TWI802610B - 聚合性化合物、與使用其之液晶組成物及液晶顯示元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種垂直配向性與相溶性優異之液晶組成物、及使用有其之液晶顯示元件。又，本發明之其他課題係提供一種保存性優異、即便不設置PI層亦不會產生配向不均且液晶分子可垂直配向的含有該自發配向性添加劑之液晶組成物、及使用有該液晶組成物之液晶顯示元件。 又，提供一種所形成之預傾角經過長時間亦穩定之液晶顯示元件。 本發明之液晶組成物含有含液晶原基、極性基Kⁱ¹ 、聚合基及Rⁱ¹ 之化合物（i）。若使用該液晶組成物，可吸附於夾持液晶組成物（液晶層）之基板，可以使液晶分子朝垂直方向配向之狀態來保持。因此，藉由使用有本發明之化合物的液晶組成物，即便不設置PI層，亦可使液晶分子配向。

Description

聚合性化合物、與使用其之液晶組成物及液晶顯示元件

本發明係關於一種聚合性化合物、以及使用有其之液晶組成物、及液晶顯示元件。

以往，於VA方式之液晶顯示器中，為了於未施加電壓時誘發液晶分子之垂直配向，於施加電壓時實現液晶分子之水平配向，而於電極上設置有聚醯亞胺配向膜(PI)層。但是，由於PI層之製膜需要極大之成本，故而近年來對用以省去PI層並且實現液晶分子之配向之方法進行研究。

例如於專利文獻1中揭示有如下液晶介質，其特徵在於以具有負介電各向導性之極性化合物之混合物作為基礎，且含有至少一種自發配向性添加劑；記載有該液晶介質高度地適於用於不含任何配向層之顯示器之內容。而且，於專利文獻1中使用具有羥基之特定之化合物作為自發配向性添加劑。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特表2014-524951號公報

通常，若是像是以羥基等為首般對於基板的吸附力過高，則會 生成以下問題，即：由於具有極性基之聚合性化合物無法於基板上均勻地展開，因此會在面板周邊部產生配向不均。又，含有具有羥基等極性基之聚合性化合物的液晶組成物，亦會產生以下問題，即：由於和疏水性之液晶分子的相溶性降低，因此液晶化合物或聚合性化合物等會析出。此外，於形成預傾角之過程中，於施加電壓時，必須使液晶組成物中之單體進行聚合反應。

然而，根據本發明人等之研究，明白於使用專利文獻1所記載之自配向性添加劑之情形時，使液晶分子垂直配向之配向限制力及配向不均等之電光學特性中並不充分，又，於含有該自發配向性添加劑之液晶組成物之保存性之方面具有改善之餘地。

因此，本發明之目的在於提供一種即便不設置PI層，配向性與相溶性亦優異之液晶組成物，及使用有其之液晶顯示元件。

又，本發明之另一目的在於提供一種即便不設置PI層亦不會產生配向不均且可實現液晶分子之垂直配向之含有該自發配向性添加劑的液晶組成物、及使用有該液晶組成物之液晶顯示元件。

又，亦提供一種所形成之預傾角經過長時間亦穩定之液晶顯示元件。

本發明提供一種含有1種或2種以上含液晶原基、Kⁱ¹、聚合基及Rⁱ¹之化合物(i)的液晶組成物、及含有該液晶組成物之液晶顯示元件。

其中，上述Kⁱ¹表示碳原子數3~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，該等烷基中之至少2個以上之二級碳原子被-C(=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-C(=CH₂)-、-C(=CHRⁱ³)-、-C(=CRⁱ³ ₂)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，又，該等烷基中之氫原子亦可被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，Xⁱ¹表示氧原子、硫原子、NH或NRⁱ³，Rⁱ³表示碳原子 數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，又，亦可具有至少一個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔(spacer)基或單鍵，Rⁱ¹分別獨立地表示碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基或鹵化烷基，該等基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。

又，較佳為提供一種上述化合物(i)為以通式(i)表示之液晶組成物、及含有該液晶組成物之液晶顯示元件。

其中，上述Kⁱ¹表示碳原子數3~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，該等烷基中之至少2個以上之二級碳原子被-C(=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-C(=CH₂)-、-C(=CHRⁱ³)-、-C(=CRⁱ³ ₂)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，又，該等烷基中之氫原子亦可被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，Xⁱ¹表示氧原子、硫原子、NH或NRⁱ³，Rⁱ³表示碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔基或單鍵，通式(i)中，具有至少一個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-作為Aⁱ²或Aⁱ³之取代基、或作 為Kⁱ¹之取代基，Rⁱ¹分別獨立地表示碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基或鹵化烷基，該等基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。

又，本發明提供一種含有1種或2種以上通式(i)所表示之化合物之液晶組成物、及含有該液晶組成物之液晶顯示元件。

進一步，本發明提供一種含有1種或2種以上化合物(i)之介電各向導性(△ε)為負的液晶組成物，提供一種使用有該液晶組成物之液晶顯示元件、使用有該液晶組成物之主動矩陣驅動用之液晶顯示元件、使用有該液晶組成物之PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型之液晶顯示元件，及使用有該液晶組成物且兩個基板中之至少一個基板不具有配向膜之液晶顯示元件。

本發明之液晶組成物顯示高相溶性與對液晶分子之優異的垂直配向性。

藉由使用本發明之液晶組成物，即便不設置液晶配向層(PI層)，亦不會產生配向不均，或顯示經降低之配向不均，而可提供一種可達成液晶分子之均勻之垂直配向的液晶顯示元件。

1:液晶顯示元件

2:第一基板

3:第二基板

4:液晶層

5:像素電極層

6:共用電極層

7、8:偏光板

9:濾色器

11:閘極匯流排線

12:資料匯流排線

13:像素電極

14:Cs電極

15:源極電極

16:汲極電極

17:接觸孔

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之一實施形態之圖。

圖2係將圖1中之由I線所包圍之區域放大之俯視圖。

本實施形態係提供一種含有1種或2種以上由液晶原基、Kⁱ¹、聚合基、Rⁱ¹所組成之化合物(i)的液晶組成物、及含有該液晶組成物之液晶顯示元件。

本發明之液晶原基係指具備剛直之部分的基，例如具備一個以上之環式基者，較佳為和用於液晶層之液晶化合物相似的骨架。

再者，於本說明書中，「環式基」係指所構成之原子鍵結成環狀鍵結之原子團，包含碳環、雜環、飽和或不飽和環式結構、單環、2環式結構、多環式結構、芳香族、非芳香族等。又，環式基亦可包含至少一個雜原子，進一步，亦可被至少一個取代基(反應性官能基、有機基(烷基、芳基等)取代。

上述液晶原基例如較佳為以通式(AL)表示。

(上述式中，Z^AL表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH₂-CH₂COO-、-OCOCH₂-CH₂-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，A^AL表示2價之環式基，其等之環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、聚合性基(P^al-S^pal-)或1價之有機基取代，於分別存在多個Z^AL及A^AL之情形時，個別可相互相同，亦可不同，m^AL表示1~5之整數， 上述式中之左端之黑點及右端之黑點表示鍵結鍵)

上述通式(AL)中，Z^AL較佳為單鍵或碳原子數2~20之伸烷基，更佳為單鍵或碳原子數2~10之伸烷基。上述伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代。進一步，於以棒狀分子直線性為目的之情形時，由於將環與環連結之原子的數量為偶數個為較佳，因此該連結基ZAL之原子數為偶數個為較佳。

上述通式(AL)中，環式基較佳為表示選自由未經取代或經取代之1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫哌喃-2,5-二基、1,3-二

烷-2,5-二基、四氫噻喃-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、1,4-雙環(2,2,2)伸辛基、十氫萘-2,6-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、吡

-2,5-二基、噻吩-2,5-二基-、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、2,6-伸萘基、菲-2,7-二基、9,10-二氫菲-2,7-二基、1,2,3,4,4a,9,10a-八氫菲-2,7-二基、1,4-伸萘基、苯并[1,2-b：4,5-b‘]二噻吩-2,6-二基、苯并[1,2-b：4,5-b‘]二硒吩-2,6-二基、[1]苯并噻吩[3,2-b]噻吩-2,7-二基、[1]苯并硒吩[3,2-b]硒吩-2,7-二基及茀-2,7-二基所組成之群中之1種結構，更佳為未經取代或經取代之1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、2,6-伸萘基或菲-2,7-二基，較佳為未經取代或經取代之1,4-伸苯基或1,4-伸環己基。又，環式基之氫原子亦可被鹵素原子、聚合性基(Pal-Spal-)或1價之有機基取代。

上述通式(AL)中，一價之有機基係有機化合物藉由成為1價之基之形態而構成化學結構之基，係指從有機化合物去除一個氫原子而成之原子團，例如可列舉：碳原子數1~15之烷基、碳原子數2~15之烯基、碳原子數1~14之烷氧基、碳原子數2~15之烯氧基等，較佳為碳原子數1~15之烷基或碳原子數1~14之烷氧基。又，上述烷基、烯基、烷氧基、烯氧基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代。進一步，上述一價 之有機基亦可具有作為後述之配向誘導基之角色。

上述通式(AL)中，mAL較佳為2~4之整數。

作為上述液晶原基之較佳形態，可用以下之式(me-1)~(me-40)來列舉，但並不限於其中。此等式(me-1)~(me-40)中之環己烷環、苯環或萘環中之一個或兩個以上之氫原子亦可被鹵素原子、聚合性基(包含間隔基之P^al-Sp^al-)或1價之有機基(例如，碳原子數1~15之烷基、碳原子數1~14之烷氧基)取代。

從配向性之觀點而言，上述液晶原基中之較佳形態為(me-5)、(me-8)、(me-12)、(me-23)、(me-27)、(me-28)、(me-29)、(me-31)、(me-33)、(me-38)、(me-39)、(me-40)，更佳之樣態為(me-12)、(me-23)、(me-27)、(me-31)、(me-38)。

又，本實施形態提供一種含有1種或2種以上通式(i)所表示之化合物之液晶組成物、及含有該液晶組成物之液晶顯示元件。

通式(i)所表示之化合物由於特別是具有Kⁱ¹所表示之部分結構，因此在用於液晶組成物時，朝夾持液晶組成物(液晶層)之基板配向，可以使液晶分子朝垂直方向配向之狀態來保持。通式(i)所表示之化合物由於通式(K-1)中之Kⁱ¹所表示之部分結構具有極性，因此可吸附於夾持液晶組成物(液晶層)之基板，又，該化合物由於在化合物之末端具有Kⁱ¹所表示之部分結構，因此認為可以使液晶分子朝垂直方向配向之狀態來保持。因此，藉由使用有本實施形態之聚合性化合物的液晶組成物，即便不設置PI層，亦可使液晶分子配向(未施加電壓時，誘導液晶分子之垂直配向，施加電壓時，表現液晶分子之水平配向)。故，含有化合物(i)之液晶組成物由於有助於液晶分子之垂直配向，因此適於使用。

此外，本案發明人等發現：藉由「含有本實施形態中之化合物(i)的液晶組成物具有Kⁱ¹所表示之部分結構」，不僅可確保液晶分子之配向，亦可確保液晶組成物之保存性穩定性。

進一步，含有通式(i)所表示之化合物(i)之液晶組成物由於在特定位置具有聚合性基來作為Aⁱ²或Aⁱ³之取代基、或Kⁱ¹之取代基，因此可維持更良好 的良好配向性。

從以上之觀點而言，本實施形態之液晶組成物中之化合物(i)，只要是在分子末端，較佳是在分子之主鏈的末端具有Kⁱ¹所表示之部分結構即可，Kⁱ¹所表示之部分結構所鍵結之鍵結對象的化學結構，只要在不會損害液晶組成物之機能的範圍內，則無特別限制。

以下，針對通式(i)所表示之化合物之具體例進行說明。

通式(i)中之Kⁱ¹較佳為直鏈或支鏈之碳原子數3~40之烷基、碳原子數3~40之直鏈或支鏈之鹵化烷基、碳原子數3~40之直鏈或支鏈之氰化烷基，此處，Kⁱ¹中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，Kⁱ¹中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-取代為較佳，至少3個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-取代為較佳，至少4個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-取代為較佳。從提高電壓保持率(VHR)之觀點而言，Xⁱ¹較佳為氧原子。Kⁱ¹較佳為表示碳原子數3~30之直鏈或支鏈烷基、直鏈或支鏈之鹵化烷基、直鏈或支鏈之氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-(C=CH₂)-、-(C=CHRⁱ³)-、-(C=CRⁱ³ ₂)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、或直鏈或支鏈之氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-(C=CH₂)-、-(C=CHRⁱ³)-、-(C=CRⁱ³ ₂)-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~20之支鏈烷基或支鏈之氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-(C=CH₂)-、-O-取代。Rⁱ³較佳為碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為碳原子數1~7之烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。

