JP2010177228A

JP2010177228A - 研削装置

Info

Publication number: JP2010177228A
Application number: JP2009015000A
Authority: JP
Inventors: Takeru Kobayashi; 長小林; Kohei Asai; 宏平浅井; Masamichi Kataoka; 正道片岡
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2009-01-27
Filing date: 2009-01-27
Publication date: 2010-08-12
Anticipated expiration: 2029-01-27
Also published as: JP5350818B2

Abstract

【課題】研削加工後の被加工物を吸引保持して洗浄手段に搬送した後に、被加工物を吸引保持パッドから剥離する際に吸引保持パッドに吸引されている研削水が周囲に飛散しないようにした搬出手段を備えた研削装置研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保持された被加工物を研削する研削手段と、チャックテーブル上で研削された加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段と、チャックテーブル上で研削された被加工物を洗浄手段に搬出する被加工物搬出手段とを具備する研削装置であって、被加工物搬出手段は下面に被加工物を吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドと、吸引保持パッドを一端部に支持する搬送アームと、搬送アームの一端部に吸引保持パッドを懸垂状態で弾性支持する支持手段と、搬送アームの一端部に装着され吸引保持パッドの外周を覆う遮蔽部材とを具備している。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研削するための研削装置に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。また、サファイヤ基板や炭化珪素(SiC)基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。このようにして分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研削装置によって裏面が研削され、所定の厚さに加工される。

半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に加工前のウエーハを搬入する搬入手段と、チャックテーブル上に吸引保持されたウエーハを研削する研削手段と、チャックテーブル上で研削された加工後のウエーハを洗浄する洗浄手段と、チャックテーブル上で研削されたウエーハを洗浄手段に搬出する搬出手段を具備している。（例えば、特許文献１参照）
特開２００３−７７９８２号公報

上述した搬出手段は、下面にウエーハを吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドと、該吸引保持パッドを一端部に支持する搬送アームを具備し、吸引保持パッドの吸着面にチャックテーブル上で研削された加工後のウエーハの被研削面を吸引保持して、洗浄手段のスピンナーテーブル上に搬送する。そして、吸引保持パッドの吸着面に吸引保持したウエーハを洗浄手段のスピンナーテーブル上に載置したら吸引保持パッドにエアーまたは洗浄水を供給してウエーハを吸引保持パッドの吸着面から剥離する。

而して、吸引保持パッドにはチャックテーブル上で研削された加工後のウエーハを吸引保持する際に研削水が吸引されており、ウエーハを洗浄手段のスピンナーテーブル上に載置した状態でウエーハを吸引保持パッドから剥離するため吸引保持パッドにエアーまたは洗浄水を供給すると、吸引されている研削水が周囲に噴出して回りの機器を汚染するという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研削加工後の被加工物を吸引保持して洗浄手段のスピンナーテーブル上に載置した後に、被加工物を吸引保持パッドから剥離する際に吸引保持パッドに吸引されている研削水が周囲に飛散しないようにした被加工物搬出手段を備えた研削装置を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に加工前の被加工物を搬入する被加工物搬入手段と、該チャックテーブル上に吸引保持された被加工物を研削する研削手段と、該チャックテーブル上で研削された加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段と、該チャックテーブル上で研削された被加工物を該洗浄手段に搬出する被加工物搬出手段と、を具備する研削装置において、
該被加工物搬出手段は、下面にウエーハを吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドと、該吸引保持パッドを一端部に支持する搬送アームと、該搬送アームの一端部に吸引保持パッドを懸垂状態で弾性支持する支持手段と、該搬送アームの一端部に装着され該吸引保持パッドの外周を覆う遮蔽部材と、を具備している、
ことを特徴とする研削装置が提供される。

上記遮蔽部材は、吸引保持パッドの外周を覆う環状側壁と、該環状側壁の上端から内側に突出する環状の上壁とからなっており、該上壁が板バネを介して該搬送アームの一端部に装着される。

