CN109643037A - 液晶组合物用自发取向助剂 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液晶组合物用自发取向助剂，其在添加于液晶组合物中时可确保保存性，即使不设置PI层也能够进行液晶分子的垂直取向。本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂由于含有具有式(i)所表示的部分结构的化合物，特别是具有式(K‑1)～式(K‑11)的任一者所表示的结构作为式(i)中的Ki1的化合物，因此在用于液晶组合物时，能够吸附于夹持液晶组合物(液晶层)的基板，将液晶分子以在垂直方向取向的状态保持。因此，根据本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂，即使不设置PI层，也能够使液晶分子取向(在未施加电压时，诱发液晶分子的垂直取向，在施加电压时，实现液晶分子的水平取向)。
Description
技术领域
本发明涉及液晶组合物用自发取向助剂、液晶组合物和液晶显示元件。
背景技术
以往，在VA方式的液晶显示器中，为了在未施加电压时诱发液晶分子的垂直取向并在施加电压时实现液晶分子的水平取向，而在电极上设置有聚酰亚胺取向膜(PI)层。但是，由于PI层的制膜需要极大的成本，因此近年来对用于省去PI层并且实现液晶分子的取向的方法进行了研究。
例如专利文献1中公开了一种液晶介质，其特征在于：以具有负介电常数各向异性的极性化合物的混合物作为基础，且含有至少一种自发取向性添加剂；并且记载了该液晶介质高度地适合用于不含任何取向层的显示器。而且，在专利文献1中使用了具有羟基的特定化合物作为自发取向性添加剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2014-524951号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，根据本发明人等的研究已判明，在使用专利文献1所记载的自取向性添加剂的情况下，使液晶分子垂直取向的取向限制力并不充分，另外，在含有该自发取向性添加剂的液晶组合物的保存性方面存在改善的余地。
因此，本发明的目的在于提供一种在添加至液晶组合物中时可确保保存性，且即使不设置PI层也能够实现液晶分子的垂直取向的液晶组合物用自发取向助剂。另外，本发明的另一个目的在于提供一种保存性优异且即使不设置PI层也能够实现液晶分子的垂直取向的含有该自发取向性添加剂的液晶组合物、和使用该液晶组合物的液晶显示元件。
用于解决课题的技术手段
本发明提供一种液晶组合物用自发取向助剂，其含有1种或2种以上的下述化合物，所述化合物是在介晶基团上取代有Pi1-Spi1-(Pi1表示聚合性基团，表示选自以下的通式(P-1)～通式(P-15)所表示的组中的取代基(式中，右端的黑点表示结合键)，Spi1表示间隔基)、具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团(Ki1表示以下的通式(K-1)～通式(K-11)所表示的取代基)和Ri1(Ri1表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，其中，-O-不连续)的化合物，且至少一个Pi1-Spi1-相对于介晶的长轴从侧向进行结合。
[化1]
[化2]
式中，
WK1表示次甲基、C-CH3、C-C2H5或氮原子，
XK1和YK1分别独立地表示-CH2-、氧原子或硫原子，
ZK1表示氧原子或硫原子，
UK1、VK1和SK1分别独立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)和(K-6)成为吡啶环的组合除外，通式(K-1)～通式(K-11)中，左端的黑点表示结合键。其中，在Ki1为(K-11)的情况下，介晶基团上至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个。)
另外，本发明提供一种液晶组合物，其介电常数各向异性(Δε)为负，且含有1种或2种以上的具有上述液晶组合物用自发取向助剂所表示的部分结构的化合物。
发明效果
根据本发明，可提供一种保存性优异且即使不设置PI层也能够实现液晶分子的均匀垂直取向的含有该自发取向性添加剂的液晶组合物、和使用该液晶组合物的液晶显示元件。
附图说明
图1为示意性地表示液晶显示元件的一个实施方式的图。
图2为将图1中的由I线所包围的区域放大的俯视图。
具体实施方式
(液晶组合物用自发取向助剂)
本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂含有1种或2种以上的下述化合物，所述化合物为在介晶基团上取代有Pi1-Spi1-(Pi1表示聚合性基团，表示选自以下的通式(P-1)～通式(P-15)所表示的组中的取代基(式中，右端的黑点表示结合键)，Spi1表示间隔基)、具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团(Ki1表示以下的通式(K-1)～通式(K-11)所表示的取代基)和Ri1(Ri1表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续)的化合物，且至少一个Pi1-Spi1-相对于介晶的长轴从侧向进行结合。
[化3]
[化4]
(式中，
WK1表示次甲基、C-CH3、C-C2H5或氮原子，
XK1和YK1分别独立地表示-CH2-、氧原子或硫原子，
ZK1表示氧原子或硫原子，
UK1、VK1和SK1分别独立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)和(K-6)为吡啶环的组合除外，通式(K-1)～通式(K-8)中，左端的黑点表示结合键。其中，在Ki1为(K-11)的情况下，介晶基团上至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个。)
上述介晶基团含有1种或2种以上的下述化合物(以下也称为“化合物(i)”)，该化合物具有通式(i)所表示的部分结构，
[化5]
(式中，
Zi1表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子数2～20的亚烷基，该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可被-O-、-COO-或-OCO-取代，其中，在Ki1为(K-11)的情况下，介晶基团中至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个，
Ai1表示二价的六元环芳香族基、二价的六元环杂芳香族基、二价的六元环脂肪族基、二价的六元环杂脂肪族基，这些环结构中的氢原子也可被卤素原子或Pi1-Spi1-、和具有通式Ki1所表示的取代基的一价有机基团或Ri1取代，但至少一个被Pi1-Spi1-取代，
Zi1和Ai1分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同，
mi1表示1～5的整数，
式(i)中，左端的黑点和右端的黑点表示结合键。)
本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂由于含有具有式(i)所表示的部分结构的化合物、尤其是具有式(K-1)～式(K-11)的任一者所表示的结构作为式(i)中的Ki1的化合物，因此在用于液晶组合物时，能够吸附于夹持液晶组合物(液晶层)的基板，使液晶分子以在垂直方向取向的状态保持。因此，根据本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂，即使不设置PI层，也能够使液晶分子取向(在未施加电压时，诱发液晶分子的垂直取向，在施加电压时，实现液晶分子的水平取向)。如此，化合物(i)可适宜地用于帮助实现液晶组合物中的液晶分子的自发取向。
此外，本发明人等发现，通过使本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂含有具有式(i)所表示的部分结构的化合物，不仅能够确保液晶分子的取向，而且能够确保液晶组合物的保存性稳定性。
作为自发取向助剂，在重视化学稳定性的情况下，作为Ki1，优选为(K-1)、(K-3)、(K-8)、(K-9)、(K-10)和(K-11)，在重视液晶的取向性的情况下，优选为(K-1)、(K-3)、和(K-11)，在重视对液晶化合物的溶解性的情况下，优选为(K-1)、(K-8)和(K-10)，在重视它们的平衡的情况下，更优选为(K-1)、(K-3)、和(K-11)。另外，关于Pi1，从化学稳定性、聚合感度的方面考虑，优选为式(P-1)、(P-2)、(P-7)～(P-10)、(P-12)中的任一取代基，从操作简便性的方面考虑，进一步优选为式(P-1)、(P-2)、(P-9)、(P-10)。
从以上的观点考虑，本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂中所含的化合物只要在分子的末端、优选在分子的主链的末端具有式(i)所表示的部分结构即可，式(i)所表示的部分结构的结合目标的化学结构只要为不阻碍液晶组合物的功能的范围，就没有特别限制。本实施方式的液晶组合物用自发取向助剂中所含有的化合物例如为通式(ii)所表示的化合物(以下也称为“化合物(ii)”)。
[化6]
(式中，
Zii1、Aii1和mii1分别表示与上述通式(i)中的Zi1、Ai1和mi1相同的含义，Rii1和Rii2分别独立地表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续，Rii1和Rii2的至少一者表示具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团，在通式(ii)中，具有一个或两个以上的Pi1-Spi1-，具有含一个或两个以上的Ki1所表示的取代基的一价有机基团，且具有一个或两个以上的Ri1。其中，在Ki1为(K-11)的情况下，Zii1为-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一者)
式(i)和(ii)中，Zi1优选表示单键、-CH＝CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子数1～40的直链状或支链状的亚烷基、或该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-被-O-取代后的基团，更优选表示单键、-COO-、-OCO-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子数1～40的直链状或支链状的亚烷基、或该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-被-O-取代后的基团，进一步优选表示单键、CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子数2的亚烷基(亚乙基(-CH2CH2-))或亚乙基中的一个-CH2-被-O-取代后的基团(-CH2O-、-OCH2-)、或碳原子数3～13的直链状的亚烷基或该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-被-O-取代后的基团。
Ai1优选表示二价的六元环芳香族基或二价的六元环脂肪族基，更优选表示二价的未经取代的六元环芳香族基、二价的未经取代的六元环脂肪族基、或这些环结构中的氢原子未经取代或被碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、卤素原子取代，优选表示二价的未经取代的六元环芳香族基或该环结构中的氢原子被氟原子取代后的基团、或者二价的未经取代的六元环脂肪族基，优选为取代基上的氢原子也可被卤素原子、烷基或烷氧基取代的1,4-亚苯基、2,6-萘基或1,4-环己基，但至少一个取代基被Pi1-Spi1-取代。
mi1优选表示2～5的整数，进一步优选表示2～4的整数。
关于Ki1，在重视作为自发取向助剂的化学稳定性的情况下，作为Ki1，优选为(K-1)、(K-3)、(K-8)、(K-9)、(K-10)和(K-11)，在重视液晶的取向性的情况下，优选为(K-1)～(K-7)、(K-10)和(K-11)，在重视对液晶化合物的溶解性的情况下，优选为(K-1)、(K-8)和(K-10)，在重视它们的平衡的情况下，更优选为(K-1)、(K-3)、(K-9)和(K-11)。
式(K-1)～式(K-11)中，WK1优选表示次甲基或C-CH3。XK1和YK1优选分别独立地表示-CH2-或氧原子。ZK1优选表示氧原子。
式(ii)中，Spi1优选表示碳原子数1～18的直链状亚烷基或单键，更优选表示碳原子数2～15的直链状亚烷基或单键，进一步优选表示碳原子数3～12的直链状亚烷基或单键。
Ri1表示氢原子、碳原子数1～20的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-优选为-O-、-OCO-、或-COO-(其中，-O-不连续)，更优选表示氢原子、碳原子数1～18的直链或支链的烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-表示-O-、-OCO-(其中，-O-不连续)。
另外，式(i)例如也可为通式(iii)所表示的化合物(以下也称为“化合物(iii)”)，[化7]
(式中，
Zi1、Ai1、Ri1和Ki1分别表示与上述通式(i)中的Zi1、Ai1、Ri1和Ki1相同的含义，
Ai2表示与上述通式(i)中的Ai1相同的含义，
Zi2表示与上述通式(i)中的Zi1相同的含义，
Zi1、Zi2、Ai1、miii1和/或Ai2分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同，其中，Ai1和Ai2的任一个被至少一个Pi1-Spi1-取代，在Ki1为(K-11)的情况下，Zii1至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个，
miii1表示1～5的整数，
miii2表示1～5的整数，
Gi1表示二价、三价、四价中的任一个支链结构、或二价、三价、四价中的任一个脂肪族或芳香族的环结构，
miii3表示比Gi1的价数小1的整数。)
miii1和miii2分别独立地表示1～5的整数，优选表示2～5的整数，进一步优选表示2～4的整数。无论是分子内仅具有一个miii1还是具有多个miii1的情况，在分子内的所有的miii1和miii2的组合中，miii1+miii2优选为1～5的整数，优选为1～4的整数，优选为1～3的整数。
Gi1表示二价、三价、四价中任一个的支链结构、或二价、三价、四价中任一个的脂肪族或芳香族的环结构，
优选二价、三价、四价中任一个的支链结构为2取代的碳原子、3取代的碳原子、4取代的碳原子、2取代的氮原子、3取代的氮原子、4取代的碳原子中的任一者，
优选：作为二价、三价、四价中任一个的脂肪族或芳香族的环结构，为3取代以上的苯环、或3取代以上的环己烷环。
由于miii3表示Gi1与Zi2结合的结合键以外的部分与Ai1进行结合，因此，miii3表示比Gi1的价数小1的整数。
作为化合物(i)的更具体的例子，可列举下述式(R-1-1)～(R-1-45)的任一者所表示的化合物。式中，Ri1表示与式(ii)中的Ri1相同的含义。
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
作为化合物(iii)所示的化合物的例子，可列举下述式(iii-1)和(iii-2)的任一者所表示的化合物。
[化14]
Zi1、Ai1、Ri1和Ki1分别独立地表示与上述通式(i)中的Zi1、Ai1、Ri1和Ki1相同的含义，
Ai2表示与上述通式(i)中的Ai1相同的含义，
Zi2表示与上述通式(i)中的Zi1相同的含义，
Zi1、Zi2、Ai1、miii1和/或Ai2分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同，
miii1表示1～5的整数，
miii2表示1～5的整数，
B表示三价的支链结构、或三价的脂肪族或芳香族的环结构，
C表示四价的支链结构、或四价的脂肪族或芳香族的环结构。
作为通式(iii)的更具体的例子，可列举下述式(R-1-33)～(R-1-37)的任一者所表示的化合物。式中，Ri1表示与式(ii)中的Ri1相同的含义。
[化15]
液晶组合物用自发取向助剂可由1种或2种以上化合物(i)构成，也可除1种或2种以上化合物(i)以外，还进一步含有用于液晶组合物的公知化合物。作为更具体的液晶组合物用自发取向助剂的例子，示于下述(P-1-1)至(P-1-26)。
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
(液晶组合物)
本实施方式的液晶组合物含有1种或2种以上的具有上述通式(i)所表示的部分结构的化合物。该液晶组合物具有负介电常数各向异性(Δε)。需要说明的是，液晶组合物中所含有的具有通式(i)所表示的部分结构的化合物包含作为其具体例的化合物(ii)以及式(R-1-1)～(R-1-32)、和化合物(iii)以及式(iii-1)、(iii-2)、和式(R-1-33)～(R-1-37)中的任一者所表示的化合物，由于与上述液晶组合物用自发取向助剂中的化合物(i)相同，因此此处省略说明。
