CN109904179A - 扇出型传感器封装件 - Google Patents

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CN109904179A
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fan
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layer
wiring layer
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金钟录
白龙浩
曹正铉
金旼槿
孔正喆
许荣植
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Samsung Electronics Co Ltd
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件包括：图像传感器芯片，包括用于图像传感器的集成电路(IC)和光学部，集成电路具有第一表面、第二表面及硅穿孔(TSV)，第一表面上设置有第一连接焊盘，第二表面与第一表面相背对并且第二表面上设置有第二连接焊盘，硅穿孔贯穿在第一表面和第二表面之间并且使第一连接焊盘和第二连接焊盘彼此电连接，光学部设置在用于图像传感器的IC的第一表面上并且具有多个透镜层；包封剂，覆盖用于图像传感器的IC的第二表面的至少部分；重新分布层，设置在包封剂上；及过孔，贯穿包封剂的至少部分并且使重新分布层和第二连接焊盘彼此电连接。

Description

扇出型传感器封装件
本申请要求于2017年12月7日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0167533号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种以扇出形式封装的图像传感器芯片的扇出型传感器封装件。
背景技术
根据近来将全面屏显示器应用于智能电话的前表面的趋势，使设置在现有的智能电话的前表面上的电容式指纹传感器的位置移动是不可避免的。例如，电容式指纹传感器已经被移动到智能电话的后表面或侧表面。但是，在这种情况下，不断地出现设计问题。因此，对能够将指纹传感器设置在显示器面板的下方的光学指纹传感器封装技术的需求增加。
发明内容
本公开的一方面可提供一种光学传感器封装件，其中，由于将传感器封装件附着并且组装到显示器的工艺是容易的，因此可期望组装良率改善和感测特性改善，并且可期望传感器封装件的纤薄化和小型化。
根据本公开的一方面，可提供一种扇出型传感器封装件，其中，光学部和用于图像传感器的集成电路(IC)彼此结合以实现一个图像传感器芯片，使用硅穿孔(TSV)促进了重新分布设计，并且图像传感器芯片设置在芯构件的通孔中然后被包封以使将扇出型传感器封装件附着并组装到显示器的工艺容易。
根据本公开的一方面，一种扇出型传感器封装件可包括：图像传感器芯片，包括用于图像传感器的IC和光学部，IC具有第一表面、第二表面及TSV，所述第一表面上设置有第一连接焊盘，所述第二表面与所述第一表面相背对并且所述第二表面上设置有第二连接焊盘，所述TSV贯穿在所述第一表面和所述第二表面之间并且使所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘彼此电连接，所述光学部设置在用于图像传感器的所述IC的所述第一表面上并且具有多个透镜层；包封剂，覆盖用于图像传感器的所述IC的所述第二表面的至少部分；重新分布层，设置在所述包封剂上；及过孔，贯穿所述包封剂的至少部分并且使所述重新分布层和所述第二连接焊盘彼此电连接。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；
图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；
图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和封装之后的状态的示意性截面图；
图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；
图5是示出扇入型半导体封装件安装在球栅阵列(BGA)基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；
图6是示出扇入型半导体封装件嵌入在BGA基板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；
图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；
图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；
图9是示出扇出型传感器封装件的示例的示意性截面图；
图10是沿着图9的扇出型传感器封装件的线I-I’截取的示意性平面图；
图11A至图11C是示出图9的扇出型传感器封装件的光学部的透镜布置形式的示意图；
图12A至图12E是示出制造图9的扇出型传感器封装件的工艺的示例的示意图；
图13是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；
图14是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；
图15是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；
图16是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；
图17是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；
图18是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图；及
图19是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开中的示例性实施例。在附图中，为清楚起见，可夸大或者缩小组件的形状、尺寸等。
这里，相对于附图的截面的下侧、下部、下表面等用于指朝向扇出型传感器封装件的安装表面的方向，而上侧、上部、上表面等用于指与该方向相反的方向。然而，这些方向是为了便于说明而定义的，并且权利要求不由如上所述定义的方向具体限制。
在说明书中，组件与另一组件的“连接”的含义包括通过粘合层的间接连接以及两个组件之间的直接连接。另外，从概念上讲，“电连接”包括物理连接和物理断开。可理解的是，当利用诸如“第一”和“第二”的术语来提及元件时，该元件不会由此受限。它们可仅用于将元件与其他元件相区分的目的，并且可不限制元件的顺序或重要性。在一些情况下，在不脱离这里所阐述的权利要求的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。
