CN114974888B - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够抑制在层叠体产生裂纹的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器(1)中，在从第1侧面侧基底电极层(52A)的第2端面(LS2)侧的前端(P1)到第1侧面侧基底电极层(52A)的长度方向的尺寸(L1)的10％的长度(L2)的位置(P2)为止的第1范围(R1)内，第1侧面侧基底电极层(52A)中的玻璃成分(G)的存在比例为60％以上，在从第2侧面侧基底电极层(52B)的第1端面(LS1)侧的前端(P3)到第2侧面侧基底电极层(52B)的长度方向的尺寸(L1)的10％的长度(L2)的位置(P4)为止的第2范围(R2)内，第2侧面侧基底电极层(52B)中的玻璃成分(G)的存在比例为60％以上。

Description

层叠陶瓷电容器
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电容器。
背景技术
以往，已知有层叠陶瓷电容器。一般来说，层叠陶瓷电容器具备包含钛酸钡等电介质陶瓷的陶瓷烧结体。在该陶瓷烧结体的内部配置有多个内部电极以使得隔着陶瓷层而相互重叠。此外，在该陶瓷烧结体的一个端面上以及另一个端面上形成有外部电极以使得与内部电极电连接(例如，专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-306580号公报
然而，在如专利文献1记载的层叠陶瓷电容器中，有时由于热膨胀、冲击等而对外部电极的前端部附近的陶瓷烧结体施加应力。在该情况下，有可能以外部电极的前端部附近为起点而在作为层叠体的陶瓷烧结体产生裂纹。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种能抑制在层叠体产生裂纹的层叠陶瓷电容器。
用于解决课题的手段
本发明涉及的层叠陶瓷电容器具有：层叠体，包含被层叠的多个电介质层，并包含在高度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的第3侧面以及第4侧面、和在与所述高度方向以及所述宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面；第1内部电极层，配置在所述多个电介质层上，并在所述第1端面露出；第2内部电极层，配置在所述多个电介质层上，并在所述第2端面露出；第1外部电极，与所述第1内部电极层连接，并配置在所述第1端面侧；和第2外部电极，与所述第2内部电极层连接，并配置在所述第2端面侧，其中，所述第1外部电极具备具有金属成分以及玻璃成分的第1基底电极层、和配置在所述第1基底电极层上的第1镀敷层，所述第2外部电极具备具有金属成分以及玻璃成分的第2基底电极层、和配置在所述第2基底电极层上的第2镀敷层，所述第1基底电极层具有配置在所述第1端面上的第1端面侧基底电极层、和配置在4个所述侧面中的至少1个侧面的所述第1端面侧的一部分的第1侧面侧基底电极层，所述第2基底电极层具有配置在所述第2端面上的第2端面侧基底电极层、和配置在4个所述侧面中的至少1个侧面的所述第2端面侧的一部分的第2侧面侧基底电极层，在从所述第1侧面侧基底电极层的所述第2端面侧的前端到所述第1侧面侧基底电极层的所述长度方向的尺寸的10％的长度的位置为止的第1范围内，所述第1侧面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为60％以上，在从所述第2侧面侧基底电极层的所述第1端面侧的前端到所述第2侧面侧基底电极层的所述长度方向的尺寸的10％的长度的位置为止的第2范围内，所述第2侧面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为60％以上。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能抑制在层叠体产生裂纹的层叠陶瓷电容器。
附图说明
图1是第1实施方式的层叠陶瓷电容器的外观立体图。
图2是图1所示的层叠陶瓷电容器的沿着II-II线的剖视图。
图3是图2所示的层叠陶瓷电容器的沿着III-III线的剖视图。
图4是图2所示的层叠陶瓷电容器的沿着IV-IV线的剖视图。
图5A是图2所示的层叠陶瓷电容器的VA部分的放大图，是示意性地示出外部电极的剖面的放大剖视图。
图5B是图2所示的层叠陶瓷电容器的VB部分的放大图，是示意性地示出外部电极的剖面的放大剖视图。
图6A是上述实施方式的外部电极的剖面的基于SEM的显微镜图像。
图6B是上述实施方式的外部电极的剖面的基于EDX的Ti的元素映射图像。
图6C是上述实施方式的外部电极的剖面的基于EDX的Ba的元素映射图像。
图7是示意性地示出第2实施方式的层叠陶瓷电容器的外部电极的剖面的放大剖视图，是与图5A对应的放大剖视图。
图8A是示出2连构造的层叠陶瓷电容器的图。
图8B是示出3连构造的层叠陶瓷电容器的图。
图8C是示出4连构造的层叠陶瓷电容器的图。
附图标记说明
1 层叠陶瓷电容器；
10 层叠体；
11 内层部；
11E 对置电极部；
12 第1侧面侧外层部；
13 第2侧面侧外层部；
LS1 第1端面；
LS2 第2端面；
TS1 第1侧面；
TS2 第2侧面；
WS1 第3侧面；
WS2 第4侧面；
20 电介质层；
30 内部电极层；
31 第1内部电极层；
31A 第1对置部；
31B 第1引出部；
32 第2内部电极层；
32A 第2对置部；
32B 第2引出部；
40 外部电极；
40A 第1外部电极；
40B 第2外部电极；
50A 第1基底电极层；
51A 第1端面侧基底电极层；
52A 第1侧面侧基底电极层；
50B 第2基底电极层；
51B 第2端面侧基底电极层；
52B 第2侧面侧基底电极层；
60A 第1镀敷层；
60B 第2镀敷层；
M 金属成分；
G 玻璃成分。
具体实施方式
<第1实施方式>
以下，对本公开的第1实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1进行说明。图1是本实施方式的层叠陶瓷电容器1的外观立体图。图2是图1的层叠陶瓷电容器1的沿着II-II线的剖视图。图3是图2的层叠陶瓷电容器1的沿着III-III线的剖视图。图4是图2的层叠陶瓷电容器1的沿着IV-IV线的剖视图。
层叠陶瓷电容器1具有层叠体10和外部电极40。
在图1～图4中示出了XYZ正交坐标系。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的长度方向L与X方向对应。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的宽度方向W与Y方向对应。层叠陶瓷电容器1以及层叠体10的高度方向T与Z方向对应。在此，图2所示的剖面也称为LT剖面。图3所示的剖面也称为WT剖面。图4所示的剖面也称为LW剖面。
如图1～图4所示，层叠体10包含在高度方向T上相对的第1侧面TS1以及第2侧面TS2、在与高度方向T正交的宽度方向W上相对的第3侧面WS1以及第4侧面WS2、和在与高度方向T以及宽度方向W正交的长度方向L上相对的第1端面LS1以及第2端面LS2。
如图1所示，层叠体10具有大致长方体形状。另外，层叠体10的长度方向L的尺寸不限于一定比宽度方向W的尺寸长。优选在层叠体10的角部以及棱线部带有圆角。角部是层叠体的3个面相交的部分，棱线部是层叠体的2个面相交的部分。另外，也可以在构成层叠体10的表面的一部分或全部形成有凹凸等。
