CN112276792B - 晶片搬送机构和磨削装置 - Google Patents

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Abstract

提供晶片搬送机构和磨削装置，其能够防止因附着于晶片的磨削屑而使晶片损伤。晶片搬送机构(2)具有对晶片(W)进行保持的晶片保持单元(4)以及使晶片保持单元(4)移动的移动单元(6)。晶片保持单元(4)包含：吸引保持部(8)，其具有对晶片(W)的外周区域进行吸引保持的多孔面(P)；以及提供水的水提供部(10)，其配设于吸引保持部(8)的内侧。

Description

晶片搬送机构和磨削装置
技术领域
本发明涉及对晶片进行搬送的晶片搬送机构和具有晶片搬送机构的磨削装置。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、存储器等多个器件的晶片通过磨削装置对背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
磨削装置至少包含：盒载置部，其载置对多个晶片进行收纳的盒；晶片搬出搬入单元，其相对于载置在盒载置部的盒搬出和搬入晶片；暂放单元，其暂放通过晶片搬出搬入单元搬出的晶片；第一搬送单元，其将暂放于暂放单元的晶片搬送至卡盘工作台；磨削单元，其对卡盘工作台所保持的晶片的上表面进行磨削；以及第二搬送单元，其将磨削完成的晶片从卡盘工作台搬出并搬送至清洗单元，该磨削装置能够适当地磨削晶片(例如参照专利文献1)。第一搬送单元和第二搬送单元包含对晶片进行吸引保持的吸附垫。
专利文献1：日本特开2005-158854号公报
但是，当利用第二搬送单元的吸附垫对磨削完成的晶片的背面进行吸引保持时，存在如下的问题：附着于晶片的背面的磨削屑干燥而固化，由于固化的磨削屑而导致在后续工序中晶片发生损伤。
另外，当利用第二搬送单元的吸附垫对加工得较薄的晶片进行吸引保持时，存在如下的问题：磨削屑夹在吸附垫与晶片之间而使晶片损伤。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其课题在于提供晶片搬送机构和具有晶片搬送机构的磨削装置，能够防止因附着于晶片的磨削屑而使晶片损伤。
本发明的第一方式为了解决上述课题而提供以下的晶片搬送机构。即本发明的第一方式提供晶片搬送机构，其对晶片进行搬送，其中，该晶片搬送机构具有对晶片进行保持的晶片保持单元以及使该晶片保持单元移动的移动单元，该晶片保持单元包含：吸引保持部，其具有对晶片的外周区域进行吸引保持的多孔面；以及提供水的水提供部，其配设于该吸引保持部的内侧。
优选该吸引保持部由多个区段构成，使从该水提供部提供的水在相邻的该区段与该区段之间流出。优选围绕该吸引保持部而配设有环状壁，该环状壁抑制从相邻的该区段与该区段之间流出的水的势头。
本发明的第二方式为了解决上述课题而提供以下的磨削装置。即，该磨削装置至少包含：盒载置部，其载置对多个晶片进行收纳的盒；晶片搬出搬入单元，其相对于载置在该盒载置部上的盒将晶片搬出搬入；暂放单元，其暂放通过该晶片搬出搬入单元而搬出的晶片；第一搬送单元，其将暂放于该暂放单元的晶片搬送至卡盘工作台；磨削单元，其对该卡盘工作台所保持的晶片的上表面进行磨削；以及第二搬送单元，其将磨削完成的晶片从该卡盘工作台搬出并搬送至清洗单元，该第二搬送单元由上述的晶片搬送机构构成。
优选在该卡盘工作台与该清洗单元之间配设有对该第二搬送单元所搬送的晶片的下表面进行干燥的干燥单元。
