CN110199378A - 基板处理装置、基板处理方法以及程序记录介质 - Google Patents
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Abstract
基板处理装置进行基板的刷洗。基板处理装置具有:旋转底座,以可绕旋转轴线旋转的方式设置;旋转底座旋转机构,使所述旋转底座旋转;以及多个第一夹盘销,可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座。所述多个第一夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于使用处理液对处理对象的基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。进而,本发明涉及一种程序记录介质,记录有用于通过基板处理装置执行基板处理的程序。处理对象的基板包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光掩模用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板等各种基板。
背景技术
基板的处理工序之一是通过对基板的表面供给处理液来清洗基板表面的工序。在仅供给处理液的情况下无法充分达到清洗目的时,进行将刷子应用于基板表面来清洗基板表面的刷洗工序。
在一边水平地保持基板一边使基板旋转的基础上进行基板清洗处理的所谓单片式清洗装置中,对基板表面供给处理液后将刷子应用于基板表面,实施利用刷子的清洗处理。
在与水平面平行地保持基板并在一个处理室中逐片进行基板处理的所谓单片式基板处理装置中进行刷洗时,将基板保持于旋转底座(spin base)上后,使基板与旋转底座一体旋转,使刷子抵接于基板,由此进行刷洗。作为将基板保持于旋转底座的方式,有吸引和保持基板的一个主面的吸盘方式,或从基板侧面夹持基板的端部(斜面(bevel)或边缘周边)的边缘固持(edge hold)方式等。专利文献1所例示的吸盘方式可对基板的端部自由地进行刷洗,另一方面,存在以下问题:吸引痕迹残留在基板上,或吸盘与基板接触的部分在吸引时无法清洗等。边缘固持方式与吸盘方式不同,可对基板端部以外的部分进行清洗,因而被广泛地使用。
尤其在基板背面清洗工序中,在该工序的性质方面而言,大部分情况下使用边缘固持方式。
然而,对于边缘固持方式的基板保持而言,由于夹盘销(chuck pin)保持基板的端部,因而存在难以进行基板端部的刷洗等问题。
为了应对该问题,提出有以下方法:使保持基板端部的多个夹盘销的一部分适当退避,并使刷子进入基板端部中夹盘销已退避的部位来进行刷洗等。像这样使夹盘销的一部分退避的技术例已记载于专利文献2中。
专利文献2中,以边缘固持方式保持基板,但以使刷子与夹盘销不干扰的方式使夹盘销退避,并与此同步地进行基板主面的刷洗。在夹盘销已退避时,刷子水平移动至超过基板边缘的位置,进行所谓的刷子过扫描(brush over scan)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-152274号公报
专利文献2:日本专利第4939376号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献2所例示的刷子过扫描中,必须以刷子不干扰与基板一起旋转的夹盘销的方式,与基板的旋转同步地依次打开和关闭夹盘销。因此,必须在清洗处理中进行复杂的同步控制,在万一同步控制失败的情况下,有可能损伤处理装置或基板。另外,在专利文献2所例示的刷子过扫描中,在清洗基板过程中至少一部分夹盘销以突出至高于基板的位置的状态保持基板,因此清洗液碰撞该夹盘销而使液体飞散,导致产生颗粒。
因此,需要一种以边缘固持方式保持基板,并以简便的控制方法及/或装置结构来良好地清洗基板的表面及斜面部的装置及/或方法。
因此,本发明的一实施方式提供一种采用在基板的端部夹持基板的所谓边缘固持方式的保持方式,并以简便的控制方法及/或装置结构良好地利用刷子清洗基板的表面及斜面部的装置及/或方法。
用于解决问题的手段
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,该基板处理装置进行基板的刷洗。该基板处理装置具有:旋转底座,以可绕旋转轴线旋转的方式设置;旋转底座旋转机构,使所述旋转底座旋转;以及多个第一夹盘销,可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座。所述多个第一夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成。
根据该结构,刷子与夹盘销不会干扰,可进行利用刷子的边缘过扫描。
在本发明的一实施方式中,所述基板处理装置还具有多个第二夹盘销,该多个第二夹盘销可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座。并且,所述多个第二夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
在本发明的一实施方式中,所述第一夹盘销分别具有在闭状态下与基板抵接的抵接面,且以该抵接面至少可与基板的周缘部的下表面及侧面抵接的方式构成。
