CN111373248A

CN111373248A - 电极膜及电化学测定系统

Info

Publication number: CN111373248A
Application number: CN201880075217.5A
Authority: CN
Inventors: 拜师基希; 竹本光伸; 武田健太郎; 大须贺皓也
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2017-12-11
Filing date: 2018-12-11
Publication date: 2020-07-03
Also published as: JP7337498B2; EP3726207A4; TW201928344A; US20210172897A1; EP3726207A1; JP2019105637A

Abstract

电极膜具备：挠性基材；和功能层，其配置于挠性基材的厚度方向一侧；和导电性碳层，其配置于功能层的厚度方向一侧，并且具有sp²键及sp³键。

Description

电极膜及电化学测定系统

技术领域

本发明涉及电极膜及电化学测定系统。

背景技术

以往，已知有利用电化学反应来对溶液中的微量的离子、残留物质进行定性分析或定量分析的电化学测定法。电化学测定法可举出测定容器中的电位差的方法、测定电流的方法等。

对于电化学测定法中使用的电化学测定系统而言，作为电极，通常至少具备工作电极及参比电极，利用工作电极对测定对象进行检测。作为该工作电极，使用铂、金、玻璃碳、掺硼金刚石等。但是，铂等贵金属是稀少的，玻璃碳的成膜性差，难以作为电极使用，另外，掺硼金刚石必须在非常高的温度下制造。

因此，近年来，作为工作电极，正在研究由包含sp²键及sp³键的微晶畴构成的碳电极(参照专利文献1。)。

专利文献1的碳电极由于能够在较低的温度下容易地制膜，因此不需要高温处理所需的生产设备。另外，由于电位窗宽，因此能够对多种物质进行检测。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-90875号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1的碳电极通过分批式等制造方法在硅基板等硬质基板上成膜。因此，生产性差。

因此，为了提高生产性，研究了采用辊对辊(roll-to-roll)法。此时，使用高分子膜等挠性基材。但是，若在挠性基材上将碳电极成膜，则会产生碳电极的电阻值显著提高的不良情况。即，碳电极的导电性(低电阻)等作为电极所需的特性受损。

本发明目的在于提供生产性优异、电极特性良好的电极膜及电化学测定系统。

用于解决问题的方案

本发明[1]包含电极膜，其具备：挠性基材；和功能层，其配置于前述挠性基材的厚度方向一侧；和导电性碳层，其配置于前述功能层的厚度方向一侧，并且具有sp²键及sp³键。

本发明[2]包含[1]所述的电极膜，其中，前述功能层为阻气层。

本发明[3]包含[1]或[2]所述的电极膜，其中，前述功能层为金属层。

本发明[4]包含[1]～[3]中任一项所述的电极膜，其中，前述功能层的厚度为5nm以上。

本发明[5]包含[1]～[4]中任一项所述的电极膜，其中，在前述功能层内的厚度方向一面形成的氧化膜的厚度小于3nm。

本发明[6]包含[1]～[5]中任一项所述的电极膜，其中，前述挠性基材为高分子膜。

本发明[7]包含[1]～[6]中任一项所述的电极膜，其为电化学测定用的电极。

本发明[8]包含电化学测定系统，其具备[7]所述的电极膜。

发明的效果

根据本发明的电极膜，由于使用挠性基材作为基材，因此能够通过辊对辊工序来制造。因此，生产性优异。另外，由于在挠性基材与导电性碳层之间具备功能层，因此能够抑制挠性基材在导电性碳层的成膜时带来的不良影响。因此，能够使导电性等电极特性良好。

本发明的电化学测定系统具备电极特性优异的电极膜，因此能够精度良好地实施电化学测定。

附图说明

[图1]图1示出本发明的电极膜的一实施方式的截面图。

具体实施方式

参照图1对本发明的电极膜的一实施方式进行说明。在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向，第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向一侧，第1方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧，第1方向另一侧)。另外，纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言，依据各图的方向箭头。

