CN110120371B - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置，包括：第一半导体元件，第一信号端子组，以及与所述第一信号端子组间隔设置的第二信号端子组。所述第一半导体元件包括：控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号；以及温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号。所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接；以及所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。

Description

半导体装置
技术领域
本说明书中公开的技术涉及半导体装置。
背景技术
日本未审专利申请公开No.2017-147316(JP 2017-147316 A)公开了一种半导体装置。该半导体装置包括第一半导体元件、第二半导体元件、第一信号端子组和第二信号端子组。第二信号端子组与第一信号端子组间隔设置。第一信号端子组与第一半导体元件的多个信号电极连接，第二信号端子组与第二半导体元件的多个信号电极连接。
发明内容
在前述半导体装置中，一个对应的信号端子组与各个半导体元件连接。在每个信号端子组中，多个信号端子彼此相邻设置。因此，两个相邻信号端子可能具有来自彼此的噪声的影响。特别地，当与半导体元件的温度信号电极连接的信号端子和与半导体元件的控制信号电极连接的信号端子相邻时，由于噪声的影响，可能无法准确地测量半导体元件的温度。
根据本说明书中公开的第一方面的半导体装置包括第一半导体元件，第一信号端子组，以及与所述第一信号端子组间隔设置的第二信号端子组。所述第一半导体元件包括：控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号；以及温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号。所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接；以及所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。
在前述方面中，所述第一半导体元件还可以包括电流信号电极，所述电流信号电极输出与在所述第一半导体元件中流动的电流对应的信号，并且所述电流信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一电流信号端子连接。
在前述方面中，根据该方面的半导体装置还可包括与所述第一半导体元件的一侧相邻的第二半导体元件。所述第二半导体元件可以包括控制信号电极，向其输入用于所述第二半导体元件的控制信号。所述第二半导体元件的所述控制信号电极可以与所述第一信号端子组中包括的第二控制信号端子连接。所述第一信号端子组还可以包括在所述温度信号端子与所述第二控制信号端子之间的其它信号端子。
在前述方面中，第二半导体元件还可包括电流信号电极，其输出与在所述第二半导体元件中流动的电流相对应的信号。所述第二半导体元件的所述电流信号电极与第二电流信号端子连接，所述第二电流信号端子包括在所述第一信号端子组中并位于所述温度信号端子与所述第二控制信号端子之间。
在前述方面中，温度信号端子和第二控制信号端子可以分别单独设置在第一信号端子组的两端。
在前述方面中，根据该方面的半导体装置还可包括密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的密封体。所述温度信号端子可以具有在所述密封体内部朝向所述第一半导体元件弯曲或弯折的部分。所述第二控制信号端子可以具有在所述密封体内部朝向所述第二半导体元件弯曲或弯折的部分。所述温度信号端子的弯曲或弯折部分和所述第二控制信号端子的弯曲或弯折部分可以在彼此不同的方向上弯曲或弯折。
在前述方面中，第二半导体元件还可包括温度信号电极，所述温度信号电极输出与所述第二半导体元件的温度对应的信号；以及所述第二半导体元件的所述温度信号电极可以不与任何信号端子连接。
在前述方面中，根据该方面的半导体装置还可以包括与所述第一半导体元件的另一侧相邻的第三半导体元件。所述第三半导体元件可以包括控制信号电极，向其输入用于所述第三半导体元件的控制信号。所述第三半导体元件的所述控制信号电极可以与所述第二信号端子组中包括的第三控制信号端子连接。