层叠体10的尺寸没有特别限定。
如图2以及图3所示，层叠体10具有：内层部11；和第1侧面侧外层部12以及第2侧面侧外层部13，配置为在高度方向T上夹着内层部11。
内层部11包含多个电介质层20和多个内部电极层30。内层部11在高度方向T上包含位于最靠第1侧面TS1侧的内部电极层30至位于最靠第2侧面TS2侧的内部电极层30。在内层部11中，多个内部电极层30隔着电介质层20对置地配置。内层部11是产生静电电容并实质上作为电容器而发挥功能的部分。
多个电介质层20由电介质材料构成。电介质材料例如可以是包含BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3或CaZrO3等成分的电介质陶瓷。此外，电介质材料也可以是在这些主成分中添加了Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分的材料。
电介质层20的厚度优选为0.5μm以上且10μm以下。被层叠的电介质层20的片数优选为15片以上且700片以下。另外，该电介质层20的片数是内层部11的电介质层的片数和第1侧面侧外层部12以及第2侧面侧外层部13的电介质层的片数的总数。
多个内部电极层30具有多个第1内部电极层31以及多个第2内部电极层32。多个第1内部电极层31配置在多个电介质层20上。多个第2内部电极层32配置在多个电介质层20上。多个第1内部电极层31以及多个第2内部电极层32在层叠体10的高度方向T上隔着电介质层20交替地配置。第1内部电极层31以及第2内部电极层32配置为夹着电介质层20。
第1内部电极层31具有与第2内部电极层32对置的第1对置部31A、和从第1对置部31A向第1端面LS1引出的第1引出部31B。第1引出部31B在第1端面LS1露出。
第2内部电极层32具有与第1内部电极层31对置的第2对置部32A、和从第2对置部32A向第2端面LS2引出的第2引出部32B。第2引出部32B在第2端面LS2露出。
在本实施方式中，通过第1对置部31A和第2对置部32A隔着电介质层20对置，从而形成电容，显现电容器的特性。
第1对置部31A以及第2对置部32A的形状没有特别限定，但优选为矩形形状。不过，矩形形状的拐角部可以被弄圆，矩形形状的拐角部也可以倾斜地形成。第1引出部31B以及第2引出部32B的形状没有特别限定，但优选为矩形形状。不过，矩形形状的拐角部可以被弄圆，矩形形状的拐角部也可以倾斜地形成。
关于第1对置部31A的宽度方向W的尺寸和第1引出部31B的宽度方向W的尺寸，可以以相同的尺寸形成，也可任何一个尺寸形成得小。关于第2对置部32A的宽度方向W的尺寸和第2引出部32B的宽度方向W的尺寸，可以以相同的尺寸形成，也可任何一个尺寸形成得窄。
第1内部电极层31以及第2内部电极层32例如由Ni、Cu、Ag、Pd、Au等金属、包含这些金属的至少一种的合金等适当的导电材料构成。在使用合金的情况下，第1内部电极层31以及第2内部电极层32例如也可以由Ag-Pd合金等构成。
第1内部电极层31以及第2内部电极层32各自的厚度例如优选为0.2μm以上且2.0μm以下的程度。第1内部电极层31以及第2内部电极层32的片数优选合计为15片以上且200片以下。
第1侧面侧外层部12位于层叠体10的第1侧面TS1侧。第1侧面侧外层部12是位于第1侧面TS1与最靠近第1侧面TS1的内部电极层30之间的多个电介质层20的集合体。在第1侧面侧外层部12中使用的电介质层20也可以与在内层部11中使用的电介质层20相同。
第2侧面侧外层部13位于层叠体10的第2侧面TS2侧。第2侧面侧外层部13是位于第2侧面TS2与最靠近第2侧面TS2的内部电极层30之间的多个电介质层20的集合体。在第2侧面侧外层部13中使用的电介质层20也可以与在内层部11中使用的电介质层20相同。
另外，层叠体10具有对置电极部11E。对置电极部11E是第1内部电极层31的第1对置部31A和第2内部电极层32的第2对置部32A对置的部分。对置电极部11E作为内层部11的一部分而构成。在图4中示出了对置电极部11E的宽度方向W以及长度方向L的范围。另外，对置电极部11E也称为电容器有效部。
另外，层叠体10具有第3侧面侧外层部WG1和第4侧面侧外层部WG2。第3侧面侧外层部WG1是包含位于对置电极部11E与第3侧面WS1之间的电介质层20的部分。第4侧面侧外层部WG2是包含位于对置电极部11E与第4侧面WS2之间的电介质层20的部分。在图3以及图4中示出了第3侧面侧外层部WG1以及第4侧面侧外层部WG2的宽度方向W的范围。另外，第3侧面侧外层部WG1以及第4侧面侧外层部WG2也称为W间隔或侧方间隔。
另外，层叠体10具有第1端面侧外层部LG1和第2端面侧外层部LG2。第1端面侧外层部LG1是包含位于对置电极部11E与第1端面LS1之间的电介质层20的部分。第2端面侧外层部LG2是包含位于对置电极部11E与第2端面LS2之间的电介质层20的部分。在图2以及图4中示出了第1端面侧外层部LG1以及第2端面侧外层部LG2的长度方向L的范围。另外，第1端面侧外层部LG1以及第2端面侧外层部LG2也称为L间隔或端部间隔。
外部电极40具有配置在第1端面LS1侧的第1外部电极40A和配置在第2端面LS2侧的第2外部电极40B。
第1外部电极40A与第1内部电极层31连接。第1外部电极40A配置在第1端面LS1上。第1外部电极40A配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第1端面LS1侧的一部分。即，第1外部电极40A配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少任意1个侧面的第1端面LS1侧的一部分。
在本实施方式中，第1外部电极40A配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1以及第4侧面WS2的全部侧面的第1端面LS1侧的一部分。即，在本实施方式中，第1外部电极40A形成为从第1端面LS1上延伸至第1侧面TS1的一部分及第2侧面TS2的一部分、和第3侧面WS1的一部分及第4侧面WS2的一部分。
第2外部电极40B与第2内部电极层32连接。第2外部电极40B配置在第2端面LS2上。第2外部电极40B配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第2端面LS2侧的一部分。即，第2外部电极40B配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少任意1个侧面的第2端面LS2侧的一部分。
在本实施方式中，第2外部电极40B配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1以及第4侧面WS2的全部侧面的第2端面LS2侧的一部分。即，在本实施方式中，第2外部电极40B形成为从第2端面LS2上延伸至第1侧面TS1的一部分及第2侧面TS2的一部分、和第3侧面WS1的一部分及第4侧面WS2的一部分。
如前所述，在层叠体10内，通过第1内部电极层31的第1对置部31A和第2内部电极层32的第2对置部32A隔着电介质层20对置，从而形成了电容。因此，在连接了第1内部电极层31的第1外部电极40A与连接了第2内部电极层32的第2外部电极40B之间显现电容器的特性。
第1外部电极40A具有：第1基底电极层50A，具有金属成分以及玻璃成分；和第1镀敷层60A，配置在第1基底电极层50A上。
第2外部电极40B具有：第2基底电极层50B，具有金属成分以及玻璃成分；和第2镀敷层60B，配置在第2基底电极层50B上。
