TWI737834B

TWI737834B - 液晶組成物用自發配向助劑

Info

Publication number: TWI737834B
Application number: TW106134854A
Authority: TW
Inventors: 木村正臣; 井之上雄一; 秋山英也; 林正直; 楠本哲生
Original assignee: 日商迪愛生股份有限公司
Priority date: 2016-10-26
Filing date: 2017-10-12
Publication date: 2021-09-01
Also published as: US11345857B2; JP6721873B2; US10927300B2; US20190264108A1; CN109643037B; CN109643037A; US20210071084A1; KR20190073351A; TW201829367A; WO2018079333A1; JP2019012272A; JPWO2018079333A1; JP6447784B2

Abstract

本發明提供一種液晶組成物用自發配向助劑，其於添加在液晶組成物中時可確保保存性，即便不設置PI層亦可形成液晶分子之垂直配向。

本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑由於含有具有式(i)所表示之部分結構之化合物，特別是具有式(K-1)~式(K-11)之任一者所表示之結構作為式(i)中之Kⁱ¹的化合物，於用於液晶組成物時，會吸附在挾持液晶組成物(液晶層)之基板，可使液晶分子保持在配向成垂直方向之狀態。因此，根據本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑，即便不設置PI層，亦可使液晶分子配向(於未施加電壓時，誘發液晶分子之垂直配向，於施加電壓時，實現液晶分子之水平配向)。

Description

液晶組成物用自發配向助劑

本發明係關於一種液晶組成物用自發配向助劑、液晶組成物、及液晶顯示元件。

以往，於VA方式之液晶顯示器中，為了於未施加電壓時誘發液晶分子之垂直配向，於施加電壓時實現液晶分子之水平配向，而於電極上設置有聚醯亞胺配向膜(PI)層。但是，由於PI層之製膜需要極大之成本，故而近年來對用以省去PI層並且實現液晶分子之配向之方法進行研究。

例如於專利文獻1中揭示有如下液晶介質，其特徵在於以具有負介電異向性之極性化合物之混合物作為基礎，且含有至少一種自發配向性添加劑；記載有該液晶介質高度地適於用於不含任何配向層之顯示器之內容。而且，於專利文獻1中使用具有羥基之特定之化合物作為自發配向性添加劑。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特表2014-524951號公報

然而，根據本發明人等之研究，明白於使用專利文獻1所記載之自配向性添加劑之情形時，使液晶分子垂直配向之配向限制力並不充分，又，於含有該自發配向性添加劑之液晶組成物之保存性之方面具有改善之餘地。

因此，本發明之目的在於提供一種可於添加至液晶組成物中時確保保存性，且即便不設置PI層亦可實現液晶分子之垂直配向的液晶組成物用自發配向助劑。又，本發明之另一目的在於提供一種保存性優異，且即便不設置PI層亦可實現液晶分子之垂直配向之含有該自發配向性添加劑的液晶組成物、及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

本發明提供一種液晶組成物用自發配向助劑，其於液晶原基含有1種或2種以上之下述化合物，即Pⁱ¹-Spⁱ¹-(Pⁱ¹表示聚合性基，表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中之取代基(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)，

Spⁱ¹表示間隔基)、具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基(Kⁱ¹表示以下之通式(K-1)~通式(K-11)所表示之取代基)及Rⁱ¹(Rⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之- CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，其中，-O-不連續)所取代之化合物，且至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-相對於液晶原之長軸自側邊進行鍵結。

(式中，W^K1表示次甲基、C-CH₃、C-C₂H₅或氮原子，X^K1及Y^K1分別獨立地表示-CH₂-、氧原子或硫原子，Z^K1表示氧原子或硫原子，U^K1、V^K1及S^K1分別獨立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)及(K-6)成為吡啶環之組合除外，通式(K-1)~通式(K-11)中，左端之黑點表示鍵結鍵。其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個)

又，本發明提供一種液晶組成物，其介電異向性(△ε)為負，且含有1種或2種以上之具有上述液晶組成物用自發配向助劑所表示之部分結構之化合物。

根據本發明，可提供一種保存性優異，且即便不設置PI層亦可實現液晶分子之均勻地垂直配向之含有該自發配向性添加劑的液晶組成物、及使用該液晶組成物之液晶顯示元件。

1‧‧‧液晶顯示元件

2‧‧‧第一基板

3‧‧‧第二基板

4‧‧‧液晶層

5‧‧‧像素電極層

6‧‧‧共用電極層

7、8‧‧‧偏光板

9‧‧‧濾色器

11‧‧‧閘極匯流排線

12‧‧‧資料匯流排線

13‧‧‧像素電極

14‧‧‧Cs電極

15‧‧‧源極電極

16‧‧‧汲極電極

17‧‧‧接觸孔

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之一實施形態之圖。

圖2係將圖1中之由I線所包圍之區域放大之俯視圖。

(液晶組成物用自發配向助劑)

本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑於液晶原基含有1種或2種以上之下述化合物，即Pⁱ¹-Spⁱ¹-(Pⁱ¹表示聚合性基，表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中之取代基(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)，

Spⁱ¹表示間隔基)、具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基(Kⁱ¹表示以下之通式(K-1)~通式(K-11)所表示之取代基)及Rⁱ¹(Rⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，其中，-O-不連續)所取代之化合物，且至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-相對於液晶原之長軸自側邊進行鍵結。

(式中， W^K1表示次甲基、C-CH₃、C-C₂H₅或氮原子，X^K1及Y^K1分別獨立地表示-CH₂-、氧原子或硫原子，Z^K1表示氧原子或硫原子，U^K1、V^K1及S^K1分別獨立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)及(K-6)為吡啶環之組合除外，通式(K-1)~通式(K-8)中，左端之黑點表示鍵結鍵。其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個)

上述液晶原基含有1種或2種以上之下述化合物(以下亦稱為「化合物(i)」)，該化合物具有通式(i)所表示之部分結構，

(式中，Zⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2~20之伸烷基，該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC (CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個，Aⁱ¹表示二價之六員環芳香族基、二價之六員環雜芳香族基、二價之六員環脂肪族基、二價之六員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-、及具有通式Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基或Rⁱ¹取代，但至少一個被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，於分別存在多個Zⁱ¹及Aⁱ¹之情形時，可分別相互相同，亦可不同，mⁱ¹表示1~5之整數，式(i)中，左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)。

本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑由於含有具有式(i)所表示之部分結構之化合物、尤其是具有式(K-1)~式(K-11)之任一者所表示之結構作為式(i)中之Kⁱ¹的化合物，故而於用於液晶組成物時，吸附至夾持液晶組成物(液晶層)之基板，可使液晶分子保持在配向於垂直方向之狀態。因此，根據本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑，即便不設置PI層，亦可使液晶分子配向(於未施加電壓時，誘發液晶分子之垂直配向，於施加電壓時，實現液晶分子之水平配向)。如此，化合物(i)可適宜地用以幫助實現液晶組成物中之液晶分子之自發配向。

此外，本發明人等發現，藉由使本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑含有具有式(i)所表示之部分結構之化合物，不僅可確保液晶分子之配向，而且可確保液晶組成物之保存性穩定性。

作為自發配向助劑，於重視化學穩定性之情形時，作為Kⁱ¹，較佳為(K-1)、(K-3)、(K-8)、(K-9)、(K-10)及(K-11)，於重視液晶之配向性之情形時，較佳為(K-1)、(K-3)、及(K-11)，於重視對液晶化合物之溶解性之情形時，較佳為(K-1)、(K-8)及(K-10)，於重視其等之平衡之情形時，更佳為(K-1)、(K-3)、及(K-11)。又，關於Pⁱ¹，從化學穩定性、聚合感度之方面而言，較佳為式(P-1)、(P-2)、(P-7)~(P-10)、(P-12)中之任一取代基，從操作簡便性此方面而言，更佳為式(P-1)、(P-2)、(P-9)、(P-10)。

就以上之觀點而言，本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑中所含有之化合物只要於分子之末端、較佳為於分子之主鏈之末端具有式(i)所表示之部分結構即可，式(i)所表示之部分結構之鍵結目標之化學結構只要為不阻礙液晶組成物之功能之範圍，則無特別限制。本實施形態之液晶組成物用自發配向助劑中所含有之化合物例如可為通式(ii)所表示之化合物(以下亦稱為「化合物(ii)」)，

(式中，Zⁱⁱ¹、Aⁱⁱ¹及mⁱⁱ¹分別表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹、Aⁱ¹及mⁱ¹相同涵義，Rⁱⁱ¹及Rⁱⁱ²分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不連續，Rⁱⁱ¹及Rⁱⁱ²之至少一者表示具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基，於通式(ii)中，具有一個或兩個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-，具有含一個或兩個以上之Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基，且具有一個或兩個以上之Rⁱ¹。其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，Zⁱⁱ¹為-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一者)。