在前述方面中，所述第二信号端子组还可以包括在所述第一控制信号端子与所述第三控制信号端子之间的其它信号端子。
根据本说明书中公开的第二方面的半导体装置包括第一半导体元件；与所述第一半导体元件的一侧相邻的第二半导体元件；与所述第一半导体元件的另一侧相邻的第三半导体元件；第一信号端子组，具有五个信号端子；以及第二信号端子组，其与所述第一信号端子组间隔设置并具有六个信号端子。所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件各自包括：
控制信号电极，两个温度信号电极和两个电流信号电极。向所述控制信号电极输入用于所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的控制信号。两个温度信号电极输出与所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的温度对应的信号。两个电流信号电极输出与在所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的流动的电流对应的信号。所述第一半导体元件的所述两个温度信号电极分别与所述第一信号端子组中包括的两个温度信号端子连接。所述第一半导体元件的所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。所述第一半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个第一电流信号端子连接，所述第一电流信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述第一控制信号端子相邻。所述第二半导体元件的所述两个温度信号电极不与任何信号端子连接。所述第二半导体元件的所述控制信号电极与所述第一信号端子组中包括的第二控制信号端子连接。所述第二半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个电流信号端子连接，所述电流信号端子被包括在所述第一信号端子组中并位于所述第二控制信号端子与所述两个温度信号端子之间。所述第三半导体元件的所述两个温度信号电极不与任何信号端子连接。所述第三半导体元件的所述控制信号电极与第三控制信号端子连接，所述第三控制信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述两个第一电流信号端子相邻；以及
所述第三半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个第三电流信号端子连接，所述第三电流信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述第三控制信号端子相邻。
根据前述方面，第一半导体元件的温度信号电极与第一信号端子组中的温度信号端子连接，第一半导体元件的控制信号电极与第二信号端子组中的第一控制信号端子连接。在这样的配置中，温度信号端子和第一控制信号端子彼此分开设置，因此可以抑制温度信号端子从第一控制信号端子接收的噪声的影响。因此，可以精确地测量第一半导体元件的温度，并且可以在避免第一半导体元件过热的同时适当地控制第一半导体元件。
附图说明
下面将参照附图描述本发明的示例性实施方式的特征、优点以及技术和工业重要性，在附图中，类似的附图标记表示类似的元件，其中：
图1是半导体装置10的外观的立体图；
图2是半导体装置10的截面结构的视图；
图3是半导体装置10的内部结构的平面图，其中一些部件未示出；
图4是半导体装置10的内部结构的分解图，其中一些部件未示出；
图5是描述半导体元件22、24、26的信号电极A、K、G、SE、KE与第一信号端子组36和第二信号端子组38之间的连接的视图；
图6是半导体装置10的变型的视图。
具体实施方式
在本技术的实施方式中，第一半导体元件还可包括第一电流信号电极，其输出与在第一半导体元件中流动的电流对应的信号。在这种情况下，电流信号电极可以与包括在第二信号端子组中的第一电流信号端子连接。利用这种配置，温度信号端子和第一电流信号端子彼此分开设置，因此可以抑制温度信号端子从第一电流信号端子接收的噪声的影响。
