CN107923031B - 蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材 - Google Patents

蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材 Download PDF

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Abstract

一种电铸制的蒸镀用金属掩模，具备孔内周面(321S)，该孔内周面(321S)划分出以大开口(322F)为底部并具有锥台状的掩模孔(321H)。在与表面正交的截面中，将大开口(322F)和小开口(322B)连结的虚拟直线Li与背面所成的倾斜角度(θ)为50°以上且85°以下，表面与背面的距离为厚度(H)，在与背面平行且与背面之间的距离为(2/3)×H的基准面(Pi)中，孔内周面(321S)与虚拟直线的距离为凹陷量(A)，满足0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3。

Description

蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属 掩模形成基材
技术领域
本发明涉及蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材。
背景技术
蒸镀法所使用的蒸镀用金属掩模具备掩模孔作为供升华的粒子穿过的通路。掩模孔具备与蒸镀对象对置的小开口、以及与蒸镀源对置的大开口。掩模孔的形成方法使用例如激光照射法、湿式蚀刻法及电铸法中的某一个(例如，参照专利文献1～3)。
激光照射法向金属掩模的基材即金属板的表面照射激光光，通过激光光所施加的热量使金属板的一部分持续熔化，由此在金属板形成掩模孔。此时，为了提高掩模孔的形状的精度，可使用强度较低的脉冲光等。结果，在现实的制造中，激光照射法无法获得生产率。
湿式蚀刻法在金属掩模的基材即金属板的表面形成抗蚀剂图案，并通过使用了抗蚀剂图案的金属板的蚀刻形成掩模孔。此时，蚀刻的行进方向不仅是与金属板垂直的方向，而是从抗蚀掩模的开口朝向金属板的大致整个方向。因此，难以减小大开口的大小与小开口的大小之比，在现实的制造中，湿式蚀刻法不能应对掩模孔的高密度化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014‐148744号公报
专利文献2:日本特开2016‐011434号公报
专利文献3:日本特开平10‐129140号公报
发明内容
发明要解决的课题
另一方面，电铸法在作为电极发挥功能的金属板的表面形成抗蚀剂图案，使堆积于金属板的表面的电沉积物离开金属板，由此在电沉积物形成具有对抗蚀剂图案的形状进行追随的形状的掩模孔。抗蚀剂图案的形成所需的时间较短，另外，电沉积物的堆积所需的时间也较短，因此在现实的制造中，电铸法无法获得较高的生产率。另外，由于掩模孔的形状追随于抗蚀剂图案的形状，因此电铸法作为对孔内周面赋予新的形状的技术而被期待。
近年来，掩模孔的高密度化不断发展，对掩模孔进行划分的孔内周面的微细化受到强烈的期待。另一方面，在使用蒸镀用金属掩模进行蒸镀时，升华的粒子附着于掩模孔的孔内周面。附着于孔内周面的粒子成为从掩模孔穿过的粒子的阻碍，孔内周面越是微细化，该阻碍变得越显著。因此，在上述蒸镀用金属掩模中，强烈要求在能够实现孔内周面的高密度化的同时抑制用于将粒子的堆积物去除的维护的频率。
本发明的目的在于，提供能够抑制维护的频率提高且能够实现掩模孔的高密度化的蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材。
用于解决课题的手段
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模为一种电铸制的蒸镀用金属掩模，具备：表面，具有在蒸镀装置中与蒸镀源对置的大开口；背面，是与上述表面相反的一侧的面，具有小开口；以及孔内周面，与上述表面和上述背面连接，蒸镀用金属掩模中划分掩模孔，上述掩模孔是通往上述大开口和上述小开口的锥台状的孔，其中，在与上述表面正交且从上述大开口和上述小开口经过的截面中，将上述大开口的边缘和上述小开口的边缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述背面所形成的倾斜角度θ为50°以上且85°以下，上述表面与上述背面的距离为蒸镀用金属掩模的厚度H，与上述背面平行且与上述背面之间的距离为(2/3)×H的虚拟面是基准面，在上述基准面中，上述孔内周面与上述虚拟直线的距离为凹陷量A，满足0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3。
这里，若将H/(3×tanθ)设为虚拟凹陷量DA，则上述[(3×tanθ)×A]/H表示凹陷量A相当于虚拟凹陷量DA的比例。虚拟凹陷量DA指的是与背面之间的距离为(2/3)×H的基准面中，沿蒸镀用金属掩模的厚度方向投影大开口的位置与上述虚拟直线之间的距离。
根据上述构成，倾斜角度θ为50°以上85°以下，如各向同性的蚀刻那样，可得到不能通过各向同性的加工得到的较大的倾斜角度θ。因此，与通过各向同性的加工获得的以往的构成相比，能够实现掩模孔的高密度化。
另一方面，凹陷量A相当于虚拟凹陷量DA的比例大于0且为0.3以下。因此，与凹陷量A相对于虚拟凹陷量DA的比例为0的构成相比，即使孔内周面被粒子附着，也能够利用具有与凹陷量A相当的大小的空间使该残渣堆积。
此时，上述残渣虽然越在靠近大开口的部位越容易堆积，但位于大开口的附近的残渣难以对蒸镀图案产生明确的缺损。与此相对，虽然越是靠近小开口的部位，残渣越难以堆积，但位于小开口的附近的残渣由于其产生的阴影效应，容易对蒸镀图案产生明确的缺损。关于这一点，如果是上述构成，在具有倒锥台面状的孔内周面之中，在与背面之间的距离为(2/3)×H的基准面中确定了上述凹陷量A。即，对于满足上述残渣容易积存、以及容易对蒸镀图案产生明确的缺损这两方的范围，确定了上述凹陷量A。因此，只要是上述构成，就能够将容易对蒸镀图案产生明确的缺陷且容易堆积的不可避免的残渣以抑制给蒸镀带来的影响的方式可靠地贮存，结果，也抑制了对于蒸镀用金属掩模的维护的频率提高。
