CN111755248A

CN111755248A - 层叠陶瓷电容器

Info

Publication number: CN111755248A
Application number: CN202010234400.4A
Authority: CN
Inventors: 若岛诚宽
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-03-29
Filing date: 2020-03-27
Publication date: 2020-10-09
Anticipated expiration: 2040-03-27
Also published as: US20200312561A1; JP7070840B2; JP2020167322A; US11551872B2; CN111755248B

Abstract

本发明提供一种改善了耐湿性、外部电极的机械强度、外部电极的电连接可靠性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器具备：电容元件，包含陶瓷层、第1内部电极层以及第2内部电极层，并具有第1主面、第2主面、第1侧面、第2侧面、以及第1端面、第2端面，第1内部电极层引出到第1端面，第2内部电极层引出到第2端面，第1端面的至少一部分以及第2端面的至少一部分被导体层覆盖，导体层的一部分被绝缘部覆盖，从第1端面、第2端面观察，导体层的至少一部分以及绝缘部的至少一部分被基底外部电极层覆盖，基底外部电极层的至少一部分被镀敷层覆盖。

Description

层叠陶瓷电容器

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电容器，更详细地，涉及改善了耐湿性、外部电极的机械强度、外部电极的电连接可靠性的层叠陶瓷电容器。

背景技术

层叠陶瓷电容器广泛使用于各种电子设备。在层叠陶瓷电容器中，耐湿性的提高成为重要的课题之一。

在日本特开2018-110212号公报公开了一种谋求耐湿性的改善的层叠陶瓷电容器。在图7示出在日本特开2018-110212号公报公开的层叠陶瓷电容器1000。

层叠陶瓷电容器1000具备层叠了多个陶瓷层102、多个第1内部电极层103、以及多个第2内部电极层104的电容元件101。

在电容元件101的两端面各自形成有导体层105。在形成于一个端面的导体层105电连接第1内部电极层103，在形成于另一个端面的导体层105电连接第2内部电极层104。

导体层105被以陶瓷为主成分的绝缘部106覆盖。导体层105以及绝缘部106被外部电极107覆盖。外部电极107由基底外部电极层108和镀敷层109构成。

在电容元件101的侧面侧以及主面侧的导体层105的端部，导体层105和基底外部电极层108相互接合，并相互电连接。用附图标记P示出导体层105和基底外部电极层108相互接合并相互电连接的部分。

层叠陶瓷电容器1000在导体层105与基底外部电极层108之间形成了以陶瓷为主成分的绝缘部106，因此改善了耐湿性。即，因为形成了绝缘部106，所以可抑制水分从电容元件101的端面的陶瓷层102与第1内部电极层103的间隙、陶瓷层102与第2内部电极层104的间隙侵入到内部。

在层叠陶瓷电容器1000中，导体层105与绝缘部106的接合强度、以及绝缘部106与基底外部电极层108的接合强度各自都低，因此存在外部电极107的机械强度低这样的问题。即，因为以金属为主成分的导体层105以及基底外部电极层108各自与以陶瓷为主成分的绝缘部106的接合强度低，因此外部电极107有可能会由于外力、热循环而从电容元件101剥离。

此外，在层叠陶瓷电容器1000中，仅通过用附图标记P示出的部分进行导体层105与基底外部电极层108的接合以及电连接，因此若导体层105的厚度变小，则导体层105与基底外部电极层108的接合强度变得不充分，导体层105与基底外部电极层108的电连接有可能会变得不充分，或者有可能会断线。

发明内容

作为用于解决以往的课题的方案，本发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器具备：电容元件，包含层叠的多个陶瓷层、多个第1内部电极层以及多个第2内部电极层，具有在高度方向上相对的第1主面以及第2主面、在与高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与高度方向以及宽度方向的双方正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面，第1内部电极层引出到第1端面，第2内部电极层引出到第2端面，第1端面的至少一部分以及第2端面的至少一部分分别被导体层覆盖，导体层的一部分被绝缘部覆盖，在端面中，导体层的至少一部分以及绝缘部的至少一部分被基底外部电极层覆盖，基底外部电极层的至少一部分被镀敷层覆盖。

根据与附图相关联而进行理解的关于本发明的以下的详细的说明，本发明的上述以及其它的目的、特征、方面以及优点将变得明确。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的立体图。

