JP2015185570A - 電力用半導体装置 - Google Patents

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main
semiconductor device
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耕一 東久保
Koichi Higashikubo
耕一 東久保
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

【課題】電力用半導体素子の電極層と配線部との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体素子１０は、導体から作られた電極層１１を有する。第１配線部２１は、導体から作られており、電力用半導体素子１０から離れている。少なくとも１つの主ボンディングワイヤ３０は電極層１１上の一方端と第１配線部２１上の他方端とを有する。少なくとも１つの副ボンディングワイヤ５１は、主ボンディングワイヤ３０を支持しており、電極層１１および第１配線部２１のいずれか一方の上に両端を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、電力用半導体装置に関し、特に、ボンディングワイヤを有する電力用半導体装置に関するものである。
半導体モジュール内部における配線のためにしばしばボンディングワイヤが用いられる。ボンディングワイヤは、銅、銀または金などの金属からなり、たとえば１００〜５００μｍ程度の線径（直径）を有する。
配線されたボンディングワイヤのワイヤループ高さは、半導体装置の高さ寸法へ影響し得る。よって半導体装置の大きさの観点でワイヤループ高さが低いことが望まれる場合が多い。一方で、高さの低いワイヤループが用いられる場合は、周囲の異電位の箇所への望ましくない過度の接近、または接触の懸念が生じる。よってこれに対処する方法が検討されている。
特開２００３−３１６０５号公報（特許文献１）によれば、半導体チップにワイヤボンドを施して半導体モジュールを製造する際、ワイヤループとループ近傍にある部品との接触を回避し、望ましいワイヤループ高さを確保するために、ワイヤループを下支えする別のワイヤループ（枕木ワイヤとも称されている）が先行して形成される。これにより、ワイヤループとループ近傍にある部品との接触を回避し、望ましいワイヤループ高さを確保することができる。
特開２００３−３１６０５号公報
上記公報に記載の技術によれば、枕木ワイヤによってボンディングワイヤの機械的安定性が高められる。しかしながらボンディングワイヤに求められる性能は機械的安定性だけではない。
特に、半導体装置が電力用半導体装置（パワーモジュール）である場合、電力用半導体装置によって制御される電流（主電流）が流れるボンディングワイヤには、大きな電流が流れる。このように大きな電流が扱われる場合は電流の局所的集中が問題となり得る。このためパワーモジュールにおいては、主電流のために、１つのみのボンディングワイヤではなく、並列に配置された複数のボンディングワイヤが用いられることが多い。たとえば、パワーＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のソース電極パッドには、１本ではなく数本のボンディングワイヤが接合されることが多い。しかしながら上記のように並列配置されるボンディングワイヤの数およびその配置には限度があることから、これに代わり得る、またはこれと併用され得る方法が求められている。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電力用半導体素子の電極層と配線部との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる電力用半導体装置を提供することである。
本発明の電力用半導体装置は電力用半導体素子と第１配線部と少なくとも１つの主ボンディングワイヤと少なくとも１つの副ボンディングワイヤとを有する。電力用半導体素子は、導体から作られた電極層を有する。第１配線部は、導体から作られており、電力用半導体素子から離れている。少なくとも１つの主ボンディングワイヤは電極層上の一方端と第１配線部上の他方端とを有する。少なくとも１つの副ボンディングワイヤは、主ボンディングワイヤを支持しており、電極層および第１配線部のいずれか一方の上に両端を有する。
本発明の電力用半導体装置によれば、電力用半導体素子の電極層と配線部とを電気的に接続する主ボンディングワイヤが、副ボンディングワイヤに支持される。これにより、電力用半導体素子の電極層と配線部との間の電気的経路の機械的安定性が高められる。よって電力用半導体素子および配線部の間の電気的経路としての主ボンディングワイヤと、周囲の異電位の箇所との、望ましくない接近を抑制することができる。
また電力用半導体素子の電極層と配線部との間の電気的経路が、主ボンディングワイヤだけでなく副ボンディングワイヤによっても構成される。これにより電気的経路が分散される。よって、本電力用半導体装置における電流集中を緩和することができる。
以上のように、電力用半導体素子の電極層と配線部との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる。
