JP6068279B2 - 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法に関する。

従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、通常、半導体シリコンウエハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
電子機器の更なる小型化及び高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについても更なる小型化及び高集積化が求められているが、シリコン基板の面方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。

ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来より、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、シリコン基板に貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対する更なる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。

以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、シリコン基板の単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚みを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、シリコン基板の薄型化が検討されており、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるシリコン基板の貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。

半導体デバイスの製造プロセスに用いられる、半導体シリコンウエハとしては、約７００〜９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、半導体シリコンウエハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
しかしながら、厚さ２００μｍ以下の半導体シリコンウエハは非常に薄く、ひいては、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。

上記のような問題を解決すべく、表面にデバイスが設けられた薄型化前の半導体ウエハと加工用支持基板とをシリコーン粘着剤により仮接着し、半導体ウエハの裏面を研削して薄型化した後に、半導体ウエハを穿孔してシリコン貫通電極を設け、その後、半導体ウエハから加工用支持基板を脱離させる技術が知られている（特許文献１参照）。この技術によれば、半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に達成することが可能であるとされている。

また、ウエハの支持方法としては、ウエハを支持層システムにより支持する方法であって、ウエハと支持層システムとの間に、プラズマ堆積法により得られるプラズマポリマー層を分離層として介装させて、支持層システムと分離層との間の接着結合を、ウエハと分離層との間の接合結合より大きくなるようにし、ウエハを支持層システムから脱離する際に、ウエハが分離層から容易に脱離するように構成した技術も知られている（特許文献２参照）。

また、ポリエーテルスルホンと粘性付与剤を使用して、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術が知られている（特許文献３）。
また、カルボン酸類とアミン類からなる混合物により、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術も知られている（特許文献４）。
また、セルロースポリマー類等からなる接合層を加温した状態で、デバイスウエハと支持基板を圧着することで接着させて、加温して横方向にスライドすることによりデバイスウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献５）。

また、シンジオタクチック１、２−ポリブタジエンと光重合開始剤からなり、放射線の照射により接着力が変化する粘着フィルムが知られている（特許文献６）。
更に、ポリカーボネート類からなる接着剤により、支持基板と半導体ウエハとを仮接着し、半導体ウエハに対して処理を行った後、照射線を照射し、次いで、加熱することにより、処理済の半導体ウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献７）。

また、デバイスウエハのマイクロデバイスが設けられたデバイス面と、デバイスウエハを支持するキャリア基板とを仮接着する際に、デバイス面の中央域とキャリア基板との間に、接合に寄与しない充填層を介装させ、デバイス面の周縁部とキャリア基板との間を粘着剤により仮接着する技術が知られている（特許文献８）。

特開２０１１−１１９４２７号公報 特表２００９−５２８６８８号公報 特開２０１１−２２５８１４号公報 特開２０１１−０５２１４２号公報 特表２０１０−５０６４０６号公報 特開２００７−０４５９３９号公報 米国特許公開２０１１／０３１８９３８号明細書 特表２０１１−５１０５１８号公報

ところで、デバイスが設けられた半導体ウエハの表面（すなわち、デバイスウエハのデバイス面）と支持基板（キャリア基板）とを、特許文献１等で知られている粘着剤からなる層を介して仮接着する場合には、半導体ウエハを安定的に支持するべく、粘着剤層には一定の強さの粘着度が要求される。
そのため、半導体ウエハのデバイス面の全面と支持基板とを粘着剤層を介して仮接着する場合においては、半導体ウエハと支持基板との仮接着を充分なものとし、半導体ウエハを安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持しようとする程、反面、半導体ウエハと支持基板との仮接着が強すぎることにより、支持基板から半導体ウエハを脱離する際に、デバイスが破損したり、半導体ウエハからデバイスが脱離したりしてしまうという不具合が生じやすい。

また、特許文献２のように、ウエハと支持層システムとの接着が強くなりすぎることを抑制すべく、ウエハと支持層システムとの間に、分離層としてのプラズマポリマー層を、プラズマ堆積法により形成する方法は、（１）通常、プラズマ堆積法を実施するための設備コストは大きい；（２）プラズマ堆積法による層形成は、プラズマ装置内の真空化やモノマーの堆積に時間を要する；及び（３）プラズマポリマー層からなる分離層を設けても、加工に供されるウエハを支持する場合においては、ウエハと分離層との接着結合を充分なものとしながら、反面、ウエハの支持を解除する場合においては、ウエハが容易に分離層から脱離するような接着結合にコントロールすることは容易ではない；等の問題がある。

また、特許文献３、４及び５記載のように、加熱により仮接着を解除する方法では、長時間の加熱によりデバイスが破損する不具合が生じやすい。

また、特許文献６及び７記載のように、照射線を照射して仮接着を解除する方法では、照射線を透過する支持基板を使用する必要がある。

また、特許文献８のように、キャリア上に接着に寄与しない充填層を介装する方法では、該充填層を形成する際に多段階からなるプロセスを経る必要があり、生産性において更なる改良の余地がある。

本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理部材（半導体ウエハなど）に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、支持体と被処理部材との間に剥離層と接着性層とからなる仮接合層を設け、この仮接合層において、剥離層を特定の軟化点を有するものとしつつ、接着性層の表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けることで、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できることを見出し、これら知見に基づき、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。

＜１＞（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する、加熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造に用いられる半導体装置製造用仮接合層であって、剥離層が１７０℃以上の軟化点を有する層であり、接着性層は、活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層である半導体装置製造用仮接合層。
＜２＞剥離層の軟化点が１７０℃〜４５０℃の範囲内である＜１＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜３＞剥離層が熱可塑性樹脂を含有する＜１＞又は＜２＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜４＞熱可塑性樹脂が、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱可塑性樹脂である＜３＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜５＞熱可塑性樹脂が、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱可塑性樹脂である＜３＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜６＞剥離層が酸化防止剤を含む、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜７＞酸化防止剤の、窒素気流下、２０℃／分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量１質量％減少する温度が２５０℃以上である、＜６＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜８＞接着性層がバインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜９＞支持体と、被処理部材と、支持体と被処理部材との間に設けられた＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する積層体。
＜１０＞被処理部材の第１の面と基板とを、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合層を介在するように接着させる工程、被処理部材に対して、１３０℃〜３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、接合層から処理済部材を脱離する工程を有する、処理済部材を有する半導体装置の製造方法であって、剥離層が、加熱処理での最高到達温度より高い軟化点を有する層である半導体装置の製造方法。
＜１１＞被処理部材の第１の面と基板とを仮接合層を介して接着させる工程の前に、仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、＜１０＞に記載の半導体装置の製造方法。

本発明によれば、被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法を提供できる。

図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略面図、及び、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。 図２は、本発明の実施形態における接着性支持体の概略上面図である。 図３は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図４は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図５は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図６は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図７は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図８は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図９は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１０は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１１は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１２は、本発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１３は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含むものを意味する。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、紫外線、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
なお、本明細書において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタアクリレートを表し、“（メタ）アクリルはアクリルおよびメタアクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、質量平均分子量が２，０００以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基を言う。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。

本発明の半導体装置製造用仮接合層は、（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する、加熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造に用いられる半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層は１７０℃以上の軟化点を有する層であり、前記接着性層は、活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層である。

まず、本発明における半導体装置製造用仮接合層（以下、単に、「仮接合層」とも言う）について説明する。
本発明における半導体装置製造用仮接合層は、（Ａ）剥離層、及び（Ｂ）接着性層を有する。
本発明における半導体装置製造用仮接合層によれば、被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる半導体装置製造用仮接合層が得られる。
本発明における半導体装置製造用仮接合層は、シリコン貫通電極形成用であることが好ましい。シリコン貫通電極の形成については後に詳述する。