又，Kⁱ¹中之氫原子被聚合性基，即被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代為較佳。藉由在Kⁱ¹中 存在極性基與聚合性基，可得到更良好的配向性。

Kⁱ¹較佳為表示通式(K-1)。

(式中，Yⁱ¹表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，該等烷基中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，又，該等烷基中之氫原子亦可被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代，Xⁱ¹表示氧原子、硫原子、NH或NRⁱ³，Sⁱ¹及Sⁱ³分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-(C=CH₂)-、-(C=CHRⁱ³)-、-(C=CRⁱ³ ₂)-、-O-、-NH-、-(C=O)-、-COO-或-OCO-取代，Sⁱ²表示碳原子、氮原子或矽原子，Rⁱ²表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，該等基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-C(=Xⁱ¹)-或-CH(-CN)-取代，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔基或單鍵，nⁱ¹表示1~3之整數，nⁱ²及nⁱ³分別獨立地表示0~2之整數，於Sⁱ²表示碳原子 或矽原子之情形時，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³為3，於Sⁱ²表示氮原子之情形時，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³為2。Rⁱ³表示與通式(i)中之Rⁱ³相同含義，於在通式(K-1)中存在多個Rⁱ²、Xⁱ¹、Yⁱ¹、Sⁱ¹、Sⁱ³、Pⁱ¹及Spⁱ¹之情形時，其等可相同亦可不同)

通式(K-1)中之Sⁱ¹及Sⁱ³較佳為碳原子數1~6之直鏈或支鏈之伸烷基、或單鍵，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-(C=CH₂)-、-O-、-(C=O)-、-COO-或-OCO-取代，更佳為單鍵、碳原子數1~6之直鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-取代之基。具體而言，Sⁱ¹及Sⁱ³較佳為表示-(CH₂)n-、-O-(CH₂)n-、-(CH₂)n-O-、-(CH₂)n-O-(CH₂)m-、-COO-(CH₂)n-、-OCO-(CH₂)n-(n及m表示1~6之整數)。

Sⁱ²較佳為碳原子。Rⁱ²較佳為表示氫原子或碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之-CH₂-亦可被-O-、-C(=Xⁱ¹)-或-CH(-CN)-取代(其中，-O-不連續)，較佳為表示氫原子或碳原子數1~7之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之-CH₂-亦可被-O-、-C(=Xⁱ¹)-或-CH(-CN)-取代(其中，-O-不連續)，更佳為氫原子、碳原子數1~3之直鏈烷基。

Yⁱ¹為碳原子數3~20之烷基、碳原子數3~20之直鏈或支鏈之鹵化烷基、碳原子數3~20之直鏈或支鏈之氰化烷基，此處，Yⁱ¹中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，Yⁱ¹中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-取代為較佳。從提高電壓保持率(VHR)之觀點而言，Xⁱ¹較佳為氧原子。Yⁱ¹較佳為表示碳原子數3~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、氰化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-(C=CH₂)-、-(C=CHRⁱ³)-、-(C=CRⁱ³ ₂)-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~7之直鏈或支鏈烷基、或氰化烷 基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-(C=CH₂)-、-(C=CHRⁱ³)-、-(C=CRⁱ³ ₂)-、-O-取代，更佳為表示碳原子數3~7之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-取代。又，烷基中之氫原子亦可被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代。

從提高液晶之配向性之觀點而言，Yⁱ¹較佳為表示選自通式(Y-1)之基。

(式中，W^iY1表示單鍵或氧原子，虛線表示單鍵或雙鍵，當虛線表示單鍵之情形時，R^iY1表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基或Pⁱ¹-Spⁱ¹-，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-或-CO-取代，當虛線表示雙鍵之情形時，R^iY1表示=CH₂、=CHR^iY4或=CR^iY4 ₂，R^iY4表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，R^iY3為表示與當虛線表示單鍵之情形時之R^iY1相同含義，R^iY2表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、氰化烷基，該等烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-、-OCO-、-C(=O)-或-CH₂(-CN)-取代，又，R^iY2表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-，當虛線表示雙鍵之情形時，n^iY1為0，當虛線表示單鍵之情形時，n^iY1為1，n^iY2表示0~5之整數，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔基或單鍵，當存在多個R^iY1、R^iY3、R^iY4、Pⁱ¹及Spⁱ¹之情形時，該等可相同或亦可不同，以＊與Sⁱ³鍵結)

當虛線表示單鍵之情形時，R^iY1較佳為氫原子或碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為氫原子或碳原子數1~7之烷基，較佳為氫原子或碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。具體而言，較佳表示氫原子，又，從提升耐熱性之觀點而言，較佳表示碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、-CO-CH₃、-CH₂-O-CH₃。又，從提升耐熱性之觀點而言，R^iY1亦較佳表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-。認為當R^iY1表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-之情形時，由於因通式(i)表示之化合物因熱而分解所產生的分解物會聚合，故可防止雜質增加，對液晶組成物之不良影響變少。Pⁱ¹表示聚合性基，較佳為表示丙烯醯基(acryloyl)、甲基丙烯醯基(methacryloyl)或選自後述通式(P-1)~(P-15)表示之群中的取代基。Spⁱ¹較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，再更佳為表示碳原子數2~8之直鏈狀伸烷基或單鍵。

又，當虛線表示雙鍵之情形時，表示=CH₂、=CHR^iY4或=CR^iY4 ₂，較佳為表示=CH₂。R^iY4較佳為碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，較佳為碳原子數1~7之烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代。

R^iY3之較佳之基與當虛線表示單鍵之情形時的R^iY1之較佳之基相同。n^iY1較佳為0。

作為R^iY1及R^iY3之較佳組合，可列舉：皆為氫原子、皆為碳原子數1~3之烷基、皆為碳原子數1~3之烷氧基、皆為-CH₂-O-CH₃等。當R^iY1及R^iY3之任一者表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-或-CO-CH₃的情形時，另一者較佳為表示氫原子。n^iY2較佳為0~3之整數，更佳為0、1或2，更佳為0或1。

R^iY2較佳為氫原子或碳原子數1~10之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為 碳原子數1~7之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基。又，該烷基中之二級碳原子較佳為以氧原子不直接鄰接之方式經-O-、-(C=Xⁱ²)-或-(CH₂-CN)-取代。從提升VHR之觀點而言，Xⁱ²較佳為氧原子。又，R^iY2較佳為表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-。認為當R^iY2表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-之情形時，由於因通式(i)所表示之化合物因熱而分解所產生的分解物會聚合，故可防止雜質增加，對液晶組成物之不良影響變少。

關於通式(Y-1)，更具體而言，較佳為式(Y-1-1)、(Y-1-2)、(Y-1-3a)、(Y-1-3b)、(Y-1-4)。

(式中，n^iY11表示0或1，R^iY21表示碳原子數1~10之烷基、鹵化烷基、氰化烷基，此等烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH -、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-、-OCO-、-(C=O)-或-(CH₂-CN)-取代，又，R^iY21表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-，R^iY31及R^iY32分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-C≡C-或-CO-取代，又，R^iY31及R^iY32表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-)

R^iY21較佳為碳原子數1~7之烷基、鹵化烷基或氰化烷基，較佳為碳原子數1~3之烷基。又，R^iY21較佳為表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-。R^iY31及R^iY32較佳為氫原子、碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基，較佳為表示氫原子或碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、-CO-CH₃、-CH₂-O-CH₃。又，R^iY31及R^iY32之至少任一者較佳為表示Pⁱ¹-Spⁱ¹-。

從提升與液晶化合物之相容性的觀點，較佳為具有式(Y-1-1)之構造。作為式(Y-1-1)，較佳為式(Y-1-1a)~式(Y-1-1h)。

(式中，n^iY11表示0或1)

從提升與液晶化合物之相容性、耐熱性的觀點，較佳為具有式(Y-1-2)之構造。作為式(Y-1-2)，較佳為式(Y-1-2a)~式(Y-1-2f)。

(式中，n^iY11表示0或1)

從提升耐熱性之觀點而言，較佳為具有式(Y-1-3a)及式(Y-1-3b)之構造。作為式(Y-1-3a)，較佳為式(Y-1-3aa)，作為式(Y-1-3b)，較佳為式(Y-1-3ba)。

(式中，n^iY11表示0或1)

從提升液晶組成物之配向性、電壓保持率的觀點，較佳為具有式(Y-1-4)之構造。作為式(Y-1-4)，較佳為式(Y-1-4a)~式(Y-1-4f)。尤其是(Y-1-4a)~(Y-1-4c)之構造可取得與液晶化合物之相容性與液晶組成物之配向性的平衡，是較佳的。

(式中，n^iY11表示0或1)

又，Yⁱ¹較佳為表示選自通式(Y-2)之基。

(式中，W^iY1、R^iY3及R^iY2表示與通式(Y-1)中之W^iY1、R^iY3及R^iY2相同含義)

通式(Y-2)較佳示通式(Y-2-1)。

(式中，n^iY11、R^iY21及Rⁱ³¹表示與通式(Y-1-1)中之n^iY11、R^iY21及Rⁱ³¹相同含義)

又，從提升耐熱性之觀點而言，Yⁱ¹較佳為表示選自通式(Y-3)之基。

(式中，R^iY1、R^iY2、R^iY3、n^iY1及n^iY1各自表示與通式(Y-1)中之R^iY1、R^iY2、R^iY3、n^iY1及n^iY1相同含義)

通式(Y-3)較佳為表示通式(Y-3-1)~通式(Y-3-4)。

(式中，R^iY21、R^iY31、R^iY32及n^iY11各自表示與通式(Y-1-1)中之R^iY21、R^iY31、R^iY32及n^iY11相同含義)

更具體而言，通式(Y-3-1)較佳為通式(Y-3-11)。

(式中，R^iY21表示與通式(Y-3-1)中之R^iY21相同含義)

又，從提升耐熱性之觀點而言，Yⁱ¹較佳為表示選自通式(Y-4)之基。

(式中，R^iY1、R^iY2、R^iY3、n^iY1及n^iY1各自表示與通式(Y-1)中之R^iY1、R^iY2、R^iY3、n^iY1及n^iY1相同含義)

通式(Y-4)較佳為表示通式(Y-4-1)~通式(Y-4-3b)。

(式中，R^iY21、R^iY31、R^iY32及n^iY11各自表示與通式(Y-1-1)中之R^iY21、R^iY31、R^iY32及n^iY11相同含義)

更具體而言，通式(Y-4-1)較佳為通式(Y-4-11)。

(式中，R^iY21表示與通式(Y-4-1)中之R^iY21相同含義)

Pⁱ¹較佳為表示選自以下之式(P-1)~通式(P-15)所表示之群中的取代基。從處理之簡便性、反應性的方面而言，較佳為式(P-1)~(P-3)、(P-14)、(P-15)之任一取代基，更佳為式(P-1)、(P-2)。

(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)

Spⁱ¹較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，再更佳為表示碳原子數2~8之直鏈狀伸烷基或單鍵。

從提升液晶之配向性與對液晶化合物之溶解性的觀點，nⁱ¹較佳為表示1或2。nⁱ²較佳為表示0或1，從提升配向性之觀點而言，更佳為表示1。nⁱ³較佳為表示0或1。

通式(K-1)較佳為表示選自通式(K-1A)或(K-1B)之基。

(式中，Sⁱ¹、Sⁱ²、Sⁱ³、Yⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹各自表示與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Sⁱ²、Sⁱ³、Yⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，n^iA1表示1~3之整數，n^iA3表示0~2之整數，n^iB1表示1~2之整數，n^iB3表示0或1，於Sⁱ²表示碳原子或矽原子之情形時，n^iA1+n^iA3為3，n^iB1+n^iB3為2，於Sⁱ²表示氮原子之情形時，n^iA1+n^iA3表示2，n^iB1表示1，n^iB3表示0)

