CN110243318B - 截面加工观察装置及其方法、记录介质以及形状测定方法 - Google Patents

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Abstract

提供截面加工观察装置及其方法、程序以及形状测定方法，提高试样的形状的测定精度。具有：保持试样的试样台；向试样照射聚焦离子束的聚焦离子束镜筒；在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向试样照射电子束的电子束镜筒；检测二次电子或反射电子的电子检测器；照射位置控制部，根据作为示出针对试样的波束的照射目标位置的信息的照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置；工序控制部，按照照射位置控制部控制的每个照射位置，对朝向试样照射聚焦离子束以使试样的截面露出的截面露出工序和向截面照射电子束而取得截面的截面像的截面像取得工序进行控制；画质校正部，对在照射位置取得的所述截面像的画质进行校正。

Description

截面加工观察装置及其方法、记录介质以及形状测定方法
技术领域
本发明涉及截面加工观察装置、截面加工观察方法、程序以及形状测定方法。
背景技术
以往，作为例如对半导体器件等试样的内部构造进行分析、或进行立体的观察的方法之一，公知有如下的截面加工观察方法：一边重复进行利用了聚焦离子束 (FocusedIon Beam；FIB)的截面形成加工(蚀刻加工)，一边利用扫描型电子显微镜(ScanningElectron Microscope；SEM)从相对于截面倾斜的方向扫描电子束 (Electron Beam；EB)，取得试样的多枚截面像，然后将该多枚截面像重合来构建试样的三维图像(例如，专利文献1)。
该截面加工观察方法是利用了复合带电粒子束装置的被称为“切割和观察 (Cut&See)”的方法，除了能够观察试样的截面像之外，还具有能够从各个方向进行试样内部的立体的观察这样的其他方法没有的优点。
作为具体的一例，是如下的方法。对试样照射FIB而进行蚀刻加工，使试样的截面露出。接着，通过对露出的截面照射电子束而进行SEM观察、取得截面像。接着，再次进行蚀刻加工，使下一个截面露出。然后通过SEM观察而取得第二枚截面像。这样，通过沿着试样的任意的方向重复进行蚀刻加工和SEM观察，取得多枚截面像。然后，将所取得的多枚截面像重合，从而构建出使试样的内部透视的三维图像，对试样各部分的形状进行测定。
专利文献1：日本特开2015-050126号公报。
然而，在上述的利用了复合带电粒子束装置的“切割和观察”中，从相对于截面倾斜的方向进行观察，因此在进行试样形状的测定等的情况下，需要对所取得的截面像进行倾斜校正。因此，存在如下的课题：有时根据多枚截面像而构建出的三维图像的精度降低，无法提高根据三维图像来测定形状时的测定精度。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供能够提高试样的形状的测定精度的截面加工观察装置、截面加工观察方法、程序以及形状测定方法。
(1)本发明的一个方式是截面加工观察装置，其具有：试样台，其对试样进行保持；聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；电子束镜筒，其在与照射所述聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子；照射位置控制部，其根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中；工序控制部，其按照由所述照射位置控制部控制的每个照射位置对截面露出工序和截面像取得工序进行控制，在所述截面露出工序中朝向所述试样照射聚焦离子束以使所述试样的截面露出，在所述截面像取得工序中向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像；以及画质校正部，其对在所述照射位置取得的所述截面像的画质进行校正。
(2)在本发明的一个方式的截面加工观察装置中，所述画质校正部根据基准画质信息来校正所述截面像的画质，所述基准画质信息是作为示出所述截面像的基准画质的信息而与所述照射目标位置相关联地预先存储的信息。
