JP2023119110A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

積層セラミックコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2023119110A
JP2023119110A JP2022021772A JP2022021772A JP2023119110A JP 2023119110 A JP2023119110 A JP 2023119110A JP 2022021772 A JP2022021772 A JP 2022021772A JP 2022021772 A JP2022021772 A JP 2022021772A JP 2023119110 A JP2023119110 A JP 2023119110A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
internal electrode
side margin
ceramic capacitor
width direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022021772A
Other languages
English (en)
Inventor
なつこ 大久保
Natsuko Okubo
昭人 森
Akito Mori
和久 内田
Kazuhisa Uchida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2022021772A priority Critical patent/JP2023119110A/ja
Priority to CN202310136113.3A priority patent/CN116612987A/zh
Priority to US18/109,309 priority patent/US20230317374A1/en
Publication of JP2023119110A publication Critical patent/JP2023119110A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/224—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

【課題】耐湿信頼性を向上する積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２０と内部電極層３０とが積層された積層体１０と、外部電極４０とを備え、積層体１０は、幅方向において、誘電体層と内部電極層とを挟み込むように配置され、誘電体で構成されたサイドマージン部Ｗ１１，Ｗ１２を含む。内部電極層３０において、引出電極部の幅方向の幅Ｗ１は、対向電極部の幅方向の幅Ｗ０よりも小さい。サイドマージン部Ｗ１１，Ｗ１２は、ＢａおよびＴｉを主成分として含み、Ｍｇを副成分として含み、このＭｇの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下である。内部電極層３０はＮｉを主成分として含み、対向電極部の幅方向の端部Ｅ１はＭｇを副成分として含み、このＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下である。【選択図】図４

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
セラミック材料からなる複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層体と、積層体の端面に配置された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサが知られている。また、積層体の側面において、複数の誘電体層と複数の内部電極層とを挟み込むように配置され、セラミック材料からなる誘電体で構成されたサイドマージン部を備えた積層セラミックコンデンサが知られている（例えば、特許文献１）。
特開２０１９－１９７７９０号公報
このような積層セラミックコンデンサにおいて、小型化および高容量化のために、サイドマージン部の厚さを薄くし、内部電極層の面積を大きくすることが考えられる。しかし、サイドマージン部の厚さを薄くすると、積層体の側面からサイドマージン部に浸入して内部電極層に至る水分に対する耐性、すなわち耐湿性が低下し、その結果、信頼性が低下することが考えられる。
また、このような積層セラミックコンデンサにおいて、積層体の側面と外部電極との間から浸入して積層体の端面の内部電極層に至る水分に対する耐性、すなわち耐湿性が低下し、その結果、信頼性が低下することが考えられる。
本発明は、耐湿信頼性を向上する積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック材料からなる複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層体であって、積層方向に相対する２つの主面と、前記積層方向に交差する幅方向に相対する２つの側面と、前記積層方向および前記幅方向に交差する長さ方向に相対する２つの端面とを有した積層体と、前記積層体の前記２つの端面の各々に配置された２つの外部電極と、を備える。前記積層体は、前記幅方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とを挟み込むように配置され、セラミック材料からなる誘電体でそれぞれ構成された２つのサイドマージン部を含む。前記複数の内部電極層の各々は、前記長さ方向において、前記積層方向に隣り合う内部電極層同士で対向する対向電極部と、前記対向電極部から前記端面に向けて延在する引出電極部とを含み、前記複数の内部電極層の前記対向電極部における前記幅方向の端部は、前記幅方向において５μｍの範囲内に位置するように揃っており、前記引出電極部の前記幅方向の幅は、前記対向電極部の前記幅方向の幅よりも小さい。前記２つのサイドマージン部の各々は、ＢａおよびＴｉを主成分として含み、Ｍｇを副成分として含み、前記２つのサイドマージン部の各々におけるＭｇの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下である。前記複数の内部電極層の各々は、Ｎｉを主成分として含み、前記複数の内部電極層の各々における前記対向電極部の前記幅方向の端部は、Ｍｇを副成分として含み、前記複数の内部電極層の各々における前記対向電極部の前記幅方向の端部におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下である。
本発明によれば、積層セラミックコンデンサにおいて、耐湿信頼性を向上することができる。
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのII-II線断面図（ＬＴ断面）である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのIII-III線断面図（ＷＴ断面）である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのIV-IV線断面図（ＬＷ断面）である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのV-V線断面図（ＬＷ断面）である。 本実施形態の変形例１に係る積層セラミックコンデンサの断面図（ＬＷ断面）であって、図４相当の断面図である。 本実施形態の変形例２に係る積層セラミックコンデンサの断面図（ＬＷ断面）であって、図４相当の断面図である。 本実施形態の変形例３に係る積層セラミックコンデンサの断面図（ＬＷ断面）であって、図４相当の断面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
<積層セラミックコンデンサ>
図１は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図であり、図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサのII-II線断面図であり、図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのIII-III線断面図である。図４は、図２に示す積層セラミックコンデンサのIV-IV線断面図であり、図５は、図２に示す積層セラミックコンデンサのV-V線断面図である。図１～図５に示す積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０と外部電極４０とを備える。外部電極４０は、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２とを含む。
