CN111873200A - 一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,包括如下步骤:1)将单晶段底部用环保水煮胶粘上树脂底板、并固化;环保水煮胶包括质量比为1:(4.5‑5.5)的A组分和B组分;A组分包括:聚环氧乙烷45‑55份,改性环氧树脂22‑25份,二氧化钛3‑5份,钙盐20‑22份和氨盐6‑8份;B组分:包括氧化胺30‑35份,硫基加成物33‑38份,钙盐20‑25份和氨盐5‑15份;2)在树脂板底部粘上石墨条、并固化;3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后,在85‑95℃的热水中浸泡6‑12分钟,单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落,得到完整、无破损的单晶棒。上述方法安全环保,简单易操作,大幅提高了材料利用率,降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,属于锗硅等红外透镜材料的加工领域。
背景技术
随着热成像技术应用的兴起,作为热成像镜头的产品锗、硅等材料使用广泛。生产实践中,不同的客户对红外锗、硅单晶的直径需求不等、且同一直径的订单数量一般都比较少,不便于批量生产,因此,红外锗、硅单晶通常采用直拉法等径生长直径为6-8英寸的单晶,再根据客户的不同需求,将直径为6-8英寸的单晶切为10-15cm左右的单晶段,最后选用比客户订单直径大0.5mm的金刚石套筒套出单晶棒(此过程被称为套圆),再去精滚外圆,得到客户需求的直径。
现有的套圆工艺为:在切好的硅、锗单晶底部用502胶水粘上石墨条,待502胶水固化后,装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后单晶底部的胶水无法自动脱胶,还需要用100#金刚砂去平模机上去砂,大约有0.2%-0.5%左右的锗泥产生(这部分锗泥无法回收),且套出产品基本每段底部都有1-5mm以上的破损,每根直径为6-8英寸的单晶段大约有5%-8%左右单晶棒损失无法利用,材料利用率太低,生产成本太高。
发明内容
本发明提供一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,通过利用特定组分的水煮胶粘结树脂底板,可实现水煮脱胶,使得单晶棒底部无破损,显著提高了单晶棒成品合格率;脱胶简单,安全环保;提高了单晶利用率,避免了因脱胶或去除破损而产生锗泥等,大幅提高了材料利用率,降低了生产成本。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,包括如下步骤:
1)将单晶段底部用环保水煮胶粘上树脂底板、并固化;环保水煮胶包括质量比为1:(4.5-5.5)的A组分和B组分;A组分包括:聚环氧乙烷45-55份,改性环氧树脂22-25份,二氧化钛3-5份,钙盐20-22份和氨盐6-8份;B组分:包括氧化胺30-35份,硫基加成物33-38份,钙盐20-25份和氨盐5-15份;前述份数均为质量份数;
2)在树脂板底部粘上石墨条、并固化;
3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后,在85-95℃的热水中浸泡6-12分钟,单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落,得到完整的单晶棒。
本申请名称中锗/硅红外晶体,指锗红外晶体或硅红外晶体。也即本申请的方法适于锗红外晶体或硅红外晶体等的套圆。
申请人经研发实践,开发出了适于套圆的环保水煮胶,属于双组分快干型且具有较高粘性的临时结构胶,A组分和B组分均为粘稠液体,A组分的PH值为7.2-7.8,B组分的PH值为6.8-7.2,A组分和B组分中均不含有机溶剂,安全环保,胶水初固定位及表干约为3分,常温下50分钟左右即可完成固化,其粘结度、硬度和拉伸强度均能完全满足套圆需求,经长达半年左右的放大实验,均无发生套圆过程中脱胶现象,且可在热水中自动脱胶(水煮胶片在热水条件下会从单晶段底部自动剥离),单晶段底部无胶残留,省去了套圆后的磨胶步骤。
本申请通过在步骤1)利用水煮胶粘结树脂底板,并在步骤3)中进行水煮脱胶,使得单晶棒底部无破损,单晶棒成品合格率可达100%;脱胶简单,安全环保;避免了因套圆而产生的单晶段底部的破损,也避免了因脱胶或去除破损而产生锗泥,提高了锗/硅单晶的利用率,大幅提高了材料利用率,降低了生产成本。
