TW202118557A - 清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法 - Google Patents

清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202118557A
TW202118557A TW109137486A TW109137486A TW202118557A TW 202118557 A TW202118557 A TW 202118557A TW 109137486 A TW109137486 A TW 109137486A TW 109137486 A TW109137486 A TW 109137486A TW 202118557 A TW202118557 A TW 202118557A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
container
cleaning
cut
cut products
cutting
Prior art date
Application number
TW109137486A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI765388B (zh
Inventor
宮田和志
黃善夏
石橋幹司
森下慎也
大西將馬
堀本京太郎
尾關貴俊
Original Assignee
日商Towa股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Towa股份有限公司 filed Critical 日商Towa股份有限公司
Publication of TW202118557A publication Critical patent/TW202118557A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI765388B publication Critical patent/TWI765388B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/044Cleaning involving contact with liquid using agitated containers in which the liquid and articles or material are placed
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02076Cleaning after the substrates have been singulated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

本發明提供一種清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法,即使在切割品之尺寸小之情況下亦能夠提高清洗效率。清洗模組包含:容器(21),其收納封裝基板被切割而形成之多個切割品(Sa);旋轉機構(22),其使容器(21)旋轉;供液機構(23),其向容器(21)內供給清洗液;以及排液機構(24),其排出容器(21)內之清洗液;多個切割品(Sa)在浸漬於清洗液之狀態下,在藉由旋轉機構(22)旋轉之容器(21)內被清洗。

Description

清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法
本發明係關於一種清洗模組、包括清洗模組之切割裝置以及切割品之製造方法。
搭載有晶片的引線框架、基板等通常藉由樹脂封裝而用作電子部件。以往,習知有如下切割裝置:在將以搭載多個晶片之方式佈線之基板共同進行樹脂封裝而製造封裝基板後,將該封裝基板切割(單片化)而製造多個切割品(電子部件)(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載之切割裝置包含:切削單元,其將封裝基板切割為多個切割品;輸送單元,其抽吸並輸送多個切割品;上表面清洗單元,其利用噴射之清洗液對多個切割品之上表面進行清洗;下表面清洗單元,其利用由海綿等構成之清洗輥對多個切割品之下表面進行清洗;以及乾燥單元,其利用加熱器或暖風對多個切割品之上表面及下表面進行乾燥。切割、清洗、乾燥後之多個切割品用刷子刷落至去毛刺容器中,擺動機構使去毛刺容器擺動,由此對切割品賦予振動而除去毛刺。 在先技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開2017-084893號公報。
發明所要解決之問題
在以往的切割裝置中,對封裝基板被切割而形成之多個切割品進行輸送、清洗、乾燥,但若切割品之尺寸小至不足例如2 mm見方,則輸送等變得困難。特定言之,若切割品之尺寸變小,則在清洗時容易發生晶片移位(切割品自抽吸位置移動)、切割品之飛散。
因此,期望即使在切割品之尺寸小之情況下,亦能夠提高清洗效率之清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法。 用於解決問題之手段
本發明涉及之清洗模組之特徵結構在於,包含:容器,其收納封裝基板被切割而形成之多個切割品;旋轉機構,其使該容器旋轉;供液機構,其向該容器內供給清洗液;以及排液機構,其排出該容器內之該清洗液,多個該等切割品在浸漬於該清洗液之狀態下,在藉由該旋轉機構旋轉之該容器內被清洗。
本發明涉及之切割裝置之特徵結構在於,包含:該清洗模組;切割機構,其切割該封裝基板;以及輸送機構,其將由該切割機構切割而形成之多個該等切割品輸送至該容器。
本發明涉及之切割品之製造方法的特徵在於,包含:切割工序,其切割封裝基板而形成多個切割品;收納工序,其將多個該等切割品收納在容器中;清洗工序,其向該容器內供給清洗液,使該容器旋轉來清洗多個該等切割品;以及取出工序,其使該容器上下反轉,取出多個該等切割品。 發明效果
根據本發明,提供一種清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法,即使在切割品之尺寸小之情況下亦能夠提高清洗效率。