本発明の実施の形態１における電力用半導体装置の構成を概略的に示す部分平面図（Ａ）、および、図１（Ａ）の線ＩＢ−ＩＢに沿う概略部分断面図（Ｂ）である。 本発明の実施の形態２における電力用半導体装置の構成を概略的に示す部分平面図（Ａ）、および、図２（Ａ）の線ＩＩＢ−ＩＩＢに沿う概略部分断面図（Ｂ）である。 本発明の実施の形態３における電力用半導体装置の構成を概略的に示す部分平面図（Ａ）、および、図３（Ａ）の線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢに沿う概略部分断面図（Ｂ）である。 本発明の実施の形態４における電力用半導体装置の構成を概略的に示す部分平面図（Ａ）、および、図４（Ａ）の線ＩＶＢ−ＩＶＢに沿う概略部分断面図（Ｂ）である。 本発明の実施の形態５における電力用半導体装置の構成を概略的に示す部分平面図（Ａ）、および、図５（Ａ）の線ＶＢ−ＶＢに沿う概略部分断面図（Ｂ）である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本実施の形態のパワーモジュール９１（電力用半導体装置）の構成を概略的に示す部分平面図である。図１（Ｂ）は図１（Ａ）の線ＩＢ−ＩＢに沿う概略部分断面図である。なお図を見易くするために、封止部８４はその表面のみを示している。
パワーモジュール９１は、電力用半導体素子１０と、配線パターン２０と、複数の主ボンディングワイヤ３０と、副ボンディングワイヤ５１と、はんだ部８１と、絶縁基板８２と、ベース層８３と、封止部８４とを有する。
配線パターン２０は、金属などの導体から作られており、配線部２１（第１配線部）および実装部２９を有する。配線部２１には直線部Ｌ２（第２直線部）を有する縁が設けられている。
電力用半導体素子１０は配線パターン２０の実装部２９上に、はんだ部８１を用いて実装されている。配線部２１は電力用半導体素子１０から離れている。
電力用半導体素子１０は、その表面部１２上に、金属などの導体から作られた電極パッド１１（電極層）を有する。電極パッド１１には直線部Ｌ１（第１直線部）を有する縁が設けられている。直線部Ｌ１およびＬ２は互いに向き合っている。本実施の形態においては、直線部Ｌ１およびＬ２は互いに平行である。
電力用半導体素子１０は、典型的には１５０℃以上で動作し得るパワーデバイスであり、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などのＭＩＳＦＥＴ(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)、またはダイオードである。電極パッド１１は、ゲートパッドのような信号電流用パッドではなく、主電流用パッドである。上記の電力用半導体素子の例においては電極パッド１１は、ソース電極パッド、ドレイン電極パッド、エミッタ電極パッド、コレクタ電極パッド、アノード電極パッドまたはカソード電極パッドであり、典型的には、ソース電極パッド、エミッタ電極パッドまたはアノード電極パッドである。
主ボンディングワイヤ３０は主ワイヤ３０ａ〜３０ｄを有する。主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々は、電極パッド１１上の一方端（図中、右端）と配線部２１上の他方端（図中左端）とを有する。
副ボンディングワイヤ５１は電極パッド１１上に両端を有する。副ボンディングワイヤ５１は主ボンディングワイヤ３０を支持している。副ボンディングワイヤ５１は平面レイアウト（図１（Ａ））において主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々と交差しており、図中では直交している。副ボンディングワイヤ５１は平面レイアウトにおいて直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延びており、本実施の形態においては直線部Ｌ１およびＬ２の各々に沿って延びている。
封止部８４の材料は絶縁体であり樹脂またはゲルを用い得る。封止部８４がゲルの場合、これを収めるためのケースが設けられてもよい。
本実施の形態によれば、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１とを電気的に接続する主ボンディングワイヤ３０が、副ボンディングワイヤ５１に支持される。これにより、電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性が高められる。よって電極パッド１１および配線部２１の間の電気的経路としての主ボンディングワイヤ３０と、周囲の異電位の箇所との、望ましくない接近を抑制することができる。たとえば、主ボンディングワイヤ３０が電力用半導体素子１０の表面部１２の縁に接近することを抑制することができる。
また電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路が、主ボンディングワイヤ３０だけでなく副ボンディングワイヤ５１によっても構成される。これにより電気的経路が分散される。よって、パワーモジュール９１における電流集中を緩和することができる。特に、本実施の形態のように副ボンディングワイヤ５１が電極パッド１１上の両端を有する場合は、配線部２１から電極パッド１１への電気的経路が、主ボンディングワイヤ３０および副ボンディングワイヤ５１が互いに接触する箇所において分岐して、主ボンディングワイヤ３０の他方端（図中、右端）だけでなく副ボンディングワイヤの両端へと延びる。つまり配線部２１からの電気的経路が接続される箇所が電極パッド１１上においてより分散される。これにより電力用半導体素子１０の電極パッド１１における局所的な電流集中が緩和される。