在本技术的实施方式中，半导体装置还可包括与第一半导体元件的一侧相邻的第二半导体元件。第二半导体元件可以具有控制信号电极，用于第二半导体元件的控制信号被输入到该控制信号电极。第二半导体元件的控制信号电极可以与包括在第一信号端子组中的第二控制信号端子连接。然后，第一信号端子组还可以包括位于温度信号端子与第二控制信号端子之间的另一信号端子。因此，除了与第一半导体元件连接的温度信号端子之外，第一信号端子组还可以包括与第二半导体元件连接的第二控制信号端子。当另一信号端子插入在温度信号端子与第二控制信号端子之间时，温度信号端子和第二控制信号端子彼此分开设置。因此，可以抑制与第一半导体元件连接的温度信号端子从与第二半导体元件连接的第二控制信号端子接收的噪声的影响。
在本技术的实施方式中，第二半导体元件还可包括电流信号电极，其输出与在第二半导体元件中流动的电流对应的信号。在这种情况下，优选的是，第二半导体元件的电流信号电极与包括在第一信号端子组中的第二电流信号端子连接，并且第二电流信号端子位于温度信号端子与第二控制信号端子之间。这意味着上述第一信号端子组的另一信号端子没有特别限制，但可以是与第二半导体元件连接的第二电流信号端子。
在本技术的实施方式中，温度信号端子和第二控制信号端子可以分别在第一信号端子组的两端彼此分开设置。换句话说，包括在第一信号端子组中的所有信号端子可以位于温度信号端子与第二控制信号端子之间。利用这样的配置，温度信号端子与第二控制信号端子之间的距离变大，并且可以进一步抑制温度信号端子从第二控制信号端子接收的噪声的影响。
在本技术的实施方式中，半导体装置还可包括密封第一半导体元件和第二半导体元件的密封体。在这种情况下，温度信号端子可以具有在密封体内部朝向第一半导体元件弯曲或弯折的部分，并且第二控制信号端子可以包括在密封体内部朝向第二半导体元件弯曲或弯折的部分。然后，温度信号端子的弯曲或弯折的部分和第二控制信号端子的弯曲和弯折的部分可以在彼此不同的方向上弯曲或弯折。
利用上述配置，与第一半导体元件连接的温度信号端子的远端可以靠近第一半导体元件，并且同时，与第二半导体元件连接的第二控制信号端子的远端可以靠近第二半导体元件。另外，由于包括在相同的第一信号端子组中的两个或更多个信号端子在彼此不同的方向上弯曲或弯折，所以第一信号端子组更牢固地固定到密封体。因此，当例如第一信号端子组附接到外部连接器和从外部连接器移除时，第一信号端子组抵抗负载(拉伸负载或压力负载)的耐久性得到改善。
在本技术的实施方式中，第二半导体元件还可包括温度信号电极，其输出与第二半导体元件的温度对应的信号。在这种情况下，第二半导体元件的温度信号电极可以不与任何信号端子连接。利用该技术，由于可以精确地测量第一半导体元件的温度，所以可以省略第二半导体元件的温度测量。因此，可以减少半导体装置中所需的信号端子的数量，因此可以减小半导体装置的尺寸。作为另一实施方式，与第一半导体元件不同，第二半导体元件可以是没有温度信号电极的半导体元件。
在本技术的实施方式中，半导体装置还可以包括与第一半导体元件的另一侧相邻的第三半导体元件。第三半导体元件可以包括控制信号电极，用于第三半导体元件的控制信号被输入到该控制信号电极。然后，第三半导体元件的控制信号电极可以与包括在第二信号端子组中的第三控制信号端子连接。利用这样的配置，由于第三控制信号端子与包括在第一信号端子组中的温度信号端子分开设置，因此抑制了温度信号端子从第三控制信号端子接收的噪声的影响。
在本技术的实施方式中，第二信号端子组还可以包括在第一控制信号端子与第三控制信号端子之间的另一信号端子。利用这样的配置，即使当第一控制信号端子和第三控制信号端子包括在相同的第二信号端子组中时，第一控制信号端子和第三控制信号端子也彼此分开设置。因此，可以抑制第一控制信号端子和第三控制信号端子从彼此接收的噪声的影响。例如，上述另一信号端子可以是与第一半导体元件连接的信号端子，例如第一电流信号端子。
参考附图描述根据示例的半导体装置10。例如，半导体装置10可以用于电力转换电路，例如电动车辆的转换器和逆变器。这里的电动车辆广泛地意指具有驱动车轮的马达的车辆，并且包括利用外部电力充电的电动车辆、除了马达之外还具有发动机的混合动力车辆、以及其中燃料电池用作能源的燃料电池车辆。
如图1至图4所示，半导体装置10包括第一导体板12、第二导体板14、多个半导体元件22、24、26和密封体16。第一导体板12和第二导体板14彼此平行并且还彼此面对。例如，半导体元件22、24、26包括第一半导体元件22、第二半导体元件24和第三半导体元件26。第一半导体元件22位于第二半导体元件24与第三半导体元件26之间，半导体元件22、24、26沿第一导体板12和第二导体板14的长边方向(图2和图3中的横向)排列。半导体元件22、24、26平行地设置在第一导体板12与第二导体板14之间。半导体元件22、24、26由密封体16密封。
