CN110640249A - 回流焊炉以及焊接处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种实现电路基板的助焊剂附着不良的降低和电子部件的热裂不良的降低的双方的回流焊炉。一种回流焊炉，具备：加热区域，对载置有电子部件的电路基板进行加热；以及冷却区域，对被加热了的所述电路基板进行冷却，其中，所述回流焊炉具备：遮挡板，配置在加热区域与冷却区域之间，且具有通过所述电路基板的开口部；以及隧道状罩，与所述开口部物理连接，并在所述电路基板的搬运方向上延伸。

Description

回流焊炉以及焊接处理方法

技术领域

本公开涉及实施焊接处理的回流焊炉以及焊接处理方法。

背景技术

将电子部件安装到电路基板的工序包括：在电路基板的预先确定的部位涂敷焊膏，并在其上载置电子部件的工序；以及通过使载置了该电子部件的电路基板的焊膏熔融、固化而进行电连接的工序。

后者的工序是焊接处理工序，一般使用回流焊炉来进行。回流焊炉通过如下方式来进行焊接处理，即，通过传送装置来搬运电路基板，并使其按照预先确定的温度曲线按预热区域、加热区域、冷却区域的顺序通过。

在进行使用了回流焊炉的焊接处理时，作为成为问题的不良之一，可举出助焊剂附着不良。

在加热区域中，涂敷在电路基板的焊膏的助焊剂成分暴露于高温而挥发，成为助焊剂粒子而在回流焊炉内蒸腾。此时，包含助焊剂粒子的环境气体从加热区域移动到冷却区域，由此助焊剂粒子被冷却，在到达冷却区域处，助焊剂粒子结露。特别是，若大量附着于冷却区域的炉内壁面、顶板表面，则沉积的助焊剂会落到搬运过程中的电路基板上而污染电路基板，成为助焊剂附着不良。

因此，提出了用于解决由这些来源于助焊剂成分的固体物质、粘着物的附着造成的问题的回流焊炉。例如，在专利文献1的回流焊炉中，在加热区域与冷却区域之间设置有对电路基板吹送冷却用气体的吹出部。通过从吹出部吹出的冷却用气体来阻止助焊剂粒子从加热区域移动到冷却区域。由此，能够降低附着到冷却区域的炉内壁面、顶板表面的助焊剂量，能够降低助焊剂附着不良。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-69290

然而，近年来，在安装到电路基板的电子部件之中，图像传感器、显示器件、发光器件等弱耐热部件逐渐增加。在将这样的弱耐热部件安装到电路基板的情况下，若基于至今为止的温度曲线在冷却区域对电路基板进行骤冷，则因为电子部件对热的变化脆弱，所以电子部件自身因热变形而产生破裂。这样的热裂不良在逐渐增加。

在像专利文献1那样设为在加热区域与冷却区域之间设置吹出部而对电路基板吹送冷却用气体的构造的情况下，会使电路基板在加热区域与冷却区域之间骤冷，即使能够降低助焊剂附着不良，也会反而使热裂不良增加。

像这样，在所述以往的结构中，虽然能够降低助焊剂附着不良，但是不能降低热裂不良，若冷却用气体的流量过多，或温度过低，则反而有热裂不良增加这样的课题。

发明内容

发明要解决的课题

因此，本公开用于解决所述以往的课题，其目的在于，提供一种实现电路基板的助焊剂附着不良的降低和电子部件的热裂不良的降低的双方的回流焊炉以及焊接处理方法。

用于解决课题的技术方案

为了达到所述目的，本公开的方式涉及的回流焊炉具备：加热区域，对载置有电子部件的电路基板进行加热；以及冷却区域，对被加热了的所述电路基板进行冷却，所述回流焊炉具备：遮挡板，配置在加热区域与冷却区域之间，且具有通过所述电路基板的开口部；以及隧道状罩，与所述开口部连接，并在所述电路基板的搬运方向上延伸。

此外，为了达到所述目的，本公开的方式涉及的焊接处理方法具备：加热工序，在加热区域中对载置有电子部件的电路基板进行加热；以及冷却工序，在冷却区域中对被加热了的电路基板进行冷却，所述加热区域和所述冷却区域被具有开口部的遮挡板在空间上隔开，使被加热了的所述电路基板在与所述开口部物理连接的隧道状罩内通过，并从所述加热区域向所述冷却区域进行搬运。