上述蒸镀用金属掩模也可以是，在与上述表面正交且从上述大开口和上述小开口经过的截面中，上述孔内周面具有弧状。采用该构成，由于孔内周面是连续面，因为也容易通过电铸法制造掩模。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述蒸镀用金属掩模的构成材料包含铁和镍的合金作为主成分，上述合金中的镍的含量为30质量％以上且45质量％以下。采用该构成，由于以金属材料中的热膨胀系数较小的铁和镍的合金为主成分，因此也能够在蒸镀用金属掩模中抑制因蒸镀时受到的热量导致的构造上的变化。
在上述蒸镀用金属掩模中，也可以是，上述厚度H为1μm以上40μm以下。采用该构成，由于蒸镀用金属掩模所具有的厚度H为10μm以上40μm以下，因此使得能够减小大开口的大小与小开口的大小之差且能够实现掩模孔的高密度化的效果更加显著。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模的制造方法包括如下步骤：在电极面上形成抗蚀剂图案，上述抗蚀剂图案是在上述电极面上具有顶面的倒锥台状的突起；使电沉积物从上述电极面起进行堆积，并且，以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态，形成上述电沉积物；以及从上述电极面分离上述电沉积物，作为离开上述电极面的上述电沉积物，形成蒸镀用金属掩模，在形成上述抗蚀剂图案时，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟表面，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(2/3)×T的面是基准面，上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟表面的部分是大周缘，上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述顶面的部分是小周缘，在与上述虚拟表面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为95°以上且130°以下，在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，以满足0＜[(3×tan(180°－θr))×W]/T≤0.3的方式，形成上述抗蚀剂图案。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模的制造方法包括如下步骤：在电极面上形成抗蚀剂图案，上述抗蚀剂图案是在上述电极面上具有底面的锥台状的突起；使电沉积物从上述电极面起进行堆积，并且，以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态，形成上述电沉积物；以及从上述电极面分离上述电沉积物，作为离开上述电极面的上述电沉积物，形成蒸镀用金属掩模，在形成上述抗蚀剂图案时，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟背面，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(1/3)×T的面是基准面，上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟背面的部分是大周缘，上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述底面的部分是小周缘，在与上述虚拟背面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为50°以上且85°以下，在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，以满足0＜[(3×tanθr)×W]/T≤0.3的方式，形成上述抗蚀剂图案。
采用上述各方法，如上述那样，能够形成满足与背面所成的倾斜角度θ为50°以上85°以下、且0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3的掩模孔。因此，能够制造出可抑制维护的频率提高且可实现掩模孔的高密度化的蒸镀用金属掩模。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模形成基材包括：电铸用的电极面，用于使蒸镀用金属掩模作为电沉积物而堆积；以及抗蚀剂图案，其是在上述电极面上具有顶面的倒锥台状的突起，用于以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态形成上述电沉积物，在上述抗蚀剂图案中，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟表面，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(2/3)×T的面是基准面，上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟表面的部分是大周缘，上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述顶面的部分是小周缘，在与上述虚拟表面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为95°以上且130°以下，在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，满足0＜[(3×tan(180°－θr))×W]/T≤0.3。