式(i)及(ii)中，Zⁱ¹較佳為表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基，更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基，進一步較佳為表示單鍵、CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2之伸烷基(伸乙基(-CH₂CH₂-))或伸乙基中之一個-CH₂-被-O-取代之基(-CH₂O-、-OCH₂-)、或碳原子數3~13之直鏈狀之伸烷基或該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基。

Aⁱ¹較佳為表示二價之六員環芳香族基或二價之六員環脂肪族基，更佳為表示二價之未經取代之六員環芳香族基、二價之未經取代之六員環脂肪族基、或該等環結構中之氫原子未經取代或是被碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、鹵素原子取代，較佳為表示二價之未經取代之六員環芳香族基或該環結構中之氫原子被氟原子取代之基、或者二價之未經取代之六員環脂肪族基，較佳為取代基上之氫原子亦可被鹵素原子、烷基或烷氧基取代之1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基，至少一個取代基被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代。

mⁱ¹較佳為表示2~5之整數，進一步較佳為表示2~4之整數。

關於Kⁱ¹，於重視作為自發配向助劑之化學穩定性之情形時，作為Kⁱ¹，較佳為(K-1)、(K-3)、(K-8)、(K-9)、(K-10)及(K-11)，於重視液晶之配向性之情形時，較佳為(K-1)~(K-7)、(K-10)及(K-11)，於重視對液晶化合物之溶解性之情形時，較佳為(K-1)、(K-8)及(K-10)，於重視其等之平衡之情形時，更佳為(K-1)、(K-3)、(K-9)及(K-11)。

式(K-1)~式(K-11)中，W^K1較佳為表示次甲基或C-CH₃。X^K1及Y^K1較佳為分別獨立地表示-CH₂-或氧原子。Z^K1較佳為表示氧原子。

式(ii)中，Spⁱ¹較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，進一步較佳為表示碳原子數3~12之直鏈狀伸烷基或單鍵。

Rⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-較佳為-O-、-OCO-、或-COO-(其中，-O-不連續)，更佳為表示氫原子、碳原子數1~18之直鏈或支鏈之烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-表示-O-、-OCO-(其中，-O-不連續)。

又，式(i)例如亦可為通式(iii)所表示之化合物(以下亦稱為「化合物(iii)」)，

(式中， Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹分別表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹相同涵義，Aⁱ²表示與上述通式(i)中之Aⁱ¹相同涵義，Zⁱ²表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹相同涵義，於分別存在多個Zⁱ¹、Zⁱ²、Aⁱ¹、mⁱⁱⁱ¹及/或Aⁱ²之情形時，可分別相互相同，亦可不同，其中，Aⁱ¹及Aⁱ²之任一個至少被一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，Zⁱⁱ¹至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個，mⁱⁱⁱ¹表示1~5之整數，mⁱⁱⁱ²表示1~5之整數，Gⁱ¹表示二價、三價、四價中之任一個支鏈結構、或二價、三價、四價中之任一個脂肪族或芳香族之環結構，mⁱⁱⁱ³表示比Gⁱ¹之價數小1之整數)。

mⁱⁱⁱ¹及mⁱⁱⁱ²分別獨立地表示1~5之整數，較佳為表示2~5之整數，更佳為表示2~4之整數。無論是分子內僅具有一個mⁱⁱⁱ¹或是具有多個mⁱⁱⁱ¹之情形，於分子內之所有的mⁱⁱⁱ¹及mⁱⁱⁱ²之組合中，mⁱⁱⁱ¹+mⁱⁱⁱ²較佳為1~5之整數，較佳為1~4之整數，較佳為1~3之整數。

Gⁱ¹表示二價、三價、四價中之任一個支鏈結構、或二價、三價、四價中之任一個脂肪族或芳香族之環結構，較佳為二價、三價、四價中之任一個支鏈結構為2取代之碳原子、3取代之碳原子、4取代之碳原子、2取代之氮原子、3取代之氮原子、4取代之碳原子中之任一者，較佳為作為二價、三價、四價中之任一個脂肪族或芳香族之環結構，為3 取代以上之苯環、或3取代以上之環己烷環。

mⁱⁱⁱ³由於係表示Gⁱ¹和Zⁱ²鍵結之鍵結鍵以外的部分與Aⁱ¹鍵結者，因此，mⁱⁱⁱ³表示比Gⁱ¹之價數小1之整數。

作為化合物(i)之更具體之例，可列舉下述式(R-1-1)~(R-1-45)之任一者所表示之化合物。式中，Rⁱ¹表示與式(ii)中之Rⁱ¹相同涵義。

作為化合物(iii)所示之化合物的例子，可列舉下述式(iii-1)及(iii-2)之任一者所表示之化合物。

Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹分別獨立地表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹相同涵義，Aⁱ²表示與上述通式(i)中之Aⁱ¹相同涵義，Zⁱ²表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹相同涵義，於分別存在多個Zⁱ¹、Zⁱ²、Aⁱ¹、mⁱⁱⁱ¹及/或Aⁱ²之情形時，可分別相互相同，亦可不同，mⁱⁱⁱ¹表示1~5之整數，mⁱⁱⁱ²表示1~5之整數，B表示三價之支鏈結構、或三價之脂肪族或芳香族之環結構，C表示四價之支鏈結構、或四價之脂肪族或芳香族之環結構。

作為通式(iii)之更具體之例，可列舉下述式(R-1-33)~(R-1-37)之任一者所表示之化合物。式中，Rⁱ¹表示與式(ii)中之Rⁱ¹相同涵義。

液晶組成物用自發配向助劑可由化合物(i)之1種或2種以上構成，亦可除含有化合物(i)之1種或2種以上以外，亦進一步含有用於液晶組成物之公知化合物。作為具體之液晶組成物用自發配向助劑之例，於下述(P-1 -1)至(P-1-26)中表示。

(液晶組成物)

本實施形態之液晶組成物含有1種或2種以上之具有上述通式(i)所表示之部分結構之化合物。該液晶組成物具有負介電異向性(△ε)。再者，液晶組成物中所含有之具有通式(i)所表示之部分結構之化合物包含作為其具體例之化合物(ii)以及式(R-1-1)~(R-1-32)、及化合物(iii)以及式(iii-1)、(iii-2)、及式(R-1-33)~(R-1-37)中之任一者所表示之化合物，由於與上述液晶組成物用自發配向助劑中之化合物(i)相同，因此此處省略說明。

化合物(i)之含量較佳為0.01~50質量%，就使液晶分子更適宜地配向之觀點而言，其下限值以液晶組成物總量作為基準，較佳為0.01質量%以上、0.1質量%以上、0.5質量%以上、0.7質量%以上、或1質量%以上。就響應特性優異之觀點而言，化合物(i)之含量之上限值以液晶組成物總量作為基準，較佳為50質量%以下、30質量%以下、10質量%以下、7質量%以下、5質量%以下、4質量%以下、或3質量%以下。

液晶組成物亦可進一步含有選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)

之任一者所表示之化合物群中之化合物。

式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及(d)1,4-伸環己烯基(1,4-cyclohexenylene group)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，X^N21表示氫原子或氟原子，T^N31表示-CH₂-或氧原子，n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31及n^N32分別獨立地表示0~3之整數，n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32分別獨立地為1、2或3，於分別存在多個A^N11~A^N32、Z^N11~Z^N32之情形時，可分別相互相同，亦可不同。

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)之任一者所表示之化合物較佳為△ε為負且其絕對值大於3之化合物。

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，較佳為R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

又，於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二

烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及視情形存在之氧原子之合計為5以下，且較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)之任一者所表示之基(各式中之黑點表示鍵結鍵)。

於要求增大△n之情形時，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善響應速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，

更佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基。

Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CH₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-CH₂O-或單鍵。

X^N21較佳為氟原子。

T^N31較佳為氧原子。

n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32較佳為1或2，較佳為n^N11為1且n^N12為0之組合、n^N11為2且n^N12為0之組合、n^N11為1且n^N12為1之組合、n^N11為2 且n^N12為1之組合、n^N21為1且n^N22為0之組合、n^N21為2且n^N22為0之組合、n^N31為1且n^N32為0之組合、n^N31為2且n^N32為0之組合。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。

作為通式(N-1)所表示之化合物，可列舉下述通式(N-1a)~(N-1g)所表示之化合物群。

(式中，R^N11及R^N12表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N1相同涵義，n^Na11表示0或1，n^Nb11表示0或1，n^Nc11表示0或1，n^Nd11表示0或1，n^Ne11表示1或2，n^Nf11表示1或2，n^Ng11表示1或2，A^Ne11表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^Ng11表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基，但至少一個表示 1,4-伸環己烯基，Z^Ne11表示單鍵或伸乙基，但至少一個表示伸乙基)

更具體而言，通式(N-1)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-1)~(N-1-21)所表示之化合物群中之化合物。

通式(N-1-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N111及R^N112分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。R^N112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、 15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

進一步，通式(N-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.23)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-1.1)~(N-1-1.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-1.1)及式(N-1-1.3)所表示之化合物。

式(N-1-1.1)~(N-1-1.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(N-1-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N121及R^N122分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。R^N122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。