这里使用的术语“示例性实施例”不是指相同的示例性实施例，而是被提供来强调与另一示例性实施例的特定特征或特性不同的特定特征或特性。然而，这里提供的示例性实施例被认为能够通过全部或部分地彼此组合来实现。例如，除非其中提供了相反或相矛盾的描述，否则即使特定示例性实施例中描述的一个元件未在另一示例性实施例中描述，该元件仍可被理解为与另一示例性实施例相关的描述。
这里使用的术语仅用于描述示例性实施例，而并不限制本公开。在这种情况下，除非在上下文中另外解释，否则单数形式也包括复数形式。
电子装置
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。
参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或者电连接到其的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可连接到以下将描述的其他组件以形成各种信号线1090。
芯片相关组件1020可包括：存储芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。
网络相关组件1030可包括根据诸如以下的协议操作的组件：无线保真(Wi-Fi)(电工电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE 802.16族等)、IEEE 802.20、长期演进技术(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任何其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括根据各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。此外，网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。
其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，而是还可包括用于各种其他目的的无源组件等。此外，其他组件1040可与上述芯片相关组件1020或网络相关组件1030一起彼此组合。
根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括可物理连接或电连接到主板1010或者可不物理连接或电连接到主板1010的其他组件。这些其他组件可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南针(未示出)、加速计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、大容量存储单元(例如，硬盘驱动器)(未示出)、光盘(CD)驱动器(未示出)、数字通用光盘(DVD)驱动器(未示出)等。然而，这些其他组件不限于此，而是还可根据电子装置1000的类型等而包括用于各种目的的其他组件。
电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型PC、上网本PC、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等。然而，电子装置1000不限于此，而可以是处理数据的任何其他电子装置。
图2是示出电子装置的示例的示意性透视图。
参照图2，电子装置可以为例如智能电话1100。主板1110可容纳在智能电话1100的主体1101中，并且诸如半导体封装件1121的各种电子组件1120可物理连接或者电连接到主板1110。另外，可物理连接或者电连接到主板1110或者可不物理连接或者电连接到主板1110的其他组件(诸如，相机模块1130)可容纳在主体1101中。相机模块1130可包括图像传感器封装件，并且根据本公开的扇出型传感器封装件可用于智能电话中。同时，其中使用根据本公开的扇出型传感器封装件的电子装置不限于智能电话1100。也就是说，根据本公开的扇出型传感器封装件还可用于其他电子装置中。
半导体封装件
根据本公开的扇出型传感器封装件可使用半导体封装件的技术制造。通常，半导体芯片中集成了大量的微电子电路。然而，半导体芯片本身可能不能用作成品的半导体产品，并且可能会由于外部物理冲击或者化学冲击而损坏。因此，半导体芯片本身可能不会被使用，而是半导体芯片可被封装并且在封装的状态下在电子装置等中使用。
这里，就电连接而言，由于半导体芯片和电子装置的主板之间的电路宽度存在差异，因此需要半导体封装。详细地，半导体芯片的连接焊盘的尺寸和半导体芯片的连接焊盘之间的间距非常精细，而主板的组件安装焊盘的尺寸和主板的组件安装焊盘之间的间距显著地大于半导体芯片的连接焊盘的尺寸和半导体芯片的连接焊盘之间的间距。因此，可能难以将半导体芯片直接安装在主板上，并且需要用于缓解半导体芯片和主板之间的电路宽度的差异的封装技术。
通过封装技术制造的半导体封装件可根据其结构和目的而分为扇入型半导体封装件和扇出型半导体封装件。
在下文中，将参照附图更详细地描述扇入型半导体封装件和扇出型半导体封装件。
扇入型半导体封装件
图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和封装之后的状态的示意性截面图。
图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图。
参照图3A、图3B以及图4，半导体芯片2220可以是例如处于裸态的集成电路(IC)，并且包括：主体2221，包括硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等；连接焊盘2222，形成在主体2221的一个表面上，并且包括诸如铝(Al)等的导电材料；及诸如氧化物膜、氮化物膜等的钝化层2223，形成在主体2221的一个表面上并且覆盖连接焊盘2222的至少部分。在这种情况下，由于连接焊盘2222可以非常小，因此会难以将集成电路(IC)安装在中等尺寸等级的印刷电路板(PCB)以及电子装置的主板等上。
因此，根据半导体芯片2220的尺寸，可在半导体芯片2220上形成连接构件2240，以使连接焊盘2222重新分布。连接构件2240可通过如下步骤形成：使用诸如感光介电(PID)树脂的绝缘材料在半导体芯片2220上形成绝缘层2241，形成使连接焊盘2222敞开的通路孔2243h，然后形成布线图案2242和过孔2243。然后，可形成保护连接构件2240的钝化层2250，可形成开口2251，并且可形成凸块下金属层2260等。也就是说，可通过一系列工艺制造包括例如半导体芯片2220、连接构件2240、钝化层2250和凸块下金属层2260的扇入型半导体封装件2200。
