TW201430933A - 半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供於對被處理構件(半導體晶圓等)施予機械或化學處理之際，可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時即使經過高溫的製程時，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件的暫時支持之半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法。該半導體裝置製造用暫時接合層係具有(A)剝離層與(B)接著性層，用於具有進行加熱處理步驟的半導體裝置之製造中的半導體裝置製造用暫時接合層，其中前述剝離層係具有170℃以上的軟化點之層，前述接著性層係將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成之層。

Description

半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法
本發明關於半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法。
以往，於IC或LSI等之半導體裝置之製程中，通常在半導體矽晶圓上形成多數的IC晶片，藉由切割而單片化。
隨著電子機器之更小型化及高性能化之需求，對於搭載於電子機器的IC晶片，亦要求更小型化及高積體化，但矽基板之面方向中的積體電路之高積體化係接近極限。
作為從IC晶片內的積體電路來對IC晶片的外部端子之電連接方法，以往廣泛己知線接合法，但為了謀求IC晶片的小型化，近年來已知在矽基板中設置貫通孔，以將作為外部端子的金屬插塞貫穿貫通孔內之方式連接於積體電路之方法(所謂形成矽貫通電極(TSV)之方法)。然而，以僅形成矽貫通電極之方法，對於上述近年之IC晶片，並無法充分應付進一步之高積體化的需求。
鑑於以上，已知藉由將IC晶片內的積體電路 予以多層化，提高矽基板的每單位面積之積體度的技術。然而，由於積體電路之多層化係使IC晶片之厚度增大，必須將構成IC晶片的構件予以薄型化。作為如此的構件之薄型化，例如檢討矽基板之薄型化，不僅與IC晶片的小型化有關聯，而且從可將矽貫通電極之製造中的矽基板之貫通孔製程予以省力化來看，被認為有希望。
作為半導體裝置之製程中使用的半導體矽晶 圓，廣泛已知具有約700~900μm的厚度者，但近年來以IC晶片的小型化等為目的，嘗試將半導體矽晶圓之厚度減薄至200μm以下為止。
然而，厚度200μm以下之半導體矽晶圓係非 常薄，進而以此作為基材的半導體裝置製造用構件亦非常薄，故在對於如此的構件施予進一步的處理，或僅將如此的構件移動之情況等中，安定地且不造成損傷地支持構件者係困難。
為了解決如上述之問題，已知藉由矽氧黏著 劑來暫時接著在表面上設有裝置的薄型化前之半導體晶圓與加工用支持基板，研削半導體晶圓之背面而薄型化後，將半導體晶圓穿孔而設置矽貫通電極，然後自半導體晶圓使加工用支持基板脫離之技術(參照日本特開2011-119427號公報)。藉由此技術，可同時達成半導體晶圓的背面研削時之耐研削阻力、異向性乾蝕刻步驟等中的耐熱性、鍍敷或蝕刻時的耐藥品性、與最終的加工用支持基板之圓滑地剝離及低被附體污染性。
又，作為晶圓之支持方法，亦已知藉由支持 層系統來支持晶圓之方法，使由電漿堆積法所得之電漿聚合物層作為分離層介於晶圓與支持層系統之間，使支持層系統與分離層之間的接著結合大於晶圓與分離層之間的接合結合，於自支持層系統脫離晶圓之際，以晶圓容易地自分離層脫離之方式而構成的技術(參照日本特表2009-528688號公報)。
又，已知使用聚醚碸與賦黏劑進行暫時接著 ，藉由加熱而解除暫時接著之技術(日本特開2011-225814號公報)。
另外，亦已知藉由羧酸類與胺類所成之混合 物進行暫時接著，藉由加熱而解除暫時接著之技術(日本特開2011-052142號公報)。
還有，已知將由纖維素聚合物類等所成之接 合層予以加溫之狀態下，壓合裝置晶圓與支持基板而使接著，藉由在加溫下橫向地滑動，而自支持基板脫離裝置晶圓之技術(日本特表2010-506406號公報)。
又，已知由對排1,2-聚丁二烯與光聚合引發 劑所構成，因放射線之照射而接著力變化之黏著薄膜(日本特開2007-045939號公報)。
再者，已知藉由聚碳酸酯類所成之接著劑， 暫時接著支持基板與半導體晶圓，對半導體晶圓進行處理後，照射輻照線，其次藉由加熱，自支持基板脫離處理過的半導體晶圓之技術(美國發明專利公開2011/0318938號說明書)。
又，已知於將設有裝置晶圓的微裝置之裝置 面與支持裝置晶圓的載體基板予以暫時接著之際，使無貢獻接合的填充層介於裝置面的中央區域與載體基板之間，藉由黏著劑暫時接著裝置面的周緣部與載體基板之間之技術(日本特表2011-510518號公報)。
可是，於將設有裝置的半導體晶圓之表面(即裝置晶圓之裝置面)與支持基板(載體基板)，藉由日本特開2011-119427號公報等所知之由黏著劑所成的層予以暫時接著時，為了安定地支持半導體晶圓，在黏著劑層要求一定強度的黏著度。
因此，於經由黏著劑層暫時接著半導體晶圓的裝置面之全面與支持基板時，使半導體晶圓與支持基板之暫時接著愈充分，可愈安定地且不造成損傷地支持半導體晶圓，但另一方面，由於半導體晶圓與支持基板之暫時接著過強，於自支持基板脫離半導體晶圓之際，容易發生裝置破損，或裝置自半導體晶圓脫離之不良狀況。
又，如日本特表2009-528688號公報，為了抑制晶圓與支持層系統之接著變過強，在晶圓與支持層系統之間，藉由電漿堆積法形成作為分離層的電漿聚合物層之方法，係有以下等之問題：(1)通常實施電漿堆積法用的設備成本大；(2)藉由電漿堆積法的層形成係在電漿裝置內的真空化或單體的堆積中需要時間；及(3)設置由 電漿聚合物層所構成的分離層，支持供加工的晶圓時，雖然晶圓與分離層之接著結合為充分，但另一方面於解除晶圓的支持時，不容易控制在能使晶圓容易自分離層脫離之接著結合。
另外，如日本特開2011-225814號公報、日本 特開2011-052142號公報、日本特表2010-506406號公報中記載，於藉由加熱來解除暫時接著之方法中，容易發生因長時間的加熱而裝置破損之不良狀況。
還有，如日本特開2007-045939號公報、美國 發明專利公開2011/0318938號說明書中記載，於照射輻照線而解除暫時接著之方法中，需要使用能穿透輻照線的支持基板。
又，如日本特表2011-510518號公報，在載體 上隔著不貢獻接著的填充層之方法中，於形成該填充層之際，必須經由多階段所構成的製程，在生產性有進一步改良之餘地。
本發明係鑒於上述背景而完成者，其目的在 於提供於對被處理構件(半導體晶圓等)施予機械或化學處理之際，可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時即使經過高溫的製程時，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件的暫時支持之半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法。
本發明者們為了解決上述問題而專心致力地檢討，結果發現：在支持體與被處理構件之間設置由剝 離層與接著性層所構成之暫時接合層，於此暫時接合層中，藉由一邊使剝離層成為具有特定軟化點者，一邊在接著性層的表面上設置接著力不同的2種類以上之區域，而即使經過高溫的製程時，也可容易地解除對於處理過構件的暫時支持，以此等知識見解為基礎，終於完成本發明。即，本發明係如以下。
<1>一種半導體裝置製造用暫時接合層，其 係具有(A)剝離層與(B)接著性層，用於具有進行加熱處理步驟的半導體裝置之製造中的半導體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層係具有170℃以上的軟化點之層，接著性層係將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成之層。
<2>如<1>記載之半導體裝置製造用暫時 接合層，其中剝離層的軟化點為170℃~450℃之範圍內。
<3>如<1>或<2>記載之半導體裝置製 造用暫時接合層，其中剝離層含有熱塑性樹脂。
<4>如<3>記載之半導體裝置製造用暫時 接合層，其中熱塑性樹脂係由聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂中選出的至少一種熱塑性樹脂。
<5>如<3>記載之半導體裝置製造用暫時 接合層，其中熱塑性樹脂係由聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂中選出的至少一種熱塑性樹脂。
<6>如<1>至<5>中任一項記載之半導 體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層含有抗氧化劑。
<7>如<6>記載之半導體裝置製造用暫時 接合層，其中抗氧化劑在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少1質量%的溫度為250℃以上。
<8>如<1>至<7>中任一項記載之半導 體裝置製造用暫時接合層，其中接著性層含有黏結劑、聚合性單體、與光聚合引發劑及熱聚合引發劑之至少一者。
<9>一種積層體，其具有支持體、被處理構 件、與設置於支持體與被處理構件之間的如<1>至<8>中任一項記載之半導體裝置製造用暫時接合層。
<10>一種半導體裝置之製造方法，其係具 有以如<1>至<8>中任一項記載之半導體裝置製造用暫時接合層介於之間存在之方式，接著被處理構件的第1面與基板之步驟，對於被處理構件，施予在130℃~370℃之範圍中具有最高到達溫度之加熱處理，得到處理過構件之步驟，及自接合層脫離處理過構件之步驟，而具有處理過構件之半導體裝置之製造方法，其中剝離層係具有比加熱處理的最高到達溫度高之軟化點的層。
<11>如<10>記載之半導體裝置之製造方 法，其中於使被處理構件的第1面與基板隔著暫時接合層而接著之步驟之前，更具有對於暫時接合層的接著性層，照射活性光線或放射線或熱之步驟。
依照本發明，可提供於對被處理構件施予機械或化學處理之際，可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時即使經過高溫的製程時，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件的暫時支持之半導體裝置製造用暫時接合層、積層體、及半導體裝置之製造方法。
11、21~30、11’‧‧‧接著性層
11A、21A~30A‧‧‧高接著性區域
11B、21B~30B‧‧‧低接著性區域
12‧‧‧載體基板
60‧‧‧裝置晶圓
60’‧‧‧薄型裝置晶圓
61‧‧‧矽基板
61a‧‧‧矽基板之表面
61b‧‧‧矽基板之背面
61b’‧‧‧薄型裝置晶圓之背面
62‧‧‧裝置晶片
63‧‧‧凸塊
70‧‧‧膠帶
71‧‧‧剝離層
80‧‧‧暫時接合層
100、100’‧‧‧接著性支持體
第1圖之(A)、(B)及(C)各自係說明接著性支持體與裝置晶圓的暫時接著之示意截面圖、顯示經由接著性支持體所暫時接著的裝置晶圓之示意截面圖、及顯示經由接著性支持體所暫時接著的裝置晶圓經薄型化之狀態之示意截面圖。
第2圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之示意俯視圖。
第3圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第4圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第5圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第6圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第7圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態 樣之示意俯視圖。
第8圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第9圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第10圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第11圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第12圖係本發明之實施形態中的接著性支持體之1態樣之示意俯視圖。