本发明的一实施方式提供一种基板处理方法,该基板处理方法进行基板的刷洗。该基板处理方法包括:第一夹持工序,通过多个第一夹盘销夹持所述基板,所述多个第一夹盘销可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;以及第二夹持工序,通过多个第二夹盘销夹持所述基板,所述多个第二夹盘销可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座。所述多个第一夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成。所述多个第二夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
在所述基板处理方法的一实施方式中,在所述第一夹持工序中利用刷子进行基板清洗。
在所述基板处理方法的一实施方式中,在所述第一夹持工序中,使所述旋转底座以第一转速旋转,在所述第二夹持工序中,所述旋转底座以比所述第一转速高的转速旋转。
本发明的一实施方式提供一种程序记录介质,记录有用于执行基板处理方法的程序,所述基板处理方法进行基板的刷洗。所述基板处理方法包括:第一夹持工序,通过多个第一夹盘销夹持所述基板,所述多个第一夹盘销可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;以及第二夹持工序,通过多个第二夹盘销夹持所述基板,所述多个第二夹盘销可切换开状态与闭状态,以在闭状态下可将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座。所述多个第一夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成。所述多个第二夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
在所述程序记录介质的一实施方式中,在所述基板处理方法的所述第一夹持工序中利用刷子进行基板清洗。
在所述程序记录介质的一实施方式中,在所述基板处理方法的所述第一夹持工序中,使所述旋转底座以第一转速旋转,在所述第二夹持工序中,所述旋转底座以比所述第一转速高的转速旋转。
本发明的上述或进而其他的目的、特征及效果将参照随附附图并通过以下将描述的实施方式的说明来阐明。
附图说明
图1为示意性地示出实施方式的基板处理装置的结构的侧视图。
图2为示意性地示出实施方式的处理液供给机构200的结构的侧视图。
图3为示意性地示出实施方式的控制器100的结构的区块图。
图4为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的结构的示意性侧视图。
图5为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。
图6为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。
图7为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。
图8为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。
图9为实施方式的处理的流程图。
具体实施方式
以下,根据附图对基板处理装置1的结构及动作进行说明。
附图中对具有相同结构及功能的部分赋予相同的附图标记,并在下述说明中省略重复说明。另外,各附图为示意性附图。
<基板处理装置1的结构>
图1为表示实施方式的基板处理装置1的结构的一个例子的示意图。
首先,对构成基板处理装置1的各种构件或机构进行说明。
基板处理装置1包括用于保持并旋转基板W的旋转夹盘50。旋转夹盘50具有大致圆板形状的旋转底座70、连结于旋转底座70的下方的圆柱状的支撑轴52、及与支撑轴52连结的旋转底座旋转机构53。旋转底座旋转机构53旋转支撑轴52,由此使旋转底座70绕旋转底座旋转轴AX旋转。
在旋转底座70的上表面的周缘部,在旋转底座70上表面的周向上以成为大致等间隔的方式,相间地配设有用于将基板W从其周缘加以保持的多个夹盘销CA与多个夹盘销CB。夹盘销CA以其上部的高度比基板W的上表面高的方式构成。夹盘销CB以其上部的高度与基板W的上表面相同或比基板W的上表面低的方式构成。
在旋转底座70的内部,收容有以虚线表示的夹盘销移动机构75A及夹盘销移动机构75B。夹盘销移动机构75A实现将多个夹盘销CA切换为开状态与闭状态的动作。夹盘销移动机构75B实现将多个夹盘销CB切换为开状态与闭状态的动作。这些动作通过来自控制器100中的机械臂移动机构控制部122(参照图3)的控制信号来实现。
在旋转夹盘50的侧方设置有机械臂移动机构60。机械臂移动机构60具有可动部61,该可动部61具有用于使机械臂64在水平面内摇动移动的轴旋转机构61A、及用于使机械臂64于在铅垂方向上升降的升降机构61B。为了遮蔽由可动部61所产生的污染物,可动部61具有用于覆盖可动部61周围的外罩62。可动部61也可以为如下结构:代替轴旋转机构61A或除了轴旋转机构61A以外还具有未图示的前后移动机构,该前后移动机构用于使头部65及刷子BR1在机械臂64的长轴方向上前进或后退。
可动部61与在铅垂方向上延伸的支撑轴63连结,支撑轴63进一步与在水平方向上延伸的机械臂64连结。机械臂64的一端与头部65连结。在头部65上固定有第一刷子BR1,通过利用机械臂移动机构60使头部65移动,可使第一刷子BR1的位置移动。头部65也可以如图1所示那样经由固定用具25与第二喷嘴20连结。