式(i)中之Kⁱ¹為用以使液晶組成物垂直配向的重要構造，藉由極性基與聚合基鄰接，可得到更加良好之配向性，又顯示出對液晶組成物之良好溶解性。因此，當重視液晶配向性之情形時，較佳為通式(K-1B)。另一方面，當重視對液晶化合物之溶解性的情形時，較佳為通式(K-1A)。作為通式(K-1A)~(K-1B)之較佳例，可列舉以下之式(K-1A-1)~(K-1A-4)及式(K-1B-1)~(K-1B-6)，從對液晶組成物之溶解性的方面而言，較佳為式(K-1A-1)~(K-1A-3)，從配向性的方面而言，較佳為式(K-1B-2)~(K-1B-4)，尤佳可列舉式(K-1A-1)、(K-1B-2)及(K-1B-4)。

(式中，Sⁱ¹、Yⁱ¹及Pⁱ¹分別獨立地表示與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Yⁱ¹及Pⁱ¹相同含義)

又，通式(K-1)較佳為表示選自通式(K-1-1)、(K-1-2)、(K-1-3a)、(K-1-3b)、(K-1-4a)、(K-1-4b)(K-1-Y2)、(K-1-Y3)及(K-1-Y4)之基。

(式中，n^iY11、R^iY21、R^iY31及R^iY32分別獨立地表示與通式(Y-1-1)~(Y-4)中之n^iY11、R^iY21、R^iY31及R^iY32相同含義，Spⁱ¹及Pⁱ¹各自表示與通式(i)中之Spⁱ¹及Pⁱ¹相同含義，R^iK1表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-或-O-取代，n^iK1及n^iK2分別獨立地表示0或1)

R^iK1較佳為碳原子數1~6之直鏈伸烷基，較佳為碳原子數1~3之直鏈伸烷基。另，R^iY21、R^iY31、R^iY32、Spⁱ¹及Pⁱ¹之較佳之基與通式(Y-1-1)~(Y-1-4)、(Y-2)~(Y-4)、通式(i)中之R^iY21、R^iY31、R^iY32、Spⁱ¹、Pⁱ¹相同。

又，Kⁱ¹較佳為表示通式(K-2)~(K-5)。

(式中，Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹各自表示與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，R^K21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少1個以上的二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，nⁱ⁴、n^iK21分別獨立地表示0或1)

R^K21較佳為表示碳原子數1~5之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，更佳表示碳原子數1~3之直鏈烷基或氰化烷基。又，此等烷基中之至少1個以上的二級碳原子較佳以氧原子不直接鄰接之方式經-O-取代。具體而言， R^K21較佳為碳原子數1~3之烷基、碳原子數1~3之烷氧基、碳原子數1~3之氰化烷基。

通式(K-2)較佳為表示以下之通式(K-2-1)~(K-2-3)。

(式中，Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹、nⁱ⁴及n^iK21各自表示與通式(K-2)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹、nⁱ⁴及n^iK21相同含義，R^K211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)

通式(K-3)較佳為表示以下之通式(K-3-1)及(K-3-2)。

(式中，Sⁱ¹表示與通式(K-3)中之Sⁱ¹相同含義，R^K211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)

通式(K-4)較佳為表示以下之通式(K-4-1)。

(式中，Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹及nⁱ⁴各自表示與通式(K-4)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹及n^iK21相同含義，R^K211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)

通式(K-5)較佳為表示以下之通式(K-5-1)。

(式中，Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹及nⁱ⁴各自表示與通式(K-4)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹、Spⁱ¹及n^iK21相同含義，R^K211表示碳原子數1~3之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基)

再者，Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹之較佳之基與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同。

式(i)中，Zⁱ¹及Zⁱ¹較佳為表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀伸烷基或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上的-CH₂-經-O-取代而成的基，更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、碳原子數1~10之直鏈狀或支鏈狀伸烷基、或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上的-CH₂-經-O-取代而成的基，更佳為表示單鍵、碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基、或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上的-CH₂-經-O-取代而成的基，再更佳為單鍵、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2之伸烷基(伸乙基(-CH₂CH₂-))、或者伸乙基中之1個-CH₂-經-O-取代而成的基(-CH₂O-、-OCH₂-)、或者伸乙基中之1個-CH₂-經-COO-、-OCO-取代而成的基(-CH-CHCOO-、-OCOCH-CH-)。

Rⁱ¹較佳為表示碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基或鹵化烷基，該烷基中之二級碳原子較佳為以氧原子不直接鄰接之方式被-O-取代，更佳為表示碳原子數3~18之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-取代。從提升液晶化合物配向性之觀點而言，Rⁱ¹之碳原子數 較佳為3以上，較佳為4以上，較佳為5以上。

Aⁱ¹較佳為2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基或2價之6員環雜脂肪族基、2價之5員環芳香族基、2價之5員環雜芳香族基、2價之5員環脂肪族基或2價之5員環雜脂肪族基，具體而言，較佳為表示選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、環戊烷-1,3-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二

烷-2,5-二基之環構造，該環構造較佳為未經取代或經Lⁱ¹取代。Lⁱ¹較佳為表示碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基或硝基。Aⁱ¹較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基、2價之未經取代的6員環脂肪族基或此等環構造中之氫原子經碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基或經鹵素原子取代而成之基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基或者此環構造中之氫原子經氟原子取代而成的基或2價之未經取代的6員環脂肪族基，更佳為取代基上之氫原子亦可經鹵素原子、烷基或烷氧基取代的1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基。

Aⁱ²及Aⁱ³分別獨立地為2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基或2價之6員環雜脂肪族基、2價之5員環芳香族基、2價之5員環雜芳香族基、2價之5員環脂肪族基或2價之5員環雜脂肪族基為較佳，具體而言，較佳為表示選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、環戊烷-1,3-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二

烷-2,5-二基的環構造，該環構造較佳為未經取代或經Lⁱ¹、Pⁱ¹-Spⁱ¹-或者Kⁱ¹取代。又，Aⁱ³亦較佳為表示選自1,3-伸苯基、1,3-伸環己基、萘2,5-二基的環構造。

Lⁱ¹之較佳之基與Aⁱ¹中之Lⁱ¹相同。Aⁱ²及Aⁱ³較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基、2價之未經取代的6員環脂肪族基或此等環構造中之氫原子經碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、鹵素原子或P-Sp-取代而成的基，較佳為2價之未經取代的6員環芳香族基或者此環構造中之氫原子經氟原子取代而成的基或2價之未經取代的6員環脂肪族基，更佳為取代基上之氫原子亦可經鹵素原子、烷基或烷氧基、P-Sp-取代的1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基。又，Aⁱ³經Kⁱ¹取代亦佳。

此處，通式(i)具有至少1個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-作為Aⁱ²或Aⁱ³之取代基或者Kⁱ¹之取代基，從更加提升可靠性之觀點而言，通式(i)中之聚合性基的數目較佳為2以上，較佳為3以上。當重視可靠性之情形時，藉由將聚合基導入於Aⁱ²或Aⁱ³部，可輕易地謀求多官能化，能夠建構牢固之聚合物。Aⁱ²或Aⁱ³中之Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代的位置較佳為Kⁱ¹之附近，更佳為Aⁱ³經Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代。

mⁱ¹較佳為表示0~3之整數，更佳表示0~1之整數。

通式(i)所表示之化合物較佳為以下之通式(i-1)所表示之化合物。

(式中，Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹分別獨立地表示與通式(i)中之Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，Yⁱ¹分別獨立地表示與通式(K-1)中之Yⁱ¹相同含義，R^iK1、n^iK1、n^iK2分別獨立地表示與通式(K -1-1)中之R^iK1、n^iK1、n^iK2相同含義，Lⁱ¹¹表示碳原子數1~3之烷基，mⁱ³表示0~3之整數，mⁱ⁴表示0~3之整數，但mⁱ³+mⁱ⁴表示0~4)

通式(i-1)所表示之化合物較佳為以下之通式(i-1-1)、(i-1-2)、(i-1-3a)、(i-1-3b)、(i-1-4)、(i-1-Y2)、(i-1-Y3)及(i-1-Y4)。

(式中，Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹分別獨立地表示與通式(i)中之Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，R^iK1、R^iY21、R^i3Y1、R^i3Y2、n^iK1、n^iK2、n^iY11分別獨立地表示與通式(K-1-1)~(K-1-3)中之R^iK1、R^iY21、Rⁱ³¹、Rⁱ³²、n^iK1、n^iK2、n^iY11相同含義，Lⁱ¹¹表示碳原子數1~3之烷基，mⁱ³表示0~3之整數，mⁱ⁴表示0~3之整數，但mⁱ³+mⁱ⁴表示0~4)

另，通式(i-1)及通式(i-1-1)、(i-1-2)、(i-1-3)中之各符號的較佳之基與上述通式(i)、通式(K-1)及通式(K-1-1)~(K-1-3)中的較佳之基相同。

又，通式(i)所表示之化合物較佳為以下之通式(i-2)~(i-5)所表示的化合物。

(式中，Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹分別獨立地表示與通式 (i)中之Rⁱ¹、Aⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ¹、Zⁱ²、mⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，nⁱ⁴、n^iK21、R^K21分別獨立地表示與通式(K-2)中之nⁱ⁴、n^iK21、R^K21相同含義，Rⁱ²²表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-或-O-取代，Lⁱ¹¹表示碳原子數1~3之烷基，nⁱ²²表示0或1，mⁱ²³表示0~3之整數，mⁱ²⁴表示0~3之整數，但mⁱ²³+mⁱ²⁴表示0~4)

Rⁱ²²較佳為碳原子數1~6之直鏈伸烷基，較佳為碳原子數1~3之直鏈伸烷基。再者，R^iY21、R^iY31、R^iY32、Spⁱ¹及Pⁱ¹之較佳之基與通式(Y-1-1)~(Y-1-3)、通式(i)中之R^iY21、R^iY31、R^iY32、Spⁱ¹、Pⁱ¹相同。再者，通式(i-2)中之各符號的較佳之基與上述通式(i)、通式(K-2)中之較佳之基相同。

通式(i)較佳為表示以下之通式(R-1)~(R-6)。

(式中，Rⁱ¹、Kⁱ¹及Lⁱ¹各自表示與通式(i)中之Rⁱ¹、Kⁱ¹及Lⁱ¹相同含義)

作為通式(i)之更加具體之例，可列舉下述式(R-1-1)~(R-6-7)，但並不限定於此。

(式中，Rⁱ¹、Pⁱ¹、Sⁱ¹及Yⁱ¹分別獨立地表示與通式(i)及通式(K-1)中之Rⁱ¹、Pⁱ¹、Sⁱ¹及Yⁱ¹相同含義)

(液晶組成物)

本實施形態之液晶組成物含有1種或2種以上之具有上述通式(i)所表示之部分結構之化合物。該液晶組成物具有負介電各向導性(△ε)。再者，液晶組成物中所含有之具有通式(i)所表示之部分結構之化合物包含式(R-1-1)~(R-1-25)所表示之化合物，由於與上述化合物(i)相同，因此此處省 略說明。

化合物(i)之含量較佳為0.01~50質量%，就使液晶分子更適宜地配向之觀點而言，其下限值以液晶組成物總量作為基準，較佳為0.01質量%以上、0.1質量%以上、0.5質量%以上、0.7質量%以上、或1質量%以上。就應答特性優異之觀點而言，化合物(i)之含量之上限值以液晶組成物總量作為基準，較佳為50質量%以下、30質量%以下、10質量%以下、7質量%以下、5質量%以下、4質量%以下、或3質量%以下。

有鑑於上述內容，更佳為0.1質量%以上且1.03質量%以下。

液晶組成物亦可進一步含有選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)之任一者所表示之化合物群中之化合物，

式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之 -CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及(d)1,4-伸環己烯基(1,4-cyclohexenylene group)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，X^N21表示氫原子或氟原子，T^N31表示-CH₂-或氧原子，n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31及n^N32分別獨立地表示0~3之整數，n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32分別獨立地為1、2或3，於分別存在多個A^N11~A^N32、Z^N11~Z^N32之情形時，可分別相互相同，亦可不同。

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)之任一者所表示之化合物較佳為△ε為負且其絕對值大於3之化合物。

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，較佳為R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧 基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

又，於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二

烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及視情形存在之氧原子之合計為5以下，且較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)之任一者所表示之基(各式中之黑點表示鍵結鍵)。

於要求增大△n之情形時，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，

更佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基。

Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32較佳為分別獨立地表示- CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CH₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，尤佳為-CH₂O-或單鍵。

X^N21較佳為氟原子。

T^N31較佳為氧原子。

n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32較佳為1或2，較佳為n^N11為1且n^N12為0之組合、n^N11為2且n^N12為0之組合、n^N11為1且n^N12為1之組合、n^N11為2且n^N12為1之組合、n^N21為1且n^N22為0之組合、n^N21為2且n^N22為0之組合、n^N31為1且n^N32為0之組合、n^N31為2且n^N32為0之組合。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限 值為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下、20質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要應答速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向導性時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。