化合物(i)的含量优选为0.01～50质量％，从使液晶分子更适宜地取向的观点考虑，其下限值以液晶组合物总量作为基准，优选为0.01质量％以上、0.1质量％以上、0.5质量％以上、0.7质量％以上、或1质量％以上。从响应特性优异的观点考虑，化合物(i)的含量的上限值以液晶组合物总量作为基准，优选为50质量％以下、30质量％以下、10质量％以下、7质量％以下、5质量％以下、4质量％以下、或3质量％以下。
液晶组合物也可进一步含有选自通式(N-1)、(N-2)和(N-3)中的任一者所表示的化合物组中的化合物。
[化22]
式(N-1)、(N-2)和(N-3)中，
RN11、RN12、RN21、RN22、RN31和RN32分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
AN11、AN12、AN21、AN22、AN31和AN32分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH2-或不相邻的2个以上的-CH2-可被取代为-O-)、
(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝)、
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝)、和
(d)1,4-亚环己烯基
上述基团(a)、基团(b)、基团(c)和基团(d)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31和ZN32分别独立地表示单键、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，
XN21表示氢原子或氟原子，
TN31表示-CH2-或氧原子，
nN11、nN12、nN21、nN22、nN31和nN32分别独立地表示0～3的整数，nN11+nN12、nN21+nN22和nN31+nN32分别独立地为1、2或3，
AN11～AN32、ZN11～ZN32分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同。
通式(N-1)、(N-2)和(N-3)的任一者所表示的化合物优选为Δε为负且其绝对值大于3的化合物。
通式(N-1)、(N-2)和(N-3)中，优选RN11、RN12、RN21、RN22、RN31和RN32分别独立地为碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烯氧基，优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烯氧基，进一步优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选为碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～3的烯基，特别优选为碳原子数3的烯基(丙烯基)。
另外，在其结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，优选碳原子和视情况存在的氧原子的合计为5以下，且优选为直链状。
作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)的任一者所表示的基团(各式中的黑点表示结合键)。
[化23]
在要求增大Δn的情况下，AN11、AN12、AN21、AN22、AN31和AN32优选分别独立地为芳香族，为了改善响应速度，优选为脂肪族，优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、2,3-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，更优选表示下述结构，
[化24]
更优选表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基或1,4-亚苯基。
ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31和ZN32优选分别独立地表示-CH2O-、-CF2O-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或单键，进一步优选为-CH2O-、-CH2CH2-或单键，特别优选为-CH2O-或单键。
XN21优选为氟原子。
TN31优选为氧原子。
nN11+nN12、nN21+nN22和nN31+nN32优选为1或2，优选：nN11为1且nN12为0的组合、nN11为2且nN12为0的组合、nN11为1且nN12为1的组合、nN11为2且nN12为1的组合、nN21为1且nN22为0的组合、nN21为2且nN22为0的组合、nN31为1且nN32为0的组合、nN31为2且nN32为0的组合。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、10质量％以上、20质量％以上、30质量％以上、40质量％以上、50质量％以上、55质量％以上、60质量％以上、65质量％以上、70质量％以上、75质量％以上、80质量％以上。优选含量的上限值为95质量％以下、85质量％以下、75质量％以下、65质量％以下、55质量％以下、45质量％以下、35质量％以下、25质量％以下、20质量％以下。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、10质量％以上、20质量％以上、30质量％以上、40质量％以上、50质量％以上、55质量％以上、60质量％以上、65质量％以上、70质量％以上、75质量％以上、80质量％以上。优选含量的上限值为95质量％以下、85质量％以下、75质量％以下、65质量％以下、55质量％以下、45质量％以下、35质量％以下、25质量％以下、20质量％以下。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、10质量％以上、20质量％以上、30质量％以上、40质量％以上、50质量％以上、55质量％以上、60质量％以上、65质量％以上、70质量％以上、75质量％以上、80质量％以上。优选含量的上限值为95质量％以下、85质量％以下、75质量％以下、65质量％以下、55质量％以下、45质量％以下、35质量％以下、25质量％以下、20质量％以下。
在将本实施方式的组合物的粘度保持为较低，需要响应速度较快的组合物的情况下，优选上述下限值较低且上限值较低。进一步，在将本实施方式的组合物的Tni保持为较高，需要温度稳定性良好的组合物的情况下，优选上述下限值较低且上限值较低。另外，在为了将驱动电压保持为较低而要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值较高且上限值较高。
作为通式(N-1)所表示的化合物，可列举下述通式(N-1a)～(N-1g)所表示的化合物组。
[化25]
(式中，RN11和RN12表示与通式(N-1)中的RN11和RN12相同的含义，nNa11表示0或1，nNb11表示0或1，nNc11表示0或1，nNd11表示0或1，nNe11表示1或2，nNf11表示1或2，nNg11表示1或2，ANe11表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，ANg11表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基或1,4-亚苯基，但至少一个表示1,4-亚环己烯基，ZNe11表示单键或亚乙基，但至少一个表示亚乙基。)
更具体而言，通式(N-1)所表示的化合物优选为选自通式(N-1-1)～(N-1-21)所表示的化合物组中的化合物。
通式(N-1-1)所表示的化合物为下述化合物。
[化26]
(式中，RN111和RN112分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN111优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为丙基、戊基或乙烯基。RN112优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-1)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较少则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-1)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为50质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
进一步，通式(N-1-1)所表示的化合物优选为选自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.23)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-1.1)～(N-1-1.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-1.1)和式(N-1-1.3)所表示的化合物。
[化27]
式(N-1-1.1)～(N-1-1.22)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为50质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
通式(N-1-2)所表示的化合物为下述化合物。
[化28]
(式中，RN121和RN122分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN121优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基或戊基。RN122优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。
通式(N-1-2)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较少则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上、37质量％以上、40质量％以上、42质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为50质量％以下、48质量％以下、45质量％以下、43质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下。
进一步，通式(N-1-2)所表示的化合物优选为选自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)和式(N-1-2.20)所表示的化合物，在重视Δε的改良的情况下，优选为式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示的化合物，在重视TNI的改良的情况下，优选为式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)和式(N-1-2.13)所表示的化合物，在重视响应速度的改良的情况下，优选为式(N-1-2.20)所表示的化合物。
[化29]
式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为50质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
通式(N-1-3)所表示的化合物为下述化合物。
[化30]
(式中，RN131和RN132分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN131优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN132优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数3～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-3)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
进一步，通式(N-1-3)所表示的化合物优选为选自式(N-1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-3.1)～(N-1-3.7)和式(N-1-3.21)所表示的化合物，优选为式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)和式(N-1-3.6)所表示的化合物。
[化31]
式(N-1-3.1)～式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)和式(N-1-3.21)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，优选为式(N-1-3.1)和式(N-1-3.2)的组合、选自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)和式(N-1-3.6)中的2种或3种的组合。相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-4)所表示的化合物为下述化合物。
[化32]
(式中，RN141和RN142分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN141和RN142优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。
通式(N-1-4)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较少则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、11质量％以下、10质量％以下、8质量％以下。
进一步，通式(N-1-4)所表示的化合物优选为选自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.14)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-4.1)～(N-1-4.4)所表示的化合物，优选为式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)和式(N-1-4.4)所表示的化合物。
[化33]
式(N-1-4.1)～(N-1-4.14)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、11质量％以下、10质量％以下、8质量％以下。
通式(N-1-5)所表示的化合物为下述化合物。
[化34]
(式中，RN151和RN152分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN151和RN152优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-5)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较少则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、8质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
进一步，通式(N-1-5)所表示的化合物优选为选自式(N-1-5.1)至式(N-1-5.6)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)和式(N-1-5.4)所表示的化合物。
[化35]
式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)和式(N-1-5.4)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、8质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-10)所表示的化合物为下述化合物。
[化36]
(式中，RN1101和RN1102分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1101优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。RN1102优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-10)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本实施方式的一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-10)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
