TWI637542B - 有機ｅｌ積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機電致發光積層體，其是利用密封基板(阻氣膜)來對有機電致發光元件進行密封而成，上述有機電致發光積層體能實現輕量化及薄膜化，並且能防止層間的剝離、且能適當地防止由水分等引起的發光單元的劣化。有機電致發光積層體是以如下方式解決上述課題：在覆蓋使用有機電致發光材料的發光單元的鈍化膜上，利用接著劑將具有有機膜與無機膜的積層構造的阻氣膜以無機膜與鈍化膜相向的方式進行接著，並且，利用相同材料形成無機膜及鈍化膜。

Description

有機EL積層體
本發明是有關一種利用密封基板(阻氣膜(gas barrier film))，將由鈍化(passivation)膜保護發光單元的有機EL元件進行密封而成的有機電致發光(Electroluminescence，EL)積層體。
使用有機EL材料的有機EL元件(有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)元件)被利用於顯示器(display)或照明裝置等中。
該有機EL元件中利用的有機EL材料非常不耐水。因此，有機EL裝置中，藉由採用利用玻璃(glass)板或金屬板將周邊部密封的構造，來防止因水分導致有機EL材料劣化。
然而，該方法中，因利用金屬或玻璃將整個裝置密封，故而，有機EL裝置變得重且厚。而且，近年來，亦難以對應於有機EL裝置所要求的可撓性(flexible)化。
對此，如專利文獻1或專利文獻2所示，開發出一種藉由對使用有機EL材料的發光單元(有機EL元件)賦予阻氣性而使有機EL裝置實現輕量化或薄型化的方法。
具體而言，藉由設為利用具有阻氣性的鈍化膜(保護膜)對 在單元基板上具有有機EL材料或電極等的發光單元進行覆蓋，並且使用接著劑將密封基板接著於該鈍化膜上而成的積層體構造(有機EL積層體)，來防止因水分導致有機EL元件劣化。
此種有機EL積層體中，作為鈍化膜的形成材料，可例示顯現出阻氣性的氮化矽、氧化矽及氮氧化矽等無機材料。
而且，作為密封基板的形成材料，可例示玻璃、塑膠(plastic)、石英、樹脂、金屬等。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-198926號公報
[專利文獻2]日本專利第5036628號公報
根據該使用鈍化膜及密封基板的構成，無需利用金屬板或玻璃板對周邊進行密封，因此，能使有機EL裝置實現輕量化或薄型化。
此處，為了更佳地實現裝置的輕量化或薄型化，與使用玻璃等作為密封基板相比，更有利的是使用塑膠膜(plastic film)作為密封基板。
然而，由本發明者的研究可知，若以作為密封基板的塑膠膜密封發光單元由鈍化膜覆蓋而成的有機EL元件，則雖然能實現輕量化或薄型化，但往往會產生層間的剝離、或因塑膠膜引起的發光單元的劣化等。
本發明的目的在於解決上述先前技術的問題，且在於提供一種利用密封基板將以鈍化膜覆蓋使用有機EL材料的發光單元的有機EL元件密封而成的有機EL積層體，上述有機EL積層體能防止層間的剝離，且能更適當地防止由水分等引起的發光單元的劣化。
為了解決該問題，本發明的有機EL積層體具備：有機EL元件，具有使用有機EL材料的發光單元、及覆蓋上述發光單元的鈍化膜；及阻氣膜，將上述有機EL元件密封；上述有機EL積層體中，上述有機EL元件與上述阻氣膜由接著劑接著；該有機EL積層體的特徵在於：上述阻氣膜具有支撐體、及至少1個以上的位於上述支撐體上的無機膜與成為上述無機膜的基底的有機膜的的組合，上述阻氣膜的表層為無機膜，上述鈍化膜與上述阻氣膜的表層是由相同材料形成，上述鈍化膜與上述阻氣膜的表層相向。
此種本發明的有機EL積層體中，較佳為接著劑的厚度為超過1μm且為100μm以下。
而且，較佳為接著劑包含矽烷偶合劑，鈍化膜及阻氣膜的表層為矽化合物的膜，並且，在該膜的表面導入有-O基及-OH基的至少一個。
而且，較佳為鈍化膜及阻氣膜的表層的無機膜為氮化矽的膜。
而且，較佳為支撐體的延遲(retardation)為300nm以下。
而且，較佳為支撐體的水蒸氣透過率為300[g/(m2．天)]以下。
而且，較佳為阻氣膜的水蒸氣透過率小於1×10-4[g/(m2．天)]。
而且，較佳為鈍化膜的厚度為5μm以下。
而且，較佳為有機膜的厚度為0.5μm~5μm。
而且，較佳為有機EL元件為頂部發光(top emission)型。
進而，較佳為具有多個無機膜，並且，所有無機膜是由相同材料形成。
根據本發明，在利用密封基板將以鈍化膜覆蓋發光單元的有機EL元件密封而成的有機EL積層體中，藉由使用表層為具有阻氣性的無機膜的阻氣膜作為密封基板，能實現有機EL積層體的輕量化及薄型化，並且能防止在有機EL積層體中的層間剝離，且能更適當地防止由水分等引起的發光單元的劣化。
10‧‧‧有機EL積層體(有機EL裝置)
12‧‧‧有機EL元件
14‧‧‧阻氣膜
14a、14b‧‧‧阻氣膜
16‧‧‧接著劑(接著劑層、接著層)
20‧‧‧單元基板
24‧‧‧發光單元(有機EL元件)
26‧‧‧鈍化膜(保護膜)
30‧‧‧支撐體
32‧‧‧有機膜
34‧‧‧無機膜
34a‧‧‧保護無機膜
圖1是概念性地表示本發明的有機EL積層體的一例的圖。
圖2(A)及圖2(B)是概念性地表示本發明的有機EL積層體中使用的阻氣膜的其他示例的圖。
以下，基於隨附圖式所示的較佳實施例，對本發明的有機EL積層體進行詳細說明。
圖1中概念性地表示本發明的有機EL積層體的一例。
如圖1所示，有機EL積層體10中，形成有使用有機EL材料的發光單元24的有機EL元件12、與阻氣膜14是由接著劑(接著劑層、接著層)16接著。
有機EL元件12中，在單元基板20上形成發光單元24，且利用鈍化膜26覆蓋發光單元24。
作為有機EL元件12，只要具有使用有機EL材料的發光單元24、並且具有為了保護發光單元24使其免受水分或氧氣等的影響而覆蓋發光單元24的鈍化膜26，則可採用於各種有機EL顯示器或有機EL照明裝置等有機EL裝置中利用的、公知的有機EL元件(OLED元件)。
作為單元基板20，可採用各種有機EL元件中使用的單元基板。作為單元基板20的材料，可例示玻璃、塑膠、金屬及陶瓷(ceramic)等。
為了防止由水分等引起的發光單元24的劣化，有機EL積層體10較佳為能防止水分等透過單元基板20而到達發光單元24。因此，單元基板20較佳為使用如玻璃或金屬等般，包含水分等的含量低且水分等的透過率低的材料的基板。
有機EL積層體10具備阻氣膜14作為密封有機EL元件12的密封基板，上述阻氣膜14具有積層有有機膜32及無機膜34的有機/無機的積層構造。有機EL積層體10適宜用於自與單元基板20的相反側(阻氣膜14側)發出光的、頂部發光型的有機 EL裝置。
當有機EL元件12為頂部發光型時，單元基板20無需具有透光性。因此，當將有機EL積層體10利用於頂部發光型的有機EL裝置中時，作為單元基板20，可使用在表面(圖1中為下方側)具有陽極氧化膜的鋁箔、或鋁箔與聚醯亞胺的積層體等具有絕緣層的可撓性的金屬膜(金屬板)。
有機EL積層體10中，使用阻氣膜14作為密封基板。因此，藉由使用具有絕緣層的可撓性的金屬膜作為單元基板20，能適當地製作可撓性的有機EL顯示器或有機EL照明裝置等。
如上文所述，有機EL積層體10中，有機EL元件12可採用公知的有機EL元件。