作為通式(N-1)所表示之化合物，可列舉下述通式(N-1a)~(N-1g)所表示之化合物群。

(式中，R^N11及R^N12表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N1相同含義，n^Na11表示0或1，n^Nb11表示0或1，n^Nc11表示0或1，n^Nd11表示0或1，n^Ne11表示1或2，n^Nf11表示1或2，n^Ng11表示1或2，A^Ne11表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^Ng11表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基，但至少一個表示1,4-伸環己烯基，Z^Ne11表示單鍵或伸乙基，但至少一個表示伸乙基)

更具體而言，通式(N-1)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-1)~(N-1-21)所表示之化合物群中之化合物。

通式(N-1-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N111及R^N112分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。R^N112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

進一步，通式(N-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.23)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-1.1)~(N-1-1.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-1.1)及式(N-1-1.3)所表示之化合物。

式(N-1-1.1)~(N-1-1.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(N-1-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N121及R^N122分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。R^N122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。

通式(N-1-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較少則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上、37質量%以上、40質量%以上、42質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、48質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質 量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)及式(N-1-2.20)所表示之化合物，於重視△ε之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示之化合物，於重視T_NI之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物，於重視應答速度之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.20)所表示之化合物。

式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量 %以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(N-1-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N131及R^N132分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數3~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-3)所表示之 化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-3.1)~(N-1-3.7)及式(N-1-3.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物。

式(N-1-3.1)~式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)及式(N-1-3.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，較佳為式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)之組合、選自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4) 及式(N-1-3.6)中之2種或3種之組合。相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N141及R^N142分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N141及R^N142較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-4)所表示之 化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、11質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

進一步，通式(N-1-4)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.14)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-4.1)~(N-1-4.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)及式(N-1-4.4)所表示之化合物。

式(N-1-4.1)~(N-1-4.14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、11質量%以下、10質量%以下、8質量 %以下。

通式(N-1-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N151及R^N152分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N151及R^N152較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較少則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、8質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(N- 1-5.1)至式(N-1-5.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物。

式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、8質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-10)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1101及R^N1102分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1101較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1102較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-10)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為本實施形態之一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-10)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-10)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-10.1)~(N-1-10.5)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21) 所表示之化合物，較佳為式(N-1-10.1)、式(N-1-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物。

式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-11)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1111及R^N1112分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1112較佳為碳原子數1~5之烷 基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-11)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較低則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-11)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-11)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.15)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-11.1)~(N-1-11.15)所表示之化合物，較佳為式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物。

式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，相對於本實施形態之組成物之總量，單獨或該等化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-12)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1121及R^N1122分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-12)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-12)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-13)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1131及R^N1132分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-13)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_N1之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-13)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-14)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1141及R^N1142分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含 義)

R^N1141較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1142較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為本實施形態之一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-14)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-15)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1151及R^N1152分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1151較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1152較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-15)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-15)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-16)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1161及R^N1162分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1161較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳 為乙基、丙基或丁基。R^N1162較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-16)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-16)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-17)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1171及R^N1172分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1171較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1172較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基 或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-17)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-17)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-18)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1181及R^N1182分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1181較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。R^N1182較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-18)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-18)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

進一步，通式(N-1-18)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-18.1)~(N-1-18.3)所表示之化合物，較佳為式(N-1-18.2)及式(N-1-18.3)所表示之化合物。

通式(N-1-20)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1201及R^N1202分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1201及R^N1202較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-20)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之 情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-20)所表示之化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-21)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1211及R^N1212分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1211及R^N1212較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之 化合物之較佳含量之下限值為5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(N-1-22)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1221及R^N1222分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N1221及R^N1222較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上20質量%以上。較佳含量之上限值 為相對於本實施形態之組成物之總量為35質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-1-22)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.5)所表示之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.4)所表示之化合物。

通式(N-3)所表示之化合物較佳為選自通式(N-3-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^N321及R^N322分別獨立地表示與通式(N)中之R^N11及R^N12相同含義)

R^N321及R^N322較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基或戊基。

通式(N-3-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(N-3-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為50質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量% 以下、6質量%以下、5質量%以下。

進一步，通式(N-3-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示之化合物群中之化合物。

液晶組成物亦可進一步含有通式(L)所表示之化合物。

式(L)中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n^L1表示0、1、2或3，A^L1、A^L2及A^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及 (c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中所存在之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)

所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)及基(c)可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^L1及Z^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，於n^L1為2或3而存在多個A^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於n^L1為2或3而存在多個Z^L2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，但通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物除外。

通式(L)所表示之化合物相當於在介電性上為大致中性之化合物(△ε之值為-2~2)。通式(L)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所欲之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種。或者，於其他實施形態中為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電各向導性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上、40質量%以上、50質量%以上、55質量%以上、60質量%以上、65質量%以上、70質量%以上、75質量%以上、80質量%以上。較佳含量之上限值 為95質量%以下、85質量%以下、75質量%以下、65質量%以下、55質量%以下、45質量%以下、35質量%以下、25質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要應答速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向導性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。

於重視可靠性之情形時，較佳為R^L1及R^L2均為烷基，於重視使化合物之揮發性降低之情形時，較佳為烷氧基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為至少一者為烯基。

分子內所存在之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1，於重視與其他液晶分子之相容性之情形時，較佳為1。

R^L1及R^L2於其鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其鍵結之環結構為環己烷、吡喃及二

烷等飽和之環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定化，較佳為碳原子及視情形存在之氧原子之合計為5以下，較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)之任一者所表示之基(各式中之黑點表示鍵結鍵)。

於重視應答速度之情形時，n^L1較佳為0，為了改善向列相之上限溫度而較佳為2或3，為了取得該等之平衡而較佳為1。又，為了滿足作為組 成物所要求之特性，較佳為組合不同值之化合物。

於要求增大△n之情形時，A^L1、A^L2及A^L3較佳為芳香族，為了改善應答速度而較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6+二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述之結構，

更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

於重視應答速度之情形時，Z^L1及Z^L2較佳為單鍵。

通式(L)所表示之化合物較佳為分子內之鹵素原子數為0個或1個。

通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-7)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L11及R^L12分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義)

R^L11及R^L12較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶 解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

較佳之含量之下限值為相對於本實施形態之組成物之總量為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上、45質量%以上、50質量%以上、55質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為95質量%以下、90質量%以下、85質量%以下、80質量%以下、75質量%以下、70質量%以下、65質量%以下、60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下。

於將本實施形態之組成物之黏度保持為較低，需要應答速度較快之組成物之情形時，較佳為上述下限值較高且上限值較高。進一步，於將本實施形態之組成物之Tni保持為較高，需要溫度穩定性良好之組成物之情形時，較佳為上述下限值為中間且上限值為中間。又，於為了將驅動電壓保持為較低而欲增大介電各向導性時，較佳為上述下限值較低且上限值較低。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-1)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之含義相同含義)

通式(L-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示之化合物，尤佳為式(L-1-1.3)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之含義相同含義)

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、42質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下。

進一步，通式(L-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(L- 1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示之化合物。尤其，式(L-1-2.2)所表示之化合物尤其改善本實施形態之組成物之應答速度，故而較佳。又，於相較於應答速度，更要求較高之Tni時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示之化合物之含量設為30質量%以上為不佳。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-2.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為10質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上、38質量%以上、40質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、32質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、22質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物之合計之較佳含量之下限值為10質量%以上、15質量%以上、20質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施 形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、43質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、32質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、22質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-3)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L13及R^L14分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L13及R^L14較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、30質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、37質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、27質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

進一步，通式(L-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.13)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。尤其，式(L-1-3.1)所表示之化合物會尤其改善本實施形態之組成物之應答速度，故而較佳。又，於相較於應答速度，更要求較高之Tni時，較佳為使用式(L-1- 3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度變得良好，式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物之合計含量設為20%以上為不佳。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-3.1)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L15及R^L16分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L15及R^L16較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下。

進一步，通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-4.1)至式(L-1-4.3)及式(L-1-5.1)至式(L-1-5.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-4.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、17質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下。

較佳為將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合，較佳為將選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合。該等化合物之合計含量之較佳之含量之下限值為相對於本實施形態之組成物之總量為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、13質量%以上、15質量%以上、18質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、33質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物 之總量為80質量%以下、70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、40質量%以下、37質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下、28質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下。

於重視組成物之可靠性之情形時，較佳為將選自式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合，於重視組成物之應答速度之情形時，較佳為將式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物進行組合。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-6)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L17及R^L18分別獨立地表示甲基或氫原子)

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-1-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上、17質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、25質量%以上、27質量%以上、30質量%以上、35質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為60質量%以下、55質量%以下、50質量%以下、45質量%以下、42質量%以下、40質量%以下、38質量%以下、35質量%以下、33質量%以下、30質量%以下。

進一步，通式(L-1-6)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L21及R^L22分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義)

R^L21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，反之，於重視應答速度之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

進一步，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。

通式(L-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L31及R^L32分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義)

R^L31及R^L32較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-3)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量% 以上、7質量%以上、10質量%以上。較佳含量之上限值為相對於本實施形態之組成物之總量為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、5質量%以下、3質量%以下。

於獲得較高之雙折射率之情形時，若將含量設定為較多則效果較高，反之，於重視較高之Tni之情形時，若將含量設定為較少則效果較高。進一步，於改良滴加痕跡或殘像特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

進一步，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)至式(L-3.7)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-3.2)至式(L-3.7)所表示之化合物。

通式(L-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L41及R^L42分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義)

R^L41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L42較 佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電各向導性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，而可含有式(L-4.1)所表示之化合物，可含有式(L-4.2)所 表示之化合物，可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者，亦可含有式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物之全部。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、9質量%以上、11質量%以上、12質量%以上、13質量%以上、18質量%以上、21質量%以上。較佳含量之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物兩者之情形時，相對於本實施形態之組成物之總量，兩化合物之較佳含量之下限值為15質量%以上、19質量%以上、24質量%以上、30質量%以上。較佳含量之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為例如式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示之化合物，較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能，而可含有式(L-4.4)所表示之化合物，可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示 之化合物之兩者。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、9質量%以上、11質量%以上、12質量%以上、13質量%以上、18質量%以上、21質量%以上。較佳之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、8質量%以下。

於含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物之兩者之情形時，相對於本實施形態之組成物之總量，兩化合物之較佳含量之下限值為15質量%以上、19質量%以上、24質量%以上、30質量%以上，較佳之上限值為45質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、13質量%以下。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示之化合物，尤佳為式(L-4.9)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L51及R^L52分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義)

R^L51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本實施形態之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電各向導性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，尤佳為式(L-5.1)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，該等化合物之較佳含量之 下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上。該等化合物之較佳含量之上限值為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、9質量%以下。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，該等化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上。該等化合物之較佳含量之上限值為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、9質量%以下。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示之化合物群中之化合物，尤佳為式(L-5.7)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，該等化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上。該等化合物之較佳含量之上限值為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、9質量%以下。

通式(L-6)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L61及R^L62分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義，X^L61及X^L62分別獨立地表示氫原子或氟原子)

R^L61及R^L62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為X^L61及X^L62中之一者為氟原子、另一者為氫原子。

通式(L-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物而使用。可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能適當組合而使用。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上、23質量%以上、26質量%以上、30質量%以上、35質量%以上、40質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳含量之上限值為50質量%以下、40質量%以下、35質量%以下、30質量%以下、20質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。於將增大△n作為重點之情形時，較佳為使含量較多，於將低溫下之析出作為重點之情形時，較佳為含量較少。

通式(L-6)所表示之化合物較佳為式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示之化合物。

可進行組合之化合物之種類並無特別限制，較佳為含有該等化合物中之1種~3種，進一步較佳為含有1種~4種。又，所選擇之化合物之分子量分佈較廣亦對溶解性有效，因此例如較佳為自式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中選擇1種、自式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中選擇1種化合物，並將該等適當組合。其中，較佳為含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9)所表示之化合物。

進一步，通式(L-6)所表示之化合物較佳為例如式(L- 6.10)至式(L-6.17)所表示之化合物，其中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。

相對於本實施形態之組成物之總量，該等化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上。該等化合物之較佳含量之上限值為20質量%以下、15質量%以下、13質量%以下、10質量%以下、9質量%以下。