本发明的第一方式的晶片搬送机构具有对晶片进行保持的晶片保持单元以及使该晶片保持单元移动的移动单元，该晶片保持单元包含：吸引保持部，其具有对晶片的外周区域进行吸引保持的多孔面；以及提供水的水提供部，其配设于该吸引保持部的内侧，因此能够减小对晶片进行吸引保持的面积，并且向吸引保持部所吸引保持的晶片提供水，从而附着于晶片的磨削屑不会干燥，不会固化。另外，在本发明的第一方式的晶片搬送机构中，利用吸引保持部对晶片进行吸引保持的面积较小，因此降低磨削屑被夹在吸引保持部的多孔面与晶片的上表面之间的可能性。因此，根据本发明的第一方式的晶片搬送机构，能够防止因附着于晶片的磨削屑而使晶片损伤。
本发明的第二方式的磨削装置至少包含：盒载置部，其载置对多个晶片进行收纳的盒；晶片搬出搬入单元，其相对于载置在该盒载置部上的盒将晶片搬出搬入；暂放单元，其暂放通过该晶片搬出搬入单元而搬出的晶片；第一搬送单元，其将暂放于该暂放单元的晶片搬送至卡盘工作台；磨削单元，其对该卡盘工作台所保持的晶片的上表面进行磨削；以及第二搬送单元，其将磨削完成的晶片从该卡盘工作台搬出并搬送至清洗单元，该第二搬送单元由上述那样的晶片搬送机构构成，因此能够减小对晶片进行吸引保持的面积，并且向吸引保持部所吸引保的晶片提供水，从而附着于晶片的磨削屑不会干燥，不会固化。另外，在本发明的第二方式的磨削装置中，利用吸引保持部对晶片进行吸引保持的面积较小，因此降低磨削屑被夹在吸引保持部的多孔面与晶片的上表面之间的可能性。因此，根据本发明的第二方式的磨削装置，能够防止因附着于晶片的磨削屑而使晶片损伤。
附图说明
图1是按照本发明而构成的晶片搬送机构的立体图。
图2的(a)是图1所示的晶片搬送机构的分解立体图，图2的(b)是从下表面侧观察图2的(a)所示的晶片保持单元的立体图。
图3是示出通过图1所示的晶片保持单元对晶片进行保持的状态的剖视图。
图4是按照本发明而构成的磨削装置的立体图。
标号说明
2：晶片搬送机构；4：晶片保持单元；6：移动单元；8：吸引保持部；P：多孔面；10：水提供部；12：区段；18：环状壁；W：晶片；50：磨削装置；52：盒；52a：第一盒；52b：第二盒；54：盒载置部；54a：第一盒载置部；54b：第二盒载置部；56：晶片搬出搬入单元；58：暂放单元；60：卡盘工作台；62：第一搬送单元；64：磨削单元；66：清洗单元；126：干燥单元。
具体实施方式
以下，参照附图对按照本发明而构成的晶片搬送机构和磨削装置的优选实施方式进行说明。
首先，参照图1至图3对按照本发明构成的晶片搬送机构的优选实施方式进行说明。如图1所示，晶片搬送机构2具有对晶片进行保持的晶片保持单元4以及使晶片保持单元4移动的移动单元6。
如图2所示，晶片保持单元4包含：吸引保持部8，其具有对晶片的外周区域进行吸引保持的多孔面P；以及提供水的水提供部10，其配设于吸引保持部8的内侧。
如图2所示，图示的实施方式的吸引保持部8包含由多孔质陶瓷等多孔质部件形成为圆弧状的多个(在图示的实施方式中为6个)区段12，多个区段12配置成环状。区段12支承于支承部件14，该支承部件14包含圆形壁16和从圆形壁16的周缘向下方延伸的环状壁18。多个区段12相互在周向上隔开间隔而固定于圆形壁16的下表面上，被环状壁18围绕。通过多个区段12的外周面12a而限定的圆周的外径小于等于要保持的圆板状的晶片W(参照图3)的直径。另外，在各区段12的外周面12a、内周面12b以及周向端面12c上分别包覆有树脂，但在各区段12的下表面上未包覆树脂，各区段12的下表面成为多孔面P。各区段12的多孔面P的上下方向位置相同。
如图1和图2的(a)所示，在圆形壁16的上表面上附设有与各区段12连通的多个(在图示的实施方式中为6个)圆筒状吸引口20。如图1所示，各吸引口20经由设置有阀22的流路24而与吸引源26连接。并且，在吸引保持部8中，在将阀22打开的状态下使吸引源26进行动作，在多孔面P上生成吸引力，从而如图3所示，利用多孔面P对晶片W的外周进行吸引保持。这样，在晶片保持单元4中，利用多个区段12对晶片W的外周区域进行吸引保持，因此即使缩小各区段12的径向的宽度，也能够可靠地吸引保持晶片W，能够减小对晶片W进行吸引保持的面积。