1.电极膜

电极膜1具备具有规定厚度的膜形状(包含片形状)，具有沿与厚度方向正交的规定方向(面方向)延伸、平坦的上表面(厚度方向一面)及平坦的下表面(厚度方向另一面)。

具体而言，如图1所示，电极膜1具备：挠性基材2、和配置于挠性基材2的上侧(厚度方向一侧)的功能层3、和配置于功能层3的上侧的导电性碳层4。即，电极膜1依次具备挠性基材2、和功能层3、和导电性碳层4。优选电极膜1由挠性基材2、功能层3及导电性碳层4形成。以下，对各层进行详细叙述。

2.挠性基材

挠性基材2为具有挠性、用于支撑功能层3及导电性碳层4的基材。挠性基材2为电极膜1的最下层，具有膜形状。挠性基材2以与功能层3的下表面接触的方式配置于功能层3的下表面整面。

作为挠性基材2，例如，可举出高分子膜、薄型玻璃膜等。作为高分子膜的材料，例如，可举出聚酯树脂(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、乙酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂(例如，聚环烯烃聚合物)、(甲基)丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚芳酯树脂、聚苯硫醚树脂等。优选可举出聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂，更优选可举出聚酯树脂。

作为挠性基材2，从耐热性、机械强度、挠性等观点出发，优选可举出聚酯膜、薄型玻璃膜，更优选可举出聚酯膜，进一步优选可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等。

挠性基材的厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外，例如为200μm以下，优选为120μm以下，更优选为100μm以下。

3.功能层

功能层3为抑制挠性基材2给导电性碳层4带来的不良影响的层。功能层3具有膜形状。功能层3以与挠性基材2的上表面接触的方式配置于挠性基材2的上表面整面。更具体而言，功能层3以与挠性基材2的上表面及导电性碳层4的下表面接触的方式配置于挠性基材2与导电性碳层4之间。

作为功能层3，例如可举出阻气层、导电层、密合层、表面平滑层等。

阻气层为阻断水、有机气体的透过的层。功能层3为阻气层的情况下，在导电性碳层4的形成时，功能层3能够抑制由挠性基材2放出的杂质气体(水、有机气体等)进入到导电性碳层4中。因此，能减少导电性碳层4的杂质含量，能够抑制导电性碳层4本来的特性的降低。

导电层为具有导电性的层。功能层3为导电层的情况下，会辅助导电性碳层4的导电性，因此能够提高电极膜1(导电性碳层4表面)的导电性。导电层的表面电阻值例如为10kΩ/□以下。表面电阻值可以依据JIS K 7194通过4端子法来测定。

密合层为提高导电性碳层4与挠性基材2的密合性的层。功能层3为密合层的情况下，能够抑制导电性碳层4的剥离·脱落，能够提高电极膜1的耐久性。

表面平滑层为使挠性基材2的上表面平滑的层。功能层3为表面平滑层的情况下，能够使导电性碳层4的表面(上表面及下表面)平滑，因此能够抑制由导电性碳层4的凹凸引起的噪音。

作为功能层3，优选至少为阻气层，更优选为兼任阻气层和导电层的层。

具体而言，作为功能层3，例如，可举出无机物层、有机物层。作为阻气层，优选可举出无机物层。阻气层可以为将有机物层和无机物层交替层叠多个的层。作为导电层，优选可举出导电性的无机物层。作为密合层，优选可举出无机物层、含有硅烷偶联剂的有机物层。作为表面平滑层，优选可举出薄膜的无机物层或有机物层。

作为无机物层，例如可举出金属层、无机物化合物层等。

金属层例如由钛、铬、钨、铝、铜、银、硅、或它们的合金形成。金属层优选可举出钛层。

无机化合物层例如由NaF、Na₃AlF₆、LiF、MgF₂、CaF₂、BaF₂、BaF₂、SiO₂、LaF₃、CeF、Al₂O₃、或它们的混合物等形成。

作为无机物层，优选可举出金属层。功能层3为金属层的情况下，担任阻气层及导电层两者的作用。即，在导电性碳层4的形成时，金属层阻断由挠性基材2放出的杂质气体，从而能够抑制杂质气体进入导电性碳层4内，其结果，能够抑制导电性碳层4本来的特性(特别是导电性)的降低。另外，金属层作为导电层来辅助导电性碳层4的导电性。通过这些作用，能够显著地提高电极膜1的导电性。

