CN107848254B - 阻气膜、阻气膜的转印方法、波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机el层叠体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄且能够转印，并且在转印之后也具有高阻气性的阻气膜及阻气膜的转印方法，并提供使用了该阻气膜的波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机EL层叠体。阻气膜具有：基板；阻气层，设置于基板的一个表面，并具有一组以上的无机层和成为该无机层的形成面的有机层的组合；及剥离树脂层，设置于基板与阻气层之间，与有机层密合，并且用于与基板剥离。

Description

阻气膜、阻气膜的转印方法、波长转换膜、带阻气层的相位差 膜及有机EL层叠体
技术领域
本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的转印方法、以及使用了该阻气膜的波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机EL层叠体。
背景技术
近年来，在有机EL器件(有机电致发光器件)、太阳能电池、量子点薄膜等器件或显示器材料、及容装会因水分或氧变质的药剂的输液袋等包装材料中要求高阻气性。
因此，为了赋予必要的阻气性而对该些部件贴附阻气膜，或通过阻气膜进行密封。
为了将阻气膜应用于要求高阻气性的领域，在专利文献1中，作为提高阻气性的方法记载有如下：使用无机层作为阻气层的结构；将阻气层多层化的结构；及在玻璃化转变温度Tg高的树脂薄膜中形成阻气层。
具有高阻气性的阻气膜已应用于多种电子器件或功能性薄膜中，并能够对以往不易进行密封的材料进行密封。
例如，在专利文献2中，作为用于LCD等的背光单元的量子点薄膜记载有利用两片阻气膜来夹持量子点层(QD荧光体材料薄膜层)，由此对量子点进行了保护的层叠型量子点薄膜。
并且，专利文献3中记载有使用阻气膜密封有机EL元件的情况。
如此，通过使用阻气性高的阻气膜，能够进行显示器等多种电子器件的薄型化、轻量化及柔性化。从而，若能够使阻气膜进一步薄型化，则能够进行电子器件的进一步的薄型化、轻量化等。
如专利文献1等记载，此种阻气膜具有如下结构：将树脂薄膜作为基板，并在该基板上形成了阻气层。因此，在使阻气膜薄型化时可想到使基板薄型化。
在此，具有高阻气性的阻气层为薄的无机层。因此，即使在微小的压曲或接触下阻气层也易破裂，若破裂则性能降低。因此，在薄型基板上层叠阻气层时，需要使输送稳定化，以能够防止基板被压曲。
专利文献4中记载有如下：在基板的背面侧贴附保护材料，由此能够确保基板的自支撑性，在使用了薄的基板的情况下，也能够适当地形成阻气层而不会产生基板的压曲。
若利用此种方法，则在10数μm左右的薄的基板上也能够形成阻气层。然而，若基板变得更薄，则一边输送薄的基板，一边在该基板上贴合加强用保护材料的作业本身变得困难。
作为解决伴随此种阻气膜的薄型化的问题的方法，提出有仅将阻气层转印于密封对象物(被转印体)的转印方法。
例如，专利文献5中记载有如下：在基板与阻气层之间形成脱模层，并使阻气层从基板剥离而转印于被转印体。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利5654084号公报
专利文献2：日本特表2013-544018号公报
专利文献3：日本特开2014-197537号公报
专利文献4：日本特开2015-66812号公报
专利文献5：日本特开2007-118564号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
如前述，为了实现高阻气性，有在阻气层使用无机层的结构。
在此，根据本发明人的研究可知，如专利文献5所记载的将阻气层从基板剥离而转印于被转印体的转印方式的阻气膜中存在如下情况：在使阻气层与基板剥离时，由于对阻气层施加剪切力而因该剪切力导致无机层破裂，转印后的阻气层无法显现充分的阻气性。
本发明的目的在于解决此种现有技术的问题点，并提供一种薄且能够转印，并且转印之后也具有高阻气性的阻气膜及阻气膜的转印方法，并而且提供一种使用了该阻气膜的波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机EL层叠体。
用于解决技术课题的手段
本发明人为了实现上述课题而深入研究的结果发现，通过具有基板、设置于基板的一个表面侧，并具有一组以上的无机层和成为该无机层的形成面的有机层的组合的阻气层、及设置于基板与阻气层之间，与有机层密合，并且用于剥离基板和阻气层的剥离树脂层，能够解决上述课题，并完成了本发明。
即，本发明提供以下结构的阻气膜和阻气膜的制造方法、以及使用了该阻气膜的波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机EL层叠体。
(1)一种阻气膜，具有：
基板；
阻气层，设置于基板的一个表面侧，具有一组以上的无机层和作为该无机层的形成面的有机层的组合；及
剥离树脂层，设置于基板与阻气层之间，与有机层密合，并且用于剥离基板和阻气层。
(2)如(1)所述的阻气膜，其中，
剥离树脂层比有机层厚。
(3)如(1)或(2)所述的阻气膜，其中，
剥离树脂层的形成材料是玻璃化转变温度Tg为100℃以上的环状烯烃树脂。
(4)如(3)所述的阻气膜，其中，
剥离树脂层的形成材料是环烯烃共聚物。
(5)如(1)至(4)中任一项所述的阻气膜，其中，
剥离树脂层的厚度为0.1～25μm。
(6)如(1)至(5)中任一项所述的阻气膜，其中，
无机层的形成材料是氮化硅、氧化硅、或它们的混合物。
(7)如(1)至(6)中任一项所述的阻气膜，其中，
有机层的形成材料是紫外线固化树脂或电子束固化树脂，固化后的玻璃化转变温度Tg为200℃以上。
(8)如(7)所述的阻气膜，其中，
有机层的形成材料包含5％以上且小于50％的1官能以上的丙烯酸酯，该1官能以上的丙烯酸酯具有金刚烷骨架。
(9)如(7)所述的阻气膜，其中，
有机层的形成材料包含5％以上且小于50％的2官能以上的丙烯酸酯，该2官能以上的丙烯酸酯具有芴骨架。
(10)如(1)至(9)中任一项所述的阻气膜，其中，
有机层的厚度为0.1～5μm。
(11)如(1)至(10)中任一项所述的阻气膜，还具有设置在阻气层上的保护膜或有机保护层。
(12)如(11)所述的阻气膜，其中，
有机保护层为丙烯酸系粘结剂。
(13)如(11)或(12)所述的阻气膜，其中，
进一步具有设置在有机保护层上的保护膜。
(14)如(11)至(13)中任一项所述的阻气膜，其中，
有机保护层的厚度为0.1～50μm。
(15)如(1)至(14)中任一项所述的阻气膜，其中，
基板是赋予了脱模层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
(16)如(1)至(15)中任一项所述的阻气膜，其中，
去除基板的结构的水蒸气透过率小于0.01g/(m2·天)。
(17)如(1)至(16)中任一项所述的阻气膜，其中
去除基板的结构的可见光透射率为85％以上、延迟值为30nm以下。
(18)一种阻气膜的转印方法，将具备阻气层及剥离树脂层的转印层转印于被转印体，其中，
将(1)至(17)中任一项所述的阻气膜的与基板相反一侧的表面贴附于被转印体，并剥离基板。
(19)如(18)所述的阻气膜的转印方法，其中，
被转印体是波长转换材料、相位差膜、有机EL元件、及形成在有机EL元件上的钝化膜的任一个。
(20)一种波长转换膜，具有：
波长转换层；及
转印层，层叠在波长转换层上，从(1)至(17)中任一项所述的阻气膜上去除基板后得到，且具备阻气层和剥离树脂层。
(21)一种带阻气层的相位差膜，具有：
相位差膜；及
转印层，层叠在相位差膜上，从(1)至(17)中任一项所述的阻气膜上去除基板后得到，且具备阻气层和剥离树脂层。
(22)一种有机EL层叠体，具有：
有机EL元件；及
转印层，层叠在有机EL元件上，从(1)至(17)中任一项所述的阻气膜上去除基板后得到，且具备阻气层和剥离树脂层。
(23)如(22)所述的有机EL层叠体，其中，
在有机EL元件与转印层之间具有钝化膜。
(24)如(22)或(23)所述的有机EL层叠体，还具有支撑有机EL元件的元件基板，
该元件基板包括从(1)至(17)中任一项所述的阻气膜去除基板后得到并具备阻气层和剥离树脂层的转印层。
发明效果
根据本发明，能够提供一种薄且能够转印，并且在转印之后也具有高阻气性的阻气膜及阻气膜的转印方法，并提供使用了该阻气膜的波长转换膜、带阻气层的相位差膜及有机EL层叠体。
附图说明
图1中，图1(A)是概念性表示本发明的阻气膜的一例的图，图1(B)是概念性表示从图1(A)的阻气膜剥离基板的状态的图。
图2中，图2(A)及图2(B)是分别概念性表示本发明的阻气膜的另一例的图。
图3中，图3是概念性表示本发明的阻气膜的另一例的图。
图4中，图4(A)至图4(C)是用于说明本发明的阻气膜的转印方法的概念图。
图5是概念性表示本发明的带阻气层的相位差膜的一例的图。
图6是概念性表示本发明的波长转换膜的一例的图。
图7中，图7(A)至图7(C)是分别概念性表示本发明的有机EL层叠体的一例的图。