如图2所示，图示的实施方式的水提供部10由贯通圆形壁16的多个(在图示的实施方式中为3个)圆筒状部件构成。各水提供部10配设于比构成吸引保持部8的各区段12靠径向内侧的位置。如图1所示，各水提供部10经由设置有阀28的流路30而与水提供源32连接。
并且，在晶片保持单元4中，在利用吸引保持部8的多孔面P对晶片W进行保持的状态下将阀28打开，从而将水提供源32的水从水提供部10提供至晶片W的上表面。当提供至晶片W的上表面的水要从相邻的区段12与区段12之间流出时，通过围绕吸引保持部8而配设的环状壁抑制要从相邻的区段12与区段12之间流出的水的势头。由此，在晶片W的上表面上形成水的层，从而附着于晶片W的磨削屑不会干燥，从而不会固化。
如图1所示，移动单元6具有：连结轴34，其固定于支承部件14的圆形壁16，沿上下方向延伸；臂36，其从与连结轴34的上端连结的一个端部起实质上水平延伸；旋转轴38，其固定于臂36的另一端部，沿上下方向延伸；电动机(未图示)，其以沿上下方向延伸的轴线为中心而使旋转轴38旋转；以及电动气缸等升降单元(未图示)，其使旋转轴38升降。
如图2所示，连结轴34具有：圆柱状的主部34a；圆形的小径部34b，其形成于主部34a的下端，直径比主部34a小；以及圆形的凸缘部34c，其形成于主部34a的上端，直径比主部34a大。并且，连结轴34的小径部34b与形成于圆形壁16的中心部分的圆形开口16a嵌合而将连结轴34和圆形壁16固定。
如图3所示，在臂36的一个端部形成有沿上下方向延伸的圆形的贯通开口40。连结轴34升降自如地插入至该贯通开口40。在贯通开口40的上端侧周缘形成有直径比贯通开口40大的圆形的凹部42。连结轴34的凸缘部34c定位于该凹部42，由此连结轴34不会从臂36脱落。
参照图3可理解，在臂36的一个端部的下表面与支承部件14的圆形壁16的上表面之间附设有螺旋弹簧44。螺旋弹簧44配置于连结轴34的主部34a的径向外侧。由此，在将吸引保持部8的多孔面P定位于晶片W的上表面时，将螺旋弹簧44压缩而使吸引保持部8与支承部件14一起上升，能够缓和从多孔面P作用于晶片W的冲击。
在使用晶片搬送机构2对磨削完成的晶片W进行搬送时，首先利用电动机使旋转轴38适当旋转，并且利用升降单元适当升降，从而将晶片保持单元4的吸引保持部8的多孔面P定位于放置在适当的工作台(未图示)的晶片W的外周区域的上方。接着，利用升降单元使旋转轴38下降，使吸引保持部8的多孔面P紧贴于晶片W的上表面的外周区域。接着，在将流路24的阀22打开的状态下使吸引源26进行动作，在多孔面P上生成吸引力，如图3所示，利用多孔面P对晶片W的上表面的外周区域进行吸引保持。
接着，将流路30的阀28打开而从水提供部10向晶片W的上表面提供水。接着，将旋转轴38利用电动机适当旋转，并且利用升降单元适当升降，从而对晶片保持单元4所保持的晶片W进行搬送，使晶片W的下表面与要载置晶片W的适当的工作台(未图示)的上表面接触。接着，将阀28关闭而停止从水提供部10提供水。并且，使吸引源26停止而解除多孔面P对晶片W的吸引保持，从而将晶片W载置于工作台的上表面上。这样，利用晶片搬送机构2对晶片W进行搬送。
如上所述，在图示的实施方式的晶片搬送机构2中，利用吸引保持部8对晶片W的外周区域进行吸引保持，因此能够减小对晶片W进行吸引保持的面积，并且通过向吸引保持部8所吸引保持的晶片W提供水，从而附着于晶片W的磨削屑不会干燥，不会固化。另外，在晶片搬送机构2中，利用吸引保持部8对晶片W进行吸引保持的面积较小，因此降低磨削屑被夹在吸引保持部8的多孔面P与晶片W的上表面之间的可能性。因此，根据晶片搬送机构2，能够防止因附着于晶片W的磨削屑而使晶片W损伤。