图2是图1中的层叠陶瓷电容器的II-II部分的剖视图。

图3A是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的第1分解立体图。

图3B是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的第2分解立体图。

图4A是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的第3分解立体图。

图4B是第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的第4分解立体图。

图5是第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的分解立体图。

图6是第3实施方式涉及的层叠陶瓷电容器的分解立体图。

图7是在日本特开2018-110212号公报公开的层叠陶瓷电容器的剖视图。

具体实施方式

以下，和附图一起对用于实施本发明的方式进行说明。

另外，各实施方式例示性地示出了本发明的实施方式，本发明并不限定于实施方式的内容。此外，还能够将在不同的实施方式记载的内容进行组合而实施，该情况下的实施内容也包含于本发明。此外，附图用于帮助理解说明书，存在示意性地描绘的情况，存在所描绘的构成要素或构成要素间的尺寸的比率与在说明书记载的它们的尺寸的比率不一致的情况。此外，存在说明书所记载的构成要素在附图中被省略的情况、省略了个数而进行描绘的情况等。

[第1实施方式]

在图1、图2、图3A、图3B、图4A、图4B示出第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100。另外，图中示出了层叠陶瓷电容器100的高度方向T、宽度方向W、长度方向L，在以下的说明中，有时会提及这些方向。

图1是层叠陶瓷电容器100的立体图。图2是层叠陶瓷电容器100的剖视图，示出了在图1用单点划线箭头示出的II-II部分。图3A、图3B、图4A以及图4B分别是层叠陶瓷电容器100的第1分解立体图、第2分解立体图、第3分解立体图以及第4分解立体图。另外，图3A示出省略了后述的导体层4、绝缘部5、外部电极6(基底外部电极层7、镀敷层8)的状态的层叠陶瓷电容器100。图3B示出省略了绝缘部5、外部电极6的状态的层叠陶瓷电容器100。图4A示出省略了外部电极6的状态的层叠陶瓷电容器100。图4B示出省略了外部电极6的镀敷层8的状态的层叠陶瓷电容器100。

层叠陶瓷电容器100具备相互层叠了多个陶瓷层1a、多个第1内部电极层2、以及多个第2内部电极层3的电容元件1。电容元件1由长方体形状构成，具有在高度方向T上相对的第1主面1A以及第2主面1B、在与高度方向T正交的宽度方向W上相对的第1侧面1C以及第2侧面1D、和在与高度方向T以及宽度方向W的双方正交的长度方向L上相对的第1端面1E以及第2端面1F。

陶瓷层1a的材质是任意的，作为陶瓷层1a，例如，能够使用以BaTiO₃为主成分的介电陶瓷。但是，作为陶瓷层1a，也可以使用代替BaTiO₃而以CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等其它材质为主成分的介电陶瓷。陶瓷层1a的厚度是任意的，例如为0.1～1.0μm。

第1内部电极层2以及第2内部电极层3各自的主成分是任意的，作为第1内部电极层2以及第2内部电极层3各自的主成分，例如，能够使用Ni。但是，作为第1内部电极层2以及第2内部电极层3各自的主成分，也可以代替Ni而使用Pd、Ag、Cu等其它金属。此外，上述的Ni、Pd、Ag或Cu等也可以是与其它金属的合金。第1内部电极层2以及第2内部电极层3各自的厚度是任意的，例如为0.1～1.0μm。

第1内部电极层2引出到第1端面1E，第2内部电极层3引出到第2端面1F。

第1端面1E以及第2端面1F分别被导体层4覆盖。在第1端面1E中，第1内部电极层2与导体层4电连接，在第2端面1F中，第2内部电极层3与导体层4电连接。另外，虽然导体层4覆盖第1端面1E以及第2端面1F各自的整个面，但不是必须覆盖整个面，只要在第1端面1E中至少覆盖引出到第1端面1E的第1内部电极层2即可，并在第2端面1F中至少覆盖引出到第2端面1F的第2内部电极层3即可。

导体层4的主成分是任意的，作为导体层4的主成分，例如，能够使用Ni。但是，作为导体层4的主成分，也可以代替Ni而使用Pd、Ag、Cu等其它金属。此外，Ni、Pd、Ag、Cu等也可以是与其它金属的合金。导体层4的厚度是任意的，例如为0.3～5.0μm。

