JP2012109477A - 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体5を移動させながら、切り替え部により電流検出部17aに対して最初に入射する第1電子ビームB1の照射をONとしたときの信号出力を検出し、次に、第1電子ビームB1の照射をOFFとし、第1電子ビームB1の隣に位置し、第1電子ビームB1の次に入射する第2電子ビームB2の照射をONとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。
【選択図】図3
Description
まず、本発明の第1実施形態に係る電子ビーム描画装置(以下、単に「描画装置」と表記する)について説明する。以下、各実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビームを偏向させ、電子ビームの照射のON/OFFを個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板(被露光基板)の所定の位置に描画するマルチビーム方式を採用するものとする。図1は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。また、以下の図においては、被処理基板に対する電子ビームの照射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。この描画装置1は、電子銃2と、該電子銃2のクロスオーバ3から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系4と、被処理基板を保持する基板ステージ5と、描画装置1の各構成要素の動作などを制御する制御部6とを備える。なお、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また、高電圧による放電を防止する意味もかねて、上記構成要素は、不図示の真空チャンバ内に設置され、特に電子銃2および光学系4の設置空間は、高い真空度に保たれている。また、本実施形態における被処理基板7は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
(1)計測結果MAが第1閾値TA1以下のときは、ブランキング偏向器13における第1ビームB1の開口(切り替え部)は、「グレー欠陥」、または「黒欠陥」である。
(2)計測結果MAが第1閾値TA1と第2閾値TA2との間にあるときは、第1ビームB1の開口は、「正常」、または「白欠陥」である。
(3)計測結果MAが条件(2)にあり、かつ、計測結果MBが第1閾値TA1と第2閾値TA2との間にある、または、第1閾値TA1以下のときは、第1ビームB1の開口は、「正常」である。
(4)計測結果MAが条件(2)にあり、かつ、計測結果MBが第2閾値TA2以上のときは、第1ビームB1の開口は、「白欠陥」である。
(5)計測結果MBが第1閾値TA1以下のときは、第2ビームB2の開口は、「グレー欠陥」、または「黒欠陥」である。
(6)計測結果MBが第1閾値TA1以上のときは、第2ビームB2の開口は、「正常」、または「白欠陥」である。なお、第1ビームB1の開口が「白欠陥」の場合には、計測結果MBは、必然的に第1閾値TA1以上となる。
(7)計測結果MBが条件(6)にあり、かつ、計測結果MC(第2ビームB2の次の位置する第3ビームB3に係る信号出力)が第1閾値TA1と第2閾値TA2との間にある、または、第1閾値TA1以下のときは、第2ビームB2の開口は、「正常」である。
(8)計測結果MBが条件(6)にあり、かつ、計測結果MCが第2閾値TA2以上のときは、第2ビームB2の開口は、「白欠陥」である。
T1=(T×2+TS)×n (1)
これに対して、本実施形態の描画装置1では、同時に2本の電子ビームを入射可能な幅を持つ電子ビーム検出部17を用いて隣り合う電子ビームの照射を交互にON/OFFさせることで、照射量計測および欠陥検出を実行する。すなわち、描画装置1は、第nビームBnの照射量計測および黒欠陥検出と、第n+1ビームBn+1の白欠陥検出とを同時に実行することができる。このとき、全ての照射量計測および欠陥検出を実行するのに要する総計測時間T2は、以下の式(2)で表される。
T2=(T+Ts)×n+(T+Ts) (2)
したがって、描画装置1による総計測時間T2は、式(1)−式(2)から、従来の総計測時間T1と比較して、T×n−(T+Ts)分の時間を短縮することができ、特に電子ビームの総本数nが多い場合には、より多くの効果が期待される。