接着，参照图4对按照本发明而构成的磨削装置的优选实施方式进行说明。整体用标号50表示的磨削装置至少包含：盒载置部54，其载置对多个晶片W进行收纳的盒52；晶片搬出搬入单元56，其相对于载置在盒载置部54的盒52搬出和搬入晶片W；暂放单元58，其暂放通过晶片搬出搬入单元56搬出的晶片W；第一搬送单元62，其将暂放于暂放单元58的晶片W搬送至卡盘工作台60；磨削单元64，其对卡盘工作台60所保持的晶片W的上表面进行磨削；以及第二搬送单元，其将磨削完成的晶片W从卡盘工作台60搬出并搬送至清洗单元66，第二搬送单元由上述晶片搬送机构2构成。
图示的实施方式的盒载置部54具有：第一盒载置部54a，其载置对磨削加工前的多个晶片W进行收纳的第一盒52a；以及第二盒载置部54b，其载置对磨削加工后的多个晶片W进行收纳的第二盒52b。如图4所示，磨削装置50具有长方体状的基台68，第一盒载置部54a和第二盒载置部54b在基台68的上表面上相互隔开间隔而配置。
晶片搬出搬入单元56配置于第一盒载置部54a与第二盒载置部54b之间。晶片搬出搬入单元56包含：多关节臂70，其支承于基台68；电动或空气驱动的致动器(未图示)，其使多关节臂70进行动作；以及保持片72，其附设于多关节臂70的前端。在一个面上形成有多个吸引孔(未图示)的保持片72与吸引源(未图示)连接。
并且，在晶片搬出搬入单元56中，利用吸引源在保持片72的一个面上生成吸引力，从而利用保持片72的一个面对晶片W进行吸引保持，并且利用致动器使多关节臂70进行动作，从而将利用保持片72的一个面吸引保持的磨削加工前的晶片W从第一盒52a搬出至暂放单元58且将利用保持片72的一个面吸引保持的磨削加工后的晶片W从清洗单元66搬入至第二盒52b。
暂放单元58在基台68的上表面上与第一盒载置部54a相邻而配置。暂放单元58具有：圆形的暂放台74，其比晶片W的直径小；多个销76，它们沿着暂放台74的径向移动自如地在暂放台74的周围隔开间隔而配置；以及销移动单元(未图示)，其使多个销76沿着暂放台74的径向同步移动。并且，在暂放单元58中，多个销76与暂放于暂放台74的晶片W的周缘抵靠，从而使晶片W的中心与暂放台74的中心一致。
如图4所示，在基台68的上表面上旋转自如地设置有圆形的转台78，转台78利用内置于基台68的转台用电动机(未图示)从上方观察逆时针旋转。在转台78的上表面周缘侧沿周向隔开等间隔而旋转自如地搭载有3个卡盘工作台60，卡盘工作台60利用安装于转台78的下表面的卡盘工作台用电动机(未图示)以沿上下方向延伸的轴线为中心而旋转。另外，各卡盘工作台60通过转台78的旋转而依次定位于在图4中标号A所示的装卸位置、标号B所示的粗磨削位置以及标号C所示的精磨削位置。
在各卡盘工作台60的上端部分配置有多孔质的圆形状的吸附卡盘80。在吸附卡盘80上选择性地连接有吸引源(未图示)和空气提供源(未图示)。
并且，在卡盘工作台60中，利用吸引源在吸附卡盘80的上表面上生成吸引力，从而对载置于吸附卡盘80的上表面的晶片W进行吸引保持。另外，在卡盘工作台60中，从空气提供源向吸附卡盘80提供空气，从吸附卡盘80的上表面喷出空气，从而使晶片W从吸附卡盘80离开。
第一搬送单元62配置于暂放单元58与转台78之间。第一搬送单元62具有：旋转轴84，其旋转自如且升降自如地安装于基台68上，从基台68的上表面向上方延伸；臂86，其从旋转轴84的上端起实质上水平延伸；吸附片88，其附设于臂86的前端下表面上；旋转轴用电动机(未图示)，其使旋转轴84旋转；以及电动气缸等升降单元(未图示)，其使旋转轴84升降。在下表面上形成有多个吸引孔(未图示)的吸附片88与吸引源(未图示)连接。