通式(N-1-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、 5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較少則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上、37質量%以上、40質量%以上、42質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、48質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)及式(N-1-2.20)所表示之化合物，於重視△ε之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示之化合物，於重視T_NI之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物，於重視響應速度之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.20)所表示之化合物。

式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(N-1-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N131及R^N132分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數3~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(N- 1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-3.1)~(N-1-3.7)及式(N-1-3.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物。

式(N-1-3.1)~式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)及式(N-1-3.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，較佳為式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)之組合、選自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)中之2種或3種之組合。相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N141及R^N142分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N141及R^N142較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18 質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、11質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

進一步，通式(N-1-4)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.14)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-4.1)~(N-1-4.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)及式(N-1-4.4)所表示之化合物。

式(N-1-4.1)~(N-1-4.14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、11質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

通式(N-1-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N151及R^N152分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N151及R^N152較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、8質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(N- 1-5.1)至式(N-1-5.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物。

式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、8質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-10)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1101及R^N1102分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1101較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1102較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-10)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為本實施形態之一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-10)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-10)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-10.1)~(N-1-10.5)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-10.1)、式(N-1-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物。

式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-11)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1111及R^N1112分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-11)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較低則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-11)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-11)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.15)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N -1-11.1)~(N-1-11.15)所表示之化合物，較佳為式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物。

式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量% 以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-12)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1121及R^N1122分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-12)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-12)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-13)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1131及R^N1132分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-13)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-13)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、 15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-14)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1141及R^N1142分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1141較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1142較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為本實施形態之一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-14)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-15)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1151及R^N1152分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1151較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1152較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-15)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-15)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-16)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1161及R^N1162分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1161較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1162較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-16)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-16)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-17)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1171及R^N1172分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1171較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1172較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-17)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-17)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-18)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1181及R^N1182分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1181較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。R^N1182較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-18)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-18)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-18)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-18.1)~(N-1-18.3)所表示之化合物，較佳為式(N-1-18.2)及式(N-1-18.3)所表示之化合物。

通式(N-1-20)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1201及R^N1202分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1201及R^N1202較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-20)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-20)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-21)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1211及R^N1212分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1211及R^N1212較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-22)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1221及R^N1222分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1221及R^N1222較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-1-22)所表示之化合物較佳為選自式(N -1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.5)所表示之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.4)所表示之化合物。

通式(N-3)所表示之化合物較佳為選自通式(N-3-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^N321及R^N322分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N321及R^N322較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基或戊基。

通式(N-3-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-3-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-3-2)所表示之化合物較佳為選自式(N- 3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示之化合物群中之化合物。

液晶組成物亦可進一步含有通式(L)

所表示之化合物。

式(L)中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n^L1表示0、1、2或3，A^L1、A^L2及A^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及 (c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中所存在之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^L1及Z^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於n^L1為2或3而存在多個A^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於n^L1為2或3而存在多個Z^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，但通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物除外。

通式(L)所表示之化合物相當於在介電性上為大致中性之化合物(△ε之值為-2~2)。通式(L)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所欲之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種。或者，於其他實施形態中為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。

於重視可靠性之情形時，較佳為R^L1及R^L2均為烷基，於重視使化合物之揮發性降低之情形時，較佳為烷氧基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為至少一者為烯基。

分子內所存在之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1，於重視與其他液晶分子之相容性之情形時，較佳為1。

R^L1及R^L2於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二

烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及視情形存在之氧原子之合計為5以下，較佳為直鏈狀。

於重視響應速度之情形時，n^L1較佳為0，為了改善向列相之上限溫度而較佳為2或3，為了取得該等之平衡而較佳為1。又，為了滿足作為組成物所要求之特性，較佳為組合不同值之化合物。

於要求增大△n之情形時，A^L1、A^L2及A^L3較佳為芳香族，為了改善響應速度而較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，

更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

於重視響應速度之情形時，Z^L1及Z^L2較佳為單鍵。

通式(L)所表示之化合物較佳為分子內之鹵素原子數為0個或1個。

通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-7)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L11及R^L12分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L11及R^L12較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

較佳之含量之下限值為相對於本實施形態之組成物之總量為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上、45質量%以上、50質量%以上、55質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為95質量%以下、90質量%以下、85質量%以下、80質量%以下、75質量%以下、70質量%以下、65質量%以下、60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要響應速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值為中間且上限值為中間。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電異向性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-1)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之涵義相同涵義)

通式(L-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示之化合物，尤佳為式(L-1-1.3)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之涵義相同涵義)

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、42質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下。

進一步，通式(L-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示之化合物。尤其，式(L-1-2.2)所表示之化合物尤其改善本實施形態之組成物之響應速度，故而較佳。又，於相較於響應速度，更要求較高之Tni時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示之化合物之含量設為30質量%以上為不佳。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-2.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為10質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上、38質量%以上、40質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、32質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、22質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物之合計之較佳含量之下限值為10質量%以上、15質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、32質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、22質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-3)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L13及R^L14分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L13及R^L14較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、30質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、37質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

進一步，通式(L-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.13)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。尤其，式(L-1-3.1)所表示之化合物會尤其改善本實施形態之組成物之響應速度，故而較佳。又，於相較於響應速度，更要求較高之Tni時，較佳為使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物之合計含量設為20%以上為不佳。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-3.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L15及R^L16分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L15及R^L16較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

進一步，通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-4.1)至式(L-1-4.3)及式(L-1-5.1)至式(L-1-5.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-4.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下。

較佳為將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合，較佳為將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合。該等化合物之合計含量之較佳之含量之下限值為相對於本實施形態之組成物之總量為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33 質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為80質量%以下、70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、37質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下。

於重視組成物之可靠性之情形時，較佳為將選自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合，於重視組成物之響應速度之情形時，較佳為將式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-6)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L17及R^L18分別獨立地表示甲基或氫原子)

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、42質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下。

進一步，通式(L-1-6)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L21及R^L22分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，反之，於重視響應速度之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

進一步，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。

通式(L-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L31及R^L32分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L31及R^L32較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

於獲得較高之雙折射率之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，反之，於重視較高之Tni之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

進一步，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)至式(L-3.7)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-3.2)至式(L-3.7)所表示之化合物。

通式(L-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L41及R^L42分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L42較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，而可含有式(L-4.1)所表示之化合物，可含有式(L-4.2)所表示之化合物，可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者，亦可含有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物之全部。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、9質量%以上、11質量%以上、12質量%以上、13質量%以上、18質量%以上、21質量%以上。較佳含量之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者之情形時，相對於本實施形態之組成物之總量，兩化合物之較佳含量之下限值為15質量%以上、19質量%以上、24質量%以上、30質量%以上。較佳含量之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示之化合物，較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，而可含有式(L-4.4)所表示之化合物，可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物之兩者。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、9質量%以上、11質量%以上、12質量%以上、13質量%以上、18質量%以上、21質量%以上。較佳之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

於含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物之兩者之情形時，相對於本實施形態之組成物之總量，兩化合物之較佳含量之下限值為15質量%以上、19質量%以上、24質量%以上、30質量%以上，較佳之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示之化合物，尤佳為式(L-4.9)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L51及R^L52分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，尤佳為式(L-5.1)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，該等化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上。該等化合物之較佳含量之上限值為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、9質量%以下。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示之化合物群中之化合物，尤佳為式(L-5.7)所表示之化合物。

通式(L-6)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L61及R^L62分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，X^L61及X^L62分別獨立地表示氫原子或氟原子)

R^L61及R^L62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為X^L61及X^L62中之一者為氟原子、另一者為氫原子。

通式(L-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。於將增大△n作為重點之情形時，較佳為使含量較多，於將低溫下之析出作為重點之情形時，較佳為含量較少。

通式(L-6)所表示之化合物較佳為式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示之化合物。

可進行組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之1種~3種，進一步較佳為含有1種~4種。又，所選擇之化合物之分子量分佈較廣亦對溶解性有效，因此例如較佳為自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中選擇1種化合物，並將該等適當組合。其中，較佳為含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。

進一步，通式(L-6)所表示之化合物較佳為例如式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示之化合物，其中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。

通式(L-7)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L71及R^L72分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，A^L71及A^L72分別獨立地表示與通式(L)中之A^L2及A^L3相同涵義，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71表示與通式(L)中之Z^L2相同涵義，X^L71及X^L72分別獨立地表示氟原子或氫原子)

式中，R^L71及R^L72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^L71及A^L72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^L71及A^L72上之氫原子可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71較佳為單鍵或COO-，較佳為單鍵，X^L71及X^L72較佳為氫原子。

可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而進行組合。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種。

於本實施形態之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電異向性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之上限值為30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

於本實施形態之組成物期望較高之Tni之實施形態之情形時，較佳為使式(L-7)所表示之化合物之含量較多，於期望低黏度之實施形態之情形時，較佳為使含量較少。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示之化合物。

液晶組成物亦可進一步含有聚合性化合物。聚合性化合物可為用於液晶組成物之公知聚合性化合物。作為聚合性化合物之例，可列舉通式(P)