以下,基於圖式對本發明涉及之清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法的實施方式進行說明。但是,並不限於以下的實施方式,在不脫離其主旨之範疇內能夠進行各種變形。
[裝置結構] 搭載有晶片之引線框架、基板等成形對象物藉由進行樹脂封裝而用作電子部件。作為對成形對象物進行樹脂封裝之技術,可舉出壓縮方式或轉移方式。壓縮方式例如係在脫模膜上供給液態或粉粒體狀之樹脂後,將該脫模膜載置於成形模具之腔中,並將成形對象物浸漬在脫模膜上之樹脂中進行樹脂成形的方式。轉移方式例如係將成形對象物收納於成形模具之腔中,向成形模具之罐供給樹脂料片而進行加熱、熔融後,將熔融樹脂供給至腔而進行樹脂成形的方式。
關於壓縮方式或轉移方式之樹脂成形裝置,自製造效率化之觀點出發,有時使用製造將以搭載多個晶片之方式佈線之基板共同進行樹脂封裝之模具陣列封裝(mold array packaging,MAP)等封裝基板的裝置。在該裝置中製造封裝基板後,利用切割裝置切割(單片化),所形成之切割品在經過品質檢查之後被用作電子部件。在切割裝置中,對封裝基板被切割而形成之多個切割品進行輸送、清洗、乾燥,但若切割品之尺寸小至例如不足2 mm見方,則輸送等變得困難。特定言之,若切割品之尺寸變小,則在清洗時容易發生晶片移位(切割品自抽吸位置移動)、切割品之飛散。因此,在本實施方式中,提供即使在切割品之尺寸小之情況下亦能夠提高清洗效率的清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法。以下,將搭載有多個半導體晶片之封裝基板作為切割對象物之一例進行說明,有時將重力方向作為下方、將與重力方向相反之方向作為上方進行說明。
圖1中展示切割裝置D之示意圖。本實施方式中之切割裝置D與樹脂成形裝置E分體構成,接收由樹脂成形裝置E進行了樹脂封裝之封裝基板S,將該封裝基板S切割、清洗、乾燥,製造多個切割品Sa。該等製造出之切割品Sa在經過了規定之品質檢查之後被用作電子部件。
切割裝置D包含切割模組1、清洗模組2以及控制部3。切割模組1及清洗模組2能夠獨立地安裝或拆卸。另外,切割裝置D在切割模組1及清洗模組2之範圍內包含輸送機構4。控制部3作為控制切割裝置D之動作之軟體,包括儲存於硬碟機(Hard Disk Drive,HDD)、記憶體等硬體之程式,藉由電腦之中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)執行。亦即,控制部3控制切割模組1、清洗模組2以及輸送機構4之動作。
切割模組1包含接收部11及切割機構12。此外,接收部11、切割機構12之個數亦可以設定成一個或兩個以上,沒有特別限定。
接收部11自樹脂成形裝置E接收俯視呈矩形狀之封裝基板S作為切割對象物。所接收之封裝基板S載置於預工作台11a上。切割機構12包含移送封裝基板S之兩個切割用移送機構12a、配置在切割用移送機構12a上之兩個切割台12b、以及兩個切割部12c。切割用移送機構12a構成為在封裝基板S被固定在切割台12b上之狀態下,能夠在Y方向上移動,並且能夠在θ方向上旋轉。切割用移送機構12a及切割部12c之驅動源沒有特別限定,例如可以使用伺服馬達等電動馬達。
在切割台12b中,自接收部11接收之封裝基板S以被樹脂封裝之一側作為下表面,藉由空氣吸附等被固定。切割部12c包含主軸部12c1及旋轉刀片12c2,藉由旋轉刀片12c2切割固定於切割台12b之封裝基板S。另外,在切割台12b之上表面、亦即固定封裝基板S之固定面上,以能夠供旋轉刀片12c2進入之方式形成有槽。旋轉刀片12c2固定於主軸部12c1之旋轉軸,構成為能夠沿X方向及Z方向移動,並且能夠高速旋轉。切割用移送機構12a沿Y方向及θ方向移動及旋轉,旋轉刀片12c2沿X方向及Z方向移動,由此調整旋轉刀片12c2與封裝基板S之相對位置。一邊反覆進行該相對位置之調整,一邊利用旋轉刀片12c2將封裝基板S以自上表面朝向下表面貫通之方式切割,形成俯視呈矩形狀之多個切割品Sa。此時,亦可以一邊向旋轉刀片12c2與封裝基板S之接觸部位供給切削水,一邊進行切割。另外,亦可以使切割用移送機構12a或旋轉刀片12c2中之任一者移動而進行相對位置之調整。另外,兩個切割部12c能夠處於主軸部12c1為直線狀且旋轉刀片12c2相互對置的位置,兩個旋轉刀片12c2之間隔距離係可變的,在X方向上亦能夠移動至兩個切割台12b中任一者之上部。
清洗模組2包含清洗機構2A、流體供排機構2B及俯視呈矩形狀之回收箱2C。清洗機構2A將多個切割品Sa與水等清洗液一起收納在容器21內,藉由使該容器21旋轉而產生液流來清洗多個切割品Sa。流體供排機構2B包含氣體供排泵(未圖示),該氣體供排泵向清洗機構2A之容器21內供給壓縮空氣(氣體之一例)、或者抽吸後述之流體管42內之空氣並將其排出。另外,流體供排機構2B能夠自供水源(例如自來水道、工廠內之純水供給管)向容器21內供給清洗液。清洗模組2之細節將在後面敍述。
輸送機構4將由切割機構12切割而形成之多個切割品Sa輸送至清洗機構2A之容器21。如圖2所示,本實施方式中之輸送機構4包含:管口41(吸嘴之一例),由側視呈三角形狀之中空板部件形成;流體管42,氣體及液體與切割品Sa一起流通;氣體供排泵,設置於流體供排機構2B;以及液體供給機構43。形成於管口41之一端之開口覆蓋封裝基板S之一邊(短邊),形成於管口41之另一端之開口與流體管42連通。管口41利用流體供排機構2B所包括之氣體供排泵之驅動力來抽吸切割台12b上之全部的切割品Sa。具體而言,管口41構成為能夠沿X方向及Z方向移動,將配置於封裝基板S之一邊上之一行多個切割品Sa以覆蓋形成於一端之開口的方式對位後,一邊沿著封裝基板S之另一邊(長邊,X方向)移動一邊對全部的切割品Sa進行抽吸。流體管42之一端42a與供給水等液體之液體供給機構43連接,流體管42之另一端42b與容器21之內部連通。該液體供給機構43將來自上述流體供排機構2B之供水源(例如自來水道、工廠內之純水供給管)的液體供給至流體管42內。自管口41抽吸之多個切割品Sa流入流體管42,藉由自液體供給機構43供給之液流輸送至容器21。
以下,使用圖3至圖4對清洗模組2之清洗機構2A進行詳細說明。