进一步，通式(N-1-10)所表示的化合物优选为选自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.21)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-10.1)～(N-1-10.5)、式(N-1-10.20)和式(N-1-10.21)所表示的化合物，优选为式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)和式(N-1-10.21)所表示的化合物。
[化37]
式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)和式(N-1-10.21)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-11)所表示的化合物为下述化合物。
[化38]
(式中，RN1111和RN1112分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1111优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。RN1112优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-11)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较低则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-11)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
进一步，通式(N-1-11)所表示的化合物优选为选自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.15)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-11.1)～(N-1-11.15)所表示的化合物，优选为式(N-1-11.2)和式(N-1-11.4)所表示的化合物。
[化39]
式(N-1-11.2)和式(N-1-11.4)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用，相对于本实施方式的组合物的总量，单独或这些化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-12)所表示的化合物为下述化合物。
[化40]
(式中，RN1121和RN1122分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1121优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1122优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-12)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-12)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-13)所表示的化合物为下述化合物。
[化41]
(式中，RN1131和RN1132分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1131优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1132优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-13)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-13)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-14)所表示的化合物为下述化合物。
[化42]
(式中，RN1141和RN1142分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1141优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1142优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-14)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为本实施方式的一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-14)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-15)所表示的化合物为下述化合物。
[化43]
(式中，RN1151和RN1152分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1151优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1152优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-15)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-15)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-16)所表示的化合物为下述化合物。
[化44]
(式中，RN1161和RN1162分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1161优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1162优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-16)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-16)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-17)所表示的化合物为下述化合物。
[化45]
(式中，RN1171和RN1172分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1171优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。RN1172优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-17)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-17)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-18)所表示的化合物为下述化合物。
[化46]
(式中，RN1181和RN1182分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1181优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为甲基、乙基、丙基或丁基。RN1182优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基。
通式(N-1-18)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-18)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
进一步，通式(N-1-18)所表示的化合物优选为选自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-18.1)～(N-1-18.3)所表示的化合物，优选为式(N-1-18.2)和式(N-1-18.3)所表示的化合物。
[化47]
通式(N-1-20)所表示的化合物为下述化合物。
[化48]
(式中，RN1201和RN1202分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1201和RN1202优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-20)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-20)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-21)所表示的化合物为下述化合物。
[化49]
(式中，RN1211和RN1212分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1211和RN1212优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-21)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-21)所表示的化合物的优选含量的下限值为5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(N-1-22)所表示的化合物为下述化合物。
[化50]
(式中，RN1221和RN1222分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN1221和RN1222优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为乙基、丙基或丁基。
通式(N-1-22)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较多则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-1-21)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为35质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、5质量％以下。
进一步，通式(N-1-22)所表示的化合物优选为选自式(N-1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.5)所表示的化合物，优选为式(N-1-22.1)～(N-1-22.4)所表示的化合物。
[化51]
通式(N-3)所表示的化合物优选为选自通式(N-3-2)所表示的化合物组中的化合物。
[化52]
(式中，RN321和RN322分别独立地表示与通式(N)中的RN11和RN12相同的含义。)
RN321和RN322优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为丙基或戊基。
通式(N-3-2)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视Δε的改善的情况下，优选将含量设定为较高，在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，在重视TNI的情况下，若将含量设定为较少则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(N-3-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为3质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为50质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下。
进一步，通式(N-3-2)所表示的化合物优选为选自式(N-3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示的化合物组中的化合物。
[化53]
液晶组合物也可进一步含有通式(L)所表示的化合物。
[化54]
式(L)中，
RL1和RL2分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
nL1表示0、1、2或3，
AL1、AL2和AL3分别独立地表示选自由
(a)1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个-CH2-或不相邻的2个以上的-CH2-可被取代为-O-。)、
(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝。)、和
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝。)
组成的组中的基团，上述基团(a)、基团(b)和基团(c)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
ZL1和ZL2分别独立地表示单键、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，
在nL1为2或3而存在多个AL2的情况下，它们可相互相同，也可不同，在nL1为2或3而存在多个ZL2的情况下，它们可相互相同，也可不同，但通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物除外。
通式(L)所表示的化合物相当于在介电性上为大致中性的化合物(Δε的值为-2～2)。通式(L)所表示的化合物可单独使用，也可组合使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种。或者，在其他实施方式中为2种、3种、4种、5种、6种、7种、8种、9种、10种以上。
本实施方式的组合物中，通式(L)所表示的化合物的含量必须根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能而适当调整。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、10质量％以上、20质量％以上、30质量％以上、40质量％以上、50质量％以上、55质量％以上、60质量％以上、65质量％以上、70质量％以上、75质量％以上、80质量％以上。优选含量的上限值为95质量％以下、85质量％以下、75质量％以下、65质量％以下、55质量％以下、45质量％以下、35质量％以下、25质量％以下。
在将本实施方式的组合物的粘度保持为较低，需要响应速度较快的组合物的情况下，优选上述下限值较高且上限值较高。进一步，在将本实施方式的组合物的Tni保持为较高，需要温度稳定性良好的组合物的情况下，优选上述下限值较高且上限值较高。另外，在为了将驱动电压保持为较低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值较低且上限值较低。
在重视可靠性的情况下，优选RL1和RL2均为烷基，在重视使化合物的挥发性降低的情况下，优选为烷氧基，在重视粘性的降低的情况下，优选至少一者为烯基。
分子内所存在的卤素原子优选为0、1、2或3个，优选为0或1，在重视与其他液晶分子的相容性的情况下，优选为1。
RL1和RL2在其结合的环结构为苯基(芳香族)的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和碳原子数4～5的烯基，在其结合的环结构为环己烷、吡喃和二烷等饱和的环结构的情况下，优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。为了使向列相稳定化，优选为碳原子和视情况存在的氧原子的合计为5以下，优选为直链状。
作为烯基，优选选自式(R1)至式(R5)的任一者所表示的基团(各式中的黑点表示结合键)。
[化55]
在重视响应速度的情况下，nL1优选为0，为了改善向列相的上限温度而优选为2或3，为了取得它们的平衡而优选为1。另外，为了满足作为组合物所要求的特性，优选组合不同值的化合物。
在要求增大Δn的情况下，AL1、AL2和AL3优选为芳香族，为了改善响应速度而优选为脂肪族，优选分别独立地表示反式-1,4-亚环己基、1,4-亚苯基、2-氟-1,4-亚苯基、3-氟-1,4-亚苯基、3,5-二氟-1,4-亚苯基、1,4-亚环己烯基、1,4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基，更优选表示下述的结构，
[化56]