図１～図５には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｘ方向は積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の長さ方向Ｌであり、Ｙ方向は積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の幅方向Ｗであり、Ｚ方向は積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の積層方向Ｔである。これにより、図２に示す断面はＬＴ断面とも称され、図３に示す断面はＷＴ断面とも称され、図４および図５に示す断面はＬＷ断面とも称される。
なお、長さ方向Ｌ、幅方向Ｗおよび積層方向Ｔは、必ずしも互いに直交する関係になるとは限らず、互いに交差する関係であってもよい。
積層体１０は、略直方体形状であり、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２とを有する。
積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていると好ましい。角部は、積層体１０の３面が交る部分であり、稜線部は、積層体１０の２面が交る部分である。
図２および図３に示すように、積層体１０は、積層方向Ｔに積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層３０とを有する。また、積層体１０は、積層方向Ｔにおいて、内層部１００と、内層部１００を挟み込むように配置された第１の外層部１０１および第２の外層部１０２とを有する。
内層部１００は、複数の誘電体層２０の一部と複数の内部電極層３０とを含む。内層部１００では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１００は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。
第１の外層部１０１は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に配置されており、第２の外層部１０２は、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に配置されている。より具体的には、第１の外層部１０１は、複数の内部電極層３０のうち第１の主面ＴＳ１に最も近い内部電極層３０と第１の主面ＴＳ１との間に配置されており、第２の外層部１０２は、複数の内部電極層３０のうち第２の主面ＴＳ２に最も近い内部電極層３０と第２の主面ＴＳ２との間に配置されている。第１の外層部１０１および第２の外層部１０２は、内部電極層３０を含まず、複数の誘電体層２０のうち内層部１００のための一部以外の部分をそれぞれ含む。第１の外層部１０１および第２の外層部１０２は、内層部１００の保護層として機能する部分である。
また、図３に示すように、積層体１０は、幅方向Ｗにおいて、内層部１００、第１の外層部１０１および第２の外層部１０２、すなわち複数の誘電体層２０および複数の内部電極層３０、を挟み込むように配置された第１の側面側外層部Ｗ１１（以下では、第１のサイドマージン部ともいう。）および第２の側面側外層部Ｗ１２（以下では、第２のサイドマージン部ともいう。）とを有する。なお、第１のサイドマージン部Ｗ１１と第２のサイドマージン部Ｗ１２とに挟まれた部分であって、複数の誘電体層２０および複数の内部電極層３０を含む部分を、電極対向部Ｗ１０ともいう。
第１のサイドマージン部Ｗ１１は、積層体１０の第１の側面ＷＳ１側に配置されており、第２のサイドマージン部Ｗ１２は、積層体１０の第２の側面ＷＳ２側に配置されている。より具体的には、第１のサイドマージン部Ｗ１１は、内部電極層３０の第１の側面ＷＳ１側の端と第１の側面ＷＳ１との間に位置し、第２のサイドマージン部Ｗ１２は、内部電極層３０の第２の側面ＷＳ２側の端と第２の側面ＷＳ２との間に位置する。
第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２は、誘電体で構成される。第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２は、内部電極層３０の保護層として機能する部分である。なお、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２は、サイドギャップまたはＷギャップともいう。
誘電体層２０の材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３等を主成分として含む誘電体セラミックを用いることができる。また、誘電体層２０の材料としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｍｎ、希土類元素、Ａｌ、Ｎｉ、Ｖ等のうち少なくとも１種を副成分として添加されてもよい。
これにより、誘電体層２０は、Ｂａ、Ｔｉを主成分として含み、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｍｎ、希土類元素、Ａｌ、Ｎｉ、Ｖ等のうち少なくとも１種を副成分として含む。希土類元素としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹのうち少なくとも１種が挙げられ、これらの中でもＤｙが好ましい。また、誘電体層２０は、複数の誘電体グレインで構成される。なお、本明細書において、主成分とは、最も重量％が高い成分であると定める。
誘電体層２０の厚さは、特に限定されないが、例えば０．４０μｍ以上０．５０μｍ以下であると好ましく、０．４０μｍ以上０．４５μｍ以下であるとより好ましい。誘電体層２０の枚数は、特に限定されないが、例えば１００枚以上２０００枚以下であると好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部の誘電体層の枚数と外層部の誘電体層の枚数との総数である。
第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２を構成する誘電体の材料としては、同様に、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３等を主成分として含む誘電体セラミックを用いることができる。また、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２を構成する誘電体の材料としては、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｍｎ、希土類元素、Ａｌ、Ｎｉ、Ｖ等のうち少なくとも１種を副成分として添加されてもよい。
これにより、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２を構成する誘電体は、Ｂａ、Ｔｉを主成分として含み、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｍｎ、希土類元素、Ａｌ、Ｎｉ、Ｖ等のうち少なくとも１種を副成分として含む。希土類元素としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹのうち少なくとも１種が挙げられ、これらの中でもＤｙが好ましい。また、誘電体層２０は、複数の誘電体グレインで構成される。
第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々の厚さは、特に限定されないが、例えば１３μｍ以上２５μｍ以下であると好ましく、１３μｍ以上１８μｍ以下であるとより好ましい。第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々における誘電体は、特に限定されないが、１層構造であってもよいし、２層以上の複数層構造であってもよい。
複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２を含む。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、積層体１０の積層方向Ｔに交互に配置されている。
第１の内部電極層３１は、対向電極部３１１と引出電極部３１２とを含み、第２の内部電極層３２は、対向電極部３２１と引出電極部３２２とを含む。
対向電極部３１１と対向電極部３２１とは、積層体１０の積層方向Ｔにおいて誘電体層２０を介して互いに対向している。対向電極部３１１および対向電極部３２１の形状は、特に限定されず、例えば略矩形状であればよい。対向電極部３１１および対向電極部３２１における幅方向Ｗの端部は、幅方向において５μｍの範囲に位置するように揃っている。対向電極部３１１と対向電極部３２１とは、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。
