CN111048227A - 一种电子束辐照装置和设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种电子束辐照装置和设备,所述装置包括:电子束产生单元、电子束控制单元、辐照腔室、二次电子收集器以及信号处理单元,所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室相对,所述电子束控制单元设置在所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室之间,所述二次电子收集器设置在所述辐照腔室内,所述信号处理单元与所述二次电子收集器以及所述电子束控制单元电连接。
Description
技术领域
本申请涉及辐照控制技术领域,具体而言,涉及一种电子束辐照装置和设备。
背景技术
目前工业中得到广泛使用的装置是用电子加速器来模拟高能电子束源,然后通过电子束对物品进行消毒、对材料进行改性等。随着电子束成像和航空航天技术的发展,许多电子束探测设备如医疗CT和工业无损检测设备、航空航天飞行器等在辐照环境下工作的电路需要有一定的抗辐照强度,因此需要对样品实现指定区域、指定面积进行固定电子束能量和强度的电子束模拟辐照。
但目前的电子辐照加速器由于应用场景的需求限制,存在着辐照区域可调整性差,难以实现对样品的指定区域、指定面积进行辐照的问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种电子束辐照装置和设备,用以解决目前的电子辐照加速器由于应用场景的需求限制,存在的辐照区域可调整性差,难以实现对样品的指定区域、指定面积进行辐照的问题。
第一方面,本发明实施例提供一种电子束辐照装置,所述装置包括:电子束产生单元、电子束控制单元、辐照腔室、二次电子收集器以及信号处理单元,所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室相对,所述电子束控制单元设置在所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室之间,所述二次电子收集器设置在所述辐照腔室内,所述信号处理单元与所述二次电子收集器以及所述电子束控制单元电连接;所述信号处理单元,用于根据预设的样品目标辐照区域调节所述电子束控制单元的方向控制区域的电子束聚焦程度和电子束辐照方向;所述电子束产生单元,用于产生电子束,并将产生的电子束发射给所述电子束控制单元的方向控制区域;所述电子束控制单元,用于根据调节的聚焦程度对所述电子束进行聚焦形成电子束,并根据调节的辐照方向对辐照腔室内部样品的目标辐照区域进行辐照;所述二次电子收集器,用于收集所述电子束与所述样品相互作用产生的二次电子,并将收集的二次电子传输给所述信号处理单元;所述信号处理单元,还用于根据所述二次电子收集器收集的二次电子生成二次电子图像;并根据所述二次电子图像确定样品的目标辐照区域。
在上述设计的电子束辐照装置中,通过信号处理单元基于目标辐照区域的面积来控制电子束的聚焦程度,根据目标辐照区域的位置移动样品台(粗调)和控制电子束的辐照方向(微调),解决了目前的电子辐照加速器由于应用场景的需求限制,存在的辐照区域可调整性差,难以实现对样品的指定区域、指定面积进行辐照的问题,进而达到能够精确控制电子束对样品的指定区域和面积进行准确辐照的效果,同时,通过二次电子成像,使得用户可以直接选择样品的目标辐照区域,可对辐照结果进行更加直观的观察,提高了电子束辐照的精准性和可靠性。
在第一方面的可选实施方式中,所述装置还包括法拉第杯和电流表,所述电子束产生单元包括发射源和电子加速器,所述发射源的电子输出端和所述电子加速器的加速区域相对,所述电子加速器的加速区域和所述辐照腔室相对,所述电子束控制单元设置在所述电子加速器的加速区域和所述辐照腔室之间,所述法拉第杯设置在所述辐照腔室内部,所述电流表与所述法拉第杯电连接;所述信号处理单元,用于根据电流表测得的法拉第杯的信号大小调节所述电子束产生单元(β电子束)束流;所述发射源,用于产生电子,并将产生的电子发射给所述电子加速器的加速区域;所述电子加速器,用于在所述加速区域根据加速电压对所述发射源发射的电子进行加速,形成电子束,并将形成的电子束发射给所述电子束控制单元的;所述电子束控制单元,还用于根据调节的电子束聚焦程度对所述电子束进行聚焦,并根据调节的电子束辐照方向对所述法拉第杯或样品的目标辐照区域进行辐照;所述法拉第杯,用于将进入所述法拉第杯内的电子束转换成电流;所述电流表,用于测量所述法拉第杯转换成的电流的大小。