形成於單元基板20上的發光單元(有機EL元件)24可採用使用有機EL材料的公知的發光單元，上述公知的發光單元具有包含有機EL材料的發光部(發光層)、電極、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。
發光單元24可根據有機EL積層體10的構成、用途或大小等而利用公知的方法形成。
有機EL元件12具有覆蓋發光單元24(或進而是單元基板20的表面)的鈍化膜(保護膜)26。
鈍化膜26藉由抑制水分或氧等到達發光單元24，而防止發光單元24(尤其是有機EL材料)劣化。
鈍化膜26可採用在公知的有機EL元件中利用的、包含 顯現出阻氣性的材料的各種膜(層)。
作為鈍化膜26，可例示包含具有阻氣性的無機化合物的膜，其中，適當的是包含氮化矽、氧化矽及氮氧化矽等矽化合物的膜。其中，於高阻氣性、或利用於頂部發光型時的光學特性等方面而言，作為鈍化膜26，更適當的是包含氮化矽的膜。
鈍化膜26可利用與膜的形成材料對應的公知的方法形成。
本實施方式中，鈍化膜26是由與阻氣膜14的表層的無機膜34相同的材料形成。
鈍化膜26較佳為包含矽化合物，且在表面(阻氣膜14側的表面)導入有-O基及/或-OH基，更佳為導入有-OH基。尤佳為鈍化膜26由氮化矽形成，且在其表面導入有-O基及/或-OH基，更佳為導入有-OH基。
由於在鈍化膜26表面導入有-O基或-OH基、而且接著劑16中含有矽烷偶合劑，故可使有機EL元件12(鈍化膜26)與接著劑16獲得適當的密著性。關於此方面，於下文進行詳述。
通常，包含矽化合物的鈍化膜26是在維持於發光單元24不會受損的溫度的狀態下，利用電漿(plasma)化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)或濺鍍(sputtering)等氣相沈積法(氣相成膜法)形成。
此處，於利用低溫的氣相沈積法所形成的包含矽化合物的膜中，並非膜中的所有矽都形成例如以氮化矽等為目的的化合物，亦存在具有未鍵結的結合鍵的矽。尤其是，於膜的表面，大量存 在具有未鍵結的結合鍵的矽。因此，當形成鈍化膜26之後，藉由使膜的表面暴露於空氣(大氣)，而使-O基或-OH基鍵結於該未鍵結的結合鍵。如此，將-O基或-OH基(尤其是-OH基)導入至鈍化膜26的表面。
鈍化膜26的膜厚可根據有機EL積層體10的用途或尺寸(size)等而適當地設定。
一般而言，鈍化膜26的膜厚越厚，則對於水分等的由鈍化膜26造成的發光單元24的保護性能越高。
然而，有機EL元件12中，為了防止發光單元24受損而難以於高溫下形成鈍化膜26。因此，為了形成厚的鈍化膜26，需要花費時間或功夫，且成本(cost)提高。另外，鈍化膜26是包含無機材料的膜，因此，若過厚，則會因自身的內部應力而自然地產生破裂等損傷。
有機EL積層體10中，將具有有機/無機的積層構造的高性能的阻氣膜14，以使無機膜34朝向鈍化膜26側的方式用作密封基板。因此，即便鈍化膜26變薄，亦能充分地防止由水分等引起的發光單元24的劣化。
鈍化膜26的厚度較佳為設為5μm以下，更佳為設為2μm以下，尤佳為設為1.5μm以下。藉此，能更適當地實現有機EL積層體10的薄膜化或可撓性化，進而，亦可實現成本下降(cost down)。
阻氣膜14具有支撐體30、及至少1個以上的位於該支 撐體30上的無機膜34及有機膜32的組合。較佳為阻氣膜14在支撐體30上具有有機膜32，在該有機膜32上具有無機膜34。即，阻氣膜14中依序積層有支撐體30、有機膜32及無機膜34。
有機EL積層體10是藉由如下方式構成：利用接著劑16，使有機EL元件12與該阻氣膜14以鈍化膜26與無機膜34相向的方式接著。
在有機EL積層體10中，阻氣膜14在支撐體30上具有1個以上的無機膜34與作為該無機膜34的基底的有機膜32的組合，並且，表面(與支撐體30相反側的表面)為無機膜34。
阻氣膜14例如可如圖2(A)所示的阻氣膜14a般具有2個無機膜34與基底的有機膜32的組合，或亦可具有3個以上的上述組合。
作為阻氣膜14的支撐體30，較佳為使用延遲值為300nm以下的低延遲膜。作為支撐體30，延遲值更佳為150nm以下，進而更佳為10nm以下，尤佳為5nm以下。支撐體30的延遲(Retardation)值是由膜的雙折射率與該膜的厚度(nm)的乘積表示。有機膜32例如可利用所謂的塗佈法形成。
延遲值小的低延遲膜多為容易藉由溶劑而溶解者。因此，若使用低延遲膜作為支撐體30，並利用塗佈法在其表面形成有機膜32，則有時支撐體30會因塗料中所含的有機溶劑而溶解，產生延遲的變動等光學特性的劣化。
在當形成有機膜32時支撐體30可能會溶解的情況下， 可如圖2(B)所示的阻氣膜14b般，於支撐體30的表面形成用於保護支撐體30的保護無機膜34a，於該保護無機膜34a上形成1個以上的有機膜32與無機膜34的組合。保護無機膜34a可使用與無機膜34相同的膜。
當在支撐體30的表面設置保護無機膜34a時，阻氣膜14在支撐體30與保護無機膜34a之間可具有兩者的成分混合而成的混合層。藉由具有該混合層，而能更有效地防止因溫度或濕度的變化而引起的阻氣膜14b(尤其是無機膜34)受損。該混合層可藉由在利用氣相沈積法形成保護無機膜34a時控制由電漿所造成的支撐體30的蝕刻(etching)、或控制由施加於支撐體30的偏壓(bias)所造成的離子(ion)等的引入而形成。
作為阻氣膜14的支撐體30，可採用公知的阻氣膜中用作支撐體者。
其中，於容易薄型化或輕量化、或適合於有機EL積層體10的可撓性化等方面而言，較佳為利用包含各種塑膠(高分子材料/樹脂材料)的膜。
作為支撐體30的材料，適當的例子為包含聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚醯亞胺、透明聚醯亞胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、環烯烴聚合物(脂環式聚烯烴COP(Cyclo Olefin Polymer))、環烯烴共聚物(Cyclo Olefin Copolymer，COC)、及三乙醯纖維素(Triacetyl Cellulose，TAC)中的任一種的塑膠膜。
有機EL積層體10適宜用於頂部發光型的有機EL裝置中。若考慮到有機EL積層體10的光學特性，則支撐體30較佳為使用延遲值小於300nm、尤其是200nm以下的低延遲膜，其中尤佳為150nm以下的低延遲膜。
而且，為了減輕鈍化膜26及後述的無機膜34的負載、且更適當地防止由水分等引起的發光單元24的劣化，較佳為支撐體30自身的水蒸氣透過率低、且水分含量少。支撐體30的水蒸氣透過率較佳為300[g/(m2．天)]以下，更佳為200[g/(m2．天)]以下。
若考慮以上方面，則作為支撐體30，適當的例子為包含聚碳酸酯、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、三乙醯纖維素、及透明聚醯亞胺中的任一種的塑膠膜。作為支撐體30，適當的是包含聚碳酸酯、環烯烴聚合物、及環烯烴共聚物中的任一種的塑膠膜，更適當的是包含環烯烴共聚物的塑膠膜。
支撐體30的厚度可根據有機EL積層體10的用途或大小而適宜設定。支撐體30的厚度較佳為10μm~200μm左右。藉由使支撐體30的厚度處於該範圍，可於有機EL積層體10的輕量化或薄型化等方面而言獲得良好的結果。
於有機EL積層體10的輕量化或薄型化等方面而言，支撐體30與接著劑16的合計厚度較佳為比薄玻璃的厚度即300μm薄。
支撐體30可為在塑膠膜的表面形成有抗反射膜等顯現出必要 的功能的膜。