清洗模組2之清洗機構2A包含:容器21,收納封裝基板S被切割而形成之多個切割品Sa;旋轉機構22,使容器21旋轉;供液機構23,向容器21內供給清洗液;排液機構24,排出容器21內之清洗液;供氣機構25,向容器21內供給壓縮空氣(氣體之一例);排氣機構26,排出容器21內之空氣(氣體之一例);以及轉動反轉機構27,使容器21轉動及反轉。另外,清洗機構2A還可以包含:排出機構28,以在容器21內超過規定之水位時將越過中間筒T(劃分壁之一例)之上端面(頂部)的包括切屑等微小垃圾之清洗液排出;以及真空機構29,抽吸上述的輸送機構4之流體管42內之空氣。
容器21配製成相對於重力方向傾斜規定角度。該規定角度為5°至50°,較佳為10°至40°,更佳設定在20°至30°之範圍內。容器21包含:有底筒狀之內筒21b(內容器之一例),底壁形成為圓錐形狀;以及外筒28a(外容器之一例),配置在內筒21b之外側,內筒21b及外筒28a構成為能夠一體旋轉。在內筒21b之底壁之內表面形成有愈接近中央(旋轉機構22之旋轉軸22b)愈朝向重力方向傾斜的傾斜面21b1。
在內筒21b與外筒28a之間以不能旋轉之方式固定有中間筒T(劃分壁之一例)。在內筒21b中,自比側壁上之中間筒T之上端面稍高的位置(規定的水位)至底壁,形成有大小使得切屑等微小垃圾通過但不能使切割品Sa通過的多個微細孔21c(貫通孔之一例)。亦即,內筒21b自中間筒T之上端面附近之側壁至底壁包含網狀結構。另外,在內筒21b形成有向徑向外側呈環狀延伸之環狀凸緣21d,在該環狀凸緣21d之下表面形成有在旋轉方向觀察時包含傾斜面之多個傾斜突起21d1(參照圖3之放大圖)。中間筒T之底壁以固定有排液機構24之排液管24a之圓錐台形狀構成。外筒28a作為排出機構28構成,排出機構28用於在容器21內超過規定的水位時將經由內筒21b之微細孔21c而越過中間筒T之上端面的包括切屑等微小垃圾之清洗液排出。外筒28a之底壁以內插管28a1突出之圓錐台形狀構成,內插管28a1以能夠相對旋轉之方式內插於向排出目的地(例如下水道、工廠內之排出管)排出清洗液的排出管28b(參照圖4)。另外,在外筒28a之上端外表面上突出形成有多個傾斜突起28a2,該多個傾斜突起28a2包含相對於內筒21b之傾斜突起21d1之傾斜面而在旋轉方向上抵接之傾斜面(參照圖3之放大圖)。
另外,在清洗模組2設置有封閉內筒21b之上部開口之蓋30,設置有使該蓋30上下移動的由氣缸等構成之蓋移動機構31。在蓋30上固定有輸送機構4之流體管42、供液機構23之供液管23a以及供氣機構25之供氣管25a。在使蓋30緊貼於內筒21b之狀態下,自流體管42向內筒21b內藉由液流供給多個切割品Sa,自供液管23a向內筒21b內供給清洗液。此時,在內筒21b形成有多個微細孔21c,因此內筒21b內之清洗液向中間筒T內流出,但切割品Sa無法通過微細孔21c。在本實施方式中,由於藉由液流將多個切割品Sa供給至內筒21b內,因此能夠防止切割品Sa附著於流體管42之管內而殘留這樣的不良情況。
旋轉機構22包含:電動馬達22a,使內筒21b及外筒28a圍繞旋轉軸22b旋轉;以及上述內筒21b之傾斜突起21d1及外筒28a之傾斜突起28a2。藉由利用電動馬達22a之驅動力使外筒28a旋轉,外筒28a之傾斜突起28a2與內筒21b之傾斜突起21d1抵接,內筒21b亦一體地旋轉。內筒21b及外筒28a藉由旋轉機構22旋轉而在網眼結構之內筒21b的內部產生液流,在內筒21b內浸漬在清洗液中之多個切割品Sa被迴旋的清洗液清洗。
供液機構23包含供液管23a,該供液管23a之一端與自來水道或工廠內之純水供給管連接且另一端與蓋30連接。排液機構24包含排液管24a,該排液管24a之一端與下水道或工廠內之排出管連接且另一端與中間筒T之底壁連接。在供液機構23之供液管23a以及排液機構24之排液管24a分別設置有由電磁閥等構成之開閉閥Va以及開閉閥Vb。
供氣機構25包含:氣體供排泵,設置於流體供排機構2B;以及供氣管25a,一端以能夠導入壓縮空氣等的方式與氣體供排泵連接,另一端與蓋30連接。排氣機構26包含排氣管26a,該排氣管26a之一端與外部空氣連接且另一端經由分支部20a與中間筒T及外筒28a之底壁連接。在供氣機構25之供氣管25a及排氣機構26之排氣管26a上分別設置有由電磁閥等構成之開閉閥Vc及開閉閥Vd。此外,供氣機構25不需要包含氣體供排泵,只要係能夠向供氣管25a導入壓縮空氣等的結構即可,例如亦可以係工廠內之壓縮空氣供給用的配管經由電磁閥與供氣管25a之一端連接的結構。
轉動反轉機構27包含:夾緊機構27a,使夾持內筒21b之夾緊部件27a1工作;內筒上下機構27d,使由夾緊部件27a1夾持之內筒21b上下移動;轉動機構27b,使內筒21b圍繞轉動軸27b1轉動;以及內筒反轉機構27c(反轉機構之一例),使內筒21b圍繞反轉軸27c1旋轉而上下反轉。轉動反轉機構27之驅動源由電動馬達、氣缸等構成。
排出機構28包含:外筒28a;以及排出管28b,一端與下水道或工廠內之排出管連接,另一端與外筒28a之底壁連接。真空機構29包含:氣體供排泵,設置於流體供排機構2B;以及真空管29a,其一端以能夠排氣之方式與氣體供排泵連接且另一端經由分支部20a與中間筒T及外筒28a之底壁連接。在排出機構28之排出管28b及真空機構29之真空管29a上分別設置有由電磁閥等構成之開閉閥Ve及開閉閥Vf。上述排出管28b在分支部20a中與排液管24a合流而向下方延伸,排氣管26a及真空管29a在分支部20a中與排出管28b合流而向上方延伸。藉由該結構,液體在排液管24a及排出管28b內流動,氣體在排氣管26a及真空管29a內流通。本實施方式中之分支部20a位於比中間筒T之上端面(越過中間筒T之上端面之最高水位20b)靠上方的位置,切割品Sa之清洗、乾燥時越過中間筒T之上端面之清洗液不會因分支部20a與容器21內之最高水位20b的水位差而流入排氣管26a及真空管29a。另外,在切割品Sa之清洗中,排液機構24之開閉閥Vb處於閉閥狀態時,滯留於排液管24a之清洗液不會因分支部20a與容器21內之最高水位20b的水位差而流入排氣管26a及真空管29a。萬一滯留於排液管24a之清洗液達到分支部20a之水位之情況下,亦自與分支部20a連接之排出管28b排出。此外,真空機構29若不使外筒28a內成為負壓,則不需要包含氣體供排泵,只要係能夠經由分支部20a自真空管29a排氣之結構即可,例如亦可以係工廠內之排氣管道與真空管29a之一端連接的結構。
[切割品之製造方法] 使用圖1至圖11對切割品Sa之製造方法進行說明。