图8中，图8(A)及图8(B)是概念性表示制造本发明的阻气膜的成膜装置的一例的图。
具体实施方式
以下，关于本发明的阻气膜，根据附图所示的优选实施方式进行详细说明。
本发明的阻气膜为如下阻气膜，该阻气膜具有：基板；阻气层，设置于基板的一个表面侧，并具有一组以上的无机层和作为该无机层的形成面的有机层的组合；及剥离树脂层，设置于基板与阻气层之间，与有机层密合，并且用于与基板剥离。关于该阻气膜，仅剥离基板而将包含阻气层及剥离树脂层的转印层转印于被转印体来使用。
图1(A)中概念性示出本发明的阻气膜的一例。
图1(A)所示的阻气膜10a实质上通过具有如下而构成，即具有：基板12；阻气层18，层叠于基板12的一个表面，并具有有机层14及无机层16；及剥离树脂层20，层叠于基板12与阻气层18之间。
并且，如图1(A)所示，阻气层18中有机层14朝向剥离树脂层20侧层叠，无机层16层叠在有机层14上。即，剥离树脂层20层叠在基板12与有机层14之间。
在此，如图1(B)所示，阻气膜10a中，剥离树脂层20构成为与有机层14密合，并且在与基板12的界面能够与基板12剥离。即，有机层14与剥离树脂层20之间的剥离力(密合力)比基板12与剥离树脂层20之间的剥离力大。
由此，阻气膜10a中，能够仅剥离基板12而将包含阻气层18及剥离树脂层20的转印层30转印于作为密封对象物的被转印体。
另外，将转印层30转印于被转印体时，实质上是将阻气膜10a的阻气层18侧贴附于被转印体之后，从阻气膜10a剥离基板12，由此将转印层30转印于被转印体，但也可以在从阻气膜10a剥离基板12而取出转印层30之后，将转印层30贴附于被转印体。
如前述，作为更薄型的阻气膜，提出有在基板与阻气层之间形成脱模层，使阻气层从基板剥离而转印于被转印体的转印方式的阻气膜。
然而，根据本发明人的研究可知，此种转印方式的阻气膜中存在如下情况：由于在使阻气层与基板剥离时会对阻气层施加有剪切力,而因该剪切力会导致无机层破裂，转印后的阻气层无法显现充分的阻气性。
相对于此，本发明构成为如下：具有有机层14来作为显现阻气性的无机层16的基底，在该有机层14与基板12之间具有剥离树脂层20，该剥离树脂层20与有机层14密合，并且在与基板12的界面能够与基板12剥离。
剥离时，在剥离树脂层20与基板12的界面剥离，由此存在于无机层16与剥离面之间的剥离树脂层20成为应力缓和层，能够防止因使基板12剥离时所需的剪切力而导致无机层16破裂。
在此，如前述，关于剥离树脂层20，需要调整剥离力以在与基板12的界面进行剥离，并且需要使其具有作为应力缓和层的功能。因此，作为无机层16的基底层而适当的层不容易设置。尤其，为了获得具有高阻气性的无机层16，成为无机层16的基底的层需要具有适当的硬度，并且需要具有更高的耐热性。
因此，在剥离树脂层20与无机层16之间不具有有机层14的结构的情况下，即，在剥离树脂层20上直接形成了无机层16的情况下，无法合理地形成无机层16，并无法得到高阻气性。
相对于此，本发明的阻气膜中，在剥离树脂层20上具有有机层14来作为无机层16的形成面，因此具备优选的基底层。由此，能够合理地形成无机层16，并能够获得高阻气性。
并且，本发明的阻气膜中，优选在阻气层18上还具有用于保护阻气层18(更具体而言为无机层16)的保护膜。
通过具有保护膜，在输送或卷取阻气膜时能够防止无机层16破裂。
另外，具有保护膜的情况下，阻气膜将该保护膜剥离而使阻气层18显露之后进行对被转印体的转印即可。
并且，如图2(A)所示的阻气膜10b，阻气层18(更具体而言为无机层16)上具有用于保护阻气层18的有机保护层24也优选。
通过具有有机保护层24，在输送或卷取阻气膜时能够防止无机层16破裂。
另外，具有有机保护层24的情况下，剥离树脂层20、阻气层18及有机保护层24成为转印层30，有机保护层24与剥离树脂层20及阻气层18一同转印于被转印体。
并且，有机保护层24可以是具有粘结性的粘结层。
通过有机保护层24具有粘结性，将转印层30转印于被转印体时，能够容易进行转印而无需进行粘结剂的涂布等。
并且，如图2(B)所示的阻气膜10c，可以在阻气层18上具有有机保护层24，而且可以在有机保护层24上具有保护膜26。
通过具有有机保护层24及保护膜26，在输送或卷取阻气膜时能够防止无机层16破裂。
并且，在有机保护层24为粘结层的情况下，通过具有保护膜26，能够轻松地输送或卷取阻气膜，并且能够防止杂质等附着于粘结层中，或粘结性降低。
并且，图1(A)所示的例子中，将阻气层18设为具有1层有机层14和1层无机层16的结构，但并不限定于此，可以分别具有1层以上的有机层和无机层，也可以具有2组以上的无机层16与成为该无机层16的基底层的有机层14的组合。
例如，图3所示的阻气膜10d具有在剥离树脂层20上依次形成有有机层14、无机层16、有机层14、及无机层16的阻气层18。即，阻气膜10d的阻气层18是具有2组有机层14与无机层16的组合的结构。
如此，通过具有2组以上的有机层14与无机层16的组合，能够进一步提高阻气性。
在此，本发明的阻气膜中，从该阻气膜去除基板12的结构的水蒸气透过率优选小于0.01[g/(m2·天)]，更优选0.005[g/(m2·天)]以下，尤其优选0.001[g/(m2·天)]以下。例如，在该阻气膜由基板12、阻气层18、及剥离树脂层20构成的情况下，从阻气膜去除基板12的结构是指由阻气层18和剥离树脂层20构成的转印层30。并且，在阻气膜由基板12、阻气层18、剥离树脂层20、及有机保护层24构成的情况下，从阻气膜去除基板12的结构是指由阻气层18、剥离树脂层20、及有机保护层24构成的转印层30。
本发明的阻气膜的水蒸气透过率优选为低。
本发明的阻气膜中，即使转印层30的阻气性高，也能够防止无机层16的破裂，并且能够以维持高阻气性的状态适当地进行转印。
并且，本发明的阻气膜中，从该阻气膜去除基板12的结构的可见光透射率优选为85％以上。并且，转印层30的延迟值优选30nm以下。
通过将转印层30的可见光透射率和延迟值设为上述范围，将本发明的阻气膜进行转印而密封量子点薄膜等波长转换层或有机EL元件等光学部件的情况下，或者对相位差膜等光学膜赋予阻气性的情况下，能够密封光学部件或赋予阻气性，而不会影响该些被转印体的光学性能。
接着，对本发明的阻气膜的各构成要素的材料及结构等进行说明。以下，有时将阻气膜10a～10d统称为“阻气膜10”。
阻气膜10中，基板12能够利用在各种阻气膜或各种层叠式阻气膜中被用作基板(支撑体)的各种公知的片状物。
具体而言，作为基板12可优选例示出由低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酸腈(PAN)、聚酰亚胺(PI)、透明聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、ABS、环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、及三乙酸纤维素(TAC)等各种树脂材料构成的薄膜(树脂薄膜)。
本发明中，作为基板12可以使用在此种薄膜的表面形成有保护层、粘结层、光反射层、防反射层、遮光层、平坦化层、缓冲层、应力缓和层、脱模层等显现必要功能的层(膜)的片状物。
其中，从断裂伸长率高且输送时不易断裂而能够设薄，熔点高且具有耐热性，能够轻松地在与剥离树脂层20的界面进行剥离，且价格低廉等观点考虑，作为基板12，优选形成有脱模层的PET薄膜。更具体而言，PET薄膜中，优选在形成剥离树脂层20的面上形成有脱模层。
关于基板12的厚度，根据阻气膜10的用途和形成材料等适当设定即可。
根据本发明人等的研究，基板12的厚度优选5～125μm，更优选5～100μm，尤其优选10～50μm。
通过将基板12的厚度设为上述范围，能够充分确保阻气膜10的机械强度的同时能够在进行转印时容易进行剥离，在这些方面优选。
有机层14是由有机化合物构成的层，实质上是聚合(交联)成为有机层14的单体或低聚物等的层。
有机层14是无机层16的形成面。具体而言，在阻气膜10中，有机层14主要作为用于合理地形成显现阻气性的无机层16的基底层而发挥功能。
通过具有此种有机层14，能够包埋剥离树脂层20(或下层的无机层16)的表面的凹凸或附着于剥离树脂层20(或下层的无机层16)的表面的异物等而将成膜无机层16的面设为适于成膜该无机层16的状态。由此，能够消除如剥离树脂层20(或下层的无机层16)的表面的凹凸或异物的附着所引起的凹凸而使得形成无机层16的无机化合物难以附膜的区域而在整个剥离树脂层20(或下层的无机层16)的表面，无间隙地成膜适当的无机层16，并能够形成具有高阻气性的无机层16。
并且，优选有机层14的玻璃化转变温度Tg比剥离树脂层20的玻璃化转变温度Tg高，优选200℃以上。
通过设为玻璃化转变温度Tg为200℃以上的具有高耐热性的有机层14，能够合理地成膜无机层16。
并且，为了防止无机层16的破裂等，优选有机层14具有适当的柔软性。
另外，玻璃化转变温度Tg根据JIS K 7121进行测定即可。
阻气膜10中，有机层14的形成材料并无限定，可以利用各种公知的有机化合物。
