CN108531990A - 单晶制造装置 - Google Patents

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小浜惠一
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Fujikoshi Machinery Corp
Nippo Valve Co Ltd
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Abstract

本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。

Description

单晶制造装置
【技术领域】
本发明涉及氧化镓单晶等氧化物单晶的制造装置。
【背景技术】
在专利文献1中示出了作为功率器件用宽带隙半导体等使用的氧化镓单晶的制造装置。
即，在专利文献1中示出了一种氧化镓单晶(特别是β-Ga2O3单晶)的制造装置，其是在氧化气氛中制造氧化镓单晶的制造装置，其具备：具有耐热性的筒状的炉主体；将该炉主体封闭的盖体；配设在上述炉主体内的发热体；利用高频感应加热对该发热体进行加热的高频线圈；以及由上述发热体进行加热的坩埚，该制造装置中，上述坩埚为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh(铂铑)合金制，上述发热体为Rh含量30wt％的Pt-Rh合金制。
该专利文献1中示出的氧化镓单晶的制造装置通过如上所述使用Pt-Rh合金制品作为坩埚和发热体，具有下述的优点。
即，Pt单独的熔点为约1768℃，但通过制成Rh含量为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金，其熔点变为约1850℃～1930℃，显著地高于氧化镓的熔点1795℃，因而通过使用上述Pt-Rh合金制品作为坩埚和发热体，即使是高熔点的氧化镓，也可适当地制造出其单晶。
另外，如上所述，由于Rh含量为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金其熔点高达1850℃～1930℃，因而即使是氧化物单晶的制造方法，也可应用VB法、CZ法、EFG法等多种方法。
特别是由于Pt-Rh合金为不容易氧化的Pt的合金，因而可进行氧化性气氛中的结晶生长，在能够生长出无缺氧缺陷的品质良好的晶体方面是有利的。
【现有技术文献】
【专利文献】
专利文献1：日本特开2016-79080号公报
【发明内容】
【发明所需解决的课题】
但是，本发明人进行了深入研究，结果明确了，即使是上述的Rh含量为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制材料，在氧化气氛中且在高温下使用时也存在下述的课题。
即，如上所述，Pt的耐氧化性强，但Rh容易氧化，因而即使在Pt-Rh合金的情况下，在长期使用时，Rh也会逐渐从Pt中游离，发生氧化分解而容易飞散。这样，在Rh飞散时，合金的组成比例发生变化，熔点降低，因而变得无法使用。在坩埚的情况下，由于多数情况下是一次性的，因而没什么大的问题，但在发热体的情况下，由于寿命短而导致更换频率增高，存在无法避免成本增加的课题。
本发明是为了解决上述课题而进行的，其目的在于提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。
【用于解决课题的手段】
本发明的单晶制造装置是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置，其具备：基体；配设在该基体上的具有耐热性的筒状的炉主体；将该炉主体封闭的盖体；配设于上述炉主体内的发热体；利用高频感应加热对该发热体进行加热的高频线圈；以及由上述发热体进行加热的坩埚，该单晶制造装置的特征在于，上述发热体由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。
上述发热体优选为Pt-Rh合金制、特别优选为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制。