在上述设计的实施方式中,通过法拉第杯和电流表的设置,使得电子束的束流强度能够得到准确测量,并且基于准确测量可以对电子束的束流强度进行精确误差校准,使得在对样品进行电子束辐照时的束流强度能够得到精确控制。
在第一方面的可选实施方式中,所述电子源包括灯丝,所述灯丝用于根据不同的电流强度产生不同强度的电子。
在第一方面的可选实施方式中,所述灯丝为钨灯丝或者CeB6灯丝或者其他场发射灯丝。
在第一方面的可选实施方式中,所述电子加速器的加速电压区间为0至100kV。
在上述设计的三种实施方式中,通过灯丝作为发射源灯丝,可调电压为电子加速器的加速电压和灯丝的电流强度,使得对后续形成的电子束的能量和强度都能够可调,进而满足不同能量和强度的电子束源的模拟需求。
在第一方面的可选实施方式中,所述装置还包括测试平台,所述测试平台包括第一夹具和第二夹具,所述测试平台设置在所述辐照腔室内;所述第一夹具,用于固定所述样品;所述第二夹具,用于固定所述法拉第杯;以使所述样品和所述法拉第杯的高度一致。
在上述设计的实施方式中,通过测试平台中的夹具将样品和法拉第杯的高度保持一致,使得后续对样品的电子束束流强度的校准更加准确。
在第一方面的可选实施方式中,所述辐照腔室还包括外部接口,所述外部接口,用于与辐照腔室内的光电器件连接后测试所述样品的光电性能。
在第一方面的可选实施方式中,所述辐照腔室内部为真空状态。
在上述设计的实施方式中,真空状态的辐照腔室相对于常规空气状态能够减少电子在运动过程中的损耗,进而使得测试数据更加准确。
在第一方面的可选实施方式中,所述电子束控制单元包括电磁透镜。
第二方面,本发明实施例提供一种电子束辐照设备,所述设备包括如前述第一方面中任一可选实施方式中的电子束辐照装置以及光电器件,所述光电器件设置在所述辐照腔室内,所述光电器件用于测试所述样品的电学和光学性能。
在上述设计的电子束辐照设备中,实现了对不同能量和强度的低能电子束的高精度模拟,实现了电子束强度的高精度控制,通过对样品指定区域和面积内进行电子辐照的精确控制,可以用于电子束辐照的精准模拟以及辐照样品的光学电学性能等多功能测试;相比此前的测试平台,实现了重大创新,符合了科技发展潮流,弥补了巨大的空白。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请第一实施例提供的电子束辐照装置第一结构示意图;
图2为本申请第一实施例提供的电磁透镜结构示意图;
图3为本申请第一实施例提供的电子束辐照装置第二结构示意图。
图标:10-电子束产生单元;101-发射源;102-电子加速器;20-电子束控制单元;201-电磁透镜;2011-聚光镜;2012-物镜;2013-中间镜;2014-投射镜;30-辐照腔室;40-二次电子收集器;50-信号处理单元;60-法拉第杯;70-电流表;80-测试平台;801-第一夹具;802-第二夹具。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。
第一实施例
如图1所示,本申请提供一种电子束辐照装置,该装置包括:电子束产生单元10,电子束控制单元20,辐照腔室30,二次电子收集器40,信号处理单元50,该电子束产生单元10的电子束输出端与辐照腔室30相对,电子束控制单元20设置在电子束产生单元10的电子束输出端与辐照腔室30之间,二次电子收集器40设置在辐照腔室30内,信号处理单元50与二次电子收集器40以及电子束控制单元20电连接。