功能层3为金属层的情况下，可以在其上表面具有、另外也可以不具有金属氧化层(氧化膜的一例)。优选不具有金属氧化层，或具有厚度小于3nm的金属氧化层。即，在功能层3内的上表面形成的金属氧化层的厚度优选小于3nm，更优选为1nm以下。最优选功能层3不具有金属氧化层。

由此，功能层3与导电性碳层4的密合性优异，能够抑制电极使用时的导电性碳层4的剥离。例如，在碳层形成时的真空度低的情况、挠性基材2含有水分等脱气成分的情况下，有时在金属层(功能层3)的上表面形成金属氧化层从而对导电性碳层4的密合性降低，但通过将金属氧化层的厚度设为上述范围，能够良好地维持密合性。

功能层3为无机物层的情况下，其厚度例如为2nm以上，优选为3nm以上，更优选为4nm以上，进一步优选为7nm以上，另外，例如为700nm以下，优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为30nm以下，尤其优选为20nm以下。通过将无机物层的厚度设为上述范围，由此能够提高阻气性、密合性。

有机物层例如由丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷树脂、有机硅烷缩合物等树脂组合物形成。有机物层除了含有上述材料以外，还可以含有无机粒子及有机粒子等粒子。

功能层3为有机物层的情况下，其厚度例如为15nm以上，优选为20nm以上，另外，例如为1500nm以下，优选为1000nm以下，更优选为800nm以下。通过将有机物层的厚度设为上述范围，由此能够更可靠地使电极膜1的上表面平滑。

功能层3的上表面(厚度方向一面)的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)例如为5.0nm以下，优选为3.0nm以下，更优选为2.0nm以下，另外，例如为0.1nm以上。通过将功能层3的上表面的表面粗糙度设为上述上限以下，由此能够降低电极膜1的表面粗糙度，其结果，使用电极膜1作为电化学测定用的电极的情况下，能够抑制噪音。

对于表面粗糙度而言，可以使用扫描型探针显微镜(Digetal Instruments公司制，“Nanoscope IV”)在功能层3的上表面对500nm见方的范围进行观察，由此来测定。

需要说明的是，功能层3可以由无机物层或有机物层的单层构成，也可以由无机物层的多层或有机物层的多层构成，另外，也可以为包含无机物层及有机物层的混合的多层。

4.导电性碳层

导电性碳层4为具有电极特性(电位窗的宽度、导电性等)、担负作为电极的作用的层。

导电性碳层4由具有sp²键及sp³键的碳形成。即，导电性碳层4为具有石墨型结构及金刚石结构的层。由此，导电性碳层4拓宽电位窗，并且具备良好的导电性。另外，低温下的成膜性优异。

sp³相对于sp²的比率(sp³/sp²)例如为0.05以上，优选为0.10以上，另外，例如为2.00以下，优选为1.50以下。

上述比率可以通过如下方式来得到：使用X射线光电子能谱仪(ULVAC-PHI，INCORPORATED.制，“Quantum2000”)，测定导电性碳层4的键能(单位：eV，横轴)及强度(单位：CPS，纵轴)，在测定图中，算出sp³的峰高及sp²的峰高。对于测定条件，后面在实施例中叙述。

导电性碳层4的厚度例如为1nm以上，优选为2nm以上，更优选为5nm以上，另外，例如为500nm以下，优选为100nm以下，更优选为50nm以下。

需要说明的是，导电性碳层4除了含有碳以外还可以含有其他添加剂。另外，导电性碳层可以由结构、组成、添加剂浓度等不同的多种层构成，另外，导电性碳层4也可以为结构、组成、添加剂浓度等阶梯式地(以梯度状)发生变化的构成。

5.电极膜的制造方法

电极膜1例如通过如下工序来制造：准备挠性基材2的工序、在挠性基材2上设置功能层3的工序、及在功能层3上设置导电性碳层4的工序。

首先，准备已知或市售的挠性基材2。

然后，根据需要，从挠性基材2与功能层3的密合性的观点出发，可以对挠性基材2的上表面实施例如溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子束照射、化学转化、氧化等基底处理。另外，也可以通过溶剂清洗、超声波清洗等对挠性基材2进行除尘、洁净化。