（Ａ）剥離層：
剥離層は、剥離性を向上させる目的で用いる。そのため、剥離層は熱・薬品に対して剥離性の変化が小さいことが求められる。ここで、剥離層の軟化点は１７０℃以上である。該軟化点は１７０℃〜４５０℃が好ましく、２００℃〜４００℃がより好ましく、２００℃〜３５０℃がより好ましい。また、剥離層の軟化点は粘弾性測定装置を用いた一般的な手法により測定されたものを表す。
これにより、加熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造工程において、剥離層の樹脂が熱により溶解又はガラス転移し、接着性層との結合が過剰に促進されることが抑制され、結果として処理済部材の剥離がスムーズに進むものと考えられる。
剥離層の軟化点が１７０℃未満である場合、加熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造工程において、剥離層を構成する樹脂が溶解又はガラス転移を起こし、接着性層との結合力が過剰に強くなるため、被処理部材の剥離がスムーズに進まなくなると考えられる。

剥離層の軟化点は、一定昇温条件下で粘弾性測定装置を用いて測定された損失正接（ｔａｎδ）が極大となる温度として測定される。
損失正接（ｔａｎδ）は、下記式により算出される。

ｔａｎδ＝Ｇ’’／Ｇ’

上記式中、Ｇ’’は損失剪断弾性率を表し、Ｇ’は貯蔵剪断弾性率を表す。

昇温速度は、０．５〜２０℃／ｍｉｎの範囲内であることが好ましく、１〜１０℃／ｍｉｎの範囲内であることがより好ましく、２〜５℃／ｍｉｎの範囲内であることが特に好ましい。

剥離層は、剥離層組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、被処理部材に層状に適用（好ましくは塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
剥離層の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。上記剥離層組成物はバインダーを含有することが好ましい。

以下、上記剥離層組成物が含有してもよいバインダーについて説明する。

（バインダー）
本発明においては、上記剥離層組成物が含有するバインダーとして、任意のものを使用できる。
例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンコポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンコポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＦＡ樹脂、ＦＥＰ樹脂、エチレン−ＴＦＥ共重合樹脂、ＰＶＤＦ樹脂、ＰＣＴＦＥ樹脂、エチレン−ＣＴＦＥ樹脂、ＴＦＥ−パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアミドイミド樹脂などの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＦＡ樹脂、ＦＥＰ樹脂、エチレン−ＴＦＥ共重合樹脂、ＰＶＤＦ樹脂、ＰＣＴＦＥ樹脂、エチレン−ＣＴＦＥ樹脂、ＴＦＥ−パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂が好ましく、ＰＦＡ樹脂、ＴＦＥ−パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂がより好ましく、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂が特に好ましく、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂がさらに好ましい。

バインダーは、熱可塑性樹脂であることが好ましく、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱可塑性樹脂であることが特に好ましい。

本発明の剥離層におけるバインダーの添加量は、本発明の剥離層の全固形分量（溶剤を除いた量）に対し、１〜１００重量％が好ましく、７０〜１００重量％がより好ましく、９０〜１００重量％が特に好ましい。

溶剤は、剥離層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、アニソール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、２−ブタノン、メチルアミルケトン、リモネン等が使用でき、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、メチルアミルケトン又はリモネンが好ましい。
溶剤は、剥離層組成物の固形分濃度が５〜４０質量％になるように使用されることが好ましい。

また、剥離層組成物は、必要に応じて界面活性剤を含んでいてもよい。

本発明の剥離層組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。

特に、本発明の剥離層組成物が有する剥離層は、フッ素系界面活性剤を含有することで、塗布液として調製したときの液特性（特に、流動性）がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
即ち、フッ素系界面活性剤を含有する剥離層組成物を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。

フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３質量％〜４０質量％が好適であり、より好ましくは５質量％〜３０質量％であり、特に好ましくは７質量％〜２５質量％である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、剥離層組成物中における溶解性も良好である。

フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｆ７８１（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。

ノニオン系界面活性剤として具体的には、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレート及びプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセリンエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル（ＢＡＳＦ社製のプルロニックＬ１０、Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ６２、１０Ｒ５、１７Ｒ２、２５Ｒ２、テトロニック３０４、７０１、７０４、９０１、９０４、１５０Ｒ１、ソルスパース２００００（日本ルーブリゾール（株）製）等が挙げられる。

カチオン系界面活性剤として具体的には、フタロシアニン誘導体（商品名：ＥＦＫＡ−７４５、森下産業（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、Ｗ００１（裕商（株）製）等が挙げられる。

アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。

シリコーン系界面活性剤としては、例えば、東レ・ダウコーニング（株）製「トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ７ＰＡ」、「トーレシリコーンＤＣ１１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ８４００」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「ＴＳＦ−４４４０」、「ＴＳＦ−４３００」、「ＴＳＦ−４４４５」、「ＴＳＦ−４４６０」、「ＴＳＦ−４４５２」、信越シリコーン株式会社製「ＫＰ３４１」、「ＫＦ６００１」、「ＫＦ６００２」、ビックケミー社製「ＢＹＫ３０７」、「ＢＹＫ３２３」、「ＢＹＫ３３０」等が挙げられる。

また、界面活性剤として、特表２０１０−５０６４０６号公報（対応国際公開ＷＯ２００８／０４５６６９号パンフレット）の段落番号００２５に記載のものも採用することができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。例えば、Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ−１００が例示される。

界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
界面活性剤の添加量は、剥離層組成物の全固形分に対して、０．００１質量％〜２．０質量％が好ましく、より好ましくは０．００５質量％〜１．０質量％である。

また、剥離層組成物は、必要に応じて酸化防止剤を含んでいてもよい。
本発明の剥離層組成物には、加熱時の酸化による剥離層に含まれる熱可塑性樹脂の低分子化やゲル化を防止する観点から、各種の酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、窒素系酸化防止剤、ホフファイト系酸化防止剤などが使用できる。

フェノール系酸化防止剤としては例えば、ｐ−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、ＢＡＳＦ（株）製「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、「Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０」、「Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４」、「Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５」、住友化学（株）製「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＭＤＰ−Ｓ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＡ−８０」などが挙げられる。
硫黄系酸化防止剤としては例えば、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、住友化学（株）製「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰＭ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰＳ」、「Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＴＰ−Ｄ」などが挙げられる。
キノン系酸化防止剤としては例えば、ｐ-ベンゾキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンなどが挙げられる。
窒素系酸化防止剤としては、アミン系酸化防止剤が好ましく、例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。
ホフファイト系酸化防止剤としては、（例えば、Ｉｒｇａｆｏｓ１６８の名称で、ＢＡＳＦ社から販売されているトリス（２，４‐ジｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ホスファイト）などが挙げられる。
上記酸化防止剤の中では、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ１７２６、３，３’−チオジプロピオネートジステアリルが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０がより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０が特に好ましい。
酸化防止剤は１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

酸化防止剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、２０℃／分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が１質量％減少する温度は２５０℃以上が好ましく、２７０℃以上がより好ましく、３００℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、５００℃以下とすることができる。

酸化防止剤の添加量は、剥離層組成物の全固形分に対して、０．００１質量％〜２．０質量％が好ましく、より好ましくは０．００５質量％〜１．０質量％である。

また、剥離層組成物は、剥離時の応力による剥離層中のクラック発生を防止する観点から、必要に応じて可塑剤を含んでいてもよい。
可塑剤としては、フタル酸エステル、脂肪酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルなどが使用できる。

フタル酸エステルとしては例えば、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、＃１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以上，大八化学製）、ＰＬ−２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化製）などが挙げられる。
脂肪酸エステルとしては例えば、ブチルステアレート、ユニスターＭ−９６７６、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ユニスターＨ−４７６、ユニスターＨ−４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学製）などが挙げられる。
芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ（大八化学製）、モノサイザーＷ−７０５（大八化学製）、ＵＬ−８０、ＵＬ−１００（ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ−１７２０、ポリサイザーＳ−２００２、ポリサイザーＳ−２０１０（以上、ＤＩＣ製）、ＢＡＡ−１５（大八化学製）などが挙げられる。
上記酸化防止剤の中では、ＤＩＤＰ、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭ、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ポリサイザーＴＤ−１７２０が好ましく、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭがより好ましく、ＴＯＴＭが特に好ましい。
可塑剤は１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

