Sa(也参照图2)。由此，利用管口41抽吸多个切割品Sa，通过液流输送到容器21，因此即使在切割品Sa的尺寸例如小至不足2mm见方的情况下，也能够一下子抽吸、输送。
接着，清洗机构2A利用供液机构23向容器21(内筒21b)内供给清洗液，由此多个切割品Sa与清洗液一起被收纳在容器21(内筒21b)内，清洗液通过微细孔21c而存在于中间筒T的内侧。然后，通过利用旋转机构22使容器21(内筒21b和外筒28a)旋转来清洗多个切割品Sa(清洗工序)。此时，如图5的清洗工序所示，在将排液机构24及供气机构25的开闭阀Vb、Vc设为关闭状态的情况下，关闭真空机构29的开闭阀Vf，驱动旋转机构22，并且打开供液机构23、排气机构26及排出机构28的开闭阀Va、Vd、Ve。其结果，如图7所示，通过供液机构23向容器21的内筒21b内供给清洗液，通过旋转机构22使容器21旋转，由此清洗多个切割品Sa。另外，经由内筒21b的微细孔21c而越过中间筒T的上端面的包含切屑等微小垃圾的清洗液通过排出机构28排出，内筒21b内的空气通过排气机构26排出。
由此，在本实施方式中，通过使容器21(内筒21b和外筒28a)旋转，在浸渍于清洗液的切割品Sa的周边产生液流，因此能够均匀地清洗切割品Sa的整个区域。即，即使在切割品Sa的尺寸小至不足例如2mm见方的情况下，也能够清洗至各个角落，能够提高清洗效率。另外，由于使供给有清洗液的容器21(内筒21b和外筒28a)旋转，因此切割品Sa的清洗结构简便，清洗液的供给、排出也极其容易。而且，由于容器21相对于重力方向倾斜地配置，因此在使容器21旋转时，多个切割品Sa的位置容易在上下方向上变动，能够提高清洗效率。另外，如果设置有在超过了规定的水位时排出包含切屑等微小垃圾的清洗液的排出机构28，则内筒21b内的水位调整机构简便。
接着，在通过清洗工序对多个切割品Sa进行清洗之后，利用排液机构24及排出机构28将包含切屑等微小垃圾的清洗液排出，利用供气机构25向容器21的内筒21b内供给压缩空气，并且一边利用旋转机构22使容器21(内筒21b及外筒28a)旋转一边使多个切割品Sa干燥(干燥工序)。此时，如图5的干燥工序所示，维持真空机构29的开闭阀Vf的关闭状态、排气机构26和排出机构28的开闭阀Vd、Ve的打开状态，在继续旋转机构22的驱动的状态下关闭供液机构23的开闭阀Va，打开排液机构24和供气机构25的开闭阀Vb、Vc。其结果，如图8所示，利用排液机构24及排出机构28排出容器21内的包含切屑等微小垃圾的清洗液，利用流体供排机构2B的气体供排泵经由供气管25a向容器21的内筒21b内供给压缩空气，一边利用旋转机构22使容器21(内筒21b及外筒28a)旋转一边使多个切割品Sa干燥。即，由于一边使容器21旋转一边对多个切割品Sa进行干燥，因此能够使多个切割品Sa流动而对切割品Sa整个区域进行干燥。此时，内筒21b的底壁的内表面由倾斜面21b1形成，因此在使容器21旋转时，堆积于容器21的底壁中央部分的多个切割品Sa的位置向径向外侧移动。其结果，能够减少多个切割品Sa的重叠，能够提高切割品Sa的干燥效率。这样，即使在切割品Sa的尺寸例如小至不足2mm见方的情况下，也能够有效地使其干燥。而且，若在容器21内完成切割品Sa的清洗以及干燥，则不需要另外设置干燥容器，能够实现清洗模块2(切割装置D)的紧凑化。
接着，关闭排液机构24、供气机构25、排气机构26以及排出机构28的开闭阀Vb～Ve，停止旋转机构22的驱动后，通过转动反转机构27使内筒21b转动和上下反转，取出多个切割品Sa(取出工序)。使用图9～图11对该取出工序进行说明。
如图9所示，通过盖移动机构31使盖30上升，并且在利用夹紧机构27a的夹紧部件27a1夹持内筒21b的状态下，通过内筒上下机构27d使内筒21b上升，使内筒21b从中间筒T脱离。接着，如图10所示，通过转动机构27b使内筒21b围绕转动轴27b1转动而移动到回收箱2C的上方。接着，如图11所示，通过内筒反转机构27c使内筒21b围绕反转轴27c1上下反转，使收纳于内筒21b内的多个切割品Sa下落到回收箱2C而取出。然后，回收收纳于回收箱2C的清洗、干燥完的切割品Sa。这样，使容器21的内筒21b上下反转而取出切割品Sa，因此，不会如以往那样简单地利用刷子将被抽吸的状态的切割品Sa排出，不会出现切割品Sa夹在刷子上或飞散的不良情况。