第1基底电极层50A与第1内部电极层31连接。第1基底电极层50A具有：第1端面侧基底电极层51A，配置在第1端面LS1上；和第1侧面侧基底电极层52A，配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第1端面LS1侧的一部分。即，第1基底电极层50A的第1侧面侧基底电极层52A配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少任意1个侧面的第1端面LS1侧的一部分。
在本实施方式中，第1侧面侧基底电极层52A配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1以及第4侧面WS2的全部侧面的第1端面LS1侧的一部分。即，在本实施方式中，第1基底电极层50A形成为从第1端面LS1上延伸至第1侧面TS1的一部分及第2侧面TS2的一部分、和第3侧面WS1的一部分及第4侧面WS2的一部分。
第2基底电极层50B与第2内部电极层32连接。第2基底电极层50B具有：第2端面侧基底电极层51B，配置在第2端面LS2上；和第2侧面侧基底电极层52B，配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第2端面LS2侧的一部分。即，第2基底电极层50B的第2侧面侧基底电极层52B配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少任意1个侧面的第2端面LS2侧的一部分。
在本实施方式中，第2侧面侧基底电极层52B配置在第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1以及第4侧面WS2的全部侧面的第2端面LS2侧的一部分。即，在本实施方式中，第2基底电极层50B形成为从第2端面LS2上延伸至第1侧面TS1的一部分及第2侧面TS2的一部分、和第3侧面WS1的一部分及第4侧面WS2的一部分。
位于第1端面LS1的第1基底电极层50A的长度方向的厚度在第1基底电极层50A的高度方向T以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且160μm以下的程度。
位于第2端面LS2的第2基底电极层50B的长度方向的厚度在第2基底电极层50B的高度方向T以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且160μm以下的程度。
在第1侧面TS1或第2侧面TS2的至少一个面的一部分也设置第1基底电极层50A的情况下，设置于该部分的第1基底电极层50A的高度方向的厚度在设置于该部分的第1基底电极层50A的长度方向L以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且40μm以下的程度。
在第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少一个面的一部分也设置第1基底电极层50A的情况下，设置于该部分的第1基底电极层50A的宽度方向的厚度在设置于该部分的第1基底电极层50A的长度方向L以及高度方向T的中央部，例如优选为3μm以上且40μm以下的程度。
在第1侧面TS1或第2侧面TS2的至少一个面的一部分也设置第2基底电极层50B的情况下，设置于该部分的第2基底电极层50B的高度方向的厚度在设置于该部分的第2基底电极层50B的长度方向L以及宽度方向W的中央部，例如优选为3μm以上且40μm以下的程度。
在第3侧面WS1或第4侧面WS2的至少一个面的一部分也设置第2基底电极层50B的情况下，设置于该部分的第2基底电极层50B的宽度方向的厚度在设置于该部分的第2基底电极层50B的长度方向L以及高度方向T的中央部，例如优选为3μm以上且40μm以下的程度。
另外，关于第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B的详情，随后进行说明。
第1镀敷层60A配置为覆盖第1基底电极层50A。
第2镀敷层60B配置为覆盖第2基底电极层50B。
第1镀敷层60A以及第2镀敷层60B例如也可以包含从Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等中选择的至少一种。第1镀敷层60A以及第2镀敷层60B也可以分别由多个层形成。第1镀敷层60A以及第2镀敷层60B优选在Ni镀敷层上形成了Sn镀敷层的2层构造。
第1镀敷层60A配置为覆盖第1基底电极层50A。在本实施方式中，第1镀敷层60A具有第1Ni镀敷层61A和位于第1Ni镀敷层61A上的第1Sn镀敷层62A。
第2镀敷层60B配置为覆盖第2基底电极层50B。在本实施方式中，第2镀敷层60B具有第2Ni镀敷层61B和位于第2Ni镀敷层61B上的第2Sn镀敷层62B。
Ni镀敷层防止第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B被安装层叠陶瓷电容器1时的焊料侵蚀。此外，Sn镀敷层使安装层叠陶瓷电容器1时的焊料的润湿性提高。由此，使层叠陶瓷电容器1的安装变得容易。第1Ni镀敷层61A、第1Sn镀敷层62A、第2Ni镀敷层61B、第2Sn镀敷层62B各自的厚度优选为2μm以上且15μm以下。
在此，构成第1外部电极40A以及第2外部电极40B的各层的基本的结构相同。此外，第1外部电极40A以及第2外部电极40B相对于层叠陶瓷电容器1的长度方向L的中央的WT剖面大致面对称。因此，在无需特别区分第1外部电极40A和第2外部电极40B来说明的情况下，第1外部电极40A以及第2外部电极40B有时统称为外部电极。此外，关于构成第1外部电极40A以及第2外部电极40B的各层也是同样的。例如，在无需特别区分第1基底电极层50A和第2基底电极层50B来说明的情况下，第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B有时统称为基底电极层。此外，在无需特别区分第1端面侧基底电极层51A和第2端面侧基底电极层51B来说明的情况下，第1端面侧基底电极层51A以及第2端面侧基底电极层51B有时统称为端面侧基底电极层。此外，在无需特别区分第1侧面侧基底电极层52A和第2侧面侧基底电极层52B来说明的情况下，第1侧面侧基底电极层52A以及第2侧面侧基底电极层52B有时统称为侧面侧基底电极层。此外，在无需特别区分第1镀敷层60A和第2镀敷层60B来说明的情况下，第1镀敷层60A以及第2镀敷层60B有时统称为镀敷层。此外，在无需特别区分第1Ni镀敷层61A和第2Ni镀敷层61B来说明的情况下，第1Ni镀敷层61A以及第2Ni镀敷层61B有时统称为Ni镀敷层。此外，在无需特别区分第1Sn镀敷层62A和第2Sn镀敷层62B来说明的情况下，第1Sn镀敷层62A以及第2Sn镀敷层62B有时统称为Sn镀敷层。
接着，对第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B的详情进行说明。图5A是图2所示的层叠陶瓷电容器1的VA部分的放大图，是示意性地示出第1外部电极40A的剖面的放大剖视图。图5B是图2所示的层叠陶瓷电容器1的VB部分的放大图，是示意性地示出第2外部电极40B的剖面的放大剖视图。
如图5A所示，在层叠体10上配置有第1基底电极层50A。而且，配置有第1镀敷层60A，使得覆盖第1基底电极层50A。第1基底电极层50A具有第1端面侧基底电极层51A以及第1侧面侧基底电极层52A。第1镀敷层60A具有第1Ni镀敷层61A以及第1Sn镀敷层62A。