如上所述，扇入型半导体封装件可具有半导体芯片的所有的连接焊盘(例如，输入/输出(I/O)端子)设置在半导体芯片的内部的封装件形式，可具有优异的电特性，并且可按照低成本生产。因此，安装在智能电话中的许多元件已经按照扇入型半导体封装件形式来制造。详细地，安装在智能电话中的许多元件已经被开发为在具有紧凑的尺寸的同时实现快速的信号传输。
然而，在扇入型半导体封装件中，由于所有的I/O端子需要设置在半导体芯片的内部，因此扇入型半导体封装件具有很大的空间局限性。因此，难以将这样的结构应用于具有大量的I/O端子的半导体芯片或者具有紧凑尺寸的半导体芯片。另外，由于上述缺点，可能不能在电子装置的主板上直接安装和使用扇入型半导体封装件。原因是：即使在半导体芯片的I/O端子的尺寸和半导体芯片的I/O端子之间的间距通过重新分布工艺被增大的情况下，半导体芯片的I/O端子的尺寸和半导体芯片的I/O端子之间的间距可能仍不足以将扇入型半导体封装件直接安装在电子装置的主板上。
图5是示出扇入型半导体封装件安装在球栅阵列(BGA)基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图。
图6是示出扇入型半导体封装件嵌入在BGA基板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图。
参照图5，在扇入型半导体封装件2200中，半导体芯片2220的连接焊盘2222(即，I/O端子)可通过BGA基板2301重新分布，并且在扇入型半导体封装件2200安装在BGA基板2301上的状态下，扇入型半导体封装件2200可最终安装在电子装置的主板2500上。在这种情况下，焊球2270等可通过底部填充树脂2280等固定，并且半导体芯片2220的外侧可利用模制材料2290等覆盖。可选地，参照图6，扇入型半导体封装件2200可嵌入在单独的BGA基板2302中，在扇入型半导体封装件2200嵌入在BGA基板2302中的状态下，半导体芯片2220的连接焊盘2222(即，I/O端子)可通过BGA基板2302重新分布，并且扇入型半导体封装件2200可最终安装在电子装置的主板2500上。
如上所述，可能会难以在电子装置的主板上直接安装和使用扇入型半导体封装件。因此，扇入型半导体封装件可安装在单独的BGA基板上然后通过封装工艺安装在电子装置的主板上，或者可在扇入型半导体封装件嵌入在BGA基板中的状态下在电子装置的主板上安装和使用扇入型半导体封装件。
扇出型半导体封装件
图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图。
参照图7，在扇出型半导体封装件2100中，例如，半导体芯片2120的外侧可通过包封剂2130保护，并且半导体芯片2120的连接焊盘2122可通过连接构件2140重新分布到半导体芯片2120的外部。在这种情况下，钝化层2150还可形成在连接构件2140上，并且凸块下金属层2160还可形成在钝化层2150的开口中。焊球2170还可形成在凸块下金属层2160上。半导体芯片2120可以是包括主体2121、连接焊盘2122和钝化层(未示出)等的集成电路(IC)。连接构件2140可包括：绝缘层2141；重新分布层2142，形成在绝缘层2141上；及过孔2143，使连接焊盘2122和重新分布层2142彼此电连接。
如上所述，扇出型半导体封装件可具有半导体芯片的I/O端子通过形成在半导体芯片上的连接构件重新分布并且设置在半导体芯片的外部的形式。如上所述，在扇入型半导体封装件中，半导体芯片的所有的I/O端子需要设置在半导体芯片的内部。因此，当半导体芯片的尺寸减小时，球的尺寸和节距需要减小，使得在扇入型半导体封装件中可能不能使用标准化的球布局。另一方面，如上所述，扇出型半导体封装件具有半导体芯片的I/O端子通过形成在半导体芯片上的连接构件重新分布并且设置在半导体芯片的外部的形式。因此，即使在半导体芯片的尺寸减小的情况下，在扇出型半导体封装件中仍可按照原样使用标准化的球布局，使得扇出型半导体封装件可在不使用单独的BGA基板的情况下安装在电子装置的主板上，如下所述。
图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图。
参照图8，扇出型半导体封装件2100可通过焊球2170等安装在电子装置的主板2500上。也就是说，如上所述，扇出型半导体封装件2100包括连接构件2140，连接构件2140形成在半导体芯片2120上并且能够使连接焊盘2122重新分布到扇出区域(半导体芯片2120的尺寸的外部)，使得可在扇出型半导体封装件2100中按照原样使用标准化的球布局。结果，扇出型半导体封装件2100可在不使用单独的BGA基板等的情况下安装在电子装置的主板2500上。
如上所述，由于扇出型半导体封装件可在不使用单独的BGA基板的情况下安装在电子装置的主板上，因此扇出型半导体封装件可按照比使用BGA基板的扇入型半导体封装件的厚度小的厚度实现。因此，扇出型半导体封装件可被小型化和纤薄化。另外，扇出型半导体封装件具有优异的热特性和电特性，使得其特别适合于移动产品。因此，扇出型半导体封装件可按照比使用印刷电路板(PCB)的普通的层叠封装(POP)类型的形式更紧凑的形式实现，并且可解决由于翘曲现象的发生而引起的问题。
同时，扇出型半导体封装指的是如上所述的用于将半导体芯片安装在电子装置的主板等上并且保护半导体芯片免受外部冲击的影响的封装技术，并且是与诸如BGA基板的印刷电路板(PCB)等(尺寸、用途等与扇出型半导体封装件的尺寸、用途等不同，并且具有嵌入其中的扇入型半导体封装件)的概念不同的概念。
根据本公开的扇出型传感器封装件可使用如上所述的扇出型半导体封装技术制造。在下文中将参照附图描述根据本公开的扇出型传感器封装件。
图9是示出扇出型传感器封装件的示例的示意性截面图。
图10是沿着图9的扇出型传感器封装件的线I-I’截取的示意性平面图。
图11A至图11C是示出图9的扇出型传感器封装件的光学部的透镜布置形式的示意图。