(3)在本发明的一个方式的截面加工观察装置中，所述画质校正部在超过所述基准画质信息所示的画质的容许范围的情况下校正所述截面像的画质。
(4)在本发明的一个方式的截面加工观察装置中，所述画质校正部根据强度信息来校正所述截面像的画质，所述强度信息示出所述电子束镜筒照射的电子束的强度的时间变化。
(5)本发明的一个方式的截面加工观察装置还具有截面像组输出部，该截面像组输出部将包含所述画质校正部校正了画质后的所述截面像在内的截面像组输出给测定所述试样的构造的测定装置。
(6)本发明的一个方式是使用截面加工观察装置的截面加工观察方法，该截面加工观察装置具有：试样台，其对试样进行保持；聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；电子束镜筒，其在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；以及电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子，所述截面加工观察方法具有如下的工序：照射位置控制工序，根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中；截面露出工序，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置朝向所述试样照射聚焦离子束而使所述试样的截面露出；截面像取得工序，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像；以及画质校正工序，对在所述截面像取得工序中取得的所述截面像的画质进行校正。
(7)本发明的一个方式是程序，其用于使截面加工观察装置的计算机执行照射位置控制工序、截面露出工序、截面像取得工序以及画质校正工序，所述截面加工观察装置具有：试样台，其对试样进行保持；聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；电子束镜筒，其在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；以及电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子，在所述照射位置控制工序中，根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中，在所述截面露出工序中，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置朝向所述试样照射聚焦离子束而使所述试样的截面露出，在所述截面像取得工序中，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像，在所述画质校正工序中，对在所述截面像取得工序中取得的所述截面像的画质进行校正。
(8)本发明的一个方式是形状测定方法，使用截面加工观察装置来测定试样内的构造物的形状，该截面加工观察装具有：聚焦离子束镜筒，其照射聚焦离子束；以及电子束镜筒，其在与聚焦离子束的照射方向垂直的方向上照射电子束，其中，所述形状测定方法具有以下工序：使试样台在与所述离子束和所述电子束垂直的方向上移动，将所述试样配置于照射所述离子束和所述电子束的位置；截面加工观察工序，重复进行截面露出工序和截面像取得工序，在所述截面露出工序中，向所述试样照射所述聚焦离子束而形成所述构造物露出的截面，在所述截面像取得工序中，从与所述截面垂直的方向向该截面照射电子束而取得所述截面的观察像；以及测定工序，根据所述截面像来测定所述构造物的形状。
发明效果
根据本发明的截面加工观察装置、截面加工观察方法、程序以及形状测定方法，能够提高试样的形状的测定精度。
附图说明
图1是示出本实施方式的截面加工观察装置的结构的一例的图。
图2是示出本实施方式的照射目标位置的一例的图。
图3是示出本实施方式的截面加工观察装置的动作的一例的图。
图4是示出本实施方式的截面像组输出部提供的截面像组的一例的图。
图5是示出测定装置进行的形状测定的一例的图。
