JP5814843B2 - フレキシブル有機電子デバイス - Google Patents
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Description
フレキシブル有機電子デバイスの構成としては、少なくとも一方が透明な2つの異種電極間に、電子伝導性および/またはホール伝導性の有機薄膜を配置してなるものが一般的である。このようなフレキシブル有機電子デバイスは、シリコン等を用いてなる無機デバイスに比べて製造が容易であり、低コストに製造しうるという利点があり、実用化が望まれている。
有機電子デバイスは、一般に空気中の水蒸気や酸素により劣化する。フレキシブル有機電子デバイスを実現するには、デバイスを空気中の水蒸気や酸素から保護するガスバリア性の基板とガスバリア性の封止手段が必要となる。一般にプラスチックフイルムはガスバリア性が低く、フレキシブル有機電子デバイスの基板には適さない。
一方、有機電子デバイスにはホール輸送材料として、あるいは導電材料として、強酸性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸複合体(以後PEDOT−PSSと表記)がしばしば用いられ、良好なデバイス特性(例えば、発光効率が高い、発電効率が高いなど)を与えている。
本発明の構成は以下に示すとおりである。
前記金属電極層に隣接して、該金属電極層の前記プラスチック支持体側にn型酸化物半導体層が設置されてなることを特徴とするものである。
このため、本発明の有機電子デバイスは、軽量フレキシブルな有機薄膜太陽電池や有機ELデバイスに有用である。本発明を用いた有機ELデバイスは発光効率にすぐれ、有機薄膜太陽電池は、発電効率に優れる。
なお、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
本発明の有機電子デバイスは、少なくとも有機無機積層バリア層、プラスチック支持体、透明電極層、有機の活性層、金属電極層、および上部封止部材で構成され、かつ、強酸性ポリマーを含有する有機電子デバイスであって、前記金属電極層に隣接して、前記金属電極層のプラスチック支持体側にn型酸化物半導体層が設置された有機電子デバイスである。
有機無機積層バリア層は少なくとも1層の有機領域もしくは有機層と、少なくとも1層の無機領域もしくは無機層の積層体である。
有機領域と無機領域より構成される場合、各領域が膜厚方向に連続的に変化するいわゆる傾斜材料層であってもよい。前記傾斜材料の例としては、キムらによる論文「Journal of Vacuum Science and Technology A Vol. 23 p971−977(2005 American Vacuum Society) ジャーナル オブ バキューム サイエンス アンド テクノロジー A 第23巻 971頁〜977ページ(20005年刊、アメリカ真空学会)」に記載の材料や、米国公開特許2004−46497号明細書に開示してあるように有機層と無機層が界面を持たない連続的な層等が挙げられる。
これらのうち、明確な界面を持つ有機層と無機層で構成されることが好ましい。
有機層、無機層の具体的な例や積層方法については、特開2010−87339公報に記載されている。なお、同公報における「有機ポリマー層」の用語が本発明における有機層の用語に該当する。
プラスチック支持体としては、透明性、強度、ハンドリング性が良好で比較的安価なプラスチックフィルムを用いることが好ましい。
支持体として用いられるプラスチックフィルムは、後述する導電ストライプ、バスライン及び透明導電材料層等を保持できるものであれば、材質、厚み等に特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
なお、プラスチックフィルムのTg及び線膨張係数は、JIS K 7121に記載のプラスチックの転移温度測定方法、及び、JIS K 7197に記載のプラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法により測定され、本発明においては、プラスチックフィルムのTg及び線膨張係数は、この方法により測定した値を用いている。
なお、光透過率は、JIS−K7105に記載された方法、すなわち積分球式光透過率測定装置を用いて全光透過率及び散乱光量を測定し、全光透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。本明細書においては、光透過率は、この方法を用いた値を採用している。