发明效果

像这样，根据本公开的结构，能够提供一种实现电路基板的助焊剂附着不良的降低和电子部件的热裂不良的降低的双方的回流焊炉以及焊接处理方法。

附图说明

图1是实施方式1中的回流焊炉的长边方向纵向剖视图。

图2是图1的A-A线处的回流焊炉的宽度方向纵向剖视图。

图3是图1的隧道状罩周边的部分放大纵向剖视图。

图4是未使用实施方式1的结构的情况下的回流焊炉的部分放大纵向剖视图。

图5是示出实施方式1中的回流焊炉的温度曲线的曲线图。

图6是示出示出实施方式1中的焊接处理的流程的流程图。

图7是实施方式2中的回流焊炉的长边方向纵向剖视图。

图8是图7的隧道状罩周边的部分放大纵向剖视图。

图9是示出实施方式2中的回流焊炉的温度曲线的曲线图。

图10是示出回收助焊剂的流程的流程图。

图11是实施方式3中的回流焊炉的长边方向纵向剖视图。

图12是现有技术的回流焊炉的长边方向纵向剖视图。

图13是说明现有技术的回流焊炉的温度曲线的曲线图。

附图标记说明

1：传送装置，2：电子部件，3：电路基板，4：预热区域，5：加热区域，6：冷却区域，7：顶板，8：下表面板，10：遮挡板，11：开口部，12：隧道状罩，13：助焊剂回收装置，14：吸气口，15：排出口，16：吸引导管，17：排出导管，18：集尘箱，19：风扇，20：针电极，21：接地侧电极，22：第二遮挡板，31：搬入口，33：加热器，35：冷却器，51：传送装置，52：电子部件，53：电路基板，54：预热区域，55：加热区域，56：冷却区域，57：顶板，58：下表面板，59：吹出部，61：加热器，63：冷却器，Rf1、Rf2、Rf3、Rf11：回流焊炉，Pf1、Pf2、Pf3：温度曲线。

具体实施方式

首先，参照图12、图13对以往的回流焊炉以及焊接处理方法的问题进行更详细的说明。图12是专利文献1记载的回流焊炉Rf11，是用与电路基板的搬运方向平行的面切断的剖视图。回流焊炉Rf11从电路基板搬入口起通过传送装置51对载置了电子部件52的电路基板53进行搬运，电路基板53在通过预热区域54、加热区域55、冷却区域56的过程中进行焊接处理。

图13是示出一般的电路基板的温度曲线Pf3的曲线图。在预热区域54的搬运区间Z1中，电路基板53的温度为T1～T2的范围的通过时间为(t2-t1)，在加热区域55的搬运区间Z2中，电路基板53的温度成为T3以上的通过时间设定为(t6-t3)，且成为T4以上的通过时间设定为(t5-t4)。在冷却区域56的搬运区间Z3中，温度曲线Pf3根据焊膏的种类、电子基板的种类等进行确定，使得冷却速度为每单位时间ΔT，如果这些条件齐备，则能够以高品质进行焊接处理。

为了应对热裂不良，必须减小冷却区域56的冷却速度，也就是说，必须慢慢地进行渐冷。但是，若减小冷却区域56的冷却速度，则包含助焊剂粒子的环境气体从加热区域55到冷却区域56的移动量增加。而且，附着于冷却区域56的炉内壁面、顶板表面的助焊剂量增加，产生助焊剂附着不良增加这样的弊端。

在专利文献1的发明中，在加热区域55、冷却区域56之间设置吹出部59，对电路基板53吹送冷却用气体。吹出部59在管的侧面设置多个小孔而构成。通过这样的构造，可得到冷却用气体阻止在加热区域55中产生的助焊剂粒子从加热区域55向冷却区域56移动的效果。通过该效果，能够降低附着到冷却区域56的炉内壁面、顶板57的表面的助焊剂量，能够降低助焊剂附着不良。

此外，还存在如下情况，即，不是从吹出部59对电路基板53吹送冷却用气体，而是吹送高温的气体。即使在该情况下，在电路基板53通过了吹送高温的气体的传送装置51的区域之后也一样会在冷却区域56中被骤冷，因此对于热裂不良，通过专利文献1的发明并不能解决。

(实施方式1)

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，本公开并不限定于以下的实施方式。此外，能够在不脱离达到本公开的效果的范围的范围内适当地进行变更。进而，也能够与其它实施方式进行组合。另外，在各图中，X轴方向示出回流焊炉Rf1的长边方向，Y轴方向示出回流焊炉Rf1的宽度方向，Z轴方向示出回流焊炉Rf1的高度方向。