具体而言，可优选例示出聚酯、(甲基)丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、纤维素酰化物、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂环式聚烯烃、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴环改性聚碳酸酯、脂环改性聚碳酸酯、芴环改性聚酯、丙烯酸化合物等热塑性树脂、聚硅氧烷或其他有机硅化合物的膜。它们可以并用多种。
其中，从玻璃化转变温度和强度优异等方面考虑，优选由自由基固化性化合物和/或在官能团中具有醚基的阳离子固化性化合物的聚合物构成的有机层14。
其中，从折射率低，透明性高且光学特性优异等方面考虑，作为有机层14，尤其可优选例示出将丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的单体或低聚物的聚合物作为主成分的丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂。
其中，尤其可优选例示出将二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等2官能以上、尤其3官能以上的丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的单体或低聚物等聚合物作为主成分的丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂。并且，优选使用多种该些丙烯酸树脂或甲基丙烯酸树脂。
在此，优选有机层14的形成材料是紫外线固化树脂或电子束固化树脂。
使用紫外线固化树脂或电子束固化树脂作为有机层14的形成材料，由此能够通过紫外线或电子束的照射量而轻松地调整与剥离树脂层20的剥离力，并能够实现较强的剥离力。从而，能够将阻气膜10设为在剥离树脂层20与基板12的界面进行剥离的结构。
并且，有机层14的形成材料优选包含5％以上且小于50％的具有金刚烷骨架的1官能以上的丙烯酸酯的树脂材料，或包含5％以上且小于50％的具有芴骨架的2官能以上的丙烯酸酯的树脂材料。
通过使用包含具有金刚烷骨架的1官能以上的丙烯酸酯，或包含具有芴骨架的2官能以上的丙烯酸酯的树脂材料来作为有机层14的形成材料，能够以维持高的玻璃化转变温度Tg的状态降低固化收缩时的收缩率，并能够防止形成在有机层14上的无机层16破裂。
关于此种有机层14，根据所形成的有机层14，并以形成由有机化合物构成的层的公知的方法形成(成膜)即可。作为一例，可例示出涂布法。
有机层14能够如下形成：制备例如包含有机溶剂、成为有机层14的有机化合物(单体、二聚体、三聚体、低聚物、聚合物等)、及交联剂的涂布组合物，将该涂布组合物涂布于剥离树脂层20上来形成涂膜，并对涂膜进行干燥和固化。
利用涂布法来形成，由此可得到薄的有机层14。
另外，当阻气膜10具有多个有机层14时，各有机层14的厚度可以相同，也可以相互不同。并且，各有机层14的形成材料可以相同，也可以不同。
无机层16是由无机化合物构成的层。
阻气膜10中，目标阻气性主要通过无机层16而显现。
无机层16的形成材料并无限定，能够利用由显现阻气性的无机化合物构成的各种层。
具体而言，可优选地例示出由氧化铝、氧化镁、氧化钽、氧化锆、氧化钛、氧化铟锡(ITO)等金属氧化物；氮化铝等金属氮化物；碳化铝等金属碳化物；氧化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、氧氮化碳化硅等硅氧化合物；氮化硅、氮碳化硅等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它们的氢化物；它们的2种以上的混合物；及它们的含氢物等无机化合物构成的膜。并且，能够利用它们的2种以上的混合物。
尤其，金属氧化物及氮化物，具体而言，氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、它们的2种以上的混合物从透明性高，且显现优异的阻气性的方面考虑可优选利用。其中，尤其氮化硅、氧化硅、它们的混合物除了优异的阻气性，透明性也高，并且柔软性也高，因此可进一步优选利用。
关于此种无机层16的形成，根据无机层16的形成材料等，利用CCP-CVD(电容耦合型等离子体化学气相沉积法)、ICP-CVD(电感耦合型等离子体化学气相沉积法)、溅射、真空沉积等公知的气相成膜法进行即可。
关于无机层16的膜厚，根据形成材料，可适当确定能够显现目标阻气性的厚度即可。根据本发明人等的研究，无机层16的厚度优选10～200nm，更优选15～100nm，尤其优选20～75nm。
通过将无机层16的厚度设为10nm以上，可稳定地显现充分的阻气性能。并且，无机层16通常较脆，若过厚，则有可能产生破裂或裂纹、剥离等，而通过将无机层16的厚度设为200nm以下，能够防止产生破裂。
另外，阻气膜10具有多个无机层16的情况下，各无机层16的厚度可以相同也可以不同。并且，各无机层16的形成材料可以相同也可以不同。
阻气膜10在基板12与有机层14之间具有剥离树脂层20。
如前述，剥离树脂层20是与有机层14密合，并且在与基板12的界面能够与该基板12剥离的树脂层。剥离树脂层20剥离基板12与阻气层18。剥离树脂层20在剥离基板12时也作为抑制向无机层16施加剪切力的应力缓和层发挥功能。并且，基板12剥离之后，剥离树脂层20也作为支撑体而发挥功能。
剥离树脂层20优选含水性低，耐热性高。
如前述，显现高阻气性的无机层16通过等离子体CVD等真空成膜而形成。若剥离树脂层20的含水性高，则即使进行抽真空也由于水分的释放而有可能无法将真空度设高，并有可能无法形成无机层16。并且，即使在已形成无机层16的情况下，若剥离树脂层20通过水分的吸收和释放而伸缩，则无机层16有可能会破裂，且有可能无法得到高阻气性。从而，优选剥离树脂层20的含水性低。并且，为了通过等离子体CVD等形成无机层16而优选耐热性高。
从基板12与有机层14的密合性、含水性及耐热性等观点考虑，作为剥离树脂层20的形成材料，优选环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)等玻璃化转变温度Tg为100℃以上的环状烯烃树脂。
并且，如前述，在剥离树脂层20上，有机层14例如通过涂布而形成。由此，从成为有机层14的涂布组合物的涂布性的观点和耐溶剂性、及延迟(retardation)等光学特性的观点考虑，优选使用环烯烃共聚物(COC)作为剥离树脂层20的形成材料。
此种剥离树脂层20例如能够利用与有机层14相同的涂布法而形成。
利用涂布法形成而可得到薄的剥离树脂层20。
关于剥离树脂层20的厚度，根据剥离树脂层20的形成材料，或有机层14、无机层16及基板12的特性适当设定即可。根据本发明人等的研究，将剥离树脂层20的厚度优选设为0.1～25μm，更优选设为0.5～15μm，尤其优选设为1～10μm。
将剥离树脂层20的厚度设为0.1μm以上，由此能够适当控制与基板12及有机层14的密合性，在与基板12的界面能够轻松地进行剥离，并且能够在剥离基板12时降低施加于无机层16的剪切力而防止无机层16破裂。
并且，将剥离树脂层20的厚度设为25μm以下，由此能够适当抑制产生由剥离树脂层20过厚而引起的剥离树脂层20的龟裂和阻气膜10的翘曲等问题，并且能够将阻气膜10轻松地卷取成卷状。
并且，从剥离基板12时的应力缓和的观点考虑，优选剥离树脂层20的硬度比有机层14的硬度低，并且优选剥离树脂层20的杨氏模量比有机层14的杨氏模量低。即，优选剥离树脂层20比有机层14柔软。
在此，优选剥离树脂层20的厚度比有机层14的厚度厚。
如前述，成为无机层16的基底层的有机层14优选耐热性高。由此，作为有机层14的形成材料优选使用玻璃化转变温度Tg更高的材料。在此，通常玻璃化转变温度Tg高的材料硬且难以拉伸，因此将硬的有机层14的厚度设薄，将柔软的剥离树脂层20的厚度设厚，由此能够将剥离树脂层20作为应力缓和层而使其合理地发挥功能，并通过在剥离基板12时防止无机层16破裂而能够得到高阻气性。
并且，关于剥离树脂层20与基板12的剥离力、及剥离树脂层20与有机层14的剥离力，若剥离树脂层20与有机层14的剥离力比剥离树脂层20与基板12的剥离力高，则并不限定。
并且，剥离树脂层20与基板12的剥离力优选0.04N/25mm～1N/25mm。
将剥离树脂层20与基板12的剥离力设为上述范围，由此能够抑制因剥离力过弱而导致在输送中等被剥离的情况，并且能够抑制因剥离力过强而导致在剥离基板12时损伤无机层16，及导致阻气膜10变形等不良情况。
另外，剥离力(密合力)根据JIS Z 0237的180度剥离试验方法进行测定即可。
有机保护层24为由有机化合物构成的层，且为形成于阻气层18(更具体而言为无机层16)的上侧，并对该阻气层18进行保护的层。
有机保护层24的形成材料并无特别限定，能够利用与有机层14相同的各种公知的有机化合物。
有机保护层24为粘结层的情况下，并不限定其形成材料，能够利用多种公知的粘结材料。
从光学特性，尤其从延迟和雾度等观点考虑，作为粘结材料优选使用丙烯酸系粘结剂。
作为丙烯酸系粘结剂可例示出SK DYNE系列(Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制)等。