プラスチックフィルムの裏面(導電ストライプを設置しない側の面)には、公知の機能性層を設けてもよい。機能性層の例としては、ガスバリア層、マット剤層、反射防止層、ハードコート層、防曇層、防汚層等が挙げられる。このほか、機能性層に関しては特開2006−289627号公報の段落番号〔0036〕〜〔0038〕に詳しく記載されている。
プラスチックフィルム基板は、易接着層もしくは下塗り層を有していてもよい。
易接着層はバインダーポリマーを含有することが必須であるが、必要に応じてマット剤、界面活性剤、帯電防止剤、屈折率制御のための微粒子などを含有してもよい。
易接着層に用いうるバインダーポリマーには特に制限はなく、以下に記載のアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、及び、ゴム系樹脂などから適宜選択して用いることができる。
本発明のゴム系樹脂とは合成ゴムのうちジエン系合成ゴムをいう。具体例としてはポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン−ジビニルベンゼン共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレンなどがある。
なお、支持体を仮支持体として用いる場合には、支持体表面に易剥離性処理を施すことも可能である。
本発明における透明電極層は少なくとも透明導電材料を含む層である。透明電極層は、通常、有機ELデバイスにおいては陽極であり、有機薄膜太陽電池においては正極である。透明電極層13は、適用しようとする有機電子デバイスの発光スペクトルもしくは作用スペクトル範囲において透明であることを要し、通常、可視光から近赤外光の光透過性に優れることを要する。具体的には、透明導電材料により膜厚0.1μmの層を形成したとき、波長400nm〜800nm領域における形成された層の平均光透過率が50%以上であり、75%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましい。
このような比抵抗を実現する透明導電材料としては、透明導電材料は金属酸化物(インジウム−スズ酸化物、アンチモンースズ酸化物、アルミニウムー亜鉛酸化物、ホウ素ー亜鉛酸化物、スズフッ化酸化物など)、導電性ナノ材料(例えば、銀ナノワイヤー、カーボンナノチューブ、グラフェンなど)のアクリルポリマー等への分散物、導電性ポリマー(例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレン、ポリアセチレン、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジアゾール等や、これら導電骨格を複数種有するポリマー等)が挙げられる。
前記比抵抗を実現するPEDOT−PSSの商品例としては、アグファ社製、Orgacon(オルガコン)S−305やH.C.シュタルク社製 クレヴィオスPH500,PH510等が挙げられる。
プラスチック支持体の有機無機積層バリア層側の面に有機電子デバイスを設置することは、前記デバイス特性の劣化に対してある程度有効だが、前記デバイス特性の劣化を完全に無くすには至らなかった。一方、金属電極層に隣接して、前記金属電極層のプラスチック支持体側にn型酸化物半導体層を設置すると、デバイス特性の劣化を大幅に改善することができることが分かった。
他のポリマーの例としては、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂や、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール等の親水性ポリマー等が挙げられる。これらのポリマーは膜強度を高めるために架橋構造を形成したものであってもよい。
導電パターンの形状は特に制限は無く、ストライプ、メッシュ、ハニカム、菱形など、任意に設計できる。導電パターンによって規定される開口率は70%以上であり、80%以上がより好ましい。また、一定の間隔で集電のためのバスラインを有しても良い。
図3に示す透明電極層13は、複数の導電性ライン14aからなる導電ストライプ14とこの導電ストライプ14に直交するように設けられているバスライン16と、導電ストライプ14およびバスライン16を覆うように形成された透明導電材料層18とから構成されている。
導電ストライプ14は、導電性ライン(以下において、導電ストライプラインと称することがある。)14aの膜厚が50nm以上500nm以下であり、平面視による線幅が0.1mm以上1mm以下であり、そのライン14aの間隔が3mm以上30mm以下である。