如圖1所示,用樹脂成形裝置E樹脂成形之封裝基板S被輸送至接收部11,該封裝基板S被載置在預工作台11a上。接著,切割用移送機構12a將自接收部11接收之作為切割對象物的封裝基板S以樹脂封裝之一側作為下表面而固定在切割台12b上,並移送至切割部12c。然後,藉由切割用移送機構12a及切割部12c,調整封裝基板S與旋轉刀片12c2的相對位置,利用旋轉刀片12c2以自上表面朝向下表面貫通的方式對封裝基板S進行切割,形成俯視呈矩形狀之多個切割品Sa(切割工序)。
接著,輸送機構4將由切割機構12切割而形成之多個切割品Sa輸送至清洗機構2A之容器21(輸送工序)。如圖2所示,本實施方式中之輸送機構4在停止了位於切割台12b上之切割品Sa之空氣吸附的狀態下,管口41抽吸切割台12b上之多個切割品Sa而流入流體管42,並藉由自液體供給機構43供給之液流輸送至容器21,將多個切割品Sa自流體管42之另一端42b收納至容器21之內部(輸送工序、收納工序)。此時,如圖5之輸送收納工序所示,在將供液機構23、排液機構24、供氣機構25、排氣機構26以及排出機構28之開閉閥Va至Ve設為關閉狀態,並將旋轉機構22設為非驅動狀態的狀態下,打開真空機構29之開閉閥Vf。其結果,如圖6所示,藉由流體供排機構2B所包括之氣體供排泵,經由與真空機構29之真空管29a連通的容器21及流體管42使負壓作用於管口41,從而抽吸多個切割品Sa(亦參照圖2)。由此,利用管口41抽吸多個切割品Sa,藉由液流輸送至容器21,因此即使在切割品Sa之尺寸例如小至不足2 mm見方的情況下,亦能夠一下子抽吸、輸送。
接著,清洗機構2A利用供液機構23向容器21(內筒21b)內供給清洗液,由此多個切割品Sa與清洗液一起被收納在容器21(內筒21b)內,清洗液通過微細孔21c而存在於中間筒T之內側。然後,藉由利用旋轉機構22使容器21(內筒21b及外筒28a)旋轉來清洗多個切割品Sa(清洗工序)。此時,如圖5之清洗工序所示,在將排液機構24及供氣機構25之開閉閥Vb、Vc設為關閉狀態的情況下,關閉真空機構29之開閉閥Vf,驅動旋轉機構22,並且打開供液機構23、排氣機構26及排出機構28之開閉閥Va、Vd、Ve。其結果,如圖7所示,藉由供液機構23向容器21之內筒21b內供給清洗液,藉由旋轉機構22使容器21旋轉,由此清洗多個切割品Sa。另外,經由內筒21b之微細孔21c而越過中間筒T之上端面的包括切屑等微小垃圾的清洗液藉由排出機構28排出,內筒21b內之空氣藉由排氣機構26排出。
由此,在本實施方式中,藉由使容器21(內筒21b及外筒28a)旋轉,在浸漬於清洗液之切割品Sa之周邊產生液流,因此能夠均勻地清洗切割品Sa之整個區域。亦即,即使在切割品Sa之尺寸小至不足例如2 mm見方的情況下,亦能夠清洗至各個角落,能夠提高清洗效率。另外,由於使供給有清洗液之容器21(內筒21b及外筒28a)旋轉,因此切割品Sa之清洗結構簡便,清洗液之供給、排出亦極其容易。而且,由於容器21相對於重力方向傾斜地配置,因此在使容器21旋轉時,多個切割品Sa之位置容易在上下方向上變動,能夠提高清洗效率。另外,若設置有在超過了規定的水位時排出包括切屑等微小垃圾之清洗液的排出機構28,則內筒21b內之水位調整機構簡便。
接著,在藉由清洗工序對多個切割品Sa進行清洗之後,利用排液機構24及排出機構28將包括切屑等微小垃圾之清洗液排出,利用供氣機構25向容器21之內筒21b內供給壓縮空氣,並且一邊利用旋轉機構22使容器21(內筒21b及外筒28a)旋轉一邊使多個切割品Sa乾燥(乾燥工序)。此時,如圖5之乾燥工序所示,維持真空機構29之開閉閥Vf之關閉狀態,排氣機構26及排出機構28之開閉閥Vd、Ve之打開狀態,在繼續旋轉機構22之驅動的狀態下關閉供液機構23之開閉閥Va,打開排液機構24及供氣機構25之開閉閥Vb、Vc。其結果,如圖8所示,利用排液機構24及排出機構28排出容器21內之包括切屑等微小垃圾之清洗液,利用流體供排機構2B之氣體供排泵經由供氣管25a向容器21之內筒21b內供給壓縮空氣,一邊利用旋轉機構22使容器21(內筒21b及外筒28a)旋轉一邊使多個切割品Sa乾燥。亦即,由於一邊使容器21旋轉一邊對多個切割品Sa進行乾燥,因此能夠使多個切割品Sa流動而對切割品Sa整個區域進行乾燥。此時,內筒21b之底壁之內表面由傾斜面21b1形成,因此在使容器21旋轉時,堆積於容器21之底壁中央部分之多個切割品Sa的位置向徑向外側移動。其結果,能夠減少多個切割品Sa之重疊,能夠提高切割品Sa之乾燥效率。這樣,即使在切割品Sa之尺寸例如小至不足2 mm見方的情況下,亦能夠有效地使其乾燥。而且,若在容器21內完成切割品Sa之清洗以及乾燥,則不需要另外設置乾燥容器,能夠實現清洗模組2(切割裝置D)的緊湊化。
接著,關閉排液機構24、供氣機構25、排氣機構26以及排出機構28之開閉閥Vb至Ve,停止旋轉機構22之驅動後,藉由轉動反轉機構27使內筒21b轉動及上下反轉,取出多個切割品Sa(取出工序)。使用圖9至圖11對該取出工序進行說明。
如圖9所示,藉由蓋移動機構31使蓋30上升,並且在利用夾緊機構27a之夾緊部件27a1夾持內筒21b的狀態下,藉由內筒上下機構27d使內筒21b上升,使內筒21b自中間筒T脫離。接著,如圖10所示,藉由轉動機構27b使內筒21b圍繞轉動軸27b1轉動而移動至回收箱2C之上方。接著,如圖11所示,藉由內筒反轉機構27c使內筒21b圍繞反轉軸27c1上下反轉,使收納於內筒21b內之多個切割品Sa下落至回收箱2C而取出。然後,回收收納於回收箱2C之清洗、乾燥完的切割品Sa。這樣,使容器21之內筒21b上下反轉而取出切割品Sa,因此,不會如以往那樣簡單地利用刷子將被抽吸之狀態的切割品Sa排出,不會出現切割品Sa夾在刷子上或飛散的不良情況。
[其他實施方式] 以下,對於與上述的實施方式相同的部件,為了容易理解,使用相同的術語、符號進行說明。
<1>如圖12至圖13所示,輸送機構4還可以包含收納多個切割品Sa之收納部45,將收納有多個切割品Sa之收納部45移動至內筒21b,自收納部45向內筒21b轉移多個切割品Sa(輸送工序)。更詳細而言,本實施方式中之輸送機構4包含:移動體44,配置在切割機構12之切割台12b上,能夠一邊與封裝基板S被切割而形成之多個切割品Sa接觸一邊移動;收納部45,能夠收納多個切割品Sa;以及驅動機構46,驅動移動體44,此等移動體44、收納部45以及驅動機構46在輸送箱4A內構成為一體單元。另外,輸送機構4將輸送箱4A輸送至清洗機構2A之容器21。