参照图9至图11C，根据本公开的示例性实施例的扇出型传感器封装件100A可包括：芯构件110，具有通孔110H；图像传感器芯片120，设置在通孔110H中并且包括用于图像传感器的集成电路(IC)121和光学部122，集成电路(IC)121具有其上设置有第一连接焊盘121b的第一表面和与第一表面相背对并且其上设置有第二连接焊盘121c的第二表面及贯穿第一表面和第二表面之间并且使第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c彼此电连接的硅穿孔(TSV)121d，光学部122设置在用于图像传感器的IC 121的第一表面上并且具有多个透镜层122a、122b、122c和122d；包封剂130，覆盖芯构件110和用于图像传感器的IC 121的第二表面中的每个的至少部分并且填充通孔110H的至少部分；重新分布层132，设置在包封剂130上；及过孔133，贯穿包封剂130的至少部分并且使重新分布层132和第二连接焊盘121c彼此电连接。如果必要，扇出型传感器封装件100A还可包括：钝化层150，设置在包封剂130上以覆盖重新分布层132并且具有使重新分布层132的至少部分暴露的开口；凸块下金属层160，设置在钝化层150的开口中并且连接到暴露的重新分布层132；及电连接结构170，设置在钝化层150上并且连接到凸块下金属层160。在示例性实施例中，芯构件110的上表面、包封剂130的上表面以及光学部122的上表面的一部分可设置在大体上相同的水平面上。另外，多个透镜层122a、122b、122c和122d中的透镜可从所述大体上相同的水平面突出。从概念上讲，术语“设置在大体上相同的水平面上”包括设置在完全相同的水平面上或者设置在由于工艺中的裕量/变型而具有细小差异的水平面上。
在根据现有技术的光学传感器封装件的结构中，通常使用BGA结构。例如，根据现有技术的光学传感器封装件具有图像传感器设置在BGA基板上、通过接合线电连接到BGA基板然后利用模制材料进行模制的形式。然而，在这种结构中，由于设置在BGA基板和图像传感器上的接合线以及单独地设置在图像传感器上的光学透镜等，使得传感器封装件的结构变得复杂并且传感器封装件的尺寸和厚度增大。另外，难以控制模制厚度，从而需要复杂的模制工艺。另外，由于不对称结构使得传感器封装件容易发生翘曲，使得指纹感测的灵敏度降低，并且降低了在将传感器封装件安装在电路板上时的良率。另外，传感器封装件的翘曲使得在按照模块形式制造传感器封装件的工艺中难以堆叠红外截止滤光器和金属屏蔽部。作为解决这些问题的方法，提出了在刚柔子板(例如，刚柔印刷电路板(RFPCB))上安装图像传感器、执行引线键合并且将增强件引入侧部中的方法。然而，在这种情况下，组装工艺的数量多，并且组装工艺复杂，从而会增加缺陷的发生，并且在发生缺陷时，需要替换整个刚柔子板。
另一方面，在根据示例性实施例的扇出型传感器封装件100A中，可引入具有通孔110H的芯构件110，并且图像传感器芯片120可设置在通孔110H中，以控制扇出型传感器封装件100A的翘曲问题。另外，图像传感器芯片120可使用用于图像传感器的IC 121和光学部122之间的结合结构实现。在这种情况下，重新分布层132可被引入到包封剂130的与包封剂130的其上形成有光学部122的一个表面相背对的另一表面上，TSV 121d可形成在用于图像传感器的IC 121中，以促进与重新分布层132的电连接。因此，可促进扇出型传感器封装件100A的小型化和纤薄化，并且可通过使透镜区域暴露确保短的信号路径和感测能力来改善扇出型传感器封装件100A的性能。另外，包封剂130可包封图像传感器芯片120以不覆盖光学部122的透镜区域，也就是说，包封剂130可不覆盖图像传感器芯片120的上表面。芯构件110的上表面、包封剂130的上表面以及光学部122的上表面的一部分可设置在大体上相同的水平面上。因此，附着诸如透镜或滤光器的光学构件的工艺是容易的，使得将扇出型传感器封装件100A附着并且组装到显示器的工艺可以是容易的。因此，减少了空隙(voids)的发生，并且可因此预期组装良率改善和感测特性改善。
在下文中将更详细地描述包括在根据示例性实施例的扇出型传感器封装件100A中的各个组件。
芯构件110可根据特定材料改善扇出型传感器封装件100A的刚性并且用于确保包封剂130的厚度的均匀性。芯构件110可具有通孔110H。图像传感器芯片120可设置在通孔110H中且与芯构件110隔开预定距离。图像传感器芯片120的侧表面可被芯构件110围绕。芯构件110和通孔110H中的图像传感器芯片120之间的空间可用包封剂130填充，图像传感器芯片120可因此被绝缘材料围绕，从而可确保稳定性。然而，这样的形式仅是示例，并且可进行各种修改以具有其他形式，并且芯构件110可根据这样的形式执行另一功能。
构成芯构件110的绝缘层111的材料没有具体的限制。例如，绝缘材料可用作绝缘层111的材料。在这种情况下，绝缘材料可以是诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂、无机填料或诸如玻璃纤维(或玻璃布或玻璃织物)的芯材料浸在热固性树脂或者热塑性树脂中的树脂(例如，半固化片、ABF(Ajinomoto Build up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT))等。使用包括玻璃纤维、无机填料和绝缘树脂的半固化片作为绝缘层111的材料，可在保持扇出型传感器封装件100A的刚性方面具有优势。
图像传感器芯片120可具有用于图像传感器的IC 121和光学部122之间的结合结构形式。用于图像传感器的IC 121可具有：主体121a的第一表面，其上设置有第一连接焊盘121b；主体121a的第二表面，与第一表面相背对并且第二表面上设置有第二连接焊盘121c；TSV 121d，贯穿在主体121a的第一表面和第二表面之间并且使第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c彼此电连接。主体121a的基体材料可以为硅(Si)、锗(Ge)或砷化镓(GaAs)等。各种电路可形成在主体121a上。也就是说，用于图像传感器的IC 121可以是通过晶圆工艺制造的IC型裸片。更详细地，用于图像传感器的IC 121可以为诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器型、电荷耦合器件(CCD)传感器型等的用于图像传感器的IC 121，但不限于此。第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c可使图像传感器芯片120电连接到其他组件，并且可利用诸如铝(Al)或铜(Cu)等的导电材料形成。TSV 121d可以为普通的TSV。光学部122可具有多个透镜层122a、122b、122c和122d。透镜层122a、122b、122c和122d可包括微透镜122M。微透镜122M可如图11A中所示布置为在边缘部分处收集光，微透镜122M可如图11B中所示按照层形式布置以提高光电二极管125的光收集效率，或者微透镜122M可如图11C中所示具有用于使边缘部分处的光收集最优化的形状或者具有用于使每单位面积的光收集最优化的形状。同时，可按照以下方式在扇出型传感器封装件100A中使用光学部122：在不使另外的结构改变的情况下，将光学部122结合到用于图像传感器的IC 121。