有关有机保护层24的厚度，根据有机保护层24的形成材料或无机层16的特性适当设定即可。根据本发明人等的研究，有机保护层24的厚度优选设为0.1～50μm，更优选设为0.5～25μm，尤其优选设为1～10μm。
将有机保护层24的厚度设为0.1μm以上，由此能够合理地保护无机层16。并且，将有机保护层24的厚度设为50μm以下，由此能够提高将阻气膜10贴附于被转印体时的操作性。
保护膜26能够利用被用作公知的保护膜的各种公知的片状物。
作为一例，可优选例示出由在前述基板12中进行例示的各种树脂材料构成的薄膜(树脂薄膜)。
将保护膜26形成于阻气层18(更具体而言为无机层16)的表面上的情况下，该保护膜26的形成材料的杨氏模量优选6GPa以下。在该情况下，保护膜26贴附于阻气膜10所具有的成为阻气层18的最上层的无机层16上，在将阻气膜10进行转印时，从无机层16剥离而利用。将保护膜26的形成材料的杨氏模量设为6GPa以下，由此能够更加适当地防止剥离保护膜26时所产生的无机层16的损伤，并能够得到高阻气性。从该方面考虑，可优选例示出LDPE、HDPE、PP、PET、PEN、PVC、PI等作为保护膜26的形成材料。
关于保护膜26的厚度，根据阻气膜10所需的厚度、保护膜26的形成材料的杨氏模量等适当设定即可。
根据本发明人等的研究，保护膜26的厚度优选10～300μm，更优选30～50μm。
将保护膜26的厚度设为10μm以上，由此能够适当地防止由卷取时等从外部接收的冲击等引起的无机层16的损伤，并能够抑制输送时所产生的褶皱及变形，在这些方面为优选。
将保护膜26的厚度设为300μm以下，由此能够防止阻气膜10变得过厚，在此方面为优选。
保护膜26中，可以在无机层16侧的一面形成粘结层。
接着，对本发明的阻气膜的转印方法(也称为“本发明的转印方法”)进行说明。
本发明的阻气膜的转印方法中，将上述阻气膜的与基板相反一侧的面贴附于被转印体，并剥离基板，由此将具备阻气层和剥离树脂层的转印层转印于被转印体。
以下，利用图4(A)～图4(C)及图5对本发明的转印方法进行说明。
图4(A)～图4(C)是示出如下例子：作为阻气膜使用如图2(A)所示的作为粘结层具有有机保护层24的阻气膜10b，并将该阻气膜10b转印于作为被转印体的相位差膜112。
首先，如图4(A)及图4(B)所示，将阻气膜10b的与基板12相反一侧的面，即，将有机保护层24侧朝向相位差膜112侧进行贴合。
贴合方法并无限定，能够利用各种公知的薄膜状物的贴合方法。并且，此种贴合可以以单片式进行，也可以使用长尺寸的阻气膜10b及相位差膜112，并通过卷对卷(以下，还称为RtoR)进行贴合。
另外，图示例中，将阻气膜10b设为具有粘结层的结构，但并不限定于此，在与阻气膜10b贴合之前，可以向被转印体涂布粘结剂来与阻气膜10b贴合。
并且，在有机保护层24(或无机层16)上具有保护膜26的情况下，在将阻气膜贴合于被转印体之前，剥离保护膜26来贴合于被转印体即可。
接着，如图4(C)所示，从贴合在相位差膜112上的阻气膜10b剥离基板12。
基板12的剥离方法并无限定，能够利用各种公知的薄膜状物的剥离方法。
并且，此种基板12的剥离可以以单片式进行，也可以通过RtoR进行。
由此，将阻气膜10b的转印层30转印于作为被转印体的相位差膜112而能够设为如图5所示的带阻气层的相位差膜110。
本发明的阻气膜的转印方法能够在剥离基板12时防止无机层16破裂，因此能够以维持高阻气性的状态将转印层30转印于被转印体。
并且，能够将转印层30的厚度设为非常薄，因此能够减少针对透明性和延迟值等光学特性的影响。
另外，本发明中，对阻气膜进行转印的被转印体并无限定。从具有高阻气性，并且透明性高，低延迟而光学特性优异的方面考虑，可优选使用于要求高阻气性的有机EL元件和波长转换材料等光学部件的密封中。并且，对各种光学膜赋予高阻气性，由此能够作为光学膜兼阻气膜而利用。
以下，对使用了本发明的阻气膜的部件进行说明。
使用了本发明的阻气膜且作为本发明的带阻气层的相位差膜的一例的图5所示的带阻气层的相位差膜110具有在相位差膜112上层叠有转印层30的结构，该转印层30具有有机保护层24、无机层16、有机层14及剥离树脂层20。
关于该带阻气层的相位差膜110，由于转印层30的厚度非常薄，因此能够以抑制厚度增加的状态设为在相位差膜本身的光学特性以外还具有高阻气性的薄膜。
图6是将本发明的阻气膜进行转印而将波长转换层进行密封的波长转换膜的一例。
图6所示波长转换膜100具有波长转换层102、层叠在波长转换层102的一个表面的阻气膜104、及层叠在波长转换层102的另一表面的转印层30。
波长转换层102具有将入射光的波长进行转换来射出的功能，例如是将量子点分散于树脂等粘结剂中而成的量子点层。
量子点层中所含有的量子点的种类并无特别限定，根据所需波长转换的性能等，适当选择多种公知的量子点即可。
并且，量子点层中所含有的粘结剂的种类也并无特别限定，根据量子点的种类、所需性能等适当选择多种公知的粘结剂即可。
阻气膜104用于对波长转换层102进行密封，只要是具有对波长转换层102进行密封时所需的阻气性则并无特别限定，能够适当利用公知的阻气膜。
如图6所示，波长转换膜100利用以往的阻气膜104对波长转换层102的一个表面进行密封，并利用从本发明的阻气膜10转印的转印层30对另一表面进行密封。
如此，利用本发明的阻气膜对波长转换层的至少一个表面进行密封，由此能够将波长转换膜整体的厚度设薄。
另外，图6所示的例子中，设为利用本发明的阻气膜对波长转换层的一个表面进行密封的结构，但并不限定于此，也可以设为利用本发明的阻气膜对波长转换层的两个表面进行密封的结构。由此，能够将波长转换膜整体的厚度进一步设薄。
图7(A)～图7(C)分别为对本发明的阻气膜进行转印而对有机EL元件进行密封的有机EL层叠体的一例。
图7(A)所示的有机EL层叠体120a具有元件基板122、形成在元件基板122上的有机EL元件124、及覆盖有机EL元件124而层叠的转印层30。
元件基板122能够利用用于各种有机EL装置的所有元件基板。具体而言，可例示出由玻璃、塑料、金属、及陶瓷等构成的元件基板。并且，为了防止因水分等而引起的有机EL元件124的劣化，优选能够防止水分等渗透元件基板122而到达有机EL元件124。因此，关于元件基板122，优选使用如玻璃和金属等，由水分等的含量低，并且水分等的透过率低的材料构成的基板。
另外，如图7(B)所示的有机EL层叠体120b，可以使用本发明的阻气膜10(更具体而言为转印层30)来作为元件基板。或者，可以使用将本发明的阻气膜10转印至树脂基材来作为元件基板。
有机EL元件124是例如具有有机电致发光层、作为对有机电致发光层进行夹持的电极对的透明电极及反射电极的公知的有机EL元件。
如图所示，有机EL元件124通过由本发明的阻气膜10转印的转印层30而被密封。
如此，利用本发明的阻气膜对有机EL元件124进行密封，由此能够将有机EL层叠体整体的厚度设薄。
另外，有机EL层叠体可以是从转印层30侧射出光的顶部发光型，也可以是从元件基板122侧射出光的底部发光型。
并且，如图7(C)所示的有机EL层叠体120c，可以在有机EL元件124与转印层30之间具有钝化膜126。
即，可以设为利用钝化膜126对有机EL元件124进行密封，并在该钝化膜126上转印转印层30的结构。
钝化膜126用于防止水分和氧等到达有机EL元件124而使有机EL元件124劣化。
可利用于公知的有机EL装置，且能够利用由显现阻气性的材料构成的各种膜(层)作为此种钝化膜126。具体而言，可例示出与无机层16同样地具有阻气性，且由氮化硅、氧化硅等无机化合物构成的膜。
关于钝化膜126，利用根据膜的形成材料的公知的方法成膜即可。
以下，参考图8(A)及图8(B)，对本发明的阻气膜的制造方法进行说明。
另外，以下的例子作为优选的方式，使用长尺寸基板12和保护膜26等，并通过RtoR而制造阻气膜。如众所周知，RtoR是指从卷绕长尺寸被处理物而成的辊送出被处理物，并且沿长边方向输送的同时进行成膜等处理，将已处理的被处理物再次卷绕成卷状的制造方法。
首先，使用在图8(A)中概念性表示的成膜装置在基板12上形成剥离树脂层20。
具体而言，制备例如包含有机溶剂和成为剥离树脂层20的有机化合物的涂布组合物。
另一方面，将基板辊Ra装填于有机成膜装置的规定位置，该基板辊Ra通过将长尺寸基板12卷绕成卷状而成。接着，从基板辊Ra送出基板12而通过至卷取位置的规定路径。而且，将成为剥离树脂层20的涂布组合物填充于涂布部40的规定位置。成膜装置具有用于将基板12沿规定路径进行输送的输送辊对48。
而且，从基板辊Ra送出基板12而沿长边方向输送的同时在涂布部40将所制备的涂布组合物涂布于基板12，接着在干燥部42对已涂布的涂布组合物进行干燥，而且根据需要在固化部44进行紫外线照射或加热等，由此形成剥离树脂层20。并且，将在基板12上形成有剥离树脂层20的长尺寸薄膜卷绕成卷状而作为基材辊Rb。
另外，虽省略图示，但作为优选方式，在形成剥离树脂层20之后层叠保护膜之后接着进行卷取而作为基材辊Rb。
接着，将形成有剥离树脂层20的基板12设为被成膜基材Za，被成膜基材Za的剥离树脂层20上形成有机层14。关于有机层14的形成，实质上以与使用如图8(A)所示的有机成膜装置来形成剥离树脂层20的方式相同的方式进行即可。
即，制备例如包含有机溶剂、成为有机层14的有机化合物、及聚合引发剂的涂布组合物。