移動體44包含:旋轉本體44a,以旋轉軸44a1為中心旋轉;多個突出部44b,自旋轉本體44a之周圍向徑向外側突出;以及引導槽44c,支承旋轉軸44a1並引導旋轉本體44a之滑動移動。多個突出部44b在與切割品Sa接觸而自切割台12b分離時不易變形,並由不損傷切割品Sa之耐綸、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等樹脂材料構成。藉由後述之滑動驅動機構46b,旋轉本體44a構成為能夠沿著引導槽44c在切割台12b上前進或後退移動。
驅動機構46包含:旋轉驅動機構46a,使移動體44旋轉驅動;以及滑動驅動機構46b,使移動體44沿著切割台12b之表面滑動移動。該驅動機構46之驅動源由伺服馬達等電動馬達、氣缸等構成。
作為切割品Sa之輸送方法,首先,如圖12所示,在停止了位於切割台12b上之切割品Sa之空氣吸附的狀態下,使封裝基板S被切割而形成之多個切割品Sa與藉由旋轉驅動機構46a旋轉後的移動體44的突出部44b接觸而自切割台12b分離。接著,在移動體44之突出部44b與切割品Sa接觸的狀態下,藉由滑動驅動機構46b使移動體44前進,將切割品Sa朝向收納部45推出。此時,由旋轉驅動機構46a旋轉的移動體44之突出部44b與下一個切割品Sa接觸而自切割台12b分離。反覆進行切割台12b上之切割品Sa之分離及推出,將全部的多個切割品Sa最終收納於收納部45。
接著,輸送機構4將輸送箱4A(收納有多個切割品Sa之收納部45)以容器21之開口成為收納部45之下方的方式輸送至清洗機構2A之容器21的附近。接著,輸送機構4使輸送箱4A傾動的同時使其振動,使多個切割品Sa下落至容器21內。這樣,若在轉移至內筒21b之前將切割品Sa收納於收納部45,則僅輸送收納有多個切割品Sa之收納部45即可,能夠提高輸送效率。而且,若使輸送箱4A傾動而振動,則能夠一次將多個切割品Sa收納於容器21,因此與藉由液流、抽吸來輸送切割品Sa的情況相比,不易產生切割品Sa之回收不良。另外,在圖12至圖13所示之結構中,與上述的實施方式中的切割後之切割品Sa之輸送以及向容器21之收納的說明不同。亦即,並非將多個切割品Sa自流體管42之另一端42b收納於容器21之內部,而是將多個切割品Sa自輸送機構4之輸送箱4A直接收納於容器21之內部。
<2>在上述實施方式中,在容器21內設置有中間筒T,但亦可以省略中間筒T而使自形成於內筒21b之側壁(劃分壁之一例)之排出孔流出的清洗液藉由排出機構28排出。在該情況下,排液機構24之排液管24a與內筒21b連接。另外,亦可以省略中間筒T及外筒28a,僅由內筒21b構成容器21,藉由供液機構23、排液機構24控制清洗液之供給量。
<3>在上述的實施方式中,藉由供氣機構25向容器21之內筒21b內供給空氣而使多個切割品Sa乾燥,但亦可以在容器21外設置使多個切割品Sa乾燥的乾燥裝置。
<4>在上述的實施方式中,藉由轉動反轉機構27使容器21之內筒21b轉動及反轉而使多個切割品Sa下落,但亦可以省略轉動反轉機構27,藉由抽吸等方式取出容器21內之切割品Sa。
<5>在上述的實施方式中,在乾燥工序中,一邊利用旋轉機構22使容器21(中間筒T)旋轉,一邊利用由供氣機構25供給之壓縮空氣使多個切割品Sa乾燥,但亦可以在停止了容器21之旋轉的狀態下利用由供氣機構25供給之壓縮空氣使多個切割品Sa乾燥。
<6>在上述的實施方式中的輸送機構4中,將液體供給機構43與流體管42之一端42a連接,藉由液流來輸送多個切割品Sa,但亦可以省略液體供給機構43,僅藉由利用真空機構29之抽吸來輸送多個切割品Sa。
<7>在上述<1>所示之輸送機構4中,將輸送箱4A輸送至容器21,但亦可以藉由抽吸、液流將由移動體44自切割台12b分離的多個切割品Sa輸送至容器21。
<8>在上述的實施方式中,藉由旋轉機構22使容器21之內筒21b及外筒28a旋轉,但亦可以僅使容器21之內筒21b旋轉,亦可以使容器21之內筒21b及中間筒T旋轉,旋轉對象沒有特別限定。
<9>在上述的實施方式中,將供液管23a之一端連接於自來水道或工廠內之純水供給管,將排液管24a及排出管28b之一端連接於下水道或工廠內之排出管,但亦可以在流體供排機構2B設置清洗液槽,將供液管23a、排液管24a及排出管28b之一端連接於清洗液槽,使清洗液循環。在該情況下,較佳在供液管23a或排液管24a以及排出管28b設置用於過濾清洗液之過濾機構。
<10>亦可以不使容器21相對於重力方向傾斜,而是沿著重力方向呈直立姿勢。另外,內筒21b之底壁亦可以不設置傾斜面21b1而平坦地形成。
[上述實施方式之概要] 以下,對在上述實施方式中說明之清洗模組2、切割裝置D以及切割品Sa之製造方法的概要進行說明。
(1)清洗模組2之特徵結構在於,包含:容器21,其收納封裝基板S被切割而形成之多個切割品Sa;旋轉機構22,其使容器21旋轉;供液機構23,其向容器21內供給清洗液;以及排液機構24,其將容器21內之清洗液排出;多個切割品Sa在浸漬於清洗液之狀態下在藉由旋轉機構22旋轉之容器21內被清洗。
根據本結構,在藉由旋轉機構22旋轉之容器21內產生迴旋的液流,利用清洗液對多個切割品Sa進行清洗。亦即,並非如以往那樣對靜止狀態之切割品Sa吹送清洗液,或按壓清洗刷進行清洗,而是在將切割品Sa浸漬於清洗液之狀態下進行清洗,因此能夠防止切割品Sa之晶片移位、飛散,能夠均勻地清洗切割品Sa之整個區域。其結果,即使切割品Sa之尺寸小,亦能夠清洗至各個角落,能夠提高清洗效率。
另外,由於使供給有清洗液之容器21旋轉,因此切割品Sa之清洗結構簡便,清洗液之供給、排出亦極其容易。這樣,可提供能夠提高清洗效率之清洗模組2。
(2)還可以包含:供氣機構25,向容器21內供給壓縮空氣(氣體);以及排氣機構26,排出容器21內之空氣(氣體)。
若如本結構那樣包括供氣機構25及排氣機構26,則能夠在容器21內使清洗後之切割品Sa乾燥。其結果,不需要在容器21外另外設置乾燥容器,能夠實現清洗模組2之緊湊化。
(3)還可以包含:轉動反轉機構27(反轉機構),使內筒21b(容器21)上下反轉。
若如本結構那樣設置使內筒21b反轉的轉動反轉機構27,則能夠順暢地進行切割品Sa之排出。另外,由於不像以往那樣用刷子將被抽吸之狀態的切割品Sa排出,因此不存在切割品Sa被刷子夾住或飛散的不良情況。