图1示出本公开的实施方式1中的回流焊炉Rf1，是用与电路基板3的搬运方向平行的剖面切割了回流焊炉的剖视图。图2是从箭头的方向对在图1图示的A-A的部位进行观察的剖视图。

回流焊炉Rf1通过传送装置1从搬入口31起在长边方向(X方向)上对载置有电子部件2的电路基板3进行搬运。电子部件2和电路基板3在通过分别设置在回流焊炉Rf1的预热区域4、加热区域5、冷却区域6的过程中进行焊接处理。

预热区域4是主要使焊膏内的成分中的溶剂挥发的工序，炉内的环境气体的温度为大致150℃～200℃。加热区域5在主要使焊膏内的成分中的助焊剂成分挥发并且使焊料粉末熔融的工序，炉内的环境气体的温度为大致200℃～250℃。冷却区域6是使焊料固化以及使电路基板3自身冷却的工序，电路基板3以大致6℃/s的比例被冷却。

像这样，将周密地确定了用于使用回流焊炉Rf1进行电路基板3的焊接处理的加热时间、最高温度维持时间、冷却速度等的曲线称为电路基板3的温度曲线。根据使用的焊膏的种类、安装的电子部件2、电路基板3的面积等独立地确定温度曲线。回流焊炉Rf1基于温度曲线进行焊接处理。

而且，为使达到该温度曲线，在预热区域4以及加热区域5中，成为如下的构造，即，在回流焊炉Rf1的上部以及下部设置有多个加热器33，进行了温度控制的热风从顶板7、下表面板8喷出。此外，在冷却区域6中，成为如下构造，即，设置有冷却器35或风扇，冷风或常温风从顶板7、下表面板8喷出。传送装置1构成为网状，并构成为炉内的环境气体在上下方向上通过传送装置1。

本公开的实施方式1中的回流焊炉Rf1设置有将加热区域5和冷却区域6在空间上隔开且具有通过电路基板3的开口部11的遮挡板10。该遮挡板10配置在加热区域5与冷却区域6之间。遮挡板10在上下方向上延伸至通过电路基板3的搬运通路的上部的顶板7以及下部的下表面板8，在左右方向上延伸至回流焊炉Rf1的侧面部，在空间上将加热区域5和冷却区域6隔开。在该情况下，是只有开口部11能够从加热区域5向冷却区域6移动的路径。

此外，在金属制的遮挡板10中，在中央部设置有开口部11。传送装置1在开口部11内通过，因此载置有电子部件2的电路基板3能够在遮挡板10内通过。进而，在开口部11连接有向搬运方向(X方向)正方向以及反方向延伸的隧道状罩12。图示的隧道状罩12具有内部空洞的四棱柱状的形状。除了该形状以外，隧道状罩12例如可以是在与电路基板3的搬运方向垂直的剖面中由至少两个侧面和一个顶面构成的矩形的罩，或者电可以是圆状、圆弧状的罩。因此，隧道状罩12也可以是下方开放的形状。

根据这样的实施方式1的结构，可得到如下效果，即，在开口部11以外的部分，包含助焊剂粒子的环境气体从加热区域5向冷却区域6的移动被遮挡板10阻断。进而，在开口部11处通过电路基板3的面积变小，除此以外，气流通过时的气体传导率由于隧道状罩12而变小。由此，可得到阻止包含助焊剂粒子的炉内的环境气体从加热区域5向冷却区域6的侵入的效果。此时，开口部11和隧道状罩12的开口尺寸越小，使环境气体难以流动的效果越高，但是至少需要使载置了电子部件2的电路基板3能够通过的开口尺寸。

另外，在如下情况下，也可以省略炉内底面的下表面板8与隧道状罩12之间的遮挡板10的部分，该情况是，环境气体中的助焊剂粒子的浓度比较小，关于遮挡板10，由于传送装置1与炉内底面的下表面板8的距离短且载置有电子部件2的电路基板3的高度等的限制，在炉底面的下表面板8与隧道状罩12之间不能设置遮挡板10。