接着，在挠性基材2的上表面设置功能层3。

功能层3为无机物层的情况下，优选通过干式方法在挠性基材2的上表面形成作为无机物层的功能层3。

作为干式方法，例如可举出PVD法(物理蒸镀法)、CVD法(化学蒸镀法)，优选可举出PVD法。

作为PVD法，例如可举出溅射法、真空蒸镀法、激光蒸镀法、离子镀法(电弧蒸镀法等)等。优选可举出溅射法。通过采用该方法，能够形成薄膜的无机物层。

作为溅射法，可举出高功率脉冲溅射法、电子回旋加速器共振溅射法、非平衡磁控溅射法、RF溅射法、DC溅射法(DC磁控溅射法等)、DC脉冲溅射法、离子束溅射法等。从辊对辊生产中的成膜速率、膜厚均匀性的观点出发，优选可举出DC溅射法。

采用溅射法的情况下，作为靶材，可举出构成无机物层的上述无机物，优选可举出钛。

作为向溅射法的成膜腔中导入的溅射气体，例如，可举出Ar等非活性气体。另外，根据需要，可以组合使用氧气等反应性气体。组合使用反应性气体的情况下，反应性气体的流量比没有特别限定，相对于溅射气体及反应性气体的合计流量比而言，例如为0.1流量％以上且5流量％以下。

溅射法在真空下实施。具体而言，从溅射速率的降低抑制、放电稳定性等观点出发，溅射时的气压例如为1Pa以下，优选为0.7Pa以下。

成膜温度(基材温度)例如为200℃以下，优选为150℃以下，更优选为70℃以下，另外，例如为-40℃以上，优选为0℃以上，更优选为30℃以上。

另外，为了形成期望厚度的功能层3，可以适宜设定靶材、溅射的条件等来实施多次溅射。

功能层3为有机物层的情况下，优选通过湿式方法在挠性基材2的上表面形成作为有机物层的功能层3。

具体而言，将形成有机物层的树脂组合物以湿式方式涂覆于挠性基材2的上表面，由此在挠性基材2的上表面形成功能层3。

具体而言，例如制备将树脂组合物用溶剂进行稀释而成的稀释液(清漆)，接着，将稀释液涂布于挠性基材2的上表面，将稀释液干燥。

作为涂布方法，可以根据稀释液及挠性基材2来适宜选择，例如，可举出凹版涂布法、浸渍涂布法、气刀涂布法、帘式涂布法、辊涂布法、线棒涂布法、挤出涂布法等。

干燥温度例如为50℃以上，优选为70℃以上，例如为200℃以下，优选为100℃以下。干燥时间例如为0.5分钟以上，优选为1分钟以上，例如为60分钟以下，优选为20分钟以下。

然后，树脂组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下，在稀释液的干燥后照射活性能量射线，由此使活性能量射线固化性树脂固化。

由此，得到具备挠性基材2和配置于其上表面的功能层3的中间体。

接着，在功能层3的上表面设置导电性碳层4。优选通过干式方法在功能层3的上表面形成导电性碳层4。

作为干式方法，可举出上面在功能层3中叙述的方法。从能够减少导电性碳层4中所含的氢从而更可靠地将导电性碳层4成膜的观点出发，优选可举出溅射法。从能够容易地使sp³键及sp²键的比为期望范围的导电性碳成膜、并且能够提高成膜速率、进而可以采用辊对辊法的观点出发，更优选可举出高功率脉冲溅射法。

采用溅射法的情况下，作为靶材，可举出碳。需要说明的是，从膜质调整、工艺稳定的观点出发，靶材可以含有已知的添加剂。

作为向溅射法的成膜腔中导入的溅射气体，例如，可举出Ar、Xe等非活性气体。需要说明的是，在导电性碳层4的溅射时，不组合使用作为反应性气体的氧气等。

另外，为了形成期望厚度的导电性碳层4，可以适宜设定靶材、溅射的条件等来实施多次溅射法。

由此，得到电极膜1。

得到的电极膜1的总厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外，例如为200μm以下，优选为120μm以下，更优选为100μm以下。