基板处理装置1进一步具有用于对由旋转夹盘50保持的基板W供给处理液的第一喷嘴10及第二喷嘴20。
<关于处理液供给机构200的结构>
以下,除了图1以外适当参照图2对第一喷嘴及第二喷嘴的配置结构以及处理液供给机构200的结构进行说明。图2是示意性地示出实施方式的处理液供给机构200的结构的侧视图。
第一喷嘴10以可将从处理液供给机构200通过配管210供给的处理液从喷出口10A喷出的方式构成。在本实施方式中,第一喷嘴10以向基板W的主面(上表面)的中心喷出处理液的方式,通过未图示的固定用具固定于基板W的上部。
第一喷嘴10的固定位置设定在不会随着第二喷嘴20或头部65的移动而与这些部位发生干扰的高度。
第一喷嘴10的上述配置结构仅为一个例子。关于向基板W的主面(上表面)的中心喷出处理液的结构,可想到以下结构等多种结构例:在基板W的上方配置与基板W的主面相向的所谓遮挡板,在该遮挡板的中央配置第一喷嘴10的喷出口。另外,第一喷嘴10也可通过与各种移动机构组合而设定为可沿着基板W的主面(上表面)移动的结构,且设定为以下结构:在向基板W的主面(上表面)的中心喷出处理液时沿着基板W的旋转轴上而配置,且在除此以外之时退避至退避位置。另外,也可设定为以下结构:将第一喷嘴10的喷出口配置于基板W的旋转轴上以外,朝向基板W的主面(上表面)的中心倾斜地喷出处理液。
第一喷嘴10通过配管210而与图2中详细示出的处理液供给机构200连接。处理液供给机构200利用泵P1通过配管210向第一喷嘴10供给处理液储罐250中蓄积的处理液。在配管210中插入有用于调整处理液的流量的流量调整阀211、及打开和关闭配管210的开闭阀215。从第一喷嘴10喷出的处理液的流量是通过调整泵P1的输出功率及流量调整阀211的开度来调节,开始/停止喷出处理液是通过对开闭阀215进行打开和关闭来执行的。
第二喷嘴20可将从处理液供给机构200通过配管220供给的处理液从处理喷出口20A喷出。处理液供给机构200利用泵P2通过配管220向第二喷嘴20供给处理液储罐250中蓄积的处理液。配管220中插入有用于调整流经配管220的处理液的流量的流量调整阀221、及打开和关闭配管220的开闭阀225。从第二喷嘴20喷出的处理液的流量通过调整泵P2的输出功率及流量调整阀221的开度来调节,开始/停止喷出处理液是通过对开闭阀225进行打开和关闭来执行的。
第二喷嘴20经由固定用具25而固定于头部65,并与头部65乃至刷子BR1一起移动。第二喷嘴20的主要作用为:在刷子BR1抵接于基板W时,即在利用刷子BR1对基板W的主面(上表面)进行清洗时,对相对于刷子BR1与基板W抵接的抵接区域而与基板旋转下游侧邻接的旋转下游邻接区域补充处理液,避免旋转下游邻接区域中的处理液膜缺失或处理液膜厚减薄。因此,第二喷嘴20以从喷出口20A向该旋转下游邻接区域的任一位置喷出处理液方式,调节刷子BR1与第二喷嘴20的位置关系、第二喷嘴20的角度等之后,经由固定用具25固定于头部65。
若更具体地描述,则第二喷嘴20以向旋转底座70的斜下方喷出处理液的方式,使其长轴具有角度(例如相对于旋转底座70的旋转轴,与旋转轴下方成45度~80度)而固定于头部65的侧面。典型而言,在刷子BR1与基板W抵接的抵接区域的基板旋转下游侧产生处理液的膜厚小的膜厚减薄区域。更具体而言,膜厚减薄区域成为如下的形状,即,以刷子BR1的下表面边缘中基板旋转下游侧的边缘(刷子BR1的下游侧边缘)为起点,从此开始向基板旋转下游侧稍许延伸的形状。因此,优选从第二喷嘴20喷出处理液的目标位置设定在刷子BR1的侧面附近且旋转下游侧,更优选设为使得从第二喷嘴20补充的处理液流向膜厚减薄区域的整个区域的位置。
抵接区域的基板旋转下游侧中,处理液膜厚减至最薄的部位是在抵接区域的边界线附近。因此,优选以使来自第二喷嘴20的处理液的一部分流至抵接区域的边界线附近的方式,将第二喷嘴固定于头部65。
配管210和配管220可如图2所示那样为独立地与共同的处理液储罐250连结的结构,也可为在到达处理液储罐250之前与共同配管(未图示)合流后,将处理液储罐250与共同配管250连接的形态。另外,也可为与互不相同的处理液储罐250A、处理液储罐250B(未图示)连结的结构。
<关于控制器100>
参照图1及图3,对控制器100的结构进行说明。
图3为示意性地示出实施方式的控制器100的结构的区块图。
基板处理装置1还具有控制器100。控制器100控制夹盘销移动机构75A及夹盘销移动机构75B、旋转底座旋转机构53、机械臂移动机构60的可动部61、处理液供给机构200中的泵P1及泵P2、流量调整阀211及流量调整阀221、开闭阀215及开闭阀225等的动作。
控制器100具有CPU(Central Processing Unit,中央处理单元)120、处理液供给机构控制部121、机械臂移动机构控制部122、夹盘销移动机构控制部123、旋转底座旋转机构控制部124及其他控制部125(参照图3)。
与控制器100连接的存储部110,储存程序库(recipe)、操作者指示信息及各种算法(algorithm),所述程序库储存处理工序的顺序或实施工序所需要的装置控制参数等,所述各种算法用于计算各工序的装置控制参数或控制信号的值。所述各控制部与存储部110协同计算控制信号的值,依照装置的处理工序的进行情况,将控制信号发送至连接端。控制器100具有计算机的形态。存储部110为记录有控制器100执行的程序的程序记录介质的一个例子。
