CN107623081B

CN107623081B - 有机发光装置

Info

Publication number: CN107623081B
Application number: CN201710569164.XA
Authority: CN
Inventors: 高熙周
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-07-13
Filing date: 2017-07-13
Publication date: 2021-03-19
Anticipated expiration: 2037-07-13
Also published as: CN107623081A; KR102611206B1; US20180019408A1; KR20180007735A; US10396296B2

Abstract

有机发光装置包括：电极和各自包括发光层的发光单元；以及电荷产生层，所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，置于每对邻近的发光单元之间。由发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长可以不同于由发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长，n型电荷产生层可具有功函为约2.0eV至约4.5eV的含金属材料，且p型电荷产生层可由空穴传输材料形成，空穴传输材料的HOMO能级的绝对值大于约5.5eV，且空穴传输材料的LUMO能级的绝对值小于邻近于p型电荷产生层的发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

Description

有机发光装置

相关申请的交叉引用

于2016年7月13日向韩国知识产权局提交的标题为“有机发光装置”的韩国专利申请第10-2016-0088853号通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及有机发光装置。

背景技术

有机发光装置为可用于产生全色图像的自发光装置，并且可提供具有宽的视角、高的对比度和短的响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的显示器。

作为实例，这样的有机发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发光层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区向发光层移动，且由第二电极提供的电子可穿过电子传输区向发光层移动。载流子(诸如空穴和电子)可在发光层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

发明内容

本发明的实施方式涉及有机发光装置，其包括第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及置于所述第一电极和所述第二电极之间的堆叠的多个发光单元(每个发光单元包括发光层)；以及电荷产生层，所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，并置于每对邻近的发光单元之间。由发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长可不同于由发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长，至少一个n型电荷产生层由具有功函为约2.0eV至约4.5eV的含金属材料组成，所述含金属材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合，且至少一个p型电荷产生层可包括空穴传输材料，邻近于包括所述空穴传输材料的所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区，所述空穴传输区包括空穴传输层，所述空穴传输材料的最高占有分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于约5.5eV，并且所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道(LUMO)能级的绝对值小于邻近于所述p型电荷产生层的发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：

图1至图5说明了根据示例性实施方式的有机发光装置的结构的示意图；

图6说明了显示根据实施例1和对比例1制备的有机发光装置的取决于驱动电压(V)的电流密度(mA/cm²)的图表；

图7说明了显示根据实施例1和对比例1制备的有机发光装置的取决于亮度的发光效率(cd/A)的图表；

图8说明了显示根据实施例2和对比例2-4制备的有机发光装置的取决于电压(V)的电流密度(J(mA/cm²))的图表；

图9说明了显示根据实施例2和对比例2制备的有机发光装置的横向泄露电流(lateral leakage current)相对于驱动时间的图表；和

图10说明了显示根据实施例3和实施例4以及对比例5制备的有机发光装置的取决于电压(V)的电流密度(J(mA/cm²))的图表。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图更充分地描述示例性实施方式；然而它们可以不同的形式体现并且不应当被解释为限于本文阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式，从而本公开将是彻底的和完整的，并且将为本领域技术人员充分地传达示例性实施方案。在附图中，为了清楚说明可放大层和区的尺寸。通篇相同的参考编号指代相同的元件。

如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任何和所有组合。表述如“……中的至少一个”当在一系列要素之后时，指示整列要素而不指代该列的单个要素。

根据示例性实施方式，根据一个实施方式的有机发光装置可包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

置于所述第一电极和所述第二电极之间且包括至少一个发光层的m个发光单元；以及

置于m个发光单元中的两个邻近的发光单元之间且包括n型电荷产生层和p型电荷产生层的m-1个电荷产生层，

其中m表示2或更大的整数，

由选自m个发光单元中的至少一个发光单元发出的光的最大强度的波长不同于由选自其余的发光单元中的至少一个发光单元发出的光的最大强度的波长，

选自m-1个n型电荷产生层的至少一个由含金属材料组成，

所述含金属材料具有在约2.0eV至约4.5eV的范围内的功函，

所述含金属材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合，

选自m-1个p型电荷产生层的至少一个包括空穴传输材料，

邻近于所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区，所述p型电荷产生层包括空穴传输材料，

所述空穴传输区包括空穴传输层，

所述p型电荷产生层的空穴传输材料的最高占有分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于约5.5eV，并且

所述p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道(LUMO)能级的绝对值小于邻近于所述p型电荷产生层的至少一个发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

图1为根据一个实施方式的有机发光装置10的示意图。在图1中，有机发光装置10包括第一电极110，面对第一电极110的第二电极190，置于第一电极110和第二电极190之间的m个发光单元153(m大于或等于2)，以及置于m个发光单元153中的两个邻近的发光单元153之间且包括n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"的m-1个电荷产生层155。

发光单元可包括，例如，一个或多个发光层。在一些实施方式中，除了一个或多个发光层之外，发光单元可进一步包括有机层。

有机发光装置10可包括彼此堆叠在其上的m个发光单元153，其中m表示2或更大的整数。根据期望的装置结构可选择表示发光单元153的数量的m。例如，有机发光装置10可包括2、3、4或5个发光单元153。