通式(L-7)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L71及R^L72分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同含義，A^L71及A^L72分別獨立地表示與通式(L)中之A^L2及A^L3相同含義，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71表示與通式(L)中之Z^L2相同含義，X^L71及X^L72分別獨立地表示氟原子或氫原子)

式中，R^L71及R^L72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^L71及A^L72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^L71及A^L72上之氫原子可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71較佳為單鍵或COO-，較佳為單鍵，X^L71及X^L72較佳為氫原子。

可進行組合之化合物之種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率等所要求之性能而進行組合。關於所使用之化合物之種類，例如作為一種實施形態為1種、2種、3種、4種。

於本實施形態之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物之含量必須根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電性可靠性、雙折射率、製程適應性、滴加痕跡、殘像、介電各向導性等所要求之性能而適當調整。

相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之下限值為1質量%以上、2質量%以上、3質量%以上、5質量%以上、7質量%以上、10質量%以上、14質量%以上、16質量%以上、20質量%以上。相對於本實施形態之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳含量之上限值為30質量%以下、25質量%以下、23質量%以下、20質量%以下、18質量%以下、15質量%以下、10質量%以下、5質量%以下。

於本實施形態之組成物期望較高之Tni之實施形態之情形時，較佳為使式(L-7)所表示之化合物之含量較多，於期望低黏度之實施形態之情 形時，較佳為使含量較少。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示之化合物。

液晶組成物亦可進一步含有與化合物(i)不同的其他的自發配向性添加劑(ii)。藉由組合使用化合物(i)與和該化合物(i)不同的其他的自發配向性添加劑(ii)，可提高對液晶組成物之相容性。

作為與化合物(i)不同之其他的自發配向性添加劑(ii)，例如較佳為含有1種或2種以上之具有以下之通式(iia)所表示之部分結構的化合物(以下，亦稱為「化合物(iia)」)。

式(iia)中，Z^iia1表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、或碳原子數2~20之伸烷基(該伸烷基可為直鏈狀，亦可為支鏈狀)，此伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，A^iia1表示2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基、2價之6員環雜脂肪族基或單鍵，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子取代，於分別存在多個Z^iia1及A^iia1之情形時，個別可相互相同，亦可不同，m^iia1表示1~5之整數，K^iia1表示以下之式(Ka-1)~式(Ka-8)之任一者所表示之結構，左端之黑點表示鍵結鍵。

式(Ka-1)~式(Ka-8)中，W^K1表示次甲基或氮原子，X^K1及Y^K1分別獨立地表示-CH₂-、氧原子或硫原子，Z^K1表示氧原子或硫原子，U^K1、V^K1及S^K1分別獨立地表示次甲基或氮原子，但除了「U^K1為次甲基、V^K1為次甲基、S^K1為氮原子」此組合以外，左端之黑點表示鍵結鍵。

又，作為與化合物(i)不同的其他之自發配向性添加劑(ii)，例如，較佳為以下之通式(iib)所表示之化合物。

(式中，R^iib1分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、或P^iib1-Sp^iib1-，該烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，A^iib1表示單鍵、2價之6員環芳香族基、2價之6員環雜芳香族基、2價之6員環脂肪族基、或2價之6員環複雜脂肪族基，該等環結構中之氫原子亦可被鹵素原子、P^iib1-Sp^iib1-、具有K^iib1所表示之取代基之1價之有機基、K^iib1或R^iib1取代，Z^iib1表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、- OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，K^iib1表示通式(Kb-1)~(Kb-3)所表示之基，X^Kb1及Y^Kb1分別獨立地表示-CH₂-、氧原子或硫原子，Z^Kb1表示氧原子或硫原子，S^iib1、S^iib3、S^iib4及S^iib5為碳數1~6之烷基及單鍵，S^iib2表示C、N、及Si，X^iib1及X^iib2表示OH、NH₂、NHR^iib1、CHO、COOH、SH、R^iib1或P^iib1，但至少任一者表示OH、NH₂、NHR^iib1、CHO、COOH、SH，P^iib1表示聚合性基，Sp^iib1表示間隔基或單鍵，m^iib1表示1~4之整數，n^iib表示0或1，於通式(iib)中存在多個R^iib1、A^iib1、Z^iib1、K^iib1、X^Kb1、Y^Kb1、Z^Kb1、S^iib1、S^iib2、S^iib3、S^iib4、S^iib5、P^iib1、Sp^iib1及n^iib之情形時，其等可相同亦可不同)

藉由式(iib)所表示之聚合性化合物具有通式(Kb-1)~(Kb-3)所表示之部分結構，不僅可確保液晶分子之配向，亦可確保液晶組成物之保存性穩定性。

為了使液晶組成物垂直配向，式(iib)中之K^iib1為重要的結構，藉由使極性基與聚合基鄰接，可得到更良好的配向性，且，顯示對於液晶組成物之良好的溶解性。又，於重視可靠性之情形時，藉由於A^iib1部導入聚合基，可謀求輕易地多官能化，可構築堅固的聚合物。於將液晶之配向性視為重要之情形時，通式(Kb-1)為較佳，於將對液晶化合物之溶解性視為重要之情形時，通式 (Kb-2)及通式(Kb-3)為較佳。S^iib1、S^iib3、S^iib4及S^iib5較佳為碳數1~3之烷基及單鍵，S^iib2較佳為碳，X^Kb1及Y^Kb1較佳為氧原子。Z^Kb1表示氧原子或硫原子，但從VHR之觀點而言，較佳為氧原子，X^iib1及X^iib2較佳為-OH、-CHO、-COOH、-SH、及-P，特別是為OH為更佳。n^iib表示0或1，較佳為表示1。

作為通式(Kb-1)~(Kb-3)之較佳的例子，可列舉以下之(Kb-1-1)~(Kb-1-10)，從配向性或反應性此方面而言，可列舉：較佳為式(Kb-1-1)、(Kb-2-1)、(Kb-1-2)~(Kb-1-4)、(Kb-3-1)及(Kb-1-10)，尤佳為式(Kb-1-1)、(Kb-2-1)、(Kb-1-3)、及(Kb-1-4)。

式(iib)中，P^iib1分別獨立地表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-14)所表示之群中之取代基為較佳。從操作簡便性、反應性此方面而言，更佳為式(P-1)、(P-2)。

(式中，右端之黑點表示鍵結鍵)

式(iib)中，Sp^iib1較佳為表示碳原子數1~18之直鏈狀伸烷基或單鍵，更佳為表示碳原子數2~15之直鏈狀伸烷基或單鍵，再更佳為表示碳原子數2~8之直鏈狀伸烷基或單鍵。

式(iib)中，Z^iib1較佳為表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、碳原子數1~40之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基，更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-、碳原子數1~10之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基，更佳為表示單鍵、碳原子數2~15之直鏈狀之伸烷基、或該伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-被-O-取代之基，進而更佳為表示單鍵、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OOCO-、-OCH₂CH₂O-、或碳原子數2之伸烷基(伸乙基(- CH₂CH₂-))或伸乙基中之一個-CH₂-被-O-取代之基(-CH₂O-、-OCH₂-)、或伸乙基中之一個-CH₂-被-COO-、-OCO-取代之基(-CH-CHCOO-、-OCOCH-CH-)。

R^iib1較佳為表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基、或P^iib1-Sp^iib1-，該烷基中之-CH₂-可被-O-、-OCO-、或-COO-、-C=C-取代(惟，-O-不為連續)，更佳為表示碳原子數1~18之直鏈或支鏈烷基、或P^iib1-Sp^iib1-，該烷基中之-CH₂-亦可被-O-、-OCO-取代(惟，-O-不為連續)。

A^iib1表示單鍵、或選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二

烷-2,5-二基中之環結構，該環結構較佳為未經取代，或是表示亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或P^iib1-Sp^iib1-取代之基。較佳為表示2價之6員環芳香族基或2價之6員環脂肪族基，較佳為2價之未經取代之6員環芳香族基、2價之未經取代之6員環脂肪族基、或該等環結構中之氫原子被碳原子數1~6之烷基、碳原子數1~6之烷氧基、鹵素原子或P^iib1-Sp^iib1-取代之基，較佳為2價之未經取代之6員環芳香族基或此環結構中之氫原子被氟原子取代之基、或2價之未經取代之6員環脂肪族基，更佳為取代基上之氫原子亦可被鹵素原子、烷基或烷氧基、P^iib1-Sp^iib1-取代之1,4-伸苯基、2,6-萘基或1,4-環己基。m^iib1較佳為表示2~5之整數，更佳為表示2~3之整數。

P^iib1表示聚合性基，較佳為(P-1)~(P-3)、(P-13)、(P-14)之任一取代基。

於通式(i)中，Z^iib1與K^iib1中之和S^iib1鍵結部分，即「-Z^iib1-S^iib1-」較佳 為表示-O-(CH₂)n-、-(CH₂)n-O-(CH₂)m-、-COO-(CH₂)n-、-OCO-(CH₂)n-(n及m表示1~6之整數)。

作為通式(i)之更具體的例子，為下述式(iib-1-1)~(iib-1-20)所表示者，但並不限於其等。

作為與化合物(i)不同之其他自發配向性添加劑(ii)之添加量，較佳為0.01~50質量%，關於其下限值，從可使液晶分子更適當地配向之觀點而言，以液晶組成物總量為基準，較佳為0.01質量%以上、為0.1質量%以上、為0.5質 量%以上、為0.7質量%以上、或為1質量%以上。關於化合物(ii)之含量的上限值，從應答特性優異之觀點而言，以液晶組成物總量為基準，較佳為50質量%以下、為30質量%以下、為10質量%以下、為7質量%以下、為5質量%以下、為4質量%以下、或為3質量%以下。有鑒於以上內容，更佳為0.1質量%以上且1.5質量%以下。

關於化合物(i)及其他自發配向性添加劑(ii)之添加量之總量，於將重點放在增加配向性之情形時，將含量設為較多者為較佳，於將重點放在低溫下之析出之情形時，含量較少者為較佳。較佳為0.01~50質量%，關於其下限值，從可使液晶分子更適當地配向之觀點而言，以液晶組成物總量為基準，較佳為0.01質量%以上、為0.1質量%以上、為0.5質量%以上、為0.7質量%以上、或為1質量%以上。關於化合物(i)之含量之上限值，從應答特性優異之觀點而言，以液晶組成物總量為基準，較佳為50質量%以下、為30質量%以下、為10質量%以下、為7質量%以下、為5質量%以下、為4質量%以下、或為3質量%以下。有鑒於以上內容，更佳為0.1質量%以上且1.5質量%以下。

關於化合物(i)與其他自發配向性添加劑(ii)之添加量之比，於將重點放在提高可靠性、配向性之情形時，將含量設為較多者為較佳，於將重點放在低溫下之析出之情形時，含量較少者為較佳。綜合來說，較佳為20：1~1：20，更佳為10：1~1：10，尤佳為5：1~1：5。

液晶組成物亦可進一步含有聚合性化合物。聚合性化合物可為用於液晶組成物之公知聚合性化合物。作為聚合性化合物之例，可列舉通式(P)所表示之化合物。

式(P)中，Z^p1表示氟原子、氰基、氫原子、氫原子亦可被鹵 素原子取代之碳原子數1~15之烷基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷氧基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯氧基或-Sp^p2-R^p2，R^p1及R^p2表示以下之式(R-I)~式(R-IX)之任一者，

(式中，於*與Sp^p1進行鍵結，R²~R⁶分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W表示單鍵、-O-或亞甲基，T表示單鍵或-COO-，p、t及q分別獨立地表示0、1或2)，Sp^p1及Sp^p2表示間隔基，L^p1及L^p2分別獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CO-NR^a-、-NR^a-CO-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH=CR^a-COO-、-CH=CR^a-OCO-、-COO-CR^a=CH-、-OCO-CR^a=CH-、-COO-CR^a=CH-COO-、-COO-CR^a=CH -OCO-、-OCO-CR^a=CH-COO-、-OCO-CR^a=CH-OCO-、-(CH₂)_Z-C(=O)-O-、-(CH₂)_Z-O-(C=O)-、-O-(C=O)-(CH₂)_Z-、-(C=O)-O-(CH₂)_Z-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，R^a分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~4之烷基，z表示1~4之整數)，M^p2表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、1,3-二

烷-2,5-二基或單鍵，M^p2未經取代或可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，M^p1表示以下之式(i-11)~(ix-11)之任一者，

(式中，於*與Sp^p1進行鍵結，於**與L^p1、L^p2或Z^p1進行鍵結)

M^p1上之任意的氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代， M^p3表示以下之式(i-13)~(ix-13)之任一者，