以上のように、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる。この結果、たとえば、パワーモジュール９１の製造過程における歩留まりが向上し得る。またパワーモジュール９１を長寿命化し得る。また電流損失の低減による省エネルギーが実現され得る。
また電力用半導体素子１０は、典型的には１５０℃以上で動作し得るパワーデイバスであり、パワーモジュール９１には比較的大きな熱膨張収縮が生じる。この熱膨張収縮には、主ボンディングワイヤ３０の存在によって、方向性が生じやすい。特に、図１（Ａ）に示すように、主ワイヤ３０ａ〜３０ｄが並行して配置されると、パワーモジュール９１において主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの存在、言い換えれば主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々の延在方向（図１（Ａ）における横方向）の影響の存在、によって生じる熱膨張収縮の方向性がより問題となりやすい。本実施の形態によれば、この方向性を、主ワイヤ３０ａ〜３０ｄとは異なる方向に延びる副ボンディングワイヤ５１の存在によって緩和することができる。これによりパワーモジュール９１内の応力を緩和することができる。
電力用半導体素子１０は、炭化珪素半導体素子およびガリウムヒ素半導体素子のいずれかであってもよい。半導体材料として最も一般的なシリコン（Ｓｉ）に比して炭化珪素（ＳｉＣ）およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ）は大きな線膨張係数を有する。典型的な値を例示すると、Ｓｉが２．４×１０-6／Ｋであるのに対して、ＳｉＣは４．５×１０-6／Ｋ、またＧａＡｓは６．８６×１０-6／Ｋである。このため炭化珪素半導体素子またはガリウムヒ素半導体素子が用いられる場合、パワーモジュール９１内の応力を緩和することが特に求められる。よって本実施の形態が適用されることで、特に大きな利点が得られる。
また主ボンディングワイヤ３０が１つの主ワイヤではなく主ワイヤ３０ａ〜３０ｄを含むのは、主ボンディングワイヤ３０が、信号電流のような小電流の経路ではなく、電力用半導体素子１０によって制御対象とされる主電流の電気的経路であるためである。このように大電流を扱う場合、副ボンディングワイヤ５１による電流経路の分散の利点が特に大きい。
副ボンディングワイヤ５１は平面レイアウト（図１（Ａ））において主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々と交差している。これにより１つの副ボンディングワイヤ５１が複数の主ワイヤ３０ａ〜３０ｄを支持することができる。
主ボンディングワイヤ３０は、平面レイアウト（図１（Ａ））において、直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかにおおよそ直交するように設けられることが多い。よって本実施の形態のように副ボンディングワイヤ５１が平面レイアウトにおいて直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延びている場合、主ボンディングワイヤ３０と副ボンディングワイヤ５１とをおおよそ直交させることができる。この結果、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性がより高められる。
副ボンディングワイヤ５１の硬度は主ボンディングワイヤ３０の硬度よりも小さくてもよい。この場合、副ボンディングワイヤ５１が、電気的経路としてより重要な主ボンディングワイヤ３０を傷つけにくくなる。
副ボンディングワイヤ５１の線径は主ボンディングワイヤ３０の線径と異なってもよい。この場合、パワーモジュール９１において求められる主ボンディングワイヤ３０の延在状態、特にワイヤループの湾曲状態、を、副ボンディングワイヤ５１の線径によって調整することができる。
主ボンディングワイヤ３０および副ボンディングワイヤ５１は、同じ材料から作られかつ同じ線径を有してもよい。この場合、主ボンディングワイヤ３０および副ボンディングワイヤ５１を形成する工程が類似のものとなる。よって主ボンディングワイヤ３０および副ボンディングワイヤ５１をより容易に形成することができる。
なお本実施の形態においては、配線パターン２０と絶縁基板８２とベース層８３とを有する回路基板が用いられているが、これに代わる構成が用いられてもよい。たとえばリードフレームが用いられてもよく、この場合、リードフレームの一部が第１配線部に対応する。また直線部Ｌ１およびＬ２は、必ず設けられなければならない形状ではない。また電流の大きさによっては、複数の主ボンディングワイヤ３０に代わり１つの主ボンディングワイヤ３０が用いられてもよい。
（実施の形態２）
図２（Ａ）は、本実施の形態のパワーモジュール９２（電力用半導体装置）の構成を概略的に示す部分平面図である。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の線ＩＩＢ−ＩＩＢに沿う概略部分断面図である。なお図を見易くするために、封止部８４はその表面のみを示している。