用于解决上述课题的蒸镀用金属掩模形成基材包括：电铸用的电极面，用于使蒸镀用金属掩模作为电沉积物而堆积；以及抗蚀剂图案，其是在上述电极面上具有底面的锥台状的突起，用于以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态形成上述电沉积物，在上述抗蚀剂图案中，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟背面，与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(1/3)×T的面是基准面，上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟背面的部分是小周缘，上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述底面的部分是大周缘，在与上述虚拟背面正交且从上述抗蚀剂图案经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为50°以上且85°以下，在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，满足0＜[(3×tanθr)×W]/T≤0.3。
根据基于使用了上述各蒸镀用金属掩模形成基材的电铸法的制造，如上述那样，能够形成满足与背面的倾斜角度θ为50°以上85°以下、且0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3的掩模孔。因此，能够制造出可抑制维护的频率提高且可实现掩模孔的高密度化的蒸镀用金属掩模。
附图说明
图1是表示蒸镀用金属掩模的一实施方式中的平面构造的俯视图。
图2是表示蒸镀用金属掩模的一实施方式中的截面构造的截面图。
图3是表示蒸镀用金属掩模形成基材的一实施方式中的截面构造的截面图。
图4是表示蒸镀用金属掩模形成基材的其他实施方式中的截面构造的截面图。
图5的(a)至(e)是表示蒸镀用金属掩模的制造方法的一实施方式中的工序的流程的工序流程图。
具体实施方式
以下，对蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材的一实施方式进行说明。首先，参照图1及图2，对蒸镀用金属掩模的构成进行说明。接着，参照图3及图4，对蒸镀用金属掩模形成基材的构成进行说明。最后，参照图5，对蒸镀用金属掩模的制造方法进行说明。
[蒸镀用金属掩模]
如图1所示，掩模装置10具备主框架20和3个蒸镀用金属掩模30。主框架20具有支承3个蒸镀用金属掩模30的框板状，安装于用于进行蒸镀的蒸镀装置。主框架20在与各蒸镀用金属掩模30对置的区域的大致整体具有贯通主框架20的主框架孔20H。
蒸镀用金属掩模30具备副框架31和电铸制的掩模部件32。副框架31具有支承多个掩模部件32的框板状，安装于主框架20。副框架31在与各掩模部件32对置的区域的大致整体具有贯通副框架31的副框架孔30H。各掩模部件32通过熔敷或粘合而固定于副框架孔30H的周围。参照图2说明掩模部件32所具有的截面构造的一例。
如图2所示，掩模部件32由以铁和镍的合金为主要成分的格子状的金属片材321构成。构成金属片材321的材料例如是包含30质量％以上45质量％以下的镍的铁镍合金，优选的是其中的以36质量％镍和64质量％铁的合金为主要成分的因瓦合金。在构成掩模部件32的材料是因瓦合金的情况下，金属片材321的热膨胀系数例如约为1.2×10－6/℃。如果是具有这样的热膨胀系数的金属片材321，则掩模部件32中的热膨胀的程度与玻璃基板中的热膨胀的程度相匹配，因此适合将玻璃基板用作蒸镀对象的一例。
掩模部件32具备在蒸镀装置中成为与蒸镀源对置的面的表面32F、以及作为与表面32F相反的一侧的面的背面32B。掩模部件32具有贯通金属片材321的多个掩模孔321H。表面32F包含掩模孔321H的大开口322F，背面32B包含掩模孔321H的小开口322B。掩模孔321H具有锥台状。掩模孔321H的底部为大开口322F，掩模孔321H的顶部为小开口322B。掩模孔321H在掩模部件32中被孔内周面321S划分出。孔内周面321S在与表面32F正交且从孔内周面321S经过的截面上，描绘出从表面32F朝向背面32B缓慢弯曲的弧状。大开口322F的大小在与表面32F对置的俯视下，比小开口322B大。大开口322F作为供从蒸镀源升华的蒸镀粒子穿过的通路的入口发挥功能。从蒸镀源升华的蒸镀粒子从大开口322F朝向小开口322B行进。
表面32F与背面32B的距离是金属片材321的厚度即厚度H。金属片材321所具有的厚度H为1μm以上100μm以下，优选的是2μm以上40μm以下。如果金属片材321所具有的厚度H为40μm以下，则能够使形成于金属片材321的掩模孔321H的深度为40μm以下。如果是具有40μm以下的厚度H的金属片材321，则在从朝向掩模部件32的表面32F飞行的蒸镀粒子观察蒸镀对象时，能够减少由于掩模部件32而成为不必要的遮挡的区域。即，能够抑制阴影效应。
在与表面32F正交且从大开口322F和小开口322B经过的截面中，将大开口322F的边缘和小开口322B的边缘连结的直线是虚拟直线Li。另外，在与表面32F正交且从大开口322F和小开口322B经过的截面中，该虚拟直线Li与背面32B所成的角度为倾斜角度θ。此外，在大开口322F的边缘和小开口322B的边缘是圆的情况下，上述截面经过大开口322F的中心及小开口322B的中心。另外，在大开口322F的边缘和小开口322B的边缘是矩形的情况下，上述截面也经过大开口322F的中心及小开口322B的中心。
另外，沿着背面32B的虚拟的、即与背面32B平行的虚拟的平面是虚拟面。另外，在多个虚拟面之中，与背面32B之间的距离为(2/3)×H的虚拟面是基准面Pi。另外，基准面Pi中孔内周面321S与虚拟直线Li的距离为凹陷量A。而且，各掩模孔321H满足下述[条件1]及[条件2]。
[条件1]50°≤倾斜角度θ≤85°
[条件2]0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3
