CN102731169A

CN102731169A - 全抛釉瓷片及其制备方法

Info

Publication number: CN102731169A
Application number: CN2012102421928A
Authority: CN
Inventors: 詹长春; 柯美云; 赵达峰; 陈宗玲
Original assignee: Foshan Kejie Glaze Co ltd
Current assignee: Foshan Kejie Glaze Co ltd
Priority date: 2012-07-13
Filing date: 2012-07-13
Publication date: 2012-10-17

Abstract

本发明公开了一种全抛釉瓷片及其制备方法。全抛釉瓷片包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层按重量百分比包括全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%，助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。本发明用于瓷片装饰，得到的瓷片的釉面效果好，釉层透明度高，抛后光亮，平整度高，更能体现釉下图案分明的纹理层次、质感丰富，且砖形变形小、抗热震性好，镜面效果高，通透质感强。

Description

全抛釉瓷片及其制备方法

技术领域

本发明涉及建筑陶瓷领域，具体涉及全抛釉瓷片及其制备方法。

背景技术

最近十多年来，建筑卫生陶瓷行业迅猛发展，陶瓷生产工艺技术和产品更是日新月异。兼具抛光砖表面光滑、光泽度好特点和仿古砖花色丰富多样、极具个性化特点的仿古砖全抛釉产品在这几年达到了前所未有的风靡，出现满城尽是全抛釉的局面。然而瓷片领域近十多年未能得到长足发展，与仿古砖领域形成鲜明对比，除了在装饰手法上由丝网印刷升级到胶辊印刷再升级到目前炙手可热的喷墨打印以外，其釉面效果没有得到根本性提升。一直没能开发出像仿古砖全抛釉产品一样具有高镜面效果和通透质感的产品。将十年前的瓷片产品和现在的放一起，釉面质感、亮度、平整度、针孔等方面都没有得到任何改善。随着人们生活水平的不断提高，高端市场的产品需求也会越来越多，全抛釉瓷片在厨卫上墙领域的优势将进一步体现，也给传统瓷片市场的发展增加新动力，也将成为高端瓷片市场的一种趋势和潮流。因此瓷片全抛釉料的开发应用将产生非常可观的经济效益和社会效益。

发明内容

本发明的目的在于提供一种全抛釉瓷片，并提供相应的制备方法。

本发明所采用技术解决方案为：全抛釉瓷片包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层按重量百分比包括全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%,助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。

以上所述全抛釉熔块由如下按重量百分比的组分组成：钾长石30~35%；方解石15~20%；烧滑石5~8%；氧化锌6~10%；硼酸6~10%；碳酸钡3~5%；氧化铝1~2%；石英28~33%。

全抛釉层的助料组分按重量百分比为三聚磷酸钠75%，羧甲基纤维素钠25%。

全抛釉熔块的化学组成的重量百分比为：SiO₂ 55~65%, Al₂O₃ 6~9%，K₂O 2~4%，Na₂O 0~1%，CaO 9~12%，MgO 1~3%，ZnO 8~12%，BaO 3~5%，B₂O₃ 5~8%。

全抛釉瓷片的制备方法，其步骤为:

（1）将全抛釉熔块原料混合均匀后，在1530℃~1600℃温度下熔融2~3小时成熔体，经淬水，破碎，干燥后得到全抛釉熔块；

（2）将全抛釉熔块、生料、水和助料混合，经球磨，至取100g浆过325目筛筛余为0.1~0.2%，得到全抛釉釉浆；

（3）将全抛釉釉浆淋于坯体的花釉层上表面，形成全抛釉层，入窑，在1100~1120℃温度下烧结50~70分钟后取出，经抛光，打蜡，得全抛釉瓷片。

在上述制备方法的步骤（1）中所述的全抛釉熔块的膨胀系数在20~600℃为5.3~5.7×10^-6/℃。

在上述制备方法的步骤（2）中所述的全抛釉釉浆的比重为1.80~1.84。

在上述制备方法的在步骤（3）中所述的全抛釉层的厚度为0.08~0.15mm。

本发明的原理是在瓷片上利用釉下彩装饰技术，在面釉上印花或喷墨后，施上一层全抛釉材料，烧成后，再采用抛光、打蜡工艺技术，从而大幅度地提高瓷片整体釉面效果的一种全抛釉瓷片。