如图5B所示，在层叠体10上配置有第2基底电极层50B。而且，配置有第2镀敷层60B，使得覆盖第2基底电极层50B。第2基底电极层50B具有第2端面侧基底电极层51B以及第2侧面侧基底电极层52B。第2镀敷层60B具有第2Ni镀敷层61B以及第2Sn镀敷层62B。
在本实施方式中，基底电极层是烧附层。基底电极层具有金属成分M以及玻璃成分G。包含于基底电极层的金属成分M例如包含从Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等中选择的至少一种。在这些当中，包含于基底电极层的金属成分M尤其优选为Cu。由此，加工时的处理容易度提高。此外，能够谋求成本降低。
包含于基底电极层的玻璃成分G也可以包括例如包含从B、Si、Ba、Mg、Al、Li等中选择的至少1个元素在内的氧化物。例如，包含于基底电极层的玻璃成分G优选为包含硅酸(SiO2)、矾土(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钡(BaO2)、氧化锆(ZrO2)之类的氧化物的玻璃。其中，包含于基底电极层的玻璃成分G尤其更为优选包含含有Ba、Ti的氧化物。例如，包含于基底电极层的玻璃成分G优选为包含氧化钡(BaO2)、氧化钛(TiO2)的玻璃。另外，在包含于基底电极层的玻璃成分为氧化钡(BaO2)、氧化钛(TiO2)的情况下，这样的玻璃成分具有玻璃成分中的杂质少且柔软的特征。因而，这样的玻璃成分由于加工性良好，因此容易将玻璃加工成希望的大小。
如图5A所示，第1侧面侧基底电极层52A具有金属成分M以及玻璃成分G。而且，在从第1侧面侧基底电极层52A的第2端面LS2侧的前端P1到第1侧面侧基底电极层52A的长度方向的尺寸L1的10％的长度L2的位置P2为止的第1范围R1内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。
如图5B所示，第2侧面侧基底电极层52B具有金属成分M以及玻璃成分G。而且，在从第2侧面侧基底电极层52B的第1端面LSl侧的前端P3到第2侧面侧基底电极层52B的长度方向的尺寸L1的10％的长度L2的位置P4为止的第2范围R2内，第2侧面侧基底电极层52B中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。
进而，优选的是，第1侧面侧基底电极层52A在第1范围R1内，在至少1处以上具备具有第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分G。
此外，优选的是，第2侧面侧基底电极层52B在第2范围R2内，在至少1处以上具备具有第2侧面侧基底电极层52B的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分G。
另外，上述的关于第1侧面侧基底电极层52A中的金属成分M以及玻璃成分G的结构不限于第1侧面TS1上，可在配置有第1侧面侧基底电极层52A的任一个侧面TS1、TS2、WS1、WS2上形成。此外，优选在配置有第1侧面侧基底电极层52A的全部侧面上形成了具有上述结构的第1侧面侧基底电极层52A。
另外，上述的关于第2侧面侧基底电极层52B中的金属成分M以及玻璃成分G的结构不限于第1侧面TS1上，可在配置有第2侧面侧基底电极层52B的任一个侧面TS1、TS2、WS1、WS2上形成。此外，优选在配置有第2侧面侧基底电极层52B的全部侧面上形成了具有上述结构的第2侧面侧基底电极层52B。
接着，使用示出第1侧面侧基底电极层52A的第1范围R1的显微镜图像等作为一例，对侧面侧基底电极层中的金属成分M以及玻璃成分G的状态进行说明。图6A是包含侧面侧基底电极层的外部电极的剖面的显微镜图像的例子，是第1外部电极40A的剖面的基于扫描型电子显微镜(SEM)的显微镜图像。图6B是包含侧面侧基底电极层的外部电极的剖面的元素映射图像的例子，是第1外部电极40A的剖面的基于能量分散型X射线分光法(EDX)的Ti的元素映射图像。图6C是包含侧面侧基底电极层的外部电极的剖面的元素映射图像的例子，是第1外部电极40A的剖面的基于EDX的Ba的元素映射图像。
如图6A所示，在层叠体10的第1侧面TS1上配置有第1侧面侧基底电极层52A。而且，配置有第1Ni镀敷层61A，使得覆盖第1侧面侧基底电极层52A。进而，配置有第1Sn镀敷层62A，使得覆盖第1Ni镀敷层61A。在图6A中示出了上述的第1范围R1。
第1侧面侧基底电极层52A具有金属成分M和玻璃成分G。而且，在前述的第1范围R1内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。进而，第1侧面侧基底电极层52A在第1范围R1内具备具有第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸T1的60％以上的长度T2的玻璃成分G。
图6B是与图6A的SEM图像对应的分析图像，是基于EDX的Ti的元素映射图像。图6C是与图6A的SEM图像对应的分析图像，是基于EDX的Ba的元素映射图像。
如图6B所示，在与图6A的SEM图像中的玻璃成分G对应的部分，检测出了Ti。此外，如图6C所示，在与图6A的SEM图像中的玻璃成分G对应的部分，检测出了Ba。像这样，通过使用EDX，从而能够判别基底电极层中的金属成分M和玻璃成分G的边界。
而且，如前所述，在第1侧面侧基底电极层52A的第1范围R1内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。此外，在第2侧面侧基底电极层52B的第2范围R2内，第2侧面侧基底电极层52B中的玻璃成分G的存在比例也成为60％以上。
进而，优选的是，第1侧面侧基底电极层52A在第1范围R1内，在至少1处以上具备具有第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分G。例如，在图6A中，从层叠体10的表面起的玻璃成分G的高度T2，即，第1侧面侧基底电极层52A的厚度方向上的玻璃成分G的长度T2成为第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸T1的60％以上的长度。另外，在第2侧面侧基底电极层52B的第2范围R2内，第2侧面侧基底电极层52B也优选在至少1处以上具备具有第2侧面侧基底电极层52B的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分G。
在此，在以往的如专利文献1记载的层叠陶瓷电容器中，有时由于热膨胀、冲击等而对外部电极的前端部附近的层叠体施加应力。在该情况下，有可能以外部电极的前端部附近为起点而在层叠体产生裂纹。
例如，在将以往的层叠陶瓷电容器直接焊接安装于安装基板的情况下，安装基板以及层叠体伴随温度变化，会基于各自的热膨胀系数进行膨胀或收缩。此时，由于两者的热膨胀系数之差而对层叠体施加应力，其结果是，有可能在层叠体产生裂纹。此外，在以往的如专利文献1记载的层叠陶瓷电容器用于便携式电话、便携式音乐播放器等移动设备的情况下，由于移动设备落下时的冲击(应力)，有可能在层叠体产生裂纹。另外，还有如下情况，即，由于外部电极对层叠体的紧固应力的影响而产生这样的裂纹的问题。在该情况下，裂纹容易以外部电极的前端部的附近为起点而进入层叠体。
以往，基底电极层中的玻璃成分由于会使层叠体的陶瓷腐蚀，因此也被认为成为使层叠体的强度下降的原因。然而，潜心研究的结果，可知通过控制基底电极层中的玻璃成分的存在比例等，从而能够抑制在层叠体产生的裂纹。