上述步骤1-2中固化为将相应的胶固化。套圆时的冷却直接参照现有技术即可,本申请对此并无特别改进,因此,不再赘述。
为了进一步确保水煮胶的粘结性,同时便于脱胶,步骤1)中,组分A中,聚环氧乙烷为美国陶氏聚环氧乙烷WSR-303。
为了进一步确保水煮胶的结构强度,步骤1)中,组分A中,改性环氧树脂为尿烷改性环氧树脂。
为了进一步确保水煮胶的粘结性能和易脱性,步骤1)中,组分B中,氧化胺为十二烷基二甲基氧化胺或椰油酰胺丙基氧化胺中至少一种。
为了在确保水煮胶的粘结性能的基础上,进一步提高水煮时的易脱性,步骤1)中,组分B中,氧化胺为十二烷基二甲基氧化胺和椰油酰胺丙基氧化胺质量比为1:(2-3)的混合物。
为了进一步确保水煮胶的粘结性能和易脱性,步骤1)中,组分B中,硫基加成物为巯基乙醇或巯基乙酸中至少一种。
为了在确保水煮胶的粘结性能的基础上,进一步提高水煮时的易脱性,更好地避免破损,组分B中,硫基加成物为巯基乙醇和巯基乙酸质量比为1:(5-8)的混合物。
为了进一步提高水煮胶的综合性能,步骤1)中,组分A和组分B中:钙盐均为氯化钙,氨盐均为氯化铵。
上述步骤1)中,水煮胶的固化时间为常温下50-70分钟;为了兼顾成本和稳定性的要求,水煮胶的施胶温度为20-30℃,施胶厚度为0.12-0.15mm;树脂底板的厚度为3-5mm。
上述步骤1)中环保水煮胶的制备方法包括如下步骤:
A、20-30℃下,将A组分各原料混合均匀,得A组分;
B、20-30℃下,将B组分各原料混合均匀,得B组分;
C、使用前,20-30℃下,将A组分和B组分按照质量比为1:(4.5-5.5)的比例混合均匀,得环保水煮胶。
本申请环保水煮胶无需特别的设备,常温下混匀即可,简单、易操作,制备成本低廉。
本发明未提及的技术均参照现有技术。
本发明提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,通过利用特定组分的水煮胶粘结树脂底板,可实现水煮自动脱胶,使得单晶棒底部无破损,显著提高了单晶棒成品合格率;本申请特定组分的水煮胶的粘结度、硬度和拉伸强度均能完全满足套圆需求,套圆过程中无脱胶现象,且安全环保;避免了因脱胶或去除破损而产生锗泥等,大幅提高了材料利用率,降低了生产成本。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
制备环保水煮胶:
A组分的制备:将聚环氧乙烷(美国陶氏聚环氧乙烷WSR-303)50份、尿烷改性环氧树脂(湖北广奥生物科技有限公司)24份、二氧化钛4份、氯化钙21份和氯化铵7份,在20-30℃下,混合均匀,得A组分,粘度为31000mPa·s;
B组分的制备:将十二烷基二甲基氧化胺(上海雪捷化工)33份、巯基乙醇35份、氯化钙22份和氯化铵10份,在20-30℃下,混合均匀,得B组分,粘度为36000mPa·s;
使用前,20-30℃下,将A组分和B组分分别搅拌均匀后,再按照质量比为1:1的比例混合均匀,得环保水煮胶,固化后的硬度为75shoreD,拉伸强度为21kgf/cm2,胶水初固定位及表干约为3分,90℃水煮的脱胶时间为6分钟左右。
一种提高锗红外晶体套圆合格率的方法,包括如下步骤:
1)20-30℃下,将单晶段底部用环保水煮胶粘上4mm厚的3240环氧树脂底板、并固化50分钟,其中,环保水煮的施胶厚度为0.12mm左右;
2)在树脂板底部用502胶水粘上石墨条、并固化;
3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后,在90℃的热水中浸泡6分钟,单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落,得到完整的单晶棒。
实施例2
与实施例1基本相同,所不同的是:十二烷基二甲基氧化胺替换为十二烷基二甲基氧化胺(上海雪捷化工)和椰油酰胺丙基氧化胺(召涓化工)质量比为1:2.5的混合物;将巯基乙醇替换为巯基乙醇和巯基乙酸质量比为1:6的混合物。
对比例1
采用现有的套圆工艺,不采用环保水煮胶,具体方法包括如下步骤:
1)在单晶段底部底部用502胶水粘上石墨条、并固化;
2)将步骤1)所得单晶段装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后,用100#金刚砂去平模机上去砂,有0.2%-0.5%左右的锗泥产生。