(4)容器21包含:內筒21b(內容器),至少在底壁形成有切割品Sa不能通過之大小的微細孔21c(貫通孔);以及外筒28a(外容器),配置在內筒21b之外側,在內筒21b與外筒28a之間形成有中間筒T(劃分壁),供給至內筒21b之清洗液通過微細孔21c而存在於內筒21b及中間筒T之內側,本結構還可以包含排出機構28,排出機構28將清洗液中之越過中間筒T之頂部的清洗液自外筒28a排出。
如本結構那樣,若設置將越過中間筒T之頂部的清洗液自外筒28a排出的排出機構28,則使得用於調整水位之機構簡單。
(5)容器21亦可以相對於重力方向傾斜地配置。
若如本結構那樣容器21相對於重力方向傾斜地配置,則在使容器21旋轉時,多個切割品Sa之位置容易在上下方向上變動。亦即,由於多個切割品Sa之流動性提高,因此能夠提高切割品Sa之清洗效率、乾燥效率。
(6)內筒21b(容器21)之底壁之內表面亦可以由愈接近旋轉機構22之旋轉軸22b則愈朝向重力方向傾斜的傾斜面21b1形成。
如本結構那樣,若內筒21b之底壁之內表面由傾斜面21b1形成,則在使容器21旋轉時,堆積在容器21之底壁中央部分之多個切割品Sa的位置向徑向外側移動。其結果,能夠減少多個切割品Sa之重疊,能夠提高切割品Sa之清洗效率、乾燥效率。
(7)切割裝置D之特徵結構在於,包含:上述(1)至(6)中任一項之清洗模組2;切割機構12,切割封裝基板S;以及輸送機構4,將由切割機構12切割而形成之多個切割品Sa輸送至容器21。
在本結構中,由於包括清洗效率高之清洗模組2,並且包括向用於清洗之容器21輸送切割品Sa之輸送機構4,因此能夠提供清洗效率高之切割裝置D。
(8)輸送機構4亦可以利用管口41(吸嘴)抽吸多個切割品Sa而輸送至容器21。
在本結構中,由於利用管口41抽吸切割品Sa而向容器21輸送,因此即使在切割品Sa之尺寸小之情況下亦能夠一下子抽吸、輸送。
(9)輸送機構4亦可以藉由液流將多個切割品Sa輸送至容器21。
如本結構那樣,若藉由液流將切割品Sa輸送至容器21,則能夠順暢地輸送切割品Sa。
(10)輸送機構4還可以包含收納多個切割品Sa之收納部45,將收納有多個切割品Sa之收納部45輸送至容器21的附近,並自收納部45向容器21轉移多個切割品Sa。
如本結構那樣,若在轉移至容器21之前將切割品Sa收納於收納部45,則僅輸送收納有多個切割品Sa之收納部45即可,能夠提高輸送效率。
(11)切割品Sa之製造方法之特徵在於,包含:切割工序,切割封裝基板S而形成多個切割品Sa;收納工序,將多個切割品Sa收納於容器21;清洗工序,向容器21內供給清洗液,使容器21旋轉而清洗多個切割品Sa;以及取出工序,使內筒21b(容器21)上下反轉而取出多個切割品Sa。
根據本方法,在藉由旋轉機構22旋轉之容器21內產生液流,利用清洗液對多個切割品Sa進行清洗。亦即,並非如以往那樣對靜止狀態之切割品Sa吹送清洗液,或者按壓清洗刷進行清洗,而是在將切割品Sa浸漬於清洗液之狀態下進行清洗,因此能夠防止切割品Sa之晶片移位、飛散,能夠均勻地清洗切割品Sa之整個區域。其結果,即使切割品Sa之尺寸小,亦能夠清洗至各個角落,能夠提高清洗效率。另外,由於使內筒21b上下反轉而取出切割品Sa,因此,不存在如以往那樣用刷子將被抽吸之狀態的切割品Sa排出的不良情況,不會出現切割品Sa夾在刷子上或飛散的不良情況。
(12)還可以包含:乾燥工序,在藉由清洗工序清洗了多個切割品Sa之後排出清洗液,向容器21內供給壓縮空氣(氣體)以使上述容器旋轉的同時使多個切割品Sa乾燥。
如本方法那樣,若在容器21內完成切割品Sa之清洗及乾燥,則不需要另外設置乾燥容器,能夠實現切割裝置D之緊湊化。而且,由於一邊使容器21旋轉一邊對多個切割品Sa進行乾燥,因此能夠使多個切割品Sa流動而對切割品Sa整個區域進行乾燥。
(13)在切割工序之後且在清洗工序之前還可以包含將多個切割品Sa輸送至容器21之輸送工序,輸送工序可以利用管口41(吸嘴)抽吸多個切割品Sa而輸送至容器21。
在本方法中,由於利用管口41抽吸切割品Sa而向容器21輸送,因此即使在切割品Sa之尺寸小之情況下亦能夠一下子抽吸、輸送。
(14)在切割工序之後且在清洗工序之前還可以包含將多個切割品Sa輸送至容器21之輸送工序,輸送工序可以藉由液流將多個切割品Sa輸送至容器21。
如本方法那樣,若藉由液流將切割品Sa輸送至容器21,則能夠順暢地輸送切割品Sa。
(15)在切割工序之後且在清洗工序之前還可以包含將多個切割品Sa輸送至容器21之輸送工序,輸送工序可以在將多個切割品Sa收納於收納部45並將收納部45輸送至容器21的附近之後,將多個切割品Sa自收納部45轉移至容器21。
如本方法那樣,若在轉移至容器21之前將切割品Sa收納於收納部45,則僅輸送收納有多個切割品Sa之收納部45即可,能夠提高輸送效率。
此外,上述的實施方式(包含其他實施方式,以下相同)所揭示之結構只要不產生矛盾,就能夠與在其他實施方式中揭示之結構組合來應用。另外,在本說明書中揭示之實施方式係例示,本發明之實施方式並不限定於此,能夠在不脫離本發明之目的的範疇內適當改變。 工業應用性
本發明能夠用於清洗模組、包括清洗模組之切割裝置以及切割品之製造方法,尤其在切割品之尺寸小至不足2 mm見方的情況下係有效的。
1:切割模組 2:清洗模組 2A:清洗機構 2B:流體供排機構 2C:回收箱 3:控制部 4:輸送機構 4A:輸送箱 11:接收部 11a:預工作台 12:切割機構 12a:切割用移送機構 12b:切割台 12c:切割部 12c1:主軸部 12c2:旋轉刀片 20a:分支部 20b:最高水位 21:容器 21b:內筒(內容器) 21b1:傾斜面 21c:微細孔(貫通孔) 21d:環狀凸緣 21d1:傾斜突起 22:旋轉機構 22a:電動馬達 22b:旋轉軸 23:供液機構 23a:供液管 24:排液機構 24a:排液管 25:供氣機構 25a:供氣管 26:排氣機構 26a:排氣管 27:轉動反轉機構 27a:夾緊機構 27a1:夾緊部件 27b:轉動機構 27b1:轉動軸 27c:內筒反轉機構(反轉機構) 27c1:反轉軸 27d:內筒上下機構 28:排出機構 28a:外筒(外容器) 28a1:內插管 28a2:傾斜突起 28b:排出管 29:真空機構 29a:真空管 30:蓋 31:蓋移動機構 41:管口(吸嘴) 42:流體管 42a:一端 42b:另一端 43:液體供給機構 44:移動體 44a:旋轉本體 44a1:旋轉軸 44b:突出部 44c:引導槽 45:收納部 46:驅動機構 46a:旋轉驅動機構 46b:滑動驅動機構 D:切割裝置 E:樹脂成形裝置 S:封裝基板 Sa:切割品 T:中間筒(劃分壁) Va~Vf:開閉閥