引出電極部３１２は、対向電極部３１１から積層体１０の第１の端面ＬＳ１に向けて延在し、第１の端面ＬＳ１において露出している。引出電極部３２２は、対向電極部３２１から積層体１０の第２の端面ＬＳ２に向けて延在し、第２の端面ＬＳ２において露出している。引出電極部３１２および引出電極部３２２の詳細は後述する。
これにより、第１の内部電極層３１は第１の外部電極４１に接続され、第１の内部電極層３１と、積層体１０の第２の端面ＬＳ２、すなわち第２の外部電極４２、との間にはギャップが存在する。また、第２の内部電極層３２は第２の外部電極４２に接続され、第２の内部電極層３２と、積層体１０の第１の端面ＬＳ１、すなわち第１の外部電極４１、との間にはギャップが存在する。
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、金属Ｎｉを主成分として含む。また、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金、から選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでもよいし、主成分以外の成分として含んでもよい。更に、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体の粒子を主成分以外の成分として含んでいてもよい。なお、本明細書において、主成分の金属とは、最も重量％が高い金属成分であると定める。
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の厚さは、特に限定されないが、例えば０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下であると好ましく、０．３０μｍ以上０．３５μｍ以下であるとより好ましい。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の枚数は、特に限定されないが、例えば１０枚以上１０００枚以下であると好ましい。
図２に示すように、積層体１０は、長さ方向Ｌにおいて、内部電極層３０の第１の内部電極層３１と第２の内部電極層３２とが対向する電極対向部Ｌ１０と、第１のエンドマージン部Ｌ１１と、第２のエンドマージン部Ｌ１２とを有する。第１のエンドマージン部Ｌ１１は、電極対向部Ｌ１０と第１の端面ＬＳ１との間に位置し、第２のエンドマージン部Ｌ１２は、電極対向部Ｌ１０と第２の端面ＬＳ２との間に位置する。より具体的には、第１のエンドマージン部Ｌ１１は、第２の内部電極層３２の第１の端面ＬＳ１側の端と第１の端面ＬＳ１との間に位置し、第２のエンドマージン部Ｌ１２は、第１の内部電極層３１の第２の端面ＬＳ２側の端と第２の端面ＬＳ２との間に位置する。第１のエンドマージン部Ｌ１１は、第２の内部電極層３２を含まず、第１の内部電極層３１および誘電体層２０を含み、第２のエンドマージン部Ｌ１２は、第１の内部電極層３１を含まず、第２の内部電極層３２および誘電体層２０を含む。第１のエンドマージン部Ｌ１１は、第１の内部電極層３１の第１の端面ＬＳ１への引出電極部として機能する部分であり、第２のエンドマージン部Ｌ１２は、第２の内部電極層３２の第２の端面ＬＳ２への引出電極部として機能する部分である。第１のエンドマージン部Ｌ１１および第２のエンドマージン部Ｌ１２は、エンドギャップまたはＬギャップともいう。
なお、電極対向部Ｌ１０には、上述した第１の内部電極層３１の対向電極部３１１および第２の内部電極層３２の対向電極部３２１が位置する。また、第１のエンドマージン部Ｌ１１には、上述した第１の内部電極層３１の引出電極部３１２が位置し、第２のエンドマージン部Ｌ１２には、上述した第２の内部電極層３２の引出電極部３２２が位置する。
上述した積層体１０の寸法は、特に限定されないが、例えば長さ方向Ｌの長さが０．６ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、幅方向Ｗの幅が０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、積層方向Ｔの厚さが０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であると好ましい。
また、後述する外部電極４０を含む積層セラミックコンデンサ１の寸法は、特に限定されないが、例えば長さ方向Ｌの長さが０．６ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、幅方向Ｗの幅が０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、積層方向Ｔの厚さが０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であると好ましい。
なお、誘電体層２０および内部電極層３０の厚さの測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の幅方向中央近傍のＬＴ断面を走査型電子顕微鏡にて観察する方法が挙げられる。また、各値は、長さ方向の複数個所の測定値の平均値であってもよいし、更に積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
同様に、積層体１０の厚さまたは積層セラミックコンデンサ１の厚さの測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の幅方向中央近傍のＬＴ断面、または、研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの長さ方向中央近傍のＷＴ断面を走査型電子顕微鏡にて観察する方法が挙げられる。また、各値は、長さ方向または幅方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
同様に、積層体１０の長さまたは積層セラミックコンデンサ１の長さの測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの幅方向中央近傍のＬＴ断面を走査型電子顕微鏡にて観察する方法が挙げられる。また、各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
同様に、積層体１０の幅または積層セラミックコンデンサ１の幅の測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの長さ方向中央近傍のＷＴ断面を走査型電子顕微鏡にて観察する方法が挙げられる。また、各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
外部電極４０は、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２とを含む。
第１の外部電極４１は、積層体１０の第１の端面ＬＳ１に配置されており、第１の内部電極層３１に接続されている。第１の外部電極４１は、第１の端面ＬＳ１から、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に延びていてもよい。また、第１の外部電極４１は、第１の端面ＬＳ１から、第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部に延びていてもよい。
第２の外部電極４２は、積層体１０の第２の端面ＬＳ２に配置されており、第２の内部電極層３２に接続されている。第２の外部電極４２は、第２の端面ＬＳ２から、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に延びていてもよい。また、第２の外部電極４２は、第２の端面ＬＳ２から、第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部に延びていてもよい。
第１の外部電極４１は、第１の下地電極層４１５と第１のめっき層４１６とを有し、第２の外部電極４２は、第２の下地電極層４２５と第２のめっき層４２６とを有する。なお、第１の外部電極４１は第１のめっき層４１６のみから構成されていてもよいし、第２の外部電極４２は第２のめっき層４２６のみから構成されていてもよい。