本発明による研削装置においては、チャックテーブル上で研削された被加工物を洗浄手段に搬出する被加工物搬出手段を構成する吸引保持パッドの外周を覆う遮蔽部材を備えているので、洗浄手段に搬出した被加工物を吸引保持パッドから剥離するためエアーを供給した際に吸引保持パッドに吸引していた研削水が噴出しても、この噴出した研削水は遮蔽部材によって遮蔽され飛散しないため、回りの機器を汚染することはない。

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。図１に示す研削装置に装備される被加工物搬出手段の斜視図。図２に示す被加工物搬出手段の要部を破断して示す説明図。図２に示す被加工物搬出手段の吸引保持パッドによってチャックテーブル上において研削された加工後の被加工物としての半導体ウエーハを吸引保持した状態を示す説明図。図２に示す被加工物搬出手段の吸引保持パッドによって吸引保持した研削加工後の被加工物としての半導体ウエーハをスピンナー洗浄手段のスピンナーテーブル上に載置した状態を示す説明図。

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には粗研削手段としての粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。

粗研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された粗研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめるサーボモータ３４と、ユニットハウジング３１を装着し上記案内レール２２、２２に沿って移動可能に配設された移動基台３５とを具備している。

上記移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における粗研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ研削ホイール３３を研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。

上記仕上げ研削ユニット４も粗研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめるサーボモータ４４と、ユニットハウジング４１を装着し上記案内レール２３、２３に沿って移動可能に配設された移動基台４５とを具備している。

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ研削ホイール４３を研削送りする送り機構４６を具備している。送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２に回転可能に配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２の上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、粗研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。

図示の実施形態における研削装置は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット１１と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット１２と、第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット１２との間に配設されたスピンナー洗浄手段１４と、第１のカセット１１内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段１３に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１４で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット１２に搬送する被加工物搬送手段１５と、中心合わせ手段１３上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１６と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハをスピンナー洗浄手段１４に搬送する被加工物搬出手段７を具備している。なお、上記第１のカセット１１には、半導体ウエーハWが表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハWは、裏面（被研削面）を上側にして収容される。また、上記スピンナー洗浄手段１４は、研削加工後の被加工物である半導体ウエーハを吸引保持するスピンナーテーブル１４０を具備している。このスピンナーテーブル１４０は、上記チャックテーブル６と同様に円盤状の基台１４１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック１４２とからなっており、吸着保持チャック１４２の上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたスピンナーテーブル１４０は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる。

ここで、上記被加工物搬出手段7について、図２および図３を参照して説明する。
図２および図３に示す被加工物搬出手段７は、下面に被加工物を吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッド７１と、該吸引保持パッド７１を一端部に支持する搬送アーム７２と、該搬送アーム７２の他端に連結され搬送アーム７２を昇降する昇降手段７３と、該昇降手段７３を回動する旋回手段７４と具備している。昇降機構７３は例えばエアシリンダ機構等からなっており、そのピストンロッド７３１の上端が搬送アーム７２の他端に連結されている。旋回手段７４は正転・逆転可能な電動モータを含んでおり、昇降手段７３を回動することにより該昇降手段７３に連結された搬送アーム７２をピストンロッド７３１を中心として揺動せしめる。

次に、上記搬送アーム７２の一端部に支持される吸引保持パッド７１について、図３を参照して説明する。
図示の実施形態における吸引保持パッド７１は、円盤状の枠体７１１とパッド７１２とからなっている。枠体７１１は適宜の金属材によって構成され、その上面中央部には支持軸部７１１ａが突出して形成されており、この支持軸部７１１ａが搬送アーム７２の一端部に装着される。支持軸部７１１ａの上端には係止部７１１ｂが設けられており、この係止部７１１ｂが搬送アーム７２に形成された係合部７２aと係合するようになっている。なお、枠体７１１の上面と搬送アーム７２との間には圧縮コイルバネ７５が配設され、枠体７１１を下方に向けて付勢している。従って、支持軸部７１１ａおよび圧縮コイルバネ７５は、搬送アーム７２の一端部に吸引保持パッド７１を懸垂状態で弾性支持する支持手段として機能する。