パワーモジュール９２（電力用半導体装置）は、実施の形態１における副ボンディングワイヤ５１（図１（Ａ）および（Ｂ））の代わりに、少なくとも１つの副ボンディングワイヤ（５２）を有する。副ボンディングワイヤ５２は配線部２１上に両端を有する。副ボンディングワイヤ（５２）は平面レイアウト（図２（Ａ））において主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々と交差しており、図中では直交している。副ボンディングワイヤ５２は平面レイアウトにおいて直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延びており、本実施の形態においては直線部Ｌ１およびＬ２の各々に沿って延びている。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる。またパワーモジュール９２内の応力を緩和することができる。
また本実施の形態においては特に、副ボンディングワイヤ５２が、電極パッド１１上ではなく配線部２１上の両端を有する。よって、副ボンディングワイヤ５２の両端を電極パッド１１の大きさとは無関係に配置することができる。このことは、電極パッド１１の大きさが小さい場合に特に有利である。
副ボンディングワイヤ５２は平面レイアウト（図１（Ａ））において主ワイヤ３０ａ〜３０ｄの各々と交差している。これにより、１つの副ボンディングワイヤ５２が複数の主ワイヤを支持することができる。
本実施の形態のように副ボンディングワイヤ５２が平面レイアウトにおいて直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延びている場合、主ボンディングワイヤ３０と副ボンディングワイヤ５２とをおおよそ直交させることができる。この結果、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性がより高められる。
副ボンディングワイヤ５２の線径および材料については、実施の形態１と同様の選択によって、ほぼ同様の効果を得ることができる。
なお本実施の形態の構成に加えてさらに、実施の形態１の副ボンディングワイヤ５１が設けられてもよい。
（実施の形態３）
図３（Ａ）は、本実施の形態のパワーモジュール９３（電力用半導体装置）の構成を概略的に示す部分平面図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）の線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢに沿う概略部分断面図である。なお図を見易くするために、封止部８４はその表面のみを示している。
パワーモジュール９３（電力用半導体装置）は配線パターン２０に代わり配線パターン２０Ｍを有する。配線パターン２０Ｍは配線パターン２０の構成に加えて配線部２２（第２配線部）を有する。配線部２２は配線部２１および実装部２９の間に設けられている。ここで実装部２９上に電極パッド１１が位置することから、言い換えれば、配線部２２は配線部２１および電極パッド１１の間に設けられている。配線部２２は、主ボンディングワイヤ３０から離れており、主ボンディングワイヤ３０によって跨がれている。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によっても、実施の形態２と同様、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性を高めつつ、電気的経路を分散することで電流集中を緩和することができる。またパワーモジュール９２内の応力を緩和することができる。
また本実施の形態においては特に、電力用半導体素子１０および配線部２１の間の電気的経路としての主ボンディングワイヤ３０と、配線部２２との、望ましくない接近を抑制することができる。
（実施の形態４）
図４（Ａ）は、本実施の形態のパワーモジュール９４（電力用半導体装置）の構成を概略的に示す部分平面図である。図４（Ｂ）は図４（Ａ）の線ＩＶＢ−ＩＶＢに沿う概略部分断面図である。なお図を見易くするために、封止部８４はその表面のみを示している。
パワーモジュール９４（電力用半導体装置）は、実施の形態１のものと同様の副ボンディングワイヤ５１を有する。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によれば、副ボンディングワイヤ５１が設けられることによって、実施の形態３で説明した効果をより確実に得ることができる。なお副ボンディングワイヤ５２は、不要な場合、省略されてもよい。
（実施の形態５）
図５（Ａ）は、本実施の形態のパワーモジュール９５（電力用半導体装置）の構成を概略的に示す部分平面図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）の線ＶＢ−ＶＢに沿う概略部分断面図である。なお図を見易くするために、封止部８４はその表面のみを示している。
パワーモジュール９５（電力用半導体装置）は、副ボンディングワイヤ５１（図４（Ａ）および（Ｂ））の代わりに、少なくとも１つの副ボンディングワイヤ５２Ｒを有する。本実施の形態においては副ボンディングワイヤ５２Ｒは副ワイヤ５２ａ〜５２ｃを有する。副ワイヤ５２ａは、主ワイヤ３０ａ〜３０ｃのうち主ワイヤ３０ａのみを支持している。副ワイヤ５２ｂは、主ワイヤ３０ａ〜３０ｃのうち主ワイヤ３０ｂのみを支持している。