第13圖係說明以往的接著性支持體與裝置晶圓之暫時接著狀態的解除之示意截面圖。
[實施發明之形態]
以下，詳細說明本發明之實施形態。
於本說明書的基(原子團)之記述中，沒有記載取代及無取代之記述係亦包含不具取代基者連同具有取代基者。例如，所謂的「烷基」，不僅是不具有取代基的烷基(無取代烷基)，亦包含具有取代基的烷基(取代烷基)。
本說明書中的「活性光線」或「放射線」，例如意指包含可見光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X射線等者。又，本發明中所謂的「光」，就是意指活性光線或放射線。
又，本說明書中所謂的「曝光」，只要沒有 特別預先指明，則不僅是水銀燈、紫外線、準分子雷射所代表的遠紫外線、X射線、EUV光等之曝光，亦意指藉由電子線及離子束等的粒子線之描繪。
再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」 表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，「(甲基)丙烯基」表示丙烯基及甲基丙烯基，「(甲基)丙烯醯基」表示丙烯醯基及甲基丙烯醯基。又，於本說明書中，「單量體」與「單體」同義。本發明中的單體係與寡聚物及聚合物區別，指重量平均分子量為2,000以下之化合物。本說明書中，所謂的聚合性化合物，就是指具有聚合性基的化合物，可為單體，也可為聚合物。所謂的聚合性基，就是指參與聚合反應之基。
尚且，於以下說明的實施形態中，對於已經 參照的圖面中所說明之構件等，藉由在圖中附相同符號或相當符號而將說明簡略化或省略化。
本發明之半導體裝置製造用暫時接合層，係 具有(A)剝離層與(B)接著性層，用於具有進行加熱處理步驟的半導體裝置之製造中的半導體裝置製造用暫時接合層，其中前述剝離層係具有170℃以上的軟化點之層，前述接著性層係將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成之層。
首先，說明本發明之半導體裝置製造用暫時 接合層(以下亦僅稱「暫時接合層」)。
本發明之半導體裝置製造用暫時接合層係具 有(A)剝離層及(B)接著性層。
藉由本發明之半導體裝置製造用暫時接合層，可得到於對被處理構件施予機械或化學處理之際，可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時即使經過高溫的製程時，也不對處理過構件造成損傷，可容易地解除對於處理過構件的暫時支持之半導體裝置製造用暫時接合層。
本發明之半導體裝置製造用暫時接合層較佳為矽貫通電極形成用。以後詳述矽貫通電極之形成。
(A)剝離層：剝離層係提高剝離性為目的而使用。因此，剝離層係要求對於熱‧藥品之剝離性變化小。此處，剝離層的軟化點為170℃以上。該軟化點較佳為170℃~450℃，更佳為200℃~400℃，尤佳為200℃~350℃。又，剝離層的軟化點係表示藉由使用黏彈性測定裝置的一般手法所測定者。
藉此，茲認為於具有進行加熱處理的步驟之半導體裝置之製程中，抑制剝離層之樹脂因熱而融化或玻璃轉移，抑制與接著性層之結合被過剩地促進，結果處理過構件之剝離係圓滑地進行。
當剝離層的軟化點低於170℃時，茲認為於具有進行加熱處理的步驟之半導體裝置之製造步驟中，由於構成剝離層的樹脂發生融化或玻璃轉移，與接著性層的結合力係過剩地變強，故被處理構件之剝離係不圓滑 地進行。
剝離層的軟化點係作為在一定升溫條件下使 用黏彈性測定裝置所測定之損失正切(tanδ)成為極大的溫度而測定。
損失正切(tanδ)係由下式算出。
tanδ=G”/G’
上述式中，G”表示損失剪切彈性模數，G’表示儲存剪切彈性模數。
升溫速度較佳為0.5~20℃/分鐘之範圍內，更佳為1~10℃/分鐘之範圍內，特佳為2~5℃/分鐘之範圍內。
剝離層係可藉由使用習知的旋塗法、噴霧法、輥塗法、流塗法、刮刀塗布法、浸漬法等，將剝離層組成物以層狀應用(較佳為塗布)於被處理構件上，其次乾燥而形成。
剝離層之厚度例如為1~500μm之範圍內，但沒有特別的限定。上述剝離層組成物較佳含有黏結劑。
以下，說明上述剝離層組成物所可含有的黏結劑。
(黏結劑)
於本發明中，作為上述剝離層組成物所含有之黏結劑，可使用任意者。
例如，可舉出萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂、松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯 、改性松香、松香改性酚樹脂、烷基酚樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改性石油樹脂、脂環族石油樹脂、香豆酮石油樹脂、茚石油樹脂、烯烴共聚物(例如，甲基戊烯共聚物)、環烯烴共聚物(例如，降冰片烯共聚物、二環戊二烯共聚物、四環十二烯共聚物)、酚醛清漆樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、PTFE樹脂、PFA樹脂、FEP樹脂、乙烯-TFE共聚合樹脂、PVDF樹脂、PCTFE樹脂、乙烯-CTFE樹脂、TFE-全氟二甲基二氧雜環戊烯共聚合樹脂、PVF樹脂、ABS樹脂、AS樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環狀聚烯烴、聚苯硫、聚碸、聚醚碸樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等之合成樹脂、或天然橡膠等之天然樹脂。其中，較佳為PTFE樹脂、PFA樹脂、FEP樹脂、乙烯-TFE共聚合樹脂、PVDF樹脂、PCTFE樹脂、乙烯-CTFE樹脂、TFE-全氟二甲基二氧雜環戊烯共聚合樹脂、PVF樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚酮樹脂，更佳為PFA樹脂、TFE-全氟二甲基二氧雜環戊烯共聚合樹脂、PVF樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺 樹脂、聚醚酮樹脂，特佳為聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚酮樹脂，尤佳為聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂。
黏結劑較佳為熱塑性樹脂，特佳為由聚碳酸 酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂中選出的至少一種熱塑性樹脂。
本發明之剝離層中的黏結劑之添加量，係相 對於本發明之剝離層的全部固體成分量(溶劑以外之量)，較佳為1~100重量%，更佳為70~100重量%，特佳為90~100重量%。
溶劑只要是可形成剝離層，則可無限制地使 用眾所周知者，可使用茴香醚、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、2-丁酮、甲基戊基酮、檸檬烯等，較佳為N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、甲基戊基酮或檸檬烯。
溶劑較佳為以剝離層組成物的固體成分濃度 成為5~40質量%之方式使用。
又，剝離層組成物視需要亦可含有界面活性 劑。
於本發明之剝離層組成物中，從進一步提高 塗布性之觀點來看，亦可添加各種的界面活性劑。作為界面活性劑，可使用氟系界面活性劑、非離子系界面活 性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、矽氧系界面活性劑等之各種界面活性劑。
特別地，本發明之剝離層組成物所具有的剝 離層，係藉由含有氟系界面活性劑，而進一步提高作為塗布液調製時的液特性(尤其流動性)，故可進一步改善塗布厚度的均勻性或省液性。
即，使用含有氟系界面活性劑的剝離層組成 物進行膜形成時，由於使被塗布面與塗布液之界面張力降低，而改善對被塗布面的潤濕性，提高對被塗布面的塗布性。因此，在即使以少量之液量形成數μm程度的薄膜時，也更合適地進行厚度不均小的均勻厚度之膜形成之點係有效。
氟系界面活性劑中之氟含有率宜為3質量% ~40質量%，更佳為5質量%~30質量%，特佳為7質量%~25質量%。氟含有率在此範圍內之氟系界面活性劑，係在塗布膜之厚度的均勻性或省液性之點有效果，在剝離層組成物中的溶解性亦良好。
作為氟系界面活性劑，例如可舉出Megafac F171、同F172、同F173、同F176、同F177、同F141、同F142、同F143、同F144、同R30、同F437、同F475、同F479、同F482、同F554、同F780、同F781(以上為DIC(股)製)、Fluorad FC430、同FC431、同FC171(以上為住友3M(股)製)、Surflon S-382、同SC-101、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC1068、同SC-381、同SC-383、同S393、同KH-40(以上為旭硝子(股)製)、PF636、PF656 、PF6320、PF6520、PF7002(OMNOVA公司製)等。
作為非離子系界面活性劑，具體地可舉出甘 油、三羥甲基丙烷、三羥甲基乙烷以及彼等之乙氧基化物及丙氧基化物(例如，甘油丙氧基化物、甘油乙氧基化物等)、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯(BASF公司製之Pluronic L10、L31、L61、L62、10R5、17R2、25R2、Tetronic 304、701、704、901、904、150R1、Solsperse 20000(日本LUBRIZOL(股)製)等。
作為陽離子系界面活性劑，具體地可舉出酞 花青衍生物(商品名：EFKA-745，森下產業(股)製)、有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)、(甲基)丙烯酸系(共)聚合物Polyflow No.75、No.90、No.95(共榮社化學(股)製)、W001(裕商(股)製)等。
作為陰離子系界面活性劑，具體地可舉出W004、W005、W017(裕商(股)製)等。
作為矽氧系界面活性劑，例如可舉出東麗-道康寧(股)製「Toray Silcone DC3PA」、「Toray Silcone SH7PA」、「Toray Silcone DC11PA」、「Toray Silcone SH21PA」、「Toray Silcone SH28PA」、「Toray Silcone SH29PA」、「Toray Silcone SH30PA」、「Toray Silcone SH8400」、Momentive Performance Materials公司製「TSF-4440」、「TSF-4300」、「TSF-4445」、「TSF-4460 」、「TSF-4452」、信越SILICONE股份有限公司製「KP341」、「KF6001」、「KF6002」、BYK化學公司製「BYK307」、「BYK323」、「BYK330」等。
又，作為界面活性劑，亦可採用日本特表 2010-506406號公報(對應國際公開WO2008/045669號小冊)之段落編號0025中記載者，此等之內容係併入本案說明書中。例如，可例示TritonX-100。
界面活性劑係可僅使用1種類，也可組合2種 類以上。
界面活性劑之添加量，係相對於剝離層組成 物之全部固體成分，較佳為0.001質量%~2.0質量%，更佳為0.005質量%~1.0質量%。
又，剝離層組成物視需要亦可含有抗氧化劑。
於本發明之剝離層組成物中，從防止因加熱 時的氧化所造成的剝離層中所含有的熱塑性樹脂之低分子化或凝膠化之觀點來看，亦可添加各種的抗氧化劑。 作為抗氧化劑，可使用酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、醌系抗氧化劑、氮系抗氧化劑、亞磷酸酯系抗氧化劑等。