第一导体板12和第二导体板14由诸如铜或其他金属的导体制成。第一导体板12和第二导体板14通过半导体元件22、24、26彼此面对。半导体元件22、24、26中的每个接合到第一导体板12，并且还接合到第二导体板14。在各个半导体元件22、24、26与第一导体板12之间设置导体间隔件18。第一导体板12和第二导体板14的具体构造不受特别限制。例如，第一导体板12和第二导体板14中的至少一个可以是绝缘基板，诸如直接键合铜(DBC)基板，其具有由绝缘体(例如，陶瓷)制成的中间层。因此，第一导体板12和第二导体板14中的每一个不需要完全由导体制成。
第一半导体元件22、第二半导体元件24和第三半导体元件26是用于电力电路的所谓的功率半导体元件，并且具有相同的构造。第一半导体元件22包括上表面电极22a、下表面电极22b和多个信号电极22c。上表面电极22a和下表面电极22b是功率电极，信号电极22c是信号用电极。上表面电极22a和信号电极22c位于第一半导体元件22的上表面上，下表面电极22b位于第一半导体元件22的下表面上。上表面电极22a通过导体间隔件18与第一导体板12电连接，下表面电极22b与第二导体板14电连接。类似地，第二半导体元件24和第三半导体元件26分别包括上表面电极24a、26a，下表面电极24b、26b和多个信号电极24c、26c。上表面电极24a、26a分别通过导体隔离件18与第一导体板12电连接，下表面电极24b、26b与第二导体板14电连接。
例如，根据该示例的半导体元件22、24、26中的每个包括具有发射极和集电极的绝缘栅双极晶体管(IGBT)结构。IGBT结构中的发射极分别与上表面电极22a、24a、26a连接，并且IGBT结构中的集电极分别与下表面电极22b、24b、26b连接。然而，半导体元件22、24、26的具体类型和结构不受特别限制。半导体元件22、24、26中的每个可以是反向导通(RC)-IGBT元件，其进一步包括二极管结构。可选地，半导体元件22、24、26中的每个可以具有例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构来代替IGBT结构，或者除了IGBT结构之外还具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构。用于半导体元件22、24、26的半导体材料也不受特别限制，可以是硅(Si)、碳化硅(SiC)或诸如氮化镓(GaN)的氮化物半导体。
密封体16不受特别限制，但可以由诸如环氧树脂的热固性树脂或其他绝缘体制成。密封体16也称为例如模制树脂或封装体。半导体装置10包括三个半导体元件22、24、26，但是也可以设置有更多的半导体元件。在这种情况下，半导体元件也由单个密封体16密封，并且在第一导体板12与第二导体板14之间彼此平行排列。
第一导体板12和第二导体板14不仅与半导体元件22、24、26电连接，而且还与半导体元件22、24、26热连接。另外，第一导体板12和第二导体板14分别暴露在密封体16的表面上，并且能够将半导体元件22、24、26中的每个的热量散发到密封体16的外部。因此，根据该示例的半导体装置10具有双面冷却结构，其中散热器分别设置在半导体元件22、24、26中的每个的两侧。
半导体装置10还包括第一电力端子32和两个第二电力端子34。电力端子32、34中的每个由诸如铜或铝的导体制成。电力端子32、34中的每个是所谓的引线并且从密封体16的内部延伸穿到外部。第一电力端子32在密封体16内部与第一导体板12连接。每个第二电力端子34在密封体16内部与第二导体板14连接。因此，半导体元件22、24、26在第一电力端子32与各个第二电力端子34之间彼此并联电连接。例如，第一电力端子32通过焊接接合到第一导体板12，并且每个第二电力端子34与第二导体板14一体形成。然而，第一电力端子32可以与第一电力端子32一体形成。此外，每个第二电力端子34可以通过例如焊接接合到第二导体板14。
半导体装置10还包括第一信号端子组36和第二信号端子组38。信号端子36、38中的每个由诸如铜或铝的导体制成。信号端子36、38中的每个是所谓的引线并且从密封体16的内部延伸穿到外部。在第一信号端子组36中，信号端子沿着半导体元件22、24、26的排列方向以相等的间隔排列。在第二信号端子组38中，信号端子沿着半导体元件22、24、26的排列方向以相等的间隔排列。第二信号端子组38与第一信号端子组36分开设置。这意味着第一信号端子组36与第二信号端子组38之间的距离大于第一信号端子组36内的信号端子之间的间隔，并且也大于第二信号端子组38内的信号端子之间的间隔。例如，第一信号端子组36具有五个信号端子，第二信号端子组38具有六个信号端子。信号端子36、38分别通过接合线40与半导体元件22、24、26的相应信号电极22c、24c、26c连接。然而，信号端子36、38可以分别与相应的信号电极22c、24c、26c连接，而不需要接合线40。