芯构件110的上表面、包封剂130的上表面和光学部122的上表面的一部分可设置在大体上相同的水平面上。术语“大体上相同的水平面”不仅意味着水平面彼此完全相同，而且还意味着包括存在由于工艺而产生的细小的差异的情况。原因在于：芯构件110的上表面和光学部122的上表面在它们一起被附着到粘合膜190的状态下被包封剂130包封，如从以下将要描述的工艺所看到的。按照这样的方式，可提供扇出型传感器封装件的平坦的上表面，并且如上所述将扇出型传感器封装件组装到显示器面板的工艺可因此更容易。同时，粘合膜190用于形成包封剂130，并且可显著地减少空隙、裸片的裂纹等的发生。
包封剂130可保护芯构件110、图像传感器芯片120等。包封剂130的包封形式没有具体地限制，而是可以为包封剂130围绕芯构件110、图像传感器芯片120等的至少部分的形式。例如，包封剂130可覆盖芯构件110和图像传感器芯片120的每个的下表面的至少部分，并且填充通孔110H的壁和图像传感器芯片120的侧表面之间的空间。同时，包封剂130可填充通孔110H，以因此用作粘合剂并且根据材料来减小图像传感器芯片120的屈曲。
包封剂130的材料没有具体地限制。例如，包封剂130的材料可以为包括绝缘树脂、芯材料、填料等的半固化片，或者可以为包括绝缘树脂和填料的ABF。如果必要，包封剂130的材料可以为包括感光绝缘材料的感光包封剂(PIE)。当PIE用作包封剂130的材料时，以下将要描述的过孔133可按照细小的节距形成。可使用包封剂130的材料的光学特性阻挡从外部源引入的光噪声。
重新分布层132可用于使第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c重新分布。重新分布层132的材料可以为诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或其合金的导电材料。重新分布层132可根据相应的层的设计执行各种功能。例如，重新分布层132可包括接地(GND)图案、电力(PWR)图案、信号(S)图案等。这里，信号(S)图案可包括除了接地(GND)图案、电力(PWR)图案等之外的诸如数据信号图案等的各种信号图案。另外，重新分布层132可包括过孔焊盘、电连接结构焊盘等。
如果必要，可在重新分布层132的暴露的表面上形成表面处理层(未示出)。表面处理层可通过例如电镀金、无电镀金、有机可焊性保护(OSP)、无电镀锡、无电镀银、无电镀镍、取代镀金、直接浸金(DIG)镀覆、热风焊料整平(HASL)等形成，但不限于此。
过孔133可使形成在不同的层上的重新分布层132、第二连接焊盘121c等彼此电连接，结果形成扇出型传感器封装件100A中的电路径。过孔133中的每个的材料可以为诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或其合金的导电材料。可利用导电材料完全地填充过孔133中的每个，或者也可沿着过孔中的每个的壁形成导电材料。另外，过孔133中的每个可具有现有技术中诸如锥形形状的已知的任何形状。
同时，虽然附图中未详细地示出，但是重新分布层132和过孔133还可以以具有更多数量的层的多层形式实现。在这种情况下，诸如PID或ABF的单独的绝缘层还可堆叠在包封剂130上。也就是说，可根据布线设计形成更多数量的重新分布层132和过孔133。
钝化层150可另外地被构造为保护重新分布层132免受外部物理损坏或化学损坏。钝化层150可具有使重新分布层132的至少部分暴露的开口。形成在钝化层150中的开口的数量可以为数十至数千。钝化层150的材料没有具体地限制。例如，钝化层150的材料可以为包括绝缘树脂、芯材料、填料等的半固化片，或者可以为包括绝缘树脂和填料的ABF。可选地，任意已知的阻焊剂可用作钝化层150的材料。
凸块下金属层160可被另外地构造为改善电连接结构170的连接可靠性以改善扇出型传感器封装件100A的板级可靠性。凸块下金属层160可连接到通过钝化层150的开口暴露的重新分布层132。凸块下金属层160可通过任意已知的金属化方法使用任意已知的导电材料(诸如，金属)形成在钝化层150的开口中，但不限于此。
电连接结构170可另外地构造为使扇出型传感器封装件100A物理连接或电连接到外部。例如，扇出型传感器封装件100A可通过电连接结构170安装在电子装置的主板上。电连接结构170中的每个可利用例如包括锡(Sn)的焊料的低熔点金属形成。然而，这仅是示例，电连接结构170中的每个的材料不具体限制于此。电连接结构170中的每个可以为焊盘(land)、焊球、引脚等。电连接结构170可形成为多层结构或者单层结构。当电连接结构170形成为多层结构时，电连接结构170可包括铜(Cu)柱和焊料。当电连接结构170形成为单层结构时，电连接结构170可包括锡-银焊料或铜(Cu)。然而，这仅是示例，电连接结构170不限于此。
电连接结构170的数量、间距、布置形式等没有具体地限制，而是本领域技术人员可根据设计细节进行充分地修改。例如，电连接结构170可根据第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c的数量按照数十至数百万的数量设置，或者可按照数十至数百万或更多或者数十至数百万或更少的数量设置。当电连接结构170为焊球时，电连接结构170可覆盖凸块下金属层160的延伸到钝化层150的一个表面上的侧表面，并且连接可靠性可更加优异。
至少一个电连接结构170可设置在扇出区域中。扇出区域指的是除了其中设置有图像传感器芯片120的区域之外的区域。与扇入型封装件相比，扇出型封装件可具有优异的可靠性，可实现多个输入/输出(I/O)端子，并且可促进3D互连。另外，与球栅阵列(BGA)封装件、格栅阵列(LGA)封装件等相比，扇出型封装件可被制造为具有小的厚度，并且可具有价格竞争力。
同时，如果必要，金属薄膜可形成在通孔110H的壁上，以散热或阻挡电磁波。另外，单独的表面安装组件可设置在钝化层150的表面上。
图12A至图12E是示出制造图9的扇出型传感器封装件的工艺的示例的示意性截面图。
参照图12A，可首先制备芯构件110。可使用裸态的覆铜层压板(CCL)制备芯构件110。然后，可在芯构件110中形成通孔110H。可使用激光钻孔和/或机械钻孔或者通过喷砂法形成通孔110H。然后，可将粘合膜190附着到芯构件110的下表面。粘合膜190可以为包括环氧树脂等的任意已知的带。
参照图12B，可制备图像传感器芯片120。可通过以下步骤制备图像传感器芯片120：在晶圆123上形成用于图像传感器的多个IC 121；在用于图像传感器的各个IC 121中形成TSV 121d；将光学部122附着到用于图像传感器的多个IC 121；通过背侧研磨工艺研磨晶圆；并且执行切割工艺以获得多个图像传感器芯片120。