具体地，通过将基底电极层的构造设为上述的本实施方式的构造，从而在对安装基板、层叠体施加了应力时，能够将该应力引导至外部电极的前端的玻璃成分，进而，能够使裂纹停留在基底电极层的前端的玻璃成分内。其结果是，变得不易对层叠体施加应力，因此能够抑制在层叠体产生的裂纹。
另外，将使玻璃成分G的存在比例为60％以上的侧面侧基底电极层的范围设为上述的第1范围R1以及第2范围R2的理由是由于裂纹的产生部位集中于外部电极的前端部。通过控制第1范围R1以及第2范围R2内的玻璃成分G的存在比例，从而能够控制成为问题的裂纹。
另外，在第1范围R1以及第2范围R2内，侧面侧基底电极层的玻璃成分G的存在比例小于60％的情况下，仅通过玻璃成分G有可能释放不完机械负荷。在该情况下，由于对层叠体10施加负荷，因此存在裂纹会进入层叠体10的情况。
另外，在第1范围R1以及第2范围R2内，通过侧面侧基底电极层的厚度方向上的玻璃成分G的长度T2为侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1的60％以上，从而机械负荷由于玻璃成分G的存在而变得容易被释放。其结果是，变得不易对层叠体10施加应力，因此能够抑制在层叠体10产生的裂纹。
另外，如图5A所示，配置在第1端面LS1上的第1端面侧基底电极层51A也具有金属成分M以及玻璃成分G。而且，第1端面侧基底电极层51A中的玻璃成分G的存在比例优选为10％以上且40％以下。另外，在本实施方式中，第1端面侧基底电极层51A中的玻璃成分G的存在比例小于第1侧面侧基底电极层52A的第1范围R1内的玻璃成分G的存在比例。
另外，如图5B所示，配置在第2端面LS2上的第2端面侧基底电极层51B也具有金属成分M以及玻璃成分G。而且，第2端面侧基底电极层51B中的玻璃成分G的存在比例优选为10％以上且40％以下。另外，在本实施方式中，第2端面侧基底电极层51B中的玻璃成分G的存在比例小于第2侧面侧基底电极层52B的第2范围R2内的玻璃成分G的存在比例。
玻璃成分G作为基底电极层的填充剂/烧结助剂而发挥功能。因此，通过上述的结构，端面侧基底电极层的致密性提高，耐湿可靠性提高。此外，通过将作为绝缘体的玻璃成分G的存在比例设为40％以下，从而可抑制内部电极层和端面侧基底电极层的接合部的电阻值的上升。因此，能够抑制无法取得静电电容或者发热之类的不良状况的产生。即，通过采用上述的本实施方式的结构，从而连接可靠性提高。
另外，在端面侧基底电极层中的玻璃成分G的存在比例小于10％的情况下，有时层叠体10和端面侧基底电极层的接合力会下降。在该情况下，层叠体10和端面侧基底电极层的界面处的密封性变低，其结果是，有时耐湿性会下降。
另外，在端面侧基底电极层中的玻璃成分G的存在比例大于40％的情况下，有时内部电极层和端面侧基底电极层的接合部的电阻值会由于作为绝缘体的玻璃成分G而上升。因此，若从静电电容、发热的观点出发，则端面侧基底电极层中的玻璃成分G的存在比例优选为40％以下。
另外，在本实施方式中，比第1范围R1更靠第1端面LS1侧的区域，即，从位置P2到第1端面LS1的区域中的第1侧面侧基底电极层52A的玻璃成分G的存在比例也可以与第1端面侧基底电极层51A中的玻璃成分G的存在比例同样地为10％以上且40％以下。
此外，在本实施方式中，比第2范围R2更靠第2端面LS2侧的区域，即，从位置P4到第2端面LS2的区域中的第2侧面侧基底电极层52B的玻璃成分G的存在比例也可以与第2端面侧基底电极层51B中的玻璃成分G的存在比例同样地为10％以上且40％以下。
另外，若将包含层叠体10和外部电极40的层叠陶瓷电容器1的长度方向的尺寸设为L尺寸，则L尺寸优选为0.6mm以上且2.0mm以下。此外，若将层叠陶瓷电容器1的高度方向的尺寸设为T尺寸，则T尺寸优选为0.3mm以上且1.2mm以下。此外，若将层叠陶瓷电容器1的宽度方向的尺寸设为W尺寸，则W尺寸优选为0.3mm以上且1.2mm以下。
在此，对玻璃成分G的存在比例A的测定方法进行说明。玻璃成分G的存在比例A是基底电极层中的玻璃成分G所占的比例。
在此，作为玻璃成分G的存在比例A的测定例，对第1范围R1内的第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分的存在比例A的测定方法进行说明。
首先，为了使得能够观察第1侧面侧基底电极层52A的剖面，将层叠陶瓷电容器1从第1侧面TS1、第2侧面TS2、第3侧面WS1、第4侧面WS2的任一个面起进行研磨。例如，在第1侧面侧基底电极层52A配置于第1侧面TS1或第2侧面TS2的情况下，从第3侧面WS1或第4侧面WS2起进行研磨。然后，研磨至W尺寸的1/2的位置而使LT剖面露出，以便与第3侧面WS1或第4侧面WS2大致平行的剖面露出。然后，通过SEM对LT剖面处的第1侧面侧基底电极层52A进行观察。此时的观察倍率设为容纳第1范围R1的倍率。接着，在基于该观察倍率的观察区内，进行基于EDX的元素映射。由此，作为第1基底电极层50A的主成分的金属成分M以及玻璃成分G各自存在的部分被明确化。即，能够判别第1基底电极层50A中的金属成分M和玻璃成分G的边界，可识别金属成分M的部分和玻璃成分G的部分。
然后，将第1范围R1设为测定对象区域，通过以下的式(1)来计算第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例A。
玻璃成分G的存在比例A(％)＝((玻璃成分G的部分的面积)/((玻璃成分G的部分的面积)+(金属成分M的部分的面积)))×100···(1)
此外，通过以下的式(2)来计算玻璃成分G的长度的尺寸T2相对于第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸T1的尺寸比率B。该尺寸比率B通过第1侧面侧基底电极层52A的厚度方向上的玻璃成分G的部分的长度的尺寸T2、和在长度方向L上与测量了尺寸T2的位置相同的位置处的第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸T1来计算。
尺寸比率B(％)＝((玻璃成分G的部分的长度的尺寸T2)/(侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1))×100···(2)
另外，根据基于EDX的元素映射的结果，对基底电极层中包含的玻璃成分G进行图示。因此，式(2)中的玻璃成分G的部分的长度的尺寸T2能够基于该图示的结果，以物理方式进行测长。此外，式(2)中的侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1能够根据基于EDX的作为基底电极层的主成分的金属成分的元素映射结果，以物理方式进行测长。
另外，在将第2侧面侧基底电极层52B的第2范围R2设为测定对象区域的情况下，也通过同样的方法来测定存在比例A以及尺寸比率B。
此外，在将其他部位例如第1端面侧基底电极层51A以及第2端面侧基底电极层51B作为测定对象区域的情况下，也通过同样的方法来测定玻璃成分G的存在比例A。另外，在测定对象区域大的情况下，以与将第1范围R1作为测定对象进行了观察时的观察倍率相同的观察倍率来测定。
接着，对本实施方式的层叠陶瓷电容器1的制造方法进行说明。
准备电介质层20用的电介质片以及内部电极层30用的导电性膏。电介质片以及内部电极层用的导电性膏包含粘合剂以及溶剂。粘合剂以及溶剂可以是公知的。
在电介质片上例如通过丝网印刷、凹版印刷等以给定的图案来印刷内部电极层30用的导电性膏。由此，准备形成了第1内部电极层31的图案的电介质片以及形成了第2内部电极层32的图案的电介质片。