导体层4的一部分被绝缘部5覆盖。在本实施方式中，绝缘部5为圆形，在导体层4的表面呈之字状配置有多个绝缘部5。绝缘部5的厚度是任意的，例如为0.3～5.0μm。

导体层4的表面中的绝缘部5的被覆率优选为20％以上且98％以下。这是因为，若不足20％，则通过绝缘部5使耐湿性提高的效果有可能变得不充分。此外，还因为，若超过98％，则导体层4与后述的基底外部电极层7的接合强度有可能下降。

另外，关于导体层4的表面中的绝缘部5的被覆率的测定，根据对除去了外部电极6的电容元件1的端面(第1端面1E、第2端面1F)进行拍摄的照片，使用图像分析软件来实施。更具体地，通过以下的方法来测定。

首先，从电容元件1的端面(第1端面1E以及第2端面1F各自)除去外部电极6(基底外部电极层7以及镀敷层8)。外部电极6的除去方法有进行物理研磨的方法、进行化学除去的方法。在进行物理研磨的方法中，通过将电容元件1固定，并用研磨纸水平地对端面部进行研磨，从而能够除去外部电极6。在进行化学除去的方法中，例如，在基底外部电极层7以Cu为主成分的情况下，通过浸渍于溶解Cu的溶液，从而能够除去外部电极6。通过将芯片浸渍于焊料槽，也能够利用Cu侵蚀来除去外部电极6。

接着，拍摄除去了外部电极6的电容元件1的端面的照片。注意以下方面而拍摄端面的照片。拍摄使用光学显微镜或显微镜来进行。但是，在不能根据色调来识别绝缘部5和导体层4的情况下，通过使用SEM(Scanning Electron Microscope；扫描型电子显微镜)像(例如，反射电子的检测)、或EDX(Energy Dispersive X-ray spectrometry；能量分散型X射线分析法)、WDX(Wavelength Dispersive x-ray Spectrometry；波长分散型X射线分析法)等进行绘制，从而能够识别绝缘部5和导体层4。

如果准备好了能够识别绝缘部5和导体层4的照片，则接着用图像分析软件进行二值化处理，并通过面积比率计算绝缘部5和导体层4的比例。通过以上，能够测定导体层4的表面中的绝缘部5的被覆率。

绝缘部5的材质是任意的。但是，在本实施方式中，绝缘部5以陶瓷为主成分。另外，该陶瓷的种类也是任意的，作为绝缘部5的主成分，例如，能够使用与陶瓷层1a相同的材质。

在电容元件1的第1端面1E以及第2端面1F分别形成有外部电极6。外部电极6由基底外部电极层7和镀敷层8构成。另外，外部电极6分别形成为盖子状，形成为从第1端面1E以及第2端面1F起分别延伸到第1主面1A和第2主面1B各自、以及第1侧面1C和第2侧面1D各自。

导体层4以及绝缘部5被基底外部电极层7覆盖。以金属为主成分的导体层4和以陶瓷为主成分的绝缘部5的接合强度、以及以陶瓷为主成分的绝缘部5和以金属为主成分的基底外部电极层7的接合强度各自都不怎么高。然而，以金属为主成分的导体层4和以金属为主成分的基底外部电极层7从绝缘部5的间隙相互牢固地接合，因此导体层4、绝缘部5以及基底外部电极层7相互被牢固地一体化。

基底外部电极层7的材质是任意的，作为基底外部电极层7，例如，能够使用Cu以及玻璃。但是，也可以代替基底外部电极层7包含的Cu而使用Ag、Ni等其它金属。此外，基底外部电极层7包含的Cu、Ag或Ni等也可以是与其它金属的合金。另外，基底外部电极层7也可以不包含玻璃。基底外部电极层7的厚度是任意的，例如为2～100μm。

基底外部电极层7被镀敷层8覆盖。镀敷层8的材质、层数是任意的，镀敷层8例如能够设为将第1层设为Ni镀敷膜并将第2层设为Sn镀敷膜的两层构造。但是，在图2中，为了容易观察，将镀敷层8示出为一层。镀敷层8的第1层以及第2层各自的厚度是任意的，例如为0.1～5.0μm。

如上所述，由基底外部电极层7和镀敷层8构成外部电极6。

本实施方式的层叠陶瓷电容器100在导体层4与基底外部电极层7之间形成有以陶瓷为主成分的绝缘部5，因此改善了耐湿性。即，通过形成绝缘部5，从而可抑制水分从电容元件1的第1端面1E中的陶瓷层1a与第1内部电极层2的间隙、电容元件1的第2端面1F中的陶瓷层1a与第2内部电极层3的间隙侵入到内部。