然后，参照图12C，可将图像传感器芯片120附着到粘合膜190的通过通孔110H暴露的部分。可将图像传感器芯片120设置为使得光学部122附着到粘合膜190。然后，可使用包封剂130包封图像传感器芯片120。包封剂130可通过任意已知的层压法形成或者涂敷并硬化的方法形成。在形成包封剂130之后，可去除粘合膜190。然而，如果必要，也可稍后去除粘合膜190。然后，可使用第二连接焊盘121c用作止挡件在包封剂130中形成通路孔130H。当包封剂130包括感光绝缘材料时，可通过光刻法形成通路孔130H，并且当包封剂130包括非感光绝缘材料时，可通过激光法形成通路孔130H。
然后，参照图12D，可使用溅射法、化学镀铜法等形成种子层s。然后，可使用干膜(未示出)等尝试进行图案化，可使用种子层s执行诸如电镀、无电镀等的镀覆工艺，并且可通过蚀刻工艺去除在没有形成图案的区域中剩余的种子层s。结果，可形成重新分布层132和过孔133。然后，如果必要，可通过层压法或涂敷并硬化的方法在包封剂130上形成覆盖重新分布层132的钝化层150。
然后，参照图12E，如果必要，可在钝化层150中形成使重新分布层132的至少部分暴露的开口151。虽然可使用激光钻孔形成开口151，但是也可根据钝化层150的材料通过光刻法形成开口151。然后，如果必要，可形成凸块下金属层160和电连接结构170。可在面板级上执行一系列工艺。在这种情况下，当执行分离(singulation)工艺时，可获得多个扇出型传感器封装件100A。
图13是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图13，根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100B还可包括设置在芯构件110和光学部122上的光学构件181。光学构件181可以为诸如玻璃的透镜或者光学滤光器。可选地，光学构件181可具有堆叠透镜和光学滤光器两者的形式。光学滤光器可以为红外截止滤光器。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。
图14是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图14，根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100C还可包括设置在光学部122上的光学构件181。在这种情况下，光学构件181可具有与图像传感器芯片120的尺寸相似的尺寸，光学构件181不设置在芯构件110上，但可设置在芯构件110的通孔110H中，并且可被包封剂130至少部分地包封。光学构件181可通过在制备图像传感器芯片120时使用粘合剂将光学构件181附着到光学部122然后执行切割工艺而引入。芯构件110的上表面、包封剂130的上表面以及光学构件181的上表面可设置在大体上相同的水平面上。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。
图15是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图15，根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100D还可包括在芯构件110的通孔110H中与图像传感器芯片120并排设置的发光元件182。发光元件182可被包封剂130至少部分地包封，并且可通过过孔133电连接到重新分布层132。另外，发光元件182还可通过重新分布层132电连接到图像传感器芯片120。发光元件可以为微型发光二级管(LED)等，并且当光源嵌入在上述扇出型传感器封装件100D中时，可提高光识别率。发光元件182可具有晶圆裸片形式。发光元件182的上表面可设置在与芯构件110的上表面、光学部122的上表面的一部分以及包封剂130的上表面的水平面大体上相同的水平面上。术语“大体上相同”不仅意味着彼此完全相同的水平面，还意味着包括存在由于工艺而产生的细小差异的情况。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。
图16是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图16，根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100E还可包括在芯构件110的通孔110H中与图像传感器芯片120并排设置的控制集成电路183和无源组件184。控制集成电路183和无源组件184中的每个的至少部分可由包封剂130包封。控制集成电路183和无源组件184可通过过孔133电连接到重新分布层132，并且可通过重新分布层132电连接到图像传感器芯片120。通过这样的布置可显著地减小信号传输路径或电力传输路径以及噪声。控制集成电路183可具有晶圆裸片形式。无源组件184可以为诸如电容器、电感器、磁珠等的任意已知的无源组件。控制集成电路183和/或无源组件184的上表面、芯构件110的上表面、光学部122的上表面的一部分以及包封剂130的上表面可设置在大体上相同的水平面上。术语“大体上相同的水平面”不仅意味着彼此完全相同的水平面，还意味着包括存在由于工艺而产生的细小差异的情况。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。
图17是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图17，在根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100F中，芯构件110可包括多个布线层112a、112b、112c和112d。详细地，芯构件110可包括：第一绝缘层111a；第一布线层112a和第二布线层112b，分别设置在第一绝缘层111a的相背对的表面上；第二绝缘层111b，设置在第一绝缘层111a上并且覆盖第一布线层112a；第三布线层112c，设置在第二绝缘层111b上；第三绝缘层111c，设置在第一绝缘层111a上并且覆盖第二布线层112b；及第四布线层112d，设置在第三绝缘层111c上。另外，芯构件110可包括：第一过孔113a，贯穿第一绝缘层111a并且使第一布线层112a和第二布线层112b彼此电连接；第二过孔113b，贯穿第二绝缘层111b并且使第一布线层112a和第三布线层112c彼此电连接；及第三过孔113c，贯穿第三绝缘层111c并且使第二布线层112b和第四布线层112d彼此电连接。由于芯构件110可包括大量的布线层112a、112b、112c和112d，因此还可进一步简化重新分布层132。多个布线层112a、112b、112c和112d可通过重新分布层132电连接到图像传感器芯片120的第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c。