導電ストライプを構成する導電性ラインの1本当たりの抵抗値としては、50Ω/cm以下であり、好ましくは20Ω/cm以下であり、より好ましくは10Ω/cm以下である。このような導電性(低抵抗であること)を実現するには、導電ストライプラインの断面積が大きいことが必要である。開口率を大きくするには、断面の形状として、フイルム平面方向の長さ(線幅)が短く膜厚方向の長さ(膜厚)が大きいことが有利である。
ところが、このような断面を有する導電ストライプを設置すると大きな段差が生じる。有機電子デバイスでは活性層(有機層)の膜厚が50〜500nmと薄いため、導電ストライプにより生じた段差が大きいと、導電ストライプライン凸部の角で短絡(故障)しやすい。
このため、導電ストライプ起因の段差を小さくし、導電ストライプライン凸部の角を鈍角化することは、開口率を高めるよりも重要な課題であり、開口率をある程度犠牲にした設計を採らざるを得ない。すなわち、断面の形状として、線幅が長く膜厚が薄い設計が選択される。線幅と膜厚の比率は20000:1〜200:1の範囲である。ここで、膜厚とは線幅の中で最も厚い部分の値を用いる。
導電ストライプ14の導電性ライン14aの厚みと有機の活性層の厚みとの関係は、例えば、前者が後者の5倍を越えないことが好ましく、2倍を超えないことがより好ましい。
図3に示す透明導電フィルム10は、支持体12に、導電ストライプ14と交差するバスライン(太線導電層)16を有している。バスラインは必ずしも備えていなくてもよい。
バスライン16は、動作面全体にとって必要な導電性を確保するといった観点から、平面視による線幅1mm以上5mm以下の金属材料を含んで形成される配線である。バスラインの好ましい線幅は、1mm以上3mm以下である。
バスライン16の線幅は、必ずしも均一である必要はない。バスラインと導電ストライプは同一材料であっても、異なる材料であってもよい。バスラインは通常、導電ストライプと直交するように設置されるが、90度以外の角度で交差するものであってもよい。バスラインの厚み、断面形状、材質については、導電ストライプと同様のプリファレンスが適用される。
バスラインのピッチは、好ましくは40mm以上200mm以下である。
バスライン16は蒸着法で形成してもよいし、印刷法、インクジェット法などの方法で形成しても良い。導電ストライプ14とバスライン16とを同一の組成の材料を用いて同時に形成することが、コストの観点で有利である。導電ストライプ14とバスライン16とをロールで同時に作製する場合、ストライプを作製するための固定マスクと、バスラインを作製するための可動式マスクを有する設備が必要となる。
本発明において、有機の活性層とは有機電子デバイスの機能を担う有機材料の層を意味する。有機の活性層の例としては、ホール輸送層、ホール注入層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層、発光層、光電変換層等が挙げられる。有機ELデバイスは発光層を含み、有機薄膜太陽電池は光電変換層を含む。なお、ホール輸送層と電子輸送層の積層体が発光層もしくは光電変換層を兼ねることがある。
以下、有機薄膜太陽電池を例にとり、有機の活性層の詳細について記述する。
電子ブロック層は透明電極層と光電変換層の間に位置し、光電変換層から透明電極層へ電子が移動するのをブロックする機能を有するホール輸送層である。電子が移動するのをブロックする機能を有する材料としては、HOMO準位が5.5eV以下で、かつ、LUMO準位が3.3eV以下である有機化合物である。
このような有機化合物の具体例としては、芳香族アミン誘導体、チオフェン誘導体、縮合芳香環化合物、カルバゾール誘導体、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等が挙げられる。このほか、Chem.Rev.2007年,第107巻,953−1010頁にHole Transport materialとして記載されている化合物群も適用可能である。
なかでもポリチオフェンが好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンがより好ましい。ポリエチレンジオキシチオフェンは体積抵抗率が10Ωcmを下回らない程度にドープ(部分酸化)されていてもよい。このとき、電荷中和のために過塩素酸、ポリスチレンスルホン酸などに由来する対アニオンを有してもよい。
ホール輸送層はホール輸送材料を含有する。