圖1係展示切割裝置之示意圖; 圖2係展示輸送機構之概略立體圖; 圖3係展示清洗模組之概略立體圖; 圖4係圖3之IV-IV線剖視圖; 圖5係展示清洗模組之驅動方式的圖; 圖6係展示將多個切割品收納於容器內之狀態的剖視圖; 圖7係展示在容器內對多個切割品進行清洗之狀態的剖視圖; 圖8係展示在容器內對多個切割品進行乾燥之狀態的剖視圖; 圖9係展示使清洗模組之容器移動之狀態的剖視圖; 圖10係展示使清洗模組之容器移動之狀態的俯視圖; 圖11係展示清洗模組之反轉機構的概略立體圖; 圖12係展示其他實施方式涉及之輸送機構的概略圖; 圖13係展示其他實施方式涉及之輸送機構之切割品輸送狀態的概略圖。
2:清洗模組
2A:清洗機構
2B:流體供排機構
4:輸送機構
20a:分支部
20b:最高水位
21:容器
21b:內筒(內容器)
21b1:傾斜面
21c:微細孔(貫通孔)
22:旋轉機構
22a:電動馬達
22b:旋轉軸
23:供液機構
23a:供液管
24:排液機構
24a:排液管
25:供氣機構
25a:供氣管
26:排氣機構
26a:排氣管
27:轉動反轉機構
27a:夾緊機構
27a1:夾緊部件
27b:轉動機構
27b1:轉動軸
27c:內筒反轉機構(反轉機構)
27c1:反轉軸
27d:內筒上下機構
28:排出機構
28a:外筒(外容器)
28a1:內插管
28b:排出管
29:真空機構
29a:真空管
30:蓋
31:蓋移動機構
42:流體管
43:液體供給機構
Sa:切割品
T:中間筒(劃分壁)
Va~Vf:開閉閥

Claims (15)

  1. 一種清洗模組,其包含: 容器,其收納封裝基板被切割而形成之多個切割品; 旋轉機構,其使上述容器旋轉; 供液機構,其向上述容器內供給清洗液;以及 排液機構,其排出上述容器內之上述清洗液; 多個上述切割品在浸漬於上述清洗液之狀態下,在藉由上述旋轉機構旋轉之上述容器內被清洗。
  2. 如請求項1之清洗模組,其復包含: 供氣機構,其向上述容器內供給氣體;及 排氣機構,其排出上述容器內之上述氣體。
  3. 如請求項1或2之清洗模組,其復包含: 反轉機構,其使上述容器上下反轉。
  4. 如請求項1或2之清洗模組,其中, 上述容器包含:內容器,其至少在底壁形成有上述切割品不能通過之大小之貫通孔;以及外容器,其配置在上述內容器之外側, 在上述內容器與上述外容器之間形成有劃分壁,供給至上述內容器之上述清洗液藉由上述貫通孔而存在於上述內容器及上述劃分壁之內側, 上述清洗模組復包含排出機構,上述排出機構將上述清洗液中之越過上述劃分壁之頂部的上述清洗液自上述外容器排出。
  5. 如請求項1或2之清洗模組,其中, 上述容器相對於重力方向傾斜地配置。
  6. 如請求項1或2之清洗模組,其中, 上述容器之底壁之內表面由傾斜面形成,上述傾斜面愈接近上述旋轉機構之旋轉軸則愈朝向重力方向傾斜。
  7. 一種切割裝置,其包含: 如請求項1至6中任一項之清洗模組; 切割機構,其切割上述封裝基板;以及 輸送機構,其將由上述切割機構切割而形成之多個上述切割品輸送至上述容器。
  8. 如請求項7之切割裝置,其中, 上述輸送機構利用吸嘴抽吸多個上述切割品並輸送至上述容器。
  9. 如請求項7或8之切割裝置,其中, 上述輸送機構藉由液流將多個上述切割品輸送至上述容器。
  10. 如請求項7之切割裝置,其中, 上述輸送機構包含收納多個上述切割品之收納部,將收納有多個上述切割品之上述收納部輸送至上述容器的附近,自上述收納部向上述容器轉移多個上述切割品。
  11. 一種切割品之製造方法,其包含: 切割工序,其切割封裝基板而形成多個切割品; 收納工序,其將多個上述切割品收納在容器中; 清洗工序,其向上述容器內供給清洗液,使上述容器旋轉來清洗多個上述切割品;以及 取出工序,其使上述容器上下反轉,取出多個上述切割品。
  12. 如請求項11之切割品之製造方法,其復包含: 乾燥工序,其在藉由上述清洗工序清洗了多個上述切割品之後,排出上述清洗液,向上述容器內供給氣體以使上述容器旋轉的同時使多個上述切割品乾燥。
  13. 如請求項11或12之切割品之製造方法,其中, 在上述切割工序之後且在上述清洗工序之前復包含將多個上述切割品輸送至上述容器之輸送工序, 上述輸送工序利用吸嘴抽吸多個上述切割品並輸送至上述容器。
  14. 如請求項11或12之切割品之製造方法,其中, 在上述切割工序之後且在上述清洗工序之前復包含將多個上述切割品輸送至上述容器之輸送工序, 上述輸送工序藉由液流將多個上述切割品輸送至上述容器。
  15. 如請求項11或12之切割品之製造方法,其中, 在上述切割工序之後且在上述清洗工序之前復包含將多個上述切割品輸送至上述容器之輸送工序, 上述輸送工序將多個上述切割品收納於收納部,將上述收納部輸送至上述容器的附近之後,自上述收納部向上述容器轉移多個上述切割品。
TW109137486A 2019-10-31 2020-10-28 清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法 TWI765388B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019199320A JP7149248B2 (ja) 2019-10-31 2019-10-31 洗浄モジュール、切断装置及び切断品の製造方法
JP2019-199320 2019-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202118557A true TW202118557A (zh) 2021-05-16
TWI765388B TWI765388B (zh) 2022-05-21

Family

ID=75648692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109137486A TWI765388B (zh) 2019-10-31 2020-10-28 清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7149248B2 (zh)