图6是示出三维图像的一例的图。
标号说明
100：截面加工观察装置；1：电子束镜筒；2：聚焦离子束镜筒；3：试样室；4：二次电子检测器(电子检测器)；5：透射电子检测器(电子检测器)；6：试样台；7：试样；8：电子束；9：聚焦离子束；10：输入部；11：控制部；12：电子束控制部；13：聚焦离子束控制部；14：像形成部；15：试样台驱动部；16：试样台控制部(照射位置控制部)；17：显示部；18：画质校正部；19：截面像组输出部；20：存储部； TMP：基准画质信息；TGT：照射目标位置；P：照射位置。
具体实施方式
[实施方式]
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。
图1是示出本实施方式的截面加工观察装置100的结构的一例的图。截面加工观察装置100具有电子束镜筒1、聚焦离子束镜筒2以及试样室3。
电子束镜筒1向收纳于试样室3内的试样7照射电子束8。
聚焦离子束镜筒2向收纳于试样室3内的试样7照射聚焦离子束9。电子束镜筒1与聚焦离子束镜筒2配置为各自的照射轴在试样7上彼此垂直。即，电子束镜筒 1在与照射聚焦离子束9的方向垂直的方向上向试样7照射电子束8。
并且，截面加工观察装置100具有二次电子检测器4和透射电子检测器5作为电子检测器。该二次电子检测器4和透射电子检测器5等电子检测器检测从试样7 产生的二次电子或反射电子。
具体而言，二次电子检测器4检测通过照射电子束8或聚焦离子束9而从试样 7产生的二次电子。透射电子检测器5配置于与电子束镜筒1对置的位置。透射电子检测器5检测向试样7照射电子束8的结果、即透过了试样7的透射电子和没有入射到试样7的电子束8。
并且，截面加工观察装置100具有对试样7进行保持的试样台6。试样台6根据试样台控制部16的控制而被试样台驱动部15驱动。
试样台驱动部15使试样台6在x轴方向、y轴方向、z轴方向这三个轴方向以及绕着各轴的旋转方向上移位。其中，x轴、y轴、z轴彼此垂直。z轴以铅直上方向为正方向，与x轴和y轴所成的平面垂直。在截面加工观察装置100中，配置为电子束镜筒1的照射轴方向与z轴方向平行。在该一例中，电子束镜筒1的照射轴方向配置为z轴的负方向(即，铅直下方向)。
并且，截面加工观察装置100具有电子束控制部12、聚焦离子束控制部13、像形成部14以及显示部17。
电子束控制部12根据控制部11的控制而向电子束镜筒1输出照射信号，以使从电子束镜筒1照射电子束8。
聚焦离子束控制部13根据控制部11的控制而向聚焦离子束镜筒2输出照射信号，从聚焦离子束镜筒2照射聚焦离子束9。
像形成部14根据电子束控制部12的使电子束8扫描的信号和由透射电子检测器5检测到的透射电子的信号而形成透射电子像。该像形成部14根据电子束控制部 12的使电子束8扫描的信号和由二次电子检测器4检测到的二次电子的信号而形成 SEM像的数据。并且，像形成部14根据聚焦离子束控制部13的使聚焦离子束9扫描的信号和由二次电子检测器4检测到的二次电子的信号而形成SIM像的数据。
显示部17具有液晶显示器等显示器件，显示上述的透射电子像、SEM像、SIM 像等。
截面加工观察装置100还具有输入部10和控制部11。截面加工观察装置100 的操作者将与装置控制有关的条件输入给输入部10。输入部10将所输入的信息输出给控制部11。
控制部11(工序控制部)向电子束控制部12、聚焦离子束控制部13、像形成部14、试样台控制部16或显示部17输出控制信号以控制带电粒子束装置的动作。
截面加工观察装置100还具有画质校正部18、截面像组输出部19以及存储部 20。
存储部20具有硬盘驱动器或闪存等，存储各种信息。在该存储部20中存储有照射目标位置信息。该照射目标位置信息是指示出针对试样7的波束的照射目标位置 TGT的信息。参照图2对照射目标位置TGT的一例进行说明。