第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５は、金属とガラスとを含む焼成層であってもよい。ガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、またはＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含むガラス成分が挙げられる。具体例として、ホウケイ酸ガラスを用いることができる。金属としては、Ｃｕを主成分として含む。また、金属としては、例えばＮｉ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の合金、から選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでもよいし、主成分以外の成分として含んでもよい。
焼成層は、金属およびガラスを含む導電性ペーストをディップ法によって積層体に塗布して焼成した層である。なお、内部電極層の焼成後に焼成されてもよく、内部電極層と同時に焼成されてもよい。また、焼成層は、複数層であってもよい。
或いは、第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５は、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層であってもよい。樹脂層は、上述した焼成層上に形成されてもよいし、焼成層を形成せずに積層体に直接形成されてもよい。
樹脂層は、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布法によって積層体に塗布して焼成した層である。なお、内部電極層の焼成後に焼成されてもよく、内部電極層と同時に焼成されてもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。
焼成層または樹脂層としての第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５の各々の一層あたりの厚さとしては、特に限定されず、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
或いは、第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の薄膜層であってもよい。
第１のめっき層４１６は、第１の下地電極層４１５の少なくとも一部を覆い、第２のめっき層４２６は、第２の下地電極層４２５の少なくとも一部を覆う。第１のめっき層４１６および第２のめっき層４２６としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の合金から選ばれる少なくとも１つを含む。
第１のめっき層４１６および第２のめっき層４２６の各々は複数層により形成されていてもよい。好ましくは、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地電極層がセラミック電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、セラミック電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
第１のめっき層４１６および第２のめっき層４２６の各々の一層あたりの厚さとしては、特に限定されず、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
<<サイドマージン部>>
次に、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２について更に説明する。
第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々は、Ｍｇを副成分として含む。第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々におけるＭｇの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下である。
また、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々は、Ｓｉを副成分として含んでいてもよい。第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々におけるＳｉの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下であると好ましい。
また、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々は、希土類元素Ｄｙを副成分として含んでいてもよい。第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２の各々における希土類元素Ｄｙの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．８モル％以上２．０モル％以下であると好ましい。
第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２におけるＭｇ、Ｓｉ、または希土類元素Ｄｙの含有量の測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察する方法が挙げられる。測定機器としては、例えば波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とが挙げられる。各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
<<内部電極層>>
次に、内部電極層３０、すなわち第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２、について更に説明する。
図４に示すように、第１の内部電極層３１において、引出電極部３１２の幅方向Ｗの幅は、対向電極部３１１の幅方向Ｗの幅よりも小さい。例えば、引出電極部３１２の長さ方向中央近傍における幅方向Ｗの幅Ｗ１は、積層体１０の長さ方向中央近傍における対向電極部３１１の幅方向Ｗの幅Ｗ０よりも小さい。
また、図５に示すように、第２の内部電極層３２において、引出電極部３２２の幅方向Ｗの幅は、対向電極部３２１の幅方向Ｗの幅よりも小さい。例えば、引出電極部３２２の長さ方向中央近傍における幅方向Ｗの幅Ｗ１は、積層体１０の長さ方向中央近傍における対向電極部３２１の幅方向Ｗの幅Ｗ０よりも小さい。
内部電極層３０の幅Ｗ０、Ｗ１の測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の積層方向中央近傍の内部電極層のＬＷ断面を観察する方法が挙げられる。
なお、例えば、積層セラミックコンデンサ１が０６０３サイズ（Ｌ＝０．６ｍｍ、Ｗ＝０．３ｍｍ、Ｔ＝０．３ｍｍ）の場合、引出電極部３１２および３２２の長さ方向Ｌの長さは２５μｍであり、積層セラミックコンデンサ１が１００５サイズ（Ｌ＝１．０ｍｍ、Ｗ＝０．５ｍｍ、Ｔ＝０．５ｍｍ）の場合、引出電極部３１２および３２２の長さ方向Ｌの長さは２５μｍであり、積層セラミックコンデンサ１が１６０８サイズ（Ｌ＝１．６ｍｍ、Ｗ＝０．８ｍｍ、Ｔ＝０．８ｍｍ）の場合、引出電極部３１２および３２２の長さ方向Ｌの長さは４０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、この積層セラミックコンデンサ１のサイズおよび寸法は、積層体１０および外部電極４０を含む寸法である。
引出電極部３１２の形状は、特に限定されないが、例えば、図４に示すように、対向電極部３１１の第１の端面ＬＳ１側の端の両角から第１の端面ＬＳ１に向けて、直線的に幅狭となる台形形状であってもよい。同様に、引出電極部３２２の形状は、特に限定されないが、例えば、図５に示すように、対向電極部３２１の第２の端面ＬＳ２側の端の両角から第２の端面ＬＳ２に向けて、直線的に幅狭となる台形形状であってもよい。
或いは、図６に示すように、引出電極部３１２の形状は、対向電極部３１１の第１の端面ＬＳ１側の端の両角よりも幅狭箇所から第１の端面ＬＳ１に向けて、直線的に幅狭となる台形形状であってもよい。同様に、引出電極部３２２の形状は、対向電極部３２１の第２の端面ＬＳ２側の端の両角よりも幅狭箇所から第２の端面ＬＳ２に向けて、直線的に幅狭となる台形形状であってもよい（図示省略）。
或いは、図７に示すように、引出電極部３１２の形状は、対向電極部３１１の第１の端面ＬＳ１側の端の両角よりも幅狭箇所から第１の端面ＬＳ１に向けて、等幅で直線的である矩形形状であってもよい。同様に、引出電極部３２２の形状は、対向電極部３２１の第２の端面ＬＳ２側の端の両角よりも幅狭箇所から第２の端面ＬＳ２に向けて、等幅で直線的である矩形形状であってもよい（図示省略）。
或いは、図８に示すように、引出電極部３１２の形状は、対向電極部３１１の第１の端面ＬＳ１側の端の両角から第１の端面ＬＳ１に向けて、曲線的に幅狭となる曲線形状であってもよい。同様に、引出電極部３２２の形状は、対向電極部３２１の第２の端面ＬＳ２側の端の両角から第２の端面ＬＳ２に向けて、曲線的に幅狭となる曲線形状であってもよい（図示省略）。