本发明的优点是全抛釉瓷片集仿古砖的纹理层次分明、质感丰富与抛光砖亮光、高平整度、几乎零针孔等优点于一体，与传统瓷片产品相比，全抛釉瓷片产品从釉面质感、亮度、平整度、针孔等方面都比锆白、半白等亮光瓷片有明显优势，是一种全创新的瓷片新品种，大幅提高瓷片釉面效果及审美价值。

附图说明

图1为现有瓷片构造示意图；

图2为本发明的全抛釉瓷片构造示意图。

具体实施方式

如图2所示，全抛釉瓷片包括坯体层1、底釉层2、面釉层3、花釉层4，在花釉层4的上表面设有全抛釉层5。所述全抛釉层5包括全抛釉熔块，生料，水,助料。其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。

全抛釉瓷片按以下工艺流程生产：素坯→除尘→补水→淋底釉→淋面釉→印花（或喷墨）→淋抛釉→入窑烧成→抛光（粗抛、精抛）→烘干→打蜡→磨边→成品。

实施例1：

按钾长石30kg，方解石15kg，烧滑石5kg，氧化锌6kg，碳酸钡4kg，硼酸10kg，氧化铝2kg，石英28kg称料，混合均匀后，在电炉内1530℃温度下熔融2小时成熔体，淬水、破碎、干燥得全抛釉熔块。

按瓷片全抛釉熔块64kg，气刀土5kg，三聚磷酸钠0.3kg，羧甲基纤维素钠0.1kg，水31kg称料，混合均匀后，球磨，至取100g浆过325目筛筛余为0.1~0.2%，并调比重至1.82，得瓷片全抛釉釉浆。

以300mm×600mm规格的瓷片为例，在坯体层1上淋底釉、面釉、花釉、全抛釉釉浆都是100g，形成底釉层2，面釉层3，花釉层4和全抛釉层5，全抛釉层5的厚度为0.08mm。入窑烧结温度为1100℃，50分钟后取出，经抛光，打蜡得全抛釉瓷片。

实施例2：

按钾长石32 kg，方解石16 kg，烧滑石6 kg，氧化锌7 kg，碳酸钡3 kg，硼酸6 kg，氧化铝1 kg，石英29 kg称料，混合均匀后，在电炉内1530℃温度下熔融2.5小时成熔体，淬水、破碎、干燥得全抛釉熔块。

按瓷片全抛釉熔块71 kg，三聚磷酸钠0.3 kg，羧甲基纤维素钠0.1 kg，水29 kg称料，混合均匀后，球磨，至取100g浆过325目筛筛余为0.1~0.2%，并调比重至1.84，得全抛釉釉浆。

以300mm×600mm规格的瓷片为例，在坯体层1上淋底釉、面釉、花釉、全抛釉釉浆都是100g，形成底釉层2，面釉层3，花釉层4和全抛釉层5，全抛釉层5的厚度为0.15mm。入窑烧结温度为1120℃，60分钟后取出，经抛光，打蜡得全抛釉瓷片。

实施例3：

按钾长石33 kg，方解石15 kg，烧滑石5 kg，氧化锌8 kg，碳酸钡3 kg，硼酸7 kg，氧化铝1 kg，石英28 kg称料，混合均匀后，在电炉内1600℃温度下熔融3小时成熔体，淬水、破碎、干燥得全抛釉熔块。

瓷片全抛釉熔块65 kg，气刀土3 kg，三聚磷酸钠0.3 kg，羧甲基纤维素钠0.1 kg，水32 kg称料，混合均匀后，球磨，至取100g浆过325目筛筛余为0.1~0.2%，并调比重至1.83，得全抛釉釉浆。

以300mm×600mm规格的瓷片为例，在坯体层1上淋底釉、面釉、花釉、全抛釉釉浆都是100g，形成底釉层2，面釉层3，花釉层4和全抛釉层5，全抛釉层5的厚度为0.10mm。入窑烧结温度为1120℃，70分钟后取出，经抛光，打蜡得全抛釉瓷片。