如图5所示，第一半导体元件22包括一个控制信号电极G、两个温度信号电极A、K和两个电流信号电极SE、KE作为上述信号电极22c。控制信号电极G是输入用于第一半导体元件22的控制信号的信号电极。例如，根据该示例的控制信号电极G与第一半导体元件22内部的IGBT结构的栅极连接，并且来自外部的栅极驱动信号输入到控制信号电极G。两个温度信号电极A、K是输出与第一半导体元件22的温度对应的信号的信号电极。例如，根据该示例的温度信号电极A、K与设置在第一半导体元件22内部的温度传感器(例如，热敏电阻)连接。两个电流信号电极SE、KE是输出与在第一半导体元件22中流动的电流相对应的信号的信号电极。在该示例中，电流信号电极SE中的一个与设置在第一半导体元件22中的用于电流检测的IGBT结构的发射极连接，并且另一个电流信号电极KE与上表面电极22a(即，第一半导体元件22的主IGBT结构的发射极)连接。因此，允许与在第一半导体元件22中流动的电流对应的幅度的信号电流在两个电流信号电极SE、KE之间流动。信号电极G、A、K、SE、KE的具体配置不受特别限制。
类似地，第二半导体元件24包括一个控制信号电极G、两个温度信号电极A、K和两个电流信号电极SE、KE作为上述信号电极24c。控制信号电极G是输入用于第二半导体元件24的控制信号的信号电极。两个温度信号电极A、K是输出与第二半导体元件24的温度对应的信号的信号电极。然后，两个电流信号电极SE、KE是输出与在第二半导体元件24中流动的电流对应的信号的信号电极。第三半导体元件26也包括一个控制信号电极G、两个温度信号电极A、K和两个电流信号电极SE、KE作为前面描述的信号电极26c。控制信号电极G是输入用于第三半导体元件26的控制信号的信号电极。两个温度信号电极A、K是输出与第三半导体元件26的温度对应的信号的信号电极。然后，两个电流信号电极SE、KE是输出与在第三半导体元件26中流动的电流对应的信号的信号电极。对于第二半导体元件24和第三半导体元件26，信号电极G、A、K、SE、KE中的每一个的具体配置不受特别限制。
第一半导体元件22的两个温度信号电极A、K分别与包括在第一信号端子组36中的两个温度信号端子TS2、TG2连接。第一半导体元件22的控制信号电极G与包括在第二信号端子组38中的第一控制信号端子TG1连接。第一半导体元件22的两个电流信号电极SE、KE分别与包括在第二信号端子组38中的两个第一电流信号端子TS1、TE1连接。两个第一电流信号端子TS1、TE1与第一控制信号端子TG1相邻。因此，在第一半导体元件22中，信号电极22c中的一些与第一信号端子组36连接，而其余的信号电极22c与第二信号端子组38连接。
第二半导体元件24的两个温度信号电极A、K不与任何信号端子连接。第二半导体元件24的控制信号电极G与包括在第一信号端子组36中的第二控制信号端子TK1连接。第二半导体元件24的两个电流信号电极SE、KE分别与包括在第一信号端子组36中的两个第二电流信号端子TA1、TE2连接。两个第二电流信号端子TA1、TE2位于第二控制信号端子TK1与两个温度信号端子TS2、TG2之间。因此，在第二半导体元件24中，信号电极24c中的一些与第一信号端子组36连接，而其余的信号电极24c不与任何信号端子连接。
第三半导体元件26的两个温度信号电极A、K不与任何信号端子连接。第三半导体元件26的控制信号电极G与包括在第二信号端子组38中的第三控制信号端子TG3连接。第三控制信号端子TG3与两个第一电流信号端子TS1、TE1相邻。第三半导体元件26的两个电流信号电极SE、KE分别与包括在第二信号端子组38中的两个第三电流信号端子TS3、TE3连接。两个第三电流信号端子TS3、TE3与第三控制信号端子TG3相邻。