在一个实施方式中，由选自m个发光单元153的至少一个发光单元发出的光的最大发光波长或最大强度的波长可不同于选自其余发光单元153的至少一个发光单元发出的光的最大发光波长或最大强度的波长。例如，在有机发光装置10中，其中第一发光单元和第二发光单元以所陈述的顺序堆叠，由第一发光单元发出的光的最大强度的波长可不同于由第二发光单元发出的光的最大强度的波长。

第一发光单元和第二发光单元的每个中包括的发光层可具有，例如，i)由单种材料形成的单层结构，ii)由多种不同的材料形成的单层结构，或者iii)具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。因此，由第一发光单元发出的光或由第二发光单元发出的光可为单色光或混合的彩色光。例如，在有机发光装置10中，其中第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元以所陈述的顺序堆叠，由第一发光单元发出的光的最大强度的波长可与由第二发光单元发出的光的最大强度的波长相同，但可不同于由第三发光单元发出的光的最大强度的波长。在另一实施中，由第一发光单元发出的光的最大强度的波长、由第二发光单元发出的光的最大强度的波长和由第三发光单元发出的光的最大强度的波长可彼此不同。

有机发光装置10可包括在m个发光单元153中的两个邻近的发光单元153之间的电荷产生层155。

如本文使用的表述“邻近的”可指在这些层中最靠近的层的布置关系，其中最靠近的层被称为邻近的层。例如，本文使用的表述“两个邻近的发光单元”可指在多个发光单元中彼此最靠近布置的两个发光单元的布置关系。本文使用的表述“邻近的”可指这样的情况：当两个层物理接触时的情况，或当另一个层置于两个层之间的情况。例如，邻近于有机发光装置10的第二电极190的发光单元153可指在多个发光单元153中最靠近有机发光装置10的第二电极190布置的发光单元153。

在一个实施方式中，第二电极190和发光单元153可物理接触，但在一个或多个实施方式中，除了发光单元153以外的层可布置在第二电极190和发光单元153之间。例如，电子传输层可布置在第二电极190和发光单元153之间。在图1中，电荷产生层155布置在两个邻近的发光单元153之间。

本文使用的电荷产生层155可指通过产生用于两个邻近的发光单元153中的一个的电子而用作阴极且通过产生用于两个邻近的发光单元153中的另一个的空穴而用作阳极的层，其中电荷产生层155不直接连接至电极，但将彼此邻近的发光单元153分开。包括m个发光单元153的有机发光装置10可包括m-1个电荷产生层155，例如，以交叉(interleaved)堆叠的m-1个电荷产生层155。

电荷产生层155可包括n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"。在此，n型电荷产生层155'可直接接触p型电荷产生层155"以形成NP结。

通过NP结，电子和空穴可同时在n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"之间产生。然后所形成的电子可经n型电荷产生层155'传输至两个邻近的发光单元153中的一个。然后所形成的空穴可经p型电荷产生层155"传输至两个邻近的发光单元153中的另一个。

电荷产生层155可包括一个n型电荷产生层155'和一个p型电荷产生层155"，因此，包括m-1个电荷产生层155的有机发光装置10可具有m-1个n型电荷产生层155'和m-1个p型电荷产生层155"。

本文使用的术语“n型”可指n型半导体的特性，即，可指电子注入或传输特性。本文使用的术语“p型”可指p型半导体的特性，即，可指空穴注入或传输特性。

在一个实施方式中，选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个可由含金属材料组成。

在一个实施方式中，含金属材料可具有在约2.0eV至约4.5eV范围内的功函。在一个实施方式中，含金属材料可具有在例如约2.5eV至约4.0eV、约2.5eV至约3.0eV等范围内的功函。

含金属材料可为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合。

在一个实施方式中，当选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个包括金属作为含金属材料时，这样的金属的实例可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属、后过渡金属及其组合。

在一个实施方式中，当选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个包括金属氧化物作为含金属材料时，这样的金属氧化物的实例包括碱金属氧化物。

在一个实施方式中，当选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个包括金属卤化物作为含金属材料时，这样的金属卤化物的实例包括碱金属卤化物。

在一个实施方式中，含金属材料可包括选自镱(Yb)、银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)、镁(Mg)、锂(Li)、RbI、钛(Ti)、铷(Rb)、钠(Na)、钾(K)、钡(Ba)、锰(Mn)和YbSi₂中的至少一个。在一个实施方式中，含金属材料可包括选自Yb、Ag和Al中的至少一个。

参考图1，选自m-1个p型电荷产生层155"中的至少一个可包括空穴传输材料，且邻近于包括空穴传输材料的p型电荷产生层155"的发光单元153可包括空穴传输区。空穴传输区可包括空穴传输层153a。包括空穴传输材料的p型电荷产生层155"可邻近于空穴传输层153a。