上述设计的电子束辐照装置在刚开始运行时,电子束产生单元10产生电子束,电子束通过电子束控制单元20达到样品,电子束与样品冲击产生二次电子,产生的二次电子被二次电子收集器40收集,将收集的二次电子信号传输给信号处理单元50,形成二次电子图像,二次电子图像区域即为电子束辐照到的区域。因此,可在二次电子图像的引导下,通过移动样品台、调节电子束控制单元20的电子束聚焦程度和偏移方向,对目标区域进行可视化选择和辐照。其中,二次电子是电子束作用在样品目标辐照区域被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子;目标辐照区域的面积调节主要通过调整二次电子图像放大倍数,即调节电子束的聚焦程度来改变;目标辐照区域的位置选择主要通过移动样品台和改变电子束偏移方向来实现,移动样品台为粗调阶段,可为人工来移动样品台。
在上述方案中,该电子束产生单元10产生的电子束可为β电子束;该预设的目标辐照区域可以根据用户需求提前在信号处理单元上根据样品需要辐照的区域进行调节设置,具体可为用户选择样品表面辐照区域的不同图像放大倍数,该放大倍数显示的图像即为需要辐照的样品目标辐照区域,进而对其进行控制达到对样品指定区域以及指定面积进行辐照的效果;该样品可以在进行试验前预先设置在辐照腔室30内部,该样品可为集成电路芯片或晶体管等分立电子元器件,或者一些精密设备的工作电路板等其他类型的测试样品,当样品为精密设备的工作电路板时其具体可为医疗CT和工业无损检测设备的工作电路板等;该信号处理单元50可具有显示系统,显示系统接收二次电子收集器40传输过来的电子信号,进而对电子信号进行信号处理后在显示系统上显示该样品目标辐照区域的扫描图像,进而使得研究人员能够及时根据扫描图像对样品的目标测试区域进行选择。另外该信号处理单元50从图中可以看出为设置在辐照腔室30外部,方便工作人员对其进行设置。
在上述设计的电子束辐照装置中,通过信号处理单元基于目标辐照区域的面积来控制电子束的聚焦程度,根据目标辐照区域的位置移动样品台(粗调)和控制电子束的辐照方向(微调),解决了目前的电子辐照加速器由于应用场景的需求限制,存在的辐照区域可调整性差,难以实现对样品的指定区域、指定面积进行辐照的问题,进而达到能够精确控制电子束对样品的指定区域和面积进行准确辐照的效果,同时,通过二次电子成像,使得用户可以直接选择样品的目标辐照区域,可对辐照结果进行更加直观的观察,提高了电子束辐照的精准性和可靠性。
在本实施例的可选实施方式中,前述已经陈述到信号处理单元50接收二次电子收集器40发送的电子信号,进而对电子信号进行处理后形成样品辐照区域的扫描图像。在此之前,二次电子收集器40收集二次电子进而形成电子信号的过程具体如下:该二次电子收集器40包括聚焦极、加速极、闪烁体、光导管以及光电倍增管,在闪烁体前面装一筒装聚焦极,在聚焦极前端设置栅网,在聚焦极上加上适当的正电压,二次电子此时被电压吸引,然后被带有一定正电压的加速极加速,穿过网眼打在加速极的闪烁体上,产生光信号,经光导管输送到光电倍增管,光信号转换为电子信号,进而形成电子信号。
由于二次电子收集器40与信号处理单元50电连接,通过连接的导线将电子信号传输给信号处理单元50的显示系统,进而显示出二次电子像也就是样品目标区域扫描图像。其中,在聚焦极上施加的电压可为250至300V,在加速极上施加的电压强度可为10kV。
在本实施例的可选实施方式中,如图2所示,电子束控制单元20包括电磁透镜201,该电磁透镜201中包含了多个层级的聚光镜2011,多个层级的聚光镜2011设置在发射源101的下方,例如有两个层级的聚光镜2011包括第一层和第二层,其中,第一层和第二层的结构相似,但极靴形状和工作电流不同,第一层聚光镜为强磁场透镜,第二层聚光镜为弱磁场透镜,两级聚光镜结合使用,聚光镜的工作原理是通过改变聚光镜线圈中的电流来达到改变透镜所形成的磁场强度变化,进而使得电子束的汇聚点上下移动;该电磁透镜201中还包含了物镜2012、中间镜2013和投射镜2014(投影镜),物镜2012设置在最后一层级聚光镜2011的下方,在物镜2012下方依次设置有中间镜2013和第一投影镜和第二投影镜,共同完成对物镜成像的放大,该物镜2012是一块强磁透镜,可以改变物镜的工作电流,进而起到调节焦距的作用。