图3是本公开的实施方式1中的图1的加热区域5和冷却区域6的放大图。图3中的TA1、TA2、TA3、TA4示出图示的部位的炉内的环境温度的测定位置。测定位置TA1、TA2分别是与电路基板3的搬运方向平行的方向上的隧道状罩12的加热区域5侧的端部、隧道状罩12的冷却区域6侧的端部，在与电路基板3的搬运方向垂直的方向上设定在相同的位置。在测定位置TA1、TA2，能够测定加热区域5、冷却区域6各自的区域中的代表性的温度。此外，测定位置TA3、TA4分别在隧道状罩12内部的空间且在与电路基板3的搬运方向平行的方向上以相对于遮挡板10对称的等距离在与电路基板3的搬运方向垂直的方向上设定在相同的位置。在测定位置TA3、TA4，能够测定加热区域5侧的隧道状罩12内部、冷却区域6侧的隧道状罩12内部各自的空间中的代表性的温度。

将在测定位置TA1、TA2、TA3、TA4各自检测的炉内的环境温度分别设为TP1、TP2、TP3、TP4。

在隧道状罩12的内部，回流焊炉Rf1内的环境气体是基本滞留在原地的状态。此时，相对于遮挡板10靠加热区域5侧的隧道状罩12的上表面、下表面、侧面从加热区域5的环境通过对流、辐射而被加热。由此，隧道状罩12的内部从隧道状罩12的上表面、下表面、侧面的壁传递Q1的热。另一方面，在相对于遮挡板10靠冷却区域6侧的隧道状罩12的内部，相反地，从上表面、下表面、侧面的壁向冷却区域6的环境进行Q2的散热。因为进行这样的热的授受，所以若将加热区域5的环境温度TP1、相对于遮挡板10靠加热区域5侧的隧道状罩12内的环境温度TP2、相对于遮挡板10靠冷却区域6侧的隧道状罩12内的环境温度TP3、以及冷却区域6的环境温度TP4进行比较，则成为像(式1)那样的温度关系。

TP1＞TP2＞TP3＞TP4 …(式1)

图4是在加热区域5与冷却区域6之间不具备本公开的遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉中的加热区域5和冷却区域6的放大图。图5示出本公开的实施方式1中的回流焊炉Rf1的温度曲线Pf1和在加热区域5与冷却区域6之间不具备本公开的遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉中的温度曲线Pf3。特别是，在示出冷却区域6中的冷却速度的曲线图的部分中，用实线示出基于本公开的实施方式1的温度曲线Pf1，用点线示出表示未使用本公开的构造的情况下的冷却速度的温度曲线Pf3。在图5中，对于与图13相同的构成要素使用相同的附图标记，并省略说明。

在图4中，因为加热区域5的环境温度TP1和冷却区域6的环境温度TP4在空间上直接相邻，所以被搬运的电路基板3在暴露于加热区域5的环境温度TP1的环境之后马上暴露于冷却区域6的环境温度TP4的环境，因此示出冷却速度的温度曲线成为如图5中所示的点线的斜率，电路基板3会被骤冷。

然而，在使用了在加热区域5与冷却区域6之间具有本公开的遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉Rf1的情况下，电路基板3暴露于像(式1)所示的温度关系那样的环境温度慢慢地下降的环境。由此，电路基板3的温度变化少，示出冷却速度的温度曲线Pf1成为如图4中所示的实线那样的平缓的斜率，能够防止将电路基板3骤冷。这样，能够减小冷却区域6的冷却速度，能够降低电子部件2的热裂不良。

图6是示出实施方式1中的焊接处理方法的流程的流程图。首先，电路基板3通过传送装置1被搬运到回流焊炉Rf1内。在工序S11中，在预热区域4，将载置了电子部件2的电路基板3预加热。在工序S12中，在加热区域5中将载置了电子部件2的电路基板3正式加热。在工序S13中，加热区域5和冷却区域6被具有开口部11的遮挡板10在空间上隔开，使被加热了的电路基板3在与开口部11物理连接的隧道状罩12内通过，并通过传送装置1从加热区域5向冷却区域6进行搬运。在工序S14中，在冷却区域6中将被加热了的电路基板3冷却。

如上所述，根据实施方式1涉及的回流焊炉Rf1，回流焊炉Rf1具备将载置了电子部件2的电路基板3加热的加热区域5和将被加热了的电路基板3冷却的冷却区域6，并且回流焊炉Rf1具备遮挡板10和隧道状罩12，遮挡板10配置在加热区域5与冷却区域6之间且具有通过电路基板3的开口部11，隧道状罩12与开口部11物理连接并在电路基板3的搬运方向上延伸。