吸引保持パッド７１を構成する枠体７１１は、下方が開放された円形状の凹部７１１cを備えている。この凹部７１１cにポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド７１２が嵌合されている。このようにして枠体７１１の凹部７１１cに嵌合されたパッド７１２の下面は、被加工物を吸引保持する吸着面として機能する。吸引保持パッド７１を構成する枠体７１１に形成された円形状の凹部７１１cは、支持軸部７１１ａに設けられた連通路７１１dを介して搬送アーム７２内に配設されたフレキシブルパイプ７６に連通されている。このフレキシブルパイプ７６は、配管７７を介して吸引手段８およびエアー供給手段９に接続されている。

吸引手段８は、吸引源８１と、該吸引源８１と上記配管７７とを接続する配管８２に配設された電磁開閉弁８３とからなっている。電磁開閉弁８３は、除勢(OFF)している状態では上記吸引源８１と配管７７との連通を遮断しており、附勢(ON)されると吸引源８１と配管７７とを連通するように構成されている。従って、電磁開閉弁８３が附勢(ON)されると、吸引源８１から配管７７、フレキシブルパイプ７６、連通路７１１d、枠体７１１の凹部７１１cを介してパッド７１２の下面（吸着面）に負圧が作用せしめられ、該パッド７１２の下面（吸着面）に被加工物を吸引保持することができる。

上記エアー供給手段９は、エアー供給源９１と、該エアー供給源９１と上記配管７７とを接続する配管９２に配設された電磁開閉弁９３とからなっている。電磁開閉弁９３は、除勢(OFF)している状態では上記エアー供給源９１と配管７７との連通を遮断しており、附勢(ON)されるとエアー供給源９１と配管７７とを連通するように構成されている。従って、電磁開閉弁９３が附勢(ON)されると、エアー供給源９１から配管７７、フレキシブルパイプ７６、連通路７１１d、枠体７１１の凹部７１１cを介してパッド７１２の下面（吸着面）にエアーが供給される。

図示の実施形態における被加工物搬出手段7は、上記吸引保持パッド７１の外周を覆う遮蔽部材７８を具備している。この遮蔽部材７８は、吸引保持パッド７１の外周を覆う環状側壁７８１と、該環状側壁７８１の上端から内側に突出し中央に開口７８２aを有する環状の上壁７８２とからなっている。環状側壁７８１の外径は、上記スピンナー洗浄手段１４のスピンナーテーブル１４０を構成する円盤状の基台１４１の外径より小さい径に設定されている。このように構成された遮蔽部材７８は、図２に示すように環状の上壁７８２が３個の板バネ７９を介して上記搬送アーム７２の一端部にビス等の固着手段によって装着されている。

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について主に図１を参照して説明する。
第１のカセット１１に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハWは被加工物搬送手段１５によって中心合わせ手段１３に搬送され、ここで中心合わせされる。中心合わせ手段１３で中心合わせされた半導体ウエーハWは、被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハWを吸着保持チャック６２上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。

半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル６は、粗研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。一方、粗研削ユニット３の研削ホイール３３は、矢印３２aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構３６によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面に粗研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハWが載置される。そして、チャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル６上に吸引保持される。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、粗研削加工された半導体ウエーハWを保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を粗研削加工域Ｂに位置付ける。

このようにして、粗研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された粗研削加工前の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には粗研削ユニット３によって粗研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に保持され粗研削加工された半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、粗研削加工域Ｂにおいて粗研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は粗研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。

次に、図４に示すように被加工物搬出手段7の旋回手段７４および昇降手段７３を作動して被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に吸引保持されている研削加工後の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面に吸引保持パッド７１のパッド７１２の下面を接触させる。このとき、吸引保持パッド７１が傾斜していても、吸引保持パッド７１が支持軸部７１１ａおよび圧縮コイルバネ７５によって搬送アーム７２の一端部に懸垂状態で弾性支持されているので、パッド７１２の下面全面を半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面に接触させることができる。そして、チャックテーブル６の吸引保持を解除するとともに、被加工物搬出手段7を構成する吸引手段８の電磁開閉弁８３を附勢(ON)する。この結果、上述したように吸引源８１から配管７７、フレキシブルパイプ７６、連通路７１１d、吸引保持パッド７１の枠体７１１の凹部７１１cを介してパッド７１２の下面（吸着面）に負圧が作用せしめられ、パッド７１２の下面（吸着面）に半導体ウエーハWが吸引保持される。このとき、研削加工後の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には研削水が残留しているので、この研削水が吸引保持パッド７１に吸引される。