为了避免伴随着基板W处理的处理液飞沫或环境污染,控制器100也可设定为以下结构:设置于设置在该控制器100与旋转夹盘51之间的覆盖旋转夹盘51等的未图示的分隔壁的外部,通过用于收发控制信号的配线而与上述各种机构进行通信。
<夹盘销CA及夹盘销CB的结构>
图4为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的结构的示意性侧视图。在图4中,为了简化而将存储部110、控制器100、处理液供给机构200、第一喷嘴10、第二喷嘴20、机械臂移动机构60从图中省略。
夹盘销CA与夹盘销CB在以下方面不同:在与基板W抵接时,夹盘销的上表面是处于比基板W的上表面高的位置,还是并非如此。
以下,参照图4对夹盘销移动机构75A及夹盘销移动机构75B以及夹盘销CA及夹盘销CB的结构进行详细说明。
在图4中,在旋转夹盘50中为了简化而仅图示旋转底座70。在旋转底座70的内部,内置有图4的虚线所示的夹盘销移动机构75。夹盘销移动机构75具有夹盘销移动机构75A及夹盘销移动机构75B。
夹盘销移动机构75A在旋转底座70内收容于多个夹盘销CA各自的下方,通过控制器100中的夹盘销移动机构控制部123的控制信号而动作。
夹盘销移动机构75A使夹盘销CA的支撑轴CA3沿着狭槽CA4移动,由此使连结于支撑轴CA3的夹盘销主体CA1移动。通过该移动,而实现夹盘销CA的抵接面CA2不与基板W的边缘或斜面抵接的状态即“开状态”,以及抵接面CA2可与基板W的边缘或斜面抵接的状态即“闭状态”这两种状态。利用夹盘销移动机构75A进行的该移动例如通过以下方式实现:沿着沿旋转底座70的上表面径向形成槽而成的狭槽CA4,夹盘销移动机构75A使支撑轴CA3沿着旋转底座70的上表面径向水平移动。
利用夹盘销移动机构75A进行的该移动也可为其他形态,例如也可使该支撑轴CA3绕着在其下方沿着基板W周围的切线方向设于水平方向上的轴而旋转,由此实现抵接面CA2相对于基板W的抵接或远离。关于用于使支撑轴CA3移动而使夹盘销CA实现开状态与闭状态的夹盘销移动机构75A的机械结构,一直以来通过凸轮机构来实现构件移位的结构、或运用磁铁以非接触方式实现构件移位的结构等各种结构已广为人知,可使用任意的结构。
接着,对夹盘销移动机构75B进行说明。夹盘销移动机构75B在旋转底座70内收容于多个夹盘销CB各自的下方,通过控制器100中的夹盘销移动机构控制部123的控制信号而动作。关于其他结构,夹盘销移动机构75B具有与夹盘销移动机构75A相同的结构。
作为独立的移动机构的夹盘销移动机构75A、夹盘销移动机构75B分别与多个夹盘销CA、夹盘销CB连结,因此可使多个夹盘销CA与夹盘销CB各自独立地移动。
接着,参照图4对夹盘销CA及夹盘销CB的结构进行说明。
夹盘销CA具有夹盘销主体CA1、在夹盘销主体CA1的侧面与基板W抵接的抵接面CA2、设置于旋转底座70的上表面周缘部的狭槽CA4、以及将狭槽CA4与夹盘销主体CA1的下表面连接的支撑轴CA3。
如图4中示意性所示,在使夹盘销CA抵接于基板W的状态下,夹盘销CA的上表面成为比基板W的上表面高的位置。
抵接面CA2可构成夹盘销主体CA1的一部分,也可为与夹盘销主体CA1无关而独立的构件。即,夹盘销主体CA1与抵接面CA2可为独立的构件,也可为一体成型而成的构件。
抵接面CA2直接与基板W的端面接触,因而考虑产生污染的容易程度、耐化学品性、耐久性等来决定其材料(素材)。夹盘销CA必须通过使抵接面CA2抵接于基板W的端面来可靠地保持基板W。因此,不优选设为与基板W抵接时摩擦力不大发挥作用的材料或表面形状。作为抵接面CA2的材料,例如可选择由PVA(Polyvinyl alcohol,聚乙烯醇)或胺基甲酸酯等可弹性变形的材料所形成的海绵材料(多孔质构件)等。
接着,对夹盘销CB进行说明。
夹盘销CB具有夹盘销主体CB1、在夹盘销主体CB1的侧面与基板W抵接的抵接面CB2、设置于旋转底座70的上表面周缘部的狭槽CB4、以及将狭槽CB4与夹盘销主体CB1的下表面连接的支撑轴CB3。
如图4中示意性所示,在使夹盘销CB与基板W抵接的状态下,夹盘销CB的上表面成为比基板W的上表面低的位置。
抵接面CB2可构成夹盘销主体CB1的一部分,也可为与夹盘销主体CB1无关而独立的构件。即,夹盘销主体CB1与抵接面CB2可为独立的构件,也可为一体成型而成的构件。
抵接面CB2直接与基板W的端面接触,因而考虑产生污染的容易程度、耐化学品性、耐久性等来决定其材料(素材)。夹盘销CB必须通过使抵接面CB2抵接于基板W的端面来可靠地保持基板W。因此,不优选设为与基板W抵接时摩擦力不大发挥作用的材料或表面形状。作为抵接面CB2的材料,例如可选择由PVA(聚乙烯醇)或胺基甲酸酯等可弹性变形的材料所形成的海绵材料(多孔质构件)等。
在本实施方式中,如图4所示,抵接面CA2或抵接面CB2的形状以如下方式构成:通过使与基板W的端部(斜面或边缘周边)相向的侧面朝向基板径向外侧凹陷,来将基板W的端部的几乎整体从上下及侧面夹持。
抵接面CA2或抵接面CB2的形状不限于此种形状,只要可适当发挥基板W的保持功能,则可采取各种形态。例如,抵接面CA2也可为椅子状形状,即,由从下部支撑基板W的端部的载置面、及从载置面沿铅垂方向延伸的平板上的侧面所构成,且使该载置面及侧面与基板W的端部抵接。另外,抵接面CB2的形状只要发挥基板W的保持功能且适于基板W的端部的刷洗,则可采取各种形态。