作為酚系抗氧化劑，例如可舉出對甲氧基苯 酚、2,6-二第三丁基-4-甲基苯酚、BASF(股)製「Irganox 1010」、「Irganox 1330」、「Irganox 3114」、「Irganox 1035」、住友化學(股)製「Sumilizer MDP-S」、「Sumilizer GA-80」等。
作為硫系抗氧化劑，例如可舉出3,3’-硫代二丙酸二硬脂醯酯、住友化學(股)製「Sumilizer TPM」、 「Sumilizer TPS」、「Sumilizer TP-D」等。
作為醌系抗氧化劑，例如可舉出對苯醌、2- 第三丁基-1,4-苯醌等。
作為氮系抗氧化劑，較佳為胺系抗氧化劑， 例如可舉出二甲基苯胺或啡噻等。
作為亞磷酸酯系抗氧化劑，(例如可舉出 Irgafos 168之名稱，由BASF公司所販售的三(2,4-二第三丁基苯基)亞磷酸酯)等。
於上述抗氧化劑之中，較佳為Irganox 1010 、Irganox 1330、Irganox 1726、3,3’-硫代二丙酸二硬脂醯酯，更佳為Irganox 1010、Irganox 1330，特佳為Irganox 1330。
抗氧化劑係可僅使用1種類，也可組合2種類 以上。
抗氧化劑之分子量，從加熱中的昇華防止之 觀點來看，在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少1質量%的溫度較佳為250℃以上，更佳為270℃以上，特佳為300℃以上。上限係沒有特別的限定，但例如可為500℃以下。
抗氧化劑之添加量，係相對於剝離層組成物 的全部固體成分，較佳為0.001質量%~2.0質量%，更佳為0.005質量%~1.0質量%。
又，從防止因剝離時的應力所造成的剝離層 中之龜裂發生之觀點來看，剝離層組成物視需要亦可含有可塑劑。
作為可塑劑，可使用苯二甲酸酯、脂肪酸酯 、芳香族多元羧酸酯、聚酯等。
作為苯二甲酸酯，例如可舉出DMP、DEP、 DBP、#10、BBP、DOP、DINP、DIDP(以上為大八化學製)、PL-200、DOIP(以上為CG Ester製)、Sansocizer DUP(新日本理化製)等。
作為脂肪酸酯，例如可舉出硬脂酸丁酯、 Unister M-9676、Unister M-2222SL、Unister H-476、Unister H-476D、Panasate 800B、Panasate 875、Panasate 810(以上為日油製)、DBA、DIBA、DBS、DOA、DINA、DIDA、DOS、BXA、DOZ、DESU(以上為大八化學製)等。
作為芳香族多元羧酸酯，可舉出TOTM(大八 化學製)、Monocizer W-705(大八化學製)、UL-80、UL-100(ADEKA製)等。
作為聚酯，可舉出Polycizer TD-1720、 Polycizer S-2002、Polycizer S-2010(以上為DIC製)、BAA-15(大八化學製)等。
於上述抗氧化劑之中，較佳為DIDP、DIDA 、TOTM、Unister M-2222SL、Polycizer TD-1720，更佳為DIDA、TOTM，特佳為TOTM。
可塑劑係可僅使用1種類，也可組合2種類以 上。
可塑劑之分子量，從加熱中的昇華防止之觀 點來看，在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下 測定時，重量減少1質量%的溫度較佳為250℃以上，更佳為270℃以上，特佳為300℃以上。上限係沒有特別的限定，但例如可為(500)℃以下。
可塑劑之添加量，係相對於剝離層組成物的 全部固體成分，較佳為1質量%~50.0質量%，更佳為5質量%~20質量%。
本發明之半導體裝置製造用暫時接合層所具 有的剝離層之形成方法係沒有特別的限定，但較佳可藉由適宜變更前述黏結劑之種類及其含量，而合適地達成者，藉由自前述的較佳具體例中選擇黏結劑，成為更佳的濃度而達成。
(B)接著性層：接著性層係以連接剝離層與基板為目的而使用。因此，接著性層係要求對於熱‧藥品之接著性變化小。
接著性層係可藉由使用習知的旋塗法、噴霧法、輥塗法、流塗法、刮刀塗布法、浸漬法等，將含有後述的各成分之接著性組成物以層狀應用(較佳為塗布)於載體基板上，其次乾燥而形成。
又，接著性層係因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層。
再者，將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成的層。
曝光具體地係如後述，較佳為使用遮罩之圖案曝光。
接著性層之厚度例如為1~500μm之範圍內 ，但沒有特別的限定。
接著性層較佳為含有黏結劑、聚合性單體、 與光聚合引發劑及熱聚合引發劑之至少一者，更佳為含有光聚合引發劑。
再者，本發明中的接著性組成物(進而接著性 層)，尤其在更含有光聚合引發劑或熱聚合引發劑，同時含有自由基聚合性單體時，可使接著性層成為因活性光線或放射線或熱之照射而接著性減少之接著性層。此時，具體地接著性層係在接受活性光線或放射線或熱的照射之前，為具有接著性之層，但在已接受活性光線或放射線或熱的照射之區域中，為接著性降低或消失之層。
(黏結劑)
接著性組成物(進而接著性層)較佳為含有黏結劑。
於本發明中，作為黏結劑，可使用任意者。
例如，可舉出烴樹脂、酚醛清漆樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合樹脂、聚醋酸乙烯酯、Teflon(註冊商標)、ABS樹脂、AS樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環狀聚烯烴、聚苯硫、聚碸、聚醚碸、聚芳酯、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺等之合成樹脂、或天然橡膠等之天然樹脂。其中，較佳為聚胺基甲酸酯、酚醛清漆樹脂、 聚醯亞胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合樹脂，更佳為酚醛清漆樹脂、聚醯亞胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合樹脂，特佳為聚醯亞胺、聚苯乙烯、苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚合樹脂。
於本發明中，作為烴樹脂，可使用任意者。
本發明中之烴樹脂係意指基本上僅由碳原子 與氫原子所構成的樹脂，但只要基本的骨架為烴樹脂，則側鏈亦可含有其它原子。又，於本發明的烴樹脂中，不包含如丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚乙烯吡咯啶酮樹脂之在主鏈直接鍵結烴基以外的官能基之樹脂。
作為符合上述條件之烴樹脂，例如可舉出聚 苯乙烯樹脂、萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂、松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改性松香、松香改性酚樹脂、烷基酚樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改性石油樹脂、脂環族石油樹脂、香豆酮石油樹脂、茚石油樹脂、烯烴聚合物(例如甲基戊烯共聚物)、環烯烴聚合物(例如降冰片烯共聚物、二環戊二烯共聚物、四環十二烯共聚物)等。
其中，較佳為聚苯乙烯樹脂、萜烯樹脂、松 香、石油樹脂、氫化松香、聚合松香、烯烴聚合物、環烯烴聚合物，更佳為聚苯乙烯樹脂、萜烯樹脂、松香、烯烴聚合物、環烯烴聚合物，尤佳為聚苯乙烯樹脂、萜烯樹脂、松香、烯烴聚合物、聚苯乙烯樹脂、環烯烴聚 合物，特佳為聚苯乙烯樹脂、萜烯樹脂、松香、環烯烴聚合物、烯烴聚合物，最佳為聚苯乙烯樹脂或環烯烴聚合物。
於環烯烴共聚物之製作時所用的環狀烯烴系 樹脂之例中，包含降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴之聚合物、環狀共軛二烯之聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及此等聚合物之氫化物等。於較佳例中，包含含有至少1種以上的下述通式(II)所示的重複單元之加成(共)聚合物環狀烯烴系樹脂，及視需要更含有通式(I)所示的重複單元之至少1種以上而成之加成(共)聚合物環狀烯烴系樹脂。又，於其它的較佳例中，包含含有至少1種的通式(III)所示的環狀重複單元之開環(共)聚合物。
式中，m表示0~4之整數。R1~R6各自獨立地表示氫原子或碳數1~10的烴基，X1~X3、Y1~Y3各自獨立地表示氫原子、碳數1~10的烴基、鹵素原子、經鹵素原子取代之碳數1~10的烴基、(CH2)nCOOR11、-(CH2)nOCOR12、-(CH2)nNCO、-(CH2)nNO2、-(CH2)nCN、-(CH2)nCONR13R14、-(CH2)nNR13R14、-(CH2)nOZ、-(CH2)nW、或由X1與Y1、X2與Y2、或X3與Y3所構成的(-CO)2O、(-CO)2NR15。再者，R11、R12、R13、R14及R15 各自獨立地表示氫原子、碳數1~20的烴基，Z表示烴基或經鹵素取代的烴基，W表示SiR16 pD3-p(R16表示碳數1~10的烴基，D表示鹵素原子、-OCOR16或-OR16，p表示0~3之整數)。n表示0~10之整數。
降冰片烯系加成(共)聚合物係揭示於日本特開平10-7732號、日本特表2002-504184號、US2004/229157A1號或WO2004/070463A1號等中。藉由將降冰片烯系多環狀不飽和化合物彼此予以加成聚合而得。又，視需要亦可將降冰片烯系多環狀不飽和化合物與乙烯、丙烯、丁烯，如丁二烯、異戊二烯之共軛二烯，如亞乙基降冰片烯之非共軛二烯予以加成聚合。此降冰片烯系加成(共)聚合物係由三井化學(股)以Apel之商品名所發售，有玻璃轉移溫度(Tg)不同的例如APL8008T(Tg70℃)、APL6013T(Tg125℃)或APL6015T(Tg145℃)等之等級。由POLYPLASTICS(股)發售TOPAS 8007、同5013、同6013、同6015等之顆粒。
再者，由Ferrania公司發售Appear 3000。
降冰片烯系聚合物氫化物係可如日本特開平1-240517號、日本特開平7-196736號、日本特開昭60-26024號、日本特開昭62-19801號、日本特開2003-1159767號或日本特開2004-309979號等中揭示，在將多環狀不飽和化合物予以加成聚合或複分解開環聚合後，藉由氫化而製造。
前述式中，R5~R6較佳為氫原子或-CH3，X3及Y3較佳為氫原子，可適宜選擇其它之基。此降冰片烯 系樹脂係由JSR(股)以阿通(Arton)G或阿通F的商品名所發售，及由日本ZEON(股)以雷歐那(Zeonor)ZF14、ZF16、雷歐那克司(Zeonex)250、同280、同480R的商品名所市售，可使用此等。
又，於市售品中，可較佳地使用Estyrene MS200NT(新日鐵化學製MS樹脂)等。
本發明之接著性層中的黏結劑之添加量，係相對於本發明的接著性層之全部固體成分量(溶劑以外之量)，較佳為1~100重量%，更佳為1~80重量%，特佳為5~50重量%。
黏結劑係可僅使用1種類，也可組合2種類以上。
(聚合性單體)
於本發明中，作為接著性組成物(進而接著性層)的聚合性單體，可使用任意者。此處，聚合性單體係具有聚合性基。所謂的聚合性基，典型上係藉由活性光線或放射線之照射或自由基或酸之作用而可聚合之基。
再者，聚合性單體係與上述黏結劑不同之化合物。聚合性單體典型上為低分子化合物，較佳為分子量2000以下之低分子化合物，更佳為1500以下之低分子化合物，尤佳為分子量900以下之低分子化合物。再者，分子量通常為100以上。
聚合性基例如較佳為可加成聚合反應之官能基，作為可加成聚合反應之官能基，可舉出乙烯性不飽和鍵結基、胺基、環氧基等。又，聚合性基亦可為藉由 光照射能產生自由基之官能基，作為如此的聚合性基，例如可舉出硫醇基、鹵基等。其中，聚合性基較佳為乙烯性不飽和鍵結基。作為乙烯性不飽和鍵結基，較佳為苯乙烯基、(甲基)丙烯醯基、烯丙基。
作為具有聚合性基之反應性化合物，具體地 可舉出自由基聚合性化合物(B1)與離子聚合性化合物(B2)。
作為自由基聚合性化合物，可舉出碳數3~35 的(甲基)丙烯醯胺化合物(B11)、碳數4~35的(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)、碳數6~35的芳香族乙烯基化合物(B13)、碳數3~20的乙烯基醚化合物(B14)及其它的自由基聚合性化合物(B15)等。自由基聚合性化合物(B1)係可單獨使用1種，也可併用2種以上。