ホール輸送材料は、HOMO準位が4.5eV〜6.0eVのπ電子共役化合物であり、具体的には、各種のアレーン(例えば、チオフェン、カルバゾール、フルオレン、シラフルオレン、チエノピラジン、チエノベンゾチオフェン、ジチエノシロール、キノキサリン、ベンゾチアジアゾール、チエノチオフェンなど)をカップリングさせた共役ポリマー、フェニレンビニレン系ポリマー、ポルフィリン類、フタロシアニン類等が例示される。このほか、Chem.Rev.2007,107,953−1010にHole Transport materialとして記載されている化合物群やジャーナル オブ ジ アメリカン ケミカル ソサエティー第131巻、16048頁(2009年)に記載のポルフィリン誘導体も適用可能である。
なお、ホール注入層はホール輸送層の概念に含まれる。
電子輸送層は電子輸送材料からなる。電子輸送材料は、LUMO準位が3.5eV〜4.5eVであるようなπ電子共役化合物であり、具体的にはフラーレンおよびその誘導体、フェニレンビニレン系ポリマー、ナフタレンテトラカルボン酸イミド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸イミド誘導体等が挙げられる。これらの中では、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体の具体例としてはC60、フェニル−C61−酪酸メチル(文献等でPCBM、[60]PCBM、あるいはPC61BMと称されるフラーレン誘導体)、C70、フェニル−C71−酪酸メチル(多くの文献等でPCBM、[70]PCBM、あるいはPC71BMと称されるフラーレン誘導体)、およびアドバンスト ファンクショナル マテリアルズ第19巻、779−788頁(2009年)に記載のフラーレン誘導体、ジャーナル オブ ジ アメリカン ケミカル ソサエティー第131巻、16048頁(2009年)に記載のフラーレン誘導体SIMEF等が挙げられる。
なお、電子注入層、ホールブロック層は電子輸送層の概念に含まれる。
光電変換層はホール輸送層と電子輸送層からなる平面ヘテロ構造でもよいし、ホール輸送材料と電子輸送材料を混合したバルクヘテロ構造でもよい。平面ヘテロ構造をとる場合、正極側がホール輸送層、負極側が電子輸送層である。また、平面ヘテロ構造の中間層としてバルクヘテロ層を有するハイブリッド構造であってもよい。
バルクヘテロ層におけるホール輸送材料と電子輸送材料は完全に均一に混合していてもよいし、1nm乃至1μmのドメインサイズとなるように相分離していてもよい。層分離構造は、不規則構造でも規則構造でもよい。規則構造を形成する場合、ナノインプリント法等のトップダウンによる規則構造でもよいし、自己組織化等のボトムアップによるものでもよい。ここで用いられるホール輸送材料と電子輸送材料としては、既述のホール輸送層、電子輸送層において説明したものが同様に挙げられる。
本発明において無機酸化物層は電子輸送層であり、その材料はn型無機酸化物半導体(例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステン等)である。これらの中では、酸化チタン、酸化亜鉛が好ましい。
n型酸化物半導体(無機電子輸送層)の膜厚は1nm〜30nmであり、好ましくは2nm〜15nmである。n型酸化物半導体からなる電子輸送層は、各種の湿式製膜法、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法など、いずれによっても好適に形成することができる。とりわけ、ジャーナル オブ フィジカル ケミストリー C 第114巻、6849〜6853頁(2010年)に記載の酸化亜鉛層の形成方法や、シン ソリッド フィルム 第517巻、3766〜3769頁(2007)、アドバンスト マテリアルズ第19巻、2445〜2449頁(2007年)に記載の酸化チタン層の形成方法が特に好適である。
金属電極層は、通常、負極である。負極は、通常、仕事関数の比較的小さい金属であり、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、銀−マグネシウム合金等が例示される。金属電極層のn型酸化物半導体層側には、0.1〜5nmの、フッ化リチウム、酸化リチウムなどの電子注入層を有しても良い。
本発明において、負極形成位置は特に制限はなく、有機層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