并且，在第一搬送单元62中，利用吸引源在吸附片88的下表面上生成吸引力，从而利用吸附片88的下表面对暂放于暂放单元58的晶片W进行吸引保持，并且利用升降单元和旋转轴用电动机使旋转轴84升降和旋转，从而将吸附片88的下表面所吸引保持的晶片W从暂放单元58搬送至定位于装卸位置A的卡盘工作台60。
图示的实施方式的磨削单元64包含：安装壁90，其从基台68的端部向上方延伸；第一升降板92和第二升降板94，它们均升降自如地安装于安装壁90的一个面上；第一升降机构96，其使第一升降板92升降；以及第二升降机构98，其使第二升降板94升降。
第一升降机构96具有：滚珠丝杠100，其沿着安装壁90的一个面在上下方向上延伸；以及电动机102，其使滚珠丝杠100旋转。滚珠丝杠100的螺母部(未图示)与第一升降板92连结。并且，在第一升降机构96中，通过滚珠丝杠100将电动机102的旋转运转转换成直线运动并传递至第一升降板92，使第一升降板92沿着附设于安装壁90的一个面的导轨90a进行升降。另外，关于第二升降机构98，可以是与第一升降机构96相同的结构，因此标记与第一升降机构96的结构相同的标号并省略了说明。
另外，磨削单元64包含：粗磨削单元104，其安装于第一升降板92的一个面上；以及精磨削单元106，其安装于第二升降板94的一个面上。粗磨削单元104包含：突出壁108，其从第一升降板92的一个面突出；主轴110，其以沿上下方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于突出壁108；以及主轴用电动机112，其搭载于突出壁108的上表面上，使主轴110旋转。在主轴110的下端固定有圆板状的磨轮安装座114，在磨轮安装座114的下表面上固定有粗磨削用的磨削磨具116。另外，关于精磨削单元106，将由粒度比粗磨削用的磨削磨具116的磨粒小的磨粒形成的精磨削用的磨削磨具118固定于磨轮安装座114的下表面上，除此以外，可以是与粗磨削单元104相同的结构，因此标记与粗磨削单元104的结构相同的标号并省略了说明。
在基台68的上表面上与装卸位置A相邻而设置有喷射清洗水的清洗水喷嘴120。并且，从清洗水喷嘴120朝向实施了粗磨削加工和精磨削加工之后定位于装卸位置A的晶片W的上表面(磨削面)喷射清洗水，从而对晶片W的上表面进行清洗。
如图4所示，清洗单元66在基台68的上表面上与第二盒载置部54b相邻而配置。清洗单元66包含：圆形状的旋转台122，其旋转自如地安装于基台68；旋转台用电动机(未图示)，其使旋转台122旋转；清洗水喷嘴(未图示)，其向旋转台122所保持的晶片W喷射清洗水；以及空气喷嘴(未图示)，其向旋转台122所保持的晶片W喷射干燥空气。旋转台122的直径小于晶片W的直径。另外，在旋转台122的上端部分配置有多孔质的圆形状的吸附卡盘124，吸附卡盘124选择性地与吸引源(未图示)和空气提供源(未图示)连接。
并且，在清洗单元66中，利用吸引源在吸附卡盘124的上表面上生成吸引力，从而利用旋转台122对晶片W进行吸引保持，并且一边使吸引保持着晶片W的旋转台122旋转一边从清洗水喷嘴喷射清洗水而对晶片W进行清洗，并且从空气喷嘴喷射干燥空气而使晶片W干燥。另外，在清洗单元66中，在对晶片W进行清洗之后，从空气提供源向吸附卡盘124提供空气，从吸附卡盘124的上表面喷出空气，从而使晶片W从吸附卡盘124分离。
构成第二搬送单元的晶片搬送机构2配置于清洗单元66与转台78之间，晶片搬送机构2的移动单元6的旋转轴38旋转自如且升降自如地安装于基台68的上表面上。并且，在晶片搬送机构2中，将定位于装卸位置A的卡盘工作台60所保持的磨削完成的晶片W从卡盘工作台60搬出并搬送至清洗单元66。