可以使上述发热体为筒状，在下部设置切口部。
或者，可以使上述发热体为筒状，使下部形成得比其他部位薄。
可以使用将上述炉主体的内壁形成为将具有所需高度的环状耐热部件多个层叠而成的耐热壁、并且将多个分割片与上述环状耐热部件接合而形成为环状的装置。
上述金属氧化物可以使用具有比Pt的熔点更高的熔点的材料。
在制造β-Ga2O3的单晶的情况下，上述坩埚优选使用Pt-Rh合金制、特别优选使用Rh含量为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制的坩埚。
在制造钽酸锂(LiTaO3：LT)的单晶的情况下，上述坩埚可以使用Pt制、或者Pt合金制的坩埚。
【发明的效果】
根据本发明的单晶制造装置，由于使用了在其发热体上进行了氧化锆涂覆的铂系合金制高频感应加热炉，因而能够防止与铂的合金成分的氧化分解，能够反复使用发热体，在成本上有利；并且能够防止氧化分解物溶入到结晶中，发挥出可进行高品质的金属氧化物单晶的制造的效果。
【附图说明】
图1是示出单晶制造装置的构成的截面图。
图2是示出支撑坩埚的部位的构成的放大截面图。
图3是示出环状耐热部件的立体图。
图4是炉主体的立体图。
图5是氧化锆涂覆前的发热体的照片。
图6是氧化锆涂覆后的发热体的照片。
图7是示出相对于发热体的使用次数的累积减少重量的图。
图8是在坩埚内单向凝固而得到的典型的3种晶体照片。
图9A是示出对于双面镜面研磨基板进行正交尼科耳观察而得到的结果的照片。
图9B是示出对于双面镜面研磨基板进行透射X射线形貌观察而得到的结果的照片。
图9C是示出在图9B的照片中沿大致<010>方向局部排列的位错蚀坑列的放大照片。
图9D是示出在图9B的照片中沿<010>方向以10μm～几十μm的大小线状排列的缺陷的放大照片。
图10A是示出炉内温度分布的图。
图10B是图10A中的a部分的放大图。
图11是示出利用VGF法时进行炉内温度控制时的炉内温度的分布的一例的图。
图12是进行图11所示的炉内温度控制时的温度控制流程图。
图13是进行图11所示的炉内温度控制时的、炉内温度对于高频线圈输出的追随性的图。
图14是使用铂100％的坩埚利用图1所示的高频加热炉以图11所示的炉内温度分布通过VGF法进行结晶生长而得到的钽酸锂单晶的照片。
【具体实施方式】
(制造装置的构成例)
图1示出本实施方式的单晶制造装置10的构成例。
该单晶制造装置10是在氧化气氛中(特别是大气中)利用垂直布里奇曼(VB)法或垂直梯度凝固(VGF)法等生长氧化镓单晶或钽酸锂等金属氧化物的单晶的装置。
图1中，在基体12上配设有炉主体14。在基体12中设置有流通冷却水的冷却机构(未图示)。
炉主体14作为整体呈筒状，形成为具有可耐受最高达到1900℃左右的高温的耐热性的结构。
炉主体14的开口部可由盖体16a、16b、16c封闭。
另外，炉主体14的下部为各种耐热材料层叠而成的底部18。
在炉主体14内，在底部18上载置有发热体20。
本实施方式中的发热体20由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。发热体20通过利用卷绕在炉主体14上的高频线圈22进行的感应加热而被加热。即，本实施方式的单晶制造装置10为高频感应加热炉。
需要说明的是，尽管未图示，但设有用于控制向高频线圈22供给的电力(输出)的控制部。控制部可以是通过手动操作改变通电量的控制部，也可以是按照所需的输入程序自动控制每小时的通电量的控制部。
关于发热体20，在下文进一步详细说明。
在上述底部18和基体12中，设有沿上下方向贯通的贯通孔，坩埚支承轴24以插穿该贯通孔并通过未图示的驱动机构上下自由移动地以轴线为中心自由旋转的方式设置。坩埚支承轴24也由氧化铝等可耐受高温的耐热材料形成。
在坩埚支承轴24的上端安装由氧化锆等耐热材料构成的衬套26，在该衬套26内载置坩埚28。坩埚28由发热体20进行加热。
图2放大示出了由衬套26支撑坩埚28的部位。坩埚28设置在衬套26的上部的形成为凹部状的设置部26a。在设置部26a的中心开设有贯穿衬套26的、上部侧为大径、下部侧为小径的贯通孔。在贯通孔的中途的阶梯差部设置热电偶头30。热电偶头的顶端按照在将坩埚28设置在衬套26中的状态下与坩埚28的底面接触的方式配置。