次に、本発明の第2実施形態に係る描画装置について説明する。なお、本実施形態の描画装置の構成は、上記第1実施形態と同一であり、以下、描画装置1の各構成要素と同一の符号を付し、説明を省略する。通常、上述のようなブランキング偏向器13の欠陥は、ON/OFFが正常に実施される開口を有する複数の電子ビームに対して、あるビーム群としての欠陥、例えば、隣り合う電子ビーム同士が、それぞれ白欠陥または黒欠陥となっている場合が多い。この場合、制御部6は、第1実施形態に示す欠陥の検出を、欠陥の種類を問わず正確に実施することができる。これに対して、ブランキング偏向器13の複数の開口において、まれに白欠陥と黒欠陥とが交互に発生している場合も考えられる。そこで、本実施形態の描画装置は、このような白欠陥と黒欠陥とが交互に発生する可能性がある場合に対応可能とする欠陥検出を実施する。
次に、本発明の第3実施形態に係る描画装置について説明する。従来のマルチビーム方式の描画装置では、電子ビームの行路上に、ある電子ビームを選択的に通過させるための開口部を有する可動式シャッターを備えるものがある。この描画装置では、可動式シャッターの開口部を選択的に通過させた正常な電子ビームだけを用いることで、可能な限り描画処理速度の低下を抑えることができる。すなわち、異常な電子ビームの検出単位としてアプリケーションにより1本を確定するのではなく、一定の本数を単位としたブロック(群)内に存在する異常な電子ビームを検出するよう変更可能とすることも有効である。そこで、本実施形態の描画装置は、複数の電子ビームを含むビーム群を同時に照射し、欠陥検出を実施する。
次に、本発明の第4実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の描画装置の特徴は、制御部6が、電子ビームの照射量計測を積分器の出力により実行し、一方、ブランキング偏向器13の欠陥検出を電流−電圧変換器の出力により実行する点にある。特に、本実施形態における信号処理回路30からの信号出力31は、電流−電圧変換器出力である。図7は、第1実施形態に係る図3に対応した、本実施形態に係るブランキング偏向器13の欠陥を検査する方法を時系列で示す説明図である。この場合、制御部6は、図3を用いて説明した第1実施形態と同様のシーケンスを実行する。このシーケンスにおいて、第1ビームB1を駆動する開口が正常である場合には、計測結果MAは、第1閾値TA1と第2閾値TA2との間にあり、かつ、区間I1では、シーケンス上、電子ビームがOFFとなるので、計測結果MA1はゼロである。一方、計測結果MBは、第1閾値TA1と第2閾値TA2との間にあり、この計測結果MBの値は、区間I2での計測結果MB1と同じ値になっている。また、計測結果MCが第2閾値TA2以上であることも考慮すると、欠陥判定部34は、第2ビームB1が「白欠陥」である判定することができる。同様に、計測結果MEが第1閾値TA1以下であることから、欠陥判定部34は、第5ビームB5が「黒欠陥」である判定することができる。
次に、本発明の第5実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の特徴は、上記実施形態の電子ビーム検出部17における電流検出部17aおよび遮光部17bの形状を変更する点にある。図9は、上記実施形態に係る図2に対応した、本実施形態に係る電子ビーム検出部の構成、および設置位置を示す図である。特に、図9(a)は、基板ステージ5上に設置された電子ビーム検出部40が、電流検出部40aを複数設置する場合の図である。例えば、図9(a)では、基板ステージ5の進行方向(X方向)に対して2列で、かつ、Y方向に対して4列の計8つの電流検出部40aを配置している。この場合も、上記実施形態と同様に、遮光部40bにより各電流検出部40aに入射する電子ビームの数を規定している。これに対して、図9(b)は、基板ステージ5の進行方向に対して電流検出部50aを2列配置した電子ビーム検出部50を示す図である。さらに、図9(c)は、Y方向に対して電流検出部60aを4列配置した電子ビーム検出部60を示す図である。本実施形態の描画装置は、上記電子ビーム検出部における複数の電流検出部のそれぞれに対応した信号処理回路を有し、制御部6は、上記実施形態のような処理を並列に実行する。これにより、本実施形態の描画装置は、ブランキング偏向器13の欠陥の位置、および種類をより高速に検出することができる。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
5 基板ステージ
7 被処理基板
13 ブランキング偏向器アレイ
17a 電流検出部
17b 遮光部
31 信号出力
33 信号検出部
34 欠陥判定部
Claims (13)
- 被処理基板に対して複数の電子ビームにより描画データを描画する電子ビーム描画装置であって、