图2是示出本实施方式的照射目标位置TGT的一例的图。在该一例中，照射目标位置TGT1～TGT4被预先确定为进行使试样7的截面露出的加工的位置。试样7 具有测定对象的构造物。为了使得能够通过截面加工观察装置100使构造物的测定对象在截面上露出、并取得截面像，预先对试样7进行预处理，配置于试样台6。在预处理中，以使测定对象的构造物配置于试样7的电子束和聚焦离子束的被照射面附近的方式预先去除试样7的剩余部分。由此，能够在基于聚焦离子束的截面加工中降低加工量，因此能够高效地实施切割和观察。并且，以使进行构造物的测定的测定方向与电子束的照射方向垂直的方式配置试样7。例如，在构造物为圆柱并且测定对象为圆柱的直径的情况下，以使圆柱的直径的方向与电子束的照射方向垂直的方式来配置试样7。由此，能够利用聚焦离子束形成包含测定对象在内的截面，因此能够根据所取得的截面像进行准确的测定。
上述的试样台控制部16(照射位置控制部)根据作为示出针对试样7的波束的照射目标位置TGT的信息而存储于存储部20中的照射目标位置信息，来控制聚焦离子束9和电子束8的照射位置P。
返回到图1，画质校正部18对在每个照射位置P取得的截面像的画质进行校正。
截面像组输出部19将包含画质校正部18对画质进行校正后的截面像在内的截面像组输出给测定试样7的构造的测定装置(未图示)。
接下来，参照图3对截面加工观察装置100的动作的一例进行说明。
[截面加工观察装置100的动作]
图3是示出本实施方式的截面加工观察装置100的动作的一例的图。
以下，对截面加工观察装置100的动作的一例进行说明。这里，步骤S10至步骤S50是模板图像取得工序，步骤S110至步骤S170是连续截面加工观察(连续的切割和观察)工序。
[模板图像取得工序]
(步骤S10)
控制部11从存储部20取得照射目标位置信息。控制部11从该照射目标位置信息中取得作为最初的照射目标位置TGT的照射目标位置TGT1(参照图2)的坐标。
另外，在存储部20中与照射目标位置信息相关联地存储有利用聚焦离子束9 进行加工时、以及利用电子束8和检测器进行像取得时的各种参数。例如，在存储部 20中与照射目标位置TGT相关联地存储有标记图案信息、加工参数作为加工时的参数，并且与照射目标位置TGT相关联地存储有波束条件、图案信息、像亮度等作为像取得时的参数。
(步骤S20)
控制部11对试样台控制部16输出试样台6的移位指示，以使电子束8和聚焦离子束9的照射位置P与照射目标位置TGT1一致。试样台控制部16在从控制部11 取得试样台6的移位指示后通过试样台驱动部15对试样台6进行驱动。
(步骤S30；截面露出工序)
控制部11在图2所示的照射目标位置TGT1进行试样7的截面露出加工。具体而言，控制部11在通过步骤S20中的试样台6的移位而使电子束8和聚焦离子束9 的照射位置P与照射目标位置TGT1一致后，对聚焦离子束控制部13输出加工指示。在该加工指示中包含有存储于存储部20中的每个照射目标位置TGT的加工参数。聚焦离子束控制部13在从控制部11取得加工指示时，使得从聚焦离子束镜筒2对试样 7照射聚焦离子束9-1(参照图2)。
(步骤S40；截面像取得工序)
控制部11取得照射目标位置TGT1的截面像。具体而言，控制部11在照射目标位置TGT1的试样7的截面露出加工结束时，对电子束控制部12进行电子束8的照射指示，对像形成部14进行像形成指示。在该照射指示和像形成指示中包含有存储于存储部20中的每个照射目标位置TGT的加工参数。控制部11使存储部20存储所形成的截面像。如上所述，由于电子束镜筒1与聚焦离子束镜筒2垂直配置，因此控制部11在截面露出加工结束后无需使试样台6移位(例如，倾斜)就能够取得截面像。
(步骤S50)
控制部11使存储部20存储在步骤S40中取得的试样7的截面像作为模板图像。在以下的说明中，也将该模板图像称为基准画质信息TMP。
[截面加工观察(切割和观察)工序]
(步骤S110～步骤S140)
接着，控制部11针对下一个照射目标位置TGT(图2所示的照射目标位置TGT2) 进行截面露出加工和截面像的取得。即，控制部11按照由试样台控制部16(照射位置控制部)控制的每个照射位置P，对朝向试样7照射聚焦离子束9以使试样7的截面露出的截面露出工序和向截面照射电子束8以取得截面的截面像的截面像取得工序进行控制。另外，步骤S110至骤S140的具体的动作与上述的步骤S10至步骤S40 相同，因此省略说明。
(步骤S150)