层叠给定片数的未印刷内部电极层的图案的电介质片，从而形成第1侧面TS1侧的成为第1侧面侧外层部12的部分。在其上依次层叠印刷了第1内部电极层31的图案的电介质片以及印刷了第2内部电极层32的图案的电介质片，从而形成成为内层部11的部分。在该成为内层部11的部分上层叠给定片数的未印刷内部电极层的图案的电介质片，从而形成第2侧面TS2侧的成为第2侧面侧外层部13的部分。由此，制作层叠片。
利用等静压压制等手段在高度方向上压制层叠片，从而制作层叠块。
层叠块被切割为给定的大小，从而切出层叠小片(chip)。此时，也可以通过滚筒研磨等使层叠小片的角部以及棱线部带有圆角。
层叠小片被烧成，从而制作层叠体10。烧成温度虽然也取决于电介质层20、内部电极层30的材料，但优选为900℃以上且1400℃以下。
在层叠体10的两端面涂敷成为基底电极层的导电性膏。在本实施方式中，基底电极层是烧附层。包含玻璃成分和金属成分的导电性膏涂敷于层叠体10。此时，通过对涂敷工法、涂敷厚度、导电性膏中的玻璃的含有量进行控制，从而能够控制玻璃的状态。
首先，在本实施方式中，能够使用浸渍工法在成为第1端面侧基底电极层51A的部分、和成为第1侧面侧基底电极层52A的部分之中除了第1范围R1以外的部分涂敷导电性膏。此外，能够使用浸渍工法在成为第2端面侧基底电极层51B的部分、和成为第2侧面侧基底电极层52B的部分之中除了第2范围R2以外的部分涂敷导电性膏。
然后，能够通过印刷工法、辊式工法在第1侧面侧基底电极层52A的成为第1范围R1的部分、和第2侧面侧基底电极层52B的成为第2范围R2的部分涂敷导电性膏。
或者，也能够通过分别在成为第1侧面侧基底电极层52A的部分之中除了第1范围R1以外的部分和成为第1范围R1的部分进行掩蔽的同时，两次涂布变更了玻璃成分的比率的导电性膏来进行涂敷。此外，也能够通过分别在成为第2范围R2的部分和成为第2侧面侧基底电极层52B的部分之中除了第2范围R2以外的部分进行掩蔽的同时，两次涂布变更了玻璃成分的比率的导电性膏来进行涂敷。
另外，关于在位于第1范围R1以及第2范围R2的成为基底电极层的部分涂敷的导电性膏的组成，优选玻璃料的比例为27vol％以上且45vol％以下。另一方面，关于在成为第1端面侧基底电极层51A的部分以及成为第2端面侧基底电极层51B的部分涂敷的导电性膏的组成，优选玻璃料的比例为3vol％以上且27vol％以下。此外，关于在成为第1侧面侧基底电极层52A的部分之中除了第1范围R1以外的部分和成为第2侧面侧基底电极层52B的部分之中除了第2范围R2以外的部分涂敷的导电性膏的组成，优选玻璃料的比例为3vol％以上且27vol％以下。
然后，进行烧附处理，形成基底电极层。此时的烧附处理的温度优选为700℃以上且900℃以下。
然后，在基底电极层的表面形成镀敷层。在本实施方式中，在第1基底电极层50A的表面形成第1镀敷层60A。此外，在第2基底电极层50B的表面形成第2镀敷层60B。在本实施方式中，作为镀敷层而形成Ni镀敷层以及Sn镀敷层。在进行镀敷处理时，可以采用电解镀敷、无电解镀敷的任何一者。不过，关于无电解镀敷，为了使镀敷析出速度提高，需要利用催化剂等进行前处理，因此存在工序复杂化这一缺点。因此，通常优选采用电解镀敷。Ni镀敷层以及Sn镀敷层例如通过滚筒镀敷而依次形成。
通过这样的制造工序，可制造层叠陶瓷电容器1。
根据本实施方式的层叠陶瓷电容器1，发挥以下的效果。
(1)本实施方式的层叠陶瓷电容器1具有：层叠体10，包含被层叠的多个电介质层20，并包含在高度方向上相对的第1侧面TS1以及第2侧面TS2、在与高度方向正交的宽度方向上相对的第3侧面WS1以及第4侧面WS2、和在与高度方向以及宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面LS1以及第2端面LS2；第1内部电极层31，配置在多个电介质层20上，并在第1端面LS1露出；第2内部电极层32，配置在多个电介质层20上，并在第2端面LS2露出；第1外部电极40A，与第1内部电极层31连接，并配置在第1端面LS1侧；和第2外部电极40B，与第2内部电极层32连接，并配置在第2端面LS2侧，第1外部电极40A具备具有金属成分M以及玻璃成分G的第1基底电极层50A、和配置在第1基底电极层50A上的第1镀敷层60A，第2外部电极40B具备具有金属成分M以及玻璃成分G的第2基底电极层50B、和配置在第2基底电极层50B上的第2镀敷层60B，第1基底电极层50A具有配置在第1端面LS1上的第1端面侧基底电极层51A、和配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第1端面LS1侧的一部分的第1侧面侧基底电极层52A，第2基底电极层50B具有配置在第2端面LS2上的第2端面侧基底电极层51B、和配置在4个侧面TS1、TS2、WS1、WS2中的至少1个侧面的第2端面LS2侧的一部分的第2侧面侧基底电极层52B，在从第1侧面侧基底电极层52A的第2端面LS2侧的前端P1到第1侧面侧基底电极层52A的长度方向的尺寸L1的10％的长度L2的位置P2为止的第1范围R1内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例为60％以上，在从第2侧面侧基底电极层52B的第1端面LS1侧的前端P3到第2侧面侧基底电极层52B的长度方向的尺寸L1的10％的长度L2的位置P4为止的第2范围R2内，第2侧面侧基底电极层52B中的玻璃成分G的存在比例为60％以上。由此，能够抑制在层叠体10产生裂纹。
(2)本实施方式的第1侧面侧基底电极层52A在第1范围R1内，在至少1处以上具备具有第1侧面侧基底电极层52A的厚度的尺寸T1的60％以上的长度T2的玻璃成分G，第2侧面侧基底电极层52B在第2范围R2内，在至少1处以上具备具有第2侧面侧基底电极层52B的厚度的尺寸T1的60％以上的长度T2的玻璃成分G。由此，能够抑制在层叠体10产生裂纹。
(3)本实施方式的第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B的金属成分M是Cu。由此，加工时的处理容易度提高。此外，能够谋求成本降低。
(4)本实施方式的第1基底电极层50A以及第2基底电极层50B的玻璃成分G是包含Ba或Ti的至少任意一者的玻璃成分。这样的玻璃成分具有玻璃成分中的杂质少且柔软的特征。因而，这样的玻璃成分由于加工性良好，因此容易将玻璃加工成希望的大小。
(5)本实施方式的第1端面侧基底电极层51A中的玻璃成分G的存在比例为10％以上且40％以下，第2端面侧基底电极层51B中的玻璃成分G的存在比例为10％以上且40％以下。由此，第1端面侧基底电极层51A以及第2端面侧基底电极层51B的致密性提高，耐湿可靠性提高。此外，通过将作为绝缘体的玻璃成分G的存在比例设为40％以下，从而可抑制内部电极层30和端面侧基底电极层的接合部的电阻值的上升。因此，能够抑制无法取得静电电容或者发热之类的不良状况的产生。即，连接可靠性提高。
<第2实施方式>
以下，对第2实施方式涉及的层叠陶瓷电容器1进行说明。另外，在以下的说明中，关于与第1实施方式相同的结构，标注相同的附图标记，而且省略详细的说明。图7是示意性地示出本实施方式的层叠陶瓷电容器的外部电极的剖面的放大剖视图，是与图5A对应的放大剖视图。
本实施方式的层叠陶瓷电容器1的侧面侧基底电极层的方式与第1实施方式不同。如在第1实施方式中叙述的那样，构成第1外部电极40A以及第2外部电极40B的各层的基本的结构相同。因此，在本实施方式中，使用第1侧面侧基底电极层52A来代表侧面侧基底电极层进行说明。