分别采用上述各例的方法,在直径为8英寸的锗单晶段上套圆客户要求的两个直径φ17.6mm和φ25.4mm,同一种方法下,不同的直径分别取10个平行试样,具体结果如表1所示。
说明:上述φ17.6/905,表示直径为17.6mm,高度为905mm,其他类似;破损高度为套圆产生的单晶段的破损高度,发生在单晶段的底部。
通过上表可看出,实施例1-2通过在步骤1)利用水煮胶粘结树脂底板,并在步骤3)中进行水煮脱胶,实施例1-2中脱胶后的各试样单晶段底部均无胶残留,省去了套圆后的磨胶步骤,且所得单晶棒底部基本无破损;脱胶简单,安全环保;避免了因脱胶或去除破损而产生锗泥,大幅提高材料利用率,降低生产成本;且对比实施例1和实施例2可看出,实施例2通过物质的复配更好地避免了套圆产生的破损,合格率达100%。
Claims (10)
1.一种提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)将单晶段底部用环保水煮胶粘上树脂底板、并固化;环保水煮胶包括质量比为1:(4.5-5.5)的A组分和B组分;A组分包括:聚环氧乙烷45-55份,改性环氧树脂22-25份,二氧化钛3-5份,钙盐20-22份和氨盐6-8份;B组分:包括氧化胺30-35份,硫基加成物33-38份,钙盐20-25份和氨盐5-15份;前述份数均为质量份数;
2)在树脂板底部粘上石墨条、并固化;
3)将步骤2)所得单晶段装在钻床上,同时固定好套筒,套筒对准单晶,从单晶顶部向底部进行套圆,套圆结束后,在85-95℃的热水中浸泡6-12分钟,单晶段底部的环保水煮胶粘自动剥落,得到完整的单晶棒。
2.如权利要求1所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分A中,聚环氧乙烷为美国陶氏聚环氧乙烷WSR-303。
3.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分A中,改性环氧树脂为尿烷改性环氧树脂。
4.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分B中,氧化胺为十二烷基二甲基氧化胺或椰油酰胺丙基氧化胺中至少一种。
5.如权利要求4所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分B中,氧化胺为十二烷基二甲基氧化胺和椰油酰胺丙基氧化胺质量比为1:(2-3)的混合物。
6.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分B中,硫基加成物为巯基乙醇或巯基乙酸中至少一种。
7.如权利要求6所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分B中,硫基加成物为巯基乙醇和巯基乙酸质量比为1:(5-8)的混合物。
8.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,组分A和组分B中:钙盐均为氯化钙,氨盐均为氯化铵。
9.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中,水煮胶的固化时间为常温下50-70分钟;水煮胶的施胶温度为20-30℃,施胶厚度为0.12-0.15mm;树脂底板的厚度为3-5mm。
10.如权利要求1或2所述的提高锗/硅红外晶体套圆合格率的方法,其特征在于:步骤1)中环保水煮胶的制备方法包括如下步骤:
A、20-30℃下,将A组分各原料混合均匀,得A组分;
B、20-30℃下,将B组分各原料混合均匀,得B组分;
C、使用前,20-30℃下,将A组分和B组分按照质量比为1:(4.5-5.5)的比例混合均匀,得环保水煮胶。
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Denomination of invention: A method to improve the qualification rate of germanium/silicon infrared crystal sleeve Granted publication date: 20220422 Pledgee: China Minsheng Banking Corp Nanjing branch Pledgor: CHINA GERMANIUM Co.,Ltd. Registration number: Y2024980010281 |