図４に示すように、第１の内部電極層３１における対向電極部３１１の幅方向Ｗの端部Ｅ１は、Ｍｇを副成分として含む。また、図５に示すように、第２の内部電極層３２における対向電極部３２１の幅方向Ｗの端部Ｅ１は、Ｍｇを副成分として含む。より具体的には、端部Ｅ１には、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇが偏析している。端部Ｅ１におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下である。
図４に示すように、第１の内部電極層３１における引出電極部３１２の幅方向Ｗの端部Ｅ２は、Ｍｇを副成分として含んでいてもよい。また、図５に示すように、第２の内部電極層３２における引出電極部３２２の幅方向Ｗの端部Ｅ２は、Ｍｇを副成分として含んでいてもよい。より具体的には、端部Ｅ２には、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇ、または誘電体層２０に由来するＭｇが偏析していてもよい。端部Ｅ２におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．０７モル％以上０．３２モル％以下であると好ましい。端部Ｅ２におけるＭｇの含有量は、端部Ｅ１におけるＭｇの含有量より少なくなる。
また、図４に示すように、端部Ｅ２のうち、引出電極部３１２の第１の端面ＬＳ１における幅方向Ｗの端部Ｅ３におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．００モル％以上０．２８モル％以下であると好ましい。また、図５に示すように、端部Ｅ２のうち、引出電極部３２２の第２の端面ＬＳ２における幅方向Ｗの端部Ｅ３におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．００モル％以上０．２８モル％以下であると好ましい。端部Ｅ３におけるＭｇの含有量は、端部Ｅ２におけるＭｇの含有量より少なくなる。
また、引出電極部３１２の端部Ｅ２におけるＭｇの含有量は、長さ方向Ｌにおいて、対向電極部３１１から第１の端面ＬＳ１に向けて、次第に減少していてもよい。また、引出電極部３２２の端部Ｅ２におけるＭｇの含有量は、長さ方向Ｌにおいて、対向電極部３２１から第２の端面ＬＳ２に向けて、次第に減少していてもよい。
また、第１の内部電極層３１における対向電極部３１１の幅方向Ｗの端部Ｅ１は、Ｓｉを副成分として含んでいてもよい。また、第２の内部電極層３２における対向電極部３２１の幅方向Ｗの端部Ｅ１は、Ｓｉを副成分として含んでいてもよい。より具体的には、端部Ｅ１には、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＳｉが偏析していてもよい。
また、第１の内部電極層３１における引出電極部３１２の幅方向Ｗの端部Ｅ２およびＥ３は、Ｓｉを副成分として含んでいてもよい。また、第２の内部電極層３２における引出電極部３２２の幅方向Ｗの端部Ｅ２およびＥ３は、Ｓｉを副成分として含んでいてもよい。より具体的には、端部Ｅ２およびＥ３には、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＳｉ、または誘電体層２０に由来するＳｉが偏析していてもよい。
なお、引出電極部３１２の端部Ｅ３はＳｉを含まないこともある。この場合、引出電極部３１２の端部Ｅ２では、長さ方向Ｌにおいて対向電極部３１１から第１の端面ＬＳ１に向けての一部、例えば２／３までの部分に、Ｓｉを含んでもよい。また、引出電極部３２２の端部Ｅ３はＳｉを含まないこともある。この場合、引出電極部３２２の端部Ｅ２では、長さ方向Ｌにおいて対向電極部３２１から第２の端面ＬＳ２に向けての一部、例えば２／３までの部分に、Ｓｉを含んでもよい。
第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１および第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１におけるＭｇまたはＳｉの含有量の測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察する方法が挙げられる。測定機器としては、例えば波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とが挙げられる。各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
また、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２および第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ２におけるＭｇまたはＳｉの含有量の測定方法としては、例えば研磨により露出させた引出電極部の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察する方法が挙げられる。測定機器としては、例えば波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とが挙げられる。各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
また、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ３および第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ３におけるＭｇまたはＳｉの含有量の測定方法としては、例えば研磨により露出させた積層体の端面を観察する方法が挙げられる。測定機器としては、例えば波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とが挙げられる。各値は、積層方向の複数個所の測定値の平均値であってもよい。
<製造方法>
次に、上述した積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートにはＭｇが含有されている。また、誘電体シートにはＳｉおよび／または希土類元素Ｄｙが含有されていてもよい。また、誘電体シートおよび導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれる。バインダおよび溶剤としては公知の材料を用いることができる。
次に、誘電体シート上に導電性ペーストを、例えば所定のパターンで印刷することにより、誘電体シート上に内部電極パターンを形成する。内部電極パターンの形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷等を用いることができる。
次に、内部電極パターンが印刷されていない第２の外層部１０２用の誘電体シートを所定枚数積層する。その上に、内部電極パターンが印刷された内層部１００用の誘電体シートを順次積層する。その上に、内部電極パターンが印刷されていない第１の外層部１０１用の誘電体シートを所定枚数積層する。これにより、積層シートが作製される。
次に、静水圧プレス等の手段により、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを作製する。次に、積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。このとき、長さ方向中央部の断面でみれば明らかで、内部電極層の幅方向Ｗの両側の端部が揃う（例えば５μｍの誤差で揃う）。
次に、積層チップの側面に第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２用の誘電体シートを貼り付ける。誘電体シートにはＭｇが含有されている。また、誘電体シートにはＳｉおよび／または希土類元素Ｄｙが含有されていてもよい。このとき、バレル研磨等により積層チップの角部および稜線部に丸みをつける。
次に、積層チップを焼成し、積層体１０を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
このとき、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２において、Ｍｇの作用により、セラミックグレインの粒成長を抑制することができる。また、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２において、Ｓｉの作用により、セラミックの焼結性を高めることができる。また、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２において、希土類元素Ｄｙの作用により、高温信頼性を向上することができる。