前記被処理基板を載置し、前記電子ビームの照射位置に対して移動可能な移動体と、
前記移動体に搭載され、前記複数の電子ビームのうち少なくとも隣り合う2つの前記電子ビームを同時に入射可能として、前記電子ビームの電流値を検出する電流検出部と、
前記被処理基板または前記電流検出部にある照射領域に応じて、前記電子ビームの照射のON/OFFを切り替える切り替え部と、
前記移動体または前記切り替え部の動作の制御、および前記電流検出部からの信号出力に基づく処理を実行する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記移動体を移動させながら、前記切り替え部により前記電流検出部に対して最初に入射する第1電子ビームの照射をONとしたときの前記信号出力を検出し、次に、前記第1電子ビームの照射をOFFとし、該第1電子ビームの隣に位置し、該第1電子ビームの次に入射する第2電子ビームの照射をONとしたときの前記信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、
前記信号検出部が検出した前記信号出力に基づいて、前記切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、
を含むことを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記欠陥の状態は、前記電子ビームの照射のOFFができない状態となる白欠陥、前記電子ビームの照射のONができない状態となる黒欠陥、または、不完全でしか前記電子ビームの照射のONができない状態となるグレー欠陥のいずれかの状態である、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記信号検出部は、積分器からなる信号処理回路を介して前記電流検出部から前記信号出力を検出する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記欠陥判定部は、前記信号出力に対して、予め下限値である第1閾値と、上限値である第2閾値とを設定し、
(1)前記第1電子ビームに関する前記信号出力の計測結果MAが前記第1閾値より以下のとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、グレー欠陥、または黒欠陥である、
(2)前記計測結果MAが前記第1閾値と前記第2閾値との間にあるとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、正常、または白欠陥である、
(3)前記計測結果MAが条件(2)にあり、かつ、前記第2電子ビームに関する計測結果MBが前記第1閾値と前記第2閾値との間にある、または前記第1閾値より以下のとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、正常である、
(4)前記計測結果MAが条件(2)にあり、かつ、前記計測結果MBが前記第2閾値より以上のとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、白欠陥である、
(5)前記計測結果MBが前記第1閾値より以下のとき、前記第2電子ビームの切り替え部は、グレー欠陥、または黒欠陥である、
(6)前記計測結果MBが前記第1閾値より以上のとき、前記第2電子ビームの切り替え部は、正常、または白欠陥である、
(7)前記計測結果MBが条件(6)にあり、かつ、前記第2電子ビームに隣り合い、前記第2電子ビームの次に照射される第3電子ビームに関する計測結果MCが前記第1閾値と前記第2閾値との間にある、または前記第1閾値より以下のとき、前記第2電子ビームの切り替え部は、正常である、または、
(8)前記計測結果MBが条件(6)にあり、かつ、前記計測結果MCが前記第2閾値より以上のときは、前記第2電子ビームの切り替え部は、白欠陥である、
との各条件(1)〜(8)を考慮した判定を繰り返し実行する、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、前記第1電子ビームの照射をONからOFFに切り替えたときから前記第2電子ビームの照射をONとするまでの間に、一定の区間を設定し、
前記欠陥判定部は、前記判定に加え、前記区間における照射量の計測結果MA1がゼロであるか否かを参照して、前記第2電子ビームの切り替え部の欠陥の判定を実行する、
ことを特徴とする請求項4に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記信号検出部は、電流−電圧変換器からなる信号処理回路を介して前記電流検出部から前記信号出力を検出する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、前記第1電子ビームの照射をONからOFFに切り替えたときから前記第2電子ビームの照射をONとするまでの間に、一定の区間を設定し、