在根据该示例的半导体装置10中，第一半导体元件22的温度信号电极A、K分别与包括在第一信号端子组36中的温度信号端子TS2、TG2连接，并且第一半导体元件22的控制信号电极G与包括在第二信号端子组38中的第一控制信号端子TG1连接。利用这种配置，温度信号端子TS2、TG2和第一控制信号端子TG1彼此分开设置。因此，可以抑制温度信号端子TS2、TG2从第一控制信号端子TG1接收的噪声的影响。因此，当半导体装置10用于诸如混合动力车辆的电气设备时，可以精确地测量第一半导体元件22的温度，并且还可以适当地控制第一半导体元件22，同时避免第一半导体元件22过热。在根据该示例的半导体装置10中，第一半导体元件22具有两个温度信号电极A、K。然而，温度信号电极A、K的数量可以是一个、三个或更多个。对于温度信号端子TS2、TG2的数量也是如此。控制信号电极G的数量和第一控制信号端子TG1的数量不限于一个，可以是两个或更多个。
在根据该示例的半导体装置10中，第一半导体元件22的电流信号电极SE、KE分别与包括在第二信号端子组38中的两个第一电流信号端子TS1、TE1连接。利用该配置，第一电流信号端子TS1、TE1与包括在第一信号端子组36中的温度信号端子TS2、TG2分开设置。因此，还可以抑制温度信号端子TS2、TG2从第一电流信号端子TS1、TE1接收的噪声的影响。电流信号电极SE、KE的数量和第一电流信号端子TS1、TE1的数量不限于两个，并且可以是一个、三个或更多个。可选地，第一半导体元件22不是必须包括电流信号电极SE、KE。在这种情况下，分别与电流信号电极SE、KE连接的第一电流信号端子TS1、TE1也不是必需的。
在根据该示例的半导体装置10中，第二半导体元件24的控制信号电极G与包括在第一信号端子组36中的第二控制信号端子TK1连接。这里，第一信号端子组36包括如上所述的温度信号端子TS2、TG2，并且如果第二控制信号端子TK1与温度信号端子TS2、TG2相邻，则温度信号端子TS2、TG2会接收来自第二控制信号端子TK1的噪声的影响。关于这一点，在根据该示例的半导体装置10中，与第二半导体元件24连接的第二电流信号端子TA1、TE2位于温度信号端子TS2、TG2与第二控制信号端子TK1之间。因为诸如第二电流信号端子TA1、TE2的其他信号端子存在于温度信号端子TS2、TG2与第二控制信号端子TK1之间，所以温度信号端子TS2、TG2和第二控制信号端子TK1彼此分开设置。因此，可以抑制与第一半导体元件22连接的温度信号端子TS2、TG2从与第二半导体元件24连接的第二控制信号端子TK1接收的噪声的影响。作为另一实施方式，半导体装置10不是必须包括第二半导体元件24。在这种情况下，也不需要与第二半导体元件24连接的信号端子TK1、TA1、TE2。
在根据该示例的半导体装置10中，温度信号端子TS2、TG2和第二控制信号端子TK1分别在第一信号端子组36的两端彼此分开地设置。然而，本发明不限于此。利用这样的配置，温度信号端子TS2、TG2与第二控制信号端子TK1之间的距离变大，并且可以进一步抑制温度信号端子TS2、TG2从第二控制信号端子TK1接收的噪声的影响。
在根据该示例的半导体装置10中，第二半导体元件24的温度信号电极A、K不与任何信号端子连接。这意味着不能测量第二半导体元件24的温度。利用根据该示例的半导体装置10，由于可以精确地测量第一半导体元件22的温度，所以可以省略第二半导体元件24的温度测量。因此，减少了半导体装置10所需的信号端子36、38的数量，从而减小了半导体装置10的尺寸。作为另一实施方式，与第一半导体元件22不同，第二半导体元件24可以是没有温度信号电极A、K的半导体元件。
在根据该示例的半导体装置10中，第三半导体元件26的控制信号电极G与包括在第二信号端子组38中的第三控制信号端子TG3连接。利用这样的配置，第三控制信号端子TG3与第一信号端子组36中包括的温度信号端子TS2、TG2分开设置。因此，可以抑制温度信号端子TS2、TG2从第三控制信号端子TG3接收的噪声的影响。作为另一实施方式，第三控制信号端子TG3可以位于与温度信号端子TS2、TG2相同的信号端子组(例如，第一信号端子组36)中。在这种情况下，优选的是，另外的信号端子插入在温度信号端子TS2、TG2与第三控制信号端子TG3之间。作为又一实施方式，半导体装置10不是必须包括第三半导体元件26。在这种情况下，与第三半导体元件26连接的信号端子TG3、TS3、TE3也不是必需的。
在根据该示例的半导体装置10中，第二信号端子组38包括与第一半导体元件22连接的第一控制信号端子TG1，以及与第三半导体元件26连接的第三控制信号端子TG3。如果第一控制信号端子TG1和第三控制信号端子TG3彼此相邻，则它们会从彼此接收噪声的影响。关于这一点，在根据该示例的半导体装置10中，第一电流信号端子TS1、TE1设置在第一控制信号端子TG1与第三控制信号端子TG3之间。由于诸如第一电流信号端子TS1、TE1的其他信号端子插入在第一控制信号端子TG1与第三控制信号端子TG3之间，所以第一控制信号端子TG1和第三控制信号端子TG3彼此分开设置。因此，可以抑制第一控制信号端子TG1和第三控制信号端子TG3从彼此接收的噪声的影响。