满足[条件1]的掩模孔321H中的倾斜角度θ为50°以上85°以下，使掩模孔321H如对金属片材321进行的各向同性的蚀刻那样，具有无法通过各向同性的加工获得的较大的倾斜角度θ。因此，与通过各向同性的加工获得的以往的构成相比，能够在掩模部件32中实现掩模孔321H的高密度化。
此外，在通过各向同性的加工获得的掩模孔321H中，倾斜角度θ将会小于[条件1]的范围。小开口322B的位置、大小由蒸镀粒子应到达的位置、大小预先决定。结果，倾斜角度θ越小，大开口322F的大小越大，导致彼此相邻的大开口322F之间的距离变窄。进而，彼此相邻的大开口322F的一部分相互结合，就连掩模部件32的机械强度都难以获得。关于这一点，只要是满足上述[条件1]的掩模孔321H，就能够抑制机械强度过度降低，并且也能够实现高密度化。
只要是满足[条件2]的掩模孔321H，则凹陷量A相对于虚拟凹陷量DA的比例比0大且为0.3以下。因此，与凹陷量A相对于虚拟凹陷量DA的比例为0的构成相比，即，与以虚拟直线Li为孔内周面321S的掩模孔321H相比，即使蒸镀粒子附着于孔内周面321S，也能够在具有与凹陷量A相当的大小的空间内贮存蒸镀粒子的堆积物即残渣。
此时，相比于小开口322B更靠近大开口322F的残渣是大开口侧残渣，相比于大开口322F更靠近小开口322B的残渣是小开口侧残渣。而且，大开口侧残渣的生长比小开口侧残渣的生长更容易进展。另一方面，大开口侧残渣与蒸镀对象的距离比小开口侧残渣与蒸镀对象的距离大。因此，大开口侧残渣相比于小开口侧残渣，更不易使形成于蒸镀对象的蒸镀图案产生缺损。即，大开口侧残渣比小开口侧残渣生长更快，而另一方面比小开口侧残渣更不易使蒸镀图案产生缺损。小开口侧残渣比大开口侧残渣生长更慢，而另一方面比大开口侧残渣更容易使蒸镀图案产生缺损。
关于这一点，只要是满足[条件2]的掩模孔321H，则在与背面32B的距离为(2/3)×H的基准面Pi上上述凹陷量A被确定。即，在掩模孔321H中的厚度方向上，基准面Pi位于上述残渣容易积存的部位。另外，在掩模孔321H中的厚度方向上，基准面Pi位于容易因孔内周面321S上积蓄的残渣使蒸镀图案产生明确的缺损的部位。而且，上述凹陷量A在这样的基准面Pi上被确定。因此，只要是满足[条件1]及[条件2]的具有凹陷量A的掩模孔321H，就能够将在不具有凹陷量A的掩模孔中容易对蒸镀图案产生明确的缺陷且容易堆积那样的残渣，作为给蒸镀带来的影响得以抑制的残渣而恰当地贮存。结果，用于消除残渣给蒸镀带来的不良的维护、即对蒸镀用金属掩模的维护的频率提高也得以抑制。
此外，沿着背面32B的方向上的、虚拟直线Li与孔内周面321S的距离在比基准面Pi靠背面32B侧具有最大值。这样的孔内周面321S的形状伴随着在基准面Pi上满足上述[条件1]及[条件2]，维持了可高密度化，并且在虚拟直线Li与孔内周面321S的距离最大的区域更容易贮存小开口侧残渣。结果，更可靠地抑制了维护的频率提高。
[蒸镀用金属掩模形成基材]
接下来，参照图3，对在制造蒸镀用金属掩模的方法中使用的蒸镀用金属掩模形成基材的一例进行说明。另外，参照图4，对在制造蒸镀用金属掩模的方法中使用的蒸镀用金属掩模形成基材的其他例进行说明。此外，图4所示的例子与图3所示的例子中的抗蚀剂图案的形状不同。详细地说，图3示出了具备具有与电极面平行的截面上的面积越是靠近电极面的部位则越小的形状、即倒锥形状的抗蚀剂图案的例子。图4示出了具备具有与电极面平行的截面上的面积越是靠近电极面的部位则越大的形状、即正锥形状的抗蚀剂图案的例子。而且，在参照了图4的说明中，主要说明与图3所示的例子的差异，省略重复的说明。
如图3所示，蒸镀用金属掩模形成基材50具备电极部件51和抗蚀剂图案52。电极部件51在用于形成金属片材321的电解中作为阴极发挥功能。电极部件51可以是例如SUS304等不锈钢部件，也可以是在玻璃基板或树脂片上层叠有电极材料的部件。电极部件51具备作为平滑面的电极面51S，来作为用于形成金属片材321的面。
抗蚀剂图案52是呈岛状分散于电极面51S中的图案。抗蚀剂图案52是倒锥台状的突起。抗蚀剂图案52具备位于电极面51S的顶面52B、以及作为与顶面52B相反的一侧的面的底面52F。抗蚀剂图案52在形成金属片材321的电解中作为掩模发挥功能。另外，抗蚀剂图案52具备作为外周面的抗蚀剂外周面52S。抗蚀剂图案52在形成金属片材321的电解中，使具备追随于抗蚀剂外周面52S的面的电沉积物堆积于电极面51S。
在蒸镀用金属掩模形成基材50中，在沿着电极面51S的虚拟面、即与电极面51S平行的平面之中与电极面51S的距离是抗蚀剂厚度T的面为虚拟表面Pf。另外，在沿着电极面51S的虚拟面之中与电极面51S的距离为(2/3)×T的面是基准面Pi。
另一方面，在抗蚀剂图案52中，抗蚀剂外周面52S之中位于虚拟表面Pf的部分是大周缘521F。另外，抗蚀剂外周面52S之中顶面52B的周缘是小周缘521B。另外，在抗蚀剂图案52中，在与虚拟表面Pf正交的截面上，将大周缘521F和小周缘521B连结的直线是虚拟直线Li。另外，在与虚拟表面Pf正交的截面中，电极面51S与虚拟直线Li所成的角度是抗蚀剂倾斜角度θr。此外，在大周缘521F和小周缘521B是圆的情况下，上述截面经过大周缘521F的中心和小周缘521B的中心。另外，在大周缘521F和小周缘521B是矩形的情况下，上述截面也经过大周缘521F的中心和小周缘521B的中心。
另外，在基准面Pi中，抗蚀剂外周面52S与虚拟直线Li的距离是突出量W。而且，各抗蚀剂图案52满足下述[条件3]及[条件4]。
[条件3]95°≤倾斜角度θr≤130°
[条件4]0＜[(3×tan(180°－θr))×W]/H≤0.3
满足上述[条件3]及[条件4]的抗蚀剂图案52能够形成具备如下小开口322B的孔内周面321S，该小开口322B具有对小周缘521B的形状进行追随的形状。另外，能够形成具备如下大开口322F的孔内周面321S，该大开口322F具有对大周缘521F的形状进行追随的形状。另外，能够形成对抗蚀剂外周面52S的形状进行追随的孔内周面321S。即，满足上述[条件3]及[条件4]的抗蚀剂图案52能够形成满足上述[条件1]及[条件2]的掩模孔321H。