以上,对基板处理装置1的装置结构进行了说明。
接着,参照图5~图8,对夹盘销CA及夹盘销CB的动作进行说明。
图5~图8均为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。
<夹盘销CA及夹盘销CB均为开状态的情形>
图5为用于说明实施方式的夹盘销CA及夹盘销CB的动作的示意性俯视图。图5为夹盘销CA及夹盘销CB均为开状态的情形的示意图。
夹盘销CA、夹盘销CB分别有多个,在旋转底座70的上方,如图5所例示的那样在周向上相间地配置。多个夹盘销CA与多个夹盘销CB必须能够仅由其中任一组来夹持基板W,因而最少需要各3个夹盘销。然而,也可以设为更多的个数,例如将夹盘销CA设为6个且将夹盘销CB设为6个等。
如已经说明的那样,夹盘销CA可通过夹盘销移动机构75A、夹盘销CB可通过夹盘销移动机构75B分别独立地在“开状态”与“闭状态”之间移动。
图5中示出以下状态:多个夹盘销CA移动至“开状态”即旋转底座70的径向外侧,且多个夹盘销CB也移动至“开状态”即旋转底座70的径向外侧。在图5中,为了表示基板W与夹盘销的位置关系而记载基板W,且为了明确表示而标注斜线,但基板W的记载仅供表示位置关系的参考。
<夹盘销CA及夹盘销CB均为闭状态的情形>
图6是与图5同样的示意图的俯视图。在图6中,多个夹盘销CA及夹盘销CB全部为“闭状态”。
<仅夹盘销CA为闭状态的情形>
图7也是与图5同样的示意图的俯视图。在图7中,多个夹盘销CA为“闭状态”,另一方面,多个夹盘销CB为“开状态”。
此时,基板W为仅由多个夹盘销CA夹持的状态。
<仅夹盘销CB为闭状态的情形>
图8也为与图5同样的示意图的俯视图。在图8中,多个夹盘销CA为“开状态”,另一方面,多个夹盘销CB为“闭状态”。
此时,基板W为仅由多个夹盘销CB夹持的状态。
在该状态下,夹盘销CB的上表面的高度比基板W的上表面的高度低,因而在通过刷子BR1对基板W的斜面进行清洗时,刷子BR1不会在基板W的斜面碰撞夹盘销CB。因此,不进行夹盘销的更换控制等复杂控制就能够执行刷子过扫描。
接着,参照图9对基板处理装置1的动作例进行说明。
图9为实施方式的处理的流程图。
<第1步骤基板的送入>
首先,为了对基板W施加规定的处理,将基板W保持于旋转夹盘50。通过未图示的基板运送机构将基板W运送至基板处理装置1。
此时,夹盘销CA及夹盘销CB成为已说明的开状态,即图5所示的状态。
基板运送机构根据已储存在存储部110中的位置信息使基板W移动。更具体而言,基板运送机构使基板W水平移动至能够由夹盘销CA及夹盘销CB保持基板W的端面的位置,换言之,基板W的端面与夹盘销CA及夹盘销CB的抵接面CA2及抵接面CB2全部相向的位置。
在该阶段,旋转底座70停止旋转。
<第2步骤基板的保持>
在第2步骤中,夹盘销CA及夹盘销CB成为“闭状态”。即,成为图6中示意性所示的状态。结果,基板W的端部(斜面或边缘)由夹盘销CA及夹盘销CB保持。通过利用全部夹盘销来保持基板W,来以相对于旋转底座70而偏心偏移少的状态保持基板W。
<第3步骤开始刷洗基板的旋转>
接着,仅夹盘销CA成为“开状态”。即,成为图8中示意性所示的状态。在该状态下,旋转底座70开始旋转。在本实施方式中,旋转底座70至少可切换“停止”、“低速”、“中速”、“高速”这四个阶段的速度。例如,“低速”的转速取几十rpm至几百rpm的值,“中速”的转速取几百rpm至1000rpm的值,“高速”的转速取1000rpm至3000rpm的值。
在第3步骤中,旋转底座70加速至低速转速。
接着,从基板W的中央上方附近的喷嘴10向基板W的主面上喷出适于刷洗(刷洗)的处理液。处理液通过伴随着基板W的旋转的离心力而向基板W的径向外侧扩展。刷子处理中的处理液主要使用纯水,但视基板处理的要求内容不同,还可以使用低浓度的碳酸水或弱臭氧水、SC1(Standard Clean 1:标准清洗液1)、SC2(Standard Clean 2:标准清洗液2)、FOM等清洗液。
然后,进行图1、图4所例示的利用刷子BR1的刷洗。通过机械臂移动机构60使连结刷子BR1的头部65沿着基板W的主面上水平移动,由此刷子BR1在基板W的主面上擦动。擦动范围为基板W的主面上的从基板中心至基板周缘部附近。即便在刷子BR1移动至基板周缘部时,刷子BR1与夹盘销CB也不干扰。因此,可对基板W的上表面整个区域即基板中心至基板周缘部全部实施刷洗而不必担心与夹盘销的干扰。
通过刷子BR1对基板W的主面上的颗粒或污垢等进行刷洗,利用刷子BR1从基板W去除的颗粒等被在基板W上向径向外侧流动的处理液冲到基板W的端面外而流落。
对于刷子BR1的周边,必须尽可能多地用大量处理液冲洗被刷子BR1去除的颗粒。因此,也可以设定为如图1所例示那样地结构,即,将辅助的第二喷嘴20固定于头部65,向刷子BR1周边喷出处理液。
<第4步骤冲洗处理>
继第3步骤之后,实施冲洗处理。在利用刷子进行的基板清洗中,通常刷洗与冲洗处理均使用纯水。视基板的种类不同,也可以在刷洗过程中使用低浓度的碳酸水或弱臭氧水、SC1、SC2、FOM等清洗液,另一方面,也可以在冲洗处理中使用纯水或低浓度的碳酸水等。
在冲洗处理中,刷子BR1移动至位于旋转底座70的周缘的未图示的退避位置,并从第一喷嘴10喷出冲洗液。
与冲洗处理液的喷出同时或平行地,基板W的转速由“低速”变化为“中速”。通过以上的动作,冲洗液在基板W的上表面从基板W的旋转中心向外周向扩展,并且将因刷洗而产生的污垢从基板W的外周冲洗掉。