又，按照需要，亦可併用氫醌、甲基醚氫醌 類等之抗氧化劑。
作為碳數3~35的(甲基)丙烯醯胺化合物 (B11)，例如可舉出(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丙基(甲基)丙烯醯胺、N-正丁基(甲基)丙烯醯胺、N-第三丁基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺及(甲基)丙烯醯基啉。
作為碳數4~35的(甲基)丙烯酸酯化合物 (B12)，例如可舉出以下的單官能~六官能的(甲基)丙烯酸酯。
作為單官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出(甲基) 丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸第三辛酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸異十八酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸4-正丁基環己酯、(甲基)丙烯酸冰片酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯、2-乙基己基二甘醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-氯乙酯、(甲基)丙烯酸4-溴丁酯、(甲基)丙烯酸氰基乙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯、甲氧基丙烯單丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酯、(甲基)丙烯酸烷氧基甲酯、2-乙基己基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸烷氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,2-四氟乙酯、(甲基)丙烯酸1H,1H,2H,2H-全氟癸酯、(甲基)丙烯酸4-丁基苯酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸2,4,5-四甲基苯酯、(甲基)丙烯酸4-氯苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧基甲酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙氧基丁酯、(甲基)丙烯酸環氧丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙氧基丙酯、二乙二醇單乙烯基醚單丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸羥基烷酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、( 甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基丙酯、(甲基)丙烯酸二乙基胺基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯、(甲基)丙烯酸三甲基矽烷基丙酯、聚環氧乙烷單甲基醚(甲基)丙烯酸酯、寡聚環氧乙烷單甲基醚(甲基)丙烯酸酯、聚環氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、寡聚環氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、寡聚環氧乙烷單烷基醚(甲基)丙烯酸酯、聚環氧乙烷單烷基醚(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚環氧丙烷單烷基醚(甲基)丙烯酸酯、寡聚環氧丙烷單烷基醚(甲基)丙烯酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基六氫苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基-2-羥基丙基苯二甲酸酯、丁氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、EO改性酚(甲基)丙烯酸酯、EO改性甲酚(甲基)丙烯酸酯、EO改性壬基酚(甲基)丙烯酸酯、PO改性壬基酚(甲基)丙烯酸酯及EO改性-2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等。於上述及以下中，EO表示環氧乙烷，PO表示環氧丙烷。
作為二官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出1,4-丁烷 二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二丙烯酸酯、聚丙烯二丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊基二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,4-二甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁基乙基丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化環己烷甲醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚乙二醇 二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、EO改性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、雙酚F聚乙氧基二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-丁基-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬烷二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯及三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等。
作為三官能的(甲基)丙烯酸酯，可舉出三羥 甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷之環氧烷改性三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三((甲基)丙烯醯氧基丙基)醚、異三聚氰酸環氧烷改性三(甲基)丙烯酸酯、丙酸二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、羥基三甲基乙醛改性二羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯及乙氧基化甘油三丙烯酸酯等。
作為四官能的(甲基)丙烯酸酯，可舉出季戊 四醇四(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇四(甲基)丙烯酸酯貳三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、丙酸二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯及乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。
作為五官能的(甲基)丙烯酸酯，可舉出山梨糖醇五(甲基)丙烯酸酯及二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯。
作為六官能的(甲基)丙烯酸酯，可舉出二季 戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇六(甲基)丙烯酸酯、磷腈的環氧烷改性六(甲基)丙烯酸酯及己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
作為碳數6~35的芳香族乙烯基化合物(B13) ，可舉出乙烯基噻吩、乙烯基呋喃、乙烯基吡啶、苯乙烯、甲基苯乙烯、三甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、氯甲基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、氯苯乙烯、二氯苯乙烯、溴苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、3-乙基苯乙烯、4-乙基苯乙烯、3-丙基苯乙烯、4-丙基苯乙烯、3-丁基苯乙烯、4-丁基苯乙烯、3-己基苯乙烯、4-己基苯乙烯、3-辛基苯乙烯、4-辛基苯乙烯、3-(2-乙基己基)苯乙烯、4-(2-乙基己基)苯乙烯、烯丙基苯乙烯、異丙烯基苯乙烯、丁烯基苯乙烯、辛烯基苯乙烯、4-第三丁氧基羰基苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯及4-第三丁氧基苯乙烯等。
作為碳數3~35的乙烯基醚化合物(B14)，例 如可舉出以下的單官能或多官能乙烯基醚。
作為單官能乙烯基醚，例如可舉出甲基乙烯 基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、正壬基乙烯基醚、月桂基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、環己基甲基乙烯基醚、4-甲基環己基甲基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、二環戊烯基乙烯基醚、2-二環戊烯氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙基乙烯基醚、乙氧基乙基乙烯基醚、丁氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙氧基乙基乙烯基醚、乙氧基 乙氧基乙基乙烯基醚、甲氧基聚乙二醇乙烯基醚、四氫糠基乙烯基醚、2-羥基乙基乙烯基醚、2-羥基丙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、4-羥基甲基環己基甲基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚、聚乙二醇乙烯基醚、氯乙基乙烯基醚、氯丁基乙烯基醚、氯乙氧基乙基乙烯基醚、苯基乙基乙烯基醚及苯氧基聚乙二醇乙烯基醚。
作為多官能乙烯基醚，例如可舉出乙二醇二 乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、聚乙二醇二乙烯基醚、丙二醇二乙烯基醚、丁二醇二乙烯基醚、己二醇二乙烯基醚、雙酚A環氧烷二乙烯基醚、雙酚F環氧烷二乙烯基醚等之二乙烯基醚類；三羥甲基乙烷三乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、貳三羥甲基丙烷四乙烯基醚、甘油三乙烯基醚、季戊四醇四乙烯基醚、二季戊四醇五乙烯基醚、二季戊四醇六乙烯基醚、環氧乙烷加成三羥甲基丙烷三乙烯基醚、環氧丙烷加成三羥甲基丙烷三乙烯基醚、環氧乙烷加成貳三羥甲基丙烷四乙烯基醚、環氧丙烷加成貳三羥甲基丙烷四乙烯基醚、環氧乙烷加成季戊四醇四乙烯基醚、環氧丙烷加成季戊四醇四乙烯基醚、環氧乙烷加成二季戊四醇六乙烯基醚及環氧丙烷加成二季戊四醇六乙烯基醚。
作為其它的自由基聚合性化合物(B15)，可舉 出乙烯酯化合物(醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯及維沙酸乙烯酯等)、烯丙酯化合物(醋酸烯丙酯等)、含鹵素的單體(偏二氯乙烯及氯乙烯等)及烯烴化合物(乙烯及丙烯等)等。