另外，在图示的实施方式的磨削装置50中，在卡盘工作台60与清洗单元66之间配设有对第二搬送单元(晶片搬送机构2)所搬送的晶片W的下表面进行干燥的干燥单元126。图示的实施方式的干燥单元126具有形成于基台68的上表面的多个喷射孔128以及与各喷射孔128连接的空气提供源(未图示)，各喷射孔128位于晶片搬送机构2的晶片保持部4所通过的路径(晶片W的搬送路径)的下方。并且，在干燥单元126中，向晶片保持部4所保持的搬送中的晶片W的下表面喷射干燥空气而使晶片W的下表面干燥。
接着，对使用上述那样的磨削装置50对晶片W进行磨削的方法进行说明。在图示的实施方式中，首先实施盒载置工序，将收纳有磨削加工前的多个晶片W的第一盒52a载置于第一盒载置部54a，并且将用于收纳磨削加工后的多个晶片W的空的第二盒52b载置于第二盒载置部54b。
在实施了盒载置工序之后，实施暂放工序，将晶片W从第一盒52a搬出而暂放于暂放单元58。在暂放工序中，首先使晶片搬出搬入单元56的多关节臂70进行动作，使形成有多个吸引孔的保持片72的一个面紧贴于收纳在第一盒52a的磨削加工前的晶片W上，利用保持片72对晶片W进行吸引保持。接着，使多关节臂70进行动作而将晶片W从第一盒52a搬出，使晶片W的下表面与暂放单元58的暂放台74的上表面接触。接着，解除保持片72对晶片W的吸引保持，将晶片W暂放于暂放台74。并且，使多个销76与暂放于暂放台74的晶片W的周缘抵靠，从而使晶片W的中心与暂放台74的中心一致。
在实施了暂放工序之后，实施第一搬送工序，将暂放于暂放单元58的晶片W搬送至卡盘工作台60。在第一搬送工序中，首先使第一搬送单元62的旋转轴84旋转，将第一搬送单元62的吸附片88定位于暂放在暂放单元58的晶片W的上方。接着，使吸附片88下降而使吸附片88的下表面紧贴于晶片W的上表面，并且利用吸附片88的下表面对晶片W进行吸引保持。接着，使旋转轴84升降和旋转，将吸附片88所吸引保持的晶片W从暂放单元58搬送至定位于装卸位置A的卡盘工作台60。
在实施了第一搬送工序之后，实施磨削工序，对卡盘工作台60所保持的晶片W的上表面进行磨削。在磨削工序中，首先利用卡盘工作台60对晶片W进行吸引保持。接着，使转台78旋转120度，将吸引保持着晶片W的卡盘工作台60定位于粗磨削位置B。接着，使卡盘工作台60从上方观察逆时针地按照规定的旋转速度进行旋转，并且使主轴110从上方观察逆时针地按照规定的旋转速度进行旋转。接着，利用第一升降机构96使主轴110下降，一边向磨削区域提供磨削水一边使粗磨削用的磨削磨具116与晶片W的上表面接触。然后，使主轴110按照规定的磨削进给速度下降。由此，能够对晶片W的上表面实施粗磨削加工。
接着，使转台78旋转120度而将吸引保持着晶片W的卡盘工作台60定位于精磨削位置C。接着，与粗磨削加工同样地使卡盘工作台60从上方观察逆时针地按照规定的旋转速度进行旋转，并且使主轴110从上方观察逆时针地按照规定的旋转速度进行旋转。接着，利用第二升降机构98使主轴110下降，一边向磨削区域提供磨削水一边使精磨削用的磨削磨具118与晶片W的上表面接触。然后，使主轴110按照规定的磨削进给速度下降。由此，能够对晶片W的上表面实施精磨削加工。在实施了精磨削加工之后，使转台78旋转120度而将吸引保持着晶片W的卡盘工作台60定位于装卸位置A。接着，从清洗水喷嘴120朝向晶片W的上表面(磨削面)喷射清洗水而对晶片W的上表面进行清洗。
在实施了磨削工序之后，实施第二搬送工序，将磨削完成的晶片W从卡盘工作台60搬出并搬送至清洗单元66。在第二搬送工序中，首先使构成第二搬送单元的晶片搬送机构2的移动单元6的旋转轴38旋转，将晶片保持单元4的吸引保持部8的多孔面P定位于晶片W的外周区域的上方，该晶片W放置在定位于装卸位置A的卡盘工作台60上。接着，使吸引保持部8下降，使吸引保持部8的多孔面P紧贴于晶片W的上表面的外周区域，对晶片W进行吸引保持，并且从水提供部10向晶片W的上表面提供水。接着，解除卡盘工作台60对晶片W的吸引保持。