在支撐體30上形成有有機膜32。有機膜32是包含有機化合物的膜(以有機化合物為主成分的膜(層))，且基本上是將單體(monomer)及/或低聚物(oligomer)交聯(聚合)而構成。
有機膜32在阻氣膜14中成為主要顯現出阻氣性的無機膜34的基底層。
成為無機膜34的基底的有機膜32亦作為對於該無機膜34的緩衝(cushion)而發揮作用。因此，在使有機EL元件12與阻氣膜14接著時的按壓時、或有機EL積層體10(有機EL裝置)受到來自外部的衝擊時等，利用該有機膜32的緩衝效果，能防止無機膜34受損。
藉此，有機EL積層體10中，阻氣膜14能適當地體現出阻氣性能，從而能適當地防止因水分引起的發光單元24的劣化。
阻氣膜14具有有機膜32，藉此，能包埋(覆蓋)支撐體30的表面的凹凸、或附著於表面的異物等，從而改善無機膜34的形成面(成膜面)。藉由形成有機膜32，無機膜34的形成面成為更適於成膜的狀態。結果，能夠於形成面的整面無間隙地形成無破裂或裂紋等的適當的無機膜34。
阻氣膜14藉由具有此種有機/無機的積層構造，而能獲得水蒸氣透過率小於1×10-4[g/(m2．天)]的高阻氣性能。即，有機EL積層體10藉由使用具備有機/無機的積層構造且具有高阻氣性能的阻氣膜14作為密封基板而即便鈍化膜26變薄為2μm以下，亦能 更有效地防止由水分等引起的發光單元24的劣化。
作為有機膜32的形成材料，可採用各種有機化合物(樹脂/高分子化合物)。
作為有機膜32的材料，可較佳地列舉聚酯、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-順丁烯二酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟樹脂、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、醯化纖維素、聚胺基甲酸酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂環式聚烯烴、聚芳酯、聚醚碸、聚碸、茀環改質聚碳酸酯、脂環改質聚碳酸酯、茀環改質聚酯、丙烯醯基(acryloyl)化合物等的熱塑性樹脂、或聚矽氧烷、及其他有機矽化合物。上述物質可併用多種。
其中，作為有機膜32的材料，於玻璃轉移溫度或強度優良等方面而言，較佳為自由基聚合性化合物及/或於官能基中具有醚基的陽離子(cation)聚合性化合物的聚合物。
其中，尤其是，作為有機膜32的材料，不僅於上述強度，而且於折射率低、透明性高且光學特性優良等方面而言，適當的是以丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯的單體或低聚物的聚合物為主成分且玻璃轉移溫度為120℃以上的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。
其中，尤其是，作為有機膜32的材料，更適當的是二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(Dipropylene glycol Dimethylacrylate，DPGDA)、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(Trimethylol propane trimethylacrylate，TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯 (Dipentaerythritol hexamethylacrylate，DPHA)等以2官能以上、尤其是3官能以上的丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯的單體或低聚物的聚合物為主成分的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。而且，使用多個這些丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂作為有機膜32的材料亦較佳。
藉由利用上述丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂形成有機膜32，能於骨架牢固(穩定)的基底上形成無機膜34，因此，能形成更緻密且阻氣性高的無機膜34。
有機膜32的厚度較佳為0.5μm~5μm，更佳為1μm~3μm。
藉由使有機膜32的厚度為0.5μm以上，從而當將有機EL元件12與阻氣膜14接著時的按壓時等能充分發揮緩衝的效果，能更確實地防止無機膜34受損。而且，藉由使有機膜32的厚度為0.5μm以上，能更適當地改善無機膜34的形成面。因此，能遍及形成面的較廣的範圍而形成無破裂或裂紋等的適當的無機膜34。
而且，藉由使有機膜32的厚度為5μm以下，能適當地防止因有機膜32過厚而引起的有機膜32的裂痕(crack)、或阻氣膜14的捲曲(curl)等問題的發生。
於更適當地顯現出緩衝性而防止無機膜32受損、且能更改善無機膜32的形成面等方面而言，較佳為有機膜32的表面的平滑性高。
具體而言，有機膜32的平均表面粗糙度Ra較佳為10nm以 下，更佳為5μm以下。
如圖2(A)所示的阻氣膜14a所示，當具有多個有機膜32時，有機膜32的厚度可相同，亦可彼此不同。
當具有多個有機膜32時，各有機膜32的形成材料可相同，亦可不同。於生產性等方面而言，較佳為所有的有機膜32由相同材料形成。
有機膜32可利用塗佈法或快速(flash)蒸鍍等公知的方法形成。
為了提高與無機膜34或保護無機膜34a的密著性，有機膜32較佳為含有矽烷偶合劑。
於有機膜32上，將該有機膜32作為基底而形成無機膜34。
無機膜34是包含無機化合物的膜(以無機化合物為主成分的膜(層))，在阻氣膜14中主要顯現出阻氣性。
有機EL積層體10中，阻氣膜14的表層(與支撐體30相反側的表面的膜)為無機膜34。
作為無機膜34，可採用包含顯現出阻氣性的無機化合物的膜。
作為無機膜34的材料，適當的例子為氧化鋁、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)等金屬氧化物；氮化鋁等金屬氮化物；碳化鋁等金屬碳化物；氧化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮氧化矽等矽氧化物；氮化矽、碳氮化 矽等矽氮化物；碳化矽等矽碳化物；這些的氫化物；這些的2種以上的混合物；及這些的氫含有物等的包含無機化合物的膜。
尤其是，作為無機膜34，於透明性高、且能顯現出優良的阻氣性的方面而言，適當的例子為包含矽化合物的膜。其中尤其是，作為無機膜34，於不僅具有更優良的阻氣性、而且透明性亦高的方面而言，更適當的例子為包含氮化矽的膜。
阻氣膜14的表層即無機膜34與鈍化膜26是由相同材料形成。
當如圖2(A)及圖2(B)所示的阻氣膜14a及阻氣膜14b般，具有多個無機膜34(包括保護無機膜34a)時，只要至少表層的無機膜34由與鈍化膜26相同的材料形成即可。即，當具有多個無機膜34時，無機膜34的形成材料可彼此不同。若考慮生產性等，則較佳為使所有無機膜34由相同材料形成。
當由矽化合物形成無機膜34時，較佳為在表層的無機膜34的表面導入有-O基及/或-OH基，更佳為導入有-OH基。尤佳為表層的無機膜34由氮化矽形成，在其表面導入有-O基及/或-OH基，更佳為導入有-OH基。