<第5步骤干燥处理>
继第4步骤之后,进行干燥处理。
在第5步骤的干燥处理中,除了夹盘销CB外,夹盘销CA也保持基板W。即,成为图6中示意性所示的状态。通过利用夹盘销CA及夹盘销CB两者保持基板W,来更稳定地保持基板W。
接着,旋转底座70的转速由中速旋转变化为高速旋转。由此,由夹盘销CA及夹盘销CB保持的基板W高速旋转,将残存于基板W上的冲洗液甩去并干燥(旋转干燥)。
<第6步骤释放基板>
第5步骤的干燥处理结束后,使旋转底座70的旋转缓缓减速,最终旋转底座70停止旋转。
在旋转底座70旋转之后,夹盘销CA及夹盘销CB均成为开状态。即,成为图5中示意性地所示的状态,并且成为可通过未图示的运送机构将基板W送出的状态。
在第6步骤中,与夹盘销CA及夹盘销CB成为开状态并行地,未图示的运送单元接收基板W。
在第6步骤中,随后未图示的运送机构的手部伸入至基板W的下表面与旋转底座70的上表面之间,以备释放基板W。然后,夹盘销CA及夹盘销CB均成为“开状态”。由此,将基板W自夹盘销释放,交付至在基板W的下方等待承接的运送机构的手部。
<第7步骤基板的送出>
在第6步骤之后,接受了基板W的运送机构在将基板W载置于手部上的状态下,将基板W运送至基板处理装置1的外部。由此,对基板W进行刷洗的一系列工序结束。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但本发明的实施方式能够在权利要求书所记载的事项的范围内实施各种设计变更。
例如,在前述的实施方式中,基板处理装置1具有夹盘销CA及夹盘销CB等不同结构的夹盘销,但也可以为仅具有夹盘销CB的结构,换言之,仅具有在夹盘销保持基板W时夹盘销的上表面高度比基板W的上表面低的夹盘销。
另外,例如关于本发明的实施方式的所述说明中的机械臂移动机构、夹盘旋转机构、夹盘销控制器、自转机构等各种移动机构以及机械臂或头部的结构、旋转夹盘的结构、夹盘销的结构等,多种实现形态已公知,本领域技术人员可在权利要求书所记载的事项的范围内应用本发明。
另外,关于用于进行夹盘销的打开和关闭、或头部的上下移动及水平移动等的控制信息的储存或控制的具体形态,也可以在权利要求书所记载的事项的范围内实施各种设计变更。
除此以外,也可以在权利要求书所限定的范围内进行实施方式的各种变更。
本申请与2017年3月27日向日本特许厅提交的日本特愿2017-061401号相对应,并将该申请的所有公开内容以引用的方式并入至本文中。
虽然对本发明的实施方式进行了详细说明,但这些说明仅为用于阐明本发明的技术内容的具体例,本发明不应解释为限定于该些具体例,本发明的范围仅是由随附的权利要求书所限定。
附图标记说明
W:基板
1:基板处理装置
10:第一喷嘴
10A:喷出口
20:第二喷嘴
20A:喷出口
25:固定用具
60:机械臂移动机构
61:可动部
61A:轴旋转机构
61B:升降机构
62:外罩
63:支撑轴
64:机械臂
65:头部
BR1:刷子
50:旋转夹盘
52:支撑轴
53:旋转底座旋转机构
AX:旋转底座旋转轴
70:旋转底座
75:夹盘销移动机构
75A、75B:夹盘销移动机构
CA、CB:夹盘销
CA1、CB1:夹盘销主体
CA2、CB2:抵接面
CA3、CB3:支撑轴
CA4、CB4:狭槽
100:控制器
110:存储部
121:处理液供给机构控制部
122:机械臂移动机构控制部
123:夹盘销移动机构控制部
124:旋转底座旋转机构控制部
125:其他机构控制部
200:处理液供给机构
210、220:配管
215、225:开闭阀
211、221:流量调节阀
P1、P2:泵
250:储罐(处理液储罐)
Claims (9)
1.一种基板处理装置,进行基板的刷洗,其特征在于,包括:
旋转底座,以能够绕旋转轴线旋转的方式设置,
旋转底座旋转机构,使所述旋转底座旋转,以及
多个第一夹盘销,能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;并且
所述多个第一夹盘销,分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
多个第二夹盘销,能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;并且
所述多个第二夹盘销,分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一夹盘销分别具有在闭状态下与基板抵接的抵接面,且以所述抵接面至少能够与基板的周缘部的下表面及侧面抵接的方式构成。
4.一种基板处理方法,进行基板的刷洗,其特征在于,包括:
第一夹持工序,通过多个第一夹盘销夹持所述基板,所述多个第一夹盘销能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座,以及
第二夹持工序,通过多个第二夹盘销夹持所述基板,所述多个第二夹盘销能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;并且
所述多个第一夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成,
所述多个第二夹盘销分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述第一夹持工序中利用刷子进行基板清洗。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述第一夹持工序中,使所述旋转底座以第一转速旋转,