此外，虽然层叠陶瓷电容器100在导体层4与基底外部电极层7之间形成有绝缘部5，但是导体层4和基底外部电极层7从绝缘部5的间隙相互牢固地接合，因此导体层4、绝缘部5、基底外部电极层7相互被牢固地一体化。因此，在层叠陶瓷电容器100中，外部电极6的机械强度高，外部电极6不易从电容元件1剥离。

此外，在层叠陶瓷电容器100中，导体层4和基底外部电极层7从绝缘部5的间隙通过面相互接合，谋求了导体层4与基底外部电极层7的电连接，因此即使导体层4的厚度小，电连接可靠性也高。即，例如，在图7所示的在日本特开2018-110212号公报公开的层叠陶瓷电容器1000中，若导体层105的厚度变小，则有时用附图标记P示出的部分的导体层105与基底外部电极层108的电连接变得不充分，但是在层叠陶瓷电容器100中，即使导体层4的厚度小，导体层4和基底外部电极层7也良好地相互电连接。例如，在层叠陶瓷电容器100中，即使导体层4的厚度为5.0μm以下，导体层4和基底外部电极层7也良好地相互电连接。

基底外部电极层7包含的玻璃是为了提高与其它构件的接合强度而添加的。然而，一般来说，若增多玻璃的含量，则与其它构件的接合强度变高，但是会产生基底外部电极层7的导电率下降这样的问题。然而，在层叠陶瓷电容器100中，如上所述，导体层4和基底外部电极层7从绝缘部5的间隙通过面相互牢固地接合，因此即使基底外部电极层7的玻璃的含量少也没有问题。在层叠陶瓷电容器100中，即使基底外部电极层7的玻璃的含量为40体积％以下，基底外部电极层7也与导体层4以及绝缘部5各自良好地接合。此外，如果基底外部电极层7的玻璃的含量为40体积％以下，则基底外部电极层7具备充分的导电率。

在层叠陶瓷电容器100中，优选在导体层4中作为公共材料而添加与陶瓷层1a包含的陶瓷相同种类的陶瓷、与绝缘部5包含的陶瓷相同种类的陶瓷。在该情况下，能够使电容元件1与导体层4的接合强度、导体层4与绝缘部5的接合强度提高。

第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100例如能够通过以下的方法来制造。

首先，准备介电陶瓷的粉末、粘合剂树脂、溶剂等，将它们进行湿式混合而制作陶瓷浆料。

接着，在载置膜上使用模具涂覆机、凹版式涂敷机或微凹版式涂敷机等将陶瓷浆料涂敷为片状并使其干燥，从而制作陶瓷生片。

接着，在给定的陶瓷生片的主面，为了形成第1内部电极层2或第2内部电极层3，将预先准备的导电性膏印刷为所希望的图案形状。另外，对于成为保护层的陶瓷生片，不印刷导电性膏。

接着，将陶瓷生片按给定的顺序进行层叠，并加热压接而使其一体化，从而制作未烧成的电容元件。

接着，为了形成导体层4而制作Ni片。具体地，首先，准备Ni的粉末、粘合剂树脂以及溶剂等，将它们进行湿式混合而制作Ni浆料。

接着，在载置膜上使用模具涂覆机、凹版式涂敷机或微凹版式涂敷机等将Ni浆料涂敷为片状并使其干燥，从而制作Ni片。

接着，将未烧成的电容元件的两端面各自压附于Ni片，使Ni片附着于未烧成的电容元件的端面。

接着，为了形成绝缘部5而制作陶瓷浆料。具体地，首先，准备陶瓷的粉末、粘合剂树脂以及溶剂等，将它们进行湿式混合而制作陶瓷浆料。

接着，例如通过喷墨法将制作的陶瓷浆料涂敷到附着于未烧成的电容元件的两端面各自的Ni片的表面，并涂敷为所希望的形状。

接着，将在端面附着了Ni片并在Ni片的表面涂敷了陶瓷浆料的未烧成的电容元件以给定的轮廓进行烧成，完成电容元件1。另外，此时，印刷在陶瓷生片的主面的导电性膏同时被烧成，在电容元件1的内部形成多个第1内部电极层2以及多个第2内部电极层3。此外，Ni片同时被烧成，在电容元件1的两端面各自形成导体层4。此外，涂敷在Ni片的表面的陶瓷浆料同时被烧成，在导体层4的表面形成绝缘部5。