また、このとき、第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１、および、第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇまたはＳｉが偏析する。
また、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２およびＥ３、および、第２の内部電極層３２の引出電極部３１２の端部Ｅ２およびＥ３に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇまたはＳｉ、および誘電体層２０に由来するＭｇまたはＳｉが偏析する。
次に、ディップ法を用いて、積層体１０の第１の端面ＬＳ１を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第１の端面ＬＳ１に第１の下地電極層４１５用の導電性ペーストを塗布する。同様に、ディップ法を用いて、積層体１０の第２の端面ＬＳ２を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第２の端面ＬＳ２に第２の下地電極層４２５用の導電性ペーストを塗布する。その後、これらの導電性ペーストを焼成することにより、焼成層である第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５が形成される。焼成温度は、６００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
なお、上述したように、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布法によって塗布して焼成することによって、樹脂層である第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５を形成してもよいし、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により、薄膜である第１の下地電極層４１５および第２の下地電極層４２５を形成してもよい。
また、上述では、積層チップを焼成した後に下地電極層を形成して焼成した、すなわち積層体と外部電極とを別々に焼成した。しかし、積層チップを焼成する前に下地電極層を形成して焼成してもよい、すなわち、積層体と外部電極とを同時に焼成してもよい。
その後、第１の下地電極層４１５の表面に第１のめっき層４１６を形成して第１の外部電極４１を形成し、第２の下地電極層４２５の表面に第２のめっき層４２６を形成して第２の外部電極４２を形成する。以上の工程により、上述した積層セラミックコンデンサ１が得られる。
以上説明したように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、図４に示すように、第１の内部電極層３１において、引出電極部３１２の幅Ｗ１が対向電極部３１１の幅Ｗ０よりも小さいので、積層体１０の第１の端面ＬＳ１において、積層体１０の第１の側面ＷＳ１から第１の内部電極層３１までの距離が長い。これにより、第１の外部電極４１と積層体１０の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２との間から浸入して積層体１０の第１の端面ＬＳ１の第１の内部電極層３１に至る水分の浸入経路を長くすることができる。また、図５に示すように、第２の内部電極層３２において、引出電極部３２２の幅Ｗ１が対向電極部３２１の幅Ｗ０よりも小さいので、積層体１０の第２の端面ＬＳ２において、積層体１０の第１の側面ＷＳ１および第２のＷＳ２から第２の内部電極層３２までの距離が長い。これにより、第２の外部電極４２と積層体１０の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２との間から浸入して積層体１０の第２の端面ＬＳ２の第２の内部電極層３２に至る水分の浸入経路を長くすることができる。そのため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上することができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２がＭｇを副成分として含み、Ｍｇの含有量がＴｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下である。これにより、第１のサイドマージン部Ｗ１１のセラミックグレインの粒成長を抑制することができ、積層体１０の第１の側面ＷＳ１から第１のサイドマージン部Ｗ１１に浸入して内部電極層３０に至る水分の浸入を抑制することができる。また、第２のサイドマージン部Ｗ１２のセラミックグレインの粒成長を抑制することができ、積層体１０の第２の側面ＷＳ２から第２のサイドマージン部Ｗ１２に浸入して内部電極層３０に至る水分の浸入を抑制することができる。そのため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性を向上することができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２がＳｉを副成分として含んでいてもよく、Ｓｉの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して１．０モル％以上２．８モル％以下であるとこのましい。これにより、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２のセラミックの焼結性を高めることができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性（寿命）を向上することができる。特に、積層セラミックコンデンサ１の高温信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１および第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇが偏析し、Ｍｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下である。これにより、第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１および第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１における電界集中を抑制することができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性（寿命）を向上することができる。特に、積層セラミックコンデンサ１の高温信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２および第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ２に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＭｇ、または誘電体層２０に由来するＭｇが偏析していてもよく、Ｍｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．０７モル％以上０．３２モル％以下であると好ましい。
また、端部Ｅ２のうち、引出電極部３１２の第１の端面ＬＳ１における端部Ｅ３および引出電極部３２２の第２の端面ＬＳ２におけるの端部Ｅ３におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．００モル％以上０．２８モル％以下であると好ましい。
これにより、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２およびＥ３、および、第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ２およびＥ３における電界集中を抑制することができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性（寿命）を向上することができる。特に、積層セラミックコンデンサ１の高温信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１および第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＳｉが偏析していてもよい。また、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２およびＥ３、および、第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ２およびＥ３に、第１のサイドマージン部Ｗ１１または第２のサイドマージン部Ｗ１２に由来するＳｉ、または誘電体層２０に由来するＳｉが偏析していてもよい。