在所述第二夹持工序中,所述旋转底座以比所述第一转速高的转速旋转。
7.一种程序记录介质,其特征在于,记录有用于执行基板处理方法的程序,所述基板处理方法用于进行基板的刷洗,所述基板处理方法包括:
第一夹持工序,通过多个第一夹盘销夹持所述基板,所述多个第一夹盘销能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座,以及
第二夹持工序,通过多个第二夹盘销夹持所述基板,所述多个第二夹盘销能够切换开状态与闭状态,以在闭状态下能够将基板的端部从侧面夹持的方式构成,且设置于所述旋转底座;并且
所述多个第一夹盘销,分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度与所述基板的上表面相同或比所述基板的上表面低的方式构成,
所述多个第二夹盘销,分别以在夹持所述基板的端部的闭状态下,其上表面的高度比所述基板的上表面高的方式构成。
8.根据权利要求7所述的程序记录介质,其特征在于,
在所述第一夹持工序中利用刷子进行基板清洗。
9.根据权利要求7或8所述的程序记录介质,其特征在于,
在所述第一夹持工序中,使所述旋转底座以第一转速旋转,
在所述第二夹持工序中,所述旋转底座以比所述第一转速高的转速旋转。
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Cited By (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7149869B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP7453757B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2024-03-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
KR20230037057A (ko) | 2019-08-16 | 2023-03-15 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착 |
JP7020507B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2022-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
JP7471170B2 (ja) * | 2020-08-03 | 2024-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
CN112509968A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-03-16 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 用于硅片清洗的硅片保持装置、液体清洗设备及清洗系统 |
DE102021109210A1 (de) | 2021-04-13 | 2022-10-13 | Pva Tepla Analytical Systems Gmbh | Wafer-Chuck zur Handhabung von einem Wafer |
WO2023141162A1 (en) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | Lam Research Corporation | Apparatuses for backside wafer processing with edge-only wafer contact related application(s) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5192087A (en) * | 1990-10-02 | 1993-03-09 | Nippon Steel Corporation | Device for supporting a wafer |
JPH08139062A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング装置 |
CN1624871A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN101521148A (zh) * | 2008-02-26 | 2009-09-02 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置 |
US20130199726A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and a method for treating a substrate |
WO2017033495A1 (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4939376B1 (zh) | 1971-03-26 | 1974-10-25 | ||