由於在表層的無機膜34的表面導入有-O基或-OH基、且接著劑16含有矽烷偶合劑，故能確保阻氣膜14(無機膜34)與接著劑16的較佳的密著性。關於此方面，於下文進行詳述。
對於無機膜34的厚度而言，可根據形成材料而適當地決定能顯現出作為目的的阻氣性的厚度。
無機膜34的厚度較佳為10nm~200nm，更佳為10nm~100nm，進而更佳為15nm~75nm。
藉由將無機膜34的厚度設為10nm以上，能穩定地顯現出充分的阻氣性能。無機膜34一般較脆，若過厚，則可能會產生破裂或裂紋、剝離等。因此，藉由將無機膜34的厚度設為200nm以下，能防止產生破裂。
當如圖2(A)及圖2(B)中的示例所示，阻氣膜具有多個無機膜34(包含保護無機膜34a)時，各無機膜34的厚度可相同亦可不同。
無機膜34可利用例如公知的方法來形成。作為無機膜34的形成方法，適當的例子為電容耦合式電漿(capacitively coupled plasma，CCP)-CVD或感應耦合式電漿(inductively coupled plasma，ICP)-CVD等電漿CVD、磁控(magnetron)濺鍍或反應性濺鍍等濺鍍、真空蒸鍍等氣相沈積法。
與鈍化膜26同樣，當利用氣相沈積法形成無機膜34後，藉由使膜的表面暴露於空氣中，能在無機膜34的表面導入-O基或-OH基(尤其是-OH基)。
有機EL積層體10具有如下構成：利用接著劑16，將具有覆蓋發光單元24(或進而是單元基板20的表面)的鈍化膜26的有機EL元件12、與具有有機/無機的積層構造且表層為無機膜34的阻氣膜14，以鈍化膜26與無機膜34相向的方式進行了接著。
而且，有機EL積層體10中，鈍化膜26及阻氣膜14的表層的無機膜34是由相同的材料形成。再者，以下的說明中，當無特別說明時，「無機膜34」表示「表層的無機膜34」。
作為有機EL元件(尤其是頂部發光型的有機EL元件)12，已知有如下構成：以覆蓋形成於單元基板20上的發光單元24的方式形成鈍化膜26，在鈍化膜26上使用接著劑且利用密封基板進行密封。
專利文獻1或專利文獻2中，作為此種有機EL元件12的密封基板，例示出玻璃板或塑膠膜等各種物品，但通常使用的是玻璃板。
然而，近年來，對於有機EL裝置而言，薄型化或輕量化的要求提高。另外，根據用途，對於有機EL裝置還要求具有能彎折等的可撓性。
若考慮該輕量化及薄型化，則作為密封有機EL元件12的密封基板，有利的是使用塑膠膜。
然而，根據本發明者的研究可知，當使用塑膠膜作為密封基板時，難以兼顧對於鈍化膜26(尤其是由矽化合物形成的鈍化膜)及密封基板該兩者的充分的密著性。
於鈍化膜26與接著劑之間、及/或、接著劑與作為密封劑的塑膠膜之間會產生層間剝離，從而，其界面部會呈氣泡狀殘留水分等的氣體(gas)。因此，即便具有鈍化膜，水分等亦會經過長時間而到達發光單元24，從而使發光單元24劣化。
進而，本發明者經過研究之後發現：自塑膠膜釋出的水分等的氣體(所謂的排氣(out gas))亦會成為引起密著性下降的原因。
塑膠膜的內部含有水分等各種氣體。這些氣體會經過長時間而自膜內釋出(所謂的排氣)。該排氣亦與之前的氣泡內的氣體同樣，經過長時間後，最終會到達發光單元24，使發光單元24劣化。另外，排氣亦會成為存在於上文所述的層間的界面的空間內的氣泡，因此，密著性的劣化即層間剝離會增大。
藉由自作為密封基板的塑膠膜產生排氣，層間的剝離及由水分等引起的發光單元24的劣化會加速。
對此，本發明的一實施方式的有機EL積層體10使用阻氣膜14作為密封基板，該阻氣膜14具有包括無機膜34與基底的有機膜32的有機/無機的積層體構造、且將無機膜34作為表層。
進而，使鈍化膜26及無機膜34由相同材料形成，且在使鈍化膜26及無機膜34該兩者相向的狀態下，利用接著劑16將有機EL元件12與阻氣膜14接著。
因此，根據有機EL積層體10，與使用塑膠膜作為密封基板的情況同樣地使用玻璃板等作為密封基板的現有的有機EL積層體相比，更能實現輕量化及薄型化。
鈍化膜26及無機膜34是由相同材料形成，因此，能以相同的力而接著於接著劑16(對於接著劑的接著力相同)。結果，能使兩膜的密著力一致，從而能減小應力差。可使用最適於鈍化膜26 及阻氣膜14該兩膜的接著劑16，以高密著力進行接著。因此，能更有效地防止鈍化膜26與接著劑16之間、及接著劑16與無機膜34之間的層間剝離。
進而，將顯現出阻氣性的無機膜34作為表層，使鈍化膜26與無機膜34相向地進行接著。因此，即便在已自支撐體30釋出排氣時，該排氣亦會被無機膜34遮斷，從而能防止排氣到達接著劑16或鈍化膜26。因此，利用有機EL積層體10，亦能防止因來自支撐體30的排氣引起的發光單元24劣化或層間剝離。
如圖1所示，鈍化膜26的表面具有與發光單元24相應的凹凸。而且，包含氮化矽等的無機膜34較硬且脆，故而，若直接被其他構件按壓，則容易產生破裂或裂紋等損傷。
若無機膜34受損，則水分等會自受損處透過，故而阻氣膜14的性能會下降。因此，一般而言，若考慮到該無機膜34的損傷，則不利的是將無機膜34直接抵接於接著劑16(使無機膜34與接著劑16接觸)而將有機EL元件12與阻氣膜14接著。
亦已知有為了保護最上層的無機膜34而於表層具有保護有機膜的阻氣膜。然而，若使用該阻氣膜，且以使保護有機膜與鈍化膜26相向的方式將有機EL元件12與阻氣膜接著，則會產生與上文所述的塑膠膜相同的問題。
而且，在使用有機EL積層體的有機EL裝置中，於有機EL積層體上形成有偏光板或1/λ板等多種功能層。若考慮到使這些功能層作為無機膜34的保護膜而發揮作用，而以使支撐體30與鈍 化膜26相向的方式將阻氣膜14與有機EL元件12接著，則會產生與上文所述的塑膠膜相同的問題。
對此，於有機EL積層體10中，阻氣膜14具有作為無機膜34的基底的有機膜32。因此，當將有機EL元件12與阻氣膜14接著時的按壓時等，有機膜32作為無機膜34的緩衝而發揮作用，從而能保護無機膜34以防其受損。
藉由具有作為基底的有機膜32，能形成適當的無機膜34，故而，阻氣膜14具有水蒸氣透過率小於1×10-4[g/(m2．天)]的高阻氣性能。藉此，如上文所述，亦可藉由鈍化膜26的薄膜化而實現成本下降。阻氣膜14的水蒸氣透過率更佳為5×10-5[g/(m2．天)]以下。
而且，如圖2(A)中的示例所示，當具有多個有機/無機的積層構造時，因顯現出更高的緩衝效果，故而能更確實地保護無機膜34從而維持高性能。另外，當具有多個有機/無機的積層構造時，因可獲得更高的阻氣性能，故而，亦可藉由鈍化膜的薄膜化而更大地獲得成本下降的效果。
因此，根據有機EL積層體10，除了藉由使用阻氣膜14作為密封基板而實現輕量化及薄型化以外，而亦可防止有機EL積層體10內部的層間剝離。而且，根據有機EL積層體10，可充分顯現出使用阻氣膜14作為密封基板的效果，從而藉由鈍化膜26的薄膜化而實現成本下降，並且，能更適當地防止由水分等引起的發光單元24的劣化。結果，有機EL積層體10可長時間地發揮 所需性能。
有機EL積層體10中，關於接著劑16的厚度(包含接著劑16的膜的厚度)，可根據有機EL積層體10的大小或用途等而適當地設定能確實地將有機EL元件12與阻氣膜14接著的厚度。
有機EL積層體10中，接著劑16基本上填充於有機EL元件12與阻氣膜14之間的整個區域。
接著劑16通常不具有阻氣性。因此，有機EL積層體10中，會有水分等自接著劑16的端面侵入，且水分等可能會到達發光單元24而使發光單元24劣化。而且，若接著劑16變得過厚，則亦會產生阻氣膜14的柔軟性(可撓性)受損、或捲曲增強等不良狀況。
