CN110078501A - 一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；S3、瓷质砖坯体的制备；S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，再进行施釉；S5、烘干和烧成；S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。本发明制备方法简单易操作，制得的瓷质砖耐磨度高，不易破碎和产生微裂，具有很好的闪晶质感，装饰性强，应用范围更广泛。

Description

一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法
技术领域
本发明涉及瓷质砖制备技术领域，特别涉及一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法。
背景技术
目前，让高温（≥1200℃）瓷质砖的砖面在灯光下闪光的常见工艺有糖果釉和云母片，将上述材料喷洒在砖面上经高温烧成，通过材料本身对光线强反射的物理特性与无反射或弱反射的基础釉面，形成光线的镜面反射差来达到闪光效果，增强产品装饰性。
公开号CN103435369的中国专利公开了一种耐磨防滑干粒陶瓷砖的制造方法，包括：（1）成型陶瓷砖平面基体，进行图案装饰：（2）制备具有耐磨防滑性能的干粒：（3）按配比混合耐磨防滑干粒、闪光干粒、透明干粒，供布料使用；（4）将混合干粒布施于装饰釉坯的表面喷施耐温固定剂；（5）输送至辊道窑烧成，经后续加工，制成陶瓷砖成品，该专利所使用的闪光干粒由云母片和闪光金属粒组成；公开号CN106830686的中国专利公开了一种烧成后具有凹凸质感的糖果釉及瓷质砖的制备方法，所述烧成后具有凹凸质感的糖果釉，糖果釉釉料包括印油和透明熔块，其中糖果釉釉料在高温烧成时不会熔平，烧成砖面产生凹凸不平感，在灯光的照耀下，透明细熔块会闪闪发亮，效果更加丰富细腻。但是，由于材料在高温下的局限性，传统的闪光类产品一般存在于瓷片、三度烧类低温产品中，在耐磨度方面存在不足，且后期存在开裂风险；糖果釉和云母片是通过对光线的镜面反射差异来达到的闪光效果，只能应用在亚光砖或半抛砖上，无法使用在市场需求量最大的抛光产品（光泽度≥75°）。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，该制备方法简单易操作，制得的瓷质砖耐磨度高，不易破碎和产生微裂，具有很好的闪晶质感，装饰性强，应用范围更广泛。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，再进行施釉；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150-1200℃，烧成周期为40-60min，制得半成品瓷质砖；
S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
优选的，所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
优选的，所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
优选的，所述S4中施釉的具体方法为：将所述材料A和所述材料B按照质量比为6-4:1混合，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施布量为300-400g/m2。
优选的，所述悬浮剂包括石英、氧化铝、煅烧高岭土中的一种或几种；所述助熔剂包括氧化锌、滑石、白云石中的一种或几种。
优选的，所述S6中金刚砂磨块的莫氏硬度为9级。
优选的，所述S6中特制闪抛磨块的磨料为石英砂或硅砂，且其莫氏硬度为6.5-7级。
优选的，所述S4中施釉的具体方法为：将所述材料B用淋釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层，施布量为300-400g/m2。
本发明所述的闪光晶砂釉是指将锆英石和大理石抛釉经加工处理后分别作为釉料材料A和材料B，再将两者搭配组成的一种具有闪光效果，具有晶体结构的闪光晶砂釉。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
（1）本发明制备方法可以让高温（1200℃）一次烧成的陶瓷产品呈现出晶体闪光效果，制得的瓷砖耐磨度高，不易破碎和产生微裂，装饰效果闪光自然，光泽丰富，具有很好的闪晶质感。
（2）本发明将锆英石和大理石抛釉经加工处理后分别作为釉料材料A和材料B，通过利用不同透明材料的折射率差异，来实现釉面的闪光效果；本发明通过利用两种釉面材料之间的莫氏硬度差别，采用莫氏硬度鉴于两者之间的磨料来对其中一种材料进行亚光处理，另一材料能够保持原貌（亮光），其中金刚砂磨块可将产品抛光至光泽度为90°，再用特制闪抛磨块亚光处理，降低光泽度至70°，由于材料A的莫氏硬度为7.8级，材料B的莫氏硬度为4-6级，因此磨块只能对材料B进行亚光处理，对材料A无作用，所以材料A和材料B的表面最终呈现出90°和70°两种光泽度，使得产品的折射差和反射差都得到更好的体现，该抛光工艺可使瓷砖具有更好的闪光效果。
（3）本发明可以应用在完全抛光的大理石瓷砖和陶瓷板材上，同时也推动行业主流大理石瓷砖的工艺发展，让其更加接近天然石材，更具装饰性和竞争力，应用范围更广泛。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
实施例1
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于200℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料A和所述材料B按照质量比为5:1混合，再加入水、石英和氧化锌充分混合成釉料，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施布量为350g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于180℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1200℃，烧成周期为50min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为7级的石英砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
实施例2
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料A和所述材料B按照质量比为4:1混合，再加入水、氧化铝和滑石充分混合成釉料，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施布量为300g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150℃，烧成周期为40min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为6.5级的石英砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
实施例3
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料A和所述材料B按照质量比为6:1混合，再加入水、煅烧高岭土和白云石充分混合成釉料，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施布量为400g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1200℃，烧成周期为60min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为7级的硅砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
实施例4
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于200℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料B用淋釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层，施布量为350g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于180℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1200℃，烧成周期为50min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为7级的石英砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
实施例5
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料B用淋釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层，施布量为300g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150℃，烧成周期为40min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为6.5级的石英砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
实施例6
一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后将所述材料B用淋釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1.5:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层，施布量为400g/m2；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1200℃，烧成周期为60min，制得半成品瓷质砖；
S6、用莫氏硬度为9级的金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用磨料为莫氏硬度为7级的硅砂特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的普通技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将锆英石进行破碎、酸洗、除铁和筛选去除杂质，提取高纯度闪光颗粒，得到材料A；
S2、将大理石抛釉进行煅烧、混合和球磨配制基础釉，得到材料B；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干，得到瓷质砖生坯；
S4、在S3制得的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，再进行施釉；
S5、将S4制得的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，将瓷质砖生坯一次烧成，烧成温度为1150-1200℃，烧成周期为40-60min，制得半成品瓷质砖；
S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，再用特制闪抛磨块进行抛哑光处理，最后检验入库。
2.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S1中材料A的物理抗热稳定性大于1350℃、熔点为2500℃、折射率为1.93-2.01、莫氏硬度为7.8级，且烧成后为无色透明晶体。
3.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S2中材料B的物理性能熔点为1180℃、折射率为1.4-1.5、莫氏硬度为4-6级，且烧成后为无色透明玻璃体。
4.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S4中施釉的具体方法为：将所述材料A和所述材料B按照质量比为6-4:1混合，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合成釉料，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施布量为300-400g/m2。
5.根据权利要求4所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述悬浮剂包括石英、氧化铝、煅烧高岭土中的一种或几种；所述助熔剂包括氧化锌、滑石、白云石中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S6中金刚砂磨块的莫氏硬度为9级。
7.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S6中特制闪抛磨块的磨料为石英砂或硅砂，且其莫氏硬度为6.5-7级。
8.根据权利要求1所述的全抛闪光晶砂釉瓷质砖的制备方法，其特征在于：所述S4中施釉的具体方法为：将所述材料B用淋釉工艺施布在瓷质砖生坯表面，再将羧甲基纤维素钠、氧化锌和所述材料A按照质量比为1:1-2:4混合后用喷釉工艺施布在材料B的上层，施布量为300-400g/m2。
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