更优选表示反式-1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。
在重视响应速度的情况下，ZL1和ZL2优选为单键。
通式(L)所表示的化合物优选分子内的卤素原子数为0个或1个。
通式(L)所表示的化合物优选为选自通式(L-1)～(L-7)所表示的化合物组中的化合物。
通式(L-1)所表示的化合物为下述化合物。
[化57]
(式中，RL11和RL12分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义。)
RL11和RL12优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。
通式(L-1)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
优选含量的下限值相对于本实施方式的组合物的总量为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、15质量％以上、20质量％以上、25质量％以上、30质量％以上、35质量％以上、40质量％以上、45质量％以上、50质量％以上、55质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为95质量％以下、90质量％以下、85质量％以下、80质量％以下、75质量％以下、70质量％以下、65质量％以下、60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、25质量％以下。
在将本实施方式的组合物的粘度保持为较低，需要响应速度较快的组合物的情况下，优选上述下限值较高且上限值较高。进一步，在将本实施方式的组合物的Tni保持为较高，需要温度稳定性良好的组合物的情况下，优选上述下限值为中间且上限值为中间。另外，在为了将驱动电压保持为较低而想要增大介电常数各向异性时，优选上述下限值较低且上限值较低。
通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-1)所表示的化合物组中的化合物。
[化58]
(式中，RL12表示与通式(L-1)中的含义相同的含义。)
通式(L-1-1)所表示的化合物优选为选自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示的化合物，特别优选为式(L-1-1.3)所表示的化合物。
[化59]
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-2)所表示的化合物组中的化合物。
[化60]
(式中，RL12表示与通式(L-1)中的含义相同的含义。)
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、42质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下。
进一步，通式(L-1-2)所表示的化合物优选为选自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示的化合物。尤其是式(L-1-2.2)所表示的化合物尤其改善本实施方式的组合物的响应速度，因此优选。另外，在相较于响应速度更要求较高的Tni时，优选使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示的化合物。为了使低温下的溶解度变得良好，式(L-1-2.3)和式(L-1-2.4)所表示的化合物的含量不宜设为30质量％以上。
[化61]
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-2.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为10质量％以上、15质量％以上、18质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上、38质量％以上、40质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、43质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、32质量％以下、30质量％以下、27质量％以下、25质量％以下、22质量％以下。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-1.3)所表示的化合物和式(L-1-2.2)所表示的化合物的合计的优选含量的下限值为10质量％以上、15质量％以上、20质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、35质量％以上、40质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、43质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、32质量％以下、30质量％以下、27质量％以下、25质量％以下、22质量％以下。
通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-3)所表示的化合物组中的化合物。
[化62]
(式中，RL13和RL14分别独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基。)
RL13和RL14优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、30质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、40质量％以下、37质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、27质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、17质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下。
进一步，通式(L-1-3)所表示的化合物优选为选自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.13)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示的化合物。尤其是式(L-1-3.1)所表示的化合物会尤其改善本实施方式的组合物的响应速度，因此优选。另外，在相较于响应速度更要求较高的Tni时，优选使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.12)所表示的化合物。为了使低温下的溶解度变得良好，式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.12)所表示的化合物的合计含量不宜设为20％以上。
[化63]
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-3.1)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、18质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为20质量％以下、17质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下。
通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-4)和/或(L-1-5)所表示的化合物组中的化合物。
[化64]
(式中，RL15和RL16分别独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基。)
RL15和RL16优选为直链状的碳原子数1～5的烷基、直链状的碳原子数1～4的烷氧基和直链状的碳原子数2～5的烯基。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、17质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、17质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下。
进一步，通式(L-1-4)和(L-1-5)所表示的化合物优选为选自式(L-1-4.1)至式(L-1-4.3)和式(L-1-5.1)至式(L-1-5.3)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示的化合物。
[化65]
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-4.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、18质量％以上、20质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为20质量％以下、17质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下。
优选将选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)和式(L-1-3.12)所表示的化合物中的2种以上的化合物进行组合，优选将选自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)和式(L-1-4.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物进行组合。这些化合物的合计含量的优选含量的下限值相对于本实施方式的组合物的总量为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、13质量％以上、15质量％以上、18质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、33质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为80质量％以下、70质量％以下、60质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、40质量％以下、37质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下、28质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下。
在重视组合物的可靠性的情况下，优选将选自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)和式(L-1-3.4)所表示的化合物中的2种以上的化合物进行组合，在重视组合物的响应速度的情况下，优选将式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示的化合物中的2种以上的化合物进行组合。
通式(L-1)所表示的化合物优选为选自通式(L-1-6)所表示的化合物组中的化合物。
[化66]
(式中，RL17和RL18分别独立地表示甲基或氢原子。)
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-1-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、5质量％以上、10质量％以上、15质量％以上、17质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、25质量％以上、27质量％以上、30质量％以上、35质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为60质量％以下、55质量％以下、50质量％以下、45质量％以下、42质量％以下、40质量％以下、38质量％以下、35质量％以下、33质量％以下、30质量％以下。
进一步，通式(L-1-6)所表示的化合物优选为选自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示的化合物组中的化合物。
[化67]
通式(L-2)所表示的化合物为下述化合物。
[化68]
(式中，RL21和RL22分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义。)
RL21优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，RL22优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。
通式(L-1)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在重视低温下的溶解性的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，反之，在重视响应速度的情况下，若将含量设定为较少则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-2)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
进一步，通式(L-2)所表示的化合物优选为选自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)和式(L-2.6)所表示的化合物。
[化69]
通式(L-3)所表示的化合物为下述化合物。
[化70]
(式中，RL31和RL32分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义。)
RL31和RL32优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。
通式(L-3)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-3)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上。优选含量的上限值相对于本实施方式的组合物的总量为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下、7质量％以下、6质量％以下、5质量％以下、3质量％以下。
在获得较高的双折射率的情况下，若将含量设定为较多则效果较高，反之，在重视较高的Tni的情况下，若将含量设定为较少则效果较高。进一步，在改良滴痕、烧屏特性的情况下，优选将含量的范围设定为中间。
进一步，通式(L-3)所表示的化合物优选为选自式(L-3.1)至式(L-3.7)所表示的化合物组中的化合物，优选为式(L-3.2)至式(L-3.7)所表示的化合物。
[化71]
通式(L-4)所表示的化合物为下述化合物。
[化72]
(式中，RL41和RL42分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义。)
RL41优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，RL42优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。
通式(L-4)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在本实施方式的组合物中，通式(L-4)所表示的化合物的含量必须根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能而适当调整。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、14质量％以上、16质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、26质量％以上、30质量％以上、35质量％以上、40质量％以上。相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-4)所表示的化合物的优选含量的上限值为50质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、20质量％以下、15质量％以下、10质量％以下、5质量％以下。
通式(L-4)所表示的化合物优选为例如式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物。
[化73]
