CN108886009A - 基板收纳容器 - Google Patents

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Abstract

一种在内部收纳基板(W)的绝缘性的晶片收纳容器(1),形成有在使前述容器以外的物体接触在前述容器的至少一个外表面上的情况下、在该一个外表面(11E)上与前述物体接触的接触部分(13)和不与前述物体接触的非接触部分(14),使前述接触部分(13)的面积相对于前述接触部分(13)的面积与前述非接触部分(14)的面积的总和为40%以下。

Description

基板收纳容器
技术领域
本发明涉及收纳半导体晶片、光掩模、玻璃基板、硬盘或其他基板的基板收纳容器。
背景技术
在半导体晶片的制造工艺及其后的半导体设备的制造工艺中的、例如晶片的清洗、干燥、检查、热处理、CVD处理等处置半导体晶片的各工序中,将晶片以收容在晶片收纳容器(也称作盒体)中的状态输送。特别地在板片式的晶片处理装置中,在将该容器定位在既定位置之后,使用机器人等从容器将晶片一片片地取出,实施各种处理。典型的晶片收纳容器如在专利文献1中表示的那样,整体由聚碳酸酯PC或聚醚醚酮PEEK等的绝缘性塑料成形,具备一侧面开口的箱型的容器主体、被固定在容器主体内的晶片保持用的支架、和被能够拆装地安装在容器主体的开口部处的盖体。
专利文献1:日本特开2010-40612号公报。
专利文献2:日本特开2008-021744号公报。
专利文献3:日本特开2008-021743号公报。
专利文献4:日本特表2004-531064号公报。
专利文献5:日本再表2011/102318号公报。
但是,上述的绝缘性晶片收纳容器如果与作业者或机器人等接触/摩擦/剥离/碰撞,则带电为正电位或负电位。特别在被管理为低湿度的清洁室中带电的可能性显著较高。如果晶片收纳容器带电,则将周围的微粒电气地吸附,或在与导电性的机器人手臂之间发生火花,由此有金属等污染物质附着在晶片上的问题。因此,在专利文献2~5中,提出了通过在构成容器的材料中采用添加了碳黑等导电材料的防带电材料、防止以静电力附着在容器及基板上的微粒的技术。但是,在这样的借助防带电材料的应对方法中,需要将基板收纳容器从通常的绝缘性材料变更为防带电材料,有容器的价格高涨的问题。此外,由防带电材料构成的基板收纳容器硬且重,有容易发生缺损破裂的问题。
发明内容
本发明要解决的课题是提供一种能够用简便的方法抑制带电的基板收纳容器。
本发明是一种在内部收纳基板的绝缘性容器,形成有在使容器以外的物体接触在容器的至少一个外表面上的情况下、在该一个外表面上与前述物体接触的接触部分和不与前述物体接触的非接触部分,使前述接触部分的面积相对于前述接触部分的面积与前述非接触部分的面积的总和为40%以下,由此解决了上述课题。
在本发明中,更优选的是,与前述物体接触的至少一个外表面的表面电阻值是1×1011Ω以上。此外,在本发明中,也可以是,使前述接触部分为凸部,使前述非接触部分为相对于前述凸部相对性凹的凹部。
在本发明中,也可以使与前述物体接触的外表面为六面体或圆柱体的一个外表面,也可以使与前述物体接触的外表面为在六面体或圆柱体的一个外表面上设置的特定的接触面。
在本发明中,前述基板是至少包括半导体晶片、光掩模、玻璃基板及硬盘的基板。
基板收纳容器通过与该容器以外的物体接触/摩擦/剥离/碰撞(以下,统称作接触)而带电,但带电的表面电位与接触面积相关。特别是,由本发明者发现,如果接触面积为40%以下,则由带电电位带来的火花的发生率大致成为0%。根据本发明,在与容器以外的物体接触的至少一个面上,形成与该物体接触的接触部分和不与该物接触的非接触部分,进而使接触部分的面积相对于接触部分的面积与非接触部分的面积的总和为40%以下,所以将由带电带来的表面电位降低到火花发生率0%的水平。结果,能够防止周围的微粒附着到基板上、或伴随着火花发生的污染物质附着到基板上的情况。
附图说明
