CN107032830A - 一种柔光抛釉砖的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种柔光抛釉砖的生产方法，由以下步骤组成：(1)按常规方法制备柔光抛釉砖坯体；(2)配制柔光抛釉砖底釉和面釉；(3)施底釉；(4)干燥；(5)施面釉；(6)干燥和烧成；(7)抛光处理；(8)拣选、包装、入库。本发明的有益效果是解决了现有抛釉砖进行柔光处理中易出现的划痕严重、容易吸污的问题，提供了一种更好的柔光抛釉砖的生产方法。

Description

一种柔光抛釉砖的生产方法
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷技术领域，特别是涉及一种柔光抛釉砖的生产方法。
背景技术
随着社会经济的不断发展，人们对生活品质、生活环境的要求也不断提高，具有天然仿石、简洁、高品位的装饰材料成为消费的主流。抛釉砖集抛光砖和仿古砖优点于一体，即可实现釉面如抛光砖的表面一般光滑亮洁，又可实现釉面装饰效果如仿古砖般图案丰富、色彩绚丽。目前市面上抛釉瓷质砖、微晶石及仿古瓷质砖已经逐步成为市场的主流产品，每一系列产品由于其理化性能不同，造成其各有优缺点。柔光效果的砖面因其光泽度柔和，装饰典雅，是人们喜欢的高档建材。
目前现有技术制备的抛釉砖光泽度很高，很少有柔光制品，主要是因为按照传统的方式，制备柔光制品，只需将抛磨工段中的精磨去掉，即降低磨具细度即可。但是通过这种方式虽然降低了表面光泽度，可以得到柔光制品，但因表面划痕严重，这些划痕影响装饰，而且特别容易吸污。不利于使用后的保洁服务。因此本发明针对现有工艺进行改良，提供一种具有装饰效果好而且耐污的柔光抛釉砖产品生产方法。
发明内容
本发明要解决的是现有柔光抛釉砖表面划痕严重、容易吸污染的技术问题，为解决上述问题，所采用的技术方案如下：一种柔光抛釉砖生产方法，其特征在于，由以下步骤组成：按常规方法制备柔光抛釉砖坯体，配制柔光抛釉砖底釉和面釉，施底釉，干燥，施面釉，干燥和烧成，抛光处理，拣选、包装、入库。
其中，在所述施底釉步骤中，将柔光抛釉砖底釉施于柔光抛釉砖生坯上，单位面积施面浆重量为1000-1400g/m2；在所述干燥步骤中，将施过底釉的柔光抛釉砖生坯再在干燥窑中于150-300℃下烘干；在所述施面釉步骤中，将柔光抛釉砖面釉施于干燥后的柔光抛釉砖生坯上，单位面积施面浆重量为600-800g/m2；在所述干燥和烧成步骤中，将施过面釉的柔光抛釉砖生坯在干燥窑中于150-300℃下烘干。接着在辊道窑中使用常规的陶瓷烧成温度制度、压力制度和气氛制度，将烘干处理后的柔光抛釉砖生坯一次烧成，烧成温度为1150-1250℃，烧成周期为40-90min，制得柔光抛釉砖半成品。
进一步地，在所述配制柔光抛釉砖底釉和面釉步骤中，所述底釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石30％～ 35％、钠长石20％～25％、高岭土8％～ 10％、石英25％～ 35％、滑石5％～ 10％、氧化铝4％～6％。
进一步地，所述面釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石35％～ 40％、硅灰石25％～30％、方解石5％～ 7％、石英5％～ 8％、高岭土6％～ 8％、氧化锌3％～5％、碳酸钡8％～ 10％及白云石3％～ 7％。
进一步地，在所述抛光步骤中，将烧成后的柔光抛釉砖半成品按如下工序进行抛光：1、使用弹性磨块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结金刚砂磨料，磨料的细度为100-240目；2、使用柔光模块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结碳化硅和氧化镁磨料，磨料的细度为250-350目；3、使用研磨擦作为抛光模具的抛光机，研磨擦的刷毛是由硬质塑料和碳化硅的磨料构成，磨料的细度为320-400目；4、使用抛光片作为抛光模具的抛光机，抛光片的抛光介质为与纤维结合的碳化硅磨料，即所述抛光片是将碳化硅磨料嵌入纤维中，通过压实或粘结压实获得，磨料的细度为320-600目。
以上步骤中，凡未加特别说明的，都采用现有技术中的常规控制手段。
本发明的生产步骤中，制备柔光抛釉砖底釉和面釉和抛光是本发明的关键。
本发明由于采用以上技术方案，产生的有益效果是：
（1）减少了产品在烧后釉面上出现小凸点(痱子)、针孔等缺陷（2）保持釉料发色效果和稳定的釉面光泽度，使釉面更加细腻并得到柔光效果，同时光线产生漫反射，形成无光效果。
（2）使釉面表面光亮无划痕，呈现出镜面效果。
具体实施方式
实施例1：
一种柔光抛釉砖的生产方法，由以下步骤组成：按常规方法制备柔光抛釉砖坯体，配制柔光抛釉砖底釉和面釉，施底釉，干燥，施面釉，干燥和烧成，抛光处理，拣选、包装、入库。
进一步地，所述底釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石30％、钠长石22％、高岭土10％、石英25％、滑石8％、氧化铝5％；所述面釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石38％、硅灰石27％、方解石6％、石英8％、高岭土7％、氧化锌2％、碳酸钡9％及白云石3％；
进一步的，所述抛光处理的具体方法如下：（1）使用弹性磨块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结金刚砂磨料，磨料的细度为100-240目；（2）使用柔光模块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结碳化硅和氧化镁磨料，磨料的细度为250-350目；（3）使用研磨擦作为抛光模具的抛光机，研磨擦的刷毛是由硬质塑料和碳化硅的磨料构成，磨料的细度为320-400目；（4）使用抛光片作为抛光模具的抛光机，抛光片的抛光介质为与纤维结合的碳化硅磨料，即所述抛光片是将碳化硅磨料嵌入纤维中，通过压实或粘结压实获得，磨料的细度为320-600目。
实施例2：
一种柔光抛釉砖的生产方法，由以下步骤组成：按常规方法制备柔光抛釉砖坯体，配制柔光抛釉砖底釉和面釉，施底釉，干燥，施面釉，干燥和烧成，抛光处理，拣选、包装、入库。
进一步地，所述底釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石32％、钠长石20％、高岭土12％、石英23％、滑石9％、氧化铝4％；所述面釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石40％、硅灰石25％、方解石7％、石英7％、高岭土5％、氧化锌2％、碳酸钡9％及白云石5％，其余与实施例1相同。
实施例3：
一种柔光抛釉砖的生产方法，由以下步骤组成：按常规方法制备柔光抛釉砖坯体，配制柔光抛釉砖底釉和面釉，施底釉，干燥，施面釉，干燥和烧成，抛光处理，拣选、包装、入库。
进一步地，所述底釉的材料包括如下质量百分含量的原料：底釉配方为 (重量份)：钾长石35％、钠长石20％、高岭土10％、石英25％、滑石5％、氧化铝5％；面釉配方为(重量份)：钾长石37％、硅灰石26％、方解石7％、石英5％、高岭土7％、氧化锌2％、碳酸钡9％及白云石7％,其余与实施例1相同。
对上述三个实施例所制备的柔光抛釉砖的白度、耐磨性能、耐污等级、吸水率根据《GB/T3810-2006》进行测试的结果见表1：
表1：测试结果
白度（°） 耐磨等级 防污等级 吸水率（%）
实施例1 80 4 4 0.04
实施例2 81 4 4 0.05
实施例3 80.5 4 4 0.06
从表1 中可以看出，实施例1 ～实施例3 制备的柔光抛釉砖吸水率在0.1% 以下，抗污等级达到4 级，且白度在80°以上，耐磨等级达4 级，远大于国家标准，即实施例1 ～实施例3 的柔光抛釉砖的吸水率低、白度高、耐磨性能好、防污性能好即本发明的全抛釉砖具有较高的白度且性能较好。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (4)

