JPWO2017204223A1 - 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、蒸着用メタルマスク形成基材 - Google Patents
蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、蒸着用メタルマスク形成基材Info
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Abstract
Description
図1が示すように、マスク装置10は、メインフレーム20と、3つの蒸着用メタルマスク30とを備える。メインフレーム20は、3つの蒸着用メタルマスク30を支持する枠板状を有し、蒸着を行うための蒸着装置に取り付けられる。メインフレーム20は、各蒸着用メタルマスク30と対向する領域のほぼ全体に、メインフレーム20を貫通するメインフレーム孔20Hを有する。
また、裏面32Bに沿う仮想的、すなわち、裏面32Bと平行な仮想的な平面が、仮想面である。また、複数の仮想面のなかで裏面32Bとの距離が(2/3)×Hである仮想面が、基準面Piである。また、基準面Piにおいて孔内周面321Sと仮想直線Liとの距離が、窪み量Aである。そして、各マスク孔321Hは、下記[条件1]および[条件2]を満たす。
[条件1]50°≦傾斜角度θ≦85°
[条件2]0<[(3×tanθ)×A]/H≦0.3
なお、等方的な加工によって得られるマスク孔321Hでは、[条件1]の範囲よりも傾斜角度θが小さくなってしまう。小開口322Bの位置や大きさは、蒸着粒子の到達するべき位置や大きさによって予め定められる。結果として、傾斜角度θが小さいほど、大開口322Fの大きさは大きくなってしまい、互いに隣り合う大開口322Fの間の距離が狭くなってしまう。さらには、互いに隣り合う大開口322Fの一部が互いに結合してしまい、マスク部材32の機械的な強度も得られがたくなる。この点、上記[条件1]を満たすマスク孔321Hであれば、機械的な強度が過剰に低下することを抑えつつ、高密度化を実現することが可能ともなる。
なお、裏面32Bに沿う方向での仮想直線Liと孔内周面321Sとの距離は、基準面Piよりも裏面32B側で最大値を有する。こうした孔内周面321Sの形状は、基準面Piで上記[条件1]および[条件2]が満たされることに伴い、高密度化が可能であることを維持しつつも、仮想直線Liと孔内周面321Sとの距離が最大となる領域で小開口側残渣をさらに貯めやすい。結果として、メンテナンスの頻度が高まることが、より確実に抑えられる。
次に、図3を参照して、蒸着用メタルマスクを製造する方法に用いる蒸着用メタルマスク形成基材の一例を説明する。また、図4を参照して、蒸着用メタルマスクを製造する方法に用いる蒸着用メタルマスク形成基材の他の例を説明する。なお、図4が示す例は、図3が示す例とはレジストパターンの形状が異なる。詳しくは、図3は、電極面と平行な断面での面積が電極面に近い部位ほど小さい形状、すなわち、逆テーパー形状を有するレジストパターンを有する例を示す。図4は、電極面と平行な断面での面積が電極面に近い部位ほど大きい形状、すなわち、順テーパー形状を有するレジストパターンを有した例を示す。そして、図4を参照した説明では、図3に示す例との差異を主に説明し、重複する説明は割愛する。
レジストパターン52は、電極面51Sにおいて島状に点在するパターンである。レジストパターン52は、逆錐台状の突起である。レジストパターン52は、電極面51Sに位置する頂面52Bと、頂面52Bとは反対側の面である底面52Fとを備える。レジストパターン52は、金属シート321を形成する電解においてマスクとして機能する。また、レジストパターン52は、外周面であるレジスト外周面52Sを備える。レジストパターン52は、金属シート321を形成する電解において、レジスト外周面52Sに追従した面を備える電着物を、電極面51Sに堆積させる。
また、基準面Piにおいてレジスト外周面52Sと仮想直線Liとの距離が、張り出し量Wである。そして、各レジストパターン52は、下記[条件3]および[条件4]を満たす。
[条件3]95°≦傾斜角度θr≦130°
[条件4]0<[(3×tan(180°−θr))×W]/H≦0.3
なお、大周縁621Fと小周縁621Bとが円である場合、上述した断面は、大周縁621Fの中心と小周縁621Bの中心とを通る。また、大周縁621Fと小周縁621Bとが矩形である場合、上述した断面は、ここでも、大周縁621Fの中心と小周縁621Bの中心とを通る。
また、基準面Piにおいてレジスト外周面62Sと仮想直線Liとの距離が、張り出し量Wである。そして、各レジストパターン62は、下記[条件5]および[条件6]を満たす。
[条件5]50°≦傾斜角度θr≦85°
[条件6]0<[(3×tanθr)×W]/H≦0.3
次に、図5を参照して、蒸着用メタルマスクの製造方法を説明する。なお、図3において説明された蒸着用メタルマスク形成部材を用いる製造方法と、図4において説明された蒸着用メタルマスク形成部材を用いる製造方法とは、マスク部材32の表裏が反転することが相互に異なる。そのため、相互に共通する点を割愛すると共に、マスク部材32の表裏の反転に伴う差異を詳細に説明し、以下では、図3において説明された蒸着用メタルマスク形成部材を用いる製造方法を主に説明する。