可塑剤の分子量は加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、２０℃／分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が１質量％減少する温度は２５０℃以上が好ましく、２７０℃以上がより好ましく、３００℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、（５００）℃以下とすることができる、

可塑剤の添加量は、剥離層組成物の全固形分に対して、１質量％〜５０．０質量％が好ましく、より好ましくは５質量％〜２０質量％である。

本発明に係る半導体装置製造用仮接合層が有する剥離層の形成方法は、特に限定されるものではないが、好ましいものとして前述したバインダーの種類及びその含有量を適宜変更することにより、好適に達成できるものであり、バインダーを前述の好ましい具体例から選択し、より好ましい濃度とすることにより達成される。

（Ｂ）接着性層：
接着性層は、剥離層と基板とを接続する目的で用いる。そのため、接着性層は熱・薬品に対して接着性の変化が小さいことが求められる。
接着性層は、後述する各成分を含有する接着性組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板上に層状に適用（好ましくは塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
また接着性層は活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層である。
さらに、活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層である。
露光は、具体的には、後述するように、マスクを用いたパターン露光が好ましい。
接着性層の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。

接着性層は、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むことが好ましく、光重合開始剤を含むことがより好ましい。

更に、本発明における接着性組成物（ひいては接着性層）が、特に、光重合開始剤、又は、熱重合開始剤を更に含有するとともに、ラジカル重合性モノマーを含有する場合、接着性層を、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により接着性が減少する接着性層とすることができる。この場合、具体的には、接着性層を、活性光線若しくは放射線又は熱の照射を受ける前には、接着性を有する層であるが、活性光線若しくは放射線又は熱の照射を受けた領域においては、接着性が低下ないしは消失する層とすることができる。

（バインダー）
接着性組成物（ひいては接着性層）は、バインダーを含有していることが好ましい。

本発明においては、バインダーとして任意のものを使用できる。
例えば、炭化水素樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、スチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂、ポリ酢酸ビニル、テフロン（登録商標）、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドなどの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、ポリウレタン、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂が好ましく、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂がより好ましく、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂が特に好ましい。

本発明においては、炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
本発明における炭化水素樹脂は基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいても良い。また、本発明における炭化水素樹脂にアクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する樹脂は含まれない。

上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）などが挙げられる。

中でも、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、石油樹脂、水素化ロジン、重合ロジン、オレフィンポリマー、シクロオレフィンポリマーが好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンポリマー、シクロオレフィンポリマーがより好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンポリマー、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィンポリマーが更に好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、シクロオレフィンポリマー、オレフィンポリマーが特に好ましく、ポリスチレン樹脂又はシクロオレフィンポリマーが最も好ましい。

シクロオレフィンポリマーの作製に用いられる環状オレフィン系樹脂の例には、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれら重合体の水素化物などが含まれる。好ましい例には、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂、及び必要に応じ、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上を更に含んでなる付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂が含まれる。また、他の好ましい例には、一般式（ＩＩＩ）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環（共）重合体が含まれる。

式中、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁶は各々独立に水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｘ¹〜Ｘ³、Ｙ¹〜Ｙ³は水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ₂）_nＣＯＯＲ¹¹、−（ＣＨ₂）_nＯＣＯＲ¹²、−（ＣＨ₂）_nＮＣＯ、−（ＣＨ₂）_nＮＯ₂、−（ＣＨ₂）_nＣＮ、−（ＣＨ₂）_nＣＯＮＲ¹³Ｒ¹⁴、−（ＣＨ₂）_nＮＲ¹³Ｒ¹⁴、−（ＣＨ₂）_nＯＺ、−（ＣＨ₂）_nＷ、又はＸ¹とＹ¹、Ｘ²とＹ²、若しくはＸ³とＹ³から構成された（−ＣＯ）₂Ｏ、（−ＣＯ）₂ＮＲ¹⁵を表す。なお、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵は水素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｚは炭化水素基またはハロゲンで置換された炭化水素基、ＷはＳｉＲ¹⁶ _pＤ_3-p（Ｒ¹⁶は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｄはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ¹⁶又は−ＯＲ¹⁶、ｐは０〜３の整数を示す）を表す。ｎは０〜１０の整数を表す。

ノルボルネン系付加（共）重合体は、特開平１０−７７３２号、特表２００２−５０４１８４号、ＵＳ２００４／２２９１５７Ａ１号あるいはＷＯ２００４／０７０４６３Ａ１号等に開示されている。ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合する事によって得られる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン；ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。このノルボルネン系付加（共）重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）あるいはＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同５０１３、同６０１３、同６０１５などのペレットが発売されている。
更に、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が発売されている。

ノルボルネン系重合体水素化物は、特開平１−２４０５１７号、特開平７−１９６７３６号、特開昭６０−２６０２４号、特開昭６２−１９８０１号、特開２００３−１１５９７６７号あるいは特開２００４−３０９９７９号等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
前記式中、Ｒ⁵〜Ｒ⁶が水素原子又は−ＣＨ₃が好ましく、Ｘ³及びＹ³が水素原子が好ましく、その他の基は適宜選択される。このノルボルネン系樹脂は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で発売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（Ｚｅｏｎｅｘ）２５０、同２８０、同４８０Ｒという商品名で市販されており、これらを使用することができる。
また、市販品では、エスチレン ＭＳ２００ＮＴ（新日鐵化学製ＭＳ樹脂）等も好ましく使用することができる。
本発明の接着性層におけるバインダーの添加量は、本発明の接着性層の全固形分量（溶剤を除いた量）に対し、１〜１００重量％が好ましく、１〜８０重量％がより好ましく、５〜５０重量％が特に好ましい。
バインダーは、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

（重合性モノマー）
本発明においては、接着性組成物（ひいては接着性層）の重合性モノマーとして任意のものを使用できる。ここで重合性モノマーは重合性基を有する。重合性基とは、典型的には、活性光線若しくは放射線の照射、又は、ラジカル若しくは酸の作用により、重合することが可能な基である。
なお、重合性モノマーは、上記したバインダーとは異なる化合物である。重合性モノマーは、典型的には、低分子化合物であり、分子量２０００以下の低分子化合物であることが好ましく、１５００以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量９００以下の低分子化合物であることが更に好ましい。なお、分子量は、通常、１００以上である。

重合性基は、例えば、付加重合反応し得る官能基であることが好ましく、付加重合反応し得る官能基としては、エチレン性不飽和結合基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。また、重合性基は、光照射によりラジカルを発生し得る官能基であってもよく、そのような重合性基としては、例えば、チオール基、ハロゲン基等が挙げられる。なかでも、重合性基は、エチレン性不飽和結合基が好ましい。エチレン性不飽和結合基としては、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基が好ましい。

重合性基を有する反応性化合物としては、具体的にはラジカル重合性化合物（Ｂ１）とイオン重合性化合物（Ｂ２）が挙げられる。
ラジカル重合性化合物としては、炭素数３〜３５の（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）、炭素数４〜３５の（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）、炭素数６〜３５の芳香族ビニル化合物（Ｂ１３）、炭素数３〜２０のビニルエーテル化合物（Ｂ１４）及びその他のラジカル重合性化合物（Ｂ１５）等が挙げられる。ラジカル重合性化合物（Ｂ１）は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
また、必要により、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類等の酸化防止剤を併用してもよい。

炭素数３〜３５の（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド及び（メタ）アクリロイルモルフォリンが挙げられる。

炭素数４〜３５の（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）としては、例えば以下の単官能〜六官能の（メタ）アクリレートが挙げられる。