1.一种柔光抛釉砖的生产方法，其特征在于，由以下步骤组成：制备柔光抛釉砖坯体，配制柔光抛釉砖底釉和面釉，施底釉，干燥，施面釉，干燥和烧成，抛光处理，拣选、包装、入库。
2.根据权利要求1所述的一种柔光抛釉砖的生产方法，其特征在于，所述底釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石30％～35％、钠长石20％～25％、高岭土8％～10％、石英25％～35％、滑石5％～10％、氧化铝4％～6％。
3.根据权利要求1所述的一种柔光抛釉砖的生产方法，其特征在于所述面釉的材料包括如下质量百分含量的原料：钾长石35％～40％、硅灰石25％～30％、方解石5％～7％、石英5％～8％、高岭土6％～8％、氧化锌3％～5％、碳酸钡8％～10％及白云石3％～7％。
4.根据权利要求1所述的一种柔光抛釉砖的生产方法，其特征在于：所述抛光处理的具体方法如下：（1）使用弹性磨块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结金刚砂磨料，磨料的细度为100-240目；（2）使用柔光模块作为抛光模具的抛光机，抛光介质使用树脂粘结碳化硅和氧化镁磨料，磨料的细度为250-350目；（3）使用研磨擦作为抛光模具的抛光机，研磨擦的刷毛是由硬质塑料和碳化硅的磨料构成，磨料的细度为320-400目；（4）使用抛光片作为抛光模具的抛光机，抛光片的抛光介质为与纤维结合的碳化硅磨料，即所述抛光片是将碳化硅磨料嵌入纤维中，通过压实或粘结压实获得，磨料的细度为320-600目。
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