另外，关于未烧成的电容元件的烧成，通常是一次将许多个集中起来实施，此时，通过涂敷在Ni片的表面的陶瓷浆料，可抑制相邻的未烧成的电容元件的Ni片彼此紧贴在一起。

接着，为了在设置了导体层4以及绝缘部5的电容元件1形成基底外部电极层7，在设置了导体层4以及绝缘部5的电容元件1的两端部涂敷导电性膏。具体地，将设置了导体层4以及绝缘部5的电容元件1的两端部各自浸到放入了导电性膏的池中。

接着，将在两端部涂敷了导电性膏的、设置了导体层4以及绝缘部5的电容元件1以给定的温度进行加热而对导电性膏进行烧附，从而在设置了导体层4以及绝缘部5的电容元件1的两端部形成基底外部电极层7。

接着，通过电解镀敷在基底外部电极层7的表面形成镀敷层8，完成外部电极6。通过以上，完成第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100。

[第2实施方式]

在图5示出第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200。其中，图5是层叠陶瓷电容器200的分解立体图，示出省略了外部电极6(基底外部电极层7、镀敷层8)的状态。

第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200对第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的结构的一部分施加了变更。具体地，在层叠陶瓷电容器100中，导体层4被多个圆形的绝缘部5覆盖，但是在层叠陶瓷电容器200中，对此进行了变更，通过一个面积大的绝缘部25覆盖了导体层4。绝缘部25由将导体层4的四角分别切去的形状构成。关于层叠陶瓷电容器200的其它结构，与层叠陶瓷电容器100相同。

在层叠陶瓷电容器200中，在切去的部分，导体层4和基底外部电极层7牢固地相互接合。此外，在该部分，可谋求导体层4与基底外部电极层7的电连接。

[第3实施方式]

在图6示出第3实施方式涉及的层叠陶瓷电容器300。其中，图6是层叠陶瓷电容器300的分解立体图，示出省略了外部电极6(基底外部电极层7、镀敷层8)的状态。

第3实施方式涉及的层叠陶瓷电容器300也对第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的结构的一部分施加了变更。具体地，在层叠陶瓷电容器100中，导体层4被多个圆形的绝缘部5覆盖，但是在层叠陶瓷电容器300中，对此进行了变更，通过一个格子状的绝缘部35覆盖了导体层4。关于层叠陶瓷电容器300的其它结构，与层叠陶瓷电容器100相同。

在层叠陶瓷电容器300中，在导体层4中的未形成格子状的绝缘部35所形成的窗状的绝缘部的部分，导体层4和基底外部电极层7牢固地相互接合。此外，在该部分，可谋求导体层4与基底外部电极层7的电连接。

以上，对第1实施方式～第3实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100、200、300进行了说明。然而，本发明并不限定于上述的内容，能够按照发明的主旨进行各种变更。

例如，虽然在上述实施方式中，由一层构成了导体层4，但是导体层4也可以由多个层构成。例如，也可以由包含金属(Ni等)和陶瓷的第1层和包含金属的第2层构成导体层4。

此外，虽然在上述实施方式中，使用Ni片形成了导体层4，但是为了形成导体层4，也可以代替Ni片而使用Pd片、Ag片、Cu片等。

此外，虽然在上述实施方式中，使金属片(Ni片)附着于未烧成的电容元件的端面而形成了导体层4，但是也可以代替于此，在未烧成的电容元件的端面涂敷导电性膏而形成导体层4。

此外，虽然在上述实施方式中，在使金属片(Ni片)附着于未烧成的电容元件的端面之后，在金属片的表面通过喷墨法涂敷了用于形成绝缘部5的陶瓷浆料，但是也可以代替于此，在附着到未烧成的电容元件的端面之前的金属片的表面预先印刷陶瓷浆料。

此外，虽然在上述实施方式中，在金属片(Ni片)的表面部分地涂敷了用于形成绝缘部5的陶瓷浆料，但是也可以在金属片的表面的整个面涂敷陶瓷浆料，并通过烧成时的热使陶瓷浆料收缩，使得在导体层4的表面部分地形成绝缘部5。