此外，根据实施方式1涉及的焊接处理方法，具备：在加热区域5中将载置了电子部件2的电路基板3加热的加热工序S12；以及在冷却区域6中将被加热了的电路基板3冷却的冷却工序S14，加热区域5和冷却区域6被具有开口部11的遮挡板10在空间上隔开，使被加热了的电路基板3在与开口部11物理连接的隧道状罩12内通过，并从加热区域5向冷却区域6进行搬运。

像这样，根据本公开的实施方式1，能够通过遮挡板10阻止包含助焊剂粒子的炉内的环境气体从加热区域5向冷却区域6的移动。特别是，关于通过电路基板3的开口部11，在开口部11物理连接有隧道状罩12，开口部11的面积变小，除此以外，气流通过时的气体传导率由于隧道状罩12而变小，因此经由开口部11可抑制包含助焊剂粒子的炉内的环境气体的移动。

在像本公开那样在加热区域5与冷却区域6之间不具备遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉的情况下，关于其温度分布，在电路基板3通过加热区域5和冷却区域6时，将通过像(式2)那样的环境温度的空间，因此将通过温度变化大的空间，会成为热裂不良的原因。

(加热区域的环境温度)＞(冷却区域的环境温度) …(式2)

但是，在具有实施方式1的结构的情况下，若将加热区域5的环境温度、相对于遮挡板10靠加热区域5侧的隧道状罩12内的环境温度、相对于遮挡板10靠冷却区域6侧的隧道状罩12内的环境温度、以及冷却区域6的环境温度进行比较，则成为像(式3)那样的温度关系。

(加热区域的环境温度)＞(相对于遮挡板靠加热区域侧的隧道状罩内的环境温度)＞(相对于遮挡板靠冷却区域侧的隧道状罩内的环境温度)＞(冷却区域的环境温度) …(式3)

因此，成为在从加热区域5通过到冷却区域6时环境温度慢慢地下降的结构，因此电路基板3的温度变化少，能够抑制电子部件2的热裂不良。

像这样，根据本公开的实施方式1，通过阻止包含助焊剂粒子的炉内的环境气体从加热区域5向冷却区域6的移动，从而能够抑制附着于冷却区域6的炉内壁面、顶板表面的助焊剂量。与此同时，因为成为在电路基板3从加热区域5通过到冷却区域6时环境温度慢慢地下降的结构，所以电路基板3的温度变化少。由此，能够同时实现电路基板3的助焊剂附着不良的降低和电子部件2的热裂不良的降低这两个目的。

(实施方式2)

图7是示出本公开的实施方式2中的回流焊炉Rf2的图，是用与电路基板3的搬运方向平行的剖面切割了回流焊炉Rf2的剖视图。图8是图7的隧道状罩周边的部分放大图。在图7、图8中，对于与图1～图3相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。

图7所示的本公开的实施方式2中的回流焊炉Rf2除了在实施方式1中叙述的结构以外，还具备电集尘方式的助焊剂回收装置13。在回流焊炉Rf2的加热区域5设置吸气口14，在冷却区域6设置排出口15。将助焊剂回收装置13的吸气侧和吸气口14用吸引导管16连接，将助焊剂回收装置13的排出侧和排出口15用排出导管17连接。将在加热区域5中产生的包含助焊剂粒子的环境气体中的助焊剂粒子用助焊剂回收装置13进行回收，并返回到冷却区域6。另外，虽然在图7、图8中，吸气口14设置在加热区域5的最后部，但是这只是示出了一个例子。因此，吸气口14的设置位置也可以是加热区域5的前部、中央部、后部以及上表面、下表面、侧面中的任何位置，但是推荐环境气体中的助焊剂粒子的浓度最高的位置。此外，虽然在图7、图8中排出口15设置在冷却区域6的中央部，但是这也只是示出了一个例子。因此，排出口15的设置位置也可以是冷却区域6的前部、中央部、后部以及上表面、下表面、侧面中的任何位置，还可以配合想要实现的温度曲线的冷却速度而适当地进行位置调整。

助焊剂回收装置13由集尘箱18和风扇19构成。集尘箱18具有针电极20和接地侧电极21。针电极20和接地侧电极21被配置为平行平板状。若在针电极20和接地侧电极21施加高电压，则产生电晕放电和高电位差。此时，若用风扇19吸引的回流焊炉Rf2内的包含助焊剂粒子的环境气体在针电极20与接地侧电极21之间通过，则助焊剂粒子带静电。带电的助焊剂粒子被由高电位差产生的电场拉向接地侧电极21，并附着于接地侧电极21而被回收。