基于具有前述结构的电磁透镜201,前述所说的,信号处理单元50控制电子束控制单元20的电子束聚焦程度和电子束辐照方向,具体可以是信号处理单元50通过调节聚光镜2011以及物镜2012的工作电流,使得聚光镜2011以及物镜2012产生的磁场强度不同,进而调节电子束的辐照方向以及聚焦程度。另外,当电子束控制单元20为电磁透镜201时,电磁透镜201的电子束输出端与辐照腔室处于同一密闭空间,通过电磁透镜201的电子束输出端能够将电子束辐照在辐照腔室30底部的任一区域,具体的,辐照腔室30可为具有开口的腔室,该开口与电磁透镜201的输出端相对,该电磁透镜201输出的电子束通过该开口辐照到辐照腔室30内部,该辐照腔室30的开口大小可根据经验设置,使得电子束可以辐照在腔室底部的任意位置。
在本实施例的可选实施方式中,如图3所示,该装置还包括法拉第杯60和电流表70,该电子束产生单元10包括发射源101和电子加速器102,发射源101的电子输出端和电子加速器102的加速区域相对,电子加速器102的加速区域和电子束控制单元20的方向控制区域相对,法拉第杯60设置在辐照腔室30内部,电流表70设置在辐照腔室30外部并与法拉第杯60电连接。
在上述设计的电子束辐照装置运行时,信号处理单元50根据用户设置的辐照区域的电子束强度和能量来调节电子束控制单元的电子束聚焦程度和电子束的辐照方向,在此之后,发射源101产生电子,并将产生的电子发射给电子加速器102的电子加速区域,电子加速器102在电子加速区域根据加速电压对发射源101发射过来的电子进行加速,形成电子束;形成的电子束通过电子加速器102发射给电子束控制单元20的方向控制区域,电子束控制单元20在方向控制区域根据该信号处理单元50调节的电子束聚焦程度和电子束辐照方向形成电子束,进而对该法拉第杯60进行辐照;法拉第杯60将进入杯内的电子转换成电流,进而通过与法拉第杯60连接的电流表70对转换的电流进行测量,测量出法拉第杯60杯中的电流大小,由此,可以测得每秒通过法拉第杯60的电子数量,即电子束流强度,进而可以通过得到的电子束流强度的反馈来调节电子束流强度的大小,使得后续对样品进行辐照的电子束流强度能够达到需要的强度。其中,该法拉第杯60可为内径为500μm的铜制杯,该电流表70可为高精度的皮安电流表,使得对电子束流强度的校准误差可以小于1pA。
在上述设计的实施方式中,通过法拉第杯60和电流表70的设置,使得电子束形成的电子束的束流强度能够得到准确测量,并且基于准确测量可以对电子束的束流强度进行精确误差校准,使得在对样品进行电子束辐照时的束流强度能够得到精确控制。
在本实施例的可选实施方式中,发射源101包括灯丝,该灯丝作为发射源101的电子产生源,当该发射源101为电子枪时,该灯丝为电子枪灯丝,可以通过控制灯丝电流的大小来调整电子枪发射电子的强度,进而调整电子束流的大小;具体地,该灯丝不限于钨灯丝或者CeB6灯丝或者其他场发射灯丝。
在本实施例的可选实施方式中,该电子加速器102附带有加速电压,加速电压可设定为0至100kV,通过加速电压对发射源101发射过来的电子进行加速达到测试所需要的电子能量,调节发射源101的电流来调节测试需要的电子束强度,结合前述实施例所说的灯丝作为发射源101的方式,进而形成可调能量和强度的电子束。
在上述设计的两种实施方式中,通过灯丝作为发射源灯丝,可调灯丝的电流来调节电子束强度,可调电压为电子加速器的加速电压,使得对后续形成的电子束的能量和强度都能够可调,进而满足不同能量和强度的电子束源的模拟需求。
在本实施例的可选实施方式中,该装置还包括测试平台80,测试平台80设置在辐照腔室30内,测试平台80包括第一夹具801和第二夹具802,第一夹具801设置的目的在于固定样品,第二夹具802设置的目的在于固定法拉第杯60,以使样品和法拉第杯60的高度保持一致。
在上述设计的实施方式中通过测试平台中的夹具将样品和法拉第杯的高度保持一致,使得后续对样品的电子束束流强度的校准更加准确。