电极膜1中的导电性碳层4(即，电极膜1的上表面)的表面粗糙度Ra例如为5.0nm以下，优选为2.0nm以下。通过将电极膜1的表面粗糙度设为上述上限以下，由此在用作电化学测定用的电极的情况下，能够抑制噪音。

电极膜1的上表面(导电性碳层4的表面)中的表面电阻值例如为1.0×10⁴Ω/□以下，优选为1.0×10³Ω/□以下，更优选为5.0×10²Ω/□以下。

表面电阻值可以依据JIS K7194通过4端子法来测定。

另外，在上述制造方法中，可以通过辊对辊方式，一边输送挠性基材2，一边在该挠性基材2上依次形成功能层3及导电性碳层4，另外，也可以通过分批方式(单片方式)形成这些层的一部分或全部。从生产性的观点出发，优选通过辊对辊方式，一边输送挠性基材2一边在该挠性基材2上形成各层。

6.电化学测定用电极膜及电化学测定系统

该电极膜1可以用作各种电极，优选可以用作实施电化学测定法的电化学测定用的电极(优选工作电极)。

将电极膜1用作电极的情况下，从调整导电性碳层4的露出面的观点出发，可以在电极膜1的上表面设置有绝缘层。另外，电极膜1整体或导电性碳层4及功能层3可以图案化为期望的形状。

作为绝缘层，可举出上面在挠性基材2中叙述的高分子膜等。

作为电化学测定法，可举出例如电位差测定法等电位差测定方法、例如电导率测定法、安培·伏安法、交流阻抗法等电流测定方法等。

本发明的电化学测定系统使用电极膜1作为工作电极。

具体而言，电位差测定方法中的电化学测定系统具备：电极膜1、和参比电极、和测定这些电极间的电动势的电位差计。另外，电流测定方法中的电化学测定系统具备：电极膜1、和参比电极、和对电极、和控制它们的电极电位的恒电位仪、和对在电极膜1及对电极间流动的电流进行测定的电流检测元件。

作为参比电极，例如可举出银/氯化银等，作为对电极，例如可举出铂、金、镍等。

7.作用效果

根据该电极膜1，由于使用了挠性基材2作为基材，因此可以通过辊对辊工序来制造。因此，生产性优异。另外，由于在挠性基材2与导电性碳层4之间具备功能层3，因此能够抑制挠性基材2在导电性碳层4的成膜时带来的不良影响。

具体而言，功能层3为阻气层的情况下，通过辊对辊工序在挠性基材2的上侧对导电性碳层4进行制膜时，能够利用阻气层来抑制由挠性基材2放出的杂质气体到达至导电性碳层4内。因此，能够抑制杂质侵入至具有sp²键及sp³键的导电性碳层4的内部，能够适宜地发挥导电性碳层4所具备的导电性、电位窗的宽度等电极特性。进而，相对于包含挠性基材2及功能层3的中间体的成膜性优异。

另外，功能层3为金属层的情况下，具备阻气性及导电性。因此，作为阻气层，能够抑制杂质侵入至导电性碳层4的内部，能够适宜地发挥导电性碳层4所具备的导电性、电位窗的宽度等电极特性。另外，作为导电层，能够补充或辅助导电性碳层4的导电性。由此，能够显著地使电极膜1的导电性(即，低的表面电阻值)良好。

另外，具备该电极膜1的电化学测定系统的生产性优异，能够适宜地发挥导电性、电位窗的宽度等电极特性。因此，能够提高被测定对象的检测精度，并且可以对多种物质进行测定。

8.变形例

电极膜1由挠性基材2、功能层3及导电性碳层4形成，但例如，虽然未图示，但还可以在挠性基材2与功能层3之间具备厚度为1～100nm的底涂层。由此，能够进一步提高与功能层3的密合性、或调整表面粗糙度。

实施例

以下示出实施例及比较例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受实施例及比较例的任何限定。另外，以下的记载中使用的配合比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述的“具体实施方式”中记载的与它们对应的配合比例(含有比例)、物性值、参数等相应记载的上限值(定义为“以下”、“小于”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。