抗蚀剂图案52由能够通过光交联形成图案的负型抗蚀剂构成。该负型抗蚀剂优选的是表面(在图3中是底面52F)的固化比背面(图3中是顶面52B)的固化更快、越靠电极面51S的附近则光的到达量越少的材料。在这种负型抗蚀剂中，例如能够使用将光的吸收率比抗蚀剂高的颜料添加到抗蚀剂中而成的负型抗蚀剂。抗蚀剂图案52也可以由通过照射光而呈现出碱溶性的正型抗蚀剂构成。在采用该正型抗蚀剂的情况下，从相对于正型抗蚀剂的表面的倾斜方向，进行基于光掩模的干扰的曝光，在正型抗蚀剂的显影后形成了伸出部分。
如图4所示，其他例子中的蒸镀用金属掩模形成基材50也具备电极部件51和抗蚀剂图案62。抗蚀剂图案62是在电极面51S中呈岛状分散的图案。抗蚀剂图案52是锥台状的突起。抗蚀剂图案52具备位于电极面51S的底面62B、以及作为与底面62B相反的一侧的面的顶面62F。抗蚀剂图案62也在形成金属片材321的电解中作为掩模发挥功能。另外，抗蚀剂图案62具备作为外周面的抗蚀剂外周面62S。抗蚀剂图案52在形成金属片材321的电解中，使具备对抗蚀剂外周面62S进行追随的面的电沉积物堆积于电极面51S。
在蒸镀用金属掩模形成基材50中，在沿着电极面51S的虚拟面、即与电极面51S平行的平面之中与电极面51S的距离是抗蚀剂厚度T的面为虚拟背面Pb。另外，在沿着电极面51S的虚拟面之中与电极面51S的距离为(1/3)×T的面是基准面Pi。
另一方面，在抗蚀剂图案62中，抗蚀剂外周面62S之中位于虚拟背面Pb的部分是小周缘621B。另外，抗蚀剂外周面62S之中底面62B的周缘是大周缘621F。另外，在抗蚀剂图案62中，在与虚拟背面Pb正交的截面上，将大周缘621F和小周缘621B连结的直线是虚拟直线Li。另外，在与虚拟背面Pb正交的截面中，电极面51S与虚拟直线Li所成的角度是抗蚀剂倾斜角度θr。
此外，在大周缘621F和小周缘621B是圆的情况下，上述截面经过大周缘621F的中心和小周缘621B的中心。另外，在大周缘621F和小周缘621B是矩形的情况下，上述截面也经过大周缘621F的中心和小周缘621B的中心。
另外，在基准面Pi中，抗蚀剂外周面62S与虚拟直线Li的距离是突出量W。而且，各抗蚀剂图案62满足下述[条件5]及[条件6]。
[条件5]50°≤倾斜角度θr≤85°
[条件6]0＜[(3×tanθr)×W]/H≤0.3
满足上述[条件5]及[条件6]的抗蚀剂图案62能够形成具备如下小开口322B的孔内周面321S，该小开口322B具有对小周缘621B的形状进行追随的形状。另外，能够形成具备如下大开口322F的孔内周面321S，该大开口322F具有对大周缘621F的形状进行追随的形状。另外，能够形成对抗蚀剂外周面62S进行追随的形状的孔内周面321S。即，满足上述[条件5]及[条件6]的抗蚀剂图案62能够形成满足上述[条件1]及[条件2]的掩模孔321H。
[蒸镀用金属掩模的制造方法]
接下来，参照图5，对蒸镀用金属掩模的制造方法进行说明。此外，使用在图3中说明的蒸镀用金属掩模形成部件的制造方法及使用在图4中说明的蒸镀用金属掩模形成部件的制造方法，彼此不同在于掩模部件32的表背反转。因此，省略彼此相同的点，并且详细说明伴随着掩模部件32的表背的反转而产生的差异，以下，主要说明使用在图3中说明的蒸镀用金属掩模形成部件的制造方法。
如图5(a)所示，在蒸镀用金属掩模的制造方法中，在电极部件51的电极面51S上层叠用于形成抗蚀剂图案52的抗蚀剂层52T。接着，如图5(b)所示，进行对于抗蚀剂层52T的曝光及显影，形成抗蚀剂图案52、62。此时，例如，以满足上述[条件3]及[条件4]的方式选择抗蚀剂材料和曝光条件，由此形成图3中说明的具有倒锥台状的抗蚀剂图案52。此外，在使用在图4中说明的蒸镀用金属掩模形成部件的制造方法中，以满足上述[条件5]及[条件6]的方式选择抗蚀剂材料和曝光条件，由此形成图4中说明的具有锥台状的抗蚀剂图案62。
接下来，如图5(c)所示，蒸镀用金属掩模形成部件被浸渍于电解浴，被进行用于在电极面51S形成电沉积物的电解。电解所使用的电解浴例如包含铁离子供给剂、镍离子供给剂、以及pH缓冲剂。另外，电解所使用的电解浴也可以是含有应力缓和剂、Fe3+离子掩模剂、苹果酸、柠檬酸等络合剂等，而被调整为适合于电解的pH的弱酸性的溶液。铁离子供给剂例如为硫酸亚铁七水合物、氯化亚铁、氨基磺酸铁等。镍离子供给剂例如为硫酸镍(II)、氯化镍(II)、氨基磺酸酸镍、溴化镍。pH缓冲剂例如为硼酸、丙二酸。丙二酸还作为Fe3+离子掩模剂起作用。应力缓和剂例如为糖精钠。电解所使用的电解浴例如是含有上述添加剂的水溶液，并通过5％硫酸或者碳酸镍等pH调整剂将pH调整为例如2以上3以下。
电解所使用的电解条件是金属片材321中的镍的组成比等根据电解浴的温度、电流密度、以及电解时间而被调整的条件。使用了上述电解浴的电解条件下的阳极例如为纯铁和镍。电解浴的温度例如为40℃以上60℃以下。电流密度例如为1A/dm2以上4A/dm2以下。
通过进行上述电解，能够使具有对抗蚀剂图案52、62的抗蚀剂外周面52S、62S进行追随的面的电沉积物从电极面51S堆积。即，能够在电极面51S之上形成具有满足上述条件[条件1]及[条件2]的掩模孔321H的掩模部件32。
此外，例如在从轧制用的母材形成金属片材321时，通常，将在用于形成轧制用的母材的材料中混入的氧除去，例如，将粒状的铝、镁等脱氧剂混合到用于形成母材的材料中。结果，铝、镁作为氧化铝、氧化镁等金属氧化物而包含于母材。这种金属氧化物的大部分在母材被轧制之前，被从母材去除，另一方面，金属氧化物的一部分残留于成为轧制的对象的母材。在这一点，根据使用电解的制造方法，可抑制上述金属氧化物混入金属片材321。
接下来，如图5(d)所示，从电极面51S将抗蚀剂图案52、62去除。抗蚀剂图案52的去除例如使用剥离法，抗蚀剂图案62的去除例如使用化学的溶解。此外，在抗蚀剂图案52、62是正型抗蚀剂的情况下，通过在热固化前对抗蚀剂层52T进行曝光，可获得抗蚀剂图案52、62对于显影液的可溶性。另外，在抗蚀剂图案52、62是负型抗蚀剂的情况下，例如也能够通过N－甲基吡咯烷酮系的溶液使抗蚀剂图案52、62溶胀而将其从电极面51S剥离。