实施例4：

按钾长石30 kg，方解石19 kg，烧滑石5 kg，氧化锌6 kg，碳酸钡3 kg，硼酸6 kg，氧化铝1 kg，石英30 kg称料，混合均匀后，在电炉内1550℃温度下熔融3小时成熔体，淬水、破碎、干燥得全抛釉熔块。

按瓷片全抛釉熔块65 kg，高岭土7kg，三聚磷酸钠0.3 kg，羧甲基纤维素钠0.1 kg，水28 kg称料，混合均匀后，球磨，至取100g浆过325目筛筛余为0.1~0.2%，并调比重至1.83，得全抛釉釉浆。

以300mm×600mm规格的瓷片为例，在坯体层1上淋底釉、面釉、花釉、全抛釉釉浆都是100g，形成底釉层2，面釉层3，花釉层4和全抛釉层5，全抛釉层5的厚度为0.09mm。入窑烧结温度为1120℃，55分钟后取出，经抛光，打蜡得全抛釉瓷片。

实施例1、实施例2、实施例3、实施例4中全抛釉熔块的主要化学组成（重量%）和20-600℃的膨胀系数（×10^-6/℃）：

上述化学组分中的SiO₂ 由石英得到，Al₂O₃ 由氧化铝得到，K₂O和Na₂O 由钾长石得到，CaO 由方解石得到，MgO 由烧滑石得到，ZnO 由氧化锌得到，BaO 由碳酸钡，B₂O_3由硼酸得到。

实施例1、实施例2、实施例3、实施例4中得到全抛釉瓷片产品的性能特征见下表：

实验结果表明，使用本发明釉料得到的瓷片产品其釉面效果好，釉层透明度高，抛后光亮，平整度高，更能体现釉下图案分明的纹理层次、质感丰富，且砖形变形量小、抗热震性好，成品符合国家标准要求。

Claims

1.全抛釉瓷片，包括坯体层、底釉层、面釉层、花釉层，其特征在于在花釉层上表面设有全抛釉层，所述全抛釉层包括按重量百分比全抛釉熔块64%~71%，生料0~7%，水25~32%,助料0.1~0.5%，其中全抛釉熔块所用原料为：钾长石、方解石、烧滑石、氧化锌、硼酸、碳酸钡、氧化铝、石英，生料为气刀土或高岭土。

2.如权利要求1所述的全抛釉瓷片，其特征在于全抛釉熔块由如下按重量百分比的组分组成：钾长石30~35%；方解石15~20%；烧滑石5~8%；氧化锌6~10%；硼酸6~10%；碳酸钡3~5%；氧化铝1~2%；石英28~33%。

3.如权利要求1所述的全抛釉瓷片，其特征在于所述助料按重量百分比为三聚磷酸钠75%，羧甲基纤维素钠25%。

4.如权利要求1所述的全抛釉瓷片，其特征在于全抛釉熔块的化学组成的重量百分比为：SiO₂ 55~65%, Al₂O₃ 6~9%,K₂O 2~4%,Na₂O 0~1%,CaO 9~12%,MgO 1~3%,ZnO 8~12%,BaO 3~5%,B₂O₃ 5~8%。

5.全抛釉瓷片的制备方法，其特征在于制备步骤如下:

（3）将全抛釉釉浆淋于坯体的花釉层上表面，形成全抛釉层，入窑，在1100~1120℃温度下烧结50~70分钟后，取出，经抛光，打蜡，得全抛釉瓷片。

6. 如权利要求4所述的全抛釉瓷片的制备方法，其特征在于在步骤（1）中所述的全抛釉熔块的膨胀系数在20~600℃为5.3~5.7×10^-6/℃。

7. 如权利要求4所述的全抛釉瓷片的制备方法，其特征在于在步骤（2）中所述的全抛釉釉浆的比重为1.80~1.84。

8.如权利要求4所述的全抛釉瓷片的制备方法，其特征在于在步骤（3）中所述的全抛釉层的厚度为0.08~0.15mm。