在测试时每个种类的样品所需要的电子束束流强度都是不同的,为了使得对样品进行辐射时的电子束束流强度满足要求,首先可以先将电子束辐照在与样品的高度一致的法拉第杯60上,进而通过法拉第杯60和电流表70测出每秒通过法拉第杯的电子数量,即电子束流强度,进而判断该电子束流强度是否满足样品所需的电子束流强度,若满足,则将该电子束直接辐照在样品目标区域;若不满足,则通过调节灯丝的电流强度以及加速电压的大小进而改变电子束流强度,使得电子束流强度满足样品所需的电子束流强度之后,再对样品的目标区域进行辐照。其中,上述的判断过程和调节过程可以由信号处理单元50来执行,也可以由用户在观察电子束流强度之后进行操作设置。
当为信号处理单元50来执行时,用户需要提前在信号处理单元处输入样品所需的电子束流强度以及误差阈值,信号处理单元50根据用户设置的电子束流强度自动调节灯丝的电流强度和加速电压的大小,进而产生一定电子束流强度的电子束,此时产生的电子束流强度由于灯丝材料、损耗以及加速电压电源损耗的原因,可能形成的电子束流强度与预设值有偏差,此时信号处理单元50控制电子束控制单元20将形成的电子束辐照在法拉第杯60上,使得电流表70测出此时的电子束流强度,电流表70将测出的电子束流强度反馈给信号处理单元50,信号处理单元50进而判断实际的电子束流强度与用户设置的电子束流强度是否在设置的误差阈值范围内,若是,则表示当前的电子束流强度满足预设的要求;若没有在设置的误差阈值范围内,则继续对灯丝电流强度和加速电压进行调节,以达到误差在设置的误差阈值范围内为止。另外,这里需要说明的是,在进行上述过程之前,信号处理单元50和发射源101、电子加速器102、电子束控制单元20以及电流表70首先进行电连接。
在本实施例的可选实施方式中,该辐照腔室30上包含了外部接口,再次基础上,测试平台80上可设置光电器件,可以测试样品在电子束辐照下产生的光强度,光电器件产生的电信号通过该外部接口传出,进而使得连接的光电器件测试样品的电学和光学性能。该外接接口为电学或光学接口,测试样品的电学性能,比如,对晶体管、集成电路等半导体器件的辐射损伤效应进行检测等;或者样品在电子束辐照下的光学性能。
在本实施例的可选实施方式中,该辐照腔室30可为真空状态的辐照腔室,真空状态的辐照腔室相对于常规空气状态能够减少电子在运动过程中的损耗,进而使得测试数据更加准确。
第二实施例
本申请还提供一种电子束辐照设备,该设备包含了光电器件以及第一实施例中任一可选实施方式中的电子束辐照装置,该光电器件设置在辐照腔室内该光电器件用于测试被辐照样品的电学和光学性能。
由于本实施例中的实施方式与第一实施例中的过程基本一致,在这里不再赘述。
上述设计的电子束辐照设备,实现了对不同能量和强度的低能电子束的高精度模拟,实现了电子束强度的高精度控制,通过对样品指定区域和面积内进行电子辐照的精确控制,可以用于电子束辐照的精准模拟以及辐照样品的光学电学性能等多功能测试;相比此前的测试平台,实现了重大创新,符合了科技发展潮流,弥补了巨大的空白。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个单元单独存在,也可以两个或两个以上单元集成形成一个独立的部分。
在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电子束辐照装置,其特征在于,所述装置包括:电子束产生单元、电子束控制单元、辐照腔室、二次电子收集器以及信号处理单元,所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室相对,所述电子束控制单元设置在所述电子束产生单元的电子束输出端与所述辐照腔室之间,所述二次电子收集器设置在所述辐照腔室内,所述信号处理单元与所述二次电子收集器以及所述电子束控制单元电连接;
所述信号处理单元,用于根据预设的样品目标辐照区域调节所述电子束控制单元的方向控制区域的电子束聚焦程度和电子束辐照方向;
所述电子束产生单元,用于产生电子束,并将产生的电子束发射给所述电子束控制单元的方向控制区域;