単官能（メタ）アクリレートとしては、エチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−オクチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ｎ−ブチルシクロへキシル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルジグリコール（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレート、４−ブロモブチル（メタ）アクリレート、シアノエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトキシメチル（メタ）アクリレート、メトキシプロピレンモノアクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、アルコキシメチル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシルカルビトール（メタ）アクリレート、アルコキシエチル（メタ）アクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２，２，２−テトラフルオロエチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシル（メタ）アクリレート、４−ブチルフェニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２，４，５−テトラメチルフェニル（メタ）アクリレート、４−クロロフェニル（メタ）アクリレート、フェノキシメチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、グリシジロキシブチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノビニルエーテルモノアクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、トリメトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメチルシリルプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴプロピレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタクリロイロキシヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、ブトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性クレゾール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレート及びＥＯ変性−２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記及び以下において、ＥＯはエチレンオキサイドを表し、ＰＯはプロピレンオキサイドを表す。

二官能（メタ）アクリレートとしては、１，４−ブタンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジアクリレート、ポリプロピレンジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２，４−ジメチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチル−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦポリエトキシジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチル−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート及びトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

三官能の（メタ）アクリレートとしては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスルトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ヒドロキシピバルアルデヒド変性ジメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ソルビトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート及びエトキシ化グリセリントリアクリレート等が挙げられる。

四官能の（メタ）アクリレートとしては、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート及びエトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

五官能の（メタ）アクリレートとしては、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート及びジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートが挙げられる。

六官能の（メタ）アクリレートとしては、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、フォスファゼンのアルキレンオキサイド変性ヘキサ（メタ）アクリレート及びカプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

炭素数６〜３５の芳香族ビニル化合物（Ｂ１３）としては、ビニルチオフェン、ビニルフラン、ビニルピリジン、スチレン、メチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロルメチルスチレン、メトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、ビニル安息香酸メチルエステル、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、３−エチルスチレン、４−エチルスチレン、３−プロピルスチレン、４−プロピルスチレン、３−ブチルスチレン、４−ブチルスチレン、３−ヘキシルスチレン、４−ヘキシルスチレン、３−オクチルスチレン、４−オクチルスチレン、３−（２−エチルヘキシル）スチレン、４−（２−エチルヘキシル）スチレン、アリルスチレン、イソプロペニルスチレン、ブテニルスチレン、オクテニルスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン、４−メトキシスチレン及び４−ｔ−ブトキシスチレン等が挙げられる。

炭素数３〜３５のビニルエーテル化合物（Ｂ１４）としては、例えば以下の単官能又は多官能ビニルエーテルが挙げられる。

単官能ビニルエーテルとしては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ−ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、４−メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、２−ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、クロルブチルビニルエーテル、クロルエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテル及びフェノキシポリエチレングリコールビニルエーテルが挙げられる。

多官能ビニルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキサイドジビニルエーテル等のジビニルエーテル類；トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル及びプロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルが挙げられる。

その他のラジカル重合性化合物（Ｂ１５）としては、ビニルエステル化合物（酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル及びバーサチック酸ビニル等）、アリルエステル化合物（酢酸アリル等）、ハロゲン含有単量体（塩化ビニリデン及び塩化ビニル等）及びオレフィン化合物（エチレン及びプロピレン等）等が挙げられる。

これらの内、重合速度の観点から（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）及び（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）が好ましく、特に（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）が好ましい。

イオン重合性化合物（Ｂ２）としては、炭素数３〜２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）及び炭素数４〜２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）等が挙げられる。

炭素数３〜２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）としては、例えば以下の単官能又は多官能エポキシ化合物が挙げられる。
単官能エポキシ化合物としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ―ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２−ブチレンオキサイド、１，３−ブタジエンモノオキサイド、１，２−エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２−エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３−メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド及び３−ビニルシクロヘキセンオキサイドが挙げられる。

多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２−エチルヘキシル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、１，１，３−テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８−ジエポキシオクタン及び１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタンが挙げられる。

これらのエポキシ化合物の中でも、重合速度に優れるという観点から、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドが好ましく、脂環式エポキシドが特に好ましい。

炭素数４〜２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）としては、オキセタン環を１個〜６個有する化合物等が挙げられる。

オキセタン環を１個有する化合物としては、例えば、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−（メタ）アリルオキシメチル−３−エチルオキセタン、（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン、４−フルオロ−［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、４−メトキシ−［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）エチル］フェニルエーテル、イソブトキシメチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−エチルヘキシル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、エチルジエチレングリコール（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンタジエン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラヒドロフルフリル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−テトラブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−トリブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシプロピル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ブトキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタクロロフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル及びボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。

オキセタン環を２〜６個有する化合物としては、例えば、３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサ−ノナン、３，３’−（１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、１，２−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エタン、１，３−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、１，４−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル及びＥＯ変性ビスフェノールＦ（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。
市販品としては、Ａ−ＤＣＰ（新中村化学製、２官能アクリレート）、Ａ−ＢＰＥ−４（新中村化学製、２官能アクリレート）などを好ましく用いることができる。

重合性モノマーの含有量は、良好な接着強度と剥離性の観点から、前記接着性層の全固形分に対して、５〜７５質量％が好ましく、１０〜７０質量％がより好ましく、１０〜６０質量％が更に好ましい。

また、重合性モノマー及びバインダーの含有量の比率（質量比）は、９０／１０〜１０／９０であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
重合性モノマーは、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

（溶剤）
溶剤は、接着性層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ブタノン、メチルアミルケトン、リモネン、ＰＧＭＥＡ（１−メトキシ−２−プロピルアセテート）等が使用でき、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ブタノン、メチルアミルケトン又はリモネン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコール１-モノメチルエーテル２-アセタート）が好ましい。
溶剤は、接着性組成物の固形分濃度が５〜４０質量％になるように使用されることが好ましい。
溶剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

（光重合開始剤）
接着性組成物（ひいては接着性層）は、光重合開始剤、すなわち活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有することが好ましい。
光重合開始剤を有することにより、接着性層へ光を照射することで接着性組成物のラジカルまたは酸による硬化が起こり、光照射部における接着性を低下させられる。この照射を例えばフォトマスクを介して接着性層表面へ行えば、フォトマスクのパターンにしたがって、接着力の異なる領域を簡便に作成できるという利点がある。
活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物としては、例えば、以下に述べる重合開始剤として知られているものを用いることができる。
前記重合開始剤としては、前記バインダーとしての重合性基を有する高分子化合物、又は、前記重合性モノマーとしての重合性基を有する反応性化合物における重合反応（架橋反応）を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じて酸を発生させてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記重合開始剤は、約３００ｎｍ〜８００ｎｍ（好ましくは３３０ｎｍ〜５００ｎｍ）の範囲内に少なくとも約５０の分子吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。

前記重合開始剤としては、公知の化合物を制限なく使用できるが、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの、トリハロメチル基を有するものなど）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノン化合物、ヒドロキシアセトフェノン、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。

前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２、２９２４（１９６９）記載の化合物、英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物、特開昭５３−１３３４２８号公報記載の化合物、独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物、Ｆ．Ｃ．ＳｃｈａｅｆｅｒなどによるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．；２９、１５２７（１９６４）記載の化合物、特開昭６２−５８２４１号公報記載の化合物、特開平５−２８１７２８号公報記載の化合物、特開平５−３４９２０号公報記載化合物、米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物、などが挙げられる。

前記米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物（例えば、２−トリクロロメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール；２−トリクロロメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロルスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−メトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−ｎ−ブトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリプロモメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾールなど）などが挙げられる。