これにより、第１の内部電極層３１の対向電極部３１１の端部Ｅ１、第２の内部電極層３２の対向電極部３２１の端部Ｅ１、第１の内部電極層３１の引出電極部３１２の端部Ｅ２およびＥ３、および、第２の内部電極層３２の引出電極部３２２の端部Ｅ２およびＥ３における電界集中を抑制することができ、積層セラミックコンデンサ１の信頼性（寿命）を向上することができる。特に、積層セラミックコンデンサ１の高温信頼性を向上することができる。
また、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１のサイドマージン部Ｗ１１および第２のサイドマージン部Ｗ１２が希土類元素Ｄｙを副成分として含んでいてもよく、希土類元素Ｄｙの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．８モル％以上２．０モル％以下であるとこのましい。希土類元素Ｄｙの含有量が０．８モル％未満であると、酸素空孔の移動を抑制する効果が低いため、積層セラミックコンデンサ１の信頼性（寿命）が低下する。希土類元素Ｄｙの含有量が２．０モル％を超えると、セラミックスの緻密性不足のため、積層セラミックコンデンサ１の耐湿性が低下する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
図１～図５に示す本実施形態の積層セラミックコンデンサを実施例１～８として作製するとともに、比較例１および２の積層セラミックコンデンサを作製した。実施例１～８および比較例１および２の積層セラミックコンデンサの主な構成は以下の通りである。
・積層セラミックコンデンサ：０６０３サイズ（Ｌ＝０．６ｍｍ、Ｗ＝０．３ｍｍ、Ｔ＝０．３ｍｍ）
・誘電体層２０：主成分Ｂａ、Ｔｉ、副成分Ｍｇ、Ｓｉ、希土類元素Ｄｙ、厚さ０．４０μｍ、枚数１００枚
・内部電極層３０の主成分Ｎｉ、厚さ０．３０μｍ、枚数１０枚
・引出電極部３１２および３２２：長さＬ方向の長さ２５μｍ
・サイドマージン部Ｗ１１およびＷ１２：主成分Ｂａ、Ｔｉ、副成分Ｍｇ、Ｓｉ、希土類元素Ｄｙ、厚さ１８μｍ
また、実施例１～８および比較例１および２の積層セラミックコンデンサのサイドマージン部Ｗ１１およびＷ１２のＴｉ１００モルに対する副成分ＭｇおよびＳｉの含有量モル％、内部電極層３０の幅方向Ｗの端部Ｅ１、Ｅ２およびＥ３のＮｉ１００モルに対するＭｇの含有量モル％は表１の通りである。
各含有量の測定方法は、上述した一例の通りである。すなわち、サイドマージン部Ｗ１１およびＷ１２におけるＭｇおよびＳｉの含有量の測定では、研磨により露出させた積層体の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察した。測定機器は、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とを用いた。各値は、積層方向における５個所の測定値の平均値である。
内部電極層３０の対向電極部の端部Ｅ１におけるＭｇの含有量の測定では、研磨により露出させた積層体の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察した。また、内部電極層３０の引出電極部の端部Ｅ２におけるＭｇの含有量の測定では、研磨により露出させた引出電極部の長さ方向中央近傍のＷＴ断面を観察した。また、内部電極層３０の引出電極部の端部Ｅ３におけるＭｇの含有量の測定方法としては、研磨により露出させた積層体の端面を観察した。これらの測定機器は、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）またはエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）とを用いた。各値は、積層方向の５個所の測定値の平均値である。
（評価）
実施例および比較例の積層セラミックコンデンサの信頼性試験として、ＨＡＬＴ（Highly Accelerated Limit Test）を行った。
ＨＡＬＴとは、仕様を超える温度および振動等のストレスを試験対象物に加え、稼動限界および／または破壊限界、換言すれば仕様に対する稼動マージンおよび／または破壊マージンを明らかにする試験、いわゆる加速試験および／または破壊試験、である。ＨＡＬＴにより、仕様に対するマージン、すなわち信頼性を、短期間に試験することができる。
ＨＡＬＴの条件は、以下の２通りである。
・耐湿信頼性：温度８５℃、湿度８５％ＲＨ、電圧６．３Ｖ
・高温信頼性（寿命）：温度８５℃、電圧６．３Ｖ、１０００時間
これらの耐湿信頼性および高温信頼性（寿命）のＨＡＬＴの評価結果として、サンプル１００個における故障個数を表１に示す。故障の判定値としては、端子間絶縁抵抗１００ｋΩ以下とした。
また、これらのＨＡＬＴの総合判定として、３段階判定を表１に示す。３段階判定では、故障数０である場合に◎、故障数３個未満である場合に〇、故障数３個以上である場合に×とした。
Figure 2023119110000002
表１によれば、サイドマージン部Ｗ１１およびＷ１２のＭｇ含有量が、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％であると、耐湿信頼性が高いことがわかる。また、サイドマージン部Ｗ１１およびＷ１２のＳｉ含有量が、Ｔｉ１００モルに対して１．０モル％以上２．８モル％以下であると、高温信頼性が高いことがわかる。
また、内部電極層３０の対向電極部の端部Ｅ１のＭｇ含有量が、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下であると、或いは内部電極層３０の引出電極部の端部Ｅ２のＭｇ含有量が、Ｎｉ１００モルに対して０．０７モル％以上０．３２モル％以下であると、或いは内部電極層３０の引出電極部の端面の端部Ｅ３のＭｇ含有量が、Ｎｉ１００モルに対して０．００モル％以上０．２８モル％以下であると、高温信頼性が高いことがわかる。
１ 積層セラミックコンデンサ
１０ 積層体
２０ 誘電体層
３０ 内部電極層
３１ 第１の内部電極層
３１１ 第１の対向電極部
３１２ 第１の引出電極部
３２ 第２の内部電極層
３２１ 第２の対向電極部
３２２ 第２の引出電極部
４０ 外部電極
４１ 第１の外部電極
４１５ 第１の下地電極層
４１６ 第１のめっき層
４２ 第２の外部電極
４２５ 第２の下地電極層
４２６ 第２のめっき層
１００ 内層部
１０１ 第１の外層部
１０２ 第２の外層部
Ｌ１０ 電極対向部
Ｌ１１ 第１のエンドマージン部
Ｌ１２ 第２のエンドマージン部
Ｗ１０ 電極対向部
Ｗ１１ 第１のサイドマージン部（第１の側面側外層部）
Ｗ１２ 第２のサイドマージン部（第２の側面側外層部）
Ｌ 長さ方向
Ｔ 積層方向
Ｗ 幅方向
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３ 端部

Claims (8)

  1. セラミック材料からなる複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層された積層体であって、積層方向に相対する２つの主面と、前記積層方向に交差する幅方向に相対する２つの側面と、前記積層方向および前記幅方向に交差する長さ方向に相対する２つの端面とを有した積層体と、
    前記積層体の前記２つの端面の各々に配置された２つの外部電極と、
    を備え、
    前記積層体は、前記幅方向において、前記複数の誘電体層と前記複数の内部電極層とを挟み込むように配置され、セラミック材料からなる誘電体でそれぞれ構成された２つのサイドマージン部を含み、
    前記複数の内部電極層の各々は、前記長さ方向において、前記積層方向に隣り合う内部電極層同士で対向する対向電極部と、前記対向電極部から前記端面に向けて延在する引出電極部とを含み、
    前記複数の内部電極層の前記対向電極部における前記幅方向の端部は、前記幅方向において５μｍの範囲内に位置するように揃っており、
    前記引出電極部の前記幅方向の幅は、前記対向電極部の前記幅方向の幅よりも小さく、
    前記２つのサイドマージン部の各々は、ＢａおよびＴｉを主成分として含み、Ｍｇを副成分として含み、
    前記２つのサイドマージン部の各々におけるＭｇの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．２モル％以上２．０モル％以下であり、