根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可含有式(L-4.1)所表示的化合物，可含有式(L-4.2)所表示的化合物，可含有式(L-4.1)所表示的化合物与式(L-4.2)所表示的化合物两者，也可含有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示的化合物的全部。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示的化合物的优选含量的下限值为3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、9质量％以上、11质量％以上、12质量％以上、13质量％以上、18质量％以上、21质量％以上。优选含量的上限值为45质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下。
在含有式(L-4.1)所表示的化合物与式(L-4.2)所表示的化合物两者的情况下，相对于本实施方式的组合物的总量，两化合物的优选含量的下限值为15质量％以上、19质量％以上、24质量％以上、30质量％以上。优选含量的上限值为45质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(L-4)所表示的化合物优选为例如式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示的化合物，优选为式(L-4.4)所表示的化合物。
[化74]
根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能，可含有式(L-4.4)所表示的化合物，可含有式(L-4.5)所表示的化合物，也可含有式(L-4.4)所表示的化合物与式(L-4.5)所表示的化合物的两者。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示的化合物的优选含量的下限值为3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、9质量％以上、11质量％以上、12质量％以上、13质量％以上、18质量％以上、21质量％以上。优选的上限值为45质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、8质量％以下。
在含有式(L-4.4)所表示的化合物与式(L-4.5)所表示的化合物的两者的情况下，相对于本实施方式的组合物的总量，两化合物的优选含量的下限值为15质量％以上、19质量％以上、24质量％以上、30质量％以上，优选的上限值为45质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、13质量％以下。
通式(L-4)所表示的化合物优选为式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示的化合物，特别优选为式(L-4.9)所表示的化合物。
[化75]
通式(L-5)所表示的化合物为下述化合物。
[化76]
(式中，RL51和RL52分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义。)
RL51优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，RL52优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基。
通式(L-5)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
在本实施方式的组合物中，通式(L-5)所表示的化合物的含量必须根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能而适当调整。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、14质量％以上、16质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、26质量％以上、30质量％以上、35质量％以上、40质量％以上。相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-5)所表示的化合物的优选含量的上限值为50质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、20质量％以下、15质量％以下、10质量％以下、5质量％以下。
通式(L-5)所表示的化合物优选为式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示的化合物，特别优选为式(L-5.1)所表示的化合物。
[化77]
相对于本实施方式的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上。这些化合物的优选含量的上限值为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、9质量％以下。
通式(L-5)所表示的化合物优选为式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示的化合物。
[化78]
相对于本实施方式的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上。这些化合物的优选含量的上限值为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、9质量％以下。
通式(L-5)所表示的化合物优选为选自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示的化合物组中的化合物，特别优选为式(L-5.7)所表示的化合物。
[化79]
相对于本实施方式的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上。这些化合物的优选含量的上限值为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、9质量％以下。
通式(L-6)所表示的化合物为下述化合物。
[化80]
(式中，RL61和RL62分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义，XL61和XL62分别独立地表示氢原子或氟原子。)
RL61和RL62优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选XL61和XL62中的一者为氟原子、另一者为氢原子。
通式(L-6)所表示的化合物可单独使用，也可组合2种以上的化合物而使用。可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能适当组合而使用。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种、5种以上。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、14质量％以上、16质量％以上、20质量％以上、23质量％以上、26质量％以上、30质量％以上、35质量％以上、40质量％以上。相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-6)所表示的化合物的优选含量的上限值为50质量％以下、40质量％以下、35质量％以下、30质量％以下、20质量％以下、15质量％以下、10质量％以下、5质量％以下。在将增大Δn作为重点的情况下，优选使含量较多，在将低温下的析出作为重点的情况下，优选含量较少。
通式(L-6)所表示的化合物优选为式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示的化合物。
[化81]
可进行组合的化合物的种类没有特别限制，优选含有这些化合物中的1种～3种，进一步优选含有1种～4种。另外，所选择的化合物的分子量分布较广也对溶解性有效，因此例如优选从式(L-6.1)或(L-6.2)所表示的化合物中选择1种、从式(L-6.4)或(L-6.5)所表示的化合物中选择1种、从式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示的化合物中选择1种、从式(L-6.8)或(L-6.9)所表示的化合物中选择1种化合物，并将这些适当组合。其中，优选含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)和式(L-6.9)所表示的化合物。
进一步，通式(L-6)所表示的化合物优选为例如式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示的化合物，其中，优选为式(L-6.11)所表示的化合物。
[化82]
相对于本实施方式的组合物的总量，这些化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上。这些化合物的优选含量的上限值为20质量％以下、15质量％以下、13质量％以下、10质量％以下、9质量％以下。
通式(L-7)所表示的化合物为下述化合物。
[化83]
(式中，RL71和RL72分别独立地表示与通式(L)中的RL1和RL2相同的含义，AL71和AL72分别独立地表示与通式(L)中的AL2和AL3相同的含义，AL71和AL72上的氢原子也可分别独立地被氟原子取代，ZL71表示与通式(L)中的ZL2相同的含义，XL71和XL72分别独立地表示氟原子或氢原子。)
式中，RL71和RL72优选分别独立地为碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，AL71和AL72优选分别独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，AL71和AL72上的氢原子可分别独立地被氟原子取代，ZL71优选为单键或COO-，优选为单键，XL71和XL72优选为氢原子。
可进行组合的化合物的种类没有特别限制，根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率等所要求的性能而进行组合。关于所使用的化合物的种类，例如作为一个实施方式为1种、2种、3种、4种。
在本实施方式的组合物中，通式(L-7)所表示的化合物的含量必须根据低温下的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射率、工艺适应性、滴痕、烧屏、介电常数各向异性等所要求的性能而适当调整。
相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物的优选含量的下限值为1质量％以上、2质量％以上、3质量％以上、5质量％以上、7质量％以上、10质量％以上、14质量％以上、16质量％以上、20质量％以上。相对于本实施方式的组合物的总量，式(L-7)所表示的化合物的优选含量的上限值为30质量％以下、25质量％以下、23质量％以下、20质量％以下、18质量％以下、15质量％以下、10质量％以下、5质量％以下。
在本实施方式的组合物期望较高的Tni的实施方式的情况下，优选使式(L-7)所表示的化合物的含量较多，在期望低粘度的实施方式的情况下，优选使含量较少。
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示的化合物，优选为式(L-7.2)所表示的化合物。
[化84]
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示的化合物，优选为式(L-7.11)所表示的化合物。
[化85]
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示的化合物。优选为式(L-7.21)所表示的化合物。
[化86]
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示的化合物，优选为式(L-7.31)或/和式(L-7.32)所表示的化合物。
[化87]
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示的化合物，优选为式(L-7.41)或/和式(L-7.42)所表示的化合物。
[化88]
进一步，通式(L-7)所表示的化合物优选为式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示的化合物。
[化89]
液晶组合物也可进一步含有聚合性化合物。聚合性化合物可为用于液晶组合物的公知聚合性化合物。作为聚合性化合物的例子，可列举通式(P)所表示的化合物。
[化90]
式(P)中，
Zp1表示氟原子、氰基、氢原子、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烷基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烷氧基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烯基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烯氧基或-Spp2-Rp2，
Rp1和Rp2表示以下的式(R-I)～式(R-IX)的任一者，
[化91]
(式中，
在*处与Spp1进行结合，
R2～R6分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5个的烷基或碳原子数1～5个的卤代烷基，
W表示单键、-O-或亚甲基，
T表示单键或-COO-，
p、t和q分别独立地表示0、1或2。)，
Spp1和Spp2表示间隔基，
Lp1和Lp2分别独立地表示单键、-O-、-S-、-CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CO-、-C2H4-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH2-、-CH2OCOO-、-OCH2CH2O-、-CO-NRa-、-NRa-CO-、-SCH2-、-CH2S-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-(CH2)Z-C(＝O)-O-、-(CH2)Z-O-(C＝O)-、-O-(C＝O)-(CH2)Z-、-(C＝O)-O-(CH2)Z-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-或-C≡C-(式中，Ra分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，z表示1～4的整数。)，
Mp2表示1,4-亚苯基、1,4-亚环己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、1,3-二烷-2,5-二基或单键，Mp2未经取代或可被碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤代烷氧基、卤素原子、氰基、硝基或-Rp1取代，
Mp1表示以下的式(i-11)～(ix-11)的任一者，
[化92]
(式中，在*处与Spp1进行结合，在**处与Lp1、Lp2或Zp1进行结合。)
Mp1上的任意的氢原子也可被碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤代烷氧基、卤素原子、氰基、硝基或-Rp1取代，
Mp3表示以下的式(i-13)～(ix-13)的任一者，
[化93]
(式中，在*处与Zp1进行结合，在**处与Lp2进行结合。)
Mp3上的任意的氢原子也可被碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤代烷氧基、卤素原子、氰基、硝基或-Rp1取代，
mp2～mp4分别独立地表示0、1、2或3，
mp1和mp5分别独立地表示1、2或3，
存在多个Zp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Rp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Rp2的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Spp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Spp2的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Lp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Mp2的情况下，它们可相互相同，也可不同。
在本实施方式的液晶组合物除了含有化合物(i)以外还进一步含有聚合性化合物的情况下，可适宜地形成液晶分子的预倾角。
本实施方式的组合物优选不含有在分子内具有过氧(-CO-OO-)结构等氧原子彼此结合的结构的化合物。
在重视组合物的可靠性和长期稳定性的情况下，优选将具有羰基的化合物的含量设为相对于组合物的总质量为5质量％以下，更优选设为3质量％以下，进一步优选设为1质量％以下，最优选实质上不含有。