また、上記以外の重合開始剤として、アクリジン誘導体（例えば、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタンなど）、Ｎ−フェニルグリシンなど、ポリハロゲン化合物（例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトンなど）、クマリン類（例えば、３−（２−ベンゾフラノイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾフロイル）−７−（１−ピロリジニル）クマリン、３−ベンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−メトキシベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン、３−（２−フロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジエチルアミノシンナモイル）−７−ジエチルアミノクマリン、７−メトキシ−３−（３−ピリジルカルボニル）クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン、７−ベンゾトリアゾール−２−イルクマリン、また、特開平５−１９４７５号公報、特開平７−２７１０２８号公報、特開２００２−３６３２０６号公報、特開２００２−３６３２０７号公報、特開２００２−３６３２０８号公報、特開２００２−３６３２０９号公報などに記載のクマリン化合物など）、アシルホスフィンオキサイド類（例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキサイド、ＬｕｃｉｒｉｎＴＰＯなど）、メタロセン類（例えば、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフロロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、η５−シクロペンタジエニル−η６−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフロロホスフェート（１−）など）、特開昭５３−１３３４２８号公報、特公昭５７−１８１９号公報、同５７−６０９６号公報、及び米国特許第３６１５４５５号明細書に記載された化合物などが挙げられる。

前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン、２−エトキシカルボニルベンゾフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン類（例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビスジシクロヘキシルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジヒドロキシエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、２−クロル−チオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、２−ベンジル−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−１−ブタノン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノ−１−プロパノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類（例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール）、アクリドン、クロロアクリドン、Ｎ−メチルアクリドン、Ｎ−ブチルアクリドン、Ｎ−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。

光重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、及び、アシルホスフィン化合物も好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０−２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号公報に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤も用いることができる。
ヒドロキシアセトフェノン系開始剤としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１８４、ＤＡＲＯＣＵＲ−１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１２７（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤として、３６５ｎｍまたは４０５ｎｍ等の長波光源に吸収波長がマッチングされた特開２００９−１９１１７９公報に記載の化合物も用いることができる。また、アシルホスフィン系開始剤としては市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９やＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。

光重合開始剤として、より好ましくはオキシム系化合物が挙げられる。オキシム系開始剤の具体例としては、特開２００１−２３３８４２号記載の化合物、特開２０００−８００６８号記載の化合物、特開２００６−３４２１６６号記載の化合物を用いることができる。

本発明で重合開始剤として好適に用いられるオキシム誘導体等のオキシム化合物としては、例えば、３−ベンゾイロキシイミノブタン−２−オン、３−アセトキシイミノブタン−２−オン、３−プロピオニルオキシイミノブタン−２−オン、２−アセトキシイミノペンタン−３−オン、２−アセトキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ベンゾイロキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、３−（４−トルエンスルホニルオキシ）イミノブタン−２−オン、及び２−エトキシカルボニルオキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オンなどが挙げられる。

オキシムエステル化合物としては、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１６５３−１６６０）、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１５６−１６２、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年）ｐｐ．２０２−２３２、特開２０００−６６３８５号公報記載の化合物、特開２０００−８００６８号公報、特表２００４−５３４７９７号公報、特開２００６−３４２１６６号公報の各公報に記載の化合物等が挙げられる。
市販品ではＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）も好適に用いられる。

また上記記載以外のオキシムエステル化合物として、カルバゾールＮ位にオキシムが連結した特表２００９−５１９９０４号公報に記載の化合物、ベンゾフェノン部位にヘテロ置換基が導入された米国特許７６２６９５７号公報に記載の化合物、色素部位にニトロ基が導入された特開２０１０−１５０２５号公報および米国特許公開２００９−２９２０３９号記載の化合物、国際公開特許２００９−１３１１８９号公報に記載のケトオキシム系化合物、トリアジン骨格とオキシム骨格を同一分子内に含有する米国特許７５５６９１０号公報に記載の化合物、４０５ｎｍに吸収極大を有しｇ線光源に対して良好な感度を有する特開２００９−２２１１１４号公報記載の化合物、などを用いてもよい。

好ましくはさらに、特開２００７−２３１０００号公報、及び、特開２００７−３２２７４４号公報に記載される環状オキシム化合物に対しても好適に用いることができる。環状オキシム化合物の中でも、特に特開２０１０−３２９８５号公報、特開２０１０−１８５０７２号公報に記載されるカルバゾール色素に縮環した環状オキシム化合物は、高い光吸収性を有し高感度化の観点から好ましい。
また、オキシム化合物の特定部位に不飽和結合を有する特開２００９−２４２４６９号公報に記載の化合物も、重合不活性ラジカルから活性ラジカルを再生することで高感度化を達成でき好適に使用することができる。

最も好ましくは、特開２００７−２６９７７９号公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開２００９−１９１０６１号公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物が挙げられる。

化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いることができるが、具体的には、例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｒｙ−５ ｓｐｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶媒を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。

本発明に用いられる重合開始剤は、必要に応じて２種以上を組み合わせて使用しても良い。

活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物としては、露光感度の観点から、トリハロメチルトリアジン化合物、ベンジルジメチルケタール化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物及びその誘導体、シクロペンタジエン−ベンゼン−鉄錯体及びその塩、ハロメチルオキサジアゾール化合物、３−アリール置換クマリン化合物からなる群より選択される化合物が好ましい。

さらに好ましくは、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物であり、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、ベンゾフェノン化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物が最も好ましく、オキシム化合物を用いるのが最も好ましい。

また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物は、その中でも、ｐＫａが４以下の酸を発生する化合物が好ましく、ｐＫａが３以下の酸を発生する化合物がより好ましい。
酸を発生する化合物の例として、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、スルホニウム塩やヨードニウム塩、第四級アンモニウム塩類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、及び、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、高感度である観点から、オキシムスルホネート化合物を用いることが好ましい。これら酸発生剤は、１種単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

酸発生剤としては、具体的には、特開２０１２−８２２３号公報の段落番号〔００７３〕〜〔００９５〕記載の酸発生剤を挙げることができる。

本発明の活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物の含有量（２種以上の場合は総含有量）は、接着性層の全固形分に対し０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以上２０質量％以下である。

（熱重合開始剤）
本発明の接着性組成物（ひいては接着性層）は、熱重合開始剤、すなわち熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有することも好ましい。

特に、前記バインダーとして重合性基を有する高分子化合物、又は、前記重合性モノマーを含有する場合は、熱重合開始剤を含有することが好ましい。
熱重合開始剤が存在することにより、接着性層と剥離層とが接合された後、熱重合開始剤の分解温度以上に加熱することで、接着性層を硬化させて、より耐熱性・耐薬品性の高い接着を行えるという利点がある。

［熱によりラジカルを発生する化合物］
熱によりラジカル発生する化合物（以下、単に、熱ラジカル発生剤とも言う）としては、公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。
熱ラジカル発生剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性基を有する高分子化合物、及び、重合性モノマーの重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル発生剤を添加することによって、接着性組成物を用いて形成された接着性層に対して熱を照射した後に、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う場合においては、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、後に詳述するように、接着性層の接着性（すなわち、粘着性及びタック性）を前もって低下させることができる。
一方、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行った後に、接着性支持体における接着性層に対して熱を照射した後に場合には、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、接着性層がより強靭になり、被処理部材の機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できる。すなわち、接着性層における接着性を向上できる。
好ましい熱ラジカル発生剤としては、上述した活性光線又は放射線の照射により酸又はラジカルを発生する化合物が挙げられるが、熱分解点が１３０℃〜２５０℃、好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲の化合物を好ましく使用することができる。
熱ラジカル発生剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。中でも、芳香族ケトン類、有機過酸化物又はアゾ系化合物がより好ましく、芳香族ケトン類、有機過酸化物が特に好ましい。
具体的には、特開２００８−６３５５４号公報の段落００７４〜０１１８に記載されている化合物が挙げられる。
市販品としては、パーブチルＺ（日油（株）製、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート）などが挙げられる。
熱ラジカル発生剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。