[其他实施方式]
以下，对于与上述的实施方式相同的部件，为了容易理解，使用相同的术语、符号进行说明。
<1>如图12～图13所示，输送机构4也可以包括收纳多个切割品Sa的收纳部45，将收纳有多个切割品Sa的收纳部45移动至内筒21b，从收纳部45向内筒21b转移多个切割品Sa(输送工序)。更详细而言，本实施方式中的输送机构4包括：移动体44，配置在切割机构12的切割台12b上，能够一边与封装基板S被切割而形成的多个切割品Sa接触一边移动；收纳部45，能够收纳多个切割品Sa；以及驱动机构46，驱动移动体44，这些移动体44、收纳部45以及驱动机构46在输送箱4A内构成为一体单元。另外，输送机构4将输送箱4A输送至清洗机构2A的容器21。
移动体44包括：旋转主体44a，以旋转轴44a1为中心旋转；多个突出部44b，从旋转主体44a的周围向径向外侧突出；以及引导槽44c，支承旋转轴44a1并引导旋转主体44a的滑动移动。多个突出部44b在与切割品Sa接触而从切割台12b分离时不易变形，并由不损伤切割品Sa的尼龙、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等树脂材料构成。通过后述的滑动驱动机构46b，旋转主体44a构成为能够沿着引导槽44c在切割台12b上前进或后退移动。
驱动机构46包括：旋转驱动机构46a，使移动体44旋转驱动；以及滑动驱动机构46b，使移动体44沿着切割台12b的表面滑动移动。该驱动机构46的驱动源由伺服马达等电动马达、气缸等构成。
作为切割品Sa的输送方法，首先，如图12所示，在停止了位于切割台12b上的切割品Sa的空气吸附的状态下，使封装基板S被切割而形成的多个切割品Sa与通过旋转驱动机构46a旋转后的移动体44的突出部44b接触而从切割台12b分离。接着，在移动体44的突出部44b与切割品Sa接触的状态下，通过滑动驱动机构46b使移动体44前进，将切割品Sa朝向收纳部45推出。此时，由旋转驱动机构46a旋转的移动体44的突出部44b与下一个切割品Sa接触而从切割台12b分离。反复进行切割台12b上的切割品Sa的分离和推出，将全部的多个切割品Sa最终收纳于收纳部45。
接着，输送机构4将输送箱4A(收纳有多个切割品Sa的收纳部45)以容器21的开口成为收纳部45的下方的方式输送至清洗机构2A的容器21的附近。接着，输送机构4使输送箱4A倾动的同时使其振动，使多个切割品Sa下落到容器21内。这样，若在转移到内筒21b之前将切割品Sa收纳于收纳部45，则仅输送收纳有多个切割品Sa的收纳部45即可，能够提高输送效率。而且，若使输送箱4A倾动而振动，则能够一次将多个切割品Sa收纳于容器21，因此与通过液流、抽吸来输送切割品Sa的情况相比，不易产生切割品Sa的回收不良。另外，在图12～图13所示的结构中，与上述的实施方式中的切割后的切割品Sa的输送以及向容器21的收纳的说明不同。即，不是将多个切割品Sa从流体管42的另一端42b收纳于容器21的内部，而是将多个切割品Sa从输送机构4的输送箱4A直接收纳于容器21的内部。
<2>在上述实施方式中，在容器21内设置有中间筒T，但也可以省略中间筒T而使从形成于内筒21b的侧壁(划分壁的一例)的排出孔流出的清洗液通过排出机构28排出。在该情况下，排液机构24的排液管24a与内筒21b连接。另外，也可以省略中间筒T和外筒28a，仅由内筒21b构成容器21，通过供液机构23、排液机构24控制清洗液的供给量。
<3>在上述的实施方式中，通过供气机构25向容器21的内筒21b内供给空气而使多个切割品Sa干燥，但也可以在容器21外设置使多个切割品Sa干燥的干燥装置。
<4>在上述的实施方式中，通过转动反转机构27使容器21的内筒21b转动和反转而使多个切割品Sa下落，但也可以省略转动反转机构27，通过抽吸等方式取出容器21内的切割品Sa。
<5>在上述的实施方式中，在干燥工序中，一边利用旋转机构22使容器21(中间筒T)旋转，一边利用由供气机构25供给的压缩空气使多个切割品Sa干燥，但也可以在停止了容器21的旋转的状态下利用由供气机构25供给的压缩空气使多个切割品Sa干燥。