所表示之化合物。

式(P)中，式(P)中，Z^p1表示氟原子、氰基、氫原子、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷氧基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯氧基或-Sp^p2-R^p2，R^p1及R^p2表示以下之式(R-I)~式(R-IX)之任一者，

(式中，於*與Sp^p1進行鍵結，R²~R⁶分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W表示單鍵、-O-或亞甲基，T表示單鍵或-COO-，p、t及q分別獨立地表示0、1或2)，Sp^p1及Sp^p2表示間隔(spacer)基，L^p1及L^p2分別獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CO-NR^a-、-NR^a-CO-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH=CR^a-COO-、-CH=CR^a-OCO-、-COO-CR^a=CH -、-OCO-CR^a=CH-、-COO-CR^a=CH-COO-、-COO-CR^a=CH-OCO-、-OCO-CR^a=CH-COO-、-OCO-CR^a=CH-OCO-、-(CH₂)_Z-C(=O)-O-、-(CH₂)_Z-O-(C=O)-、-O-(C=O)-(CH₂)_Z-、-(C=O)-O-(CH₂)_Z-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，R^a分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~4之烷基，z表示1~4之整數)，M^p2表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、1,3-二

烷-2,5-二基或單鍵，M^p2未經取代或可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，M^p1表示以下之式(i-11)~(ix-11)之任-者，

(式中，於*與Sp^p1進行鍵結，於**與L^p1、L^p2或Z^p1進行鍵結)

M^p1上之任意的氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，M^p3表示以下之式(i-13)~(ix-13)之任一者，

(式中，於*與Z^p1進行鍵結，於**與L^p2進行鍵結)

M^p3上之任意的氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，m^p2~m^p4分別獨立地表示0、1、2或3，m^p1及m^p5分別獨立地表示1、2或3，於存在多個Z^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個L^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個M^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同。

於本實施形態之液晶組成物除了含有化合物(i)以外，亦進一步含有聚合性化合物之情形時，可適宜地形成液晶分子之預傾角(pretilt angle)。

本實施形態之組成物較佳為不含有於分子內具有過氧(-CO-OO-)結構等氧原子彼此鍵結之結構之化合物。

於重視組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為5質量%以下，更佳為設為3質量%以下，進一步較佳為設為1質量%以下，最佳為實質上不含有。

於重視利用UV照射之穩定性之情形時，較佳為將氯原子所取代之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為15質量%以下，較佳為設為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

較佳為使分子內之環結構均為六員環之化合物之含量較多，較佳為將分子內之環結構均為六員環之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為80質量%以上，更佳為設為90質量%以上，進一步較佳為設為95質量%以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構均為六員環之化合物構成組成物。

為了抑制因組成物之氧化所導致之劣化，較佳為使具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量較少，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為使於分子內具有氫原子可被取代為鹵素之2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量較少，較佳為將於分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

本說明書中所謂實質上不含有係指除非意圖性地含有之物(不可避免之雜質)以外而不含有之涵義。

液晶組成物之平均彈性常數(K_AVG)之下限值較佳為10以上，較佳為10.5以上，較佳為11以上，較佳為11.5以上，較佳為12以上，較佳為12.3以上，較佳為12.5以上，較佳為12.8以上，較佳為13以上，較佳為13.3以上，較佳為13.5以上，較佳為13.8以上，較佳為14以上，較佳為14.3以上，較佳為14.5以上，較佳為14.8以上，較佳為15以上，較佳為15.3以上，較佳為15.5以上，較佳為15.8以上，較佳為16以上，較佳為16.3以上，較佳為16.5以上，較佳為16.8以上，較佳為17以上，較佳為17.3以上，較佳為17.5以上，較佳為17.8以上，較佳為18以上。液晶組成物之平均彈性常數(K_AVG)之上限值較佳為25以下，較佳為24.5以下，較佳為24以下，較佳為23.5以下，較佳為23以下，較佳為22.8以下，較佳為22.5以下，較佳為22.3以下，較佳為22以下，較佳為21.8以下，較佳為21.5以下，較佳為21.3以下，較佳為21以下，較佳為20.8以下，較佳為20.5以下，較佳為20.3以下，較佳為20以下，較佳為19.8以下，較佳為19.5以下，較佳為19.3以下，較佳為19以下，較佳為18.8以下，較佳為18.5以下，較佳為18.3以下，較佳為18以下，較佳為17.8以下，較佳為17.5以下，較佳為17.3以下，較佳為17以下。於重視削減消耗電力之情形時，有效的是抑制背光源之光量，液晶顯示元件較佳為使光之透射率提高，因此較佳為將K_AVG之值設定為較低。於重視響應速度之改善之情形時，較佳為將K_AVG之值設定為較高。

(液晶顯示元件)

本實施形態之液晶組成物係應用於液晶顯示元件。以下，一面適當參照圖1、2一面對本實施形態之液晶顯示元件之例進行說明。

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之構成之圖。於圖1中，為了方便說明，使各構成要素相離而表示。如圖1所示，本實施形態之液晶顯示元件1具備以對向之方式配置之第一基板2及第二基板3、以及設置於第一基板2與第二基板3之間之液晶層4，液晶層4係由上述本實施形態之液晶組成物所構成。

於第一基板2，於液晶層4側之面形成有像素電極層5。於第二基板3，於液晶層4側形成有共用電極層6。第一基板2及第二基板3亦可由一對偏光板7、8夾持。亦可於第二基板3之液晶層4側進一步設置有濾色器9。

即，一實施形態之液晶顯示元件1具有依序積層有第一偏光板7、第一基板2、像素電極層5、含有液晶組成物之液晶層4、共用電極層6、濾色器9、第二基板3、及第二偏光板8之構成。

第一基板2及第二基板3係由例如玻璃或塑膠等具有柔軟性之材料形成。第一基板2及第二基板3之至少一者係由透明之材料形成，另一者可由透明之材料形成，亦可由金屬或矽等不透明之材料形成。第一基板2及第二基板3係藉由配置於周緣區域之環氧系熱硬化性組成物等密封材料及封閉材料而相互貼合，為了保持基板間距離，亦可於其間配置例如玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔劑、或藉由光微影法所形成之由樹脂所構成之間隔柱。

第一偏光板7及第二偏光板8可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式進行調整，較佳為以其等之透射軸於正常顯黑模式下作動之方式具有相互正交之透射軸。特佳為第一偏光板7及第二偏光板8中之任一者以具有與未施加電壓時之液晶分子之配向方向平行之透射軸之方式配置。

就防止光洩漏之觀點而言，濾色器9較佳為形成黑矩陣，且較佳為於與薄膜電晶體對應之部分形成黑矩陣(未圖示)。

黑矩陣可與濾色器一起設置於與陣列基板為相反側之基板，可與濾色器一起設置於陣列基板側，亦可分別分開設置，即，黑矩陣設置於陣列基板，濾色器設置於另一基板。又，黑矩陣可與濾色器分開設置，亦可藉由將濾色器之各色重疊而使透射率降低。

圖2係將圖1中之形成於第一基板2上之像素電極層5之一部分即由I線所包圍之區域放大之俯視圖。如圖2所示，於形成於第一基板2之表面之包含薄膜電晶體之像素電極層5中，用以供給掃描訊號之複數個閘極匯流排線11與用以供給顯示訊號之複數個資料匯流排線12相互交叉而呈矩陣狀配置。再者，圖2中僅示有一對閘極匯流排線11、11及一對資料匯流排線12、12。

藉由由複數個閘極匯流排線11及複數個資料匯流排線12所包圍之區域，而形成液晶顯示元件之單位像素，於該單位像素內形成有像素電極13。像素電極13具有具備相互正交而構成十字形狀之兩個主幹部與自各主幹部延伸之複數個分支部的所謂魚骨結構。又，於一對閘極匯流排線11、11之間，與閘極匯流排線11大致平行地設置有Cs電極14。又，於閘極匯流排線11與資料匯流排線12相互交叉之交叉部附近，設置有包含源極電極15及汲極電極16之薄膜電晶體。於汲極電極16設置有接觸孔17。

閘極匯流排線11及資料匯流排線12較佳為分別由金屬膜所形成，更佳為由Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金所形成，進一步較佳為由Mo、Al或其合金所形成。

為了提高透射率，像素電極13較佳為透明電極。透明電極係藉由將氧化物半導體(ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、SnO、TiO、AZTO(AlZnSnO)等)進行濺鍍等而形成。此時，透明電極之膜厚可為10~200nm。又，為了降低電阻，亦可藉由將非晶ITO膜進行煅燒而以多晶ITO膜之形式形成透明電極。

本實施形態之液晶顯示元件例如可藉由將Al或其合金等金屬材料進行濺鍍而於第一基板2及第二基板3上形成配線，並分別形成像素電極層5及共用電極層6。又，濾色器9例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法或、染色法等而製作。若將利用顏料分散法之濾色器之製作方法作為一例進行說明，則將濾色器用硬化性著色組成物塗佈於該透明基板上，實施圖案化處理，繼而藉由加熱或光照射而使之硬化。藉由對於紅、綠、藍之3種顏色分別進行該步驟，可製作濾色器用像素部。又，濾色器9亦可設置於具有TFT等之基板側。