如图7所示，在层叠体10的第1侧面TS1上配置有第1侧面侧基底电极层52A。而且，配置有第1Ni镀敷层61A，使得覆盖第1侧面侧基底电极层52A。进而，配置有第1Sn镀敷层62A，使得覆盖第1Ni镀敷层61A。第1侧面侧基底电极层52A具有金属成分M和玻璃成分G。
在本实施方式中，在第1侧面侧基底电极层52A的整个区域内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。即，如图7所示，在长度方向的尺寸L1所示的从第1侧面侧基底电极层52A的第2端面LS2侧的前端P1到第1端面LS1为止的整个区域内，第1侧面侧基底电极层52A中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。换言之，在本实施方式中，第1侧面侧基底电极层52A的比第1范围R1(参照图5A)更靠第1端面LS1侧的区域中的玻璃成分G的存在比例与第1范围R1内的玻璃成分的存在比例同样地成为60％以上。
在本实施方式中，虽然省略图示，但在第2侧面侧基底电极层52B的整个区域内，第2侧面侧基底电极层52B中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。即，在从第2侧面侧基底电极层52B的第1端面LS1侧的前端到第2端面LS2为止的整个区域内，第2侧面侧基底电极层52B中的玻璃成分G的存在比例成为60％以上。换言之，在本实施方式中，第2侧面侧基底电极层52B的比第2范围R2(参照图5B)更靠第2端面LS2侧的区域中的玻璃成分G的存在比例与第2范围R2内的玻璃成分的存在比例同样地成为60％以上。
接着，对本实施方式的层叠陶瓷电容器1的制造方法进行说明。在此，仅对与第1实施方式不同的工序，即，涂敷成为基底电极层的导电性膏的工序进行说明。
在层叠体10的两端面涂敷成为基底电极层的导电性膏。在本实施方式中，基底电极层是烧附层。包含玻璃成分和金属成分的导电性膏涂敷于层叠体10。此时，通过对涂敷工法、涂敷厚度、导电性膏中的玻璃的含有量进行控制，从而能够控制玻璃的状态。
此时，优选改变在成为第1侧面侧基底电极层52A的部分以及成为第2侧面侧基底电极层52B的部分涂敷的导电性膏的组成、和在成为第1端面侧基底电极层51A的部分以及成为第2端面侧基底电极层51B的部分涂敷的导电性膏的组成。
例如，关于在成为第1侧面侧基底电极层52A的部分以及成为第2侧面侧基底电极层52B的部分涂敷的导电性膏的组成，优选玻璃料的比例为27vol％以上且45vol％以下。另一方面，关于在成为第1端面侧基底电极层51A的部分以及成为第2端面侧基底电极层51B的部分涂敷的导电性膏的组成，优选玻璃料的比例为3vol％以上且27vol％以下。
另外，对于成为第1侧面侧基底电极层52A的部分以及成为第2侧面侧基底电极层52B的部分，优选通过印刷工法、辊式工法来涂敷导电性膏。此外，对于成为第1端面侧基底电极层51A的部分以及成为第2端面侧基底电极层51B的部分，优选通过浸渍工法、辊式工法来涂敷导电性膏。
然后，进行烧附处理，形成基底电极层。此时的烧附处理的温度优选为700℃以上且900℃以下。
另外，层叠陶瓷电容器1的结构不限定于图1～图4所示的结构。例如，层叠陶瓷电容器1也可以是如图8A、图8B、图8C所示的2连构造、3连构造、4连构造的层叠陶瓷电容器。
图8A所示的层叠陶瓷电容器1是2连构造的层叠陶瓷电容器1，作为内部电极层30，除了第1内部电极层33以及第2内部电极层34之外，还具备不引出到第1端面LS1以及第2端面LS2的任何一者的浮动内部电极层35。图8B所示的层叠陶瓷电容器1是具备第1浮动内部电极层35A以及第2浮动内部电极层35B作为浮动内部电极层35的3连构造的层叠陶瓷电容器1。图8C所示的层叠陶瓷电容器1是具备第1浮动内部电极层35A、第2浮动内部电极层35B以及第3浮动内部电极层35C作为浮动内部电极层35的4连构造的层叠陶瓷电容器1。像这样，通过作为内部电极层30而设置浮动内部电极层35，从而层叠陶瓷电容器1成为对置电极部被分割为多个的构造。由此，在对置的内部电极层30间形成多个电容器成分，成为这些电容器成分被串联连接的结构。因此，对各个电容器成分施加的电压变低，能够谋求层叠陶瓷电容器1的高耐压化。另外，本实施方式的层叠陶瓷电容器1也可以是4连以上的多连构造，这是不言而喻的。
<实验例>
作为实验例的样本而制作层叠陶瓷电容器，并进行了裂纹试验、可靠性试验以及连接性试验。
首先，作为实验例的样本，按照第1实施方式的制造方法制作了以下规格的层叠陶瓷电容器。
·层叠陶瓷电容器的尺寸：L×W×T＝1.00mm×0.60mm×0.50mm
·电介质层：BaTiO3
·电容：4.7μF
·额定电压：4V
·内部电极层：Ni
·基底电极层
包含金属成分和玻璃成分的电极
金属成分：Cu
玻璃成分：包含Ba以及Ti的玻璃
端面侧基底电极层的厚度(端面中央部)：30μm
侧面侧基底电极层的厚度(长度方向中央部)：15μm
玻璃成分的存在比例A：参照试验1、试验2
·镀敷层：4μm的Ni镀敷层以及4μm的Sn镀敷层的2层构造
接着，对于所制作的样本，按照以下的试验方法进行了试验。
(试验1)
对于将端面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例设为20％且使第1范围R1以及第2范围R2内的侧面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例A发生了变化的样本，按照裂纹试验的每个试验条件制作50个，并进行了裂纹试验。另外，事先设定导电性膏中的玻璃料的比例以使得端面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例成为20％，在此基础上制作了样本。此外，事先设定导电性膏中的玻璃料的比例以使得第1范围R1以及第2范围R2内的侧面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例A成为表1所记载的20％～80％，在此基础上制作了样本以使得成为表1所记载的玻璃的存在比例A。此外，分别追加制作同样规格的样本，并确认了玻璃成分G的长度的尺寸T2相对于侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1的尺寸比率B。将该尺寸比率B的确认结果示于表1。此外，将裂纹试验的试验结果示于表1。
[表1]
(试验2)
对于将第1范围R1以及第2范围R2内的侧面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例A设为60％且使端面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例A发生了变化的样本，制作77个用于可靠性试验，制作100个用于连接性试验，并进行了可靠性试验以及连接性试验。另外，事先设定导电性膏中的玻璃料的比例以使得第1范围R1以及第2范围R2内的侧面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例A成为60％，在此基础上制作了样本。此外，事先设定导电性膏中的玻璃料的比例以使得端面侧基底电极层的玻璃成分的存在比例成为表2所记载的5％～50％，在此基础上制作了样本以使得成为表2所记载的玻璃的存在比例A。将该可靠性试验以及连接性试验的结果示于表2。另外，分别追加制作同样规格的样本，并计算出玻璃成分G的长度的尺寸T2相对于侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1的尺寸比率B，此时，尺寸比率B在任意的试样中都为60％以上。