绝缘层111a、111b和111c中的每个的材料没有具体地限制。例如，绝缘材料可用作绝缘层111a、111b和111c中的每个的材料。在这种情况下，绝缘材料可以为诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂、无机填料或者诸如玻璃纤维(或者玻璃布或玻璃织物)的芯材料浸在热固性树脂或热塑性树脂中的树脂(例如，半固化片、ABF、FR-4、BT)等。可选地，PID树脂也可用作绝缘材料。
布线层112a、112b、112c和112d可用于使图像传感器芯片120的连接焊盘121b和121c重新分布。布线层112a、112b和112c和112d中的每个的材料可以是诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或其合金的导电材料。布线层112a、112b、112c和112d可根据相应的层的设计执行各种功能。例如，布线层112a、112b、112c和112d可包括接地(GND)图案、电力(PWR)图案、信号(S)图案等。这里，信号(S)图案可包括除了接地(GND)图案、电力(PWR)图案等之外的诸如数据信号图案等的各种信号图案。另外，布线层112a、112b、112c和112d可包括过孔焊盘、电连接结构焊盘等。
过孔113a、113b和113c可使形成在不同层上的布线层112a、112b、112c和112d彼此电连接，结果在芯构件110中形成了电路径。过孔113a、113b和113c中的每个的材料可以为导电材料。可利用导电材料完全填充过孔113a、113b和113c中的每个，或者导电材料也可沿着通路孔中的每个的壁形成。第一过孔113a可具有沙漏的形状，第二过孔113b和第三过孔113c可具有其方向彼此相反的锥形形状。然而，第一过孔113a、第二过孔113b和第三过孔113c不限于此。
第一绝缘层111a的厚度可大于第二绝缘层111b和第三绝缘层111c的厚度。第一绝缘层111a可基本上相对厚以保持刚性，第二绝缘层111b和第三绝缘层111c可被引入，以形成更多数量的布线层112c和112d。第一绝缘层111a可包括与第二绝缘层111b和第三绝缘层111c的绝缘材料不同的绝缘材料。例如，第一绝缘层111a可以是例如包括芯材料、无机填料和绝缘树脂的半固化片，第二绝缘层111b和第三绝缘层111c可以是包括无机填料和绝缘树脂的ABF或感光绝缘膜。然而，第一绝缘层111a以及第二绝缘层111b和第三绝缘层111c的材料不限于此。
第一布线层112a和第二布线层112b可设置在图像传感器芯片120的上表面和下表面之间的水平面处。布线层112a、112b、112c和112d中的每个的厚度可大于重新分布层132的厚度。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。同时，上述扇出型传感器封装件100B至100E的内容也可应用到上述根据另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100F。也就是说，在各个示例性实施例中描述的内容可在不矛盾的情况下彼此组合。
图18是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图18，根据另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100G除了其还包括嵌入在贯穿芯构件110的第一绝缘层111a的腔111ah中的无源组件185之外可与上述根据另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100F大体上相同。无源组件185可通过第三过孔113c电连接到第四布线层112d。无源组件185可以为诸如电容器、电感器、磁珠等的任意已知的无源组件。无源组件185可被第二绝缘层111b包封。无源组件185还可通过重新分布层132电连接到图像传感器芯片120。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。同时，上述扇出型传感器封装件100B至100E的内容也可应用到上述根据另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100G。也就是说，在各个示例性实施例中描述的内容可在不矛盾的情况下彼此组合。
图19是示出扇出型传感器封装件的另一示例的示意性截面图。
参照图19，在根据本公开的另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100H中，芯构件110可包括多个布线层112a、112b和112c。详细地，芯构件110可包括：第一绝缘层111a；第一布线层112a，嵌入在第一绝缘层111a中使得其上表面被暴露；第二布线层112b，设置在第一绝缘层111a的与第一绝缘层111a的其中嵌入有第一布线层112a的一个表面相背对的另一表面上；第二绝缘层111b，设置在第一绝缘层111a上并且覆盖第二布线层112b；及第三布线层112c，设置在第二绝缘层111b上。另外，芯构件110还可包括：第一过孔113a，贯穿第一绝缘层111a并且使第一布线层112a和第二布线层112b彼此电连接；及第二过孔113b，贯穿第二绝缘层111b并且使第二布线层112b和第三布线层112c彼此电连接。类似地，由于芯构件110可包括大量的布线层112a、112b和112c，因此可简化重新分布层132。多个布线层112a、112b和112c可通过重新分布层132电连接到图像传感器芯片120的第一连接焊盘121b和第二连接焊盘121c。
绝缘层111a和111b中的每个的材料没有具体地限制。例如，绝缘材料可用作绝缘层111a和111b中的每个的材料。在这种情况下，绝缘材料可以为诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂、无机填料或者诸如玻璃纤维(或者玻璃布或玻璃织物)的芯材料浸在热固性树脂或热塑性树脂中的树脂(例如，半固化片、ABF、FR-4、BT)等。可选地，PID树脂也可用作绝缘材料。
布线层112a、112b和112c可用于使图像传感器芯片120的连接焊盘121b和121c重新分布。布线层112a、112b和112c中的每个的材料可以是诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或其合金的导电材料。布线层112a、112b、和112c可根据相应的层的设计执行各种功能。例如，布线层112a、112b和112c可包括接地(GND)图案、电力(PWR)图案、信号(S)图案等。这里，信号(S)图案可包括除了接地(GND)图案、电力(PWR)图案等之外的诸如数据信号图案等的各种信号图案。另外，布线层112a、112b和112c可包括过孔焊盘、电连接结构焊盘等。