并且，将基材辊Rb装填于有机成膜装置的规定位置，该基材辊Rb通过将长尺寸被成膜基材Za卷绕成卷状而成。接着，从基材辊Rb送出被成膜基材Za而通过至卷取位置的规定路径。而且，将成为有机层14的涂布组合物填充于涂布部40的规定位置。
而且，从基材辊Rb送出被成膜基材Za而沿长边方向输送的同时在涂布部40将所制备的涂布组合物涂布于剥离树脂层20上，接着在干燥部42对已涂布的涂布组合物进行干燥，并在固化部44通过紫外线照射等对有机化合物进行聚合(交联)而形成有机层14。并且，将形成了有机层14的长尺寸被成膜基材Za卷取成卷状而作为基材辊Rc。
另外，可以在形成有机层14之后，将保护膜贴附于有机层14。关于保护膜的贴附，优选在有机层14与导辊等其他部件接触之前进行。
由此，能够防止作为无机层16的基底层的有机层14受损，并能够在平滑的有机层14上合理地形成无机层16，因此能够得到显现高阻气性的阻气膜。
并且，上述例中，设为分别进行剥离树脂层20的成膜和有机层14的成膜的结构，但并不限定于此，可以在剥离树脂层的成膜后，不进行卷取而接着进行有机层14的成膜。即，可以使用成膜装置来连续进行剥离树脂层20的成膜和有机层14的成膜，该成膜装置在基板12的输送路径中配置有用于形成剥离树脂层20的涂布部40、干燥部42及固化部44、以及用于形成有机层14的涂布部40、干燥部42及固化部44。
接着，在如图8(B)中概念性表示的无机成膜装置中，在形成有剥离树脂层20和有机层14的基板12(以下，有时称为“被成膜基材Zb”)上形成无机层16，而且在无机层16上贴附保护膜26来制作阻气膜10。
图8(B)所示的无机成膜装置作为一例通过CCP-CVD(电容耦合型等离子体化学气相沉积法)形成无机层16，并具有供给室50、成膜室52、及卷取室54。
首先，将基材辊Rc装填于供给室50的规定位置。接着，从基材辊Rc送出被成膜基材Zb而沿从供给室50经由成膜室52而通过至卷取室54的规定路径。关于基材辊Rc，以有机层14成为成膜室52中的成膜面的方式进行装填。
并且，将保护膜辊26R装填于成膜室52的规定位置。接着，从保护膜辊26R送出保护膜26而通过从成膜室52至卷取室54的规定路径。
接着，将供给室50通过真空排气机构50a，将成膜室52通过真空排气机构52a，将卷取室54通过真空排气机构54a分别进行排气而使各室减压至规定压力。
在各室成为规定压力之后开始输送被成膜基材Zb和保护膜26。
关于被成膜基材Zb，从基材辊Rc被送出并被引导至导辊58，由此被输送至成膜室52。
被输送至成膜室52的被成膜基材Zb被引导至导辊60而卷绕于圆筒状的滚筒62的周面。滚筒62还作为CCP-CVD中的电极而发挥作用。另外，作为优选方式，滚筒62具有温度调节功能。被成膜基材Zb被设为如下层叠膜，即通过滚筒62而沿规定路径被输送的同时通过CCP-CVD形成无机层16，并在基板12上形成有剥离树脂层20和有机层14与无机层16的组合。CCP-CVD是具有由滚筒62和喷淋电极(shower electrode)64构成的电极对、原料气体供给部68、及高频电源70等的成膜机构。
关于根据等离子体CVD的无机层16的形成，通过根据无机层16的形成材料等的公知的方法进行即可。并且，关于无机层16的形成，除了CCP-CVD以外，还能够利用ICP-CVD(电感耦合型等离子体化学气相沉积法)、溅射、真空沉积等各种公知的气相成膜法。
另一方面，与该被成膜基材Zb的输送同步从保护膜辊26R送出保护膜26并沿长边方向输送。
通过层叠辊对72层叠并压合形成有无机层16的被成膜基材Zb和保护膜26，由此制作阻气膜10。
另外，可以在与保护膜26的无机层16相向的表面形成粘结层。
通过RtoR制作阻气膜10时，保护膜26的贴附优选在形成无机层16之后，且在无机层16与导辊等其他部件接触之前进行。
由此，防止无机层16受损而可得到显现目标阻气性的阻气膜10。
通过由层叠辊对72进行层叠膜与保护膜26的层叠和贴附而制作的阻气膜10从成膜室52被输送至卷取室54，并通过导辊76引导至规定路径后被卷取而成为卷绕长尺寸阻气膜10的阻气膜辊Rd。
另外，被成膜基材Zb在有机层14上具有保护膜的情况下，在无机层16的成膜前，剥离保护膜之后进行无机层16的成膜即可。
关于保护膜的剥离，优选在至无机层16的成膜机构的路径，且不存在与有机层14接触的导辊等部件的位置进行。
另外，在无机层16上进一步形成有机保护层24的情况下，将形成有剥离树脂层20、有机层14及无机层16的基板12作为被成膜基材，并使用如图8(A)所示的有机成膜装置，以与剥离树脂层20和有机层14相同的方式形成即可。
以上、对本发明的阻气膜进行了详细说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行各种改良或变更。
实施例
以下，举出本发明的具体实施例进一步详细说明本发明。
[实施例1]
作为实施例1制作了图1(A)所示的阻气膜10a。
＜剥离树脂层20的形成＞
作为基板12使用了宽度1000mm、厚度50μm、长度100m的长尺寸PET薄膜(TOYOBOCO.,LTD.制，Cosmo shine A4100)。
在该基板12的未底涂表面侧根据以下步骤形成了剥离树脂层20。
作为成为剥离树脂层20的涂布液A1，使用环己烷来溶解COC树脂(MitsuiChemicals,Inc.制APEL 6015T)而制备了固体成分浓度10％的涂布液。
将该涂布液A1填充于如图8(A)所示的基于RtoR的成膜装置的涂布部40。涂布部40使用了模涂布机。并且，将基板12卷绕成卷状而成的基板辊Ra装填于规定位置，沿规定输送路径插通基板12。
而且，将基板12沿长边方向输送的同时以干燥膜厚成为2μm的方式通过涂布部40将涂布液A1涂布于基板12上，并在干燥部42，以干燥温度100℃干燥3分钟，由此在基板12上形成了剥离树脂层20。此时未使用固化部44。
即，剥离树脂层20的形成材料是环烯烃共聚物。
通过高感度差示扫描量热计(Hitachi High-Tech Science Corporation.制、DSC7000X)，并根据JIS K 7121对所形成的剥离树脂层20的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为145℃。
＜有机层14的形成＞
接着，在所形成的剥离树脂层20上根据以下步骤形成了有机层14。
准备A-DPH(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制)及光聚合引发剂(BASF JAPANLTD.制Irg819)，以重量比率成为97:3的方式进行称量，并将它们溶解于甲基乙基酮来制备固体成分浓度15％的涂布液而作为成为有机层14的涂布液B1。
将该涂布液B1填充于如图8(A)所示的基于RtoR的成膜装置的涂布部40。涂布部40使用了模涂布机。并且，将具有剥离树脂层20的基板12(以下，有时称为“被成膜基材Za”)卷绕成卷状而成的基板辊Rb装填于规定位置来沿规定输送路径插通被成膜基材Za。
而且，将被成膜基材Za沿长边方向输送的同时以干燥膜厚成为1μm的方式通过涂布部40将涂布液B1涂布于被成膜基材Za的剥离树脂层20上，并在干燥部42，以干燥温度50℃干燥3分钟，并在固化部44照射紫外线(累积照射量约700mJ/cm2)来使其固化，由此在剥离树脂层20上形成了有机层14。
另外，使有机层14固化之后且在与最初接触于有机层14侧的表面的辊接触之前，在有机层14上贴附聚乙烯保护膜之后进行了卷取。
通过高感度差示扫描量热计(Hitachi High-Tech Science Corporation.制、DSC7000X)，并根据JIS K 7121对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为250℃以上的测定上限。
＜无机层16的形成＞
接着，在所形成的有机层14上根据以下步骤形成了无机层16。
将形成有剥离树脂层20和有机层14的基板12(以下，有时称为“被成膜基材Zb”)卷绕成卷状而成的基材辊Rc装填于如图8(B)所示的成膜装置的供给室50的规定位置，并将保护膜辊26R装填于成膜室52的规定位置。而且，从基材辊Rc送出被成膜基材Zb并通过从供给室50经由成膜室52至卷取室54的规定输送路。并且，从保护膜辊26R送出保护膜26并通过从成膜室52至卷取室54的规定输送路径。
在此种状态下，将被成膜基材Zb和保护膜26同步进行输送的同时通过将要成膜之前的薄膜表面接触辊之后从被成膜基材Zb剥离保护膜，在被支撑/引导至成膜室52内的滚筒62的被成膜基材Zb的有机层14表面通过CCP-CVD形成氮化硅膜作为无机层16。接着，通过层叠辊对72在无机层16上层叠并贴附保护膜26来制作如图1所示的阻气膜10a而进行卷取。
无机层16的形成中，使用了硅烷气体(流量160sccm)、氨气(流量370sccm)及氢气(流量2000sccm)作为原料气体。电源使用频率13.56MHz的高频电源，并将等离子体激发电力设为8kW。将成膜压力设为40Pa。无机层16的膜厚为30nm。
保护膜26的贴附在形成无机层16之后且在无机层16与其他部件接触之前进行。并且，使用聚乙烯薄膜作为保护膜26。
[实施例2]