[表2]
以下示出上述试验中的测定方法以及试验方法。
(各样本的玻璃尺寸比率B的测定方法)
玻璃尺寸比率B通过前述的方法利用式(2)来计算。玻璃尺寸比率B以在第1范围R1内以及第2范围R2内最大的数值为代表值。
尺寸比率B(％)＝((玻璃成分G的部分的长度的尺寸T2)/(侧面侧基底电极层的厚度的尺寸T1))×100···(2)
另外，通过基于EDX的元素映射，包含于玻璃成分的Ti以及Ba和作为基底电极层的主成分的金属成分的存在位置被明确化。在本实施例中，由于使用了包含Ti以及Ba的玻璃成分，因此基于任何一者的元素映射结果可确定玻璃成分的部分，由此可计算玻璃尺寸比率B。
(裂纹试验)
首先，使用焊料膏，将作为样本的层叠陶瓷电容器安装于1.6mm的厚度的安装基板。然后，将直径为1um的推杆顶在未安装层叠陶瓷电容器的部分的基板的背面并使基板弯曲，从而施加了机械应变。在此，在使基板弯曲的状态下保持的保持时间设为60秒。此外，基板的挠曲量设为3.0mm、4.0mm、5.0mm。另外，本试验是比层叠陶瓷电容器的通常的使用条件更严苛的条件。
在使基板弯曲之后，从基板取下层叠陶瓷电容器，并观察了有无产生裂纹。具体地，将层叠陶瓷电容器研磨至W尺寸的1/2的位置而使LT剖面露出。然后，利用显微镜，以40倍以上的观察倍率对研磨面进行观察，并确认了层叠体10中有无产生裂纹。将确认了产生裂纹的样本判断为裂纹试验NG的样本。
(可靠性试验)
利用无铅焊料(Sn3Ag0.5Cu)将各样本安装于玻璃环氧基板。然后，将各样本投入到125℃、相对湿度95％RH的高温高湿槽内，在2.5V、144小时的条件下进行了耐湿加速试验。将绝缘电阻值(IR值)下降了2个数量级以上的样本判断为耐湿性发生了劣化的可靠性试验NG的样本。
(连接性试验)
在连接性试验中，根据对层叠陶瓷电容器施加了60秒额定电压的400％以上的电压时有无产生绝缘击穿来进行评价。在本实验例中，将对层叠陶瓷电容器单体施加了额定电压的600％的电压时产生了绝缘击穿的样本作为连接性试验NG的样本。另外，若玻璃成分的存在比例变大，则玻璃成分变得容易集中于层叠体和基底电极层的界面。在该情况下，由于玻璃是绝缘体，因此内部电极层和基底电极层的连接电阻变大。因而，在对层叠陶瓷电容器施加了超负荷的电压的情况下，在连接电阻大的部分产生绝缘击穿。
如表1所示，关于第1侧面侧基底电极层52A的第1范围R1以及第2侧面侧基底电极层52B的第2范围R2内的玻璃存在比例A为60％以上的样本，裂纹试验的结果良好。另一方面，关于该玻璃存在比例A为55％以下的样本，有成为裂纹试验NG的样本。
如表2所示，关于第1端面侧基底电极层51A以及第2端面侧基底电极层51B中的玻璃存在比例A为10％以上的样本，可靠性试验的结果良好。另一方面，关于该玻璃存在比例A为5％的样本，有成为可靠性试验NG的样本。
如表2所示，关于第1端面侧基底电极层51A以及第2端面侧基底电极层51B中的玻璃存在比例A为40％以下的样本，连接性试验的结果良好。另一方面，关于该玻璃存在比例A为45％以上的样本，有成为连接性试验NG的样本。
根据以上的实验结果可知，通过将侧面侧基底电极层中的玻璃的存在比例设为60％以上，从而能够抑制裂纹的产生。此外，可知，通过将端面侧基底电极层中的玻璃的存在比例设为10％以上且40％以下，从而能够良好地确保可靠性以及连接性。
如以上那样，通过设为上述的实施方式的构造，从而在对安装基板、层叠体施加了应力时，能够将该应力引导至外部电极的前端的玻璃成分，进而，能够使裂纹停留在基底电极层的前端的玻璃成分内。其结果是，变得不易对层叠体施加应力，因此能够抑制在层叠体产生的裂纹。
此外，通过将端面侧基底电极层中的玻璃的存在比例设为10％以上且40％以下，从而外部电极的致密性提高，耐湿可靠性提高。而且，可抑制内部电极层和端面侧基底电极层的接合部的电阻值的上升。因此，能够抑制无法取得静电电容或者发热之类的不良状况的产生。即，通过采用上述的实施方式的结构，从而连接可靠性提高。
本发明不限定于上述实施方式的结构，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当变更并应用。各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在实施方式中逐次提及。

Claims (5)

1.一种层叠陶瓷电容器，具有：
层叠体，包含被层叠的多个电介质层，并包含在高度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的第3侧面以及第4侧面、和在与所述高度方向以及所述宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面；
第1内部电极层，配置在所述多个电介质层上，并在所述第1端面露出；
第2内部电极层，配置在所述多个电介质层上，并在所述第2端面露出；
第1外部电极，与所述第1内部电极层连接，并配置在所述第1端面侧；和
第2外部电极，与所述第2内部电极层连接，并配置在所述第2端面侧，
其中，
所述第1外部电极具有：第1基底电极层，具有金属成分以及玻璃成分；和第1镀敷层，配置在所述第1基底电极层上，
所述第2外部电极具有：第2基底电极层，具有金属成分以及玻璃成分；和第2镀敷层，配置在所述第2基底电极层上，
所述第1基底电极层具有：第1端面侧基底电极层，配置在所述第1端面上；和第1侧面侧基底电极层，配置在4个所述侧面中的至少1个侧面的所述第1端面侧的一部分，
所述第2基底电极层具有：第2端面侧基底电极层，配置在所述第2端面上；和第2侧面侧基底电极层，配置在4个所述侧面中的至少1个侧面的所述第2端面侧的一部分，
在从所述第1侧面侧基底电极层的所述第2端面侧的前端到所述第1侧面侧基底电极层的所述长度方向的尺寸的10％的长度的位置为止的第1范围内，所述第1侧面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为60％以上，
在从所述第2侧面侧基底电极层的所述第1端面侧的前端到所述第2侧面侧基底电极层的所述长度方向的尺寸的10％的长度的位置为止的第2范围内，所述第2侧面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为60％以上。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述第1侧面侧基底电极层在所述第1范围内，在至少1处以上具备具有所述第1侧面侧基底电极层的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分，
所述第2侧面侧基底电极层在所述第2范围内，在至少1处以上具备具有所述第2侧面侧基底电极层的厚度的尺寸的60％以上的长度的玻璃成分。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述金属成分是Cu。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述玻璃成分是包含Ba或Ti的至少任意一者的玻璃成分。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述第1端面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为10％以上且40％以下，
所述第2端面侧基底电极层中的所述玻璃成分的存在比例为10％以上且40％以下。
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