［熱により酸を発生する化合物］
熱により酸を発生する化合物（以下、単に、熱酸発生剤とも言う）としては、公知の熱酸発生剤を用いることができる。
熱酸発生剤は、好ましくは熱分解点が１３０℃〜２５０℃、より好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲の化合物が挙げられる。
熱酸発生剤としては、例えば、加熱によりスルホン酸、カルボン酸、ジスルホニルイミドなどの低求核性の酸を発生する化合物である。
熱酸発生剤から発生する酸としてはｐＫａが２以下と強い、スルホン酸や電子求引基の置換したアルキル〜はアリールカルボン酸、同じく電子求引基の置換したジスルホニルイミドなどが好ましい。電子求引基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を挙げることができる。
熱酸発生剤としては、上記（Ｄ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤の適用が可能である。例えばスルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート、ｏ−ニトロベンジルスルホネート等を挙げることができる。
また、本発明においては活性光線又は放射線の照射によって実質的に酸を発生せず、熱によって酸を発生するスルホン酸エステルを使用することも好ましい。
活性光線又は放射線の照射によって実質的に酸を発生していないことは、化合物の露光前後での赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル、核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル測定により、スペクトルに変化がないことで判定することができる。
スルホン酸エステルの分子量は、２３０〜１，０００が好ましく、２３０〜８００がより好ましい。
本発明で使用可能なスルホン酸エステルは、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いてもよい。スルホン酸エステルは、例えば、塩基性条件下、スルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を対応する多価アルコールと反応させることにより合成することができる。
熱酸発生剤は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

本発明の接着性組成物における熱重合開始剤の含有量は、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う前に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の低減、及び、被処理部材と接着性支持体との仮接着後に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の向上の観点から、接着性組成物の全固形分に対し、０．０１〜５０重量％が好ましく、０．１〜２０重量％がより好ましく、０．５〜１０重量％であることが最も好ましい。

＜その他の成分＞
接着性組成物（ひいては接着性層）は、上記の成分に加えて、さらに本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて種々の化合物を含有することができる。
例えば、増感色素、連鎖移動剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤を好ましく使用することができる。
接着性組成物（ひいては接着性層）が有してもよい界面活性剤、可塑剤、および酸化防止剤の具体例及び好ましい例としては、前述の剥離層組成物が有してもよい界面活性剤、可塑剤、および酸化防止剤と同様である。
また、接着性組成物は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、接着促進剤、粘着付与剤を配合含んでいても良く、例えば、特表２０１０−５０６４０６号公報（対応国際公開ＷＯ２００８／０４５６６９号パンフレット）の段落番号００２６、００２７に記載のものも採用することができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

本発明においては、バインダー、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤とを有していることが好ましい。

半導体装置の製造方法：
次いで、以上に説明した本発明における半導体装置製造用仮接合層を用いた、接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法（以下、「本発明における半導体装置の製造方法」ともいう。）について説明する。

本発明における半導体装置の製造方法は、加熱処理を行う工程を有する。加熱処理を行う工程は、半導体装置の製造工程において加熱を行う工程であれば特に限定されないが、例えば、接着支持体により支持された薄型化されたシリコン基板に対する加熱を行う工程であることが好ましく、シリコン貫通電極の形成時における加熱処理を行う工程であることがより好ましい。

本発明における半導体装置の製造方法が有する加熱処理を行う工程は、１３０℃〜３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を行う工程であり、１８０℃〜３５０℃の範囲内に最高到達温度を有する加熱処理を行う工程であることが好ましい。
以下、本発明の半導体製造方法をより詳細に説明する。

図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略断面図、及び、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。

本発明の実施形態において、図１Ａに示すように、先ず、キャリア基板１２の上に接着性層１１が設けられてなる接着性支持体１００が準備される。
キャリア基板１２の素材は特に限定されないが、例えば、シリコン基板、ガラス基板、金属基板などが挙げられるが、半導体装置の基板として代表的に用いられるシリコン基板を汚染しにくい点や、半導体装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。
キャリア基板１２の厚みは、例えば、３００μｍ〜５ｍｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。

図２は、本発明の実施形態における接着性支持体の概略上面図である。
図２に示すように、本発明の実施形態においては、接着性支持体における接着性層１１は、網点域としての高接着性領域１１Ａと、網点域を取り囲む周辺域としての低接着性領域１１Ｂとが形成されてなる。そして、ここで、低接着性領域１１Ｂと高接着性領域１１Ａとは接着性層１１の全面に渡って、ほぼ同等の間隔で配置された網点模様を為している。

低接着性領域１１Ａと高接着性領域１１Ｂとは、活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する接着性層に網点画像用のパターン露光を行う方法により形成される。
網点画像用のパターン露光は、接着性層における網点模様の網点域を高接着性領域とし、網点域を取り囲む周辺域を低接着性領域とする露光であることが好ましい。
網点域の面積は０．０００１〜９ｍｍ²が好ましく、０．１〜４ｍｍ²がより好ましく、０．０１〜２．２５ｍｍ²が最も好ましい。
網点画像用のパターン露光は、マスク露光であっても、描画露光であってもよいが、光透過領域と遮光領域とが網点模様を為すフォトマスクを介したマスク露光であることが好ましく、この場合、遮光領域の面積率（すなわち、接着面の網点存在率）は、接着性及び易剥離性の観点からマスク内の１〜２０％が好ましく、１〜１０％がより好ましく、１〜５％が最も好ましい。
また、フォトマスクの上記網点模様における網点に対応する遮光領域の形態（大きさ、形状など）は、自由に選択することができ、例えば、円形、正方形、長方形、ひし形、三角形、星型、または、これらが２種以上組み合わされた形状を、任意の寸法で有する遮光領域とすることができる。

ここで、本明細書中における「低接着性領域」とは、「高接着性領域」と比較して低い接着性を有する領域を意味し、接着性を有さない領域（すなわち、「非接着性領域」）を包含する。同様に、「高接着性領域」とは、「低接着性領域」と比較して高い接着性を有する領域を意味する。

接着性層１１は、本発明における接着性層組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板１２上に層状に適用（好ましくは塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
本発明の接着性層の表面は接着力の異なる２種類以上の領域を持つ。
ここで言う接着力とは、各領域の表面にシリコンウエハを接着させ、接着面と垂直方向に２５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験をした際の接着力を意味する。
接着性層１１の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。

次に、以上のようにして得られた接着性支持体と、デバイスウエハとの仮接着、デバイスウエハの薄型化、及び、接着性支持体からのデバイスウエハの脱離について詳細に説明する。

図１Ａに示すように、デバイスウエハ６０（被処理部材）は、シリコン基板６１の表面６１ａに複数のデバイスチップ６２が設けられてなる。そして、更にデバイスウエハ６０のデバイスチップ６２側の面には、剥離層７１が設けられている。ここで、剥離層７１の軟化点は１７０℃以上となっている。
ここで、シリコン基板６１の厚さは、例えば、２００〜１２００μｍの範囲内となっている。
そして、接着性支持体１００の接着性層１１に対して、剥離層７１の表面７１を押し当てる。これにより、図１Ｂに示すように、剥離層７１の表面と、接着性層１１とが接着し、剥離層７１と、接着性層１１とを有する仮接合層８０が形成される。
またこの後、必要に応じて、接着性支持体１００とデバイスウエハ６０との接着体を加熱し（熱を照射し）、接着性層をより強靭なものとしても良い。これにより、デバイスウエハ６０の後述する機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できるため、接着性支持体１００の接着性を高めることになる。特に、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応を促進できる観点から、接着性層は、熱重合開始剤を含有していることが好ましい。
加熱温度は５０℃〜３５０℃であることが好ましい。

次いで、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的又は化学的な処理、具体的には、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄膜化処理を施すことにより、図１Ｃに示すように、シリコン基板６１の厚さを薄くし（例えば、厚さ１〜２００μｍとし）、薄型デバイスウエハ６０’を得る。
また、機械的又は化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型デバイスウエハ６０’の裏面６１ｂ’からシリコン基板を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を行う。シリコン貫通電極を形成する処理において、剥離層の軟化点よりも低い最高温度を有する加熱処理を行う工程を行っている。具体的には、加熱処理における最高到達温度は１３０℃〜３７０℃の範囲内であり、１８０℃〜３５０℃の範囲内であることが好ましい。加熱処理における最高到達温度は剥離層の軟化点よりも低い温度とされる。加熱処理は、最高到達温度での３０秒〜３０分の加熱であることが好ましく、最高到達温度での１分〜１０分の加熱であることがより好ましい。

