JP6291199B2 - 検査装置および検査用画像データの生成方法 - Google Patents
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Description
図1および図2は、本発明の検査装置の一実施例としての半導体検査装置(以下、単に検査装置とも呼ぶ)5の概略構成を示す。図1は、検査装置5の概略立面図(図2のA−A矢視)であり、図2は、検査装置5の概略平面図(図1のB−B矢視)である。検査装置5は、検査対象の表面に形成されたパターンの欠陥、検査対象の表面上の異物の存在等を検査する装置である。検査対象としては、半導体ウエハ、露光用マスク、EUVマスク、ナノインプリント用マスク(およびテンプレート)、光学素子用基板、光回路用基板等を例示できる。異物としては、パーティクル、洗浄残物(有機物)、表面での反応生成物等を例示できる。かかる異物は、例えば、絶縁物、導電物、半導体材料、または、これらの複合体などからなる。以下では、検査装置5によって半導体ウエハ(以下、単にウエハWとも呼ぶ)を検査するものとして説明する。ウエハの検査は、半導体製造工程においてウエハの処理プロセスが行われた後、または、処理プロセスの途中で行われる。例えば、検査は、成膜工程、CMPまたはイオン注入を受けたウエハ、表面に配線パターンが形成されたウエハ、配線パターンが未だに形成されていないウエハなどを対象として行われる。
るローダハウジング40内のウエハラック41に受け渡す。
もよい。
73cを通過することによって二次荷電粒子が集められ、アライナ64によって整えられる。NAアパーチャ73bは、二次系の透過率・収差を規定する役割を有している。
量は、その他の領域から得られた二次荷電粒子の量よりも大幅に多くなるからである。つまり、異物が存在する領域は、異物が存在しない領域と比べて、輝度が高い領域として撮像される。ただし、電子源90から照射される電子ビームのエミッション電流が変動すると、二次荷電粒子の量も変動するので、TDIセンサ75によって得られる輝度データには、異物の存在の有無に依存しない輝度ムラが生じることになる。
IV1=K×IV0・・・(1)
K=A0/An・・・(2)
B−1.変形例1:
実エミッション電流値Anは、TDIセンサ75がY方向の段数分だけ二次荷電粒子の量を積算する期間Tnよりも短い期間においてエミッション電流計96によって検出されたエミッション電流値の特徴量(例えば平均値)としてもよい。例えば、TDIセンサ75のY方向の段数が2048である場合には、実エミッション電流値Anは、二次荷電粒子の量を2000段分だけ積算する期間におけるエミッション電流値の平均値としてもよい。かかる構成によれば、補正処理の精度に大きな影響を与えることなく、画像データの生成速度を高めることができる。
二次荷電粒子の量を検出する撮像手段は、TDIセンサ75に限らず、任意の撮像手段、例えば、EB(Electron Bombardment)−CCD、I(Intensified)−CCDなどであってもよい。
補正処理に使用する補正式は、上述の例に限られない。例えば、補正係数Kは、実エミッション電流値Anと目標値A0とを変数とする任意の関数としてもよい。この場合、関
数は、エミッション電流値と二次荷電粒子の量との相関関係を実験的に把握し、設定してもよい。もとより、補正処理は、必ずしも目標値A0を使用して行う必要はなく、エミッション電流値の変動に起因する画像データへの影響、すなわち、輝度値の変動が緩和されるように、実エミッション電流値Anのみに基づいて行われてもよい。例えば、画像データの各画素ごとの(あるいは、撮像結果における各画素データごとの)、二次荷電粒子の検出過程で検出されたエミッション電流値の各々から、当該電流値の平均値Aavを算出し、次式(3)によって、補正係数Kを算出してもよい。かかる構成としても、エミッション電流値の変動が均されるので、画像データの輝度ムラの発生を抑制できる。
K=Aav/An・・・(3)
10…カセットホルダ
20…ミニエンバイロメント装置
21…ミニエンバイロメント空間
22…ハウジング
23…気体循環装置
24…排出装置
25…プリアライナ
27…シャッタ装置
30…主ハウジング
40…ローダハウジング
41…ウエハラック
50…ステージ装置
51…固定テーブル
52…Yテーブル
53…Xテーブル
54…回転テーブル
55…ホルダ
56,57…サーボモータ