[実施例1]
[レジスト層組成物の作製]
70重量部のペンタエリスリトールトリアクリレート、123重量部のカルド樹脂(V259ME:新日鉄住金化学社製)、および、14重量部の光重合開始剤(IRGACURE907:BASF Japan社製)(IRGACUREは登録商標)を、レジスト層組成物の固形分が50重量%になるように、シクロヘキサノンで希釈し、レジスト層組成物を調製した。
電極部材51の電極面51Sに、乾燥後の膜厚が30μmになるよう、ネガ型のレジスト層組成物を塗布した。その後、レジスト層組成物をホットプレートで90℃/3分間乾燥し、高圧水銀灯(光の強度:365nm輝線の照度が40mW/cm2)を用い、フォトマスクを介して露光量200mJ/cm2を照射した。次いで、アルカリ現像液(CD126:ADEKA社製)を用い、スピン現像で60秒間現像を行うことによって、レジストパターンを得た。レジストパターンの寸法は、平面視において60μm×60μmであった。また、レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が22.2μmであり、底面52Fの幅が62.2μmであり、逆錐台状であることが確認された。
実施例1における現像時間を45秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、実施例2のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52B幅が35.9μmであり、底面52Fの幅が62.7μmであり、レジストパターンが逆錐台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは73.6°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.16であった。
実施例1における露光量を150mJ/cm2に変更し、また、現像時間を45秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、実施例3のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が20.5μmであり、底面52Fの幅が61.8μmであり、レジストパターンが逆錐台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは67.9°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.29であった。
実施例1における露光量を100mJ/cm2に変更し、また、現像時間を30秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、実施例2のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面の幅が54.2μmであり、底面の幅が62.5μmであり、逆錐台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは82.4°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.08であった。
実施例1における露光量を150mJ/cm2に変更し、また、現像時間を30秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、参考例のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅と底面52Fの幅とは共に62.9μmであり、ほぼ直方体形状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは90.0°であった。
実施例1における現像時間を30秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、参考例2のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が60.4μmであり、底面52Fの幅が63.6μmであり、レジストパターンが逆錐台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは89.6°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.00であった。
実施例1における露光量を150mJ/cm2に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、参考例3のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が17.8μmであり、底面52Fの幅が59.8μmであり、レジストパターンが逆錐台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは46.3°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.32であった。