上述したように研削加工後の半導体ウエーハWを吸引保持したならば、被加工物搬出手段7は昇降手段７３および旋回手段７４を作動して、図５に示すように吸引保持パッド７１に吸引保持されている半導体ウエーハWをスピンナー洗浄手段１４のスピンナーテーブル１４０を構成する吸着保持チャック１４２上に搬送する。そして、吸引保持パッド７１の外周を覆う遮蔽部材７８を構成する環状側壁７８１の下端がスピンナーテーブル１４０を構成する基台１４１の外周部上面に接触させる。このとき、遮蔽部材７８は上述したように板バネ７９を介して上記搬送アーム７２の一端部に装着されているので、傾斜していても板バネ７９が撓むことによって環状側壁７８１の下端が全周に渡ってスピンナーテーブル１４０の上面に接触せしめられる。なお、研削加工後の半導体ウエーハWをスピンナー洗浄手段１４のスピンナーテーブル１４０上に載置すると同時に図示しない吸引手段を作動して、研削加工後の半導体ウエーハWをスピンナーテーブル１４０上に吸引保持する。次に、吸引手段８の電磁開閉弁８３を除勢(OFF)するとともに、エアー供給手段９の電磁開閉弁９３を附勢(ON)する。従って、エアー供給源９１から配管７７、フレキシブルパイプ７６、連通路７１１d、吸引保持パッド７１の枠体７１１の凹部７１１cを介してパッド７１２の下面（吸着面）にエアーが供給される。この結果、吸引保持パッド７１のパッド７１２の下面（吸着面）に吸引保持されていた半導体ウエーハWがパッド７１２の下面（吸着面）から剥離される。このとき、上述したように吸引保持パッド７１に吸引されていた研削水が噴出されるが、吸引保持パッド７１から噴出した研削水は遮蔽部材７８によって遮蔽され飛散しないため、回りの機器を汚染することはない。なお、吸引保持パッド７１に供給され遮蔽部材７８内に噴出したエアーは、環状の上壁７８２によって形成された開口７８２aから排出される。

以上のようにして、研削加工後の半導体ウエーハWをスピンナーテーブル１４０上に吸引保持したならば、スピンナー洗浄手段１４が作動することによって半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面および側面に付着している研削屑が洗浄され除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された研削加工後の半導体ウエーハWは、被加工物搬送手段１５によって第２のカセット１２に搬送され収納される。

２：装置ハウジング
３：粗研削ユニット
３３：研削ホイール
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：被加工物搬出手段
７１：吸引保持パッド
７２：搬送アーム
７３：昇降手段
７４：旋回手段
７８：遮蔽部材
７９：板バネ
８：吸引手段
９：エアー供給手段
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：中心合わせ手段
１４：スピンナー洗浄手段
１５：被加工物搬送手段
１６：被加工物搬入手段
W：半導体ウエーハ
T：保護テープ

Claims

被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に加工前の被加工物を搬入する被加工物搬入手段と、該チャックテーブル上に吸引保持された被加工物を研削する研削手段と、該チャックテーブル上で研削された加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段と、該チャックテーブル上で研削された被加工物を該洗浄手段に搬出する被加工物搬出手段と、を具備する研削装置において、
該被加工物搬出手段は、下面に被加工物を吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドと、該吸引保持パッドを一端部に支持する搬送アームと、該搬送アームの一端部に吸引保持パッドを懸垂状態で弾性支持する支持手段と、該搬送アームの一端部に装着され該吸引保持パッドの外周を覆う遮蔽部材と、を具備している、
ことを特徴とする研削装置。
該遮蔽部材は、該吸引保持パッドの外周を覆う環状側壁と、該環状側壁の上端から内側に突出する環状の上壁とからなっており、該上壁が板バネを介して該搬送アームの一端部に装着される、請求項１記載の研削装置。