58…位置センサ
61,62…搬送ユニット
64…アライナ
70…電子光学装置
72…一次光学系
72a,72d,72f,72h,72i…レンズ
72b,72c,72g…アパーチャ
72e…E×Bフィルタ
73…二次光学系
73a,73c…レンズ
73b…NAアパーチャ
73d…アライナ
75…TDIセンサ
80…画像処理装置
81…補正部
82…画像データ生成部
83…平均算出部
84…除算部
85…乗算部
89…制御部
90…電子源
91…ウェネルト
92…フィラメント
93…電源装置
94…加速電源
95…ウェネルト電源
96…エミッション電流計
97…ヒート電流源
98…フィラメント電流計
99…フィードバック制御部
W…ウエハ
C…カセット
Claims (7)
- 検査装置であって、
荷電粒子をビームとして照射する電子源を有する1次光学系と、
前記電子源から照射される前記ビームのエミッション電流値を検出する電流検出部と、
前記ビームの検査対象への照射によって得られる二次荷電粒子の量を検出する撮像素子を有する撮像部と、
前記撮像部の撮像結果に基づいて、画像データを生成する画像データ生成部と、
前記撮像結果または前記画像データを、前記検出されたエミッション電流値に基づいて補正する補正部と
を備え、
前記補正部は、
前記二次荷電粒子の量を検出した際の前記エミッション電流に基づいて、前記撮像結果または前記画像データを補正し、
前記エミッション電流値について予め定められた目標値と、前記検出されたエミッション電流値と、に基づいて、前記補正を行う
検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置であって、
前記補正部は、前記検出されたエミッション電流値が前記目標値よりも小さい場合に、前記撮像結果または前記画像データが表す輝度値を大きくする補正を行う
検査装置。 - 請求項1または請求項2に記載の検査装置であって、
前記補正部は、前記検出されたエミッション電流値が前記目標値よりも大きい場合に、前記撮像結果または前記画像データが表す輝度値を小さくする補正を行う
検査装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の検査装置であって、
さらに、前記検出されたエミッション電流値に基づいて、該エミッション電流値の変動が抑制されるようにフィードバック制御を行うフィードバック制御部を備えた
検査装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の検査装置であって、
さらに、前記検査対象を保持可能な移動部であって、前記検査対象を、前記1次光学系による前記ビームの照射位置上で所定の方向に移動させる移動部を備え、
前記撮像部は、前記撮像素子が前記所定の方向に所定の段数だけ配列されたTDIセンサであって、前記移動部を前記所定の方向に移動させながら行われる前記ビームの前記検査対象への照射によって得られる前記二次荷電粒子の量を時間遅延積分方式によって前記所定の方向に沿って積算するTDIセンサを備えた
検査装置。 - 請求項5に記載の検査装置であって、
前記補正部は、前記TDIセンサが前記所定の段数分だけ前記二次荷電粒子の量を積算する積算期間の間に前記電流検出部によって検出された前記エミッション電流値の平均値に基づいて、前記積算期間の間に積算された前記二次荷電粒子の量に対応する前記撮像結果または前記画像データを補正する
検査装置。 - 検査用画像データの生成方法であって、
電子源から検査対象に荷電粒子をビームとして照射する工程と、
前記電子源から照射される前記ビームのエミッション電流値を検出する工程と、
ビームの検査対象への照射によって得られる二次荷電粒子の量を検出する工程と、
前記二次荷電粒子の量の検出結果に基づいて画像データを生成する工程と、
前記二次荷電粒子の量の検出結果、または、前記画像データを、前記検出されたエミッション電流値に基づいて補正する工程と
を備え、
前記補正する工程は、
前記二次荷電粒子の量を検出した際の前記エミッション電流に基づいて、前記撮像結果または前記画像データを補正し、
前記エミッション電流値について予め定められた目標値と、前記検出されたエミッション電流値と、に基づいて、前記補正を行う
検査用画像データの生成方法。
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