有機電子デバイスは、プラスチック基板側の有機無機積層バリア層と、ここで述べる上部封止部材とによって、外界の雰囲気から隔離されることを要する。上部封止部材はガスバリア層を含む。上部封止部材は、保護層、接着剤層、あるいはプラスチック支持体を含んでも良い。
上部封止部材の好ましい構成例としては、金属電極側から、保護層、接着剤層、ガスバリア層、プラスチック支持体の順である。
保護層は、通常、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、Y2O3、TiO2等の金属酸化物、SiNx等の金属窒化物、SiNxOy等の金属窒化酸化物、MgF2、LiF、AlF3、CaF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリパラキシリレン等のポリマー等が挙げられる。これらのうち、金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物が好ましく、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。保護層は単層でも上記から選ばれる異なる材料の多層構成であってもよい。
ガスバリア層は、ガスバリア性を有する層であれば、特に制限はない。通常、ガスバリア層は無機物の層(無機層と称することがある)である。無機層に含まれる無機物としては、典型的には、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、珪素、チタン、亜鉛、スズの酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、水素化物等が挙げられる。これらは純物質でもよいし、複数組成からなる混合物や傾斜材料層でもよい。これらのうち、アルミニウムの酸化物、窒化物若しくは酸窒化物、又は珪素の酸化物、窒化物若しくは酸窒化物が好ましい。
ガスバリア層としての無機層の厚みに関しては特に限定されないが、1層に付き、通常、5〜500nmの範囲内であり、好ましくは10〜200nmである。無機層は複数のサブレイヤーから成る積層構造であってもよい。この場合、各サブレイヤーが同じ組成であっても異なる組成であってもよい。また、上述したとおり、米国公開特許2004−46497号明細書に開示してあるように、無機層とそれに隣接する有機ポリマー層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層であってもよい。
接着剤としては、特に制限はないが、例えば、エマルジョンタイプの接着剤、ワックスホットメルトラミネーション用接着剤、およびドライラミネーション用接着剤などが好ましい。
エマルジョンタイプの接着剤の例としては、熱可塑性エラストマー、LDPE、IO(アイオノマー)、PVDC、PE(ポリエチレン)ワックスなどを分散したコーティング剤等が挙げられる。
ワックスホットメルトラミネーション用接着剤の例としては、PVDC(ポリ塩化ビニリデン樹脂をコートしたOPP(二軸延伸ポリプロピレンフィルム、ナイロンフィルム、PETフィルム、PVAフィルムなどが挙げられる。
ドライラミネーション用接着剤の例としては、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、EVA(エチレン・酢酸ビニル共重合体)、アイオノマー共重合体、ポリ塩化ビニリデン、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ニトロセルロース、酢酸セルロース、およびシリコーンなどが挙げられる。
プラスチック支持体の定義はすでに述べたものと同様である。
まず、金属電極層上に保護層を設ける。プラスチック支持体上にガスバリア層を設置した封止フイルムを作製し、前記保護層上に前記封止フイルムを接着剤を介して接着する。上部に透明性が必要とされない場合、前記保護層上に金属箔をラミネートしたガスバリア性フイルムを接着する方法をとってもよい。
本発明の有機電子デバイスの厚さは、100μm〜2mmであることが好ましく、200μm〜1μmであることがより好ましい。
プラスチック支持体である厚み180μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(以下PETフイルムと略す)12の一面上に有機無機積層バリア層11を形成し、PETフィルム12の他面上に透明電極層13、光電変換層(有機の活性層)20、n型酸化物半導体層25、負極(金属電極層)26、パッシベーション層と接着剤層とバリアフイルムとからなる上部封止部材30を積層することにより、実施例1の有機薄膜太陽電池を作製した(層構成は図1参照。)。