热电偶的线材31的另一端从坩埚支承轴24的内部通过并被拉出到温度检测器。
关于坩埚28的种类，在下文详细叙述。
接着，进一步对各部分的详细情况进行说明。
在图示的实施方式中，炉主体14形成从内层侧起依次为作为最内壁的耐热壁32、内筒34、绝热材料层36、外筒38的4层结构。需要说明的是，40为罩部件。
如图3、图4所示，耐热壁32通过将耐热部件32b在上下方向上多个层叠而形成为筒状，该耐热部件32b通过将6个分割片32a接合而形成为具有所需高度的环状。如图4中明确所示，形成为环状的耐热部件32b可以按照上下相邻的环状耐热部件32b的各分割片32a在圆周方向上相互错开而层叠的方式进行配置。
耐热部件32b没有特别限定，优选为氧化铝制、或者为对最高2000℃左右的温度具有耐热性的氧化锆制。
耐热壁32整体形成为筒状，上端由上述盖体16a封闭。
内筒34、外筒38也由氧化铝等耐热部件形成。内筒34由上述盖体16b封闭。外筒38也由上述盖体16c封闭。在内筒34和外筒38之间填充绝热材料，形成上述绝热材料层36。
绝热材料层36的绝热材料是将氧化铝纤维以所需密度进行固结，呈多孔状，形成为具有耐热性并且具有绝热性的绝热材料层。
在外筒38的盖体16c上也形成了载置有绝热材料的绝热材料层42。
接着，对发热体20进行说明。
发热体20由Pt系合金构成，在包括表面和背面在内的整个面上施有氧化锆涂层。
发热体20呈具有顶板的筒状。图5示出涂覆氧化锆之前的发热体20的照片，表面呈光泽面。图6示出涂覆氧化锆后的发热体20的照片，表面呈乳白色的暗光面状。
氧化锆在发热体20上的涂覆可以利用喷镀法等进行。
氧化锆涂层的厚度没有特别限定，优选为数十μm～数百μm的厚度。氧化锆涂层过厚时，有可能由于热历史所致的伸缩而发生龟裂、剥离。另一方面，氧化锆涂层过薄时，得不到所需要的耐热性和防Rh飞散性。
发热体20可以使用Pt-Rh、Pt-Mo、Pt-W、Pi-Ir、Pt-Re合金等Pt系合金制的发热体，优选为Pt-Rh合金制的发热体。作为其合金组成，更优选为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制。通过为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制，其熔点为约1850℃～1930℃，显著地高于氧化镓的熔点1795℃，因而通过发热体20使用上述Pt-Rh合金制的发热体，即使是高熔点的氧化镓，也可适当地制造其单晶。
另外，本发明人进行了深入研究，结果如上所述明确了，即使在发热体20使用Rh含量为10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制的发热体的情况下，若在高温下长期使用，Rh也会逐渐从Pt中游离，发生氧化分解而容易飞散。这样，若Rh发生飞散，则合金的组成比例发生变化，熔点降低，因而变得无法耐受高温下的使用，关于这一点如上文所述。
图7是示出有氧化锆涂层和无氧化锆涂层的发热体20随使用次数的重量减少的图。该试验通过在经过每次使用后将发热体20从炉内取出并测定其重量来进行。
如图7所示，在使用无氧化锆涂层的发热体20的情况下，在较少的使用次数时，其重量减少显著。另外可知，在使用施有氧化锆涂层的发热体20的情况下，重量减少缓慢，寿命延长。具体而言，能够反复使用50次以上，并且1700℃以上的状态累积使用了600小时以上。认为发热体20的重量减少是由于在Pt-Rh合金制的发热体中，Pt不容易氧化，另一方面Rh容易氧化，因而通过在高温下的使用，Rh逐渐从合金中分离，发生氧化分解而发生飞散所致的。通过在发热体20上施加氧化锆涂层，能够尽可能地抑制发热体20与氧的接触，能够防止Rh的飞散。
另外，尽管未图示，但优选在发热体20的下部设置狭缝等切口部、或者使发热体20下部形成得比其他部位薄。
由此，可将由高频线圈22的加热所致的发热体20下部的发热量抑制得比其他部位低，可更有效地抑制Rh的飞散。