接着，从吸附卡盘80喷出空气和水的二流体，从而使晶片W从卡盘工作台60离开，同时使晶片保持单元4上升，将晶片保持单元4所保持的晶片W从卡盘工作台60搬送至清洗单元66的旋转台122。这里，在对晶片W进行搬送时，从干燥单元126的各喷射孔128喷射干燥空气而使搬送中的晶片W的下表面干燥。并且，在使晶片W的下表面与旋转台122的上表面接触之后，解除吸引保持部8的多孔面P对晶片W的吸引保持。
在实施了第二搬送工序之后，实施清洗工序，对磨削完成的晶片W进行清洗。在清洗工序中，首先利用旋转台122对晶片W进行吸引保持。接着，一边使旋转台122旋转一边从清洗水喷嘴喷射清洗水而对晶片W进行清洗。由此，能够将附着于晶片W的磨削屑和磨削水等去除而对晶片W进行清洗，并且能够利用旋转台122的旋转所带来的离心力将清洗水从晶片W去除。接着，一边使旋转台122旋转一边从空气喷嘴喷射干燥空气。由此，能够将利用旋转台122的旋转所带来的离心力未彻底去除的清洗水从晶片W去除而使晶片W干燥。并且，解除旋转台122对晶片W的吸引保持。
在实施了清洗工序之后，实施盒搬入工序，将清洗完成的晶片W从清洗单元66搬出并搬入至第二盒52b中。在盒搬入工序中，首先使晶片搬出搬入单元56的多关节臂70进行动作，使保持片72的一个面紧贴于放置在旋转台122的晶片W。接着，从旋转台122的吸附卡盘124的上表面喷出空气，从而使晶片W从吸附卡盘124离开，并且利用保持片72对晶片W进行吸引保持。接着，使多关节臂70进行动作，将清洗完成的晶片W从清洗单元66搬出并搬入至第二盒52b中。并且，解除保持片72对晶片W的吸引保持。
如上所述，在图示的实施方式的磨削装置50中，将磨削完成的晶片W从卡盘工作台60搬出并搬送至清洗单元66的第二搬送单元是由晶片搬送机构2构成的，利用吸引保持部8对晶片W的外周区域进行吸引保持，因此能够减小对晶片W进行吸引保持的面积，并且向吸引保持部8所吸引保持的晶片W提供水，从而使附着于晶片W的磨削屑不会干燥，不会固化。另外，在磨削装置50中，利用吸引保持部8对晶片W进行吸引保持的面积较小，因此降低磨削屑被夹在吸引保持部8的多孔面P与晶片W的上表面之间的可能性。因此，根据磨削装置50，能够防止因附着于晶片W的磨削屑而使晶片W损伤。

Claims (3)

1.一种晶片搬送机构，其对晶片进行搬送，其中，
该晶片搬送机构具有对晶片进行保持的晶片保持单元以及使该晶片保持单元移动的移动单元，
该晶片保持单元包含：
吸引保持部，其具有对晶片的外周区域进行吸引保持的多孔面；以及
提供水的水提供部，其配设于该吸引保持部的内侧，
该吸引保持部由多个区段构成，使从该水提供部提供的水在相邻的该区段与该区段之间流出，
围绕该吸引保持部而配设有环状壁，该环状壁通过抑制从相邻的该区段与该区段之间流出的水的势头而在晶片的上表面上形成水的层。
2.一种磨削装置，其至少包含：
盒载置部，其载置对多个晶片进行收纳的盒；
晶片搬出搬入单元，其相对于载置在该盒载置部上的盒将晶片搬出搬入；
暂放单元，其暂放通过该晶片搬出搬入单元而搬出的晶片；
第一搬送单元，其将暂放于该暂放单元的晶片搬送至卡盘工作台；
磨削单元，其对该卡盘工作台所保持的晶片的上表面进行磨削；以及
第二搬送单元，其将磨削完成的晶片从该卡盘工作台搬出并搬送至清洗单元，
其中，
该第二搬送单元由权利要求1所述的晶片搬送机构构成。
3.根据权利要求2所述的磨削装置，其中，
在该卡盘工作台与该清洗单元之间配设有对该第二搬送单元所搬送的晶片的下表面进行干燥的干燥单元。
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