图1是表示有关本发明的基板收纳容器的一实施方式的立体图。
图2是表示图1的接触部分和非接触部分的图案的一例的主视图(A)及剖视图(B)。
图3是表示图1的接触部分和非接触部分的图案的另一例的主视图(A)及剖视图(B)。
图4是表示图1的接触部分和非接触部分的图案的再另一例的主视图(A)及剖视图(B)。
图5是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的立体图。
图6是表示有关本发明的基板收纳容器的另一实施方式的立体图。
图7是表示测量图1的基板收纳容器的接触面积与表面电位的关系的结果的曲线图。
图8是表示测量图1的基板收纳容器的接触面积与火花发生率的关系的结果的曲线图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的一实施方式进行说明。
图1是表示作为有关本发明的基板收纳容器的一实施方式的晶片收纳容器1的立体图。本实施方式的晶片收纳容器1,是在半导体晶片(以下,也仅称作晶片)的制造工艺及其后的半导体设备的制造工艺等、例如晶片的清洗、干燥、检查等处置半导体晶片的工序中,用来将多个晶片收纳并输送的所谓盒体。本实施方式的晶片收纳容器1如图1所示,具备:容器主体11,能够进行多片晶片W的收纳;支架12,被设置在容器主体11内,用来保持晶片;和盖体(未图示),能够拆装自如地装配到容器主体11的开口部11a上,将该开口部11a开闭。
容器主体11由绝缘性材料构成,例如由聚碳酸酯(PC)或聚醚醚酮(PEEK)等的塑料成形。容器主体11实质上是六面体,即大致长方体的箱形状,在其一侧面(在图1中在前侧)上形成有开口部11a。晶片W被从该开口部11a运入容器主体11内而被收纳。此外,收纳状态的晶片W被从该开口部11a向容器主体11外运出。图5是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的立体图,与图1所示的晶片收纳容器1对应。以下,如图5所示,将容器主体11的六面的各面称作上表面11A、底面11B、前表面11C、背面11D、右侧面11E、左侧面11F。开口部11a被设置在前表面11C上。由这些塑料成形的晶片收纳容器1的表面电阻值是1×1011Ω以上。
被设置在容器主体11内的支架12包括以与邻接于容器主体11的开口部11a的右侧面11E及左侧面11F对置的状态设置的一对晶片保持体12a、12b。在各晶片保持体12a、12b上,形成有沿晶片W的插拔方向(图1的箭头方向)延伸的多个晶片保持用的槽。该槽的槽宽比晶片W的厚度大,在槽内被插入晶片W。此外,使相互对置的晶片保持体12a、12b的前端部的间隔比晶片W的直径尺寸窄。因此,如果将晶片W插入到容器主体11内,则晶片W的两端进入到晶片保持体12a、12b的槽内。即,被插入在容器主体11内的晶片W在其两端被晶片保持体12a、12b保持。此外,在各晶片保持体12a、12b上形成有多个槽,能够将多个晶片W隔开间隔保持在容器主体11内。
在这样的晶片收纳容器1中,如果以图1所示那样的姿势,即以开口部11a在横侧(朝向横向的状态)、并且设置有晶片保持体12a、12b的右侧面11E及左侧面11F位于两侧部的方式将容器主体11设为横置,则被收纳在容器主体11内的多片晶片W成为水平状态(横置的状态)。在将晶片收纳容器1载置到用来进行热处理工序或CVD工序的处理装置的载置台等上的情况下,有将容器主体11设为横置的情况。这里,在以图1所示那样的姿势,将晶片收纳容器1向各种处理装置的载置台等输送的情况下,作业者或作业机器人将晶片收纳容器1的右侧面11E及左侧面11F抓住,但当作业者的手(通常戴着腈制手套)或作业机器人的手臂(通常被绝缘性材料覆盖)相对于这些右侧面11E及左侧面11F接触时及离开时,晶片收纳容器1带电。特别在温度18~25℃、湿度25%~45%这样的清洁室中,与高温多湿环境相比更容易带电。