<6>在上述的实施方式中的输送机构4中，将液体供给机构43与流体管42的一端42a连接，通过液流来输送多个切割品Sa，但也可以省略液体供给机构43，仅通过利用真空机构29的抽吸来输送多个切割品Sa。
<7>在上述<1>所示的输送机构4中，将输送箱4A输送至容器21，但也可以通过抽吸、液流将由移动体44从切割台12b分离的多个切割品Sa输送至容器21。
<8>在上述的实施方式中，通过旋转机构22使容器21的内筒21b及外筒28a旋转，但也可以仅使容器21的内筒21b旋转，还可以使容器21的内筒21b及中间筒T旋转，旋转对象没有特别限定。
<9>在上述的实施方式中，将供液管23a的一端连接于上水道或工厂内的纯水供给管，将排液管24a及排出管28b的一端连接于下水道或工厂内的排出管，但也可以在流体供排机构2B设置清洗液槽，将供液管23a、排液管24a及排出管28b的一端连接于清洗液槽，使清洗液循环。在该情况下，优选在供液管23a或排液管24a以及排出管28b设置用于过滤清洗液的过滤机构。
<10>也可以不使容器21相对于重力方向倾斜，而是沿着重力方向呈直立姿势。另外，内筒21b的底壁也可以不设置倾斜面21b1而平坦地形成。
[上述实施方式的概要]
以下，对在上述实施方式中说明的清洗模块2、切割装置D以及切割品Sa的制造方法的概要进行说明。
(1)清洗模块2的特征结构在于，包括：容器21，收纳封装基板S被切割而形成的多个切割品Sa；旋转机构22，使容器21旋转；供液机构23，向容器21内供给清洗液；以及排液机构24，将容器21内的清洗液排出，多个切割品Sa在浸渍于清洗液的状态下在通过旋转机构22旋转的容器21内被清洗。
根据本结构，在通过旋转机构22旋转的容器21内产生回旋的液流，利用清洗液对多个切割品Sa进行清洗。即，并非如以往那样对静止状态的切割品Sa吹送清洗液，或按压清洗刷进行清洗，而是在将切割品Sa浸渍于清洗液的状态下进行清洗，因此能够防止切割品Sa的芯片移位、飞散，能够均匀地清洗切割品Sa的整个区域。其结果，即使切割品Sa的尺寸小，也能够清洗至各个角落，能够提高清洗效率。
另外，由于使供给有清洗液的容器21旋转，因此切割品Sa的清洗结构简便，清洗液的供给、排出也极其容易。这样，可提供能够提高清洗效率的清洗模块2。
(2)还可以包括：供气机构25，向容器21内供给压缩空气(气体)；以及排气机构26，排出容器21内的空气(气体)。
若如本结构那样包含供气机构25和排气机构26，则能够在容器21内使清洗后的切割品Sa干燥。其结果，不需要在容器21外另外设置干燥容器，能够实现清洗模块2的紧凑化。
(3)还可以包括：转动反转机构27(反转机构)，使内筒21b(容器21)上下反转。
若如本结构那样设置使内筒21b反转的转动反转机构27，则能够顺畅地进行切割品Sa的排出。另外，由于不像以往那样用刷子将被抽吸的状态的切割品Sa排出，因此不存在切割品Sa被刷子夹住或飞散的不良情况。
(4)容器21包括：内筒21b(内容器)，至少在底壁形成有切割品Sa不能通过的大小的微细孔21c(贯通孔)；以及外筒28a(外容器)，配置在内筒21b的外侧，在内筒21b与外筒28a之间形成有中间筒T(划分壁)，供给到内筒21b的清洗液通过微细孔21c而存在于内筒21b及中间筒T的内侧，本结构还可以包括排出机构28，排出机构28将清洗液中的越过中间筒T的顶部的清洗液从外筒28a排出。
如本结构那样，若设置将越过中间筒T的顶部的清洗液从外筒28a排出的排出机构28，则使得用于调整水位的机构简单。
(5)容器21也可以相对于重力方向倾斜地配置。
若如本结构那样容器21相对于重力方向倾斜地配置，则在使容器21旋转时，多个切割品Sa的位置容易在上下方向上变动。即，由于多个切割品Sa的流动性提高，因此能够提高切割品Sa的清洗效率、干燥效率。
(6)内筒21b(容器21)的底壁的内表面也可以由越接近旋转机构22的旋转轴22b则越朝向重力方向倾斜的倾斜面21b1形成。
如本结构那样，若内筒21b的底壁的内表面由倾斜面21b1形成，则在使容器21旋转时，堆积在容器21的底壁中央部分的多个切割品Sa的位置向径向外侧移动。其结果，能够减少多个切割品Sa的重叠，能够提高切割品Sa的清洗效率、干燥效率。