在实施方式1中，开口部11和隧道状罩12各自的开口尺寸越小，阻止环境气体从加热区域5向冷却区域6的侵入的效果变得越高。然而，至少需要载置了电子部件2的电路基板3能够通过的开口尺寸。此外，也存在如下情况，即，距电子部件2的电路基板3的高度高，难以设置小到足以减小气体传导率的开口部11。在这样的情况下，根据本公开的实施方式2的结构，在加热区域5中产生的包含助焊剂粒子的环境气体向冷却区域6的移动被遮挡板10阻断，并且从吸气口14被吸引到助焊剂回收装置13，将包含助焊剂粒子的环境气体中的助焊剂粒子用助焊剂回收装置13进行回收，并从排出口15返回到冷却区域6。

由此，在难以设置小到足以减小气体传导率的开口部11的情况下，即使环境气体从加热区域5向冷却区域6通过开口部11和隧道状罩12而侵入到冷却区域6，也能够通过使加热区域5中的环境气体包含的助焊剂粒子的量极小化，从而抑制助焊剂附着于冷却区域6的炉内壁面、顶板表面。

进而，因为吸引到助焊剂回收装置13的回流焊炉Rf2的环境气体返回到冷却区域6，所以如图8所示，在对加热区域5内的压力PA1和冷却区域6内的压力PA2进行了比较的情况下，像(式4)那样，冷却区域6内的压力PA2变高。

PA1＜PA2 …(式4)

由此，在开口部11和隧道状罩12内产生压力差，能够阻止包含助焊剂粒子的环境气体从加热区域5向冷却区域6的移动。

另一方面，例如，在助焊剂回收装置13使用了一般的冷却方式的助焊剂回收装置的情况下，能够用助焊剂回收装置内的散热器等对包含助焊剂粒子的环境气体进行冷却。由此，成为使助焊剂粒子在助焊剂回收装置内结露而进行回收的结构。因此，从排出导管17通过排出口15返回到冷却区域6的环境气体是被极度冷却的环境气体。

然而，根据本公开的实施方式2的结构，使用电集尘方式的助焊剂回收装置13。如前所述，电集尘方式的助焊剂回收装置13成为在集尘箱18内通过电晕放电和高电位差对助焊剂粒子进行回收的构造。因此，除了环境气体通过自然散热而被自然冷却以外，并不主动地具有冷却构造，因此能够将从加热区域5吸引的环境气体在不通过自然散热以外的要素使其温度下降的情况下返回到冷却区域6。

图9示出使用了本公开的实施方式2的情况下的温度曲线Pf2、使用了本公开的实施方式1的情况下的温度曲线Pf1、以及使用了在加热区域5与冷却区域6之间不具备本公开的遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉的情况下的温度曲线Pf3。特别是，在示出冷却区域6中的冷却速度的曲线图的部分，用实线示出使用了本公开的实施方式2的情况下的温度曲线Pf2，用单点划线示出使用了本公开的实施方式1的情况下的温度曲线Pf1，用点线示出表示使用了在加热区域5与冷却区域6之间不具备本公开的遮挡板10和隧道状罩12的结构的回流焊炉的情况下的冷却速度的温度曲线Pf3。在图9中，对于与图5、图13相同的构成要素使用相同的附图标记，并省略说明。

根据本公开的实施方式2，能够在维持前述的(式1)中的温度关系的同时使冷却区域6的环境温度TP4实现比实施方式1中的冷却区域6的环境温度TP4高的温度的状态。因此，相对于遮挡板10靠冷却区域6侧的隧道状罩12内的环境温度TP3也能够实现比实施方式1中的相对于遮挡板10靠冷却区域6侧的隧道状罩12内的环境温度TP3高的温度。

由此，与实施方式1中的结构相比，电路基板3的温度变化更少。示出冷却速度的温度曲线Pf2成为比在图9中示出的实线那样的本公开的实施方式1的结构的情况更平缓的斜率，能够防止使电路基板3骤冷。进而，只要在与电路基板3的搬运方向平行的方向上将吸气口14的设置位置设置成挂在隧道状罩12，则即使附着于吸气口14的助焊剂粒子的块落下，也能够用隧道状罩12接住。由此，能够防止助焊剂附着于电路基板3。