过孔113a和113b可将形成在不同层上的布线层112a、112b和112c彼此电连接，结果在芯构件110中形成了电路径。过孔113a和113b中的每个的材料可以为导电材料。可利用导电材料完全填充过孔113a和113b中的每个，或者导电材料也可沿着通路孔中的每个的壁形成。另外，过孔113a和113b可具有其方向彼此相同的锥形形状，但不限于此。
第一布线层112a可凹入到第一绝缘层111a中。也就是说，在图19中，第一布线层112a的上表面可相对于第一绝缘层111a的上表面具有台阶。第二布线层112b可设置在图像传感器芯片120的上表面和下表面之间的水平面处。芯构件110的布线层112a、112b和112c中的每个的厚度可大于重新分布层132的厚度。其他内容与上述内容重复，因此省略其详细描述。同时，上述扇出型传感器封装件100B至100E的内容也可应用到上述根据另一示例性实施例的扇出型传感器封装件100H。也就是说，在各个示例性实施例中描述的内容可在不矛盾的情况下彼此组合。
如以上所阐述的，根据本公开的示例性实施例，可提供一种光学扇出型传感器封装件，其中，由于将诸如透镜或滤光器的光学构件附着到扇出型传感器封装件的上端的工艺是容易的并且由此将扇出型传感器封装件附着并组装到显示器的工艺是容易的，因此可预期组装良率改善和感测特性改善，并且可期望利用光学部和用于图像传感器的IC的结合结构的扇出型传感器封装件的纤薄化以及通过重新分布设计利用TSV的扇出型传感器封装件的小型化。
虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (18)

1.一种扇出型传感器封装件，包括：
图像传感器芯片，包括：用于图像传感器的集成电路，集成电路具有第一表面、第二表面及硅穿孔，所述第一表面上设置有第一连接焊盘，所述第二表面与所述第一表面相背对并且所述第二表面上设置有第二连接焊盘，所述硅穿孔贯穿在所述第一表面和所述第二表面之间并且使所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘彼此电连接；及光学部，设置在用于图像传感器的所述集成电路的所述第一表面上并且具有多个透镜层；
包封剂，覆盖用于图像传感器的所述集成电路的所述第二表面的至少部分；
重新分布层，设置在所述包封剂上；及
过孔，贯穿所述包封剂的至少部分并且使所述重新分布层和所述第二连接焊盘彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括具有通孔的芯构件，
其中，所述图像传感器芯片设置在所述通孔中，并且
所述包封剂填充所述通孔的至少部分。
3.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，其中，所述芯构件的上表面、所述包封剂的上表面以及所述光学部的上表面的一部分设置在大体上相同的水平面上。
4.根据权利要求3所述的扇出型传感器封装件，其中，所述多个透镜层中的透镜从所述大体上相同的水平面突出。
5.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括设置在所述芯构件和所述光学部上的光学构件。
6.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括设置在所述光学部上的光学构件，
其中，所述光学构件设置在所述通孔中。
7.根据权利要求6所述的扇出型传感器封装件，其中，所述芯构件的上表面、所述包封剂的上表面和所述光学构件的上表面设置在大体上相同的水平面上。
8.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括位于所述通孔中的与所述图像传感器芯片并排设置的发光元件，
其中，所述包封剂包封所述发光元件的至少部分，并且
所述发光元件通过所述过孔电连接到所述重新分布层。
9.根据权利要求8所述的扇出型传感器封装件，其中，所述发光元件为微型发光二极管。
10.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括位于所述通孔中的与所述图像传感器芯片并排设置的控制集成电路，
其中，所述包封剂包封所述控制集成电路的至少部分，并且
所述控制集成电路通过所述过孔电连接到所述重新分布层。
11.根据权利要求10所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括位于所述通孔中的与所述图像传感器芯片并排设置的无源组件，
其中，所述包封剂包封所述无源组件的至少部分，并且
所述无源组件通过所述过孔电连接到所述重新分布层。
12.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，其中，所述芯构件包括第一绝缘层以及分别设置在所述第一绝缘层的相背对的表面上的第一布线层和第二布线层，并且
所述第一布线层和所述第二布线层电连接到所述重新分布层。
13.根据权利要求12所述的扇出型传感器封装件，其中，所述芯构件还包括：第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一布线层；第三布线层，设置在所述第二绝缘层上；第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第二布线层；及第四布线层，设置在所述第三绝缘层上，并且
所述第三布线层和所述第四布线层电连接到所述重新分布层。
14.根据权利要求13所述的扇出型传感器封装件，所述扇出型传感器封装件还包括嵌入在贯穿所述第一绝缘层的腔中的无源组件，
其中，所述无源组件通过所述过孔电连接到所述第四布线层。
15.根据权利要求2所述的扇出型传感器封装件，其中，所述芯构件包括：第一绝缘层；第一布线层，嵌入在所述第一绝缘层中并且所述第一布线层的一个表面从所述第一绝缘层暴露；第二布线层，设置在所述第一绝缘层的与所述第一绝缘层的嵌入有所述第一布线层的所述一个表面相背对的另一表面上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第二布线层；及第三布线层，设置在所述第二绝缘层上，并且
所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层电连接到所述重新分布层。
16.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件，其中，所述图像传感器芯片为互补金属氧化物半导体图像传感器型。
17.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件，其中，所述包封剂包括感光绝缘材料。
18.根据权利要求1所述的扇出型传感器封装件，其中，所述包封剂不覆盖所述图像传感器芯片的上表面。
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