次いで、接着性支持体１００の接着性層１１から薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａを脱離する。
脱離の方法は特に限定されるものではないが、接着性支持体１００に対して薄型デバイスウエハ６０’を摺動させるか、あるいは、接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を剥離することにより行うことが好ましい。上記方法により、接着性層１１と薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａとの仮接着を容易に解除することができる。

接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を脱離した後、必要に応じて、薄型デバイスウエハ６０’に対して、種々の公知の処理を施し、薄型デバイスウエハ６０’を有する半導体装置を製造する。

本発明において、仮接着の方法は、デバイスウエハとキャリア基板が、剥離層と接着性層とを有する仮接合層が介在するように接着している限り限定されず、接着性層に剥離層が設けられてなる仮接合層をあらかじめ作成し、この仮接合層における接着性層及び剥離層に対して、それぞれキャリア基板及びデバイスウエハと接合してもよい。

また、本発明は、キャリア基板等の支持体と、デバイスウエハ等の被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた仮接合層とを有する積層体にも関する。

次いで、従来の実施形態について説明する。
図１３は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
従来の実施形態においては、図１３に示すように、接着性支持体として、キャリア基板１２の上に、従来の仮接着剤により形成された接着性層１１’が設けられてなる接着性支持体１００’を使用し、それ以外は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明した手順と同様に、接着性支持体１００’とデバイスウエハとを仮接着し、デバイスウエハにおけるシリコン基板の薄膜化処理を行い、次いで、接着性支持体１００’からシリコン基板６１を有する薄型デバイスウエハ６０’を剥離する。

しかしながら、従来の仮接着剤によれば、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除することが困難である。例えば、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着を充分にしようとするべく、従来の仮接着剤の内、接着性の高いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が強すぎる傾向となる。よって、この強すぎる仮接着を解除するべく、例えば、図１３に示すように、薄型デバイスウエハ６０’の裏面６１ｂ’にテープ（例えば、ダイシングテープ）７０を貼り付け、接着性支持体１２から薄型デバイスウエハ６０’を剥離する場合においては、バンプ６３が設けられたデバイスチップ６２から、バンプ６３が脱離するなどして、デバイスチップ６２を破損する不具合が生じやすい。
一方、従来の仮接着剤の内、接着性が低いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が弱すぎ、デバイスウエハをキャリア基板で確実に支持できないという不具合が生じやすい。

しかしながら、本発明の接着性組成物により形成された接着性層は、充分な接着性を発現するとともに、デバイスウエハ６０と接着性支持体１００との仮接着は、接着性層１１が、高接着領域と低接着領域を有しているため、容易に解除できる。すなわち、本発明の仮接合層における剥離層によれば、デバイスウエハ６０を確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’に対する仮支持を容易に解除できる。

本発明の半導体装置の製造方法は、前述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。

接着性層における網点模様の形態は、特に限定されるものではなく、例えば、図３概略上面図に示すように、高接着性領域２１Ａと低接着性領域２１Ｂとを有するとともに、高接着領域２１Ａが、中心から外方に向けて延びる放射線模様を為すように形成された網点模様を為している接着性層２１であってもよい。
また、図４、５、６の概略上面図のように、それぞれ、高接着性領域２２Ａ、２３Ａ、２４Ａと低接着性領域２２Ｂ、２３Ｂ、２４Ｂを有するとともに、高接着性層２２Ａ、２３Ａ、２４Ａの面積率が、接着性層２１における高接着性領域２１Ａ（図３参照）の面積率より低い、中心から外方に向けて伸びる放射線模様を為すように形成された接着性層２２、２３、２４であってもよい。
更に、網点模様における高接着性領域の大きさは特に限定されず、図７、８、９、１０、１１、１２に示される高接着性領域２５Ａ、２６Ａ、２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａと低接着性領域２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、２８Ｂ、２９Ｂ、３０Ｂとを有するとともに、高接着領域２５Ａ、２６Ａ、２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａの大きさを、接着性層１１における高接着性領域１１Ａ（図２参照）から変更した接着性層２５、２６、２７、２８、２９、３０であってもよい。

前述した実施形態において、本発明の接着性組成物より形成される接着性層は、デバイスウエハの仮接着の前に、キャリア基板の上に設けられることにより接着性支持体を構成したが、先ず、剥離層の上に設けられることにより仮接合層が形成してもよく、この場合、仮接合層における接着性層及び剥離層がそれぞれキャリア基板及びデバイスウエハに接着されている。

例えば、パターン露光に使用されるマスクは、バイナリマスクであっても、ハーフトーンマスクであっても良い。

また、露光は、マスクを介したマスク露光としたが、電子線等を用いた描画による選択的露光であっても良い。

また、前述した実施形態において、被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に、前記仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有することが好ましい。

また、前述した実施形態において、接着性層は単層構造であるが、接着性層は多層構造であってもよい。多層構造の接着性層を形成する方法としては、活性光線又は放射線を照射する前に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を段階的に塗布する方法や、活性光線又は放射線を照射した後に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を塗布する方法などが挙げられる。接着性層が多層構造である形態において、例えば、接着性層が、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により接着性が減少する接着性層である場合には、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により、各層間の接着性を減少させることにより、接着性層全体としての接着性を減少させることもできる。

また、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持される被処理部材として、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において、機械的又は化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であっても良い。
例えば、被処理部材としては、化合物半導体基板を挙げることもでき、化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、及び、ＧａＮ基板などが挙げられる。

更に、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持されたシリコン基板に対する機械的又は化学的な処理として、シリコン基板の薄膜化処理、及び、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。

その他、前述した実施形態において例示した、マスクにおける光透過領域及び遮光領域、接着性層における高接着性領域及び低接着性領域、並びに、デバイスウエハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は、本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。

＜接着性支持体の形成＞
４インチＳｉウエハに下記表１記載に示す組成の各液状接着性組成物を、スピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製 Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ１００、１２００ｒｐｍ、３０秒）により塗布したのち、表1に記載のベーク条件でベークし、厚さ１０μｍの接着性層が設けられたウエハ１（すなわち接着性支持体）を形成した。さらに、ウエハ１の接着性層の側から、ＵＶ露光装置（浜松ホトニクス製 ＬＣ８）を用いて、光透過領域と遮光領域とが網点模様を為すとともに、網点模様における網点域が遮光領域とされたフォトマスクを介して、接着性層を網点画像用に２０００ｍＪ／ｃｍ²で露光した。露光は、実施例の各々において、下記表３に示すように、フォトマスクの網点域（遮光領域）の形状を変更することにより実施した（表３には、各フォトマスクにおける光透過領域の面積率についても示した）。尚、接着性層の表面上の網点域（高接着性領域）が為す模様は、図２に準ずる模様である。

表１、表２中に記載の化合物は、以下の通りである。

Ｓ１：メチルアミルケトン
Ｓ２：ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコール１-モノメチルエーテル２-アセタート）
Ｓ３：リモネン
Ｓ４：１−ドデセン

〔バインダー〕
樹脂（１）：エスチレン ＭＳ２００ＮＴ（新日鐵化学製ＭＳ樹脂）
樹脂（２）：Ｚｅｏｎｅｘ４８０Ｒ（日本ゼオン製シクロオレフィン樹脂）
樹脂（３）：Ｂｕｎａ ＥＰ Ｔ６２５０（ＬＡＮＸＥＳＳ製エチレン−プロピレン三元重合体ゴム）
樹脂（４）：ＥａｓｔｏｔａｃＨ１４２ｗ（イーストマンケミカル製炭化水素樹脂）

〔光重合開始剤〕
光重合開始剤（１）：ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ（日本化薬社製、２，４−ジメチルチオキサントン）