在重视利用UV照射的稳定性的情况下，优选将氯原子所取代的化合物的含量设为相对于组合物的总质量为15质量％以下，优选设为10质量％以下，优选设为8质量％以下，更优选设为5质量％以下，优选设为3质量％以下，进一步优选实质上不含有。
优选使分子内的环结构全部为六元环的化合物的含量较多，优选将分子内的环结构全部为六元环的化合物的含量设为相对于组合物的总质量为80质量％以上，更优选设为90质量％以上，进一步优选设为95质量％以上，最优选实质上仅由分子内的环结构全部为六元环的化合物构成组合物。
为了抑制因组合物的氧化所导致的劣化，优选使具有亚环己烯基作为环结构的化合物的含量较少，优选将具有亚环己烯基的化合物的含量设为相对于组合物的总质量为10质量％以下，优选设为8质量％以下，更优选设为5质量％以下，优选设为3质量％以下，进一步优选实质上不含有。
在重视粘度的改善和Tni的改善的情况下，优选使分子内具有氢原子可被取代为卤素的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量较少，优选将分子内具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量设为相对于组合物的总质量为10质量％以下，优选设为8质量％以下，更优选设为5质量％以下，优选设为3质量％以下，进一步优选实质上不含有。
本说明书中所谓实质上不含有，是指除非有意含有的物质(不可避免的杂质)以外不含有。
液晶组合物的平均弹性常数(KAVG)的下限值优选为10以上，优选为10.5以上，优选为11以上，优选为11.5以上，优选为12以上，优选为12.3以上，优选为12.5以上，优选为12.8以上，优选为13以上，优选为13.3以上，优选为13.5以上，优选为13.8以上，优选为14以上，优选为14.3以上，优选为14.5以上，优选为14.8以上，优选为15以上，优选为15.3以上，优选为15.5以上，优选为15.8以上，优选为16以上，优选为16.3以上，优选为16.5以上，优选为16.8以上，优选为17以上，优选为17.3以上，优选为17.5以上，优选为17.8以上，优选为18以上。液晶组合物的平均弹性常数(KAVG)的上限值优选为25以下，优选为24.5以下，优选为24以下，优选为23.5以下，优选为23以下，优选为22.8以下，优选为22.5以下，优选为22.3以下，优选为22以下，优选为21.8以下，优选为21.5以下，优选为21.3以下，优选为21以下，优选为20.8以下，优选为20.5以下，优选为20.3以下，优选为20以下，优选为19.8以下，优选为19.5以下，优选为19.3以下，优选为19以下，优选为18.8以下，优选为18.5以下，优选为18.3以下，优选为18以下，优选为17.8以下，优选为17.5以下，优选为17.3以下，优选为17以下。在重视削减耗电的情况下，有效的是抑制背光源的光量，液晶显示元件优选使光的透射率提高，因此优选将KAVG的值设定为较低。在重视响应速度的改善的情况下，优选将KAVG的值设定为较高。
(液晶显示元件)
本实施方式的液晶组合物被应用于液晶显示元件。以下，一边适当参照图1、2一边对本实施方式涉及的液晶显示元件的例子进行说明。
图1是示意性地表示液晶显示元件的构成的图。图1中，为了方便说明，使各构成要素分开而显示。如图1所示，本实施方式涉及的液晶显示元件1具备以对向的方式配置的第一基板2和第二基板3、以及设置于第一基板2与第二基板3之间的液晶层4，液晶层4由上述本实施方式的液晶组合物构成。
在第一基板2，在液晶层4侧的面形成有像素电极层5。在第二基板3，在液晶层4侧形成有共享电极层6。第一基板2和第二基板3也可由一对偏光板7、8夹持。也可在第二基板3的液晶层4侧进一步设置有滤色器9。
即，一实施方式涉及的液晶显示元件1具有依次层叠有第一偏光板7、第一基板2、像素电极层5、含有液晶组合物的液晶层4、共享电极层6、滤色器9、第二基板3、和第二偏光板8的构成。
第一基板2和第二基板3由例如玻璃或塑料等具有柔软性的材料形成。第一基板2和第二基板3的至少一者由透明的材料形成，另一者可由透明的材料形成，也可由金属或硅等不透明的材料形成。第一基板2和第二基板3通过配置于周边区域的环氧系热固化性组合物等密封材料和封闭材料而相互贴合，为了保持基板间距离，也可在其间配置有例如玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子等粒状间隔物、或通过光刻法形成的由树脂构成的间隔柱。
第一偏光板7和第二偏光板8可以调整各偏光板的偏光轴而以使视野角、对比度变得良好的方式进行调整，优选以它们的透射轴在常黑模式下工作的方式具有相互正交的透射轴。特别优选第一偏光板7和第二偏光板8中的任一者以具有与未施加电压时的液晶分子的取向方向平行的透射轴的方式配置。
从防止光泄漏的观点考虑，滤色器9优选形成黑矩阵，且优选在与薄膜晶体管对应的部分形成黑矩阵(未图示)。
黑矩阵可与滤色器一起设置于与阵列基板为相反侧的基板，可与滤色器一起设置于阵列基板侧，也可分别分开设置，即，黑矩阵设置于阵列基板，滤色器设置于另一基板。另外，黑矩阵可与滤色器分开设置，也可通过将滤色器的各色重叠而使透射率降低。
图2是将图1中的形成于第一基板2上的像素电极层5的一部分即由I线所包围的区域放大的俯视图。如图2所示，在形成于第一基板2的表面的包含薄膜晶体管的像素电极层5中，用于供给扫描信号的多个栅极总线11与用于供给显示信号的多个数据总线12相互交叉而呈矩阵状配置。需要说明的是，图2中仅示有一对栅极总线11、11和一对数据总线12、12。
通过由多个栅极总线11和多个数据总线12所包围的区域，而形成液晶显示元件的单位像素，在该单位像素内形成有像素电极13。像素电极13具有具备相互正交而形成十字形状的两个主干部和从各主干部延伸的多个分支部的所谓鱼骨结构。另外，在一对栅极总线11、11之间，与栅极总线11大致平行地设置有Cs电极14。另外，在栅极总线11与数据总线12相互交叉的交叉部附近，设置有包含源电极15和漏电极16的薄膜晶体管。在漏电极16设置有接触孔17。
栅极总线11和数据总线12优选分别由金属膜形成，更优选由Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金形成，进一步优选由Mo、Al或其合金形成。
为了提高透射率，像素电极13优选为透明电极。透明电极通过将氧化物半导体(ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、SnO、TiO、AZTO(AlZnSnO)等)进行溅射等而形成。此时，透明电极的膜厚可为10～200nm。另外，为了降低电阻，也可通过将非晶ITO膜进行煅烧而以多晶ITO膜的形式形成透明电极。
本实施方式的液晶显示元件例如可通过将Al或其合金等金属材料溅射于第一基板2和第二基板3上而形成配线，并分别形成像素电极层5和共享电极层6。另外，滤色器9例如可通过颜料分散法、印刷法、电沉积法或染色法等而制作。若将利用颜料分散法的滤色器的制作方法作为一例进行说明，则将滤色器用固化性着色组合物涂布于该透明基板上，实施图案化处理，继而通过加热或光照射而使其固化。通过对红、绿、蓝3种颜色分别进行该工序，可制作滤色器用像素部。另外，滤色器9也可设置于具有TFT等的基板侧。
第一基板2与第二基板3以像素电极层5和共享电极层6分别成为内侧的方式对向，此时也可经由间隔物而调整第一基板2与第二基板3的间隔。此时，液晶层4的厚度优选以成为例如1～100μm的方式调整。
使用偏光板7、8的情况下，优选以对比度成为最大的方式调整液晶层4的折射率各向异性Δn与液晶层4的厚度之积。另外，在具有两片偏光板7、8的情况下，也可以调整各偏光板的偏光轴而以使视野角、对比度变得良好的方式调整。进一步，也可使用用于扩大视野角的相位差膜。其后，将环氧系热固化性组合物等密封剂以设置有液晶注入口的形式丝网印刷于该基板，将该基板彼此贴合并进行加热，使密封剂热固化。
作为使组合物夹持于2片基板2、3间的方法，可使用通常的真空注入法或滴注(ODF：One Drop Fill)法等，在真空注入法中虽然不会产生滴痕，但存在残留注入痕迹的问题，在本实施方式中，可更适宜地用于使用ODF法制造的显示元件。在ODF法的液晶显示元件制造工序中，在背板或前板的任一基板，使用分注器将环氧系光热并用固化性等的密封剂呈死循环堤状描绘，在脱气下向其中滴加预定量的组合物后，将前板与背板接合，从而可制造液晶显示元件。在本实施方式中，在ODF法中可抑制将液晶组合物滴加至基板时的滴痕的产生。需要说明的是，所谓滴痕，定义为在黑显示的情况下滴加液晶组合物的痕迹浮现白色的现象。
另外，在利用ODF法的液晶显示元件的制造工序中，必须根据液晶显示元件的尺寸而滴加最佳的液晶注入量，本实施方式的液晶组合物对于例如液晶滴加时产生的滴加装置内的急剧的压力变化或冲击的影响较少，可长时间稳定地持续滴加液晶，因此也可将液晶显示元件的成品率保持为较高。尤其是多用于最近流行的智能型手机的小型液晶显示元件由于最佳的液晶注入量较少，因此本身难以将与最佳值的偏差控制于一定范围内，但是通过使用本实施方式的液晶组合物，从而在小型液晶显示元件中也可实现稳定的液晶材料的喷出量。
在本实施方式的液晶组合物含有聚合性化合物的情况下，作为使聚合性化合物聚合的方法，为了获得液晶的良好取向性能，优选适度的聚合速度，因此优选为通过照射单一的紫外线或电子射线等活性能量射线、或将它们并用或依序照射而进行聚合的方法。在使用紫外线的情况下，可使用偏光光源，也可使用非偏光光源。另外，在使含有聚合性化合物的组合物夹持于2片基板间的状态下进行聚合的情况下，至少照射面侧的基板必须被赋予对于活性能量射线的适当的透明性。另外，也可使用如下手段：在光照射时使用掩模仅使特定的部分聚合后，通过使电场、磁场或温度等条件变化而使未聚合部分的取向状态变化，进一步照射活性能量射线使其聚合。尤其在进行紫外线曝光时，优选一边对含有聚合性化合物的组合物施加交流电场一边进行紫外线曝光。施加的交流电场优选为频率10Hz～10kHz的交流，更优选为频率60Hz～10kHz，电压取决于液晶显示元件的所期望的预倾角而选择。即，可通过施加的电压来控制液晶显示元件的预倾角。在横向电场型MVA模式的液晶显示元件中，从取向稳定性和对比度的观点考虑，优选将预倾角控制为80度～89.9度。
照射时的温度优选为保持本实施方式的组合物的液晶状态的温度范围内。优选在接近室温的温度下，即典型而言15～35℃的温度下进行聚合。作为产生紫外线的灯，可使用金属卤代物灯、高压水银灯、超高压水银灯等。另外，作为照射的紫外线的波长，优选照射并非组合物的吸收波长区域的波长区域的紫外线，且优选根据需要截取紫外线而使用。照射的紫外线的强度优选为0.1mW/cm2～100W/cm2，更优选为2mW/cm2～50W/cm2。照射的紫外线的能量可适当调整，优选为10mJ/cm2～500J/cm2，更优选为100mJ/cm2～200J/cm2。照射紫外线时也可使强度变化。照射紫外线的时间根据照射的紫外线强度而适当选择，优选为10秒～3600秒，更优选为10秒～600秒。
在本实施方式的液晶组合物中，化合物(i)由于不会阻碍上述聚合性化合物的聚合反应，因此聚合性化合物彼此适宜地聚合，可抑制未反应的聚合性化合物残存于液晶组合物中。
在使用例如上述化合物(ii)作为聚合性化合物的情况下，所获得的液晶显示元件1具备两个基板2、3、以及设置于两个基板2、3之间的含有液晶组合物和通式(ii)所表示的化合物的聚合物的液晶层4。在该情况下，认为通式(ii)所表示的化合物的聚合物偏集于液晶层4中的基板2、3侧。
液晶显示元件1可为有源矩阵驱动用液晶显示元件。液晶显示元件1可为PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型的液晶显示元件，优选为PSA型液晶显示元件。
在本实施方式的液晶显示元件中，由于使用了含有化合物(i)的液晶组合物，因此无需在第一基板2和第二基板3的液晶层4侧设置聚酰亚胺取向膜等取向膜。即，本实施方式的液晶显示元件可采用两个基板中的至少一基板不具有聚酰亚胺取向膜等取向膜的构成。
实施例
以下，基于实施例更具体地说明本发明，但本发明并不限定于实施例。
(实施例1)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加5-溴水杨醛(5-bromosalicylaldehyde)50g、甲磺酸(2,2-二甲基乙基-1,3-二烷-5-基)甲酯75g、碳酸钾35g、N,N-二甲基甲酰胺500ml，在90℃反应5小时。反应结束后进行冷却，加入酸乙酯1L，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除，从而获得(1)所表示的化合物67g。
[化94]
接着，在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加4-(8-辛氧基)-3-氟苯基硼酸59g、化合物(1)60g、碳酸钾42g、四三苯基膦钯1.8g、四氢呋喃200ml、纯水100ml，在70℃反应5小时。反应结束后进行冷却，添加10％盐酸后，通过乙酸乙酯萃取目标物。利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用甲苯的分散清洗、利用氧化铝管柱的纯化，从而获得式(2)所表示的化合物74g。
[化95]
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加硼氢化钠2g和乙醇20ml，将反应容器冷却至10℃左右。其后，缓慢地滴入化合物(2)47g的THF溶液(200ml)。反应结束后，缓慢地添加饱和氯化铵水溶液，利用乙酸乙酯400ml、水、饱和食盐水进行清洗。将溶剂蒸馏去除后，利用通过氧化铝管柱所进行的纯化，获得(3)所表示的化合物42g。
[化96]
接着，在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(3)42g、三乙胺12g、二氯甲烷300ml，将反应容器冷却至10℃以下。其后，缓慢地滴入甲基丙烯酰氯12g。滴加结束后，使反应容器回到室温，使其反应3小时。反应结束后，缓慢地加入水，利用二氯甲烷400ml、水、饱和食盐水进行清洗。将溶剂蒸馏去除后，利用通过氧化铝管柱所进行的纯化，从而获得(4)所表示的化合物38g。
[化97]
其后，在具备搅拌装置和温度计的反应容器中缓慢地滴入上述化合物(4)、THF100ml，10％盐酸20ml。反应结束后进行冷却，通过乙酸乙酯萃取目标物。利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用甲苯的分散清洗、利用氧化铝管柱的纯化，从而获得式(5)所表示的化合物31g。
[化98]
进一步，在具备搅拌装置、和温度计的反应容器中加入上述化合物(5)31g、二氯甲烷400ml，冷却至10℃以下。接着，缓慢地滴入氯甲酸乙酯14g。滴加结束后，搅拌30分钟。接着，滴入三乙胺18g。
反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用二氧化硅管柱的纯化，从而获得化合物(6)所表示的目标化合物26g。
[化99]
(物性值)
熔点81℃
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t,3H),1.29-1.31(m,6H),1.44-1.49(m,2H),1.56(s,3H),1.83(q,2H),1.97(s,2H),2.69-2.76(m,1H),4.05(t,2H),4.16(d,2H),4.35-4.38(m,2H),4.59-4.62(m,2H),5.28(s,2H),5.60(s,1H),6.14(s,1H),6.90(d,1H),7.01(t,1H),7.21-7.29(m,2H),7.46(dd,1H),7.53(d,1H)
13C-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：14.9,17.3,22.7,25.9,27.9,29.6,31.8,64.0,68.7,68.8,72.8,114.7,122.3,125.6,128.4,135.5,138.6,151.0,158.3,166.0
(实施例2)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加3-(3,4-双(甲基丙烯酰氧基)苯基)丙酸16g、4’-((2,2-二甲基-1,3-二烷-5-基)甲氧基)-[1,1’-联苯基]-4-醇15g、二甲基氨基吡啶500mg、二氯甲烷200ml，将反应容器冷却至10℃以下。其后，缓慢地滴入二异丙基碳二酰亚胺8g。滴加结束后，在室温下反应5小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。接着，添加四氢呋喃(THF)150ml，缓慢地滴入10％盐酸20ml。反应结束后进行冷却，通过乙酸乙酯萃取目标物。利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用甲苯的分散清洗、利用氧化铝管柱的纯化，从而获得式(7)所表示的目标化合物21g。
[化100]
(物性值)
熔点121℃
(实施例3)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(7)10g、二氯甲烷300ml，冷却至10℃以下。接着，缓慢地滴入氯甲酸乙酯5.6g。滴加结束后，搅拌30分钟。接着，滴入三乙胺5.7g。反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用二氧化硅管柱的纯化，从而获得化合物(8)所表示的目标化合物8.5g。