第一基板2與第二基板3係以像素電極層5及共用電極層6分別成為內側之方式對向，此時亦可經由間隔件而調整第一基板2與第二基板3之間隔。此時，液晶層4之厚度較佳為以成為例如1~100μm之方式調整。

於使用偏光板7、8之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶層4之折射率異向性△n與液晶層4之厚度之積。又，於具有兩片偏光板7、8之情形時，亦可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式調整。進一步，亦可使用用以擴大視野角之相位差膜。其後，將環氧系熱硬化性組成物等密封劑以設置有液晶注入口之形式網版印刷於該基板，將該基板彼此貼合並進行加熱，使密封劑熱硬化。

作為使組成物夾持於2片基板2、3間之方法，可使用通常之真空注入法或滴加注入(ODF：One Drop Fill)法等，於真空注入法中雖然不會產生滴加痕跡，但存在殘留注入痕跡之問題，於本實施形態中，可更適宜地用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，於底板或前板之任一基板，使用分注器將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑呈閉環堤狀描繪，於其中，於脫氣下滴加特定量之組成物後，將前板與底板接合，藉此可製造液晶顯示元件。於本實施形態中，於ODF法中可抑制將液晶組成物滴加至基板時之滴加痕跡之產生。再者，所謂滴加痕跡，定義為於黑顯示之情形時滴加液晶組成物之痕跡浮現白色之現象。

又，於利用ODF法之液晶顯示元件之製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸而滴加最佳之液晶注入量，本實施形態之液晶組成物對於例如液晶滴加時產生之滴加裝置內之急遽之壓力變化或衝擊之影響較少，可長時間穩定地持續滴加液晶，因此亦可將液晶顯示元件之良率保持為較高。尤其，多用於最近流行之智慧型手機之小型液晶顯示元件由於最佳之液晶注入量較少，故而本身難以將自最佳值之偏差控制於一定範圍內，藉由使用本實施形態之液晶組成物，於小型液晶顯示元件中亦可實現穩定之液晶材料之噴出量。

於本實施形態之液晶組成物含有聚合性化合物之情形時，作為使聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶之良好之配向性能，較理想為適度之聚合速度，因此較佳為藉由照射單一之紫外線或電子束等活性能量射線、或將其等併用或依序照射而進行聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在使含有聚合性化合物之組成物夾持於2片基板間之狀態下進行聚合之情形時，至少照射面側之基板必須被賦予對於活性能量射線適當之透明性。又，亦可使用如下手段：於光照射時使用遮罩僅使特定之部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等條件變化而使未聚合部分之配向狀態變化，進一步照射活性能量射線使之聚合。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含有聚合性化合物之組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10Hz~10kHz之交流，更佳為頻率60Hz~10kHz，電壓係取決於液晶顯示元件之所欲之預傾角而選擇。即，可藉由施加之電壓而控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度~89.9度。

照射時之溫度較佳為保持本實施形態之組成物之液晶狀態之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度下，即，典型的是於15~35℃之溫度下進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳為照射並非組成物之吸收波長區域之波長區域之紫外線，且較佳為視需要截取紫外線而使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。照射之紫外線之能量可適當調整，較佳為10mJ/cm²~500J/cm²，更佳為100mJ/cm²~200J/cm²。於照射紫外線時亦可使強度變化。照射紫外線之時間係根據照射之紫外線強度而適當選擇，較佳為10秒~3600秒，更佳為10秒~600秒。

於本實施形態之液晶組成物中，化合物(i)由於不會阻礙上述聚合性化合物之聚合反應，故而聚合性化合物彼此適宜地聚合，可抑制未反應之聚合性化合物殘存於液晶組成物中。

於使用例如上述化合物(ii)作為聚合性化合物之情形時，所獲得之液晶顯示元件1具備兩個基板2、3、設置於兩個基板2、3之間之含有液晶組成物及通式(ii)所表示之化合物之聚合物的液晶層4。於此情形時，認為通式(ii)所表示之化合物之聚合物偏集存在於液晶層4中之基板2、3側。

液晶顯示元件1可為主動矩陣驅動用液晶顯示元件。液晶顯示元件1可為PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型之液晶顯示元件，較佳為PSA型液晶顯示元件。

於本實施形態之液晶顯示元件中，由於使用含有化合物(i)之液晶組成物，故而無需於第一基板2及第二基板3之液晶層4側設置聚醯亞胺配向膜等配向膜。即，本實施形態之液晶顯示元件可採用兩個基板中之至少一基板不具有聚醯亞胺配向膜等配向膜之構成。

[實施例]

以下，基於實施例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。

(實施例1)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加5-溴鄰羥基苯甲醛(5-bromosalicylaldehyde)50g、(2,2-二甲基乙基-1,3-二

烷-5-基)甲磺酸甲酯75g、碳酸鉀35g、N,N-二甲基甲醯胺500ml，於90℃反應5小時。反應結束後進行冷卻，加入酸乙酯1L，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除，從而獲得(1)所表示之化合物67g。

繼而，於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加4-(8-辛氧基)-3-氟基苯基硼酸59g、化合物(1)60g、碳酸鉀42g、四三苯基膦鈀1.8g、四氫呋喃200ml、純水100ml，於70℃反應5小時。反應結束後進行冷卻，添加10%鹽酸後，藉由乙酸乙酯萃取目標物。利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用甲苯之分散洗淨、利用氧化鋁管柱之純化，從而獲得式(2)所表示之化合物74g。

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加硼氫化鈉2g及乙醇20ml，將反應容器冷卻至10℃左右。其後，緩慢地滴入化合物(2)47g之THF溶液(200ml)。反應結束後，緩慢地添加飽和氯化銨水溶液，利用乙酸乙酯400ml、水、飽和食鹽水進行洗浄。將溶劑蒸餾去除後，利用藉由氧化鋁管柱所進行之純化，從而獲得(3)所表示之化合物42g。

繼而，於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(3)42g、三乙胺12g、二氯甲烷300ml，將反應容器冷卻至10℃以下。其後，緩慢地滴入甲基丙烯醯氯12g。滴加結束後，使反應容器回到室溫，使其反應3小時。反應結束後，緩慢地加入水，利用二氯甲烷400ml、水、飽和食鹽水進行洗浄。將溶劑蒸餾去除後，利用藉由氧化鋁管柱所進行之純化，從而獲得(4)所表示之化合物38g。

其後，於具備攪拌裝置、及溫度計之反應容器中緩慢地滴入上述化合物(4)、THF 100ml，10%鹽酸20ml。反應結束後進行冷卻，藉由乙酸乙酯萃取目標物。利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用甲苯之分散洗淨、利用氧化鋁管柱之純化，從而獲得式(5)所表示之化合物31g。

進一步，於具備攪拌裝置、及溫度計之反應容器中加入上述化合物(5)31g、二氯甲烷400ml，冷卻至10℃以下。繼而，緩慢地滴入氯甲酸乙酯14g。滴加結束後，攪拌30分鐘。接著，滴入三乙胺18g。

反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用二氧化矽管柱的純化，從而獲得化合物(6)所表示之目的化合物26g。

(物性值)

熔點81℃

¹H-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：0.88(t,3H),1.29-1.31(m,6H),1.44-1.49(m,2H),1.56(s,3H),1.83(q,2H),1.97(s,2H),2.69-2.76(m,1H),4.05(t,2H),4.16(d,2H),4.35-4.38(m,2H),4.59-4.62(m,2H),5.28(s,2H),5.60(s,1H),6.14(s,1H),6.90(d,1H),7.01(t,1H),7.21-7.29(m,2H),7.46(dd,1H),7.53(d,1H)

¹³C-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：14.9,17.3,22.7,25.9,27.9,29.6,31.8,64.0,68.7,68.8,72.8,114.7,122.3,125.6,128.4,135.5,138.6,151.0,158.3,166.0

(實施例2)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加3-(3,4-雙(甲基丙烯醯氧基)苯基)丙酸16g、4’-((2,2-二甲基-1,3-二

烷-5-基)甲氧基)-[1,1’-聯苯基]-4-醇15g、二甲基胺基吡啶500mg、二氯甲烷200ml，將反應容器冷卻至10℃以下。其後，緩慢地滴入二異丙基碳二醯亞胺8g。滴加結束後，於室溫下反應5小時。反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。繼而，添加四氫呋喃(THF)150ml，緩慢地滴入10%鹽酸20ml。反應結束後進行冷卻，藉由乙酸乙酯萃取目標物。利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用甲苯之分散洗淨、利用氧化鋁管柱之純化，從而獲得式(7)所表示之目的化合物21g。

(物性值)