(7)切割装置D的特征结构在于，包括：上述(1)～(6)中任一项所述的清洗模块2；切割机构12，切割封装基板S；以及输送机构4，将由切割机构12切割而形成的多个切割品Sa输送到容器21。
在本结构中，由于包含清洗效率高的清洗模块2，并且包含向用于清洗的容器21输送切割品Sa的输送机构4，因此能够提供清洗效率高的切割装置D。
(8)输送机构4也可以利用管口41(吸嘴)抽吸多个切割品Sa而输送到容器21。
在本结构中，由于利用管口41抽吸切割品Sa而向容器21输送，因此即使在切割品Sa的尺寸小的情况下也能够一下子抽吸、输送。
(9)输送机构4也可以通过液流将多个切割品Sa输送到容器21。
如本结构那样，若通过液流将切割品Sa输送到容器21，则能够顺畅地输送切割品Sa。
(10)输送机构4也可以包括收纳多个切割品Sa的收纳部45，将收纳有多个切割品Sa的收纳部45输送至容器21的附近，并从收纳部45向容器21转移多个切割品Sa。
如本结构那样，若在转移至容器21之前将切割品Sa收纳于收纳部45，则仅输送收纳有多个切割品Sa的收纳部45即可，能够提高输送效率。
(11)切割品Sa的制造方法的特征在于，包括：切割工序，切割封装基板S而形成多个切割品Sa；收纳工序，将多个切割品Sa收纳于容器21；清洗工序，向容器21内供给清洗液，使容器21旋转而清洗多个切割品Sa；以及取出工序，使内筒21b(容器21)上下反转而取出多个切割品Sa。
根据本方法，在通过旋转机构22旋转的容器21内产生液流，利用清洗液对多个切割品Sa进行清洗。即，并非如以往那样对静止状态的切割品Sa吹送清洗液，或者按压清洗刷进行清洗，而是在将切割品Sa浸渍于清洗液的状态下进行清洗，因此能够防止切割品Sa的芯片移位、飞散，能够均匀地清洗切割品Sa的整个区域。其结果，即使切割品Sa的尺寸小，也能够清洗至各个角落，能够提高清洗效率。另外，由于使内筒21b上下反转而取出切割品Sa，因此，不存在如以往那样用刷子将被抽吸的状态的切割品Sa排出的不良情况，不会出现切割品Sa夹在刷子上或飞散的不良情况。
(12)还可以包括：干燥工序，在通过清洗工序清洗了多个切割品Sa之后排出清洗液，向容器21内供给压缩空气(气体)以使上述容器旋转的同时使多个切割品Sa干燥。
如本方法那样，若在容器21内完成切割品Sa的清洗和干燥，则不需要另外设置干燥容器，能够实现切割装置D的紧凑化。而且，由于一边使容器21旋转一边对多个切割品Sa进行干燥，因此能够使多个切割品Sa流动而对切割品Sa整个区域进行干燥。
(13)在切割工序之后且在清洗工序之前还可以包括将多个切割品Sa输送至容器21的输送工序，输送工序可以利用管口41(吸嘴)抽吸多个切割品Sa而输送到容器21。
在本方法中，由于利用管口41抽吸切割品Sa而向容器21输送，因此即使在切割品Sa的尺寸小的情况下也能够一下子抽吸、输送。
(14)在切割工序之后且在清洗工序之前还可以包括将多个切割品Sa输送至容器21的输送工序，输送工序可以通过液流将多个切割品Sa输送到容器21。
如本方法那样，若通过液流将切割品Sa输送到容器21，则能够顺畅地输送切割品Sa。
(15)在切割工序之后且在清洗工序之前还可以包括将多个切割品Sa输送至容器21的输送工序，输送工序可以在将多个切割品Sa收纳于收纳部45并将收纳部45输送至容器21的附近之后，将多个切割品Sa从收纳部45转移到容器21。
如本方法那样，若在转移至容器21之前将切割品Sa收纳于收纳部45，则仅输送收纳有多个切割品Sa的收纳部45即可，能够提高输送效率。
此外，上述的实施方式(包括其他实施方式，以下相同)所公开的结构只要不产生矛盾，就能够与在其他实施方式中公开的结构组合来应用。另外，在本说明书中公开的实施方式是例示，本发明的实施方式并不限定于此，能够在不脱离本发明的目的的范围内适当改变。
工业应用性
本发明能够用于清洗模块、包含清洗模块的切割装置以及切割品的制造方法，特别是在切割品的尺寸小至不足2mm见方的情况下是有效的。
符号说明
1：切割模块
2：清洗模块
2A：清洗机构
3：控制部
4：输送机构
12：切割机构
21：容器
21b：内筒(内容器)
21b1：倾斜面
21c：微细孔(贯通孔)
22：旋转机构
22b：旋转轴
23：供液机构
24：排液机构
25：供气机构
26：排气机构
27：转动反转机构