於此等之內，從聚合速度之觀點來看，較佳 為(甲基)丙烯醯胺化合物(B11)及(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)，特佳為(甲基)丙烯酸酯化合物(B12)。
作為離子聚合性化合物(B2)，可舉出碳數3 ~20的環氧化合物(B21)及碳數4~20的氧雜環丁烷化合物(B22)等。
作為碳數3~20的環氧化合物(B21)，例如可 舉出以下的單官能或多官能環氧化合物。
作為單官能環氧化合物，例如可舉出苯基環 氧丙基醚、對第三丁基苯基環氧丙基醚、丁基環氧丙基醚、2-乙基己基環氧丙基醚、烯丙基環氧丙基醚、1,2-環氧丁烷、1,3-丁二烯單氧化物、1,2-環氧基十二烷、環氧氯丙烷、1,2-環氧基癸烷、氧化苯乙烯、氧化環己烯、3-甲基丙烯醯氧基甲基環己烯氧化物、3-丙烯醯氧基甲基環己烯氧化物及3-乙烯基環己烯氧化物。
作為多官能環氧化合物，例如可舉出雙酚A 二環氧丙基醚、雙酚F二環氧丙基醚、雙酚S二環氧丙基醚、溴化雙酚A二環氧丙基醚、溴化雙酚F二環氧丙基醚、溴化雙酚S二環氧丙基醚、環氧酚醛清漆樹脂、氫化雙酚A二環氧丙基醚、氫化雙酚F二環氧丙基醚、氫化雙酚S二環氧丙基醚、3,4-環氧基環己基甲基-3’,4’-環氧基環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧基環己基-5,5-螺-3,4-環氧基)環己烷-間二烷、雙(3,4-環氧基環己基甲基)己二酸酯、乙烯基環己烯氧化物、4-乙烯基環氧基環己烷、雙(3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)己二酸酯、3,4-環氧基-6-甲基環己基-3’,4’-環氧基-6’-甲基環己烷羧酸酯、亞甲基雙 (3,4-環氧基環己烷)、二環戊二烯二環氧化物、乙二醇二(3,4-環氧基環己基甲基)醚、伸乙基雙(3,4-環氧基環己烷羧酸酯)、環氧基六氫苯二甲酸二辛酯、環氧基六氫苯二甲酸二-2-乙基己酯、1,4-丁二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、聚乙二醇二環氧丙基醚、聚丙二醇二環氧丙基醚類、1,1,3-四癸二烯二氧化物、檸檬烯二氧化物、1,2,7,8-二環氧基辛烷及1,2,5,6-二環氧基環辛烷。
於此等的環氧化合物之中，從聚合速度優異 之觀點來看，較佳為芳香族環氧化物及脂環式環氧化物，特佳為脂環式環氧化物。
作為碳數4~20的氧雜環丁烷化合物(B22)，可舉出具有1個~6個氧雜環丁烷環的化合物等。
作為具有1個氧雜環丁烷環的化合物，例如可舉出3-乙基-3-羥基甲基氧雜環丁烷、3-(甲基)烯丙氧基甲基-3-乙基氧雜環丁烷、(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基苯、4-氟-[1-(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基]苯、4-甲氧基-[1-(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基]苯、[1-(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)乙基]苯基醚、異丁氧基甲基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、異冰片氧基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、異冰片基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、2-乙基己基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、乙基二乙二醇(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二環戊二烯(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二環戊烯氧基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二環戊烯基(3-乙基-3- 氧雜環丁基甲基)醚、四氫糠基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、四溴苯基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、2-四溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、三溴苯基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、2-三溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、2-羥基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、2-羥基丙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、丁氧基乙基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、五氯苯基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、五溴苯基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚及冰片基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚。
作為具有2~6個氧雜環丁烷環的化合物，例 如可舉出3,7-雙(3-氧雜環丁基)-5-氧雜-壬烷、3,3’-(1,3-(2-甲烯基)丙二基雙(氧亞甲基))雙-(3-乙基氧雜環丁烷)、1,4-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基]苯、1,2-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基]乙烷、1,3-雙[(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)甲基]丙烷、乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二環戊烯基雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、三乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、四乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、三環癸二基二亞甲基(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、三羥甲基丙烷參(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、1,4-雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)丁烷、1,6-雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲氧基)己烷、季戊四醇參(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、季戊四醇肆(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、聚乙二醇雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二季戊四醇陸(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、二季戊四醇伍(3-乙基-3-氧 雜環丁基甲基)醚、二季戊四醇肆(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、己內酯改性二季戊四醇陸(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、己內酯改性二季戊四醇伍(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、貳三羥甲基丙烷肆(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、EO改性雙酚A雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、PO改性雙酚A雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、EO改性氫化雙酚A雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚、PO改性氫化雙酚A雙(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚及EO改性雙酚F(3-乙基-3-氧雜環丁基甲基)醚。
作為市售品，可較佳地使用A-DCP(新中村化 學製，2官能丙烯酸酯)、A-BPE-4(新中村化學製，2官能丙烯酸酯)等。
聚合性單體之含量，從良好的接著強度與剝 離性之觀點來看，相對於前述接著性層之全部固體成分，較佳為5~75質量%，更佳為10~70質量%，尤佳為10~60質量%。
又，聚合性單體及黏結劑的含量比率(質量比 )較佳為90/10~10/90，更佳為20/80~80/20。
聚合性單體係可僅使用1種類，也可組合2種 類以上。
(溶劑)
溶劑只要是可形成接著性層，則可無限制地使用眾所周知者，可使用N-甲基-2-吡咯啶酮、2-丁酮、甲基戊基酮、檸檬烯、PGMEA(1-甲氧基-2-丙基乙酸酯)等，較佳為N-甲基-2-吡咯啶酮、2-丁酮、甲基戊基酮或檸檬烯 、PGMEA(丙二醇1-甲氧基-2-丙基乙酸酯)。
溶劑較佳為以接著性組成物的固體成分濃度成為5~40質量%之方式使用。
溶劑係可僅使用1種類，也可組合2種類以上。
(光聚合引發劑)
接著性組成物(進而接著性層)較佳為含有光聚合引發劑，即因活性光線或放射線之照射而產生自由基或酸之化合物。
藉由具有光聚合引發劑，對接著性層照射光而發生接著性組成物之因自由基或酸所造成的硬化，使光照射部的接著性降低。此照射若例如通過光罩對接著性層表面進行，則具有可按照光罩的圖案，簡便作成接著力不同的區域之優點。
作為因活性光線或放射線之照射而產生自由基或酸之化合物，例如可使用以下所述之已知作為聚合引發劑者。
作為前述聚合引發劑，只要是具有引發作為前述黏結劑的具有聚合性基之高分子化合物、或作為前述聚合性單體的具有聚合性基之反應性化合物中之聚合反應(交聯反應)的能力，則沒有特別的限制，可自眾所周知的聚合引發劑之中適宜選擇。例如，較佳為對於紫外線區域至可見的光線具有感光性者。又，亦可為與光激發的增感劑發生任何的作用，而生成活性自由基之活性劑，也可為對應於單體的種類，使產生酸而引發陽離子聚合之引發劑。
又，前述聚合引發劑較佳為含有至少1種的在 約300nm~800nm(較佳為330nm~500nm)之範圍內具有至少約50的分子吸光係數之化合物。
作為前述聚合引發劑，可無限制地使用眾所 周知的化合物，例如可舉出鹵化烴衍生物(例如，具有三骨架者、具有二唑骨架者、具有三鹵甲基者等)、醯基膦氧化物等之醯基膦化合物、六芳基雙咪唑、肟衍生物等之肟化合物、有機過氧化物、硫化合物、酮化合物、芳香族鎓鹽、酮肟醚、胺基苯乙酮化合物、羥基苯乙酮、偶氮系化合物、疊氮化合物、二茂金屬化合物、有機硼化合物、鐵芳烴錯合物等。
作為前述具有三骨架的鹵化烴化合物，例 如可舉出若林等人著的Bull.Chem.Soc.Japan,42,2924(1969)記載之化合物、英國專利1388492號說明書記載之化合物、日本特開昭53-133428號公報記載之化合物、德國專利3337024號說明書記載之化合物、F.C.Schaefer等之J.Org.Chem.；29,1527(1964)記載之化合物、日本特開昭62-58241號公報記載之化合物、日本特開平5-281728號公報記載之化合物、日本特開平5-34920號公報記載化合物、美國發明專利第4212976號說明書中記載之化合物等。