在根据该示例的半导体装置10中，第一信号端子组36中的每个端子具有在密封体16内部的弯曲或弯折的部分36a。第一信号端子组36中的一些端子在密封体16内部朝向第一半导体元件22弯曲或弯折，第一信号端子组36中的一些端子在密封体16内部朝向第二半导体元件24弯曲或弯折。例如，温度信号端子TS2、TG2朝向第一半导体元件22弯曲或弯折。同时，第二控制信号端子TK1和第二电流信号端子TA1、TE2朝向第二半导体元件24弯曲或弯折。因此，温度信号端子TS2、TG2的弯曲或弯折的部分36a或者第二控制信号端子TK1(或第二电流信号端子TA1、TE2)的弯曲或弯折的部分36a在彼此不同的方向上弯曲或弯折。
利用上述配置，与第一半导体元件22连接的温度信号端子TS2、TG2的远端可以靠近第一半导体元件22，并且与第二半导体元件24连接的第二控制信号端子TK1(或第二电流信号端子TA1、TE2)的远端可以靠近第二半导体元件24。另外，包括在相同的第一信号端子组36中的两个或更多个信号端子在彼此不同的方向上弯曲或弯折。因此，第一信号端子组36相对牢固地固定到密封体16。因此，当例如第一信号端子组36附接到外部连接器和从外部连接器移除时，第一信号端子组36抵抗负载(拉伸负载或压力负载)的耐久性得到改善。
类似地，第二信号端子组38的每个端子具有在密封体16内部的弯曲或弯折的部分38a。第二信号端子组38的一些端子在密封体16内部朝向第一半导体元件22弯曲或弯折，第二信号端子组38的一些端子在密封体16内部朝向第三半导体元件26弯曲或弯折。例如，第一控制信号端子TG1和第一电流信号端子TS1、TE1朝向第一半导体元件22弯曲或弯折。同时，第三控制信号端子TG3和第三电流信号端子TS3、TE3朝向第三半导体元件26弯曲或弯折。因此，第一控制信号端子TG1和第一电流信号端子TS1、TE1的弯曲或弯折的部分38a以及第三控制信号端子TG3和第三电流信号端子TS3、TE3的弯曲或弯折的部分38a在彼此不同的方向上弯曲或弯折。由于包括在相同的第二信号端子组38中的两个或更多个信号端子在彼此不同的方向上弯曲或弯折，所以第二信号端子组38相对牢固地固定到密封体16。因此，当例如第二信号端子组38附接到外部连接器或从外部连接器移除时，第二信号端子组38抵抗负载(拉伸负载或压力负载)的耐久性得到改善。
图6示出了半导体装置10的另一个实施方式。在图6所示的实施方式中，改变第一控制信号端子TG1和第一电流信号端子TS1的弯曲或弯折的部分36a的形状。如上所述，信号端子36、38的弯曲或弯折的部分36a、38a的形状可以根据例如半导体元件22、24、26之间的位置关系适当地改变。

Claims (8)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一半导体元件；
第一信号端子组；以及
第二信号端子组，其与所述第一信号端子组间隔设置，其中：
所述第一半导体元件包括：
控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号；以及
温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号；
所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接；以及
所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接，
所述半导体装置还包括与所述第一半导体元件的一侧相邻的第二半导体元件，其中：
所述第二半导体元件包括控制信号电极，向其输入用于所述第二半导体元件的控制信号；
所述第二半导体元件的所述控制信号电极与所述第一信号端子组中包括的第二控制信号端子连接；以及
所述第一信号端子组还包括在所述温度信号端子与所述第二控制信号端子之间的其它信号端子，
所述半导体装置还包括与所述第一半导体元件的另一侧相邻的第三半导体元件，其中：
所述第三半导体元件包括控制信号电极，向其输入用于所述第三半导体元件的控制信号；以及
所述第三半导体元件的所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第三控制信号端子连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一半导体元件还包括电流信号电极，所述电流信号电极输出与在所述第一半导体元件中流动的电流对应的信号；以及