考慮到上述方面，有利的是，將接著劑16的厚度設為如下最小限的厚度：能包埋鈍化膜26的表面的凹凸(以使凹凸變得平滑的程度覆蓋)、且確實地將有機EL元件12與阻氣膜14接著。
根據本發明者的研究，接著劑16的厚度較佳為超過1μm(大於1μm)。
鈍化膜26的表面具有與發光單元24相應的凹凸，而且，包含氮化矽等的無機膜34較硬且脆。因此，若考慮到無機膜34的破裂等損傷，則不利的是將無機膜34直接抵接於接著劑16而將有機EL元件12與阻氣膜14接著。
對此，藉由使接著劑16的厚度超過1μm，從而，當將有機 EL元件12與阻氣膜14接著時的按壓時、或有機EL積層體10受到來自外部的衝擊時等，能使接著劑16作為用於防止無機膜34受損的緩衝而有效地發揮作用。藉此，在接著劑16具有的緩衝作用、及有機膜32具有的緩衝作用的協同效應下，能更確實地防止無機膜34受損。
若考慮到水分等自接著劑16的端面的侵入、阻氣膜14的柔軟性或捲曲等，則接著劑16的厚度較佳為100μm以下。
於能藉由更適當的緩衝效果來防止無機膜34的受損、及能防止水分等自端面侵入等方面而言，接著劑16的厚度更佳為設為2μm~50μm。
於輕量化或薄型化等方面而言，支撐體30與接著劑16的合計厚度較佳為比薄玻璃的厚度即300μm更薄。
接著劑16的厚度是指形成有發光單元24的位置上的、最薄位置處的接著劑16的厚度。
對於接著劑16而言，可根據鈍化膜26及無機膜34的形成材料而適當選擇能以充分的密著力將兩者接著的接著劑。作為接著劑16，可例示環氧系的接著劑、或丙烯酸系的接著劑。
當有機EL積層體10為頂部發光型時，接著劑16較佳為具有高光透過率。接著劑16較佳為無排氣的釋出(或極少)。
亦可根據需要而向接著劑16中添加聚異丁烯等橡膠系材料、或環烯烴共聚物等，來提高柔軟性。再者，添加的環烯烴共聚物可利用寶理塑膠(Polyplastics)公司製造的TOPAS或三井化學公 司製造的APEL等市售品。
接著劑16較佳為含有矽烷偶合劑。
經接著劑16接著的鈍化膜26及無機膜34較佳為表面導入有-O基及/或-OH基。
藉此，能進一步提高接著劑16與鈍化膜26及無機膜34的密著性。
矽烷偶合劑是指將烷氧基等水解性基、及胺基等可期待與有機物的反應或相互作用的有機官能基與矽鍵結而成者。
作為矽烷偶合劑，藉由使水解性基經水解而成為-OH基，且使該-OH基與無機化合物表面的-OH基脫水縮合，而使該矽烷偶合劑與無機化合物表面之間產生強力的共價鍵。而且，矽烷偶合劑可藉由有機性官能基與有機化合物的共聚合等而牢固地與有機化合物結合。藉此，矽烷偶合劑可提高有機物與無機物的密著性。
經過本發明者的研究發現，當鈍化膜26及無機膜34為矽化合物時，藉由向其表面導入-O基、較佳為導入-OH基而成為「SiOH」的狀態，使接著劑16所含的矽烷偶合劑較佳地產生水解反應、及脫水縮合。
藉由向鈍化膜26及無機膜34的表面導入-OH基等，可自鈍化膜26及無機膜34的表面釋出-OH基等。藉由所釋出的-OH基等使矽烷偶合劑產生水解反應，使矽化合物與矽烷偶合劑藉由利用脫水縮合所形成的共價鍵而鍵結。如此，能使接著劑16與鈍化膜26及無機膜34獲得更高的密著力。
一般而言，當使用矽烷偶合劑時，添加pH值調節劑(添加酸或鹼)，調節pH值。然而，若向含有矽烷偶合劑的接著劑中添加pH值調節劑，則會因環境的濕度、或來自有機溶劑的供水而進行水解從而產生接著劑的黏度上升等不良狀況。
對此，若接著劑16含有矽烷偶合劑、且向包含矽化合物的鈍化膜26及無機膜34的表面導入-O基或OH基，則無需添加pH值調節劑來調節pH值，便可獲得高密著力。即，根據該構成，因接著劑16，亦可省去可能會成為不良狀況的原因的pH值調節劑。
利用接著劑16實現的有機EL元件12與阻氣膜14的接著基本上可與公知的有機EL積層體的密封基板的接著同樣地進行。
於阻氣膜14的無機膜34的表面、及/或、有機EL元件12的鈍化膜26的表面塗佈接著劑16。此後，使無機膜34與鈍化膜26相向地將有機EL元件12與阻氣膜14積層。根據需要，進行按壓，且進行加熱、紫外線照射等，使接著劑16硬化，從而使兩者接著。
以上，已對有機EL積層體10進行了詳細說明，但本發明並不限於上述實施例，而可在不脫離本發明的宗旨的範圍內進行各種改良或變更。
[實施例]
以下，列舉本發明的具體實施例來對本發明進行更詳細的說明。
[實施例1-1]
準備厚度為500μm、20mm×20mm的玻璃板作為單元基板20。
利用陶瓷將該單元基板20的周邊2mm遮蔽(masking)。將經遮蔽的單元基板20裝填至一般的真空蒸鍍裝置中，利用真空蒸鍍形成厚度為100nm且包含金屬鋁的電極，進而，形成厚度為1nm的氟化鋰層。
於形成有電極及氟化鋰層的單元基板20上，利用真空蒸鍍依序形成以下的有機化合物層。
(發光層兼電子傳輸層)
三(8-羥基喹啉)鋁：膜厚60nm
(第2電洞傳輸層)
N,N'-二苯基-N,N'-二萘基聯苯胺：膜厚40nm
(第1電洞傳輸層)
銅酞菁：膜厚10nm
將形成有這些層的單元基板20裝填至一般的濺鍍裝置內。使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)作為靶(target)，利用直流(direct current，DC)磁控濺鍍，形成厚度為0.2μm且包含ITO薄膜的透明電極，從而形成使用有機EL材料的發光單元24。
接著，自形成有發光單元24的單元基板20除去遮蔽。
將已除去遮蔽的單元基板20裝填至一般的電漿CVD裝置內。一面適當地調節CVD裝置的腔室(chamber)內的壓力，一 面利用電漿CVD(CCP-CVD)形成包含氮化矽且厚度為1500nm的鈍化膜26，從而製作了有機EL元件12。
即，該有機EL元件12具有於中央形成有1個發光單元24，以覆蓋發光單元24及單元基板20的整個面的方式形成包含氮化矽的鈍化膜26而成的構成。
用於形成鈍化膜26的原料氣體使用矽烷氣體(SiH4)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)及氫氣(H2)。各氣體的供給量設為：矽烷氣體為100sccm、氨氣為200sccm、氮氣為500sccm、氫氣為500sccm。形成壓力(成膜壓力)設為50Pa。
供給的電漿激發電力設為頻率13.5MHz且3000W。成膜過程中，向單元基板20側(基板保持件(holder))供給頻率400kHz且500W的偏壓電力。
作為支撐體30，準備厚度為100μm、30000mm×1000mm的COC膜(郡是(Gunze)公司製造，F1膜)。該COC膜的水蒸氣透過率(water vapor transmission rate，WVTR)為2[g/(m2．天)]。
於該支撐體30的表面，利用塗佈法形成厚度為2μm的有機膜32。
形成有機膜32的塗料是向甲基乙基酮(methyl ethyl ketone，MEK)中添加TMPTA(大賽璐氰特(Daicel cytec)公司製造)、界面活性劑(畢克化學日本(BYK-CHEMIE JAPAN)公司製造BYK378)、光聚合起始劑(汽巴化學(Ciba Chemicals)公司製造Irg184)、及矽烷偶合劑(信越矽酮(Shin-Etsu Silicone) 公司製造KBM5103)來進行製備。