[化101]
(物性值)
熔点102℃
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：1.56(s,3H),1.95(t,2H),2.20(t,2H),2.69-2.76(m,1H),4.05(m,2H),4.16(m,4H),5.60(s,2H),6.14(s,2H),6.87-6.99(m,3H),7.05(s,1H),7.21-7.29(m,3H),7.43(d,2H),7.55(d,2H)
13C-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：17.3,27.9,29.6,68.7,68.8,72.8,109.5,114.7,122.3,125.6,128.4,128.3,129.4,135.5,138.6,151.0,158.3,159.7,166.0
(实施例4)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加5-溴水杨醛10g、对甲苯磺酸吡啶盐1g、二氯甲烷100ml，在室温下滴入3,4-二氢-2H吡喃10g的二氯甲烷溶液20ml，使其反应5小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除，从而获得式(9)所表示的化合物12g。
[化102]
接着，利用与实施例1同样的方法，从而获得以下所示的化合物式(10)所表示的化合物。
[化103]
在具备搅拌装置、和温度计的反应容器中添加上述化合物(10)10g、THF100ml，缓慢地滴入10％盐酸5ml/甲醇5ml。反应结束后，通过乙酸乙酯萃取目标物。利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用甲苯的分散清洗、利用氧化铝管柱的纯化，从而获得式(11)所表示的化合物8g。
[化104]
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加芝麻酚15g、2-氯乙醇14g、三苯基膦28g、THF 200ml，将反应器冷却至10℃以下。缓慢地滴入偶氮二羧酸二异丙酯22g。滴加结束后，使反应器回至室温并使其反应5小时。反应结束后进行冷却，添加酸乙酯200ml，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除，从而获得式(12)所表示的化合物17g。
[化105]
接着，在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(12)17g、没食子酸叔丁酯57g、碳酸钾50g、N,N-二甲基甲酰胺500ml，在90℃反应5小时。反应结束后进行冷却，添加酸乙酯400ml，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。进一步利用二氯甲烷200ml、甲酸200ml使所得的化合物溶解，利用加热回流使其反应5小时。将反应容器冷却至室温，添加纯水300ml，使晶体析出。使析出的晶体溶解于THF 200ml、乙酸乙酯400ml，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除，从而获得式(13)所表示的化合物42g。
[化106]
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(11)8g和化合物(13)12.8g、二甲基氨基吡啶200mg、二氯甲烷200ml，将反应容器冷却至10℃以下。其后，缓慢地滴入二异丙基碳二酰亚胺2.6g。滴加结束后，在室温下使其反应5小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除。其后，进行利用二氧化硅凝胶管柱的纯化，从而获得化合物(14)所表示的目标化合物16g。
[化107]
(物性值)
油状化合物
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：1.76(s,6H),4.12(t,12H),4.84(s,2H),5.47(s,3H),5.60(s,1H),6.14(s,1H),6.90-7.02(m,9H),7.15-7.29(m,4H),7.35(s,1H),7.65-7.82(m,4H)
13C-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：17.3,62.9,68.7,68.8,72.8,101.4,109.5,114.7,122.3,125.6,128.4,128.3,135.5,138.6,158.3,159.7,166.0
(实施例5)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加3-溴-4’-(十二烷氧基)-3’-氟-(1,1’-联苯基)-4-醇20g、对甲苯磺酸吡啶盐0.5g、二氯甲烷100ml，在室温下滴入3,4-二氢-2H吡喃8g的二氯甲烷溶液20ml，使其反应5小时。反应结束后，利用水、饱和食盐水清洗有机层，将溶剂蒸馏去除，从而获得式(15)所表示的化合物28g。
[化108]
接着，在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(15)28g、碘化铜1g、四三苯基膦钯3g、四氢呋喃200ml、纯水100ml，在室温下进行搅拌。其后，滴入2-乙醇胺33g后，将反应容器加热至60℃，进一步缓慢地滴入炔丙醇5g。反应结束后，进行冷却，在反应溶液中添加甲苯300ml，利用饱和氯化铵水溶液、饱和食盐水进行清洗后，将溶剂蒸馏去除。其后，使其溶解于二氯甲烷，进行利用氧化铝管柱的纯化、利用甲醇的再结晶，从而获得式(16)所表示的化合物21g。
[化109]
在具备搅拌装置的高压釜容器中添加上述化合物(16)21g、5％钯碳1g、四氢呋喃100ml、乙醇20ml，利用0.3MPa的氢进行还原反应(室温，8小时)。将反应液过滤后，蒸馏去除反应溶剂，从而获得式(17)所表示的化合物20g。
[化110]
接着，在具备搅拌装置、冷却器和温度计的反应容器中添加上述式(17)所示的化合物20g、三乙胺4.6g、二氯甲烷100ml，在氮气环境下使反应器冷却至5℃以下。接着，缓慢地滴入甲基丙烯酰氯5g。滴加结束后，在20℃以下使其反应3小时。反应结束后，添加二氯甲烷，利用纯水、饱和食盐水清洗有机层。将溶剂蒸馏去除后使其溶解于四氢呋喃100ml。将四氢呋喃溶液移至具备搅拌装置的反应容器，缓慢地加入添加有盐酸0.5ml的甲醇溶液10ml，使其反应2小时。反应结束后，利用乙酸乙酯400ml、水、饱和食盐水来清洗。将溶剂蒸馏去除后，通过利用二氧化硅凝胶管柱的纯化，从而获得式(18)所表示的化合物16g。
[化111]
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述式(18)所示的化合物16g、三苯基膦11g、5-(羟甲基)-1,3-二烷-2-酮5g、二氯甲烷100ml，使反应容器冷却至5℃。其后，滴入偶氮二甲酸二异丙酯(DIAD)8.2g。滴加结束后，在室温下搅拌5小时并使反应结束。反应结束后，添加二氯甲烷200ml，利用纯水、饱和食盐水清洗有机层。将溶剂蒸馏去除后，通过利用二氧化硅凝胶管柱的纯化、和利用甲醇的再结晶，从而获得化合物(19)所表示的目标化合物13g。
[化112]
(物性值)
熔点55℃
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t,3H),1.44-1.49(m,2H),1.51-1.56(m,2H),1.81-1.85(m,2H),1.98(s,3H),2.02-2.03(m,2H),2.73-2.78(m,3H),4.05(t,2H),4.12(d,2H),4.21(t,2H),4.47(m,2H),4.59(m,2H),5.56(s,1H),6.09(s,1H),6.83(d,1H),7.02(t,1H),7.19-7.27(m,4H),7.32(d,1H),7.34(m,1H)
13C-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：14.1,18.3,22.6,25.9,27.0,28.9,29.2,29.3,31.8,64.2,64.4,69.0,69.5,111.2,114.5,115.1,122.1,125.4,128.7,130.4,136.4,138.6,147.0,149.5,155.0,167.0
(实施例6)
在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加4-辛酚18.5g、乙二醇单叔丁基醚12g、三苯基膦35g、二氯甲烷300ml，使反应容器冷却至5℃。其后，滴入DIAD 22g。滴加结束后，在室温下搅拌5小时并使反应结束。反应结束后，添加二氯甲烷200ml，利用纯水、饱和食盐水清洗有机层。将溶剂蒸馏去除后，通过利用二氧化硅凝胶管柱的纯化，从而获得式(20)所示的化合物23g。
[化113]
接着，在具备搅拌装置、冷却器和温度计的反应容器中添加上述式(20)所示的化合物23g、二氯甲烷100ml，利用冰浴使反应容器保持于5℃以下，缓慢地滴入三氟乙酸50ml。滴加结束后，使反应容器回到室温并使其反应1小时。反应结束后，将反应液冷却至10℃以下，并缓慢地添加纯水50ml。进一步，添加二氯甲烷150ml，利用纯水、饱和碳酸氢钠5％盐酸水溶液清洗有机层，进一步利用饱和食盐水来清洗，利用无水硫酸钠使有机层干燥。将溶剂蒸馏去除，从而获得式(21)所表示的化合物18g。
[化114]
接着，在具备搅拌装置、冷却器和温度计的反应容器中添加式(21)所示的化合物9g、和3,5-二氟-3’-碘-4’-((2,2,5-三甲基-1,3-二烷-5-基)-(1,1’-联苯基)-4-醇18g、三苯基膦12g、二氯甲烷200ml，使反应容器冷却至5℃。其后，滴入DIAD 9g。滴加结束后，在室温下搅拌5小时并使反应结束。反应结束后，添加二氯甲烷200ml，利用纯水、饱和食盐水清洗有机层。将溶剂蒸馏去除后，利用通过氧化铝管柱所进行的纯化，从而获得式(22)所示的化合物22g。
[化115]
接着，在具备搅拌装置、冷却器、和温度计的反应容器中添加上述化合物(22)22g、碘化铜0.5g、四三苯基膦钯1.5g、四氢呋喃200ml、纯水100ml，在室温下进行搅拌。其后，滴入2-乙醇胺18g后，将反应容器加热至60℃，进一步缓慢地滴入炔丙醇2g。反应结束后，进行冷却，在反应溶液中加入甲苯300ml，利用饱和氯化铵水溶液、饱和食盐水来清洗后，将溶剂蒸馏去除。其后，使其溶解于二氯甲烷，并进行利用氧化铝管柱的纯化、利用甲醇的再结晶。进一步，加入具备搅拌装置的高压釜容器中，添加5％钯碳1g、四氢呋喃200ml、乙醇40ml，利用0.3MPa的氢来进行还原反应(40℃、8小时)。过滤反应液后，将反应溶剂蒸馏去除，从而获得式(23)所表示的化合物15.7g。
[化116]
在具备搅拌装置、冷却器和温度计的反应容器中添加上述式(23)所示的化合物15.7g、甲基丙烯酸3g、二甲基氨基吡啶150mg、二氯甲烷100ml，利用冰浴使反应容器保持于5℃以下，在氮气环境下缓慢地滴入二异丙基碳二酰亚胺3.8g。滴加结束后，使反应容器恢复至室温，使其反应5小时。将反应液过滤后，浓缩滤液，然后，添加四氢呋喃100ml使其溶解，然后加入具备搅拌装置的反应容器中，添加10％盐酸水溶液15ml，搅拌30分钟。其后，利用乙酸乙酯400ml、水、饱和食盐水进行清洗。将溶剂蒸馏去除后，通过利用二氧化硅凝胶管柱的纯化，从而获得化合物(24)所表示的目标化合物12.5g。
[化117]
(物性值)
油状化合物
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：0.88(t,6H),1.26-1.49(m,10H),1.63(m,2H),1.98(s,3H),2.02-2.03(m,2H),2.63-2.70(m,4H),3.38-3.41(m,4H),3.80(s,2H),4.21(t,2H),4.22(m,2H),4.47-4.50(m,4H),5.56(s,1H),6.09(s,1H),6.83(d,2H),7.02(t,1H),7.19-7.27(m,4H),7.62(m,2H)
13C-NMR(溶剂：氘代氯仿)：δ：14.1,14.8,18.3,22.7,26.3,28.9,29.3,31.8,34.2,35.7,41.4,65.5,67.4,69.0,70.2,111.2,114.5,115.0,124.9,127.0,129.6,133.4,136.0,147.0,149.5,155.0,167.0
(实施例7)液晶组合物的制备
将与如下所示的化合物以混合比率所构成的组合物设为100重量％时，
[化118]
将添加0.3重量％的下述聚合性化合物(R-1-0)而得的组合物设为LC-1。
[化119]
LC-1的向列相-各向同性液体相转变温度(TNI)为75℃，固相-向列相转变温度(TCN)为-33℃，折射率各向异性(Δn)为0.11，介电常数各向异性(Δε)为-2.8，旋转粘性(γ1)为98mPa·s。需要说明的是，折射率各向异性(Δn)、介电常数各向异性(Δε)、和旋转粘性(γ1)皆为在25℃时的测定结果(以下同)。
进一步，添加相对于LC-1 100重量％为0.3重量％的相当于化合物(i)的化合物(P-J-1)：
[化120]
制备液晶组合物。
(实施例8～24)
取代添加量0.3重量％的化合物(P-J-1)，以表1所示的添加量在LC-1中添加下述化合物，除此以外，与实施例7同样地操作来制备液晶组合物。
[化121]
[化122]
(实施例25)
除了使用下述组合物LC-2来取代组合物LC-1以外，与实施例7同样地操作来制备液晶组合物，该组合物LC-2是在将与如下所示的化合物以混合比率构成的组合物设为100重量％时，添加0.3重量％的上述聚合性化合物(R-1-0)所得的组合物。
[化123]
LC-2的TNI为81℃，TCN为-54℃，Δn为0.11，Δε为-3.0，γ1为95mPa·s。
(实施例26～41)
取代实施例25中的添加量0.3重量％的化合物(P-J-1)，分别以如下所示的表1或表3所示的添加量而在LC-2中添加表1或表3所示的添加化合物，除此以外，与实施例25同样地操作来制备液晶组合物。
(实施例42～137)
取代实施例7中的添加量0.3重量％的化合物(P-J-1)，分别以符合如下所示的表3或表5、表7、表9的添加量来添加表3或表5、表7、表9所示的添加化合物，除此以外，与实施例7同样地操作来制备液晶组合物。
(实施例138～151)
取代实施例8中的添加量0.3重量％的化合物(P-J-1)，分别将添加化合物1设为表12所示的添加量，并进一步将表12所示的添加化合物2设为表12所示的添加量，除此以外，与实施例8同样地操作来制备液晶组合物。
[化124]
[化125]
[化126]
[化127]
[化128]
[化129]
[化130]
[化131]
[化132]
[化133]
(比较例1)
除了不使用化合物(P-J-1)以外，与实施例7同样地操作来制备液晶组合物。
(比较例2～11)
在实施例7中，以表13所示的添加量在LC-1或LC-2中添加下述化合物而取代添加0.3重量％的化合物(P-J-1)，除此以外，与实施例7同样地操作来制备液晶组合物。
[化134]
针对实施例和比较例的各液晶组合物进行以下的评价试验。将各液晶组合物中的各评价试验的结果分别示于表2、或表4、表6、表8、表10、表12。
(低温稳定性的评价试验)
通过膜滤器(Agilent Technologies公司制造，PTFE 13mm-0.2μm)对液晶组合物进行过滤，在真空减压条件下静置15分钟，进行溶存空气的去除。将其利用丙酮清洗，在经充分干燥的小瓶中称量0.5g，在-25℃的低温环境下静置10天。其后，目视观察有无析出，根据以下的2个等级进行判定。
A：未能确认到析出。
D：可确认到析出。
(垂直取向性的评价试验1)
制作具备由透明的共享电极构成的透明电极层和滤色器层且不具有取向膜的第一基板(共享电极基板)、以及具有含有由有源元件驱动的透明像素电极的像素电极层且不具有取向膜的第二基板(像素电极基板)。在第一基板上滴加液晶组合物，并夹持在第二基板上，使密封材料在常压下在110℃2小时的条件下固化，获得单元间隙3.2μm的液晶单元。使用偏光显微镜对此时的垂直取向性和滴痕等取向不均进行观察，根据以下的4个等级进行评价。
A：包含端部等在内，遍布整面均匀地垂直取向
B：极其略微地存在取向缺陷，但为可容许的水平
C：包含端部等在内，取向缺陷多，为无法容许的水平
D：取向不良非常严重
(预倾角形成的评价试验)
对于上述(垂直取向性的评价试验)中所使用的液晶单元，一边施加10V、100Hz的矩形交流波一边使用高压水银灯照射365nm时的照度为100m/cm2的UV光200秒。其后，一边施加10V、100Hz的矩形交流波一边对单元施加物理性外力，在正交尼科耳的状态下对白显示的稳定性进行观察，根据以下的4个等级进行评价。
A：包含端部等在内，遍布整面均匀地垂直取向