发热体20被载置在由蓝宝石等绝热材料构成的底部18上，但由于发热体20的底部的发热量被抑制得较低，因而可抑制发热体20与底部18的粘结，并且还可抑制由此导致的氧化锆涂层的剥离，因而可抑制发热体20的露出、抑制Rh的飞散。
由于坩埚28中的结晶的生长是在发热体20内上部的均热区进行的，因而即使将发热体20下部的发热抑制得较低，对结晶的生长也没有阻碍。
接着，对坩埚28进行说明。
在β-Ga2O3晶体的制造中，作为坩埚28的材料，使用铂系合金材料、优选使用Pt-Rh合金材料。
通过在坩埚28中使用Pt系合金材料、特别是Pt-Rh系合金材料，尽管在大气中，也与例如单独使用Ir的情况不同，能够防止坩埚28的氧化，另一方面，由于在氧丰富的大气中进行结晶生长，因而能够进行没有缺氧缺陷的氧化镓的结晶生长。
在坩埚28使用铂系合金材料的坩埚时，还能够进行氧化镓以外的、具有比Pt的熔点更高的熔点的金属氧化物的结晶的生长。
在钽酸锂(LiTaO3：LT)单晶的制造中，作为坩埚材料，使用铂系材料。优选铂100％的材料(需要说明的是，铂100％也包括含有在制造时不可避免地混入的小于1％的杂质的材料)，但也可以为纯度95wt％以上的材料。可以是混入有5wt％左右的例如铑(Rh)的材料。若为5wt％左右的铑，则能够降低铑在结晶中的溶出，不太会给晶体的品质带来不良影响。并且，通过混入铑，坩埚的熔点增高，因而从这方面考虑，能够有效地抑制坩埚的变形。
通过在坩埚28中使用铂材料，尽管在大气中，也与例如单独使用Ir的情况不同，能够防止坩埚28的氧化，另一方面，由于在氧丰富的大气中进行结晶生长，因而能够进行没有缺氧缺陷的高品质的钽酸锂单晶的结晶生长。
【实施例】
以下，示出使用图1所示的单晶制造装置10制造β-Ga2O3单晶和LiTaO3单晶的实施例。
(β-Ga2O3的结晶生长的实施例)
在图1所示的VB(垂直布里奇曼)炉内尝试了无晶种单向凝固β-Ga2O3结晶生长。
向内径25mm、高度50mm的Pt-Rh系合金制造的坩埚中填充β-Ga2O3烧结体原料，在按照使β-Ga2O3的熔点(约1795℃)附近的温度梯度为5℃/cm～10℃/cm的方式设定了温度分布的1800℃以上的空气高温炉(图1所示的装置)内使其全部熔解。之后，同时进行坩埚移动和炉内温度降低，进行单向凝固。冷却后剥下坩埚，取出生长结晶。
将通过上述单向凝固β-Ga2O3结晶生长得到的典型的3种晶体的晶体照片示于图8中。晶体A是全部进行了多晶成长的情况。晶体B是从多晶生长突然变化为单晶生长的情况。晶体C是从底面到上端进行了单晶生长的情况。由X射线衍射和特征性晶习观察鉴定出，晶体B的上部单晶部分和单晶C均在<100>方向进行了(100)面的小面生长，进而均在与(100)面成约104°处出现了(001)小面，与这两个小面垂直的方向为<010>方向。<010>方向的生长速度比<100>方向快约1个数量级，由于较强的生长速度各向异性，确认到即使在无晶种条件下也高概率地在<100>方向进行(100)面小面生长。
另外，由所得到的单晶切出与成长方向垂直的(100)面基板，得到厚度约0.5mm的双面镜面研磨基板。对于这些基板试样，进行正交尼科耳观察、X射线形貌观察、KOH蚀刻后光学显微镜观察。
将正交尼科耳观察结果示于图9A中。可知为不存在能够在该观察方法中检测出的小角度倾斜晶界的单晶基板。将相同基板的透射X射线形貌照片示于图9B中。除外周部的一部分以外，得到了透射X射线衍射图像。外周部的图像欠缺的部分(白色部)相当于高位错密度区域或无法利用正交尼科耳法检测出的轻微的倾角。将大致沿<010>方向局部排列的位错蚀坑列示于图9C中。其密度为2×103个/cm2左右。在与图9B的X射线形貌照片的白色部分相当的区域存在有5×105个/cm2左右的高密度位错蚀坑。另外，将不与X射线形貌图像对应的在<010>方向以10μm～几十μm的大小排列成线状的缺陷示于图9D中。该缺陷在无蚀刻的条件下也可观察到，认为是线状缺陷。
在本实施例中，坩埚28是一次性的，但Pt-Rh合金制且在整个面上施有氧化锆涂层的发热体20能够在50次以上的结晶生长中反复使用。
(LiTaO3的结晶生长的实施例)
如下进行利用VB法的钽酸锂单晶的结晶生长。