控制部11参照存储于存储部20中的照射目标位置信息来判定有无下一个照射目标位置TGT。控制部11在判定为存在下一个照射目标位置TGT的情况(步骤S150；是)下，使处理返回到步骤S110，重复进行截面露出工序和截面像取得工序。在图2 所示的一例中，针对照射目标位置TGT3和照射目标位置TGT4重复进行截面露出工序和截面像取得工序。控制部11在判定为没有下一个照射目标位置TGT的情况(步骤S150；否)下，使处理前进到步骤S160。
(步骤S160)
控制部11对画质校正部18输出在步骤S150之前取得的各照射位置P的截面像的画质的校正指示。画质校正部18对存储于存储部20中的每个照射位置P的截面像的画质进行校正。以下，对由画质校正部18进行的画质校正的具体例子进行说明。
另外，以下，对画质校正部18校正像的明亮度的情况进行说明，但不限于此。在画质校正部18校正的画质中除了像的明亮度之外还包含有对比度、亮度等各种像素值。
[画质校正(其一)基于模板图像的校正]
画质校正部18根据在步骤S50中存储于存储部20中的模板图像来校正每个照射位置P的截面像的画质。在图2所示的一例中，模板图像是照射目标位置TGT1 的截面像。画质校正部18以该模板图像为画质的基准来校正每个照射位置P的截面像的画质。
这里，模板图像是上述的基准画质信息TMP的一例。即，画质校正部18根据作为示出截面像的基准画质的信息而与照射目标位置TGT相关联地预先存储的基准画质信息TMP来校正截面像的画质。
[画质校正(其二)基于阈值的校正]
画质校正部18在超过了基准画质信息TMP所示的画质的容许范围的情况下校正截面像的画质。具体而言，在存储部20中预先存储有示出画质的容许范围的信息(例如，像的明亮度的阈值)作为基准画质信息TMP。画质校正部18针对在步骤S140 中取得的某个照射位置P的截面像，在截面像的明亮度低于下限阈值的情况下以使该截面像变亮的方式进行校正。并且，画质校正部18在截面像的明亮度超过上限阈值的情况下以使该截面像变暗的方式进行校正。
[画质校正(其三)基于电子束8的强度的估计值的校正]
电子束8的强度给截面像的明亮度带来影响。例如，在电子束8的强度比较弱的情况下，截面像比较暗。这里，在连续的切割和观察工序中，在照射目标位置TGT 的数量多的情况下，截面露出工序和截面像取得工序的所需时间比较长。在该情况下，有时电子束8的强度随着时间而发生变化(例如，衰减)。这里，在电子束8的强度与经过时间的关系已知的情况下，将该电子束8的强度的时间变化的信息预先存储于存储部20中。
画质校正部18根据从连续的切割和观察工序开始起的经过时间和存储于存储部20中的电子束8的强度的时间变化的信息来估计电子束8的强度。画质校正部18 根据估计出的电子束8的强度的时间变化来校正截面像的明亮度。即，画质校正部 18根据示出电子束镜筒1照射的电子束8的强度的时间变化的强度信息来校正截面像的画质。
例如，在电子束8的强度随着经过时间而衰减的情况下，画质校正部18对在比较靠后的时机取得的截面像以使其变得更亮的方式进行校正。
这里，画质的校正不限于按照每个照射位置P进行的情况。即，也可以是，对在一个照射位置P所取得的多个截面像中的一部分实施画质的校正。
参照图3继续对截面加工观察装置100的动作进行说明。
(步骤S170)
截面像组输出部19将在步骤S160中校正后的截面像组提供给测定装置(未图示)。参照图4对截面像组输出部19提供给测定装置的截面像组的一例进行说明。
图4是示出本实施方式的截面像组输出部19提供的截面像组的一例的图。在该图4所示的截面像的例子中，包含有截面整体的观察像E3和两处微小区域E1、E2。在该微小区域E1、E2中包含有特定观察对象物。在微小区域E1、E2中，在与截面整体的观察像E3的取得条件不同的取得条件下取得观察像。例如，对于微小区域E1，在截面整体的观察像采用低倍率时，以中倍率取得SEM像。并且，通过取得BSE像而得到微小区域E1内的组成分布。另一方面，对于微小区域E2，在截面整体的观察像采用低倍率时，以高倍率取得SEM像。
图5是示出测定装置进行的形状测定的一例的图。从截面像组输出部19向测定装置(未图示)提供截面像。测定装置针对在截面像上示出的试样7的形状(例如，圆柱)测定其直径R(在该图的例子中为R1～R8)。
图6是三维图像的一例。测定装置通过将从截面像组输出部19取得的多枚截面像重合而构建使试样7的内部透视的三维图像。