PETフィルム上に、重合性組成物(ダイセルサイテック社製EB−3702(13g)、共栄社化学製ライトアクリレートTMP−A(6g)、日本化薬製KAYAMER PM−21(1g)、Lamberti社製紫外線重合開始剤ESACURE KTO−46(0.5g)、2−ブタノン190gの混合溶液)をワイヤーバーを用いて塗布した。乾燥後、窒素置換法により酸素濃度が0.1%となったチャンバー内にて高圧水銀ランプの紫外線を照射(積算照射量1J/cm2)して有機層を硬化させ、膜厚が1.5μmの有機層を形成した。
スパッタリング装置を用いて、前記有機層の上に無機層(酸化アルミニウム層)を形成した。ターゲットとしてアルミニウムを、放電ガスとしてアルゴンを、反応ガスとして酸素を用いた。製膜圧力は0.1Pa、到達膜厚は40nmであった。
得られた積層体上に前記重合性組成物を前記同様の方法で塗布、硬化させ、膜厚が1.5μmの有機層を形成した。
このようにしてPETフイルム上に有機層、無機層、有機層の3層からなるバリア層を形成した。このバリア層を有するPETフイルムの40℃・相対湿度90%における水蒸気透過率を、水蒸気透過率測定器(MOCON社製、PERMATRAN−W3/31)を用いて測定したところ、この測定の検出限界値(0.005g/m2/day)以下であった。
スパッタリング装置を用いて、前記PETフイルム12のバリア層11とは反対側の面上に透明電極層13としてITO層を形成した。膜厚は300nmで、シート抵抗が30Ω/sqあった。
なお、上記で作製した透明電極層の表面に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸(略称:PEDOT−PSS)の水分散物(H.C.Starck社製、P.VP.AI4083)をスピンコートした。次に、このフィルムを100℃で20分間加熱乾燥して、電子ブロック層を形成した。このとき、電子ブロック層の膜厚は40nmであった。
光電変換層20としてバルクヘテロ層を形成した。P3HT(ポリ−3−ヘキシルチオフェン、Lisicon SP−001(商品名)、メルク社製)20mg、及び、PCBM([6,6]−phenyl C61−butyric acid methyl ester、ナノムスペクトラE−100H(商品名)、フロンティアカーボン社製)14mgをクロロベンゼン1mlに溶解させ、バルクヘテロ層塗布液とした。これを前記透明導電フィルムの表面にスピンコートし、バルクヘテロ層を形成した。スピンコーターの回転速度は500rpm、乾燥膜厚は180nmであった。
その後、この試料をホットプレートを用いて130℃で15分間加熱した。
チタンテトライソプロポキシド20μl、脱水エタノール4mlを混合した塗布液をバルクヘテロ層上にスピンコート塗布した。スピンコーターの回転速度は2000rpmであった。この膜を大気中1時間乾燥させることで、膜厚7nmのアモルファス酸化チタンからなるn型酸化物半導体層(電子輸送層)が得られた。
n型酸化物半導体層25の上にアルミニウムを100nmの厚さとなるように蒸着し、負極26を形成した。このとき、光電変換の有効面積が25cm2となるようにマスク蒸着した。
負極形成後の試料の上に東セロ製、太陽電池封止用EVA(熱硬化剤の混合されたエチレン−酢酸ビニル共重合体、0.5mm厚、商品名ソーラーエバ)を接着剤として、前記バリア層を有するPETフイルムを重ね合わせ、140℃で真空ラミネートした。このとき、バリア層がEVAの側となるように貼り合せた。
以上のようにして、実施例1の有機薄膜太陽電池(P−1)を完成させた。
実施例2の有機薄膜太陽電池は、層構成自体は実施例1と同様であるが、透明電極層13の構成が実施例1と異なるものとした。本実施例の透明導電層13は、導電ストライプと透明導電材料層とからなるものとした。透明導電層13の作製方法以外は実施例1と同様の作製方法を用いて実施例2の有機薄膜太陽電池(P−2)を作製した。実施例2の透明電極層13の形成方法は以下の通りである。
100mm角のPETフイルム12のバリア層11とは反対側の面上にマスク蒸着法により線幅が0.3mm、線の長さ90mm、間隔4mmで配置された複数の導電性ラインからなる導電ストライプ、および、前記導電ストライプと直交する線幅2mm、線の長さ90mm、線の間隔が50mmの2本のバスラインを同時に作製した。導電性ライン及びバスラインの材質は銀、膜厚は100nmであった。