    前記複数の内部電極層の各々は、Ｎｉを主成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記対向電極部の前記幅方向の端部は、Ｍｇを副成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記対向電極部の前記幅方向の端部におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．１３モル％以上０．３９モル％以下である、
    積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記２つのサイドマージン部の各々は、Ｓｉを副成分として含み、
    前記２つのサイドマージン部の各々におけるＳｉの含有量は、Ｔｉ１００モルに対して１．０モル％以上２．８モル％以下である、
    請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記幅方向の端部は、Ｍｇを副成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記幅方向の端部におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．０７モル％以上０．３２モル％以下である、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記端面における前記幅方向の端部は、Ｍｇを副成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記端面における前記幅方向の端部におけるＭｇの含有量は、Ｎｉ１００モルに対して０．００モル％以上０．２８モル％以下である、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記幅方向の端部は、Ｍｇを副成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記幅方向の端部におけるＭｇの含有量は、前記長さ方向において、前記対向電極部から前記端面に向けて次第に減少する、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  6. 前記複数の内部電極層の各々における前記対向電極部の前記幅方向の端部は、Ｓｉを副成分として含み、
    前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記幅方向の端部は、Ｓｉを副成分として含む、
    請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  7. 前記２つのサイドマージン部の各々は、希土類元素を副成分として含み、
    前記２つのサイドマージン部の各々における希土類元素の含有量は、Ｔｉ１００モルに対して０．８モル％以上２．０モル％以下である、
    請求項１～６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  8. 前記複数の内部電極層の各々における前記引出電極部の前記長さ方向の長さは、２０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１～７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
JP2022021772A 2022-02-16 2022-02-16 積層セラミックコンデンサ Pending JP2023119110A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022021772A JP2023119110A (ja) 2022-02-16 2022-02-16 積層セラミックコンデンサ
CN202310136113.3A CN116612987A (zh) 2022-02-16 2023-02-13 层叠陶瓷电容器
US18/109,309 US20230317374A1 (en) 2022-02-16 2023-02-14 Multilayer ceramic capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022021772A JP2023119110A (ja) 2022-02-16 2022-02-16 積層セラミックコンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023119110A true JP2023119110A (ja) 2023-08-28

Family

ID=87677024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022021772A Pending JP2023119110A (ja) 2022-02-16 2022-02-16 積層セラミックコンデンサ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230317374A1 (ja)
JP (1) JP2023119110A (ja)
CN (1) CN116612987A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116612987A (zh) 2023-08-18
US20230317374A1 (en) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7081543B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US10170243B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
US11862402B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
JP2019192862A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102398178B1 (ko) 적층 세라믹 콘덴서
KR20210054453A (ko) 적층 세라믹 콘덴서
KR102527062B1 (ko) 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
WO2023127643A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2023119110A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP7322781B2 (ja) 積層セラミック電子部品
JP2023019368A (ja) 積層セラミックコンデンサ
WO2022210642A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US20240013980A1 (en) Multilayer ceramic capacitor
WO2024024451A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US20230215652A1 (en) Multilayer electronic component
JP7171796B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
WO2023189749A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
WO2023233836A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
WO2024062684A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US11984265B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
CN218351295U (zh) 层叠陶瓷电容器
CN217544377U (zh) 层叠陶瓷电容器
US20230215654A1 (en) Multilayer electronic component
WO2023233837A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP6933011B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230919

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240319