此外，虽然在上述实施方式中，使外部电极6从第1端面1E以及第2端面1F起分别延伸到第1主面1A和第2主面1B各自、以及第1侧面1C和第2侧面1D各自而形成为盖子状，但是外部电极6只要至少形成在第1端面1E以及第2端面1F即可。

本申请发明的一个实施方式涉及的层叠陶瓷电容器具备：电容元件，包含层叠的多个陶瓷层、多个第1内部电极层以及多个第2内部电极层，具有在高度方向上相对的第1主面以及第2主面、在与高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与高度方向以及宽度方向的双方正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面，第1内部电极层引出到第1端面，第2内部电极层引出到第2端面，第1端面的至少一部分以及第2端面的至少一部分分别被导体层覆盖，导体层的一部分被绝缘部覆盖，在第1端面以及第2端面各自中，导体层的至少一部分以及绝缘部的至少一部分被基底外部电极层覆盖，基底外部电极层的至少一部分被镀敷层覆盖。

在该层叠陶瓷电容器中，优选在导体层的表面分散配置绝缘部。在该情况下，在多个绝缘部的间隙处，导体层和基底外部电极层相互接合。

此外，绝缘部优选为在第1端面以及第2端面各自中切去了四角的形状。在该情况下，导体层和基底外部电极层在四角相互接合。

此外，优选导体层的表面中的绝缘部的被覆率为20％以上且98％以下。这是因为，若不足20％，则通过绝缘部使耐湿性提高的效果有可能变得不充分。此外，还因为，若超过98％，则导体层与基底外部电极层7的接合强度有可能下降。

此外，进一步优选导体层的表面中的绝缘部的被覆率为30％以上且75％以下。这是因为，如果使被覆率为30％以上，则能够通过绝缘部得到充分的耐湿性。此外，还因为，如果使被覆率为75％以下，则导体层与基底外部电极层的接合强度变得足够大。

此外，绝缘部例如能够设为以陶瓷为主成分的绝缘部。

此外，优选导体层含有陶瓷。在该情况下，能够使电容元件与导体层的接合强度、导体层与绝缘部的接合强度提高。

此外，导体层的厚度也可以是5.0μm以下。这是因为，即使是5.0μm以下，导体层和基底外部电极层也会良好地相互电连接。

此外，优选基底外部电极层含有玻璃。在该情况下，能够使基底外部电极层的与其它构件的接合强度提高。此外，在该情况下，优选玻璃的含有率为40体积％以下。这是因为，即使玻璃的含有率为40体积％以下，导体层和基底外部电极层也会从绝缘部的间隙良好地相互接合。此外，还因为，如果玻璃的含有率为40体积％以下，则基底外部电极层具备良好的导电率。

虽然对本发明的实施方式进行了说明，但是应认为，此次公开的实施方式在所有的方面均为例示，而不是限制性的。本发明的范围由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的意思以及范围内的所有的变更。

Claims

1.一种层叠陶瓷电容器，其中，

具备：电容元件，包含层叠的多个陶瓷层、多个第1内部电极层以及多个第2内部电极层，具有在高度方向上相对的第1主面以及第2主面、在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在与所述高度方向以及所述宽度方向的双方正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面，

所述第1内部电极层引出到所述第1端面，所述第2内部电极层引出到所述第2端面，

所述第1端面的至少一部分以及所述第2端面的至少一部分分别被导体层覆盖，

所述导体层的一部分被绝缘部覆盖，

在所述第1端面以及所述第2端面各自中，所述导体层的至少一部分以及所述绝缘部的至少一部分被基底外部电极层覆盖，

所述基底外部电极层的至少一部分被镀敷层覆盖。

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

在所述导体层的表面分散配置有所述绝缘部。

3.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述绝缘部是在所述第1端面以及所述第2端面各自中切去了四角的形状。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述导体层的表面中的所述绝缘部的被覆率为20％以上且98％以下。

5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述导体层的表面中的所述绝缘部的被覆率为30％以上且75％以下。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述绝缘部以陶瓷为主成分。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述导体层含有陶瓷。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述导体层的厚度为5.0μm以下。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述基底外部电极层含有玻璃。

10.根据权利要求9所述的层叠陶瓷电容器，其中，

所述基底外部电极层中的所述玻璃的含有率为40体积％以下。