接下来，如图5(e)所示，通过从电极面51S分离金属片材321，制造出掩模部件32。此外，也可以在之后对离开电极面51S的掩模部件32实施退火处理。然后，多个掩模部件32中的表面32F被固定于副框架31，从而制造出上述蒸镀用金属掩模。
接下来，对蒸镀用金属掩模、蒸镀用金属掩模的制造方法及蒸镀用金属掩模形成基材的实施例、以及参考例，以下参照表1进行说明。
[实施例1]
[抗蚀剂层组成物的制成]
0053段将70重量份的季戊四醇三丙烯酸酯、123重量份的Cardo树脂(V259ME：新日铁住金化学公司制)、以及14重量份的光聚合引发剂(IRGACURE907：BASFJapan公司制)(IRGACURE是注册商标)，以抗蚀剂层组成物的固体含量成为50重量％的方式用环己酮稀释，调制出抗蚀剂层组成物。
[蒸镀用金属掩模的制造]
在电极部件51的电极面51S上，以使干燥后的膜厚成为30μm的方式涂覆了负型的抗蚀剂层组成物。之后，利用热板使抗蚀剂层组成物干燥90℃/3分钟，使用高压水银灯(光的强度：365nm明线的照度为40mW/cm2)，经由光掩模照射了曝光量200mJ/cm2。接着，使用碱性显影液(CD126：ADEKA公司制)，通过旋转显影进行了60秒钟显影，由此获得了抗蚀剂图案。抗蚀剂图案的尺寸在俯视时为60μm×60μm。另外，用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为22.2μm，底面52F的宽度为62.2μm，为倒锥台状。
接着，进行以电极部件51为电极的电解，在电极面51S上堆积具有30μm厚度的电沉积物。此外，在电沉积物的膜厚为10μm以下的水准中，在电沉积物中确认到了较多的针孔。接着，使用N－甲基吡咯烷酮系的剥离液去除了抗蚀剂图案。然后，通过从电极面51S分离电沉积物而获得了掩模部件32。观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为55°，[(3×tanθ)×A]/H为0.26。
[实施例2]
将实施例1中的显影时间变更为45秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了实施例2的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B宽度为35.9μm，底面52F的宽度为62.7μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为73.6°，[(3×tanθ)×A]/H为0.16。
[实施例3]
将实施例1中的曝光量变更为150mJ/cm2，另外，将显影时间变更为45秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了实施例3的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为20.5μm，底面52F的宽度为61.8μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为67.9°，[(3×tanθ)×A]/H为0.29。
[实施例4]
将实施例1中的曝光量变更为100mJ/cm2，另外，将显影时间变更为30秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了实施例4的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到顶面的宽度为54.2μm，底面的宽度为62.5μm，为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为82.4°，[(3×tanθ)×A]/H为0.08。
[参考例1]
将实施例1中的曝光量变更为150mJ/cm2，另外，将显影时间变更为30秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例1的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度和底面52F的宽度均为62.9μm，为大致立方体形状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为90.0°。
[参考例2]
将实施例1中的显影时间变更为30秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例2的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为60.4μm，底面52F的宽度为63.6μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为89.6°，[(3×tanθ)×A]/H为0.00。
[参考例3]
将实施例1中的曝光量变更为150mJ/cm2，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例3的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为17.8μm，底面52F的宽度为59.8μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为46.3°，[(3×tanθ)×A]/H为0.32。
[参考例4]
将实施例1中的曝光量变更为100mJ/cm2，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例4的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为12.7μm，底面52F的宽度为58.4μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为36.7°，[(3×tanθ)×A]/H为0.38。