熔點121℃

(實施例3)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(7)10g、二氯甲烷300ml，冷卻至10℃以下。繼而，緩慢地滴入氯甲酸乙酯5.6g。滴加結束後，攪拌30分鐘。接著，滴入三乙胺5.7g。反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用二氧化矽管柱的純化，從而獲得化合物(8)所表示之目的化合物8.5g。

(物性值)

熔點102℃

¹H-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：1.56(s,3H),1.95(t,2H),2.20(t,2H),2.69-2.76(m,1H),4.05(m,2H),4.16(m,4H),5.60(s,2H),6.14(s,2H),6.87-6.99(m,3H),7.05(s,1H),7.21-7.29(m,3H),7.43(d,2H),7.55(d,2H)

¹³C-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：17.3,27.9,29.6,68.7,68.8,72.8,109.5,114.7,122.3,125.6,128.4,128.3,129.4,135.5,138.6,151.0,158.3,159.7,166.0

(實施例4)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加5-溴鄰羥基苯甲醛10g、對甲苯磺酸吡啶鹽1g、二氯甲烷100ml，於室溫中滴入3,4-二氫-2H吡喃10g之二氯甲烷溶液20ml，使其反應5小時。反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除，從而獲得式(9)所表示之化合物12g。

繼而，利用與實施例1相同的方法，從而獲得以下所述之化合物式(10)所表示之化合物。

於具備攪拌裝置、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(10)10g、THF 100ml，緩慢地滴入10%鹽酸5ml/甲醇5ml。反應結束後，藉由乙酸乙酯萃取目標物。利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用甲苯之分散洗淨、利用氧化鋁管柱之純化，從而獲得式(11)所表示之化合物8g。

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加芝麻酚15g、2-氯乙醇14g、三苯基膦28g、THF 200ml，將反應器冷卻至10℃以下。緩慢地滴入偶氮二羧酸二異丙酯22g。滴加結束後，使反應器回至室溫並使其反應5小時。反應結束後進行冷卻，添加酸乙酯200ml，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除，從而獲得式(12)所表示之化合物17g。

接著，於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(12)17g、没食子酸第三丁酯57g、碳酸鉀50g、N,N-二甲基甲醯胺500ml，於90℃反應5小時。反應結束後進行冷卻，添加酸乙酯400ml，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。進一步利用二氯甲烷200ml、甲酸200ml來溶解所得之化合物，利用加熱迴流使其反應5小時。將反應容器冷卻至室溫，添加純水300ml，使結晶析出。使析出之結晶溶解於THF 200 ml、乙酸乙酯400ml，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除，從而獲得式(13)所表示之化合物42g。

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(11)8g及化合物(13)12.8g、二甲基胺基吡啶200mg、二氯甲烷200ml，將反應容器冷卻至10℃以下。其後，緩慢地滴入二異丙基碳二醯亞胺2.6g。滴加結束後，於室溫下使其反應5小時。反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除。其後，進行利用二氧化矽凝膠管柱的純化，從而獲得化合物(14)所表示之目的化合物16g。

(物性值)

油狀化合物

¹H-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：1.76(s,6H),4.12(t,12H),4.84(s,2H),5.47(s,3H),5.60(s,1H),6.14(s,1H),6.90-7.02(m,9H),7.15- 7.29(m,4H),7.35(s,1H),7.65-7.82(m,4H)

¹³C-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：17.3,62.9,68.7,68.8,72.8,101.4,109.5,114.7,122.3,125.6,128.4,128.3,135.5,138.6,158.3,159.7,166.0

(實施例5)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加3-溴-4’-(十二烷氧基)-3’-氟-(1,1’-聯苯基)-4-醇20g、對甲苯磺酸吡啶鹽0.5g、二氯甲烷100ml，於室溫下滴入3,4-二氫-2H吡喃8g之二氯甲烷溶液20ml，使其反應5小時。反應結束後，利用水、飽和食鹽水洗淨有機層，將溶劑蒸餾去除，從而獲得式(15)所表示之化合物28g。

繼而，於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(15)28g、碘化銅1g、四三苯基膦鈀3g、四氫呋喃200ml、純水100ml，於室溫下進行攪拌。其後，滴入2-乙醇胺33g後，將反應容器加熱至60℃，進一步緩慢地滴入炔丙醇5g。反應結束後，進行冷卻，於反應溶液中添加甲苯300ml，利用飽和氯化銨水溶液、飽和食鹽水進行洗浄後，將溶劑蒸餾去除。其後，使其溶解於二氯甲烷，進行利用氧化鋁管柱之醇化、利用甲醇之再結晶，從而獲得式(16)所表示之化合物21g。

於具備攪拌裝置之高壓釜容器中添加上述化合物(16)21g、5 %鈀碳1g、四氫呋喃100ml、乙醇20ml，利用0.3MPa之氫進行還原反應(室溫，8小時)。將反應液過濾後，蒸餾去除反應溶劑，從而獲得式(17)所表示之化合物20g。

繼而，於具備攪拌裝置、冷却器及溫度計之反應容器中添加上述式(17)所示之化合物20g、三乙胺4.6g、二氯甲烷100ml，於氮氣環境下使反應器冷卻至5℃以下。接著，緩慢地滴入甲基丙烯醯氯5g。滴加結束後，於20℃以下使其反應3小時。反應結束後，添加二氯甲烷，利用純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾去除後使其溶解於四氫呋喃100ml。將四氫呋喃溶液移至具備攪拌裝置之反應容器，緩慢地加入添加有鹽酸0.5ml之甲醇溶液10ml，使其反應2小時。反應結束後，利用乙酸乙酯400ml、水、飽和食鹽水來洗浄。將溶劑蒸餾去除後，藉由利用二氧化矽凝膠管柱的純化，從而獲得式(18)所表示之化合物16g。

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述之式(18)所示之化合物16g、三苯基膦11g、5-(羥甲基)-1,3-二

烷-2-酮5g、二氯甲烷100ml，使反應容器冷卻至5℃。其後，滴入偶氮二甲酸二異丙酯(DIAD)8.2g。滴加結束後，於室溫下攪拌5小時並使反應結束。反應結束後，添加二氯甲烷200ml，利用純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾去除後，藉由利用二氧化矽凝膠管柱的純化、及利用甲醇之再結晶，從而獲得化合物(19)所表示之目的化合物13g。

(物性值)

熔點55℃

¹H-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：0.88(t,3H),1.44-1.49(m,2H),1.51-1.56(m,2H),1.81-1.85(m,2H),1.98(s,3H),2.02-2.03(m,2H),2.73-2.78(m,3H),4.05(t,2H),4.12(d,2H),4.21(t,2H),4.47(m,2H),4.59(m,2H),5.56(s,1H),6.09(s,1H),6.83(d,1H),7.02(t,1H),7.19-7.27(m,4H),7.32(d,1H),7.34(m,1H)

¹³C-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：14.1,18.3,22.6,25.9,27.0,28.9,29.2,29.3,31.8,64.2,64.4,69.0,69.5,111.2,114.5,115.1,122.1,125.4,128.7,130.4,136.4,138.6,147.0,149.5,155.0,167.0

(實施例6)

於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加4-辛酚18.5g、乙二醇單-第三丁基醚12g、三苯基膦35g、二氯甲烷300ml，使反應容器冷卻5℃。其後，滴入DIAD 22g。滴加結束後，於室溫下攪拌5小時並使反應結束。反應結束後，添加二氯甲烷200ml，利用純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾去除後，藉由利用二氧化矽凝膠管柱的純化，從而獲得式(20)所示之化合物23g。

接著，於具備攪拌裝置、冷却器及溫度計之反應容器中添加上述式(20)所示之化合物23g、二氯甲烷100ml，利用冰浴槽使反應容器保持於5℃以下，緩慢地滴入三氟乙酸50ml。滴加結束後，使反應容器回到室溫並使其反應1小時。反應結束後，將反應液冷卻至10℃以下，並緩慢地添加純水50ml。進一步，添加二氯甲烷150ml，利用純水、飽和碳酸氫鈉5%鹽酸水溶液洗淨有機層，進一步利用飽和食鹽水來洗浄，利用無水硫酸鈉使有機層乾燥。將溶劑蒸餾去除，從而獲得式(21)所表示之化合物18g。

接著，於具備攪拌裝置、冷却器及溫度計之反應容器中添加式(21)所示之化合物9g、及3,5-二氟-3’-碘-4’-((2,2,5-三甲基-1,3-二

烷-5-基)-(1,1’-聯苯基)-4-醇18g、三苯基膦12g、二氯甲烷200ml，使反應容器冷卻至5℃。其後，滴入DIAD 9g。滴加結束後，於室溫下攪拌5小時並使反應結束。反應結束後，添加二氯甲烷200ml，利用純水、飽和食鹽水洗淨有機層。將溶劑蒸餾去除後，利用藉由氧化鋁管柱所進行之純化，從而獲得式(22)所示之化合物22g。