图10是示出实施方式2中的回收助焊剂的流程的流程图。在工序S21中，通过风扇19对加热区域5的环境气体进行吸引。加热区域5内的环境气体从吸气口14通过吸引导管16并被吸引到助焊剂回收装置13的集尘箱18内。在工序S22中，使用电集尘式的集尘箱18对被吸引的环境气体所包含的助焊剂进行回收。在工序S23中，使回收了助焊剂的环境气体返回到冷却区域6。回收了助焊剂的环境气体通过风扇19从集尘箱18通过排出导管17被排气到冷却区域6。

像这样，根据本公开的实施方式2，即使在距电子部件2的电路基板3的高度高且难以设置小到足以减小气体传导率的开口部11的情况下，也能够通过从吸气口14吸引回流焊炉Rf2内的环境气体并从排出口15排出而在隧道状罩12产生压力差。由此，能够大幅阻止包含助焊剂粒子的回流焊炉Rf2内的环境气体从加热区域5向冷却区域6的移动。其结果是，能够大幅抑制附着于冷却区域6的炉内壁面、顶板表面的助焊剂量。此外，与此同时，因为成为在电路基板3从加热区域5通过到冷却区域6时环境温度慢慢地下降的结构，所以电路基板3的温度变化少。由此，能够同时实现电路基板3的助焊剂附着不良的降低和电子部件2的热裂不良的降低这两个目的。

(实施方式3)

图11是示出本公开的实施方式3中的回流焊炉Rf3的图，是用与电路基板3的搬运方向平行的剖面切割了回流焊炉的剖视图。在图11中，对于与图1、图2、图7、图8相同的构成要素使用相同的附图标记，并省略说明。

图11所示的本公开的实施方式2中的回流焊炉除了在实施方式2中叙述的结构以外，还在吸气口14的位置设置有第二遮挡板22。该第二遮挡板22延伸至通过电路基板3的搬运通路的上部的顶面罩，左右延伸至炉内侧面，在吸气口14的位置与遮挡板10组合而遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向发挥狭缝状的吸入吸嘴的功能。

本来，在将吸气口14设置在加热区域5的情况下，优选在加热区域5中遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向而均匀地进行吸气。这是因为，在加热区域5中，包含助焊剂粒子的环境气体在炉内充满得一样。但是，吸气口14通常为φ50mm至φ100mm左右的圆孔口，设置在炉的上表面或者下表面或者侧面。

在这样的情况下，关于从加热区域5吸气的包含助焊剂粒子的环境气体，在加热区域5的一部分，只能吸引吸气口14的周边的环境气体。因此，在回流焊炉内的包含助焊剂粒子的环境气体的浓度极高的情况下，存在如下的情况，即，在加热区域5中，只能从相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向上的一部分的区域回收助焊剂粒子，存在于剩余的区域的包含助焊剂粒子的环境气体侵入到开口部11和隧道状罩12。进而，因为只能吸引吸气口14的周边的环境气体，所以在加热区域5中，只有相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向上的吸气口14周边的一部分的区域的压力下降，因此在一部分的区域，(式4)的压力关系被破坏。由此，存在包含助焊剂粒子的环境气体侵入到开口部11和隧道状罩12的情况。

然而，根据本公开的实施方式3的结构，能够通过由遮挡板10和第二遮挡板22构成的遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向的狭缝状的吸入吸嘴，从相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向整体一样地对加热区域5内的包含助焊剂粒子的环境气体进行吸引。因此，在吸引工序S21中，也遍及相对于电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向对环境气体进行吸引。

由此，能够使相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向整体的压力一样地下降。通过该效果，在回流焊炉Rf3内的包含助焊剂粒子的环境气体的浓度极高的情况下，能够遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向(X方向)垂直的宽度方向对助焊剂粒子进行回收。此外，遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向(Y方向)，能够实现(式4)的压力关系，因此能够在不被吸气口14的位置、孔径等所左右的情况下发挥助焊剂附着的降低效果。

另外，虽然在本公开的实施方式3中，利用遮挡板10构成了遍及相对于炉内的电路基板3的搬运方向垂直的宽度方向的狭缝状吸嘴，但只是一个例子，只要位于至少比遮挡板10的设置位置在加热区域5内靠搬运口侧，也可以不利用遮挡板10而在吸气口14构成狭缝状吸嘴。在该情况下，推荐在加热区域5内将环境气体中的助焊剂粒子的浓度最高的位置作为设置位置。