〔熱重合開始剤〕
熱重合開始剤（１）：パーブチルＺ（日油（株）製、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート）

＜被処理部材の作製＞
表面に高さ１０μｍ、直径５０μｍのＣｕ電極を２００μｍ間隔で形成した４インチＳｉウエハの電極が存在する側に、下記表２記載に示す組成の各液状剥離層組成物をスピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製 Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ１００、１２００ｒｐｍ、３０秒）により塗布したのち、表２に記載の条件でベークし、厚さ２０μｍの剥離層が設けられたウエハ２（すなわち被処理部材）を形成した。尚、ベークは２段階に分けて行った。具体的には１度目のベークは、表２の上段に記載の温度及び時間にて行い、２度目のベークは、表２の下段に記載の温度及び時間にて行った。
軟化点は粘弾性測定装置Ｒｈｏｓｏｌ−Ｇ１０００（ＵＢＭ社製）により測定した。具体的には、剥離層の軟化点は、一定昇温条件下で粘弾性測定装置を用いて測定された損失正接（ｔａｎδ）が極大となる温度として測定される。実施例においては、粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ５０００を用い、昇温速度を５℃／ｍｉｎとして、剥離層の温度を２５℃〜５００℃まで昇温し、剥離層に対してひずみ角０．０５度のひずみを１Ｈｚの周期で与えて測定した。

樹脂（１）：Ｄｕｒｉｍｉｄｅ １０（富士フイルム製、ポリイミド樹脂）
樹脂（２）：ＵｌｔｒａｓｏｎＥ６０２０（ＢＡＳＦ社製、ポリエーテルスルホン樹脂）
樹脂（３）：ＭＲＳ０８１０Ｈ（佐藤ライト工業製、ポリベンズイミダゾール樹脂）
樹脂（４）：セルロースアセテート（アルドリッチ製、分子量７万）
樹脂（５）：クリアロンＰ−１３５（ヤスハラケミカル（株）製、炭化水素樹脂）
樹脂（６）：ＴＯＰＡＳ ５０１３（ポリプラスチック（株）製、炭化水素樹脂）
樹脂（７）：ＰＣＺ−３００（三菱ガス化学（株）製、ポリカーボネート樹脂）
樹脂（８）：ＡＰＥＣ９３７９（ＢＡＹＥＲ（株）製、ポリカーボネート樹脂）
ＴＯＴＭ：可塑剤、芳香族多価カルボン酸エステル（大八化学社製）
ＤＩＤＡ：可塑剤、脂肪酸エステル（大八化学社製）

各酸化防止剤の窒素気流下、２０℃／分の一定速度昇温条件のもと測定された際に重量が１質量％減少する温度は以下の通りであった。
Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０（ＢＡＳＦ社製）：３００℃
Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０（ＢＡＳＦ社製）：２９０℃
Ｉｒｇａｎｏｘ１７２６（ＢＡＳＦ社製）：２５５℃
ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ ＴＰＭ（住友化学製）：２００℃

樹脂溶液９〜１２を用いて剥離層を形成したウエハ２を、下記表に記載の温度で３０分加熱した後、アニソールに浸漬させ、ウエハ２から剥離層がともに除去されるまでの時間を測定した。結果を下記表に示す。

＜接着性試験片の作成＞
下記表に記載の組み合わせでウエハ１とウエハ２を熱圧着することで試験片を作製した。

［圧着］
表面に何も塗布していない４インチＳｉウエハ又は剥離層付き４インチＳｉウエハ（以降ウエハ２とする）を分割し、２０ｍｍ×３０ｍｍのサンプル片とした。同様に分割した２０ｍｍ×３０ｍｍのウエハ１のサンプル片を、その接着性層が、表面に何も塗布していないウエハ又はウエハ２の剥離層に対して２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形で接触するように重ね、２５℃で２０Ｎ／ｃｍ²で５分間加圧接着した。

［ベーク］
加圧接着後、下記表記載の温度で加熱した。

＜積層体試験片の接着力測定＞
作製された試験片のせん断接着力を、引っ張り試験機（ＩＭＡＤＡ製）を用いて、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に沿った方向に引っ張り測定した。結果を下記表に示す。

＜積層体試験片の剥離力・耐熱剥離力測定＞
作製されたサンプル片を、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に垂直な方向に引っ張り測定した（剥離力の測定）。また、作成されたサンプルを下記表記載の温度で３０分加熱したのち、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に垂直な方向に引っ張り測定した（プロセスの最高到達温度下に置かれたことを想定した、耐熱剥離力の測定）。結果を下記表に示す。

＜積層体試験片の接合層除去性評価（実施例７〜１１）＞
作製されたサンプル片を剥離した後、ウエハ２をアニソールに浸漬させ、ウエハ２から接着性層・剥離層がともに除去されるまでの時間を測定した。

＜積層体試験片のクラック性評価（実施例１２〜１４）＞
作製されたサンプル片を剥離した後、ウエハ２の剥離層表面を目視で観察した。剥離層にクラックが全体的に生じていれば１点、部分的に生じていれば２点、まったく生じていなければ３点としてクラック評価した。

以上のように、剥離層を有していない比較例１は接着性は得られるもの剥離性が不十分であり、接着性層を有していない比較例２は接着性が不十分であり、剥離層と、接着性層とを有しているが、接着性層の表面に接着性の異なる２種類以上の領域を持たない比較例３は、接着性は得られるものの剥離性が不十分であった。これに対して、実施例１〜４においては、本発明の仮接合層において、剥離層の軟化点が１７０℃以上であり、接着性層が活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層であることにより、高温（より具体的には、１３０℃〜３７０℃）でのプロセスを経ても接着性と剥離性を両立できることが分かった。
換言すれば、高温域（具体的には、１３０℃〜３７０℃）に最高到達温度を有するプロセスを実施する場合において、適用する最高到達温度より高い軟化点を有する剥離層を採用した実施例１〜４は、接着性と剥離性とを両立できることが分かった。
また、比較例４は剥離性は改善されるものの、剥離層の軟化点が、加熱処理における最高到達温度である１５０℃よりも低い（具体的には１００℃）ため、加熱プロセス後の剥離性が悪化しており、耐熱剥離力が不足していることがわかった。
また、実施例１０、１１のように剥離層に酸化防止剤を添加することにより、加熱による剥離層の酸化をより効果的に抑制し、剥離液による剥離層除去性の向上と剥離液のゲル状物による汚染の抑制がより効果的に発揮されることが分かった。
また、実施例１３、１４のように剥離層に可塑剤を添加することにより、剥離時の応力により生じるクラックを効果的に抑制できることがわかった。

１１、２１〜３０、１１’ 接着性層
１１Ａ、２１Ａ〜３０Ａ 高接着性領域
１１Ｂ、２１Ｂ〜３０Ｂ 低接着性領域
１２ キャリア基板
６０ デバイスウエハ
６０’ 薄型デバイスウエハ
６１、 シリコン基板
６１ａ シリコン基板の表面
６１ｂ シリコン基板の裏面
６１ｂ’ 薄型デバイスウエハの裏面
６２ デバイスチップ
６３ バンプ
７０ テープ
７１ 剥離層
８０ 仮接合層
１００、１００’ 接着性支持体

Claims (6)

1. 被処理部材の第１の面と基板とを、（Ａ）剥離層と（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層を介在するように接着させる工程、前記被処理部材に対して、１３０℃〜３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に、前記仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有し、
   前記剥離層が、前記加熱処理での最高到達温度より高い軟化点を有する層であり、酸化防止剤を含み、かつ、１７０℃以上の軟化点を有する層であり、
   前記接着性層は、活性光線又は放射線の照射により接着性が増大又は減少する層であり、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を有する層である半導体装置の製造方法。
2. 前記剥離層の軟化点が１７０℃〜４５０℃の範囲内である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記剥離層が熱可塑性樹脂を含有する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記熱可塑性樹脂が、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱可塑性樹脂である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記熱可塑性樹脂が、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱可塑性樹脂である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記接着性層がバインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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