前記欠陥判定部は、前記信号出力に対して、予め下限値である第1閾値と、上限値である第2閾値とを設定し、前記第1電子ビームと隣り合う前の電子ビームの切り替え部が正常である場合に、
(1)前記第1電子ビームに関する前記信号出力の計測結果MAが前記第1閾値と前記第2閾値との間にあり、かつ、前記区間における前記信号出力の計測結果MA1がゼロであるとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、正常である、
(2)前記計測結果MAが前記第1閾値と前記第2閾値との間にあり、かつ、前記計測結果MA1が前記計測結果MAと同じ値であり、また、前記第2電子ビームに関する前記信号出力の計測結果MBが前記第2閾値より以上のとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、白欠陥である、
(3)前記計測結果MAが前記第1閾値より以下のとき、前記第1電子ビームの切り替え部は、黒欠陥である、または、
(4)前記計測結果MA1がゼロ以上で、かつ、計測結果MBが前記第1閾値と前記第2閾値との間にあるとき、前記第1電子ビームの切り替え部が白欠陥で、前記第2電子ビームの切り替え部が黒欠陥であるような、白欠陥と黒欠陥とが交互に発生する状態である、
との各条件(1)〜(4)を考慮した判定を繰り返し実行する、
ことを特徴とする請求項1、2または6に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記切り替え部が、前記複数の電子ビームのうち一定の本数の電子ビームを単位とした複数のビーム群の照射のON/OFFを切り替えるように、および、
前記電流検出部が、前記複数のビーム群のうち少なくとも隣り合う2つの前記ビーム群を同時に入射可能として、前記ビーム群の電流値を検出するように、変更可能である、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、第1ビーム群の照射をONからOFFに切り替えたときから第2ビーム群の照射をONとするまでの間に、一定の区間を設定し、
前記欠陥判定部は、前記信号出力に対して、予め下限値である第1閾値と、上限値である第2閾値とを設定し、
(1)前記第1ビーム群と隣り合う前の電子ビームの切り替え部が正常であり、かつ、前記区間における前記第1ビーム群に関する前記信号出力の計測結果MA1がゼロでないとき、前記第1ビーム群の切り替え部には白欠陥が存在し、
(2)前記第1ビーム群の切り替え部に白欠陥が存在し、かつ、前記第2ビーム群に関する計測結果MBが前記第1閾値と前記第2閾値との間にあるとき、前記第1ビーム群の切り替え部には黒欠陥が存在する、
との各条件(1)および(2)を考慮した判定を繰り返し実行する、
ことを特徴とする請求項1〜3、または8に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記電流検出部に入射する前記電子ビームの本数は、前記電流検出部の周囲に設置された遮光部により規定される、
ことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。 - 前記電流検出部は、前記移動体の進行方向を基準として並列に、複数設置される、
ことを特徴とする請求項10に記載の電子ビーム描画装置。 - ブランキング偏向器アレイを有し、前記ブランキング偏向器アレイを通過した複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線のうち隣り合う2つの荷電粒子線を同時に検出可能な大きさを有し、入射した荷電粒子線の強度を検出する検出器と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、移動する前記検出器上において、隣り合う2つの荷電粒子線の一方がブランキング状態にされ他方が非ブランキング状態にされるように、かつ、各荷電粒子線がブランキング状態と非ブランキング状態とに順次されるように、前記検出器の位置と前記ブランキング偏向器アレイとの制御を行い、該制御と並行して前記検出器に出力を行わせて、該出力に基づいて前記ブランキング偏向器アレイ中の各ブランキング偏向器の欠陥を検査する、
ことを特徴とする描画装置。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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