実施例1における露光量を100mJ/cm2に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、参考例4のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が12.7μmであり、底面52Fの幅が58.4μmであり、レジストパターンが逆錘台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは36.7°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.38であった。
実施例1における露光量を100mJ/cm2に変更し、また、現像時間を45秒に変更し、それ以外を実施例1と同じくして、参考例5のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅が18.4μmであり、底面52Fの幅が60.3μmであり、レジストパターンが逆錘台状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは53.8°であり、[(3×tanθ)×A]/Hは0.35であった。
[レジスト層組成物の作製]
70重量部のペンタエリスリトールトリアクリレート、350重量部のアクリル樹脂(TLZ3000:大阪有機化学工業社製)、および、14重量部の光重合開始剤(IRGACURE369/IRGACURE901=9/1:BASF Japan社製)を、レジスト層組成物中の固形分が50重量%になるように、シクロヘキサノンで希釈し、参考例6のレジスト層組成物を調製した。
実施例1における露光量を150mJ/cm2に変更し、また、現像時間を30秒に変更し、参考例6のレジスト層組成物を用い、これら以外を実施例1と同じくして、参考例6のマスク部材を得た。レジストパターンの断面形状を走査電子顕微鏡で観察した結果、頂面52Bの幅、および、底面52F幅が共に65μmであり、ほぼ直方体形状であることが確認された。また、マスク部材32の断面形状を観察した結果、傾斜角度θは90.0°であった。
各実施例、および、各参考例の蒸着用メタルマスクを用い、有機EL材料の蒸着を実施し、各々で得られる蒸着パターンを観察し、蒸着パターンに欠けが発生した時点で蒸着用メタルマスクの洗浄を行うという処理を繰り返した。この際、蒸着用メタルマスクの洗浄が行われる頻度は、実施例1〜4において、傾斜角度θが90.0°である参考例1,6よりも十分に低い値が得られた。他方、参考例2〜5においては、参考例1,6よりも高い値が認められた。
(1)傾斜角度θが50°以上85°以下であるため、レジストマスクの開口からほぼ全方向に加工が進む等方的なエッチングのように、等方的な加工では得られない大きな傾斜角度θが得られる。そのため、等方的な加工によって得られる従来の構成と比べて、マスク孔321Hの高密度化が可能となる。
Claims (8)
- 蒸着装置が備える蒸着源と対向する大開口を有した表面と、
前記表面とは反対側の面であって小開口を有した裏面と、
前記大開口と前記小開口とに通じる錘台状の孔がマスク孔であり、前記表面と前記裏面とに接続されて前記マスク孔を蒸着用メタルマスクに区画する孔内周面と、
を備えた電鋳製の蒸着用メタルマスクであって、
前記表面と直交し、かつ、前記大開口と前記小開口とを通る断面において、前記大開口の縁と前記小開口の縁とを結ぶ直線が仮想直線であり、前記仮想直線と、前記裏面との形成する傾斜角度θが50°以上85°以下であり、
前記表面と前記裏面との距離が蒸着用メタルマスクの厚さHであり、
前記裏面と平行であるとともに前記裏面との距離が(2/3)×Hである仮想面が基準面であり、
前記基準面において、前記孔内周面と前記仮想直線との距離が窪み量Aであり、
0<[(3×tanθ)×A]/H≦0.3を満たす
蒸着用メタルマスク。 - 前記表面と直交し、かつ、前記大開口と前記小開口とを通る断面において前記孔内周面は弧状を有する
請求項1に記載の蒸着用メタルマスク。 - 前記蒸着用メタルマスクの構成材料は、鉄とニッケルとの合金を主成分として含み、
前記合金におけるニッケルの含有量は、30質量%以上45質量%以下である
請求項1または2に記載の蒸着用メタルマスク。 - 前記厚さHは、1μm以上40μm以下である
請求項1から3のいずれか一項に記載の蒸着用メタルマスク。 - 電極面に頂面を有した逆錐台状の突起がレジストパターンであり、前記電極面に前記レジストパターンを形成することと、
電着物を前記電極面から堆積させると共に、前記電着物において前記レジストパターンの外周面に追従する面がマスク孔の孔内周面であり、前記マスク孔が前記レジストパターンで埋められた状態で前記電着物を形成することと、
前記電極面から前記電着物を離し、前記電極面から離れた前記電着物として蒸着用メタルマスクを形成することとを含み、
前記レジストパターンを形成することでは、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が前記電着物の厚さTである面が、仮表面であり、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が(2/3)×Tである面が、基準面であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記仮表面に位置する部分が、大周縁であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記頂面に相当する部分が、小周縁であり、