测定装置针对构建出的三维图像所示的试样7的形状(例如，圆柱)来测定其直径R(在该图的例子中为R11～R14)。由此，即使在直径沿着圆柱的深度方向发生变化的情况下也能够准确地测定圆柱的形状。
[实施方式的总结]
像以上说明那样，在截面加工观察装置100中，电子束镜筒1与聚焦离子束镜筒2垂直配置，在与照射聚焦离子束9的方向垂直的方向上照射电子束8。因此，根据本实施方式的截面加工观察装置100，在进行了截面露出加工之后，无需使试样台 6移位(例如，倾斜)就能够得到准确的真正截面的SEM图像。
而且，截面加工观察装置100具有对在每个照射位置P取得的截面像的画质进行校正的画质校正部18。因此，根据本实施方式的截面加工观察装置100，在上述的连续的切割和观察工序(例如，步骤S110～步骤S140)中，操作者不进行进行画质调整就能够使所取得的截面像的画质均匀化。
因此，根据本实施方式的截面加工观察装置100，能够取得准确的真正截面的 SEM图像并且使多个SEM图像的画质均匀化，因此能够提高基于该多个SEM图像的形状测定(例如，三维形状测定)的精度。
本实施方式的截面加工观察装置100根据基准画质信息TMP来校正截面像的画质。这里，在步骤S10～步骤S40的模板图像取得工序中，截面加工观察装置100的操作者能够一边手动调整截面像的画质一边取得适合测定的画质。根据适合测定的画质的模板图像来校正截面像，从而根据本实施方式的截面加工观察装置100，在步骤 S110～步骤S140的连续的切割和观察工序中操作者不进行画质调整就能够使所取得的截面像均匀化为适合测定的画质。
在本实施方式的截面加工观察装置100中，画质校正部18在超过基准画质信息TMP所示的画质的容许范围的情况下校正截面像的画质。因此，根据本实施方式的截面加工观察装置100，能够将多个截面像的画质的不均抑制在规定的范围内(上下限阈值的范围内)。
在本实施方式的截面加工观察装置100中，画质校正部18根据示出电子束8 的强度的时间变化的强度信息来校正截面像的画质。因此，根据本实施方式的截面加工观察装置100，能够使多个截面像的画质精度更好并且均匀化。
以上，一边参照附图一边对本发明的实施方式进行了详细描述，但具体的结构不限于该实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内适当施加变更。并且，能够在不脱离本发明的主旨的范围内适当组合上述的各实施方式。
另外，上述的各装置在内部具有计算机。而且，上述的各装置的各处理的过程以程序的形式存储于计算机能够读取的记录介质中，通过计算机读出并执行该程序而进行上述处理。这里，计算机能够读取的记录介质是指磁盘、光磁盘、CD-ROM、 DVD-ROM、半导体存储器等。并且，也可以是，利用通信线路将该计算机程序配信给计算机，接收到该配信的计算机执行该程序。
并且，上述程序也可以用于实现上述的功能的一部分。而且，也可以是能够通过与已经记录于计算机系统中的程序的组合而实现上述的功能的所谓的差分文件(差分程序)。

Claims (7)

1.一种截面加工观察装置，其中，
所述截面加工观察装置具有：
试样台，其对试样进行保持；
聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；
电子束镜筒，其在与照射所述聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；
电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子；
照射位置控制部，其根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中；
工序控制部，其按照由所述照射位置控制部控制的每个照射位置对截面露出工序和截面像取得工序进行控制，在所述截面露出工序中朝向所述试样照射聚焦离子束以使所述试样的截面露出，在所述截面像取得工序中向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像；以及
画质校正部，其根据强度信息和从连续截面加工观察工序开始起的经过时间来估计电子束的强度，从而对在所述照射位置取得的所述截面像的画质进行校正，其中，所述强度信息作为示出所述电子束镜筒照射的电子束的强度与所述经过时间的关系的信息而被存储于存储部。