繼而，於具備攪拌裝置、冷卻器、及溫度計之反應容器中添加上述化合物(22)22g、碘化銅0.5g、四三苯基膦鈀1.5g、四氫呋喃200ml、純水100ml，於室溫下進行攪拌。其後，滴入2-乙醇胺18g後，將反應容器加熱至60℃，進一步緩慢地滴入炔丙醇2g。反應結束後，進行冷卻，於反應溶液中加入甲苯300ml、飽和氯化銨水溶液，利用飽和食鹽水來洗浄後，將溶劑蒸餾去除。其後，使其溶解於二氯甲烷，並進行利用氧化鋁管柱之純化、利用甲醇之再結晶。進一步，添加於具備攪拌裝置之高壓釜容器中，添加5%鈀碳1g、四氫呋喃200ml、乙醇40ml，利用0.3MPa的氫來進行還原反應(40℃、8小時)。過濾反應液後，將反應溶劑蒸餾去除，從而獲得式(23)所表示之化合物15.7g。

於具備攪拌裝置、冷却器及溫度計之反應容器中添加上述式(23)所示之化合物15.7g、甲基丙烯酸3g、二甲基胺基吡啶150mg、二氯甲烷100ml，利用冰浴槽使反應容器保持於5℃以下，於氮氣環境下緩慢地滴入二異丙基碳二醯亞胺3.8g。滴加結束後，使反應容器回復至室溫，使其反應5小時。將反應液過濾後，濃縮濾液，之後，添加四氫呋喃100ml使其溶解，然後加入具備攪拌裝置之反應容器中，添加10%鹽酸水溶液15ml，攪拌30分鐘。其後，利用乙酸乙酯400ml、水、飽和食鹽水進行洗浄。將溶劑蒸餾去除後，藉由利用二氧化矽凝膠管柱的純化，從而獲得化合物(24)所表示之目的化合物12.5g。

(物性值)

油狀化合物

¹H-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：0.88(t,6H),1.26-1.49(m,10H),1.63(m,2H),1.98(s,3H),2.02-2.03(m,2H),2.63-2.70(m,4H),3.38-3.41(m,4H),3.80(s,2H),4.21(t,2H),4.22(m,2H),4.47-4.50(m,4H),5.56(s,1H),6.09(s,1H),6.83(d,2H),7.02(t,1H),7.19-7.27(m,4H),7.62(m,2H)

¹³C-NMR(溶劑：氘氯仿)：δ：14.1,14.8,18.3,22.7,26.3,28.9,29.3,31.8,34.2,35.7,41.4,65.5,67.4,69.0,70.2,111.2,114.5,115.0,124.9,127.0,129.6,133.4,136.0,147.0,149.5,155.0,167.0

(實施例7)液晶組成物之製備

於如下所述之化合物以混合比率所構成之組成物設為100重量%時，

將添加0.3重量%之下述聚合性化合物(R-1-0)而得之組成物設為LC-1。

LC-1之向列相-等向性液體轉移溫度(TNI)為75℃，固相-向列相轉移溫度(TCN)為-33℃，折射率異向性(△n)為0.11，介電異向性 (△ε)為-2.8，旋轉黏性(γ1)為98mPa‧s。再者，折射率異向性(△n)、介電異向性(△ε)、及旋轉黏性(γ1)皆為在25℃中之測定結果(以下亦同)。

進一步，添加相對於LC-1 100重量%為0.3重量%之相當於化合物(i)的化合物(P-J-1)：

，而製備液晶組成物。

(實施例8~24)

除了以表1所示之添加量來取代添加量為0.3重量%之化合物(P-J-1)，而於LC-1中添加下述化合物以外，利用與實施例7相同的方式來製備液晶組成物。

(實施例25)

除了使用下述組成物LC-2來取代組成物LC-1以外，利用與實施例7相同的方式來製備液晶組成物，該組成物LC-2係於如下所示之化合物以混合比率構成之組成物設為100重量%時，

添加0.3重量%之上述聚合性化合物(R-1-0)而成者。

LC-2之T_NI為81℃，T_CN為-54℃，△n為0.11，△ε為-3.0，γ₁為95mPa‧s。

(實施例26~41)

除了取代實施例25中之添加量0.3重量%之化合物(P-J-1)，分別以如下所示之表1或表3所示之添加量而於LC-2中添加表1或表3所示之添加化合物以外，利用與實施例25相同的方式來製備液晶組成物。

(實施例42~137)

除了取代實施例7中之添加量0.3重量%之化合物(P-J-1)，分別以符合如下所示之表3、或表5、表7、表9之添加量來添加表3、或表5、表7、表9所示之添加化合物以外，利用與實施例7相同的方式來製備液晶組成物。

(實施例138~151)

除了取代實施例8中之添加量0.3重量%之化合物(P-J-1)，分別將添加化合物1設為表11所示之添加量，並進一步來將表11所示之添加化合物2設為表11所示之添加量以外，利用與實施例8相同的方式來製備液晶組成物。

(比較例1)

除了不使用化合物(P-J-1)以外，利用與實施例7相同的方式來製備液晶組成物。

(比較例2~11)

除了於實施例7中，以表13所示之添加量於LC-1或LC-2中添加下述化合物而取代添加0.3重量%之化合物(P-J-1)以外，利用與實施例7相同的方式來製備液晶組成物。

針對實施例及比較例之各液晶組成物進行以下之評價試驗。將各液晶組成物中之各評價試驗的結果分別示於表2、或表4、表6、表8、表10、表12。

(低溫穩定性之評價試驗)

藉由膜濾器(Agilent Technologies公司製造，PTFE 13mm-0.2μm)對液晶組成物進行過濾，於真空減壓條件下靜置15分鐘，進行溶存空氣之去除。將其利用丙酮洗淨，於經充分乾燥之小瓶中稱量0.5g，於-25℃之低溫環境下靜置10天。其後，目視觀察有無析出，根據以下之2個等級進行判定。

A：未能確認到析出。

D：可確認到析出。

(垂直配向性之評價試驗1)

製作具備由透明之共用電極構成之透明電極層及濾色器層且不具有配向膜之第一基板(共用電極基板)、及由主動元件驅動之具有含有透明像素電極之像素電極層且不具有配向膜之第二基板(像素電極基板)。於第一基板上滴加液晶組成物，以第二基板夾持，使密封材料於常壓下在110℃2小時之條件下硬化，獲得單元間隙3.2μm之液晶單元。使用偏光顯微鏡對此時之垂直配向性及滴加痕跡等之配向不均進行觀察，根據以下之4個等級進行評價。

A：包含端部等，遍布整面均勻地垂直配向

B：極其略微地存在配向缺陷，但為可容許之程度

C：包含端部等，配向缺陷多，為無法容許之程度

D：配向不良非常嚴重

(預傾角形成之評價試驗)

對於上述(垂直配向性之評價試驗)中所使用之液晶單元，一面施加10V、100Hz之矩形交流波一面使用高壓水銀燈照射於365nm之照度為100m/cm²之UV光200秒。其後，一面施加10V、100Hz之矩形交流波一面對單元施加物理性外力，於正交尼科耳之狀態下觀察白顯示之穩定性，根據以下之4個等級進行評價。

A：包含端部等，遍布整面均勻地垂直配向

B：極其略微地存在配向缺陷，但為可容許之程度

C：包含端部等，配向缺陷多，為無法容許之程度

D：配向不良非常嚴重

(殘存單體量之評價試驗)

以Toshiba Lighting & Technology公司製造之UV螢光燈對上述(預傾角形成之評價試驗)中所使用之單元進一步照射60分鐘(於313nm之照度1.7mW/cm²)後，藉由HPLC將其之聚合性化合物(R1-1-1)之殘存量進行定量，確定殘存單體量。對應於單體之殘存量，根據以下之4個等級進行評價。

A：未達300ppm

B：300ppm以上且未達500ppm

C：500ppm以上且未達1500ppm

D：1500ppm以上

(響應特性之評價試驗)

進一步以Toshiba Lighting & Technology公司製造之UV螢光燈對上述(預傾角形成之評價試驗)中所使用之單元間隙為3.2μm之單元照射60分鐘(於313nm之照度1.7mW/cm²)。針對藉此所獲得之單元，測定響應速度。響應速度係於25℃之溫度條件下，使用AUTRONIC-MELCHERS公司之DMS 703對6V之Voff進行測定而得。根據以下之4個等級對響應特性進行評價。

A：未達5ms

B：5ms以上且未達15ms

C：15ms以上且未達25ms

D：25ms以上

如以上所示，可知本案發明發揮優異效果。

1‧‧‧液晶顯示元件

2‧‧‧第一基板

3‧‧‧第二基板

4‧‧‧液晶層

5‧‧‧像素電極層

6‧‧‧共用電極層

7、8‧‧‧偏光板

9‧‧‧濾色器

Claims

一種液晶組成物用自發配向助劑，其於液晶原基含有1種或2種以上之下述化合物，即Pⁱ¹-Spⁱ¹-(Pⁱ¹表示聚合性基，表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中之取代基(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)，Spⁱ¹表示間隔基)、具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基(Kⁱ¹表示以下之通式(K-1)~通式(K-11)所表示之取代基)及Rⁱ¹(Rⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，其中，-O-不連續)所取代之化合物，且至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-相對於液晶原之長軸自側邊進行鍵結，