首先，基于预先测量的高频线圈22的输出和炉主体内温度(以下称为炉内温度)数据，使高频线圈22以所需输出进行输出，预先按照达到图10A所示的炉内温度分布的方式使炉内升温。需要说明的是，图10B是图10A中的a部的放大图。接着，将容纳有钽酸锂的晶种和钽酸锂的原材料的坩埚28载置于衬套26中，使坩埚支承轴24上升，使坩埚28上升到均热区，使钽酸锂熔解。接着，使坩埚支承轴24下降，使坩埚28在炉外冷却，由此使熔解的钽酸锂固化、结晶化，能够得到钽酸锂单晶。
然后，可以使炉内温度降低至适当温度，使坩埚再次上升到炉内，根据需要进行结晶的退火处理。
在从坩埚28中取出钽酸锂单晶时，用剪刀等切开铂制的坩埚28，将结晶取出。切开的坩埚28可以熔解后再利用。需要说明的是，为了容易切开，坩埚28以厚度0.5mm以下(优选为0.1mm～0.2mm)的铂制为宜。
在利用VGF法的钽酸锂单晶的结晶生长的情况下，也预先按照达到图10A所示的炉内温度分布的方式掌握对发热体20进行加热时的高频线圈22的输出。
在利用VGF法的钽酸锂单晶的结晶生长时，将容纳有钽酸锂的晶种和钽酸锂的原材料的坩埚28载置于衬套26中，使坩埚支承轴24上升，使坩埚28预先上升至应为炉内的均热区的高度位置。接着，使高频线圈22以所需输出进行工作，按照达到图10A所示的温度分布的方式使炉内温度上升，使钽酸锂熔解。接着，降低炉内温度，使钽酸锂固化、结晶化，能够得到钽酸锂单晶。在利用VGF法时，由于将坩埚28固定配置于所需高度位置并使炉内温度上升、下降，因而具有在温度下降时可同时进行退火处理的优点。另外，由于在结晶生长时使炉内温度上升、下降，因而能够精细地以良好的精度进行温度控制，因此能够得到更高品质的钽酸锂单晶。
图11中示出利用VGF法时进行炉内温度控制时的炉内温度的分布的一例。另外，图12中示出此时的温度控制流程。图13是示出炉内温度对高频线圈22的输出的追随性的图。
在工序S1中，在坩埚28中收纳钽酸锂的晶种和钽酸锂的原材料，使坩埚28上升到炉内的规定位置(应为上述均热区的位置)。炉内温度为室温。
在工序S2中，使高频线圈22的输出比较急剧地上升，使炉内温度急剧上升，直至炉内温度达到约1295℃为止。这期间的时间为约600分钟。由此能够缩短节拍时间。由于使输出急剧上升，因而炉内温度的追随性低(图13)。
在工序S3中，使高频线圈22的输出恒定，将炉内的温度保持恒定，使炉内的温度稳定化。这期间的时间为约650分钟。但是，在今后的实施中，炉内温度稳定化不需要650分钟，360分钟左右即足够。
接着，在工序S4中，再次使高频线圈22的输出急剧上升，使炉内温度上升至即将达到引晶温度的约1500℃。这期间的时间为约230分钟。由于在工序S3中使炉内温度稳定化、使炉内温度分布均匀化，因而炉内温度上升对于高频线圈22的输出的追随性高(图13)。
接着，在工序S5中，将高频线圈22的输出的上升抑制得较低，缓慢地升高温度，直至炉内温度、即坩埚28的温度达到引晶温度为止。这期间的时间为约150分钟。这样，通过使炉内温度缓慢地上升，能够防止坩埚28的温度超过引晶温度(约1586℃)。
然后，在工序S6中，使高频线圈22的输出恒定，使坩埚28的温度恒定为约1586℃，将原材料钽酸锂溶解，进行引晶。这期间的时间为约180分钟。需要说明的是，坩埚28的温度是用热电偶头30测量的坩埚28的底部的温度，因而认为坩埚28内的温度上升至高于该温度的约1650℃。
如上所述，由于在工序S5中使炉内温度缓慢地上升，以防止坩埚28的温度超过引晶温度(约1586℃；坩埚内的实际引晶温度为1650℃)，因而能够以良好的精度且高效地进行钽酸锂的单晶化。另外，由于不会将坩埚28过加热，因而不会发生铂制的坩埚28软化、变形等不良情况。另外，工序S5和S6中的炉内温度上升对于高频线圈22的输出的追随性当然高(图13)。
这样，通过制作能够精细地以良好的精度进行温度控制的制造装置，实行炉内温度上升的追随性高的控制，能够在将铂坩埚在不发生软化、变形的情况下进行使用。
另外可知，使铂坩埚的温度比铂熔点(1768℃)低50℃左右即可。
接着，在工序S7中，稍微降低高频线圈22的输出，使炉内温度、从而使坩埚28的温度缓慢降低至约1425℃，使熔解的钽酸锂固化、结晶化。这期间的时间为约3010分钟。在该工序S7中，炉内温度下降对于高频线圈22的输出的追随性高(图13)。在该工序S7中，实质上也进行退火处理。