上記で作製したフィルムの表面に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸(略称:PEDOT−PSS)の水分散物(アグファ社製、オルガコンS−305をスピンコートした。次に、このフィルムを100℃で20分間加熱乾燥して、導電性ポリマー層を形成した。このとき、導電性ポリマー層の膜厚は100nmであった。なお、本例では、電子ブロック層を備えていない。
実施例3の有機薄膜太陽電池は、バリア層11が支持体12と透明電極層13との間に配置された構成(図2参照)とした点以外は実施例2と同様の構成とした。透明電極層13をバリア層11上に作製したこと以外は実施例2と同様の作製方法で実施例3の有機薄膜太陽電池(P−3)を作製した。
実施例4の有機薄膜太陽電池は、層構成自体は実施例3と同様であるが、透明電極層13の構成が実施例3と異なるものとした。本実施例の透明導電層13は、導電ストライプと透明導電材料層とからなるものとした。透明導電層13の作製方法以外は実施例3と同様の作製方法を用いて実施例4の有機薄膜太陽電池(P−4)を作製した。実施例4の透明電極層13の作製方法は以下の通りである。
100mm角のPETフイルム12のバリア層11上にマスク蒸着法により線幅が0.3mm、線の長さ90mm、間隔4mmで配置された複数の導電性ラインからなる導電ストライプ、および、前記導電ストライプと直交する線幅2mm、線の長さ90mm、線の間隔が50mmの2本のバスラインを同時に作製した。導電性ライン及びバスラインの材質は銀、膜厚は100nmであった。
上記で作製したフィルムの表面に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンス
ルホン酸(略称:PEDOT−PSS)の水分散物(アグファ社製、オルガコンS−30
5をスピンコートした。次に、このフィルムを120℃で20分間加熱乾燥して、導電性
ポリマー層を形成した。このとき、導電性ポリマー層の膜厚は100nmであった。
この上にポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸(略称:PEDOT−PSS)の水分散物(H.C.Starck社製、P.VP.AI4083)をスピンコートした。次に、このフィルムを100℃で20分間加熱乾燥して、電子ブロック層を形成した。このとき、電子ブロック層の膜厚は40nmであった。
実施例5の有機薄膜太陽電池は、層構成自体は実施例4と同様であるが、導電ストライプの材質が実施例4と異なるものとした。本実施例の導電ストライプは銅からなるものとした。導電ストライプの材質以外は実施例4と同様の作製方法を用いて実施例5の有機薄膜太陽電池(P−5)を作製した。
比較例1の有機薄膜太陽電池は、実施例1の層構成において、n型酸化物半導体層を備えていないものとした。すなわち、厚み180μmのPETフィルムの一面上にバリア層を形成し、PETフィルムの他面上に透明導電層、光電変換層、負極、パッシベーション層と接着剤層とバリアフイルムとからなる上部封止部材を積層することにより、比較例1の有機薄膜太陽電池(S−1)を作製した。
作製方法はほぼ実施例1と同様である。但し、実施例1では光電変換層形成後のn型半導体層形成前にアニール処理を行ったが、比較例1では、光電変換層形成後にはアニール処理をせず、光電変換層上に負極を形成し、負極形成後の試料に対してアニール処理としてホットプレートを用いて130℃で15分間加熱した。この点以外は、全て実施例1と同様とした。
比較例2の有機薄膜太陽電池は、層構成自体は比較例1と同様であるが、透明電極層の構成が比較例1と異なるものとした。本比較例の透明導電層は、実施例2と同様に導電ストライプと透明導電材料層とからなるものとした。すなわち、比較例2の有機薄膜太陽電池は、実施例2の有機薄膜太陽電池の構成において、n型酸化物半導体層を備えていないものである。比較例1と同様の製造方法において、透明電極層は実施例2と同様の方法で作製して比較例2の有機薄膜太陽電池(S−2)を作製した。
比較例3の有機薄膜太陽電池は、バリア層11が支持体12と透明電極層13との間に配置された構成(図2参照)とした点以外は比較例2と同様の構成とした。すなわち、比較例3の有機薄膜太陽電池は、実施例3の有機薄膜太陽電池の構成において、n型酸化物半導体層を備えていないものである。透明電極層をバリア層上に作製したこと以外は比較例2と同様の作製方法で比較例3の有機薄膜太陽電池(S−3)を作製した。