作為前述美國發明專利第4212976號說明書 中記載之化合物，例如可舉出具有二唑骨架的化合物(例如，2-三氯甲基-5-苯基-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯基)-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基 )-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(2-萘基)-1,3,4-二唑、2-三溴甲基-5-苯基-1,3,4-二唑、2-三溴甲基-5-(2-萘基)-1,3,4-二唑；2-三氯甲基-5-苯乙烯基-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(4-氯苯乙烯基)-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(1-萘基)-1,3,4-二唑、2-三氯甲基-5-(4-正丁氧基苯乙烯基)-1,3,4-二唑、2-三溴甲基-5-苯乙烯基-1,3,4-二唑等)等。
又，作為上述以外之聚合引發劑，可舉出吖 啶衍生物(例如，9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9’-吖啶基)庚烷等)、N-苯基甘胺酸等、多鹵素化合物(例如，四溴化碳、苯基三溴甲基碸、苯基三氯甲基酮等)、香豆素類(例如，3-(2-苯并呋喃醯基)-7-二乙基胺基香豆素、3-(2-苯并呋喃甲醯基)-7-(1-吡咯啶基)香豆素、3-苯甲醯基-7-二乙基胺基香豆素、3-(2-甲氧基苯甲醯基)-7-二乙基胺基香豆素、3-(4-二甲基胺基苯甲醯基)-7-二乙基胺基香豆素、3,3’-羰基雙(5,7-二-正丙氧基香豆素)、3,3’-羰基雙(7-二乙基胺基香豆素)、3-苯甲醯基-7-甲氧基香豆素、3-(2-呋喃甲醯基)-7-二乙基胺基香豆素、3-(4-二乙基胺基桂皮醯基)-7-二乙基胺基香豆素、7-甲氧基-3-(3-吡啶基羰基)香豆素、3-苯甲醯基-5,7-二丙氧基香豆素、7-苯并三唑-2-基香豆素，以及日本特開平5-19475號公報、日本特開平7-271028號公報、日本特開2002-363206號公報、日本特開2002-363207號公報、日本特開2002-363208號公報、日本特開2002-363209號公報等中記載之香豆素 化合物等)、醯基膦氧化物類(例如，雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基苯基膦氧化物，Lucirin TPO等)、二茂金屬類(例如，雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦、η5-環戊二烯基-η6-異丙苯基-鐵(1+)-六氟磷酸鹽(1-)等)、日本特開昭53-133428號公報、日本特公昭57-1819號公報、同57-6096號公報、及美國發明專利第3615455號說明書中記載之化合物等。
作為前述酮化合物，例如可舉出二苯基酮、 2-甲基二苯基酮、3-甲基二苯基酮、4-甲基二苯基酮、4-甲氧基二苯基酮、2-氯二苯基酮、4-氯二苯基酮、4-溴二苯基酮、2-羧基二苯基酮、2-乙氧基羰基二苯基酮、二苯基酮四羧酸或其四甲酯、4,4’-雙(二烷基胺基)二苯基酮類(例如，4,4’-雙(二甲基胺基)二苯基酮、4,4’-雙二環己基胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二乙基胺基)二苯基酮、4,4’-雙(二羥基乙基胺基)二苯基酮、4-甲氧基-4’-二甲基胺基二苯基酮、4,4’-二甲氧基二苯基酮、4-二甲基胺基二苯基酮、4-二甲基胺基苯乙酮、苯偶醯、蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-甲基蒽醌、菲醌、呫噸酮、噻噸酮、2-氯-噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、茀酮、2-苄基-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)-1-丁酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基-1-丙酮、2-羥基-2-甲基-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙醇寡聚物、苯偶姻、苯偶姻醚類(例如，苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻苯基醚、苄基二甲基縮酮)、吖啶酮、氯吖啶酮 、N-甲基吖啶酮、N-丁基吖啶酮、N-丁基-氯吖啶酮等。
作為光聚合引發劑，亦可採用羥基苯乙酮化 合物、胺基苯乙酮化合物及醯基膦化合物。更具體地，例如亦可使用日本特開平10-291969號公報中記載之胺基苯乙酮系引發劑、日本發明專利第4225898號公報中記載之醯基膦氧化物系引發劑。
作為羥基苯乙酮系引發劑，可使用 IRGACURE-184、DAROCUR-1173、IRGACURE-500、IRGACURE-2959、IRGACURE-127(商品名：皆BASF公司製)。作為胺基苯乙酮系引發劑，可使用市售品之IRGACURE-907、IRGACURE-369及IRGACURE-379(商品名：皆BASF公司製)。作為胺基苯乙酮系引發劑，亦可使用吸收波長匹配365nm或405nm等之長波光源的日本特開2009-191179號公報中記載之化合物。又，作為醯基膦系引發劑，可使用市售品之IRGACURE-819或DAROCUR-TPO(商品名：皆BASF公司製)。
作為光聚合引發劑，更佳可舉出肟系化合物 。作為肟系引發劑之具體例，可使用日本特開2001-233842號記載之化合物、日本特開2000-80068號記載之化合物、日本特開2006-342166號記載之化合物。
作為在本發明中適用作為光聚合引發劑的肟 衍生物等之肟化合物，例如可舉出3-苯甲醯氧基亞胺基丁-2-酮、3-乙醯氧基亞胺基丁-2-酮、3-丙醯氧基亞胺基丁-2-酮、2-乙醯氧基亞胺基戊-3-酮、2-乙醯氧基亞胺基-1-苯基丙-1-酮、2-苯甲醯氧基亞胺基-1-苯基丙-1-酮、 3-(4-甲苯磺醯氧基)亞胺基丁-2-酮、及2-乙氧基羰氧基亞胺基-1-苯基丙-1-酮等。
作為肟酯化合物，可舉出J.C.S.Perkin II (1979年)pp.1653-1660)、J.C.S.Perkin II(1979年)pp.156-162、Journal of Photopolymer Science and Technology(1995年)pp.202-232、日本特開2000-66385號公報記載之化合物、日本特開2000-80068號公報、日本特表2004-534797號公報、日本特開2006-342166號公報之各公報中記載之化合物等。
市售品中，IRGACURE-OXE01(BASF公司製)、IRGACURE-OXE02(BASF公司製)亦適用。
又，作為上述記載以外之肟酯化合物，亦可使用在咔唑N位連結有肟之日本特表2009-519904號公報中記載之化合物、在二苯基酮部位導入有雜取代基之美國發明專利7626957號公報中記載之化合物、在色素部位導入有硝基之日本特開2010-15025號公報及美國發明專利公開2009-292039號記載之化合物、國際公開發明專利2009-131189號公報中記載之酮肟系化合物、在同一分子內含有三骨架與肟骨架之美國發明專利7556910號公報中記載之化合物、在405nm具有極大吸收且對於g線光源具有良好感度之日本特開2009-221114號公報記載之化合物等。
較佳更對於日本特開2007-231000號公報及日本特開2007-322744號公報中記載之環狀肟化合物亦可適用。於環狀肟化合物之中，尤其日本特開2010-32985 號公報、日本特開2010-185072號公報中記載的在咔唑色素進行縮環之環狀肟化合物，從具有高的光吸收性且高感度化之觀點來看為佳。
又，在肟化合物的特定部位具有不飽和鍵之 日本特開2009-242469號公報中記載之化合物，係可由聚合不活性自由基來再生活性自由基而達成高感度化，可合適地使用。
最佳可舉出日本特開2007-269779號公報中 所示之具有特定取代基的肟化合物，或日本特開2009-191061號公報中所示之具有硫芳基的肟化合物。
化合物之莫耳吸光係數係可使用眾所周知之 方法，具體地例如較佳為藉由紫外可見分光光度計(Varian公司製Carry-5 spctrophotometer)，使用醋酸乙酯溶劑，以0.01g/L之濃度進行測定。
本發明中使用之光聚合引發劑亦可按照需要 組合2種以上而使用。
作為因活性光線或放射線之照射而產生自由 基或酸之化合物，從曝光感度之觀點來看，較佳為由三鹵甲基三化合物、苄基二甲基縮酮化合物、α-羥基酮化合物、α-胺基酮化合物、醯基膦化合物、氧化膦化合物、二茂金屬化合物、肟化合物、三烯丙基咪唑二聚物、鎓化合物、苯并噻唑化合物、二苯基酮化合物、苯乙酮化合物及其衍生物、環戊二烯-苯-鐵錯合物及其鹽、鹵甲基二唑化合物、3-芳基取代香豆素化合物所組成之群組中選出的化合物。
更佳為三鹵甲基三化合物、α-胺基酮化合 物、醯基膦化合物、氧化膦化合物、肟化合物、三芳基咪唑二聚物、鎓化合物、二苯基酮化合物、苯乙酮化合物，最佳為由三鹵甲基三化合物、α-胺基酮化合物、肟化合物、三芳基咪唑二聚物、二苯基酮化合物所組成之群組中選出的至少一種化合物，最好使用肟化合物。
又，作為因活性光線或放射線之照射而產生 酸之化合物，其中較佳為產生pKa是4以下的酸之化合物，更佳為產生pKa是3以下的酸之化合物。
作為產生酸之化合物之例，可舉出三氯甲基 -s-三類、鋶鹽或碘鎓鹽、四級銨鹽顆、重氮甲烷化合物、亞胺基磺酸酯化合物、及肟磺酸酯化合物等。於此等之中，從高感度之觀點來看，較佳為使用肟磺酸酯化合物。此等酸產生劑係可為單獨1種或組合2種類以上使用。
作為酸產生劑，具體地可舉出日本特開 2012-8223號公報之段落編號[0073]~[0095]記載的酸產生劑。
本發明之因活性光線或放射線之照射而產生 自由基或酸之化合物的含量(2種以上時為總含量)，係相對於接著性層的全部固體成分，較佳為0.1質量%以上50質量%以下，更佳為0.1質量%以上30質量%以下，尤佳為0.1質量%以上20質量%以下。
(熱聚合引發劑)
本發明之接著性組成物(進而接著性層)亦較佳為含 有熱聚合引發劑，即因熱而產生自由基或酸之化合物。
特別地，作為前述黏結劑，為具有聚合性基 的高分子化合物或含有前述聚合性單體時，較佳含有熱聚合引發劑。
由於熱聚合引發劑存在，在接合接著性層與 剝離層後，藉由加熱至熱聚合引發劑的分解溫度以上，使接著性層硬化，具有進行耐熱性‧耐藥品性更高的接著之優點。
[因熱而產生自由基之化合物]
作為因熱而產生自由基之化合物(以下亦僅稱熱自由基產生劑)，可使用眾所周知的熱自由基產生劑。
熱自由基產生劑係因熱的能量而產生自由基 ，具有聚合性基之高分子化合物，及使聚合性單體的聚合反應開始或促進之化合物。藉由添加熱自由基產生劑，於對於使用接著性組成物所形成的接著性層照射熱後，進行被處理構件與接著性支持體之暫時接著之情況中，藉由因熱而具有交聯性基的反應性化合物中之交聯反應進行，如後所詳述地，可使接著性層的接著性(即黏著性及膠黏性)預先降低。
另一方面，於進行被處理構件與接著性支持 體之暫時接著後，在對於接著性支持體中的接著性層照射熱後之情況中，藉由因熱而具有交聯性基的反應性化合物中之交聯反應進行，接著性層變更強韌，可抑制在施予被處理構件的機械或化學處理時等所容易發生的接著性層之內聚破壞，即可提高接著性層之接著性。
作為較佳的熱自由基產生劑，可舉出因上述 活性光線或放射線之照射而產生酸或自由基之化合物，較佳可使用熱分解點為130℃~250℃，較宜150℃~220℃之範圍的化合物。
作為熱自由基產生劑，可舉出芳香族酮類、 鎓鹽化合物、有機過氧化物、硫化合物、六芳基雙咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸酯化合物、吖鎓(azinium)化合物、二茂金屬化合物、活性酯化合物、具有碳鹵素鍵結的化合物、偶氮系化合物等。其中，較佳為芳香族酮類、有機過氧化物或偶氮系化合物，特佳為芳香族酮類、有機過氧化物。
具體地，可舉出日本特開2008-63554號公報之段落0074~0118中記載的化合物。