(式中，於*與Z^p1進行鍵結，於**與L^p2進行鍵結)

M^p3上之任意的氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-R^p1取代，m^p2~m^p4分別獨立地表示0、1、2或3，m^p1及m^p5分別獨立地表示1、2或3，於存在多個Z^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個L^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個M^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同。

關於通式(P)所表示之化合物之合計含量，相對於含有本案之通式(P)所表示之化合物之組成物，較佳為含有0.05~10%，較佳為含有0.1~8%，較佳為含有0.1~5%，較佳為含有0.1~3%，較佳為含有0.2~2%，較佳為含有 0.2~1.3%，較佳為含有0.2~1%，較佳為含有0.2~0.56%。

關於通式(P)所表示之化合物之合計含量的較佳下限值，相對於本案之含有通式(P)所表示之化合物之組成物，為0.01%，為0.03%，為0.05%，為0.08%，為0.1%，為0.15%，為0.2%，為0.25%，為0.3%。

關於通式(P)所表示之化合物之合計含量的較佳上限值，相對於本案之含有通式(P)所表示之化合物之組成物，為10%，為8%，為5%，為3%，為1.5%，為1.2%，為1%，為0.8%，為0.5%。

若含量較少，則添加通式(P)所表示之化合物之效果難以顯現，會發生液晶組成物之配向控制力較弱，或隨時間變弱等問題，若過多，則會產生硬化後殘存的量變多、硬化耗時、液晶之可靠性下降等問題。因此，考量其等之平衡而設定含量。

關於通式(i)所表示之化合物及通式(P)所表示之化合物之合計含量，相對於含有此等化合物之組成物，較佳為含有0.05~10%，較佳為含有0.1~8%，較佳為含有0.1~5%，較佳為含有0.1~3%，較佳為含有0.2~2%，較佳為含有0.2~1.3%，較佳為含有0.2~1%，較佳為含有0.2~0.56%。

關於通式(i)所表示之化合物及通式(P)所表示之化合物之合計含量的較佳下限值，相對於含有此等化合物之組成物，為0.01%，為0.03%，為0.05%，為0.08%，為0.1%，為0.15%，為0.2%，為0.25%，為0.3%。

關於通式(i)所表示之化合物及通式(P)所表示之化合物之合計含量的較佳上限值，相對於含有此等化合物之組成物，為10%，為8%，為5%，為3%，為1.5%，為1.2%，為1%，為0.8%，為0.5%。

若含量較少，則添加通式(i)所表示之化合物及通式(P)所表示之化合物之效果難以顯現，會發生液晶組成物之配向控制力較弱，或隨時間變弱等問題，若過多，則會產生硬化後殘存的量變多、硬化耗時、液晶之可靠性下降等 問題。因此，考量其等之平衡而設定含量。

作為本發明之通式(P)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-1-1)~式(P-1-46)所表示之聚合性化合物。

(式中，P^p11、P^p12、Sp^p11及Sp^p12表示與通式(P-1)中之P^p11、P^p12、Sp^p11及Sp^p12相同含義)

作為本發明之通式(P)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-2-1)~式(P-2-12)所表示之聚合性化合物。

(式中，P^p21、P^p22、Sp^p21及Sp^p22表示與通式(P-2)中之P^p21、P^p22、Sp^p21及Sp^p22相同含義)

作為本發明之通式(P)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-3-1)~式(P-3-15)所表示之聚合性化合物。

(式中，P^p31、P^p32、Sp^p31及Sp^p32表示與通式(P-3)中之P^p31、P^p32、Sp^p31及Sp^p32相同含義)

作為本發明之通式(P)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-4-1)~式(P-4-15)所表示之聚合性化合物。

(式中，P^p41、P^p42、Sp^p41及Sp^p42表示與通式(P-4)中之P^p41、P^p42、Sp^p41及Sp^p42相同含義)

作為本發明之通式(P)所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式(P-1-1)~式(P-1-46)所表示之聚合性化合物。

作為本發明之通式(I)所表示之聚合性單體之合適的化合物，可列舉以下之式RM-1~RM-22。

於本實施形態之液晶組成物除了含有化合物(i)以外，亦進一步含有聚合性化合物之情形時，可適宜地形成液晶分子之預傾角(pretilt angle)。

本實施形態之組成物較佳為不含有於分子內具有過氧(-CO-OO-)結構等氧原子彼此鍵結之結構之化合物。

於重視組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為5質量%以下，更佳為設為3質量%以下，進一步較佳為設為1質量%以下，最佳為實質上不含有。

於重視利用UV照射之穩定性之情形時，較佳為將氯原子所取代之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為15質量%以下，較佳為設為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

較佳為使分子內之環結構均為六員環之化合物之含量較多，較佳為將分子內之環結構均為六員環之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為80質量%以上，更佳為設為90質量%以上，進一步較佳為設為95質量%以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構均為六員環之化合物構成組成物。

為了抑制因組成物之氧化所導致之劣化，較佳為使具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量較少，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為使於分子內具有氫原子可被取代為鹵素之2-甲基苯-1,4-二基的化合物之含量較少，較佳為將於分子內具有2-甲基苯-1,4-二基之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為10質量%以下，較佳為設為8質量%以下，更佳為設為5質量%以下，較佳為設為3質量%以下，進一步較佳為實質上不含有。

本說明書中所謂實質上不含有係指除非意圖性地含有之物(不 可避免之雜質)以外而不含有之含義。

液晶組成物之平均彈性常數(K_AVG)之下限值較佳為10以上，較佳為10.5以上，較佳為11以上，較佳為11.5以上，較佳為12以上，較佳為12.3以上，較佳為12.5以上，較佳為12.8以上，較佳為13以上，較佳為13.3以上，較佳為13.5以上，較佳為13.8以上，較佳為14以上，較佳為14.3以上，較佳為14.5以上，較佳為14.8以上，較佳為15以上，較佳為15.3以上，較佳為15.5以上，較佳為15.8以上，較佳為16以上，較佳為16.3以上，較佳為16.5以上，較佳為16.8以上，較佳為17以上，較佳為17.3以上，較佳為17.5以上，較佳為17.8以上，較佳為18以上。液晶組成物之平均彈性常數(K_AVG)之上限值較佳為25以下，較佳為24.5以下，較佳為24以下，較佳為23.5以下，較佳為23以下，較佳為22.8以下，較佳為22.5以下，較佳為22.3以下，較佳為22以下，較佳為21.8以下，較佳為21.5以下，較佳為21.3以下，較佳為21以下，較佳為20.8以下，較佳為20.5以下，較佳為20.3以下，較佳為20以下，較佳為19.8以下，較佳為19.5以下，較佳為19.3以下，較佳為19以下，較佳為18.8以下，較佳為18.5以下，較佳為18.3以下，較佳為18以下，較佳為17.8以下，較佳為17.5以下，較佳為17.3以下，較佳為17以下。於重視削減消耗電力之情形時，有效的是抑制背光源之光量，液晶顯示元件較佳為使光之透射率提高，因此較佳為將K_AVG之值設定為較低。於重視應答速度之改善之情形時，較佳為將K_AVG之值設定為較高。

(液晶顯示元件)

本實施形態之液晶組成物係應用於液晶顯示元件。以下，一面適當參照圖1、2一面對本實施形態之液晶顯示元件之例進行說明。

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之構成之圖。於圖1中，為了方便說明，使各構成要素相離而表示。如圖1所示，本實施形態之液晶顯示元件1具備以對向之方式配置之第一基板2及第二基板3、以及設置於第一基板2與 第二基板3之間之液晶層4，液晶層4係由上述本實施形態之液晶組成物所構成。

於第一基板2，於液晶層4側之面形成有像素電極層5。於第二基板3，於液晶層4側形成有共用電極層6。第一基板2及第二基板3亦可由一對偏光板7、8夾持。亦可於第二基板3之液晶層4側進一步設置有濾色器9。

即，一實施形態之液晶顯示元件1具有依序積層有第一偏光板7、第一基板2、像素電極層5、含有液晶組成物之液晶層4、共用電極層6、濾色器9、第二基板3、及第二偏光板8之構成。

第一基板2及第二基板3係由例如玻璃或塑膠等具有柔軟性之材料形成。第一基板2及第二基板3之至少一者係由透明之材料形成，另一者可由透明之材料形成，亦可由金屬或矽等不透明之材料形成。第一基板2及第二基板3係藉由配置於周緣區域之環氧系熱硬化性組成物等密封材料及封閉材料而相互貼合，為了保持基板間距離，亦可於其間配置例如玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔劑、或藉由光微影法所形成之由樹脂所構成之間隔柱。

第一偏光板7及第二偏光板8可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式進行調整，較佳為以其等之透射軸於正常顯黑模式下作動之方式具有相互正交之透射軸。尤佳為第一偏光板7及第二偏光板8中之任一者以具有與未施加電壓時之液晶分子之配向方向平行之透射軸之方式配置。

就防止光洩漏之觀點而言，濾色器9較佳為形成黑矩陣，且較佳為於與薄膜電晶體對應之部分形成黑矩陣(未圖示)。

黑矩陣可與濾色器一起設置於與陣列基板為相反側之基板，可與濾色器一起設置於陣列基板側，亦可分別分開設置，即，黑矩陣設置於陣列基板，濾色器設置於另一基板。又，黑矩陣可與濾色器分開設置，亦可藉由將 濾色器之各色重疊而使透射率降低。

圖2係將圖1中之形成於第一基板2上之像素電極層5之一部分即由I線所包圍之區域放大之俯視圖。如圖2所示，於形成於第一基板2之表面之包含薄膜電晶體之像素電極層5中，用以供給掃描訊號之複數個閘極匯流排線11與用以供給顯示訊號之複數個資料匯流排線12相互交叉而呈矩陣狀配置。再者，圖2中僅示有一對閘極匯流排線11、11及一對資料匯流排線12、12。

藉由由複數個閘極匯流排線11及複數個資料匯流排線12所包圍之區域，而形成液晶顯示元件之單位像素，於該單位像素內形成有像素電極13。像素電極13具有具備相互正交而構成十字形狀之兩個主幹部與自各主幹部延伸之複數個分支部的所謂魚骨結構。又，於一對閘極匯流排線11、11之間，與閘極匯流排線11大致平行地設置有Cs電極14。又，於閘極匯流排線11與資料匯流排線12相互交叉之交叉部附近，設置有包含源極電極15及汲極電極16之薄膜電晶體。於汲極電極16設置有接觸孔17。

閘極匯流排線11及資料匯流排線12較佳為分別由金屬膜所形成，更佳為由Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金所形成，進一步較佳為由Mo、Al或其合金所形成。

為了提高透射率，像素電極13較佳為透明電極。透明電極係藉由將氧化物半導體(ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、SnO、TiO、AZTO(AlZnSnO)等)進行濺鍍等而形成。此時，透明電極之膜厚可為10~200nm。又，為了降低電阻，亦可藉由將非晶ITO膜進行煅燒而以多晶ITO膜之形式形成透明電極。

本實施形態之液晶顯示元件例如可藉由將Al或其合金等金屬材料進行濺鍍而於第一基板2及第二基板3上形成配線，並分別形成像素電極層5及共用電極層6。又，濾色器9例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法或染 色法等而製作。若將利用顏料分散法之濾色器之製作方法作為一例進行說明，則將濾色器用硬化性著色組成物塗佈於該透明基板上，實施圖案化處理，繼而藉由加熱或光照射而使之硬化。藉由對於紅、綠、藍之3種顏色分別進行該步驟，可製作濾色器用像素部。又，濾色器9亦可設置於具有TFT等之基板側。

第一基板2與第二基板3係以像素電極層5及共用電極層6分別成為內側之方式對向，此時亦可經由間隔件而調整第一基板2與第二基板3之間隔。此時，液晶層4之厚度較佳為以成為例如1~100μm之方式調整。

於使用偏光板7、8之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶層4之折射率異向性△n與液晶層4之厚度之積。又，於具有兩片偏光板7、8之情形時，亦可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式調整。進一步，亦可使用用以擴大視野角之相位差膜。其後，將環氧系熱硬化性組成物等密封劑以設置有液晶注入口之形式網版印刷於該基板，將該基板彼此貼合並進行加熱，使密封劑熱硬化。