而且，在无机层16上形成了以下所示的有机保护层24，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了如图2(A)所示的阻气膜10b。
以重量比率成为78:10:10:2的方式对聚氨酯骨架丙烯酸聚合物(TAISEI FINECHEMICAL CO.,LTD.制ACRIT 8BR930)、光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg184)、硅烷偶合剂(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制KBM5103)、软化剂(TOYOBO CO.,LTD.制BYRONU1400)进行称量，并将它们溶解于甲基乙基酮来制备固体成分浓度15％的涂布液而作为成为有机保护层24的涂布液C1。
将该涂布液C1填充于如图8(A)所示的基于RtoR的成膜装置的涂布部40。涂布部40使用了模涂布机。并且，将形成有剥离树脂层20、有机层14及无机层16的基板12(以下，有时称为“被成膜基材Zc”)卷绕成卷状而成的基板辊装填于规定位置来沿规定输送路径插通被成膜基材Zc。
而且，将被成膜基材Zc沿长边方向输送的同时以干燥膜厚成为1μm的方式通过涂布部40将涂布液C1涂布于被成膜基材Zc的无机层16上，并在干燥部42，以干燥温度100℃干燥3分钟，并在固化部44照射紫外线(累积照射量约600mJ/cm2)来使其固化，由此在无机层16上形成了有机保护层24。
[实施例3]
使用以下的涂布液C2作为成为有机保护层24的涂布液，将有机保护层24的厚度设为3μm，在形成机保护层24之后，以与上述相同的方式通过最初的薄膜表面接触辊,贴附隔膜(FUJIMORI KOGYO CO.,LTD.制FILM BYNA BD)作为保护膜26，除此以外，以与实施例2相同的方式制作了如图2(B)所示的阻气膜10c。
将固化剂L-45(Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制)以100:2的比率添加到SK DYNE NT21(Soken Chemical&Engineering Co.,Ltd.制)，并用乙酸丁酯稀释而制备成固体成分浓度15％的涂布液C2。
该有机保护层24是丙烯酸系粘结剂。
[实施例4]
使用聚氨酯系粘结剂(ROCK PAINT CO.,LTD.制96号)作为成为有机保护层24的涂布液C3，除此以外，以与实施例3相同的方式制作了阻气膜10c。
该有机保护层24是聚氨酯系粘结剂。
[实施例5]
使用以下的涂布液A2作为成为剥离树脂层20的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
关于涂布液A2，使用环己烷来溶解COC树脂(Mitsui Chemicals,Inc.制APEL6509T)，以固体成分浓度成为10％的方式进行了制备。
以与上述相同的方式对所形成的剥离树脂层20的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为70℃。
[实施例6]
使用以下的涂布液A3作为成为剥离树脂层20的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
关于涂布液A3，使用环己烷来溶解COC树脂(Mitsui Chemicals,Inc.制APEL6011T)，以固体成分浓度成为10％的方式进行了制备。
以与上述相同的方式对所形成的剥离树脂层20的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为105℃。
[实施例7]
使用以下的涂布液A4作为成为剥离树脂层20的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
关于涂布液A4，使用环己烷来溶解COP树脂(JSR Corporation制ARTON D4540)，以固体成分浓度成为10％的方式进行了制备。
以与上述相同的方式对所形成的剥离树脂层20的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为128℃。
[实施例8]
改变成为剥离树脂层20的涂布液A1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为20μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例9]
改变成为剥离树脂层20的涂布液A1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为10μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例10]
改变成为剥离树脂层20的涂布液A1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为0.5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例11]
改变成为剥离树脂层20的涂布液A1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为0.1μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例12]
使用以下的涂布液B2作为成为有机层14的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
将A-DPH(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg250℃以上)和A-600(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg-22℃)配合成4:1，以重量比率成为97:3的方式对其和光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg819)进行称量并溶解于甲基乙基酮而制备成固体成分浓度15％的涂布液B2。
以与上述相同的方式对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为180℃。
[实施例13]
使用以下的涂布液B3作为成为有机层14的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
将A-DPH(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg250℃以上)和A-600(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg-22℃)配合成1:1，以重量比率成为97:3的方式对其和光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg819)进行称量并溶解于甲基乙基酮而制备成固体成分浓度15％的涂布液B3。
以与上述相同的方式对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为114℃。
[实施例14]
使用以下的涂布液B4作为成为有机层14的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
以重量比率成为97:3的方式对DAICEL-ALLNEX LTD.制EB3702(Tg53℃)和光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg819)进行称量，并将它们溶解于甲基乙基酮而制备成固体成分浓度15％的涂布液B4。
以与上述相同的方式对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为53℃。
[实施例15]
使用以下的涂布液B5作为成为有机层14的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
将A-DPH(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg250℃以上)和1-ADMA(1-金刚烷基甲基丙烯酸酯OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.制Tg250℃)配合成1:1，以重量比率成为97:3的方式对其与光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg819)进行称量并溶解于甲基乙基酮而制备成固体成分浓度15％的涂布液B5。
即，有机层的形成材料包含具有金刚烷骨架的1官能以上的丙烯酸酯。
以与上述相同的方式对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为250℃。
[实施例16]
使用以下的涂布液B6作为成为有机层14的涂布液，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