本公开并不限于上述实施方式，也能够像以下那样进行变形实施。

在上述各实施方式中，隧道状罩12从开口部11起相对于加热区域5以及冷却区域6的双方在电路基板3的搬运方向的正方向以及反方向上延伸，但是并不限于此。隧道状罩12可以从开口部11起仅相对于加热区域5在电路基板3的搬运方向的反方向上延伸，也可以从开口部11起仅相对于冷却区域6在电路基板3的搬运方向上延伸。

产业上的可利用性

本公开的回流焊炉通过抑制包含助焊剂粒子的炉内的环境气体从加热区域向冷却区域的移动，从而成为如下结构，即，在抑制附着于冷却区域的炉内壁面、顶板表面的助焊剂量的同时，电路基板在从加热区域通过到冷却区域时，环境温度慢慢地下降。由此，电路基板的温度变化少，能够同时实现电路基板的助焊剂附着不良的降低和电子部件的热裂不良的降低这两个目的。由此，在将弱耐热部件在回流焊炉中安装到电路基板的工序中，能够生产不良少的产品。

Claims (12)

1.一种回流焊炉，具备：加热区域，对载置有电子部件的电路基板进行加热；以及冷却区域，对被加热了的所述电路基板进行冷却，其中，

所述回流焊炉具备：

遮挡板，配置在加热区域与冷却区域之间，且具有通过所述电路基板的开口部；以及

隧道状罩，与所述开口部连接，并在所述电路基板的搬运方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的回流焊炉，其中，

所述回流焊炉具备电集尘方式的助焊剂回收装置，使回收了所述助焊剂的气体返回到所述冷却区域，

所述助焊剂回收装置具有：

吸引部，从所述加热区域吸引所述回流焊炉内的环境气体；以及

助焊剂回收部，对所述环境气体中包含的助焊剂进行回收。

3.根据权利要求2所述的回流焊炉，其中，

所述吸引部具有：狭缝状的吸入吸嘴，遍及相对于所述回流焊炉内的所述电路基板的搬运方向垂直的宽度方向进行设置。

4.根据权利要求1所述的回流焊炉，其中，

所述加热区域的环境温度TP1、相对于所述遮挡板靠加热区域侧的所述隧道状罩内的温度TP2、相对于所述遮挡板靠冷却区域侧的所述隧道状罩内的温度TP3、以及所述冷却区域的环境温度TP4为

TP1＞TP2＞TP3＞TP4。

5.根据权利要求2所述的回流焊炉，其中，

所述加热区域的压力PA1和所述冷却区域的压力PA2为

PA1＜PA2。

6.根据权利要求3所述的回流焊炉，其中，

所述加热区域的压力PA1和冷却区域的压力PA2遍及相对于回流焊炉内的所述电路基板的搬运方向垂直的宽度方向为

PA1＜PA2。

7.一种焊接处理方法，具备：

加热工序，在加热区域中对载置有电子部件的电路基板进行加热；以及

冷却工序，在冷却区域中对被加热了的电路基板进行冷却，

所述加热区域和所述冷却区域被具有开口部的遮挡板在空间上隔开，

使被加热了的所述电路基板在与所述开口部物理连接的隧道状罩内通过，并从所述加热区域向所述冷却区域进行搬运。

8.根据权利要求7所述的焊接处理方法，具备：

吸引工序，吸引所述加热区域的环境气体；

助焊剂回收工序，使用电集尘对所述环境气体中包含的助焊剂进行回收；以及

排气工序，使回收了助焊剂的所述环境气体返回到所述冷却区域。

9.根据权利要求8所述的焊接处理方法，其中，

在所述吸引工序中，遍及相对于所述电路基板的搬运方向垂直的宽度方向对环境气体进行吸引。

10.根据权利要求7所述的焊接处理方法，其中，

所述加热区域的环境温度TP1、相对于所述遮挡板靠加热区域侧的隧道状罩内的温度TP2、相对于遮挡板靠冷却区域侧的隧道状罩内的温度TP3、以及冷却区域的环境温度TP4为

TP1＞TP2＞TP3＞TP4。

11.根据权利要求8所述的焊接处理方法，其中，

所述加热区域的压力PA1和所述冷却区域的压力PA2为

PA1＜PA2。

12.根据权利要求9所述的焊接处理方法，其中，

加热区域的压力PA1和冷却区域的压力PA2遍及相对于炉内的电路基板的搬运方向垂直的宽度方向为

PA1＜PA2。

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