图7是表示对于由不同的材质A、B成形的晶片收纳容器1的右侧面11E及左侧面11F、在使其接触面积为100%、80%及30%的情况下、测量在表面上带电的电位的结果的曲线图。横轴的接触面积表示作业者或作业机器人与晶片收纳容器1的右侧面11E及左侧面11F接触的面积比例,将与容器主体11的右侧面11E及左侧面11F的整面接触的情况设为100%而测量带电电位。结果确认了:即使晶片收纳容器1的材质不同,如果接触面积变小则表面电位也变小。此外,图8是表示对于晶片收纳容器1的右侧面11E及左侧面11F、使其接触面积为100%、90%、80%、70%、60%、50%、40%及30%、测量在各接触面积下用导电性的机器人手臂将晶片从晶片收纳容器1取出时的火花发生率的结果的曲线图。据此,通过将接触面积设为70%,火花的发生率成为50%,通过将接触面积设为60%,火花的发生率成为20%,进而通过将接触面积设为40%以下,能够使火花的发生率成为0%。
因此,在本实施方式的晶片收纳容器1中,在与容器以外的物体、即作业者的手或作业机器人的手臂接触的至少一个面,即图1及图5所示的右侧面11E及左侧面11F上,形成相对于作业者的手或作业机器人的手臂接触的接触部分13和不接触的非接触部分14,将接触部分13的面积相对于接触部分13的面积与非接触部分14的面积的总和设为40%以下。具体而言,如图1~图4所示,接触部分13是凸部,非接触部分14由相对于凸部相对性凹的凹部构成。图2是表示图1的接触部分13和非接触部分14的图案的一例的主视图(A)及沿着IIB-IIB线的剖视图(B)。
图1及图2所示的接触部分13由以纵横的格状排列的相互交叉的直线带状的凸部构成,被由这些凸部构成的接触部分13包围的长方形的部分构成呈凹部的非接触部分14。就图2所示的例子而言,相对于晶片收纳容器1的右侧面11E的整面,形成由横向4条、纵向6条的格状凸部构成的接触部分13,由这些接触部分13包围的部分成为由21个长方形的凹部构成的非接触部分14。另外,如果将图2的主视图假定为标准尺寸,则接触部分13的面积与侧面11E的面积的比为150:400,接触部分13的面积相对于接触部分13的面积与非接触部分14的面积的总和为37.5%。另外,作为接触部分13的凸部的隆起形状除了相对于右侧面11E垂直地竖立以外,也可以以朝向顶面缩小的方式倾斜而隆起。通过这样,能够将接触部分13的面积设定为更小。
图3是表示图1的接触部分和非接触部分的图案的另一例的主视图(A)及沿着IIIB-IIIB线的剖视图(B)。图3所示的接触部分13由纵横规则性地排列的多个圆形的凸部构成,将被由这些凸部构成的接触部分13包围的圆形挖去的部分,构成呈凹部的非接触部分14。就图3所示的例子而言,相对于晶片收纳容器1的右侧面11E的整面,形成由横向6列、纵向6列的合计36个圆形凸部构成的接触部分13,由这些接触部分13包围的部分成为由凹部构成的非接触部分14。另外,如果将图3的主视图假定为标准尺寸,则接触部分13的面积与侧面11E的面积的比为283:1000,接触部分13的面积相对于接触部分13的面积与非接触部分14的面积的总和为28.3%。另外,作为接触部分13的圆形凸部的隆起形状除了相对于右侧面11E垂直地竖立以外,也可以以朝向顶面缩小的方式倾斜而隆起。即,通过将接触部分13形成为圆锥台或圆锥,能够将接触部分13的面积设定为更小。
图4是表示图1的接触部分和非接触部分的图案的再另一例的主视图(A)及沿着IVB-IVB线的剖视图(B)。图4所示的接触部分13由纵横规则性地排列的多个矩形的凸部构成,将被由这些凸部构成的接触部分13包围的矩形挖去的部分,构成呈凹部的非接触部分14。就图4所示的例子而言,相对于晶片收纳容器1的右侧面11E的整面,形成由横向4个、纵向4列的合计16个矩形凸部构成的接触部分13,由这些接触部分13包围的部分成为由凹部构成的非接触部分14。另外,如果将图4的主视图假定为标准尺寸,则接触部分13的面积与右侧面11E的面积的比为128:400,接触部分13的面积相对于接触部分13的面积与非接触部分14的面积的总和为32%。另外,作为接触部分13的矩形凸部的隆起形状除了相对于右侧面11E垂直地竖立以外,也可以以朝向顶面缩小的方式倾斜而隆起。通过这样,能够将接触部分13的面积设定为更小。