界面活性劑的添加量是以除MEK之外的濃度計為1質量%，光聚合起始劑的添加量是以除MEK之外的濃度計為2質量%，矽烷偶合劑的添加量是以除MEK之外的濃度計為10質量%。將以這些比率調配而得的成分在MEK中稀釋而成的塗料的固體成分濃度為15質量%。
使用模塗機將該塗料塗佈於支撐體30的表面。繼而，利用80℃的乾燥風使塗料乾燥。對已乾燥的塗料照射紫外線而使其聚合，從而形成有機膜32。
將形成有有機膜32的支撐體30裝填至一般的電漿CVD裝置內。利用電漿CVD(CCP-CVD)，形成包含氮化矽且厚度為50nm的無機膜34，從而製作成阻氣膜14。形成無機膜34之後，將阻氣膜14放置於大氣中。
原料氣體使用矽烷氣體(SiH4)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)及氫氣(H2)。各氣體的供給量設為：矽烷氣體為100sccm、氨氣為200sccm、氮氣為500sccm、氫氣為500sccm。形成壓力(成膜壓力)設為50Pa。
供給的電漿激發電力為頻率13.5MHz且3000W。成膜過程中，向支撐體30側(基板保持件)供給頻率400kHz且500W的偏壓電力。
向MEK中添加2種環氧樹脂(日本環氧樹脂(Japan Epoxy Resin)公司製造JER1001及JER152)、及矽烷偶合劑(信 越矽酮公司製造KBM502)來製備形成接著劑16的塗料。
兩種環氧樹脂的添加量均以除MEK之外的濃度計為48質量%，矽烷偶合劑的添加量以除MEK之外的濃度計為4質量%。將以這些比率調配而得的成分在MEK中稀釋而成的塗料的固體成分濃度為50質量%。
將阻氣膜14切成與單元基板20相同的20mm×20mm的片(sheet)狀。
使用模塗機，將作為該接著劑16的塗料塗佈於所切出的阻氣膜14的無機膜34的表面。塗料是以接著劑16的厚度為10μm的方式塗佈。繼而，在100℃下加熱30秒，使塗料乾燥。
使塗料乾燥後，在惰性氣體環境下，使鈍化膜26朝向塗料(即，使鈍化膜26與無機膜34相向)，而將有機EL元件12與阻氣膜14進行積層而貼附。
將該積層體於100℃的恆溫槽內保持100小時，使接著劑16(塗料)硬化，從而製作出如圖1所示的有機EL積層體10。
[比較例1-1]
阻氣膜14中，形成包含氧化鋁且厚度為50nm的無機膜34代替包含氮化矽的無機膜34，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體。
包含氧化鋁的無機膜34的形成是採用一般的濺鍍裝置並藉由使用鋁作為靶的反應性濺鍍來進行。
放電氣體使用的是氬氣，反應氣體使用的是氧氣。各氣體的 供給量設為氬氣為50sccm、氧氣為200sccm。
形成壓力設為1.5×10-1Pa，投入電力設為2300W。
[比較例1-2]
使用在無機膜34上進而形成厚度為2μm的有機膜而成的阻氣膜代替阻氣膜14，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體。
最上層的有機膜是與實施例1中形成於支撐體30的表面的有機膜32同樣地形成。
[實施例1-2]
接著劑16不含矽烷偶合劑，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體。
[比較例1-3]
將接著劑16塗佈於支撐體30，使支撐體30與鈍化膜26相向而積層，並進行了接著(即，使表面成為支撐體30(COC膜))，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體。
[實施例2-1~實施例2-5]
變更阻氣膜14的接著劑16的厚度，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體(實施例2-1~實施例2-5)。具體而言，將阻氣膜14的接著劑16的厚度設為50μm(實施例2-1)。將接著劑16的厚度設為5μm(實施例2-2)。將接著劑16的厚度設為2μm(實施例2-3)。將接著劑16的厚度設為1μm(實施例2-4)。將接著劑16的厚度設為300μm(實施例2-5)。
[實施例3]
使用水蒸氣透過率(WVTR)為160[g/(m2．天)]的PC膜(鐘化(Kaneka)公司製造，Elmech R140)作為阻氣膜14的支撐體30，進而將接著劑16的厚度設為50μm，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體10。
[實施例4]
使用水蒸氣透過率(WVTR)為5[g/(m2．天)]的PET膜作為阻氣膜14的支撐體，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體10。
[實施例5]
使用水蒸氣透過率(WVTR)為500[g/(m2．天)]的TAC膜作為阻氣膜14的支撐體，除此以外，與實施例1相同地製作有機EL積層體10。
<評價>
將以上述方式製作的實施例1-1~實施例3中的各有機EL積層體10、以及比較例1-1~比較例1-3中的各有機EL積層體，放置於溫度為60℃、濕度為90%RH的環境下200小時。
放置後，對於各有機EL積層體，使用Keithley公司製造的SMU2400型電源量測單元(source measure unit)施加7V的電壓而使其發光。
利用顯微鏡自阻氣膜14的支撐體30側進行觀測，確認有無產生暗點(dark spot)。
當完全未發現暗點的產生時(以發光面積計為100%)評價為優秀；當發現少許暗點的產生時(以發光面積計為90%以上、小於100%)評價為良好；當明顯發現暗點的產生時(以發光面積計為80%以上、小於90%)評價為可；當暗點的面積比例大時(以發光面積計小於80%)評價為不可。
只要發光面積為80%以上，即使確認到暗點的產生，實用中亦允許。
將結果示於下述表1。
如表1所示，與比較例1-1~比較例1-3中的有機EL積層體相比，實施例1-1~實施例5的有機EL積層體10中抑制了暗點的產生。
在阻氣膜14的表面為無機膜34、有機EL元件的鈍化膜26及阻氣膜的無機膜34由相同材料形成、且使上述鈍化膜26與上述無機膜34該兩者相向地利用接著劑16進行接著的實施例1-1中，獲得無暗點的優秀的發光。
認為其原因在於：接著劑16與鈍化膜26及無機膜34的密著 性良好，而且，接著劑16較佳地作為無機膜34的緩衝層而發揮作用，故而，能防止水分自所剝離的界面侵入、或因無機膜34受損所造成的水分的侵入而引起的發光單元24的劣化。
對此，在有機EL元件的鈍化膜26與阻氣膜的無機膜34的材料不同的比較例1-1中，產生多個暗點。認為其原因在於：無機膜34與接著劑16的密著性低，密著性低的部位會發生界面剝離或產生空氣層等，且水分會自密著性低的部位侵入，從而使發光單元24劣化。而且，比較例1-1中，發現整個面上出現認為是因水分侵入引起的褪色。
在阻氣膜的表面為有機膜的比較例1-2中，認為因自表面的有機膜產生的排氣使得發光單元24劣化，而產生暗點。
在接著劑16不含矽烷偶合劑的實施例1-2中，發現有暗點產生。認為其原因在於：與實施例1-1相比，實施例1-2中的接著劑16與鈍化膜26及無機膜34的密著性低，密著性低的部位會發生剝離或產生空氣層等，且水分會自密著性低的部位侵入，而使發光單元24劣化。進而，於並非使無機膜34而使COC膜即支撐體與鈍化膜26相向而進行積層的比較例1-3中，產生多個暗點。認為其原因在於：接著劑16與支撐體(阻氣膜)的密著性低，密著性低的部位會發生界面剝離或產生空氣層等，且水分會自密著性低的部位侵入，而使發光單元24劣化。而且，比較例1-3中，發現整個面上出現認為是因水分侵入引起的褪色。