作為使組成物夾持於2片基板2、3間之方法，可使用通常之真空注入法或滴加注入(ODF：One Drop Fill)法等，於真空注入法中雖然不會產生滴加痕跡，但存在殘留注入痕跡之問題，於本實施形態中，可更適宜地用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，於底板或前板之任一基板，使用分注器將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑呈閉環堤狀描繪，於其中，於脫氣下滴加特定量之組成物後，將前板與底板接合，藉此可製造液晶顯示元件。於本實施形態中，於ODF法中可抑制將液晶組成物滴加至基板時之滴加痕跡之產生。再者，所謂滴加痕跡，定義為於黑顯示之情形時滴加液晶組成物之痕跡浮現白色之現象。

又，於利用ODF法之液晶顯示元件之製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸而滴加最佳之液晶注入量，本實施形態之液晶組成物對於例 如液晶滴加時產生之滴加裝置內之急遽之壓力變化或衝擊之影響較少，可長時間穩定地持續滴加液晶，因此亦可將液晶顯示元件之良率保持為較高。尤其，多用於最近流行之智慧型手機之小型液晶顯示元件由於最佳之液晶注入量較少，故而本身難以將自最佳值之偏差控制於一定範圍內，藉由使用本實施形態之液晶組成物，於小型液晶顯示元件中亦可實現穩定之液晶材料之噴出量。

於本實施形態之液晶組成物含有聚合性化合物之情形時，作為使聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶之良好之配向性能，較理想為適度之聚合速度，因此較佳為藉由照射單一之紫外線或電子束等活性能量射線、或將其等併用或依序照射而進行聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在使含有聚合性化合物之組成物夾持於2片基板間之狀態下進行聚合之情形時，至少照射面側之基板必須被賦予對於活性能量射線適當之透明性。又，亦可使用如下手段：於光照射時使用遮罩僅使特定之部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等條件變化而使未聚合部分之配向狀態變化，進一步照射活性能量射線使之聚合。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含有聚合性化合物之組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10Hz~10kHz之交流，更佳為頻率60Hz~10kHz，電壓係取決於液晶顯示元件之所欲之預傾角而選擇。即，可藉由施加之電壓而控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度~89.9度。

照射時之溫度較佳為保持本實施形態之組成物之液晶狀態之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度下，即，典型的是於15~35℃之溫度下進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳為照射並非組成物之吸收波長區 域之波長區域之紫外線，且較佳為視需要截取紫外線而使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。照射之紫外線之能量可適當調整，較佳為10mJ/cm²~500J/cm²，更佳為100mJ/cm²~200J/cm²。於照射紫外線時亦可使強度變化。照射紫外線之時間係根據照射之紫外線強度而適當選擇，較佳為10秒~3600秒，更佳為10秒~600秒。

於本實施形態之液晶組成物中，化合物(i)由於不會阻礙上述聚合性化合物之聚合反應，故而聚合性化合物彼此適宜地聚合，可抑制未反應之聚合性化合物殘存於液晶組成物中。

於使用例如上述化合物(ii)作為聚合性化合物之情形時，所獲得之液晶顯示元件1具備兩個基板2、3、設置於兩個基板2、3之間之含有液晶組成物及通式(ii)所表示之化合物之聚合物的液晶層4。於此情形時，認為通式(ii)所表示之化合物之聚合物偏集存在於液晶層4中之基板2、3側。

液晶顯示元件1可為主動矩陣驅動用液晶顯示元件。液晶顯示元件1可為PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型之液晶顯示元件，較佳為PSA型液晶顯示元件。

於本實施形態之液晶顯示元件中，由於使用含有化合物(i)之液晶組成物，故而無需於第一基板2及第二基板3之液晶層4側設置聚醯亞胺配向膜等配向膜。即，本實施形態之液晶顯示元件可採用兩個基板中之至少一基板不具有聚醯亞胺配向膜等配向膜之構成。

[實施例]

以下，基於實施例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中之「%」係指「質量%」。

<環結構>

<側鏈結構>

(其中，表中之n係自然數)

<鍵結結構>

(其中，表中之n係自然數)

實施例中所測定之特性係如下所述。

T_ni：向列相-等向性液相轉變溫度(℃)

△n：於20℃之折射率異向性

η：於20℃之黏度(mPa‧s)

γ₁：於20℃之旋轉黏性(mPa‧s)

△ε：於20℃之介電各向導性

K₃₃：於20℃之彈性常數K₃₃(pN)

關於實施例及比較例之各液晶組成物，進行以下之評價試驗。將各實施例及比較例中之各液晶組成物之各評價試驗的結果分別表示於表5、表9、表10、表12、表13。

(低溫穩定性之評價試驗)

使用膜濾器(安捷倫科技公司製，PTFE 13mm-0.2μm)對液晶組成物進行過濾，以真空減壓條件靜置15分鐘，進行溶存空氣之除去。使用丙酮將其 加以清洗，秤量0.5g於經充分乾燥之小玻璃瓶(vial bottle)，於-25℃之環境下靜置。然後，以目視觀察有無析出，以下述4個等級加以判定。

A：靜置14天後，無法確認到析出。

B：靜置7天後，確認到析出。

C：靜置3天後，可確認到析出。

D：靜置1天後，可確認到析出。

(垂直配向性之評價試驗)

製作「具備由透明共通電極構成之透明電極層及濾色器層，但不具有配向膜的第一基板(共通電極基板)」與「具有像素電極層但不具有配向膜的第二基板(像素電極基板)，該像素電極層具有受到主動元件驅動之透明像素電極」。將液晶組成物滴下於第一基板上，於第二基板上進行夾持，於常壓以110℃ 2小時之條件使密封材硬化，得到單元間隙3.2μm之液晶單元。使用偏光顯微鏡觀察此時之垂直配向性及滴痕等配向不均，以下述4個等級加以評價。

A：包含端部等，遍及整面均勻地垂直配向

B：僅具有非常少的配向缺陷，但為可容許之等級

C：包含端部等都含有許多配向缺陷，為不可容許之等級

D：配向不良非常惡劣

(預傾角形成之評價試驗)

對於上述(垂直配向性之評價試驗)中所使用之液晶單元，一面施加10V、100Hz之矩形交流波一面使用高壓水銀燈照射於365nm之照度為100m/cm²之UV光200秒。其後，一面施加10V、100Hz之矩形交流波一面對單元施加物理性外力，於靜置數分鐘後，於正交尼科耳之狀態下進行觀察，以下述4個等級加以評價。

A：包含端部等，遍布整面均勻地垂直配向

B：極其略微地存在配向缺陷，但為可容許之程度

C：包含端部等，配向缺陷多，為無法容許之程度

D：配向不良非常嚴重

(殘存單體量之評價試驗)

以東芝照明技術公司製造之UV螢光燈對上述(預傾角形成之評價試驗)中所使用之單元進一步照射60分鐘(於313nm之照度1.7mW/cm²)後，藉由HPLC將其之聚合性化合物(R1-1-1)之殘存量進行定量，確定殘存單體量。對應於單體之殘存量，以下述4個等級加以評價。

A：未達300ppm

B：300ppm以上且未達500ppm

C：500ppm以上且未達1500ppm

D：1500ppm以上

(應答特性之評價試驗)

對上述(預傾角形成之評價測試)所使用之單元間隙3.2μm的單元，進一步照射東芝照明技術公司製之UV螢光燈60分鐘(於313nm之照度1.7mW/cm²)。對藉此所得到之單元，測量應答速度。應答速度係以25℃之溫度條件使用AUTRONIC-MELCHERS公司之DMS703，測量於6V之Voff。以下述4個等級加以評價應答特性。

A：未達5ms

B：5ms以上且未達15ms

C：15ms以上且未達25ms

D：25ms以上

(實施例1)液晶組成物之製備

於將以下述表3所示之化合物與混合比率來構成之組成物設為100質量份 時，添加0.3質量份之下述聚合性化合物(R-1-0)，將加熱熔解而得之組成物設為LC-1。

進一步，相對於LC-1 100質量份，添加0.5質量份之相當於化合物(i)之化合物(P-J-1)，藉由進行加熱熔解而製備液晶組成物。

(實施例2~24)

除了以表4所示之添加量來將下述化合物添加於LC-1中，藉此取代實施例1中之添加量0.5質量份之化合物(P-J-1)以外，以與實施例1相同的方式來製備液晶組成物。

(實施例25~54)

將以下述表6所示之化合物及混合比率構成之組成物以和實施例1相同的方式來進行製備，從而取代實施例1中之液晶組成物HLC-1，將製備之液晶組成物設為HLC-2至HLC-8。

進一步，於將HLC-2至HLC-8分別形成為100質量份時，將添加0.3質量份聚合性化合物(R-1-0)而成之基礎組成物進行加熱熔解，藉此進行製備，並分別設為LC-2至LC-8。

又，於將HLC-1至HLC-8分別形成為100質量份時，將添加0.3質量份下述聚合性化合物(R-1-1)而成之基礎組成物進行加熱熔解，藉此進行製備，並分別設為LC-9至LC-16。

於各實施例中，分別以表7所示之添加量添加表7所示之添加化合物來取代實施例1中之0.5質量份之(P-J-1)，並將表7所示之LC-2至LC-16之任一者使用作為基礎組成物以外，以和實施例1相同的方式來製備液晶組成物。

和實施例17至46相同地，對於基礎組成物LC-2至LC-16，以適當的濃度將各種自發配向助劑(P-J-2、P-J-3、P-J-4、P-J-5、及P-J-6)進行加熱熔解，藉此進行製備，和上述方法相同地進行配向性試驗之評價，其結果確認到配向性優於比較例。

(比較例1)

除了不使用實施例1中之化合物(P-J-1)以外，以和實施例1同樣地方式製備液晶組成物。

(比較例2~28)

除了以表9所示之添加量添加下述化合物(Ref-1至Ref-6)之任一者來取代實施例1中添加0.5質量份之化合物(P-J-1)一事，並添加表9所示之基礎組成物LC-1至LC-16以外之任一者以外，以和實施例1相同的方式來製備液晶組成物。

如以上所述，本案發明和比較例相比，可知可達到優異的效果。

(實施例55~182)

於各實施例中，分別以表11、表13、表15所示之添加量添加表11、表13、表15所示之添加化合物來取代實施例1中之0.5質量份之(P-J-1)，並使用和表11、表13、表15所示之LC-2至LC-16之任一者對應之基礎組成物以外，以和實施例1相同的方式來製備液晶組成物。表14、表16、表17、20、21所示之添加化合物係如下所示。

(電壓保持率(VHR)之評價試驗)

進一步，針對上述實施例55~156中所得到之液晶組成物，藉由以與上述(應答特性之評價試驗)相同的方式製作之「照射東芝照明技術公司製之UV 螢光燈60分鐘」所得之單元，來測定UV照射後之電壓保持率(VHR(UV))。以下述4個等級加以評價測得的電壓保持率特性。

以4個等級來評價在VHR：60℃、頻率60Hz、施加電壓1V之條件下333K中之電壓保持率(%)。測定裝置係使用TOYO Corporation之LCM-2。

A：99~100%

B：98~99%

C：95~98%

D：95%以下

將各實施例中之各液晶組成物之評價試驗結果分別表示於表15、表18、表19、表22、表23。

(實施例183~224)

進一步，於各實施例中，分別以表22所示之添加量於表22所示之基礎液晶中添加表22所示之添加化合物來取代實施例1中之0.5質量份之(P-J-1)，並進一步以表24、表25所示之添加量來添加下述表24、表25所示之添加物(P-K-1)或(P-K-2)，除此之外，以和實施例1相同的方法來製備各實施例之液晶組成物。

和其他實施例同樣地實施其等試驗結果。將其結果示於表26、表27。

又，藉由上述基礎液晶LC2~LC16實施相同實驗的結果，為一樣優異的評價結果。

由上述各實施例之評價結果來看，實施例中之液晶組成物作為液晶顯示元件，顯示綜合來說優異的性能。

(實施例225~234)

以下述表28所示之化合物及混合比率所構成之組成物來取代實施例1中之液晶組成物HLC-1，以與實施例1相同的方式來進行製備，將所製得之液晶組成物設為HLC-9。

實施例中所測定之特性係如下所述。

T_ni：向列相-等向性液相轉變溫度(℃)

△n：於20℃之折射率異向性

η：於20℃之黏度(mPa‧s)

γ₁(25℃)：於25℃之旋轉黏性(mPa‧s)

△ε(25℃)：於25℃之介電各向導性

K₃₃：於20℃之彈性常數K₃₃(pN)