另外,作为接触部分13的凸部和作为非接触部分14的凹部的俯视下的配置图案,可以说优选的是在晶片收纳容器1的右侧面11E及/或左侧面11F的面整体(或作业者的手或作业机器人的手臂的接触部分)上以等间隔及相同尺寸均匀地形成。但是,本发明并不是仅限定于规则性的配置图案的主旨,也可以是不规则性的配置图案。
在图1所示的晶片收纳容器1中,有可能与作业者的手或作业机器人的手臂接触的部分是容器主体11的右侧面11E及左侧面11F的全体。因此,在图1所示的晶片收纳容器1中,形成了为右侧面11E及左侧面11F的整体的面积的40%以下的接触部分13。但是,在有可能与作业者的手或作业机器人的手臂接触的部分例如如图6所示那样、是在晶片收纳容器1的右侧面11E及左侧面11F上设置的把持部15的情况下,在该把持部15上形成接触部分13和非接触部分14,并且使得接触部分13的面积成为把持部15的整体的面积的40%以下。
如以上这样,根据本实施方式的晶片收纳容器1,不用将容器主体11的材质变更为防带电材料这样的特别的材质,此外不用进行电离等带电除去处理,而仅通过将有可能与物体接触的部分的接触面积设为整体的40%以下,就能够在将收纳于内部中的晶片取出时等防止发生火花。此外,不仅防止火花的发生,由于带电本身被抑制,所以还能够抑制微粒等异物附着到晶片上的情况。
附图标记说明
1…晶片收纳容器
11…容器主体
11A…上表面
11B…底面
11C…前表面
11D…背面
11E…右侧面
11F…左侧面
12…支架
12a、12b…晶片保持体
11a…开口部
13…接触部分
14…非接触部分
15…把持部

Claims (7)

1.一种基板收纳容器,其特征在于,
具备绝缘性的容器主体,所述容器主体具有开口部、内部和外表面,所述内部从前述开口部收纳基板;
在前述容器主体的至少一个外表面上,形成有在使前述容器主体以外的物体接触在前述外表面上的情况下、在该外表面上与前述物体接触的接触部分、和不与前述物体接触的非接触部分;
前述接触部分的面积相对于前述接触部分的面积与前述非接触部分的面积的总和为40%以下。
2.一种基板收纳容器,其特征在于,
具备六面体或圆柱体的绝缘性的容器主体;
前述容器主体具有:
开口部;
内部,从前述开口部收纳基板,所述基板包括半导体晶片、光掩模、玻璃基板及硬盘;和
外表面;
在前述容器主体的至少一个外表面上,形成有在使前述容器主体以外的物体接触在前述外表面上的情况下、在该外表面上与前述物体接触的接触部分、和不与前述物体接触的非接触部分;
前述接触部分的面积相对于前述接触部分的面积与前述非接触部分的面积的总和为40%以下。
3.如权利要求1或2所述的基板收纳容器,其特征在于,
与前述物体接触的至少一个外表面的表面电阻值是1×1011Ω以上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,
前述接触部分是凸部,前述非接触部分是相对于前述凸部相对性凹的凹部。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,
与前述物体接触的外表面是六面体或圆柱体的一个外表面。
6.如权利要求1~4中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,
与前述物体接触的外表面是在六面体或圆柱体的一个外表面上设置的特定的接触面。
7.如权利要求1、3~6中任一项所述的基板收纳容器,其特征在于,
前述基板包括半导体晶片、光掩模、玻璃基板及硬盘。
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