27a：夹紧机构
27b：转动机构
27c：内筒反转机构(反转机构)
27d：内筒上下机构
28：排出机构
28a：外筒(外容器)
29：真空机构
41：管口(吸嘴)
42：流体管
43：液体供给机构
44：移动体
45：收纳部
D：切割装置
E：树脂成形装置
S：封装基板
Sa：切割品
T：中间筒(划分壁)

Claims (15)

1.一种清洗模块，包括：
容器，收纳封装基板被切割而形成的多个切割品；
旋转机构，使所述容器旋转；
供液机构，向所述容器内供给清洗液；以及
排液机构，排出所述容器内的所述清洗液，
多个所述切割品在浸渍于所述清洗液的状态下，在通过所述旋转机构旋转的所述容器内被清洗。
2.根据权利要求1所述的清洗模块，还包括：
供气机构，向所述容器内供给气体；以及
排气机构，排出所述容器内的所述气体。
3.根据权利要求1或2所述的清洗模块，还包括：
反转机构，使所述容器上下反转。
4.根据权利要求1或2所述的清洗模块，其中，
所述容器包括：内容器，至少在底壁形成有所述切割品不能通过的大小的贯通孔；以及外容器，配置在该内容器的外侧，
在所述内容器与所述外容器之间形成有划分壁，供给到所述内容器的所述清洗液通过所述贯通孔而存在于所述内容器和所述划分壁的内侧，
所述清洗模块还包括排出机构，所述排出机构将所述清洗液中的越过所述划分壁的顶部的所述清洗液从所述外容器排出。
5.根据权利要求1或2所述的清洗模块，其中，
所述容器相对于重力方向倾斜地配置。
6.根据权利要求1或2所述的清洗模块，其中，
所述容器的底壁的内表面由倾斜面形成，所述倾斜面越接近所述旋转机构的旋转轴则越朝向重力方向倾斜。
7.一种切割装置，包括：
权利要求1至6中任一项所述的清洗模块；
切割机构，切割所述封装基板；以及
输送机构，将由所述切割机构切割而形成的多个所述切割品输送到所述容器。
8.根据权利要求7所述的切割装置，其中，
所述输送机构利用吸嘴抽吸多个所述切割品并输送到所述容器。
9.根据权利要求7或8所述的切割装置，其中，
所述输送机构通过液流将多个所述切割品输送到所述容器。
10.根据权利要求7所述的切割装置，其中，
所述输送机构包括收纳多个所述切割品的收纳部，将收纳有多个所述切割品的所述收纳部输送至所述容器的附近，从所述收纳部向所述容器转移多个所述切割品。
11.一种切割品的制造方法，包括：
切割工序，切割封装基板而形成多个切割品；
收纳工序，将多个所述切割品收纳在容器中；
清洗工序，向所述容器内供给清洗液，使所述容器旋转来清洗多个所述切割品；以及
取出工序，使所述容器上下反转，取出多个所述切割品。
12.根据权利要求11所述的切割品的制造方法，还包括：
干燥工序，在通过所述清洗工序清洗了多个所述切割品之后，排出所述清洗液，向所述容器内供给气体以使所述容器旋转的同时使多个所述切割品干燥。
13.根据权利要求11或12所述的切割品的制造方法，其中，
在所述切割工序之后且在所述清洗工序之前还包括将多个所述切割品输送到所述容器的输送工序，
所述输送工序利用吸嘴抽吸多个所述切割品并输送到所述容器。
14.根据权利要求11或12所述的切割品的制造方法，其中，
在所述切割工序之后且在所述清洗工序之前还包括将多个所述切割品输送到所述容器的输送工序，
所述输送工序通过液流将多个所述切割品输送到所述容器。
15.根据权利要求11或12所述的切割品的制造方法，其中，
在所述切割工序之后且在所述清洗工序之前还包括将多个所述切割品输送到所述容器的输送工序，
所述输送工序将多个所述切割品收纳于收纳部，将该收纳部输送至所述容器的附近之后，从所述收纳部向所述容器转移多个所述切割品。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113725159A (zh) * 2021-08-03 2021-11-30 安徽富信半导体科技有限公司 一种半导体元件晶圆切割方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07127972A (ja) * 1993-11-01 1995-05-19 Hirose Datsusuiki Seisakusho:Kk 横転式遠心洗浄乾燥装置