JPH07211677A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-08-11 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング方法とその装置 |
JP2007294490A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Pre-Tech Co Ltd | 基板の洗浄装置およびこれを用いた基板の洗浄方法 |
US8596623B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-12-03 | Lam Research Ag | Device and process for liquid treatment of a wafer shaped article |
TWM431430U (en) * | 2011-08-24 | 2012-06-11 | Wafer Works Corp | Clip board type fastening device for use in annularly etching wafer |
JP6131162B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US9653338B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-05-16 | Kla-Tencor Corporation | System and method for non-contact wafer chucking |
JP6503194B2 (ja) | 2015-02-16 | 2019-04-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2017
- 2017-03-27 JP JP2017061401A patent/JP6887280B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-20 CN CN201880007089.0A patent/CN110199378B/zh active Active
- 2018-02-20 KR KR1020197021933A patent/KR102364243B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-20 WO PCT/JP2018/005987 patent/WO2018180018A1/ja active Application Filing
- 2018-02-20 US US16/489,736 patent/US20200020563A1/en not_active Abandoned
- 2018-03-06 TW TW107107471A patent/TWI648779B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5192087A (en) * | 1990-10-02 | 1993-03-09 | Nippon Steel Corporation | Device for supporting a wafer |
JPH08139062A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング装置 |
CN1624871A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN101521148A (zh) * | 2008-02-26 | 2009-09-02 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置 |
US20130199726A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and a method for treating a substrate |
WO2017033495A1 (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI830266B (zh) * | 2021-07-28 | 2024-01-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018180018A1 (ja) | 2018-10-04 |
TW201836001A (zh) | 2018-10-01 |
US20200020563A1 (en) | 2020-01-16 |
CN110199378B (zh) | 2023-06-30 |
KR20190098241A (ko) | 2019-08-21 |
JP6887280B2 (ja) | 2021-06-16 |
JP2018164036A (ja) | 2018-10-18 |
KR102364243B1 (ko) | 2022-02-16 |
TWI648779B (zh) | 2019-01-21 |
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