またパワーモジュール９５は、副ボンディングワイヤ５２（図４（Ａ）および（Ｂ））の代わりに、少なくとも１つの副ボンディングワイヤ５１Ｂを有する。副ボンディングワイヤ５１Ｂは、平面レイアウトにおいて、両端だけでなく、主ワイヤ３０ａおよび３０ｂの間と主ワイヤ３０ｂおよび３０ｃの間とにボンディングポイントＢＰを有する。副ボンディングワイヤ５１Ｂは平面レイアウトにおいて直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延びており、本実施の形態においては直線部Ｌ１およびＬ２の各々に沿って延びている。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態４の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によれば、副ボンディングワイヤ５２Ｒに含まれる副ワイヤ５２ａ〜５２ｃの各々は、副ボンディングワイヤ（図（Ａ）および（Ｂ））に比して短くすることができる。よって副ワイヤ５２ａ〜５２ｃの剛性を高めることができる。よって電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性がより高められる。
また副ボンディングワイヤ５１Ｂは、その両端以外にもボンディングポイントＢＰを有するので、より高い剛性を有する。よって電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性がより高められる。
また副ボンディングワイヤ５１Ｂは、副ボンディングワイヤ５２Ｒに比して、直線部Ｌ１およびＬ２の少なくともいずれかに沿って延ばしやすい。よって、主ボンディングワイヤ３０と副ボンディングワイヤ５１Ｂとをおおよそ直交させやすい。この結果、電力用半導体素子１０の電極パッド１１と配線部２１との間の電気的経路の機械的安定性がより高められる。
副ボンディングワイヤ５１Ｂおよび５２Ｒの線径および材料については、実施の形態１と同様の選択によって、ほぼ同様の効果を得ることができる。
なお副ボンディングワイヤ５１Ｂのようにその両端以外にもボンディングポイントＢＰを有するワイヤは配線部２１上に配置されてもよい。また副ワイヤ５２ａ〜５２ｃのような副ボンディングワイヤ５２Ｒは電極パッド１１上に配置されてもよい。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
Ｌ１ 直線部（第１の直線部）、Ｌ２ 直線部（第２の直線部）、ＢＰ ボンディングポイント、１０ 電力用半導体素子、１１ 電極パッド（電極層）、２０，２０Ｍ 配線パターン、２１ 配線部（第１の配線部）、２２ 配線部（第２の配線部）、２９ 実装部、３０ 主ボンディングワイヤ、５１，５１Ｂ，５２，５２Ｒ 副ボンディングワイヤ、３０ａ〜３０ｄ 主ワイヤ、５２ａ〜５２ｃ 副ワイヤ、８４ 封止部、９１〜９５ パワーモジュール（電力用半導体装置）。

Claims (11)

  1. 導体から作られた電極層を有する電力用半導体素子と、
    導体から作られ、前記電力用半導体素子から離れた第１配線部と、
    前記電極層上の一方端と前記第１配線部上の他方端とを有する少なくとも１つの主ボンディングワイヤと、
    前記主ボンディングワイヤを支持し、前記電極層および前記第１配線部のいずれか一方の上に両端を有する少なくとも１つの副ボンディングワイヤと
    を備える、電力用半導体装置。
  2. 前記少なくとも１つの主ボンディングワイヤは第１および第２主ワイヤを含む、請求項１に記載の電力用半導体装置。
  3. 前記少なくとも１つの副ボンディングワイヤは平面レイアウトにおいて前記第１および第２主ワイヤと交差している、請求項２に記載の電力用半導体装置。
  4. 前記少なくとも１つの副ボンディングワイヤは、前記第１および第２主ワイヤのうち一方のみを支持する第１副ワイヤと他方のみを支持する第２副ワイヤとを含む、請求項２に記載の電力用半導体装置。
  5. 前記少なくとも１つの副ボンディングワイヤは、平面レイアウトにおいて前記第１および第２主ワイヤの間にボンディングポイントを有するボンディングワイヤを含む、請求項２に記載の電力用半導体装置。
  6. 前記電力用半導体素子の前記電極層には第１直線部を有する縁が設けられ、前記第１配線部には前記第１直線部に向き合う第２直線部を有する縁が設けられ、前記副ボンディングワイヤは平面レイアウトにおいて前記第１直線部および前記第２直線部の少なくともいずれかに沿って延びている、請求項１から５のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
  7. 前記電力用半導体素子の前記電極層および前記第１配線部の間に設けられ前記主ボンディングワイヤによって跨がれる第２配線部をさらに備える、請求項１から６のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
  8. 前記副ボンディングワイヤの硬度は前記主ボンディングワイヤの硬度よりも小さい、請求項１から７のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
  9. 前記副ボンディングワイヤの線径は前記主ボンディングワイヤの線径と異なる、請求項１から８のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
  10. 前記主ボンディングワイヤおよび前記副ボンディングワイヤは、同じ材料から作られかつ同じ線径を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
  11. 前記電力用半導体素子は、炭化珪素半導体素子およびガリウムヒ素半導体素子のいずれかである、請求項１から１０のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
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