JPH08238464A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ricoh Elemex Corp 回転バスケット及びこれを備えた洗浄及び／又は乾燥装置
US20020134408A1 (en) * 2001-03-22 2002-09-26 Christison Pamela L. Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method
CN107104079A (zh) * 2016-02-22 2017-08-29 株式会社迪思科 加工方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209342A (en) * 1978-07-03 1980-06-24 Sperry Corporation Dynamic cleaning method and apparatus for removal of remnant material
JP2640786B2 (ja) * 1991-04-30 1997-08-13 パナック工業株式会社 チップ洗浄装置
JP2895328B2 (ja) * 1992-10-13 1999-05-24 ローム株式会社 半導体装置の製法
JP3761361B2 (ja) * 1999-01-12 2006-03-29 富士通株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3749095B2 (ja) * 2000-08-08 2006-02-22 Ｔｄｋ株式会社 チップ型電子部品分離洗浄乾燥装置
JP2004207424A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
JP5285217B2 (ja) * 2006-11-27 2013-09-11 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の製造装置及び製造方法
CN105278048B (zh) 2014-07-25 2017-05-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光纤连接器组装治具
JP2017084893A (ja) * 2015-10-26 2017-05-18 株式会社ディスコ 分割装置
CN107243477A (zh) * 2017-05-26 2017-10-13 深圳市科伟达超声波设备有限公司 一种零件清洗系统和清洗方法
JP7018323B2 (ja) 2018-01-22 2022-02-10 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置、及び製品の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07127972A (ja) * 1993-11-01 1995-05-19 Hirose Datsusuiki Seisakusho:Kk 横転式遠心洗浄乾燥装置
JPH08238464A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ricoh Elemex Corp 回転バスケット及びこれを備えた洗浄及び／又は乾燥装置
US20020134408A1 (en) * 2001-03-22 2002-09-26 Christison Pamela L. Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method
CN107104079A (zh) * 2016-02-22 2017-08-29 株式会社迪思科 加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113725159A (zh) * 2021-08-03 2021-11-30 安徽富信半导体科技有限公司 一种半导体元件晶圆切割方法

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