所述电子束控制单元,用于根据调节的聚焦程度对所述电子束进行聚焦形成电子束,并根据调节的辐照方向对辐照腔室内部样品的目标辐照区域进行辐照;
所述二次电子收集器,用于收集所述电子束与所述样品相互作用产生的二次电子,并将收集的二次电子传输给所述信号处理单元;
所述信号处理单元,还用于根据所述二次电子收集器收集的二次电子生成二次电子图像;并根据所述二次电子图像确定样品的目标辐照区域。
2.根据权利要求1所述装置,其特征在于,所述装置还包括法拉第杯和电流表,所述电子束产生单元包括发射源和电子加速器,所述发射源的电子输出端和所述电子加速器的加速区域相对,所述电子加速器的加速区域和所述辐照腔室相对,所述电子束控制单元设置在所述电子加速器的加速区域和所述辐照腔室之间,所述法拉第杯设置在所述辐照腔室内部,所述电流表与所述法拉第杯电连接;
所述信号处理单元,用于根据电流表测得的法拉第杯的信号大小调节所述电子束产生单元的束流;
所述发射源,用于产生电子,并将产生的电子发射给所述电子加速器的电子加速区域;
所述电子加速器,用于在所述电子加速区域根据加速电压对所述发射源发射的电子进行加速,形成电子束,并将形成的电子束发射给所述电子束控制单元的方向控制区域;
所述电子束控制单元,还用于根据法拉第杯的辐照区域调节的电子束聚焦程度对所述电子束进行聚焦,并根据法拉第杯的辐照区域调节的电子束辐照方向对所述法拉第杯的辐照区域进行辐照;
所述法拉第杯,用于将进入所述法拉第杯内的电子束转换成电流;
所述电流表,用于测量所述法拉第杯转换成的电流的大小。
3.根据权利要求2所述装置,其特征在于,所述发射源包括灯丝,所述灯丝用于根据不同的电流强度产生不同强度的电子束。
4.根据权利要求3所述装置,其特征在于,所述灯丝为钨灯丝。
5.根据权利要求2所述装置,其特征在于,所述电子加速器的加速电压区间为0至100kV。
6.根据权利要求2所述装置,其特征在于,所述装置还包括测试平台,所述测试平台包括第一夹具和第二夹具,所述测试平台设置在所述辐照腔室内;
所述第一夹具,用于固定所述样品;所述第二夹具,用于固定所述法拉第杯;以使所述样品和所述法拉第杯的高度一致。
7.根据权利要求1所述装置,其特征在于,所述辐照腔室还包括外部接口,用于与辐照腔室内的光电器件连接后测试所述样品的光电性能。
8.根据权利要求1所述装置,其特征在于,所述辐照腔室内部为真空状态。
9.根据权利要求1所述装置,其特征在于,所述电子束控制单元包括电磁透镜。
10.一种电子束辐照设备,其特征在于,所述设备包括光电器件以及权利要求1-9中任意一项所述的电子束辐照装置,所述光电器件设置在所述辐照腔室内,所述光电器件用于测试所述样品的电学和光学性能。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911232400.4A CN111048227A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种电子束辐照装置和设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201911232400.4A CN111048227A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种电子束辐照装置和设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=70234899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911232400.4A Pending CN111048227A (zh) | 2019-12-04 | 2019-12-04 | 一种电子束辐照装置和设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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