KR (1) KR102436858B1 (zh)
CN (1) CN112750723B (zh)
TW (1) TWI765388B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113725159A (zh) * 2021-08-03 2021-11-30 安徽富信半导体科技有限公司 一种半导体元件晶圆切割方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209342A (en) * 1978-07-03 1980-06-24 Sperry Corporation Dynamic cleaning method and apparatus for removal of remnant material
JP2640786B2 (ja) * 1991-04-30 1997-08-13 パナック工業株式会社 チップ洗浄装置
JP2895328B2 (ja) * 1992-10-13 1999-05-24 ローム株式会社 半導体装置の製法
JP2520850B2 (ja) * 1993-11-01 1996-07-31 株式会社廣瀬脱水機製作所 横転式遠心洗浄乾燥装置
JPH08238464A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ricoh Elemex Corp 回転バスケット及びこれを備えた洗浄及び/又は乾燥装置
JP3761361B2 (ja) * 1999-01-12 2006-03-29 富士通株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3749095B2 (ja) * 2000-08-08 2006-02-22 Tdk株式会社 チップ型電子部品分離洗浄乾燥装置
US6592680B2 (en) * 2001-03-22 2003-07-15 Agilent Technologies, Inc. Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method
JP2004207424A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
JP5285217B2 (ja) * 2006-11-27 2013-09-11 Towa株式会社 電子部品の製造装置及び製造方法
CN105278048B (zh) 2014-07-25 2017-05-24 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光纤连接器组装治具
JP2017084893A (ja) * 2015-10-26 2017-05-18 株式会社ディスコ 分割装置
JP6762651B2 (ja) * 2016-02-22 2020-09-30 株式会社ディスコ 加工方法
CN107243477A (zh) * 2017-05-26 2017-10-13 深圳市科伟达超声波设备有限公司 一种零件清洗系统和清洗方法
JP7018323B2 (ja) 2018-01-22 2022-02-10 Towa株式会社 加工装置、及び製品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021072395A (ja) 2021-05-06
TWI765388B (zh) 2022-05-21
CN112750723A (zh) 2021-05-04
KR102436858B1 (ko) 2022-08-26
JP7149248B2 (ja) 2022-10-06
CN112750723B (zh) 2024-02-23
KR20210052254A (ko) 2021-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003088335A1 (fr) Dispositif de polissage et dispositif de traitement de substrats
TWI629741B (zh) 基板液體處理裝置
KR20140086837A (ko) 기판 처리 장치를 세정하기 위한 세정 지그와 세정 방법, 및 기판 처리 시스템
US9478444B2 (en) Mechanisms for cleaning wafer and scrubber
TWI765388B (zh) 清洗模組、切割裝置以及切割品之製造方法
CN112349618A (zh) 旋转干燥装置
KR20190089740A (ko) 가공 장치, 및 제품의 제조 방법
KR102142536B1 (ko) 반도체 자재 절단 장치
JP2019202495A (ja) 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法
KR102627828B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
TWI750873B (zh) 輸送模組、切割裝置以及切割品之製造方法
KR102435162B1 (ko) 연마 장치
JP2002126678A (ja) 密閉型容器の洗浄方法及び洗浄装置
CN218039121U (zh) 一种基板后处理装置
JP7303635B2 (ja) ワークの保持方法及びワークの処理方法
US11667008B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3768798B2 (ja) 洗浄処理装置および洗浄処理方法
KR102048433B1 (ko) 웨트 처리 장치
KR20210095047A (ko) 웨이퍼 건조 모듈 및 이를 포함하는 씨엠피 장치
CN112652577A (zh) 半导体材料切割装置
JP6322554B2 (ja) 樹脂成形装置
JP6288698B2 (ja) 表面張力を利用したスピン洗浄装置
TWI843787B (zh) 工件的保持方法及工件的處理方法
KR100864589B1 (ko) 벤투리 튜브를 구비하는 기판 홀더 및 소잉/소팅 장치
JP2023003507A (ja) 加工装置