将A-DPH(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制Tg250℃以上)和EA-200(丙烯酸酯单体Osaka Gas Chemicals Co.,Ltd.制Tg211℃)配合成1:1，以重量比率成为97:3的方式对其与光聚合引发剂(BASF JAPAN LTD.制Irg819)进行称量并溶解于甲基乙基酮而制备成固体成分浓度15％的涂布液B6。
即，有机层的形成材料包含具有芴骨架的2官能以上的丙烯酸酯。
以与上述相同的方式对所形成的有机层14的玻璃化转变温度Tg进行测定的结果为230℃。
[实施例17]
形成氧化铝膜作为无机层16，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
氧化铝膜通过通常的溅射装置形成。具体而言，将氧化铝烧结体用作靶并通过DC磁控溅射来形成了由氧化铝膜构成的无机层16。
[实施例18]
改变成为有机层14的涂布液B1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例19]
改变成为有机层14的涂布液B1的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为0.1μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例20]
使用硅酮剥离薄膜(FUJIMORI KOGYO CO.,LTD.制FILM BYNA BD)作为基板12，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜10a。
[实施例21]
改变成为有机保护层24的涂布液C2的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为50μm，除此以外，以与实施例3相同的方式制作了阻气膜10c。
[实施例22]
改变成为有机保护层24的涂布液C2的固体成分浓度和涂布量并将干燥膜厚设为0.1μm，除此以外，以与实施例3相同的方式制作了阻气膜10c。
[比较例1]
未形成剥离树脂层20，除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜。
[比较例2]
在形成剥离树脂层20时，在干燥后照射累积照射量约3000mJ/cm2的紫外线并使其固化来进行了卷取。接着，将形成有机层14时的紫外线的累积照射量改变为约50mJ/cm2。除此以外，以与实施例1相同的方式制作了阻气膜。
由此，强化剥离树脂层20与基板12的剥离力的同时减弱有机层14与剥离树脂层20的剥离力。由此，将有机层14与剥离树脂层20的剥离力设为比剥离树脂层20与基板12的剥离力弱。即，设为可在剥离树脂层20与有机层14之间进行剥离。
[评价]
关于所制作的实施例1～22及比较例1、2的阻气膜，对阻气性和光学特性进行评价。
＜阻气性＞
(转印工序)
准备将光学粘结薄膜(PDS1PANAC Corporation制)贴合于FUJITAC(TD80Fujifilm Corporation制)的带粘结层的200mm见方的TAC薄膜来作为被转印体。
将所制作的阻气膜10的保护膜26剥离之后，通过层压机(Fellowes Japan K.K.制Proteus)进行贴合，以使被转印体的粘结层与阻气膜10的无机层16相接。由此，得到了200mm见方的贴合薄膜。将层压压力设为0.5MPa，将输送速度设为5m/min。
贴合后，阻气膜10的基板12被剥离。如以下方式，对基板12进行了剥离。首先，利用汤姆森刀片将200mm见方的贴合薄膜冲切成100mm见方，以使端面被可靠地剥离。接着，使TAC薄膜侧朝向下方，通过平面性高的吸附板吸附保持TAC薄膜表面之后，在端部贴附2cm左右的用于抓紧基板12的粘结胶带(NITTO SELLO TAPE(注册商标))。接着，与样品平行地拉起粘结胶带，以使基板12与180度剥离试验相同地画圆弧。如此，剥离了基板12。剥离时，在温度25℃、湿度50％RH的环境下进行。
另外，关于在无机层16上具有成为粘结层的有机保护层24的实施例3、4、21及22，将未贴合粘结薄膜的FUJITAC(TD80Fujifilm Corporation制)作为被转印体，除此以外，以与实施例1相同的方式进行转印。
(水蒸气透过率测定)
通过钙腐蚀法(日本特开2005-283561号公报中所记载的方法)，对转印于被转印体并剥离了基板12的阻气膜10的水蒸气透过率进行测定。关于恒温恒湿处理条件，将温度设为40℃，相对湿度设为90％RH。
并且，FUJITAC单体的水蒸气透过率为400[g/(m2·天)]。
基于所测定的水蒸气透过率，根据以下基准进行了评价。
A：水蒸气透过率小于5×10-5[g/(m2·天)]
B：水蒸气透过率为5×10-5以上，且小于1×10-4[g/(m2·天)]
C：水蒸气透过率为1×10-4以上，且小于5×10-4[g/(m2·天)]
D：水蒸气透过率为5×10-4以上，且小于1×10-3[g/(m2·天)]
E：水蒸气透过率为1×10-3[g/(m2·天)]以上
＜光学特性＞
将所制作的阻气膜10的保护膜26剥离之后，剥离了基板12，取出包含剥离树脂层20和阻气层18(有机层14和无机层16)的转印层30。接着，对该转印层30的总光线透过率和延迟值进行了测定。
(总光线透过率)
利用分光光度计(NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES Co.,LTD.制雾度计SH7000)，对所取出的转印层30的总光线透过率进行了测定。
根据所测定的总光线透过率并根据以下基准进行了评价。
A：总光线透过率为90％以上
B：总光线透过率为88％以上，且小于90％
C：总光线透过率为86％以上，且小于88％
D：总光线透过率为84％以上，且小于86％
(延迟值)
以KOBRA-WR(Oji Scientific Instruments制)对所取出的转印层30的延迟值(Re值)进行了测定。
基于所测定的延迟值并根据以下基准进行了评价。
A：延迟值为5nm以下
B：延迟值大于5nm，且为10nm以下
C：延迟值大于10nm，且为20nm以下
D：延迟值大于20nm
将结果示于下述表中。
如上述表1所示，在基板与阻气层之间具有剥离树脂层，并在剥离树脂层与基板的界面进行剥离的本发明的实施例，与比较例进行比较的结果可知，阻气性与光学特性优异。
并且，从实施例1、5及6的对比可知，剥离树脂层优选玻璃化转变温度Tg为100℃以上的环状烯烃树脂。
并且，从实施例1与实施例7的对比可知，剥离树脂层优选为环烯烃共聚物。
并且，从实施例1及8～11的对比可知，剥离树脂层的厚度优选0.1～25μm，更优选0.5～15μm。
并且，从实施例1、12～14的对比可知，有机层的玻璃化转变温度Tg优选200℃以上。
并且，从实施例1、15及16的对比可知，有机层优选包含5％以上且小于50％的具有金刚烷骨架的1官能以上的丙烯酸酯，或优选包含5％以上且小于50％的具有芴骨架的2官能以上的丙烯酸酯。
并且，从实施例1、18及19的对比可知，有机层的厚度优选0.1～50μm，更优选0.1～5μm，进一步优选0.2～3μm。
并且，从实施例1与实施例17的对比可知，无机层优选为氮化硅。
并且，从实施例2～4、21、22可知，优选在无机层16上具有有机保护层24。
并且，从实施例3与实施例4的对比可知，优选使用丙烯酸系粘结剂作为有机保护层24。
并且，从实施例3、21及22的对比可知，有机保护层24的厚度优选0.1～50μm，更优选0.5～25μm。
[实施例23]
使用所制作的阻气膜10来制作了如图6所示的波长转换膜100。波长转换膜为具有量子点层作为波长转换层的量子点薄膜。
＜量子点层形成用组合物的制备＞
制备下述含量子点聚合性组合物A，以孔径0.2μm的聚丙烯制薄膜进行滤过之后，减压干燥30分钟来用作涂布组合物。以下的甲苯分散液中的量子点浓度为1质量％。
(含量子点聚合性组合物A)
(IRGACURE 819(BASF公司制))
＜量子点薄膜的制作＞
准备实施例1的阻气膜10a作为两个薄膜(第一薄膜和第二薄膜)。即，使用结构相同的薄膜作为第一薄膜和第二薄膜。
首先，以1m/分、60N/m的张力连续输送第一薄膜的同时剥离无机层16上的保护膜26，在无机层16上利用模涂布机涂布以上制备的涂布组合物来形成了厚度50μm的涂膜。
接着，将形成有涂膜的薄膜卷绕于支撑辊。从第二薄膜剥离保护膜26，并朝向无机层16表面与涂膜相接的方向进行了层压。如此，用第一薄膜和第二薄膜夹持涂膜。
在该状态下连续输送的同时，在60℃的加热区域通过3分钟之后，利用160W/cm的气冷金属卤化灯(EYE GRAPHICS CO.,LTD.制)照射紫外线来使其固化，并形成了含量子点的量子点层(波长转换层102)。另外，紫外线的照射量为2000mJ/cm2。
分别从第一薄膜和第二薄膜剥离基板12来制作了量子点薄膜(波长转换膜100)。
[评价]
关于所制作的实施例23的波长转换膜100，对耐久性进行了评价。
具体而言，测定了刚制作完的波长转换膜100的辉度，及温度60℃、湿度90％RH的环境下放置1000小时之后(加湿后)的辉度，并以其变化量对耐久性进行评价。
如以下，对辉度进行测定。