作為市售品，可舉出Perbutyl Z(日油(股)製，第三丁基過氧苯甲酸酯)等。
熱自由基產生劑係可僅使用1種，也可組合2種類以上。
[因熱而產生酸之化合物]
作為因熱而產生酸之化合物(以下亦僅稱熱酸產生劑)，可使用眾所周知的熱酸產生劑。
熱酸產生劑可舉出較佳熱分解點為130℃~250℃，更佳150℃~220℃之範圍的化合物。
作為熱酸產生劑，例如是因加熱而產生磺酸、羧酸、二磺醯基醯亞胺等之低親核性的酸之化合物。
作為自熱酸產生劑所發生的酸，較佳為pKa 是2以下的強之磺酸或經親電子基取代之烷基或芳基羧酸、經相同親電子基取代之二磺醯基醯亞胺等。作為親電子基，可舉出氟原子等的鹵素原子、三氟甲基等之鹵烷基、硝基、氰基。
作為熱酸產生劑，可採用上述(D)因活性光線 或放射線之照射而產生酸之光酸產生劑。例如，可舉出鋶鹽或碘鎓鹽等之鎓鹽、N-羥基醯亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯、鄰硝基苄基磺酸酯等。
又，於本發明中，亦較佳為使用不因活性光 線或放射線之照射而實質產生酸，但因熱而產生酸之磺酸酯。
不因活性光線或放射線之照射而實質產生酸 者，係可藉由化合物之曝光前後的紅外線吸收(IR)光譜、核磁共振(NMR)光譜測定，以在光譜中無變化者來判定。
磺酸酯之分子量較佳為230~1,000，更佳為 230~800。
本發明所可使用之磺酸酯係可用市售者，也 可用眾所周知的方法所合成者。磺酸酯例如可藉由在鹼性條件下，使磺醯氯或磺酸酐與對應的多元醇反應而合成。
熱酸產生劑係可使用單獨1種，也可併用2種 以上。
本發明之接著性組成物中的熱聚合引發劑之 含量，從於進行被處理構件與接著性支持體的暫時接著 之前進行熱照射時的接著性層之接著性的減低，及於被處理構件與接著性支持體的暫時接著後進行熱照射時的接著性層之接著性的提高之觀點來看，相對於接著性組成物的全部固體成分，較佳為0.01~50質量%，更佳為0.1~20質量%，最佳為0.5~10質量%。
<其它成分>
接著性組成物(進而接著性層)係除了上述成分，在不損害本發明的效果之範圍內，按照目的還可更含有各種的化合物。例如，較佳可使用增感色素、鏈轉移劑、抗氧化劑、可塑劑、界面活性劑。
作為接著性組成物(進而接著性層)所可具有 的界面活性劑、可塑劑及抗氧化劑之具體例及較佳例，係與前述剝離層組成物所可具有的界面活性劑、可塑劑及抗氧化劑同樣。
又，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，接著 性組成物係可摻合含有接著促進劑、賦黏劑，例如可採用日本特表2010-506406號公報(對應國際公開WO2008/045669號小冊)之段落編號0026、0027中記載者，此等之內容係併入本案說明書中。
本發明中，較佳為具有黏結劑、聚合性單體、與光聚合引發劑及熱聚合引發劑。
半導體裝置之製造方法：其次，說明使用以上說明的本發明之半導體裝置製造用暫時接合層的接著性支持體及半導體裝置之製造方法(以下亦稱為「本發明中的半導體裝置之製造方法」)。
本發明中的半導體裝置之製造方法，係具有 進行加熱處理之步驟。進行加熱處理之步驟，只要是在半導體裝置之製程中進行加熱之步驟，則沒有特別的限定，但例如較佳為對於經由接著支持體所支持的薄型化矽基板進行加熱之步驟，更佳為在矽貫通電極之形成時進行加熱處理之步驟。
本發明中的半導體裝置之製造方法所具有的 進行加熱處理之步驟，係進行在130℃~370℃之範圍中具有最高到達溫度的加熱處理之步驟，較佳為進行在180℃~350℃之範圍內具有最高到達溫度的加熱處理之步驟。
以下，更詳細說明本發明之半導體製造方法。
第1圖A、第1圖B及第1圖C各自係說明接著性支持體與裝置晶圓的暫時接著之示意截面圖、顯示經由接著性支持體所暫時接著的裝置晶圓之示意截面圖、及顯示經由接著性支持體所暫時接著的裝置晶圓經薄型化之狀態之示意截面圖。
於本發明的實施形態中，如第1圖A所示，首先準備在載體基板12之上設置接著性層11而成之接著性支持體100。
載體基板12之材料係沒有特別的限定，例如可舉出矽基板、玻璃基板、金屬基板等，若鑒於不易污染作為半導體裝置之基板所代表地使用之矽基板之點，或可使用半導體裝置之製程中所泛用的靜電吸盤之點等 ，則較佳為矽基板。
載體基板12之厚度例如為300μm~5mm之範 圍內，但沒有特別的限定。
第2圖係本發明之實施形態中的接著性支持 體之示意俯視圖。
如第2圖所示，於本發明之實施形態中，接著 性支持體中的接著性層11係形成有作為網點區域之高接著性區域11A與包圍網點區域的作為周邊區域之低接著性區域11B。而且於此，低接著性區域11B與高接著性區域11A係遍及接著性層11之全面，形成以大致同等的間隔所配置的網點圖樣。
高接著性區域11A與低接著性區域11B，係藉 由對因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之接著性層，進行網點圖像用的圖案曝光之方法而形成。
網點圖像用的圖案曝光，較佳為以接著性層 中的網點圖樣之網點區域作為高接著性區域，以包圍網點區域的周邊區域作為低接著性區域，進行曝光。
網點區域的面積較佳為0.0001~9mm2，更佳 為0.1~4mm2，最佳為0.01~2.25mm2。
網點圖像用的圖案曝光係可為遮罩曝光，也 可為描繪曝光，但較佳為通過透光區域與遮光區域形成網點圖樣之光罩的遮罩曝光，此時遮光區域的面積率(即接著面的網點存在率)，從接著性及易剝離性之觀點來看，較佳為遮罩內的1~20%，更佳為1~10%，最佳為1~5%。
又，光罩之對應於上述網點圖樣中之網點的 遮光區域之形態(大小、形狀等)係可自由地選擇，例如可為以任意的尺寸具有圓形、正方形、長方形、稜形、三角形、星型、或此等以2種以上組合之形狀之遮光區域。
此處，本說明書中所謂的「低接著性區域」 ，就是意指與「高接著性區域」比較下，具有低接著性 之區域，包含沒有接著性之區域(即「非接著性區域」)。同樣地，所謂的「高接著性區域」，就是意指與「低接著性區域」比較下，具有高接著性之區域。
接著性層11係可藉由將本發明之接著性層組 成物，使用習知的旋塗法、噴霧法、輥塗法、流塗法、刮刀塗布法、浸漬法等，以層狀應用(較佳為塗布)於載體基板12上，其次乾燥而形成。
本發明之接著性層的表面係具有接著力不同 2種類以上之區域。
此處所言的接著力，就是意指使矽晶圓接著 於各區域之表面，在與接著面呈垂直方向中以250mm/分鐘進行拉伸試驗之際的接著力。
接著性層11之厚度例如為1~500μm之範圍 內，但沒有特別的限定。
其次，詳細說明如以上所得之接著性支撐體 與裝置晶圓之暫時接著、裝置晶圓之薄型化、及自接著性支撐體的裝置晶圓之脫離。
如第1圖A所示，裝置晶圓60(被處理構件)係 在矽基板61的表面61a上設置複數的裝置晶片62而成。而且，更在裝置晶圓60的裝置晶片62側之面上，設置剝離層71。於此，剝離層71的軟化點為170℃以上。
此處，矽基板61之厚度例如為200~1200μm 之範圍內。
然後，對於接著性支持體100之接著性層11 ，按壓剝離層71之表面71。藉此，如第1圖B所示，剝離 層71之表面與接著性層11係接著，形成具有剝離層71與接著性層11之暫時接合用層80。
此後，按照需要，亦可將接著性支持體100 與裝置晶圓60之接著體予以加熱(照射熱)，而使接著性層更強韌。藉此，由於可抑制在施予裝置晶圓60的後述之機械或化學處理時等所容易發生的接著性層之內聚破壞，可提高接著性支持體100之接著性。特別地，從可促進因熱而具有交聯性基的反應性化合物中之交聯反應之觀點來看，接著性層較佳為含有熱聚合引發劑。
加熱溫度較佳為50℃~350℃。
其次，對於矽基板61之背面61b，藉由施予機 械或化學處理，具體地滑動或化學機械研磨(CMP)等之薄膜化處理，如第1圖C所示，將矽基板61之厚度減薄(例如成為厚度1~200μm)，得到薄型裝置晶圓60’。
又，作為機械或化學處理，於薄膜化處理之 後，形成自薄型裝置晶圓60’的背面61b’貫通矽基板之貫通孔(未圖示)，進行在此貫通孔內形成矽貫通電極(未圖示)之處理。於形成矽貫通電極之處理中，進行具有比剝 離層的軟化點還低的最高溫度之加熱處理之步驟。具體地，加熱處理中的最高到達溫度為130℃~370℃之範圍內，較佳為180℃~350℃之範圍內。加熱處理中的最高到達溫度係比剝離層的軟化點還低之溫度。加熱處理較佳為在最高到達溫度加熱30秒~30分鐘，更佳為在最高到達溫度加熱1分鐘~10分鐘。
其次，自接著性支持體100之接著性層11脫離 薄型裝置晶圓60’之表面61a。
脫離之方法係沒有特別的限定，但較佳為藉 由使薄型裝置晶圓60’對於接著性支持體100滑動，或自接著性支持體100剝離薄型裝置晶圓60’而進行。藉由上述方法，可容易地解除接著性層11與薄型裝置晶圓60’之表面61a的暫時接著。
自接著性支持體100脫離薄型裝置晶圓60’後 ，按照需要，對於薄型裝置晶圓60’施予各種之眾所周知的處理，而製造具有薄型裝置晶圓60’的半導體裝置。
於本發明中，暫時接著之方法只要是以具有 剝離層與接著性層的暫時接合層介於之間存在之方式，接著裝置晶圓與載體基板，則沒有限定，可預先作成在接著性層上設置剝離層而成之暫時接合層，對於此暫時接合層中的接著性層及剝離層，各自與載體基板及裝置晶圓接合。
又，本發明亦關於積層體，其具有載體基板 等之支持體、裝置晶圓等之被處理構件、與設置於前述支持體與前述被處理構件之間的暫時接合層。
其次，說明以往的實施形態。
第13圖係說明以往的接著性支持體與裝置晶 圓之暫時接著狀態的解除之示意截面圖。
於以往的實施形態中，如第13圖所示，作為 接著性支持體，使用在載體基板12之上設置由以往的暫時接著劑所形成的接著性層11’而成之接著性支持體100’，其以外係與參照第1圖A及第1圖B的說明次序同樣地，將接著性支持體100’與裝置晶圓予以暫時接著，進行裝置晶圓中的矽基板之薄膜化處理，其次自接著性支持體100’剝離具有矽基板61的薄型裝置晶圓60’。
然而，藉由以往的暫時接著劑係在以下者有 困難：可確實且容易地暫時支持被處理構件，同時不對處理過構件造成損傷，容易解除對於處理過構件的暫時支持。例如，為了使裝置晶圓與載體基板之暫時接著成為充分，於以往的暫時接著劑之內，若採用接著性高者，則裝置晶圓與載體基板之暫時接著有過強之傾向。因此，為了解除此過強的暫時接著，例如像第13圖所示，在薄型裝置晶圓60’之背面61b’上黏貼膠帶(例如，切割膠帶)70，自接著性支持體12剝離薄型裝置晶圓60’時，容易發生凸塊63自設有凸塊63的裝置晶片62脫離等之使裝置晶片62破損之不良狀況。
另一方面，於以往的暫時接著劑之內，若採 用接著性低者，則裝置晶圓與載體基板之暫時接著係過弱，容易發生以載體基板無法確實地支持裝置晶圓之不良狀況。
然而，由本發明之接著性組成物所形成之接 著性層，係展現充分的接著性，同時裝置晶圓60與接著性支持體100之暫時接著，係由於接著性層11具有高接著區域與低接著區域，而可容易地解除。即，藉由本發明之暫時接合層中的剝離層，可確實且容易地暫時支持裝置晶圓60，同時不對薄型裝置晶圓60’造成損傷，可容易地解除對於薄型裝置晶圓60’之暫時支持。
本發明之半導體裝置之製造方法係不限定於 前述之實施形態，而可適宜地變形、改良等。
接著性層中的網點圖樣之形態係沒有特別的 限定，例如可如第3圖的示意俯視圖中所示，具有高接著性區域21A與低接著性區域21B，同時以形成高接著區域21A自中心朝向外邊延伸的放射線圖樣之方式，形成網點圖樣之接著性層21。
又，可如第4、5、6圖之示意俯視圖，各自具 有高接著性區域22A、23A、24A與低接著性區域22B、23B、24B，同時高接著性層22A、23A、24A的面積率係比接著性層21中的高接著性區域21A(參照第3圖)之面積率低，以形成自中心朝向外邊延伸的放射線圖樣之方式，形成接著性層22、23、24。
再者，網點圖樣中的高接著性區域之大小係 沒有特別的限定，可為第7、8、9、10、11、12圖中所示之具有高接著性區域25A、26A、27A、28A、29A、30A與低接著性區域25B、26B、27B、28B、29B、30B，同時自接著性層11中的高接著性區域11A(參照第2圖)變更 高接著區域25A、26A、27A、28A、29A、30A之大小的接著性層25、26、27、28、29、30。
於前述實施形態中，由本發明的接著性組成 物所形成之接著性層，係在裝置晶圓的暫時接著之前，藉由設置在載體基板之上而構成接著性支持體，但亦可首先藉由設置在剝離層之上而形成暫時接合層，此時暫時接合層中的接著性層及剝離層係各自接著於載體基板及裝置晶圓。