[参考例5]
将实施例1中的曝光量变更为100mJ/cm2，另外，将显影时间变更为45秒，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例5的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度为18.4μm，底面52F的宽度为60.3μm，抗蚀剂图案为倒锥台状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为53.8°，[(3×tanθ)×A]/H为0.35。
[参考例6]
[抗蚀剂层组成物的制成]
将70重量份的季戊四醇三丙烯酸酯、350重量份的丙烯酸树脂(TLZ3000：大阪有机化学工业公司制)、以及14重量份的光聚合引发剂(IRGACURE369/IRGACURE901＝9/1：BASFJapan公司制)，以抗蚀剂层组成物中的固体含量成为50重量％的方式用环己酮稀释，调制出参考例6的抗蚀剂层组成物。
[蒸镀用金属掩模的制造]
将实施例1中的曝光量变更为150mJ/cm2，另外，将显影时间变更为30秒，使用参考例6的抗蚀剂层组成物，除此以外设为与实施例1相同，获得了参考例6的掩模部件。用扫描电子显微镜观察抗蚀剂图案的截面形状的结果，确认到：顶面52B的宽度及底面52F宽度均为65μm，为大致立方体形状。另外，观察掩模部件32的截面形状的结果，倾斜角度θ为90.0°。
[蒸镀用金属掩模的清洗频率评价]
使用各实施例及各参考例的蒸镀用金属掩模，重复进行如下处理：实施有机EL材料的蒸镀，观察分别获得的蒸镀图案，在蒸镀图案产生缺口的时刻进行蒸镀用金属掩模的清洗。此时，进行蒸镀用金属掩模的清洗的频率在实施例1～4中获得了比倾斜角度θ为90.0°的参考例1、6充分低的值。另一方面，在参考例2～5中确认到了比参考例1、6高的值。
结果，确认为，如果[(3×tanθ)×A]/H的值为0.3以下，即凹陷量A相对于虚拟凹陷量DA的比例为0.3以下，则相比于倾斜角度θ为90.0°的构造，抑制了清洗频率。
特别是，孔内周面321S上生长的残渣为，倾斜角度θ越接近90.0°则从大开口322F观察时越容易覆盖小开口322B，越容易使蒸镀图案产生缺口。另一方面，[(3×tanθ)×A]/H的值超过0.3的水准，尽管倾斜角度θ小于90.0°，却示出与倾斜角度θ为90.0°的参考例1、6同等的清洗频率或比参考例1、6高的清洗频率。这是因为，使蒸镀图案产生缺口的残渣的堆积速度因倾斜角度θ的降低而增加，仅通过倾斜角度θ的范围的设定是很难获得清洗频率的改善的。
即，上述各条件是从大开口322F观察时覆盖小开口322B的残渣的堆积量、以及堆积的速度在大开口侧残渣和小开口侧残渣不同这一观点出发才导出的。而且，上述各条件是基于上述各实施例及各参考例、通过如果在掩模孔321H的厚度方向之中没有凹陷量A则容易积存残渣、以及在满足容易对蒸镀图案产生明确的缺损的范围内确定基准面Pi并确定该基准面Pi中的凹陷量A而得到的。
[表1]
以上，采用上述实施方式，可获得以下的效果。
(1)由于倾斜角度θ为50°以上85°以下，因此如使加工从抗蚀掩模的开口向大致所有方向进展的各向同性的蚀刻那样，可获得无法通过各向同性的加工获得的较大的倾斜角度θ。因此，与通过各向同性的加工获得的以往的构成相比，能够实现掩模孔321H的高密度化。
(2)由于凹陷量A相对于虚拟凹陷量DA的比例大于0且为0.3以下，因此能够在具有与凹陷量A相当的大小的空间内堆积蒸镀粒子的残渣。
(3)在从孔内周面321S经过的截面中，孔内周面321S是描绘出从表面32F朝向背面32B缓慢弯曲的弧状的连续面的情况下，易于从抗蚀剂图案52、62分离堆积物，适合用电铸法制造掩模。此外，只要是满足上述[条件1]及[条件2]的构造，孔内周面321S例如也可以是在与表面32F平行的方向上具有台阶的面。
(4)在蒸镀用金属掩模所具有的厚度H为10μm以上40μm以下的情况下，使得能够减小大开口322F的大小与小开口322B的大小之差且能够实现掩模孔的高密度化的效果更加显著。
(5)由于在制造蒸镀用金属掩模的方法中使用电铸，因此也能够在掩模孔321H中形成无法通过激光照射法或湿式蚀刻法获得的、满足上述(1)(2)那种上述各条件的构造。
附图标记说明
θ…倾斜角度，θr…抗蚀剂倾斜角度，A…凹陷量，DA…虚拟凹陷量，H…掩模厚度，Li…虚拟直线，Pi…基准面，T…抗蚀剂厚度，W…突出量，10…掩模装置，20…主框架，20H…主框架孔，30…蒸镀用金属掩模，30H…副框架孔，31…副框架，32…掩模部件，32F…表面，32B…背面，321H…掩模孔，321S…孔内周面，322F…大开口，322B…小开口，50…蒸镀用金属掩模形成基材，51…电极部件，51S…电极面，52、62…抗蚀剂图案，52F、62B…底面，52B、62F…顶面，2S、62S…抗蚀剂外周面，521F、621F…大周缘，521B、621B…小周缘，Pf…虚拟表面，Pb…虚拟背面。

Claims (8)

1.一种蒸镀用金属掩模，为电铸制的蒸镀用金属掩模，具备：
表面，具有与蒸镀装置所具备的蒸镀源对置的大开口；
背面，是与上述表面相反的一侧的面，具有小开口；以及
孔内周面，与上述表面和上述背面连接，在蒸镀用金属掩模中划分掩模孔，上述掩模孔是通往上述大开口和上述小开口的锥台状的孔，其中，
在与上述表面正交且从上述大开口和上述小开口经过的截面中，将上述大开口的边缘和上述小开口的边缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述背面所形成的倾斜角度θ为50°以上且85°以下，
上述表面与上述背面的距离为蒸镀用金属掩模的厚度H，
与上述背面平行且与上述背面之间的距离为(2/3)×H的虚拟面是基准面，
在上述基准面中，上述孔内周面与上述虚拟直线的距离为凹陷量A，
满足0＜[(3×tanθ)×A]/H≤0.3。
2.如权利要求1所述的蒸镀用金属掩模，其中，
在与上述表面正交且从上述大开口和上述小开口经过的截面中，上述孔内周面具有弧状。