前記仮表面と直交し、かつ、前記大周縁と前記小周縁とを通る断面において、前記大周縁と前記小周縁とを結ぶ直線が仮想直線であり、前記仮想直線と、前記電極面とのなす傾斜角度θrが、95°以上130°以下であり、
前記基準面において前記外周面と前記仮想直線との距離が、張り出し量Wであり、
0<[(3×tan(180°−θr))×W]/T≦0.3を満たすように、前記レジストパターンを形成する
蒸着用メタルマスクの製造方法。 - 電極面に底面を有した錐台状の突起がレジストパターンであり、前記電極面に前記レジストパターンを形成することと、
電着物を前記電極面から堆積させると共に、前記電着物において前記レジストパターンの外周面に追従する面がマスク孔の孔内周面であり、前記マスク孔が前記レジストパターンで埋められた状態で前記電着物を形成することと、
前記電極面から前記電着物を離し、前記電極面から離れた前記電着物として蒸着用メタルマスクを形成することとを含み、
前記レジストパターンを形成することでは、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が前記電着物の厚さTである面が、仮裏面であり、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が(1/3)×Tである面が、基準面であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記仮裏面に位置する部分が、大周縁であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記底面に相当する部分が、小周縁であり、
前記仮裏面と直交し、かつ、前記大周縁と前記小周縁とを通る断面において、前記大周縁と前記小周縁とを結ぶ直線が仮想直線であり、前記仮想直線と、前記電極面とのなす傾斜角度θrが、50°以上85°以下であり、
前記基準面において前記外周面と前記仮想直線との距離が、張り出し量Wであり、
0<[(3×tanθr)×W]/T≦0.3を満たすように、前記レジストパターンを形成する
蒸着用メタルマスクの製造方法。 - 蒸着用メタルマスクを電着物として堆積させるための電鋳用の電極面と、
前記電極面に頂面を有した逆錐台状の突起がレジストパターンであり、前記電着物において前記レジストパターンの外周面に追従する面がマスク孔の孔内周面であり、前記マスク孔が前記レジストパターンで埋められた状態で前記電着物を形成するための前記レジストパターンと、
を備え、
前記レジストパターンは、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が前記電着物の厚さTである面が、仮表面であり、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が(2/3)×Tである面が、基準面であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記仮表面に位置する部分が、大周縁であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記頂面に相当する部分が、小周縁であり、
前記仮表面と直交し、かつ、前記大周縁と前記小周縁とを通る断面において、前記大周縁と前記小周縁とを結ぶ直線が仮想直線であり、前記仮想直線と、前記電極面とのなす傾斜角度θrが、95°以上130°以下であり、
前記基準面において前記外周面と前記仮想直線との距離が、張り出し量Wであり、
0<[(3×tan(180°−θr))×W]/T≦0.3を満たす
蒸着用メタルマスク形成基材。 - 蒸着用メタルマスクを電着物として堆積させるための電鋳用の電極面と、
前記電極面に底面を有した錐台状の突起がレジストパターンであり、前記電着物において前記レジストパターンの外周面に追従する面がマスク孔の孔内周面であり、前記マスク孔が前記レジストパターンで埋められた状態で前記電着物を形成するための前記レジストパターンと、
を備え、
前記レジストパターンは、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が前記電着物の厚さTである面が、仮裏面であり、
前記電極面と平行であるとともに前記電極面との距離が(1/3)×Tである面が、基準面であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記仮裏面に位置する部分が、小周縁であり、
前記レジストパターンの外周面のなかで前記底面に相当する部分が、大周縁であり、
前記仮裏面と直交し、かつ、前記レジストパターンを通る断面において、前記大周縁と前記小周縁とを結ぶ直線が仮想直線であり、前記仮想直線と、前記電極面とのなす傾斜角度θrが、50°以上85°以下であり、
前記基準面において前記外周面と前記仮想直線との距離が、張り出し量Wであり、
0<[(3×tanθr)×W]/T≦0.3を満たす
蒸着用メタルマスク形成基材。
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