例如，使用於圖案曝光的遮罩係可為二元遮罩，也可為半色調遮罩。
又，曝光係隔著遮罩之遮罩曝光，但亦可為使用電子線等的描繪所造成的選擇曝光。
另外，於前述實施形態中，在隔著前述暫時接合層接著被處理構件的第1面與前述基板之步驟之前，較佳為更具有對於前述暫時接合層的接著性層，照射活性光線或放射線或熱之步驟。
還有，於前述實施形態中，接著性層係單層構造，但接著性層亦可為多層構造。作為形成多層構造的接著性層之方法，可舉出在照射活性光線或放射線之前，用前述習知的方法階段地塗布接著性組成物之方法，或於照射活性光線或放射線後，用前述習知的方法塗布接著性組成物之方法等。於接著性層為多層構造的形態中，例如當接著性層為因活性光線或放射線或熱之照射而接著性減少之接著性層時，藉由活性光線或放射線或熱之照射，使各層間的接著性減少，亦可減少接著性 層全體的接著性。
又，於前述實施形態中，作為經由接著性支 持體所支持的被處理構件，舉出矽基板，但不受此所限定，可為在半導體裝置之製造方法中，能供機械或化學處理之任何的被處理構件。
例如，作為被處理構件，可舉出化合物半導 體基板，作為化合物半導體基板之具體例，可舉出SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板及GaN基板等。
再者，於前述實施形態中，作為對於經由接 著性支持體所支持的矽基板之機械或化學處理，可舉出矽基板之薄膜化處理及矽貫通電極之形成處理，但不受此等所限定，亦可舉出在半導體裝置之製造方法中必要的任何處理。
另外，於前述實施形態所例示的遮罩中之透 光區域及遮光區域、接著性層中之高接著性區域及低接著性區域、以及裝置晶圓中之裝置晶片的形狀、尺寸、數目、配置地方等，只要是可達成本發明者，則可為任意而不限定。
[實施例]
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，惟本發明只要不超越其主旨，則不受以下的實施例所限定。再者，只要沒有特別預先指明，則「份」、「%」係以質量基準。
<接著性支持體之形成>
藉由旋塗機(Mikasa製Opticoat MS-A100，1200rpm，30秒)，於4吋Si晶圓上塗布下述表1記載所示組成之各液狀接著性組成物後，於表1記載之烘烤條件下烘烤，形成設有厚度10μm的接著性層之晶圓1(即接著性支持體)。再者，自晶圓1的接著性層之側，使用UV曝光裝置(濱松Photonics製LC8)，透光區域與遮光區域形成網點圖樣，同時網點圖樣中的網點區域係透過被視為遮光區域的光罩，以網點圖像用的2000mJ/cm2將接著性層予以曝光。曝光係對於各實施例，如下述表3中所示地，藉由變更光罩的網點區域(遮光區域)之形狀而實施(表3中，亦顯示各光罩中的透過區域之面積率)。另外，接著性層之表面上的網點區域(高接著性區域)所形成的圖樣係以第2圖為準之圖樣。
表1、表2中記載之化合物係如以下。
S1：甲基戊基酮
S2：PGMEA(丙二醇1-單甲基醚2-乙酸酯)
S3：檸檬烯
S4：1-十二烯
[黏結劑]
樹脂(1)：Estyrene MS200NT(新日鐵化學製MS樹脂)
樹脂(2)：Zeonex 480R(日本ZEON製環烯烴樹脂)
樹脂(3)：Buna EP T6250(LANXESS製乙烯-丙烯三元聚合物橡膠)
樹脂(4)：Eastotac H142w(EASTMAN化學製烴樹脂)
[光聚合引發劑]
光聚合引發劑(1)：KAYACURE DETX-S(日本化藥公司製，2,4-二甲基噻噸酮)
[熱聚合引發劑]
熱聚合引發劑(1)：Perbutyl Z(日油(股)製，第三丁基過氧苯甲酸酯)
<被處理構件之製作>
於表面上以200μm間隔形成有高度10μm、直徑50μm的Cu電極之4吋Si晶圓的電極存在側，藉由旋塗機(Mikasa製Opticoat MS-A100，1200rpm，30秒)，塗布下述表2記載所示組成之各液狀剝離層組成物後，於表2記載之條件下烘烤，形成設有厚度20μm的剝離層之晶圓2(即被處理構件)。再者，烘烤係分2階段進行。具體地第1次的烘烤係以表2之上段中記載的溫度及時間進行，第2 次的烘烤係以表2之下段中記載的溫度及時間進行。
軟化點係藉由黏彈性測定裝置Rheosol-G1000(UBM公司製)測定。具體地，剝離層的軟化點係作為在一定升溫條件下使用黏彈性測定裝置所測定之損失正切(tanδ)成為極大的溫度而測定。於實施例中，使用黏彈性測定裝置Rheosol-G5000，升溫速度為5℃/分鐘，將剝離層之溫度升溫至25℃~500℃為止，對於剝離層以1Hz的週期給予應變角0.05度的應變而測定。
樹脂(1)：Durimide 10(富士FILM製，聚醯亞胺樹脂)
樹脂(2)：Ultrason E6020(BASF公司製，聚醚碸樹脂)
樹脂(3)：MRS0810H(佐藤LIGHT工業製，聚苯并咪唑樹脂)
樹脂(4)：乙酸纖維素(ALDRICH製，分子量7萬)
樹脂(5)：Clearon P-135(YASUHARA CHEMICAL(股)製，烴樹脂)
樹脂(6)：TOPAS 5013(POLYPLASTICS(股)製，烴樹脂)
樹脂(7)：PCZ-300(三菱GAS化學(股)製，聚碳酸酯樹脂)
樹脂(8)：APEC9379(BAYER(股)製，聚碳酸酯樹脂)
TOTM：可塑劑，芳香族多元羧酸酯(大八化學公司製)
DIDA：可塑劑，脂肪酸酯(大八化學公司製)
各抗氧化劑在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少1質量%的溫度係如以下。
Irganox 1330(BASF公司製)：300℃
Irganox 1010(BASF公司製)：290℃
Irganox 1726(BASF公司製)：255℃
SUMILIZER TPM(住友化學製)：200℃
將使用樹脂溶液9~12形成有剝離層的晶圓2，於下述表中記載之溫度下加熱30分鐘後，浸漬於茴香醚中，測定自晶圓2都去除剝離層為止之時間。下述表中顯示結果。
<接著性試驗片之作成>
以下述表中記載之組合，熱壓黏晶圓1與晶圓2而製作試驗片。
[壓黏]
將於表面上毫無塗布的4吋Si晶圓或附剝離層的4吋Si晶圓(以下當作晶圓2)予以分割，成為20mm×30mm之樣品片。重疊經同樣地分割之20mm×30mm的晶圓1之樣品片，使其接著性層對於表面上毫無塗布的晶圓或晶圓2之剝離層以20mm×20mm之正方形接觸，在25℃以20N/cm2加壓接著5分鐘。
[烘烤]
加壓接著後，於下述表記載之溫度下加熱。
<積層體試驗片之接著力測定>
使用拉伸試驗機(IMADA製)，於250mm/分鐘之條件下，在沿著接著性層之面的方向中拉伸測定所製作的試驗片之剪切接著力。下述表中顯示結果。
<積層體試驗片之剝離力‧耐熱剝離力測定>
於250mm/分鐘之條件下，在與接著性層之面呈垂直的方向中拉伸測定(剝離力之測定)所製作的樣品片。又，於下述表記載之溫度下加熱所作成的樣品30分鐘後， 於250mm/分鐘之條件下，在與接著性層之面呈垂直的方向中拉伸測定(假想處於製程的最高到達溫度下，耐熱剝離力之測定)。下述表中顯示結果。
<積層體試驗片之接合層去除性評價(實施例7~11)>
剝離所製作的樣品片後，將晶圓2浸漬於茴香醚中，測定自晶圓2都去除接著性層‧剝離層為止之時間。
<積層體試驗片之龜裂性評價(實施例12~14)>
剝離所製作的樣品片後，目視觀察晶圓2之剝離層表面。若龜裂係在剝離層上全體地發生則評價為1點，若部分地發生則評價為2點，若完全沒有發生則評價為3點。
如以上，不具有剝離層的比較例1雖然得到接 著性但剝離性不充分，不具有接著性層的比較例2係接著性不充分，具有剝離層與接著性層但在接著性層的表面上不具有接著性不同的2種類以上之區域之比較例3，雖然得到接著性但剝離性不充分。相對於其，於實施例1~4中，可知在本發明的暫時接合層中，由於剝離層的軟化點為170℃以上，接著性層係將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成之層，而即使 經過高溫(更具體地為130℃~370℃)的製程，也可使接著性與剝離性並存。
換言之，可知於實施在高溫範圍(具體地為130℃~370℃)具有最高到達溫度的製程時，採用具有比所適用的最高到達溫度高之軟化點的剝離層之實施例1~4，係可使接著性與剝離性並存。
又，可知比較例4雖然改善剝離性，但由於剝離層的軟化點係比加熱處理中的最高到達溫度之150℃還低(具體地為100℃)，加熱程序後的剝離性係變差，耐熱剝離力係不足。
又，如實施例10、11，可知藉由在剝離層中添加抗氧化劑，而更有效果地抑制因加熱所造成的剝離層之氧化，更有效果地發揮剝離液所造成的剝離層去除性之升高與剝離液之因凝膠狀物所造成的污染之抑制。
另外，如實施例13、14，可知藉由在剝離層中添加可塑劑，而可有效果地抑制因剝離時之應力所發生的龜裂。
11‧‧‧接著性層
12‧‧‧載體基板
60‧‧‧裝置晶圓
60’‧‧‧薄型裝置晶圓
61‧‧‧矽基板
61a‧‧‧矽基板之表面
61b‧‧‧矽基板之背面
61b’‧‧‧薄型裝置晶圓之背面
62‧‧‧裝置晶片
71‧‧‧剝離層
80‧‧‧暫時接合層
100‧‧‧接著性支持體

Claims (14)

  1. 一種半導體裝置製造用暫時接合層，其係具有(A)剝離層與(B)接著性層，用於具有進行加熱處理步驟的半導體裝置之製造中的半導體裝置製造用暫時接合層，其中該剝離層係具有170℃以上的軟化點之層，該接著性層係將因活性光線或放射線之照射而接著性增大或減少之層的表面予以曝光，在表面上設置接著力不同的2種類以上之區域而成之層。
  2. 如請求項1之半導體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層的軟化點為170℃~450℃之範圍內。
  3. 如請求項1或2之半導體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層含有熱塑性樹脂。
  4. 如請求項3之半導體裝置製造用暫時接合層，其中熱塑性樹脂係由聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂中選出的至少一種熱塑性樹脂。
  5. 如請求項3之半導體裝置製造用暫時接合層，其中熱塑性樹脂係由聚醚碸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及聚醚酮樹脂中選出的至少一種熱塑性樹脂。
  6. 如請求項1或2之半導體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層含有抗氧化劑。
  7. 如請求項6之半導體裝置製造用暫時接合層，其中抗氧化劑在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少1質量%的溫度為250℃以上。
  8. 如請求項1或2之半導體裝置製造用暫時接合層，其中接著性層含有黏結劑、聚合性單體、與光聚合引發劑及熱聚合引發劑之至少一者。
  9. 如請求項3之半導體裝置製造用暫時接合層，其中剝離層含有抗氧化劑。
  10. 如請求項9之半導體裝置製造用暫時接合層，其中抗氧化劑在氮氣流下、20℃/分鐘的一定速度升溫條件下測定時，重量減少1質量%的溫度為250℃以上。
  11. 如請求項3之半導體裝置製造用暫時接合層，其中接著性層含有黏結劑、聚合性單體、與光聚合引發劑及熱聚合引發劑之至少一者。
  12. 一種積層體，其具有支持體、被處理構件、與設置於支持體與被處理構件之間的如請求項1或2之半導體裝置製造用暫時接合層。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其係具有以如請求項1至11中任一項記載之半導體裝置製造用暫時接合層介於之間存在之方式，接著被處理構件的第1面與基板之步驟，對於該被處理構件，施予在130℃~370℃之範圍中具有最高到達溫度之加熱處理，得到處理過構件之步驟，及自該接合層脫離該處理過構件之步驟，而具有該處理過構件之半導體裝置之製造方法，其中該剝離層係具有比該加熱處理的最高到達溫度高之軟化點的層。
  14. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中於使該被處理構件的第1面與該基板隔著該暫時接合層而接著 之步驟之前，更具有對於該暫時接合層的接著性層，照射活性光線或放射線或熱之步驟。
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