首先，分解市售的液晶显示装置(Amazon公司制Kindle Fire HDX7")，并取出具备蓝色光源的背光单元。接着，在背光单元的导光板上放置切成矩形的波长转换膜，在其上，以与表面的凹凸图案的朝向正交的方式层叠配置从上述液晶显示装置取出的2片棱镜片。
点亮背光单元，并利用设置在从背光单元的前面沿垂直方向距离740mm的位置的辉度计(TOPCON CORPORATION制SR3)测定了辉度。
测定的结果，加湿前后的辉度的变化为1％以下。从而，可知利用本发明的阻气膜进行密封的波长转换膜具有高的耐久性。
[实施例24]
使用所制作的阻气膜10来制作如图5所示的带阻气层的相位差膜110。
使用特殊聚碳酸酯W138(TEIJIN LIMITED.制)作为相位差膜112。
首先，在相位差膜112上贴合光学粘结薄膜(PDS1PANAC Corporation制)。
接着，剥离实施例1的阻气膜10a的保护膜26之后，通过层压机(Fellowes JapanK.K.制Proteus)进行贴合，以使相位差膜112的粘结层侧与阻气膜10的无机层16相接。贴合后，剥离阻气膜10的基板12来制作带阻气层的相位差膜110。
[评价]
关于所制作的实施例24的带阻气层的相位差膜110，对光学特性进行了评价。
具体而言，分别对相位差膜112单体、及带阻气层的相位差膜110的延迟值进行测定的结果，差为2％以下。从而，可知将本发明的阻气膜进行转印的带阻气层的相位差膜110在维持光学特性的同时具有高阻气性。
[实施例25]
使用所制作的阻气膜10来制作如图7(A)所示的有机EL层叠体120a。
＜有机EL元件的制作＞
准备厚度500μm、大小20×20mm的玻璃板作为元件基板122。
用陶瓷遮蔽该元件基板122的周边2mm。而且，将实施了遮蔽的元件基板装填于通常的真空沉积装置中并通过真空沉积形成厚度100nm的金属铝所构成的电极，并且，形成了厚度1nm的氟化锂层。接着，在该元件基板122上，通过真空沉积依次形成了以下有机化合物层。
·(发光层兼电子传输层)三(8-羟基喹啉)铝：膜厚60nm
·(第2电洞传输层)N,N’-二苯基-N,N’-二萘基联苯胺：膜厚40nm
·(第1电洞传输层)铜酞菁：膜厚10nm
而且，将形成该些层的元件基板122装填于通常的溅射装置中并将ITO(IndiumTin Oxide氧化铟锡)用作靶，通过DC磁控溅射形成了厚度0.2μm的ITO薄膜所构成的透明电极。如此，在元件基板122上形成了作为使用有机EL材料的发光元件的有机EL元件124。
＜阻气膜的转印＞
接着，从形成有机EL元件124的元件基板122去除遮蔽。在去除了遮蔽的元件基板122上涂布丙烯酸系粘结剂。接着，从实施例1的阻气膜10a剥离保护膜26，将无机层16侧朝向粘结剂表面而贴合阻气膜10a之后，剥离阻气膜10a的基板来制作有机EL层叠体120a。
[实施例26]
去除遮蔽之后，将形成有有机EL元件124的元件基板122装填于通常的等离子体CVD装置中，并通过等离子体CVD(CCP-CVD)形成由氮化硅构成的厚度1500nm的钝化膜126，除此以外，以与实施例25相同的方式制作如图7(C)所示的有机EL层叠体120c。
[实施例27]
使用了实施例1的阻气膜10a来作为元件基板122，除此以外，以与实施例25相同的方式制作了有机EL层叠体124。
具体而言，将实施例1的阻气膜10a转印于在FUJITAC(TD80Fujifilm Corporation制)上贴合有光学粘结薄膜(PDS1PANAC Corporation制)的带粘结层的TAC薄膜，并将剥离了基板12的层叠体用作元件基板122。并且，在该元件基板122的剥离树脂层20上形成了有机EL元件124。
接着，以与上述相同的方式，以并且1片阻气膜10a对有机EL元件124进行密封来制作了有机EL层叠体124。
[评价]
关于所制作的实施例25～27的有机EL层叠体，对耐久性进行了评价。
具体而言，在温度60℃、湿度90％RH的环境下，将所制作的有机EL层叠体124放置了200小时。放置后，利用Keithlel公司制SMU2400型源测量单元，对各有机EL层叠体124施加7V的电压来使其发光。通过显微镜，从阻气膜10a侧进行观察而确认有无产生黑斑，并根据以下基准进行了评价。
A：完全没有发现黑斑的产生
B：发现产生了微量的黑斑
C：清楚地观察到黑斑的产生
D：黑斑的面积比率较大
进行评价的结果，实施例25～实施例27的有机EL层叠体均为A。
根据以上结果，本发明的效果是显而易见的。
符号说明
10-阻气膜，12-基板，14-有机层，16-无机层，18-阻气层，20-剥离树脂层，24-有机保护层，26-保护膜，30-转印层，40-涂布部，42-干燥部，44-固化部，48-输送辊对，50-供给室，50a、52a、54a-真空排气机构，52-成膜室，54-卷取室，58、60、76-导辊，62-滚筒，64-喷淋电极，68-原料气体供给部，70-高频电源，72-层叠辊对，100-波长转换膜，102-波长转换层，104-阻气膜，110-带阻气层的相位差膜，112-相位差膜，120-有机EL层叠体，122-元件基板，124-有机EL元件，126-钝化膜。

Claims (19)

1.一种阻气膜，其特征在于，具有：
基板；
阻气层，该阻气层设置于所述基板的一个表面侧，具有一组以上的无机层和有机层的组合，该有机层是所述无机层的形成面；及
剥离树脂层，设置于所述基板与所述阻气层之间，与所述有机层密合，并且用于剥离所述基板和所述阻气层，
所述有机层比所述剥离树脂层薄，所述有机层的玻璃化转变温度高于所述剥离树脂层的玻璃化转变温度，
所述剥离树脂层的形成材料是环烯烃共聚物，
所述有机层的形成材料是紫外线固化树脂或电子束固化树脂，固化后的玻璃化转变温度Tg为200℃以上，
所述有机层的形成材料包含5％以上且小于50％的1官能以上的丙烯酸酯，所述1官能以上的丙烯酸酯具有金刚烷骨架，或者
所述有机层的形成材料包含5％以上且小于50％的2官能以上的丙烯酸酯，所述2官能以上的丙烯酸酯具有芴骨架。
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述剥离树脂层的形成材料是玻璃化转变温度Tg为100℃以上的环烯烃共聚物。
3.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述剥离树脂层的厚度为0.1～25μm。
4.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述无机层的形成材料是氮化硅、氧化硅或它们的混合物。
5.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述有机层的厚度为0.1～5μm。
6.根据权利要求1所述的阻气膜，还具有设置在所述阻气层上的保护膜或有机保护层。
7.根据权利要求6所述的阻气膜，其中，
所述有机保护层为丙烯酸系粘结剂。
8.根据权利要求6所述的阻气膜，还具有设置在所述有机保护层上的保护膜。
9.根据权利要求6项所述的阻气膜，其中，
所述有机保护层的厚度为0.1～50μm。
10.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述基板为被赋予了脱模层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
11.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
去除所述基板后的结构的水蒸气透过率小于0.01g/(m2·天)。
12.根据权利要求第1所述的阻气膜，其中
去除所述基板后的结构的可见光透射率为85％以上，延迟值为30nm以下。
13.一种阻气膜的转印方法，将具备所述阻气层和所述剥离树脂层的转印层转印于被转印体，在所述转印方法中，
将权利要求第1至12中任一项所述的阻气膜的与所述基板相反一侧的表面贴附于被转印体，
并剥离所述基板。
14.根据权利要求13所述的阻气膜的转印方法，其中，
所述被转印体为波长转换材料、相位差膜、有机EL元件及形成在有机EL元件上的钝化膜中的任一者。
15.一种波长转换膜，具有：
波长转换层；及
转印层，该转印层层叠在所述波长转换层上，该转印层是从权利要求1至12中任一项所述的阻气膜上去除所述基板后得到的，且具备所述阻气层和所述剥离树脂层。
16.一种带阻气层的相位差膜，具有：
相位差膜；及
转印层，该转印层层叠在所述相位差膜上，该转印层是从权利要求1至12中任一项所述的阻气膜上去除所述基板后得到的，且具备所述阻气层和所述剥离树脂层。
17.一种有机EL层叠体，具有：
有机EL元件；及
转印层，该转印层层叠在所述有机EL元件上，该转印层是从权利要求1至12中任一项所述的阻气膜上去除所述基板后得到的，且具备所述阻气层和所述剥离树脂层。
18.根据权利要求17所述的有机EL层叠体，其中，
在所述有机EL元件与所述转印层之间具有钝化膜。
19.根据权利要求17或18所述的有机EL层叠体，还具有支撑所述有机EL元件的元件基板，
所述元件基板包括从权利要求1至12中任一项所述的阻气膜上去除所述基板后得到且具备所述阻气层和所述剥离树脂层的转印层。
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