比較例4の有機薄膜太陽電池は、実施例4の有機薄膜太陽電池の構成において、n型酸化物半導体層を備えていないものである。比較例3と同様の製造方法において、透明電極層は実施例4と同様の方法で比較例4の有機薄膜太陽電池(S−4)を作製した。
比較例5の有機薄膜太陽電池は、実施例5の有機薄膜太陽電池の構成において、n型酸化物半導体層を備えていないものである。導電ストライプの材質以外は比較例4と同様の作製方法を用いて比較例5の有機薄膜太陽電池(S−5)を作製した。
比較例6の有機薄膜太陽電池は、有機無機積層バリア層を備えていない点を除き、実施例1と同様の層構成とした。実施例1と同様の方法で厚み180μmのPETフィルム上に透明導電層、光電変換層、n型酸化物半導体層、負極、パッシベーション層と接着剤層とバリアフイルムとからなる上部封止部材を積層することにより、比較例6の有機薄膜太陽電池(S−6)を作製した。
比較例7の有機薄膜太陽電池は、支持体として、厚み0.7mmのガラスを用いた点、有機無機積層バリア層およびn型酸化物半導体層を備えていない点以外は実施例1と同様の構成とした。すなわち、比較例7は、厚み0.7mmのガラスの上に、透明導電層、光電変換層、負極、パッシベーション層と接着剤層とバリアフイルムとからなる上部封止層を積層してなるものとした。バリア層形成工程を含まないことを除き、比較例1と同様の製造方法により比較例7の有機薄膜太陽電池(S−7)を作製した。
実施例1〜5及び比較例1〜7にて得られた有機薄膜太陽電池に、ペクセルテクノロジーズ社L12型ソーラシミュレーターを用いて、AM1.5G、80mW/cm2の模擬太陽光を照射しながら、ソースメジャーユニット(SMU2400型、KEITHLEY社製)を用いて電圧範囲−0.1Vから1.0Vにて、発生する電流値を測定した。得られた電流電圧特性をペクセルテクノロジーズ社I−Vカーブアナライザーを用いて評価し、特性パラメーターとして初期電池特性である変換効率(%)を算出した。測定結果を下記表1に示す。
次に、各素子を40℃・相対湿度90%の高温高湿室内に100時間静置した後、AM1.5、80mW/cm2の模擬太陽光を照射しながら電流電圧特性を測定し、下記式により保存安定性を示す指標として変換効率の維持率を測定した。
変換効率の維持率(%)=
{(高温高湿経時後の変換効率)÷(素子作製直後の変換効率)}×100
表1に結果を記す。
10 透明導電フィルム
11 有機無機積層バリア層
12 プラスチック支持体
13 透明電極層
14 導電ストライプ
16 バスライン
18 透明導電材料層
20 有機の活性層
25 n型酸化物半導体層
26 金属電極層
30 上部封止部材
Claims (7)
- 少なくとも有機無機積層バリア層、プラスチック支持体、透明電極層、有機の活性層、金属電極層、および上部封止部材で構成され、かつ、強酸性ポリマーを含有する有機電子デバイスにおいて、
前記プラスチック支持体、前記透明電極層、前記有機の活性層および前記金属電極層がこの順に配置されており、
前記透明電極層がストライプ状に配置された複数の導電性ラインからなる導電ストライプと透明導電材料の組み合わせからなるものであり、
前記強酸性ポリマーがポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸複合体であり、前記強酸性ポリマーが前記透明導電材料として前記透明電極層中に設置されており、
前記金属電極層に隣接して、該金属電極層の前記プラスチック支持体側にn型酸化物半導体層が設置されてなることを特徴とする有機電子デバイス。 - 前記n型酸化物半導体が酸化チタンまたは酸化亜鉛であることを特徴とする請求項1記載の有機電子デバイス。
- 前記導電性ラインが銀または銅からなるものであることを特徴とする請求項1または2記載の有機電子デバイス。
- 前記有機無機積層バリア層が前記プラスチック支持体と前記透明電極層との間に設置されていることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の有機電子デバイス。
- 前記有機無機積層バリア層の前記透明電極層と隣接する層が有機層であることを特徴とする請求項4記載の有機電子デバイス。
- 前記有機の活性層が光電変換層であり、
有機薄膜太陽電池として機能するものであることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の有機電子デバイス。 - 前記光電変換層がバルクヘテロ層であることを特徴とする請求項6記載の有機電子デバイス。
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