3.如权利要求1所述的蒸镀用金属掩模，其中，
上述蒸镀用金属掩模的构成材料包含铁和镍的合金作为主成分，
上述合金中的镍的含量为30质量％以上且45质量％以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的蒸镀用金属掩模，其中，
上述厚度H为1μm以上且40μm以下。
5.一种蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，包括如下步骤：
在电极面上形成抗蚀剂图案，上述抗蚀剂图案是在上述电极面上具有顶面的倒锥台状的突起；
使电沉积物从上述电极面起进行堆积，并且，以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态，形成上述电沉积物；以及
从上述电极面分离上述电沉积物，作为离开上述电极面的上述电沉积物，形成蒸镀用金属掩模，
在形成上述抗蚀剂图案时，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟表面，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(2/3)×T的面是基准面，
上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟表面的部分是大周缘，
上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述顶面的部分是小周缘，
在与上述虚拟表面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为95°以上且130°以下，
在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，
以满足0＜[(3×tan(180°－θr))×W]/T≤0.3的方式，形成上述抗蚀剂图案。
6.一种蒸镀用金属掩模的制造方法，其中，包括如下步骤：
在电极面上形成抗蚀剂图案，上述抗蚀剂图案是在上述电极面上具有底面的锥台状的突起；
使电沉积物从上述电极面起进行堆积，并且，以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态，形成上述电沉积物；以及
从上述电极面分离上述电沉积物，作为离开上述电极面的上述电沉积物，形成蒸镀用金属掩模，
在形成上述抗蚀剂图案时，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟背面，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(1/3)×T的面是基准面，
上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟背面的部分是大周缘，
上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述底面的部分是小周缘，
在与上述虚拟背面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为50°以上且85°以下，
在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，
以满足0＜[(3×tanθr)×W]/T≤0.3的方式，形成上述抗蚀剂图案。
7.一种蒸镀用金属掩模形成基材，其中，包括：
电铸用的电极面，用于使蒸镀用金属掩模作为电沉积物而堆积；以及
抗蚀剂图案，其是在上述电极面上具有顶面的倒锥台状的突起，用于以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态形成上述电沉积物，
在上述抗蚀剂图案中，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟表面，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(2/3)×T的面是基准面，
上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟表面的部分是大周缘，
上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述顶面的部分是小周缘，
在与上述虚拟表面正交且从上述大周缘和上述小周缘经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为95°以上且130°以下，
在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，
满足0＜[(3×tan(180°－θr))×W]/T≤0.3。
8.一种蒸镀用金属掩模形成基材，其中，包括：
电铸用的电极面，用于使蒸镀用金属掩模作为电沉积物而堆积；以及
抗蚀剂图案，其是在上述电极面上具有底面的锥台状的突起，用于以上述电沉积物中的对上述抗蚀剂图案的外周面进行追随的面为掩模孔的孔内周面、且上述掩模孔被上述抗蚀剂图案填埋的状态形成上述电沉积物，
在上述抗蚀剂图案中，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为上述电沉积物的厚度T的面是虚拟背面，
与上述电极面平行且与上述电极面之间的距离为(1/3)×T的面是基准面，
上述抗蚀剂图案的外周面之中位于上述虚拟背面的部分是小周缘，
上述抗蚀剂图案的外周面之中相当于上述底面的部分是大周缘，
在与上述虚拟背面正交且从上述抗蚀剂图案经过的截面中，将上述大周缘和上述小周缘连结的直线是虚拟直线，上述虚拟直线与上述电极面所成的倾斜角度θr为50°以上且85°以下，
在上述基准面中，上述外周面与上述虚拟直线的距离为突出量W，
满足0＜[(3×tanθr)×W]/T≤0.3。
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