然后，在工序S8中，使高频线圈22的输出比较急剧地降低，使炉内温度降低至室温，结束结晶生长。工序S8的时间为约2660分钟。在工序S8中，炉内温度下降对于高频线圈22的输出的追随性低(图13)。
如上所述，在图11、图12所示的炉内温度控制的实施方式中，在工序S1、S2、S3、S8中，炉内温度延迟地追随于高频线圈22的输出变化，但在需要精密的温度控制的工序S4～S7、特别是工序S5～S7中，炉内温度对于高频线圈22的输出变化的追随性高。这意味着，在需要精密的温度控制的工序S5～S7中，能够进行所需要的精确的温度控制，能够生长高品质的钽酸锂单晶，并且能够在不使坩埚28变形的情况下进行结晶的生长。
图14是使用铂100％的坩埚利用图1所示的高频加热炉以图11所示的炉内温度分布通过VGF法进行结晶生长而得到的钽酸锂单晶的照片。
需要说明的是，图11、图12所示的炉内温度的分布和控制流程为一例，并不限定于此。
如上所述，在本实施例中，通过采用能够减小温度梯度的VB法或VGF法，可实现炉内温度分布的均匀化，能够将炉内最高温度抑制得较低，因而能够将与钽酸锂的熔点差小的铂制的坩埚在不发生软化、变形的情况下进行使用。并且，由于能够使用铂制的坩埚，因此坩埚材料几乎不会熔解到结晶中，能够精密地进行炉内温度控制，与之相应地，发挥出能够进行高品质的钽酸锂单晶的生长的效果。
另外，由于能够在氧化气氛中(大气中)进行钽酸锂单晶的结晶生长，因此不会像使用例如Ir(铱)制坩埚的情况那样需要导入惰性气体等，具有在实现装置的小型化的同时还能够容易地进行退火处理的优点。
以上通过各实施例的结果确认了氧化镓和钽酸锂的单晶的生长，利用本实施方式中的单晶制造装置，能够实现熔点最高约为1800℃的金属氧化物的单晶的商业制造。

Claims (10)

1.一种单晶制造装置，其是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置，其具备：基体；配设在该基体上的具有耐热性的筒状的炉主体；将该炉主体封闭的盖体；配设于所述炉主体内的发热体；利用高频感应加热对该发热体进行加热的高频线圈；以及由所述发热体进行加热的坩埚，所述单晶制造装置的特征在于，
所述发热体由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。
2.如权利要求1所述的单晶制造装置，其特征在于，所述发热体为Pt-Rh合金制。
3.如权利要求2所述的单晶制造装置，其特征在于，所述发热体为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制。
4.如权利要求1～3中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述发热体呈筒状，在下部具有切口部。
5.如权利要求1～3中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述发热体呈筒状，下部形成得比其他部位薄。
6.如权利要求1～5中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述炉主体的内壁形成为将具有所需高度的环状耐热部件多个层叠而成的耐热壁，并且所述环状耐热部件接合多个分割片而形成为环状。
7.如权利要求1～6中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述金属氧化物具有比Pt的熔点更高的熔点。
8.如权利要求1～7中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述坩埚为Pt-Rh合金制，用于制造β-Ga2O3的单晶。
9.如权利要求8所述的单晶制造装置，其特征在于，所述坩埚为Rh含量10wt％～30wt％的Pt-Rh合金制。
10.如权利要求1～6中任一项所述的单晶制造装置，其特征在于，所述坩埚为Pt制，用于制造LiTaO3的单晶。
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