在接著劑16的厚度為50μm的實施例2-1中，與實施 例1-1同樣地，利用良好的密著性或緩衝效果而獲得無暗點的良好的發光。
在接著劑16的厚度為5μm的實施例2-2、及接著劑16的厚度為2μm的實施例2-3中，發現少許暗點。與實施例1-1相比，實施例2-2及實施例2-3中的接著劑16薄，因此，可推測由接著劑16的緩衝作用所帶來的保護無機膜34的效果略低。因此認為，與實施例1-1相比，實施例2-2及實施例2-3中，因由發光單元24引起的有機EL元件12表面(鈍化膜26)的凹凸而阻氣膜14的無機膜34容易受損，水分自該受損部位侵入而產生發光單元24劣化的部分。
在接著劑16的厚度為1μm的實施例2-4中，發現有暗點產生。可推測，與實施例1-1相比，實施例2-4中，由接著劑16的緩衝作用所帶來的保護無機膜34的效果更低。因此認為，與實施例1-1相比，實施例2-4中，因由發光單元24引起的有機EL元件12表面(鈍化膜26)的凹凸而阻氣膜14的無機膜34容易受損，水分自該受損部位侵入而使發光單元24劣化。在接著劑16的厚度為300μm的實施例2-5中，發現有暗點產生。認為其原因在於：與實施例1-1相比，實施例2-5中，接著劑16過厚，水分會自接著劑16的端部大量地侵入，而使發光單元24劣化。
在阻氣膜14的支撐體30的水蒸氣透過率為160[g/(m2．天)]的實施例3中，發現產生少許暗點。可推測，與實施例1-1相比，實施例3中，透過支撐體30的水分多。因此認為，與實施 例1-1相比，實施例3中，阻氣膜14的負擔大，因此使得水分侵入，而產生發光單元24劣化的部分。
實施例4中，發現少許暗點。在實施例1-1~實施例3、實施例5及比較例1-1~比較例2-5中未發現亮度斑(不均)，相對於此，在實施例4中發現有少許亮度斑。
實施例5中，發現暗點的產生。可推測，與實施例1-1相比，實施例5中的水蒸氣透過率大，透過支撐體30的水分多。因此認為，與實施例1-1相比，實施例5中，水分容易侵入而產生發光單元24劣化的部分。
根據以上結果，可知本發明的效果。
[產業上之可利用性]
本發明適宜利用於有機EL顯示器或有機EL照明裝置等中。

Claims (13)

  1. 一種有機電致發光積層體，具備：有機電致發光元件，具有使用有機電致發光材料的發光單元、及覆蓋上述發光單元的鈍化膜；及阻氣膜，將上述有機電致發光元件密封；上述有機電致發光積層體中，上述有機電致發光元件與上述阻氣膜是由接著劑接著；上述有機電致發光積層體的特徵在於：上述阻氣膜具有支撐體、及1個以上的位於上述支撐體上的無機膜與成為上述無機膜的基底的有機膜的組合，上述阻氣膜的表層為無機膜，上述鈍化膜與上述阻氣膜的表層是由相同材料形成，上述鈍化膜與上述阻氣膜的表層相向，上述接著劑包含矽烷偶合劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機電致發光積層體，其中，上述接著劑的厚度為超過1μm且為100μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述鈍化膜及上述阻氣膜的表層為矽化合物的膜，且上述膜的表面導入有-O基及-OH基的至少一個。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述鈍化膜及上述阻氣膜的表層為氮化矽的膜。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的有機電致發光積層體，其中，上述鈍化膜及上述阻氣膜的表層為氮化矽的膜。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述支撐體的延遲為300nm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述支撐體的水蒸氣透過率為300[g/(m2．天)]以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述阻氣膜的水蒸氣透過率小於1×10-4[g/(m2．天)]。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述鈍化膜的厚度為5μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述有機膜的厚度為0.5μm~5μm。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述有機電致發光元件為頂部發光型。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中， 具有多個上述無機膜，並且，所有上述無機膜是由相同材料形成。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電致發光積層體，其中，上述支撐體的延遲為5nm以下。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6738139B2 (ja) * 2014-11-20 2020-08-12 日東電工株式会社 有機ｅｌ表示装置用円偏光板および有機ｅｌ表示装置
JP6383682B2 (ja) * 2015-02-26 2018-08-29 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP6427459B2 (ja) * 2015-04-17 2018-11-21 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
CN107667009A (zh) * 2015-04-17 2018-02-06 3M创新有限公司 可压缩多层制品及其制备方法
JP6527053B2 (ja) 2015-08-28 2019-06-05 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの転写方法
KR102324830B1 (ko) 2016-01-26 2021-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6940930B2 (ja) * 2016-05-10 2021-09-29 日東電工株式会社 有機ｅｌ表示装置用光学フィルム、有機ｅｌ表示装置用偏光フィルム、有機ｅｌ表示装置用粘着剤層付き偏光フィルム、及び有機ｅｌ表示装置
CN106935732B (zh) * 2017-05-18 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装结构及其封装方法、oled装置
JP2020129430A (ja) 2017-05-30 2020-08-27 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス積層体
CN107742635B (zh) * 2017-09-27 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113764598A (zh) * 2020-06-03 2021-12-07 咸阳彩虹光电科技有限公司 一种薄膜封装结构、oled显示面板及显示器