B：极其略微地存在取向缺陷，但为可容许的水平
C：包含端部等在内，取向缺陷多，为无法容许的水平
D：取向不良非常严重
(残存单体量的评价试验)
进一步以东芝Lighting&Technology公司制造的UV荧光灯对上述(预倾角形成的评价试验)中所使用的单元照射60分钟(313nm时的照度1.7mW/cm2)后，通过HPLC对聚合性化合物(R1-1-1)的残存量进行定量，确定残存单体量。根据单体的残存量，按照以下的4个等级进行评价。
A：小于300ppm
B：300ppm以上且小于500ppm
C：500ppm以上且小于1500ppm
D：1500ppm以上
(响应特性的评价试验)
进一步以东芝Lighting&Technology公司制造的UV荧光灯对上述(预倾角形成的评价试验)中所使用的单元间隙3.2μm的单元照射60分钟(313nm时的照度1.7mW/cm2)。针对由此获得的单元，测定响应速度。响应速度是在25℃的温度条件下，使用AUTRONIC-MELCHERS公司的DMS 703对6V时的Voff进行测定而得。根据以下的4个等级对响应特性进行评价。
A：小于5ms
B：5ms以上且小于15ms
C：15ms以上且小于25ms
D：25ms以上
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
[表8]
[表9]
[表10]
[表11]
[表12]
[表13]
[表14]
如以上所示，可知本申请发明发挥优异效果。
Claims (17)
1.一种液晶组合物用自发取向助剂，其含有1种或2种以上的下述化合物，所述化合物是在介晶基团上取代有Pi1-Spi1-、具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团、和Ri1的化合物，且至少一个Pi1-Spi1-相对于介晶的长轴从侧向进行结合，其中，Pi1表示聚合性基团，表示选自以下的通式(P-1)～通式(P-15)所表示的组中的取代基，式中，右端的黑点表示结合键，Spi1表示间隔基；Ki1表示以下的通式(K-1)～通式(K-11)所表示的取代基；Ri1表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续，
[化1]
[化2]
式中，
WK1表示次甲基、C-CH3、C-C2H5或氮原子，
XK1和YK1分别独立地表示-CH2-、氧原子或硫原子，
ZK1表示氧原子或硫原子，
UK1、VK1和SK1分别独立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)和(K-6)成为吡啶环的组合除外，通式(K-1)～通式(K-11)中，左端的黑点表示结合键，其中，在Ki1为(K-11)的情况下，介晶基团上至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物用自发取向助剂，其含有1种或2种以上的下述化合物，以下也称为“化合物(i)”，其中，所述介晶基团具有通式(i)所表示的部分结构，
[化3]
式中，
Zi1表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-、或碳原子数2～20的亚烷基，该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可被-O-、-COO-或-OCO-取代，其中，在Ki1为(K-11)的情况下，介晶基团上至少含有-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一个，
Ai1表示二价的六元环芳香族基、二价的六元环杂芳香族基、二价的六元环脂肪族基、二价的六元环杂脂肪族基，这些环结构中的氢原子也可被卤素原子、或Pi1-Spi1-、和具有通式Ki1所表示的取代基的一价有机基团或Ri1取代，但至少一个Pi1-Spi1-相对于介晶从侧向进行取代，Zi1和Ai1分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同，
mi1表示1～5的整数，
式(i)中，左端的黑点和右端的黑点表示结合键。
3.根据权利要求2所述的液晶组合物用自发取向助剂，所述Pi1和具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团在同一个Ai1上进行取代，或是在中间不具有除单键以外的Zi1的不同Ai1上进行取代。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶组合物用自发取向助剂，权利要求1中所述的在介晶基团上取代有Pi1-Spi1-、具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团和Ri1的化合物，为下述通式(ii)所表示的化合物，以下也称为“化合物(ii)”，
[化4]
式中，
Zii1、Aii1和mii1分别表示与所述通式(i)中的Zi1、Ai1和mi1相同的含义，Rii1和Rii2分别独立地表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续，Rii1和Rii2的至少一者表示具有Ki1所表示的取代基的一价有机基团，通式(ii)中，具有一个或两个以上的Pi1-Spi1-，具有一个或两个以上的含Ki1所表示的取代基的一价有机基团，且具有一个或两个以上的Ri1；其中，在Ki1为(K-11)的情况下，Zii1为-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-中的任一者。
5.一种液晶组合物，其介电常数各向异性Δε为负，且含有权利要求1～4中任一项所述的液晶组合物用自发取向助剂。
6.根据权利要求5所述的液晶组合物，其进一步含有选自通式(N-1)、(N-2)和(N-3)的任一者所表示的化合物组中的化合物，
[化5]
式中，
RN11、RN12、RN21、RN22、RN31和RN32分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
AN11、AN12、AN21、AN22、AN31和AN32分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基，存在于该基团中的1个-CH2-或不相邻的2个以上的-CH2-可被取代为-O-；
(b)1,4-亚苯基，存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝；
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝；以及
(d)1,4-亚环己烯基，
所述基团(a)、基团(b)、基团(c)和基团(d)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
ZN11、ZN12、ZN21、ZN22、ZN31和ZN32分别独立地表示单键、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，
XN21表示氢原子或氟原子，
TN31表示-CH2-或氧原子，
nN11、nN12、nN21、nN22、nN31和nN32分别独立地表示0～3的整数，nN11+nN12、nN21+nN22和nN31+nN32分别独立地为1、2或3，
AN11～AN32、ZN11～ZN32分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同。
7.根据权利要求5或6所述的液晶组合物，其进一步含有通式(L)所表示的化合物，
[化6]
式中，
RL1和RL2分别独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可分别独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，
nL1表示0、1、2或3，
AL1、AL2和AL3分别独立地表示选自由以下基团组成的组中的基团，
(a)1,4-亚环己基，存在于该基团中的1个-CH2-或不相邻的2个以上的-CH2-可被取代为-O-；
(b)1,4-亚苯基，存在于该基团中的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝；以及
(c)(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不相邻的2个以上的-CH＝可被取代为-N＝，
所述基团(a)、基团(b)和基团(c)可分别独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
ZL1和ZL2分别独立地表示单键、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH＝N-N＝CH-、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-，
在nL1为2或3而存在多个AL2的情况下，它们可相互相同，也可不同，在nL1为2或3而存在多个ZL2的情况下，它们可相互相同，也可不同，但通式(N-1)、(N-2)和(N-3)所表示的化合物除外。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的液晶组合物，其进一步含有聚合性化合物。
9.根据权利要求8所述的液晶组合物，其含有1种或2种以上的通式(P)所表示的化合物作为所述聚合性化合物，
[化7]
式中，
Zp1表示氟原子、氰基、氢原子、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烷基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烷氧基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烯基、氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1～15的烯氧基或-Spp2-Rp2，
Rp1和Rp2表示以下的式(R-I)～式(R-IX)的任一者，
[化8]
式中，
在*处与Spp1进行结合，
R2～R6分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5个的烷基或碳原子数1～5个的卤代烷基，
W表示单键、-O-或亚甲基，
T表示单键或-COO-，
p、t和q分别独立地表示0、1或2；
Spp1和Spp2表示间隔基，
Lp1和Lp2分别独立地表示单键、-O-、-S-、-CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CO-、-C2H4-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH2-、-CH2OCOO-、-OCH2CH2O-、-CO-NRa-、-NRa-CO-、-SCH2-、-CH2S-、-CH＝CRa-COO-、-CH＝CRa-OCO-、-COO-CRa＝CH-、-OCO-CRa＝CH-、-COO-CRa＝CH-COO-、-COO-CRa＝CH-OCO-、-OCO-CRa＝CH-COO-、-OCO-CRa＝CH-OCO-、-(CH2)Z-C(＝O)-O-、-(CH2)Z-O-(C＝O)-、-O-(C＝O)-(CH2)Z-、-(C＝O)-O-(CH2)Z-、-CH2(CH3)C-C(＝O)-O-、-CH2(CH3)C-O-(C＝O)-、-O-(C＝O)-C(CH3)CH2、-(C＝O)-O-C(CH3)-CH2、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-或-C≡C-，式中，Ra分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，z表示1～4的整数；
Mp2表示1,4-亚苯基、1,4-亚环己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、1,3-二烷-2,5-二基或单键，Mp2未经取代或可被碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤代烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤代烷氧基、卤素原子、氰基、硝基或-Rp1取代，
Mp1表示以下的式(i-11)～(ix-11)的任一者，
[化9]
式中，在*处与Spp1进行结合，在**处与Lp1、Lp2或Zp1进行结合，
Mp3表示以下的式(i-13)～(ix-13)的任一者，
[化10]
式中，在*处与Zp1进行结合，在**处与Lp2进行结合，
mp2～mp4分别独立地表示0、1、2或3，
mp1和mp5分别独立地表示1、2或3，
存在多个Zp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Rp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Rp2的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Spp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Spp2的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Lp1的情况下，它们可相互相同，也可不同，存在多个Mp2的情况下，它们可相互相同，也可不同。
10.一种液晶显示元件，其具备两个基板、以及设置于该两个基板之间的含有权利要求3～9中任一项所述的液晶组合物的液晶层。
11.一种液晶显示元件，其具备两个基板、以及设置于该两个基板之间的含有权利要求3～9中任一项所述的液晶组合物和通式(ii)所表示的化合物的聚合物的液晶层。
12.根据权利要求10或11所述的液晶显示元件，其用于驱动有源矩阵。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的液晶显示元件，其为PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的液晶显示元件，所述两个基板中的至少一个基板不具有取向膜。
15.一种化合物，其由通式(ii)表示，
式中，
Zii1、Aii1、Kii1和mii1分别表示与权利要求2中所述的通式(i)中的Zi1、Ai1、Ki1和mi1相同的含义，Rii1分别独立地表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续，其中，Ai1的至少一个在侧向具有Pi1-Spi1-的取代基，另外Ki1表示(K-1)～(K-10)。
16.一种化合物，其由通式(iii)表示，
式中，
Aii1、Aiii1表示二价的六元环芳香族基、二价的六元环杂芳香族基、二价的六元环脂肪族基、二价的六元环杂脂肪族基，这些环结构中的氢原子也可被卤素原子或Pi1-Spi1-、和Rii1取代，且mii1表示1～5的整数，Rii1分别独立地表示氢原子、碳原子数1～40的直链或支链的烷基、卤代烷基、或Pi1-Spi1-，该烷基中的-CH2-也可被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不连续，化合物(iii)具有至少一个Pi1-Spi1-，Wki表示次甲基、C-CH3、C-C2H5，Xii1表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-，但至少一个为-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-的任一者，Yii1表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CHCOO-、-OCOCH＝CH-、-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、或碳原子数2～20的亚烷基，该亚烷基中的1个或不相邻的2个以上的-CH2-也可被-O-、-COO-或-OCO-取代。
17.一种化合物，其由通式(iV)表示，
[化11]
式中，
Zi1、Ai1、Ri1和Ki1分别表示与权利要求2中所述的通式(i)中的Zi1、Ai1、Ri1和Ki1相同的含义，
Ai2表示与所述通式(i)中的Ai1相同的含义，
Zi2表示与所述通式(i)中的Zi1相同的含义，
Zi1、Zi2、Ai1、miii1和/或Ai2分别存在多个的情况下，分别可相互相同也可不同，其中，在Ki1为(K-11)的情况下，Zi2的至少一个表示-CH2-CH2COO-、-OCOCH2-CH2-、-CH＝C(CH3)COO-、-OCOC(CH3)＝CH-、-CH2-CH(CH3)COO-、-OCOCH(CH3)-CH2-、-OCH2CH2O-，
miii1表示1～5的整数，
miii2表示1～5的整数，
Gi1表示二价、三价、四价中任一个的支链结构、或者二价、三价、四价中任一个的脂肪族或芳香族的环结构，miii3表示比Gi1的价数小1的整数。
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