又，於分別將HLC-9設為100質量份時，將添加0.3質量份之聚合性化合物(R-1-0)而得的基礎組成物加熱熔解，藉此進行製備，並設為LC-17。

又，於分別將HLC-9設為100質量份時，將添加0.5質量份之聚合性化合物(R-1-0)而得的基礎組成物加熱熔解，藉此進行製備，並設為LC-18。

又，於分別將HLC-9設為100質量份時，將添加0.6質量份之聚合性化合物(R-1-0)而得的基礎組成物加熱熔解，藉此進行製備，並設為LC-19。

進一步，於各實施例中，除了於將分別所對應之基礎組成物設為100質量份時，以表29、表31所示之添加量使用表29、表31所示之添加化合物以外，以和實施例1相同的方式製備液晶組成物。又，各種評價結果分別示於表30、表32。

和表29、表30對應之添加化合物係如下所示。

和其他實施例同樣地實施其等試驗結果。將其結果示於表30、表32。

又，藉由上述基礎液晶LC2~LC16實施相同實驗的結果，為一樣優異的評價結果。

由上述各實施例之評價結果來看，實施例中之液晶組成物作為液晶顯示元件，顯示綜合來說優異的性能。

1‧‧‧液晶顯示元件

2‧‧‧第一基板

3‧‧‧第二基板

4‧‧‧液晶層

5‧‧‧像素電極層

6‧‧‧共用電極層

7、8‧‧‧偏光板

9‧‧‧濾色器

Claims (19)

1. 一種液晶組成物，其含有1種或2種以上之以通式(i)表示之化合物，

   

   (式中，Kⁱ¹係選自通式(K-1)~(K-5)，

   

   (式中，Yⁱ¹表示碳原子數3~20之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，該等烷基中之至少2個以上之二級碳原子經-(C=Xⁱ¹)-及/或-(CH-CN)-取代，又，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，Xⁱ¹表示氧原子、硫原子、NH或NRⁱ³，Sⁱ¹及Sⁱ³分別獨立地表示碳原子數1~6之伸烷基或單鍵，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-C(=CH₂)-、-C(=CHRⁱ³)-、-C(=CRⁱ³ ₂)-、-O-、-NH-、-C=O-、-COO-或-OCO-取代，Sⁱ²表示碳原子、氮原子或矽原子，Rⁱ²表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該等基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH= CH-或-C≡C-取代，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔基或單鍵，nⁱ¹表示1~3之整數，nⁱ²及nⁱ³分別獨立地表示0~2之整數，於Sⁱ²表示碳原子或矽原子之情形時，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³為3，於Sⁱ²表示氮原子之情形時，nⁱ¹+nⁱ²+nⁱ³為2，Rⁱ³表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基，於在通式(K-1)中存在多個Rⁱ²、Xⁱ¹、Yⁱ¹、Sⁱ¹、Sⁱ³、Pⁱ¹及Spⁱ¹之情形時，其等可相同亦可不同)，

   

   

   

   

   (式中，Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹各自表示與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，R^K21表示碳原子數1~10之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基或氰化烷基，此等烷基中之至少2個以上的二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-或-NH-取代，nⁱ⁴、n^iK21分別獨立地表示0或1)，Rⁱ¹表示碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基或鹵化烷基， 該等基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，Aⁱ¹、Aⁱ²及Aⁱ³分別獨立地表示2價之芳香族基、2價之環式脂肪族基、或2價之雜環式化合物基，Aⁱ¹中之氫原子亦可被Lⁱ¹取代，Aⁱ²及Aⁱ³中之氫原子亦可被Lⁱ¹、Pⁱ¹-Spⁱ¹-或Kⁱ¹取代，Lⁱ¹表示鹵素原子、氰基、硝基、碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基、鹵化烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-COO-或-OCO-取代，通式(i)中，具有至少一個以上之Pⁱ¹-Spⁱ¹-作為Aⁱ²或Aⁱ³之取代基、或作為Kⁱ¹之取代基，Zⁱ¹及Zⁱ²分別獨立地表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH=C(CH₃)COO-、-OCOC(CH₃)=CH-、-CH₂-CH(CH₃)COO-、-OCOCH(CH₃)-CH₂-、-OCH₂CH₂O-或碳原子數2~20之伸烷基，此伸烷基中之1個或不鄰接之2個以上之-CH₂-亦可被-O-、-COO-或-OCO-取代，mⁱ¹表示0~3之整數，Pⁱ¹表示聚合性基，Spⁱ¹表示間隔基或單鍵，於在通式(i)中存在多個Rⁱ¹、Aⁱ²、Zⁱ²、Lⁱ¹、Kⁱ¹、Xⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹之情形時，其等可相同亦可不同)。
2. 如請求項1所述之液晶組成物，其中，上述通式(i)中之Aⁱ¹、 Aⁱ²及Aⁱ³表示選自1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基及1,3-二

   

   烷-2,5-二基中之環結構，Aⁱ¹中之氫原子可未經取代，或亦可被Lⁱ¹取代，Aⁱ²及Aⁱ³中之氫原子可未經取代，或亦可被Lⁱ¹、Pⁱ¹-Spⁱ¹-或Kⁱ¹取代。
3. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(i)中之Pⁱ¹表示選自以下之通式(P-1)~通式(P-16)所表示之群中之取代基，

   

   (式中，右端之黑點表示鍵結鍵)。
4. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(i)中之Kⁱ¹為(K-1A)或(K-1B)，

   

   (式中，Sⁱ¹、Sⁱ²、Sⁱ³、Rⁱ²、Yⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹各自表示與通式(K-1)中之Sⁱ¹、Sⁱ²、Sⁱ³、Rⁱ²、Yⁱ¹、Pⁱ¹及Spⁱ¹相同含義，n^iA1表示1~3之整數，n^iA3表示0~2之整數，n^iB1表示1~2之整數，n^iB3表示0或1，於Sⁱ²表示碳原子或矽原子之情形時，n^iA1+n^iA3為3，n^iB1+n^iB3為2，於Sⁱ²表示氮原子之情形時，n^iA1+n^iA3表示2，n^iB1表示1，n^iB3表示0)。
5. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(i)中之Rⁱ¹表示碳原子數為3以上之伸烷基，該伸烷基中之-CH₂-亦可以氧原子不直接鄰接的方式被-O-取代。
6. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(K-1)中之Yⁱ¹表示選自通式(Y-1)之基，

   

   (式中，W^iY1表示單鍵或氧原子，虛線表示單鍵或雙鍵，當虛線表示單鍵之情形時，R^iY1表示氫原子、或碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、或-C≡C-取代，當虛線表示雙鍵之情形時，R^iY1表示=CH₂、=CHR^iY4或=CR^iY4 ₂，R^iY4表示氫原子、碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，R^iY3為 表示與當虛線表示單鍵之情形時之R^iY1相同含義，R^iY2表示氫原子、或碳原子數1~20之直鏈或支鏈烷基，該烷基中之二級碳原子亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-或-C≡C-取代，當虛線表示雙鍵之情形時，n^iY1為0，當虛線表示單鍵之情形時，n^iY1為1，n^iY2表示0~5之整數，當存在多個R^iY1、R^iY3、及R^iY4之情形時，該等可相同或亦可不同，以＊與Sⁱ³鍵結)。
7. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(i)中之mⁱ¹為1或2。
8. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其中，通式(i)中之Aⁱ¹之至少一個之氫原子被碳原子數1~40之直鏈或支鏈烷基取代，Aⁱ²或Aⁱ³之至少一個之氫原子被Pⁱ¹-Spⁱ¹-取代。
9. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其進而含有與上述通式(i)所表示之化合物不同之其他聚合性化合物、及非聚合性液晶化合物。
10. 如請求項9所述之液晶組成物，其含有1種或2種以上通式(P)所表示之化合物來作為上述聚合性化合物，

    

    (式中，Z^p1表示氟原子、氰基、氫原子、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烷氧基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯基、氫原子可被鹵素原子取代之碳原子數1~15之烯氧基或-Sp^p2-R^p2，R^p1及R^p2表示以下之式(R-I)~式(R-VIII)之任一者，

    

    (式中，於*與Sp^p1或Sp^p2進行鍵結，R²~R⁶分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~5個之烷基或碳原子數1~5個之鹵化烷基，W表示單鍵、-O-或亞甲基，T表示單鍵或-COO-，p、t及q分別獨立地表示0、1或2)，Sp^p1及Sp^p2表示間隔基，L^p1及L^p2分別獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CH₂-、-OCH₂-、-CH₂O-、-CO-、-C₂H₄-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH₂-、-CH₂OCOO-、-OCH₂CH₂O-、-CO-NR^a-、-NR^a-CO-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CH=CR^a-COO-、-CH=CR^a-OCO-、-COO-CR^a=CH-、-OCO-CR^a=CH-、-COO-CR^a=CH-COO-、-COO-CR^a=CH-OCO-、-OCO-CR^a=CH-COO-、-OCO-CR^a=CH-OCO-、-(CH₂)_z-C(=O)-O-、-(CH₂)_z-O-(C=O)-、-O-(C=O)-(CH₂)_z-、-(C=O)-O-(CH₂)_z-、-CH₂(CH₃)C-C(=O)-O-、-CH₂(CH₃)C-O-(C=O)-、-O-(C=O)-C(CH₃)CH₂、-(C=O)-O-C(CH₃)-CH₂、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF =CH-、-CH=CF-、-CF₂-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-CF₂CF₂-或-C≡C-(式中，R^a分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~4之烷基，z表示1~4之整數)，M^p2表示1,4-伸苯基、1,4-伸環己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、1,3-二

    

    烷-2,5-二基或單鍵，M^p2未經取代或可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-Sp^p1-R^p1取代，M^p1表示以下之式(i-11)~(ix-11)之任一者，

    

    (式中，於*與Sp^p1進行鍵結，於**與L^p1、L^p2或Z^p1進行鍵結，苯上之氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-Sp^p1-R^p1取代)，M^p3表示以下之式(i-13)~(ix-13)之任一者，

    

    (式中，於*與Z^p1進行鍵結，於**與L^p2進行鍵結，苯上之氫原子亦可被碳原子數1~12之烷基、碳原子數1~12之鹵化烷基、碳原子數1~12之烷氧基、碳原子數1~12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或-Sp^p1-R^p1取代)，m^p2~m^p4分別獨立地表示0、1、2或3，m^p1及m^p5分別獨立地表示1、2或3，於存在多個Z^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個R^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個Sp^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個L^p1之情形時，其等可相互相同，亦可不同，於存在多個M^p2之情形時，其等可相互相同，亦可不同)。
11. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其進一步含有與通式(i)所表示之化合物不同的其他自發配向性添加劑。
12. 如請求項1或2所述之液晶組成物，其介電各向導性(△ε)之值為負值。
13. 如請求項12所述之液晶組成物，其進一步含有選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)之任一者所表示之化合物群中之化合物，

    

    

    

    (式中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未鄰接之2個以上之-CH₂-可被取代為-O-)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上之-CH=可被取代為-N=)、及(d)1,4-伸環己烯基(1,4-cyclohexenylene group)所組成之群中之基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-， X^N21表示氫原子或氟原子，T^N31表示-CH₂-或氧原子，n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31及n^N32分別獨立地表示0~3之整數，n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32分別獨立地為1、2或3，於分別存在多個A^N11~A^N32、Z^N11~Z^N32之情形時，可分別相互相同，亦可不同)。
14. 一種液晶顯示元件，其使用有兩個基板、及設置於該兩個基板間之請求項1至13中任一項所述之液晶組成物。
15. 一種液晶顯示元件，其具備兩個基板、及設置於該兩個基板間之含有請求項10所述之液晶組成物以及通式(i)所表示之化合物和通式(P)所表示之化合物之聚合物的液晶層。
16. 如請求項14或15所述之液晶顯示元件，其用於主動矩陣驅動。
17. 如請求項14或15所述之液晶顯示元件，其為PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型。
18. 如請求項14或15所述之液晶顯示元件，其中，上述兩個基板中之至少一基板不具有配向膜。
19. 如請求項14或15所述之液晶顯示元件，其具有：對向配置之第一基板及第二基板；填充於上述第一基板與上述第二基板之間的液晶層；呈矩陣狀配置於上述第一基板上之多個閘極匯流線(gate bus line)及資料匯流線(data bus line)；設置於上述閘極匯流線與資料匯流線之交叉部的薄膜電晶體；電極層，其於每個像素具有藉由上述薄膜電晶體驅動之像素電極；共通電極，其形成於上述第一基板或上述第二基板上；及 聚合性化合物在上述第一基板及上述第二基板之間硬化而成之樹脂成分，且，於至少一基板表面不具備有配向膜。

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