KR102341423B1 (ko) 2020-06-15 2021-12-17 노인숙 책장넘김용 골무
KR20230089643A (ko) 2021-12-14 2023-06-21 노인숙 책장넘김용 골무

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005339863A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd フィルム有機ｅｌ素子
US20090061223A1 (en) * 2007-09-05 2009-03-05 Fujifilm Corporation Gas-barrier film, and method for sealing display device with gas-barrier film
JP2009070795A (ja) * 2007-08-22 2009-04-02 Fujifilm Corp 表示素子の封止方法およびガスバリアフィルムで封止された表示素子の製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100477329C (zh) * 2003-03-07 2009-04-08 友达光电股份有限公司 一种有机发光显示器的制备方法
CN100380704C (zh) * 2003-10-29 2008-04-09 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
CN100411186C (zh) * 2003-10-29 2008-08-13 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
CN100466328C (zh) * 2003-10-29 2009-03-04 铼宝科技股份有限公司 有机发光显示面板
KR100553758B1 (ko) * 2004-02-02 2006-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP4792717B2 (ja) * 2004-07-07 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4716773B2 (ja) * 2005-04-06 2011-07-06 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムとそれを用いた有機デバイス
JP4696796B2 (ja) * 2005-09-07 2011-06-08 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN101326858A (zh) * 2005-12-07 2008-12-17 索尼株式会社 显示装置
JP2009283149A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP5024220B2 (ja) * 2008-07-24 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US8319428B2 (en) * 2009-06-29 2012-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Sealing film for organic EL element, organic EL element, and organic EL display
JP5414426B2 (ja) * 2009-09-01 2014-02-12 富士フイルム株式会社 複合フィルム
TWI407535B (zh) * 2009-09-15 2013-09-01 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件之封裝體
JP2011141981A (ja) * 2010-01-06 2011-07-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5566208B2 (ja) * 2010-07-14 2014-08-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2012059553A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2012084308A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置
CN102842681A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP2013031794A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Fujifilm Corp 機能性フィルムの製造方法および機能性フィルム
JP5935263B2 (ja) * 2011-08-19 2016-06-15 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、及びガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイス
JP5631822B2 (ja) * 2011-08-24 2014-11-26 富士フイルム株式会社 バリア性積層体およびガスバリアフィルム
JP5814843B2 (ja) * 2011-09-02 2015-11-17 富士フイルム株式会社 フレキシブル有機電子デバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005339863A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd フィルム有機ｅｌ素子
JP2009070795A (ja) * 2007-08-22 2009-04-02 Fujifilm Corp 表示素子の封止方法およびガスバリアフィルムで封止された表示素子の製造方法
US20090061223A1 (en) * 2007-09-05 2009-03-05 Fujifilm Corporation Gas-barrier film, and method for sealing display device with gas-barrier film

Also Published As

Publication number Publication date
TW201436335A (zh) 2014-09-16
JP6309787B2 (ja) 2018-04-11
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KR20150099828A (ko) 2015-09-01
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JP2014197537A (ja) 2014-10-16

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