实施例1

作为挠性基材，准备厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)。通过DC磁控溅射法，在非活性气体存在的环境下、在PET膜的上表面形成厚度为10nm的钛层(金属层)作为阻气层(功能层)。需要说明的是，作为靶材，使用钛，将基材温度设为40℃，将成膜时的真空度设为0.6Pa。

接着，通过高功率脉冲溅射法，在非活性气体存在的环境下、在钛层的上表面形成厚度为35nm的碳层。需要说明的是，作为靶材，使用碳，将基材温度设为40℃，将成膜时的真空度设为0.6Pa。

由此，制造依次具备挠性基材、功能层及导电性碳层的电极膜。

实施例2

将钛层的厚度设为15nm，除此以外，与实施例1同样地操作，制作电极膜。

实施例3

将钛层的厚度设为5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，制作电极膜。

实施例4

在实施例3中形成钛层后，从溅射装置中取出电极膜，在大气压下放置24小时，使钛层的上表面氧化，形成金属氧化层(氧化钛层)。接着，与实施例3同样地操作，形成碳层，制造电极膜。

比较例1

未形成钛层，除此以外，与实施例1同样地操作，制造电极膜。

比较例2

使用硅基板来代替PET膜，在与实施例1同样的条件下在该硅基板的上表面形成碳层，由此制造电极基板。

(1)厚度的测定

使用各实施例及各实施例的电极膜及电极基板，通过FIB微采样法制作TEM用截面试样，使用场发射透射电子显微镜(FE-TEM，JOEL公司制，“JEM-2800”)观察截面并测定各层的厚度。

另外，使用能量色散型X射线分析装置(EDX，Thermo Fisher Scientific公司制，“NORAN system 7”)实施元素分析，将观测到相应金属和检测限以上的氧的层作为金属氧化层，将检测到相应金属且氧为检测限以下的层作为金属层。将结果示于表1。

(2)sp³、sp²的测定

各实施例及各实施例中，使用X射线光电子能谱仪(ESCA)，对各导电性碳层的表面照射X射线，由此测定键能(单位：eV，横轴)及强度(单位：CPS，纵轴)，基于这些而作成图。

装置：ULVAC-PHI，INCORPORATED.制，“Quantum2000”

X射线源：单色化A1Kα

X射线设定：200μmφ[15kV、30W]

光电子取出角：相对于试样表面为45°

电荷中和条件：电子中和枪和Ar离子枪(中和模式)的组合使用

键能：将源自C-C键的峰设定为285.0eV

在各实施例及各比较例的导电性碳层的图中均确认到sp³的峰及sp²的峰，因此可知具有sp²键及sp³键两者。

(3)表面电阻值的测定

各实施例及各比较例中，依据JIS K 7194，通过4端子法对导电性碳层侧的表面(上表面)进行测定。将结果示于表1。

(4)密合性的评价

对于各实施例及各比较例，依据JIS K 5400，实施棋盘格剥离试验(各格子1mm□、合计100个格子)，以下述的基准评价密合性。将结果示于表1。

将剥离为0个格子的情况评价为○。

将剥离为1个格子以上且10个格子以下的情况评价为Δ。

将剥离为11个格子以上的情况评价为×。

[表1]

需要说明的是，上述发明是作为本发明的例示的实施方式而提供的，但其仅仅不过为例示，并不作限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在所附权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的电极膜可以应用于各种工业制品，例如可以用作电化学测定系统用电极等各种电极。

附图标记说明

1 电极膜

2 挠性基材

3 功能层

4 导电性碳层

Claims

1.电极膜，其特征在于，具备：

挠性基材；和

功能层，其配置于所述挠性基材的厚度方向一侧；和

导电性碳层，其配置于所述功能层的厚度方向一侧，并且具有sp²键及sp³键。

2.如权利要求1所述的电极膜，其特征在于，所述功能层为阻气层。

3.如权利要求1或2所述的电极膜，其特征在于，所述功能层为金属层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电极膜，其特征在于，所述功能层的厚度为5nm以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电极膜，其特征在于，在所述功能层内的厚度方向一面形成的氧化膜的厚度小于3nm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电极膜，其特征在于，所述挠性基材为高分子膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的电极膜，其特征在于，其为电化学测定用的电极。

8.电化学测定系统，其特征在于，具备权利要求7所述的电极膜。