2.根据权利要求1所述的截面加工观察装置，其中，
所述画质校正部根据基准画质信息来校正所述截面像的画质，所述基准画质信息是作为示出所述截面像的基准画质的信息而与所述照射目标位置相关联地预先存储的信息。
3.根据权利要求2所述的截面加工观察装置，其中，
在超过所述基准画质信息所示的画质的容许范围的情况下，所述画质校正部校正所述截面像的画质。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的截面加工观察装置，其中，
所述截面加工观察装置还具有截面像组输出部，该截面像组输出部将包含所述画质校正部校正了画质后的所述截面像在内的截面像组输出给测定所述试样的构造的测定装置。
5.一种使用截面加工观察装置的截面加工观察方法，其中，
该截面加工观察装置具有：试样台，其对试样进行保持；聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；电子束镜筒，其在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；以及电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子，
所述截面加工观察方法具有以下工序：
照射位置控制工序，根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中；
截面露出工序，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置，朝向所述试样照射聚焦离子束而使所述试样的截面露出；
截面像取得工序，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置，向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像；以及
画质校正工序，根据强度信息和从连续截面加工观察工序开始起的经过时间来估计电子束的强度，从而对在所述截面像取得工序中取得的所述截面像的画质进行校正，其中，所述强度信息作为示出所述电子束镜筒照射的电子束的强度与所述经过时间的关系的信息而被存储于存储部。
6.一种记录了程序的记录介质，该程序用于使截面加工观察装置的计算机执行照射位置控制工序、截面露出工序、截面像取得工序以及画质校正工序，
所述截面加工观察装置具有：试样台，其对试样进行保持；聚焦离子束镜筒，其向所述试样照射聚焦离子束；电子束镜筒，其在与照射聚焦离子束的方向垂直的方向上向所述试样照射电子束；以及电子检测器，其检测从所述试样产生的二次电子或反射电子，
在所述照射位置控制工序中，根据照射目标位置信息来控制聚焦离子束和电子束的照射位置，所述照射目标位置信息作为示出针对所述试样的波束的照射目标位置的信息而存储于存储部中，
在所述截面露出工序中，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置，朝向所述试样照射聚焦离子束而使所述试样的截面露出，
在所述截面像取得工序中，按照在所述照射位置控制工序中控制的每个照射位置，向所述截面照射电子束而取得所述截面的截面像，
在所述画质校正工序中，根据强度信息和从连续截面加工观察工序开始起的经过时间来估计电子束的强度，从而对在所述截面像取得工序中取得的所述截面像的画质进行校正，其中，所述强度信息作为示出所述电子束镜筒照射的电子束的强度与所述经过时间的关系的信息而被存储于存储部。
7.一种形状测定方法，使用权利要求1所述的截面加工观察装置来测定试样内的构造物的形状，其中，
所述形状测定方法具有以下工序：
使试样台在与所述离子束和所述电子束垂直的方向上移动，将所述试样配置于照射所述离子束和所述电子束的位置；
截面加工观察工序，其重复进行截面露出工序和截面像取得工序，在所述截面露出工序中，向所述试样照射所述聚焦离子束而形成所述构造物露出的截面，在所述截面像取得工序中，从与所述截面垂直的方向向该截面照射电子束而取得所述截面的观察像；以及
测定工序，根据所述截面像来测定所述构造物的形状。
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