所述电流信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一电流信号端子连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二半导体元件还包括电流信号电极，其输出与在所述第二半导体元件中流动的电流相对应的信号；以及
所述第二半导体元件的所述电流信号电极与第二电流信号端子连接，所述第二电流信号端子包括在所述第一信号端子组中并位于所述温度信号端子与所述第二控制信号端子之间。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述温度信号端子和所述第二控制信号端子分别单独设置在所述第一信号端子组的两端。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的密封体，其中：
所述温度信号端子具有在所述密封体内部朝向所述第一半导体元件弯曲或弯折的部分；
所述第二控制信号端子具有在所述密封体内部朝向所述第二半导体元件弯曲或弯折的部分；以及
所述温度信号端子的弯曲或弯折部分和所述第二控制信号端子的弯曲或弯折部分在彼此不同的方向上弯曲或弯折。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二半导体元件还包括温度信号电极，所述温度信号电极输出与所述第二半导体元件的温度对应的信号；以及
所述第二半导体元件的所述温度信号电极不与任何信号端子连接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二信号端子组还包括在所述第一控制信号端子与所述第三控制信号端子之间的其它信号端子。
8.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一半导体元件；
与所述第一半导体元件的一侧相邻的第二半导体元件；
与所述第一半导体元件的另一侧相邻的第三半导体元件；
第一信号端子组，具有五个信号端子；以及
第二信号端子组，其与所述第一信号端子组间隔设置并具有六个信号端子，其中：
所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件各自包括：
控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的控制信号；
两个温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的温度对应的信号；以及
两个电流信号电极，其输出与在所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中各自的流动的电流对应的信号，
所述第一半导体元件的所述两个温度信号电极分别与所述第一信号端子组中包括的两个温度信号端子连接；
所述第一半导体元件的所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接；
所述第一半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个第一电流信号端子连接，所述第一电流信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述第一控制信号端子相邻；
所述第二半导体元件的所述两个温度信号电极不与任何信号端子连接；
所述第二半导体元件的所述控制信号电极与所述第一信号端子组中包括的第二控制信号端子连接；
所述第二半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个第二电流信号端子连接，所述第二电流信号端子被包括在所述第一信号端子组中并位于所述第二控制信号端子与所述两个温度信号端子之间；
所述第三半导体元件的所述两个温度信号电极不与任何信号端子连接；
所述第三半导体元件的所述控制信号电极与第三控制信号端子连接，所述第三控制信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述两个第一电流信号端子相邻；以及
所述第三半导体元件的所述两个电流信号电极分别与两个第三电流信号端子连接，所述第三电流信号端子被包括在所述第二信号端子组中并与所述第三控制信号端子相邻。
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