(式中，W^K1表示次甲基、C-CH₃、C-C₂H₅或氮原子，X^K1及Y^K1分別獨立地表示-CH₂-、氧原子或硫原子，Z^K1表示氧原子或硫原子，U^K1、V^K1及S^K1分別獨立地表示次甲基或氮原子，但(K-5)及(K-6)成為吡啶環之組合除外，通式(K-1)~通式(K-11)中，左端之黑點表示鍵結鍵；其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個)。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物用自發配向助劑，其中，上述液晶原基含有1種或2種以上之下述化合物(以下亦稱為「化合物(i)」)，該化合物具有通式(i)所表示之部分結構，
(式中，Zⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2~20之伸烷基，該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個，Aⁱ¹表示二價之六員環芳香族基、二價之六員環雜芳香族基、二價之六員環脂肪族基、二價之六員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-、及具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基或Rⁱ¹取代，但至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-相對於液晶原從側邊進行取代，於分別存在多個Zⁱ¹及Aⁱ¹之情形時，可分別相互相同，亦可不同，mⁱ¹表示1~5之整數，式(i)中，左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)。
如申請專利範圍第2項之液晶組成物用自發配向助劑，其中，上述Pⁱ¹及具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基在同一個Aⁱ¹上進行取代，或是在連結中不具有單鍵以外之Zⁱ¹的不同之Aⁱ¹上進行取代。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之液晶組成物用自發配向助劑，其中，申請專利範圍第1項中之液晶原基中之Pⁱ¹-Spⁱ¹-、具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基及Rⁱ¹所取代之化合物，係下述通式(ii)所表示之化合物(以下亦稱為「化合物(ii)」)，
(式中，Zⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2~20之伸烷基，該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，液晶原基中至少含有-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一個，Aⁱⁱ¹表示二價之六員環芳香族基、二價之六員環雜芳香族基、二價之六員環脂肪族基、二價之六員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-、及具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基或Rⁱ¹取代，但至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-相對於液晶原從側邊進行取代，於分別存在多個Zⁱⁱ¹及Aⁱⁱ¹之情形時，可分別相互相同，亦可不同，mⁱⁱ¹表示1~5之整數，Rⁱⁱ¹及Rⁱⁱ²分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、 -O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不連續，Rⁱⁱ¹及Rⁱⁱ²之至少一者表示具有Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基，於通式(ii)中，具有一個或兩個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-，具有含一個或兩個以上之Kⁱ¹所表示之取代基之1價之有機基，且具有一個或兩個以上之Rⁱ¹；其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，Zⁱⁱ¹為-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一者)。
一種液晶組成物，其含有如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶組成物用自發配向助劑，且介電異向性(Δε)為負。
如申請專利範圍第5項之液晶組成物，其進一步含有選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)之任一者所表示之化合物群中之化合物，

(式中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、 (b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及(d)1,4-伸環己烯基(1,4-cyclohexenylene group)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，X^N21表示氫原子或氟原子，T^N31表示-CH₂-或氧原子，n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31及n^N32分別獨立地表示0~3之整數，n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32分別獨立地為1、2或3，於分別存在多個A^N11~A^N32、Z^N11~Z^N32之情形時，可分別相互相同，亦可不同)。
如申請專利範圍第6項之液晶組成物，其進一步含有通式(L)所表示之化合物，
(式中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO -、-COO-或-OCO-取代，n^L1表示0、1、2或3，A^L1、A^L2及A^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中所存在之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=可被取代為-N=)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^L1及Z^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於n^L1為2或3而存在多個A^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於n^L1為2或3而存在多個Z^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，但通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物除外)。
如申請專利範圍第5至7項中任一項之液晶組成物，其進一步含有聚合性化合物。
如申請專利範圍第8項之液晶組成物，其含有1種或2種以上之通式(P)所表示之化合物作為上述聚合性化合物，
(式中，Z^p1表示氟原子、氰基、氫原子、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷氧基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯氧基或-Sp^p2-R^p2，R^p1及R^p2表示以下之式(R-I)~式(R-IX)之任一者，
(式中，於*與Sp^p1或Sp^p2進行鍵結，R²~R⁶分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W表示單鍵、-O-或亞甲基，T表示單鍵或-COO-，p、t及q分別獨立地表示0、1或2)，Sp^p1及Sp^p2表示間隔(spacer)基，L^p1及L^p2分別獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CH₂-、-OCH₂-、- CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CO-NR^a-、-NR^a-CO-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH=CR^a-COO-、-CH=CR^a-OCO-、-COO-CR^a=CH-、-OCO-CR^a=CH-、-COO-CR^a=CH-COO-、-COO-CR^a=CH-OCO-、-OCO-CR^a=CH-COO-、-OCO-CR^a=CH-OCO-、-(CH₂)_Z-C(=O)-O-、-(CH₂)_Z-O-(C=O)-、-O-(C=O)-(CH₂)_Z-、-(C=O)-O-(CH₂)_Z-、-CH₂(CH₃)C-C(=O)-O-、-CH₂(CH₃)C-O-(C=O)-、-O-(C=O)-C(CH₃)CH₂、-(C=O)-O-C(CH₃)-CH₂、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，R^a分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~4之烷基，z表示1~4之整數)，M^p2表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、1,3-二
烷-2,5-二基或單鍵，M^p2未經取代或可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，M^p1表示以下之式(i-11)~(ix-11)之任一者，
(式中，於*與Sp^p1進行鍵結，於**與L^p1、L^p2或Z^p1進行鍵結)，M^p3表示以下之式(i-13)~(ix-13)之任一者，
(式中，於*與Z^p1進行鍵結，於**與L^p2進行鍵結)，m^p2~m^p4分別獨立地表示0、1、2或3，m^p1及m^p5分別獨立地表示1、2或3，於存在多個Z^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個L^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個M^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同)。
一種液晶顯示元件，其具備兩個基板、及設置於該兩個基板之間之含有如申請專利範圍第5至9項中任一項之液晶組成物的液晶層。
如申請專利範圍第10項之液晶顯示元件，其用於主動矩陣驅動。
如申請專利範圍第10或11項之液晶顯示元件，其為PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型。
如申請專利範圍第10或11項之液晶顯示元件，其中，上述兩個基板中之至少一基板不具有配向膜。
一種化合物，其係以通式(ii-1)表示，
(式中，Zⁱⁱ¹、Aⁱⁱ¹及mⁱⁱ¹分別表示與如申請專利範圍第2項之液晶組成物用自發配向助劑中之Zⁱ¹、Aⁱ¹及mⁱ¹相同涵義，Rⁱⁱ¹分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不連續，其中，Aⁱ¹之至少一個於側邊具有Pⁱ¹-Spⁱ¹-之取代基，且，Kⁱⁱ¹表示通式(K-1)~(K-10)所表示之取代基)
一種化合物，其係以通式(i-1)表示，
(式中，Aⁱⁱ¹、Aⁱⁱⁱ¹表示二價之六員環芳香族基、二價之六員環雜芳香族基、二價之六員環脂肪族基、二價之六員環雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-、及Rⁱⁱ¹取代，且，mⁱⁱ¹表示1~4之整數，Rⁱⁱ¹分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈之烷基、鹵化烷基、或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，Pⁱ¹表示聚合性基，表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中之取代基(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)
Spⁱ¹表示間隔基，該烷基中之-CH₂-亦可被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，但-O-不連續，Aⁱⁱ¹及/或Aⁱⁱⁱ¹具有至少一個Pⁱ¹-Spⁱ¹-，W^ki表示次甲基、C-CH₃、C-C₂H₅，Xⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-，但至少一個為-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-之任一者，Yⁱⁱ¹表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、或碳原子數2~20之伸烷基，該伸烷基中之1個或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代)。
一種化合物，其係以通式(iii)表示，
(式中，Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹分別表示與如申請專利範圍第2項之液晶組成物用自發配向助劑中之Zⁱ¹、Aⁱ¹、Rⁱ¹及Kⁱ¹相同涵義，Aⁱ²表示與上述通式(i)中之Aⁱ¹相同涵義，Zⁱ²表示與上述通式(i)中之Zⁱ¹相同涵義，於分別存在多個Zⁱ¹、Zⁱ²、Aⁱ¹、mⁱⁱⁱ¹及/或Aⁱ²之情形時，可分別相互相同，亦可不同，其中，於Kⁱ¹為(K-11)之情形時，Zⁱ²之至少一個表示-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-，mⁱⁱⁱ¹表示1~5之整數，mⁱⁱⁱ²表示1~5之整數，Gⁱ¹表示二價、三價、四價中之任一個支鏈結構、或二價、三價、四價中之任一個脂肪族或芳香族之環結構，mⁱⁱⁱ³表示比Gⁱ¹之價數小1之整數)。