在一个实施方式中，p型电荷产生层155"的空穴传输材料的最低未占有分子轨道(LUMO)能级的绝对值可小于邻近于p型电荷产生层155"的至少一个发光单元153的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。在一个实施方式中，p型电荷产生层155"的空穴传输材料的LUMO能级的绝对值可为约2.8eV或更小。

在一个实施方式中，p型电荷产生层的空穴传输材料的最高占有分子轨道(HOMO)能级的绝对值可等于或大于邻近于p型电荷产生层155"的至少一个发光单元153的空穴传输区的空穴传输层的HOMO能级的绝对值。在一个实施方式中，p型电荷产生层155"的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可大于邻近于p型电荷产生层155"的至少一个发光单元153的空穴传输区的空穴传输层的HOMO能级的绝对值。

在一个实施方式中，p型电荷产生层155"中的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可大于约5.5eV。在一个实施方式中，p型电荷产生层155"中的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可大于约5.5eV，且可为约7.0eV或更小。在一个实施方式中，p型电荷产生层155"中的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可为大于约5.5eV至约6.0eV或更小。

在一个实施方式中，p型电荷产生层155"中的空穴传输材料可选自不含氰基的化合物，并具有大于约5.5eV但小于或等于约7.0eV的HOMO能级的绝对值。例如，p型电荷产生层155"中的空穴传输材料可选自含氨化合物和含咔唑化合物，各自具有大于约5.5eV但小于或等于约7.0eV的HOMO能级的绝对值。

如本文所用的术语“含氨化合物”可指包括至少一个氨基的化合物，其实例包括含一个氨基的一元胺化合物和含两个氨基的二元胺化合物。如本文所用的术语“含咔唑化合物”可指具有至少一个咔唑基的化合物，其实例包括含两个咔唑基的双咔唑化合物。

在一个实施方式中，空穴传输材料可选自由式201、式202和式301-2表示的组中：

<式201>

<式202>

<式301-2>

在式201、式202和式301-2中，

A₃₀₁至A₃₀₄可各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，

X₃₀₁可为O、S或N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]，

L₂₀₁至L₂₀₄以及L₃₀₁至L₃₀₄可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

L₂₀₅可选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、取代或未取代的C₁-C₂₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₂₀亚烯基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xa1至xa4可各自独立地为0至3的整数，

xa5可为1至10的整数，

xb1至xb4可为0至5的整数，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

R₂₀₁至R₂₀₄以及Q₂₀₁可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，

R₃₀₁至R₃₀₄可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)和-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

R₃₁₁至R₃₁₄可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，以及

Q₃₁至Q₃₃和Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

与p型电荷产生层155"中的空穴传输材料相比，NPD或NPB(参见以下NPB的结构)具有不大于约5.5eV的HOMO能级的绝对值。

在一个实施方式中，在式301-2中，

A₃₀₁至A₃₀₄可各自独立地为苯基，且

X₃₀₁可为N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]。

在一个实施方式中，空穴传输材料可选自化合物1至10：

在一个实施方式中，选自m-1个p型电荷产生层155"中的至少一个可由空穴传输材料组成。

在一个实施方式中，n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"的每个的厚度可为约

至约

例如，n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"的每个的厚度可为约

至约

当n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155"的每个的厚度在上述范围内时，在驱动电压没有显著增加下可实现高质量的发光特性。

在一个实施方式中，有机发光装置10可进一步包括至少一个第一电子传输层，其置于选自m-1个n型电荷产生层155'中的至少一个和邻近于选自m-1个n型电荷产生层155'中的至少一个的发光单元153之间。第一电子传输层可包括例如电子传输材料和含金属材料，该含金属材料可包括金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合。第一电子传输层可促进n型电荷产生层155'和发光单元153之间的电子传输，从而改善有机发光装置10的效率。

在一个实施方式中，在第一电子传输层中，电子传输材料的量可大于含金属材料的量。在一个实施方式中，在第一电子传输层中，相对于电子传输材料的量，含金属材料的量可为约0.1％至约5％。

在一个实施方式中，电子传输材料可为包括至少一个π电子耗尽的含氮环的有机化合物。术语“π电子耗尽的含氮环”将在以下结合电子传输区描述。

电子传输材料可为包括例如以下的有机化合物：咪唑环、吡唑环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吲唑环、嘌呤环、喹啉环、异喹啉环、苯并喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、菲啶环、吖啶环、菲咯啉环、吩嗪环、苯并咪唑环、异苯并噻唑环、苯并噁唑环、异苯并噁唑环、三唑环、四唑环、噁二唑环、三嗪环、噻二唑环、咪唑并吡啶环、咪唑并嘧啶环和氮杂咔唑环等。在一个实施方式中，电子传输材料可为包括至少一个选自以下的有机化合物：三唑环、噁二唑环、苯并咪唑环、菲咯啉环、咪唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环。

在一个实施方式中，电子传输材料可由式1表示：

<式1>

[Ar₁]_c1-[(L₁)_a1-R₁]_b1

在式1中，

Ar₁可为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

c1可为1、2或3，其中，当c1为2或更大时，两个或多个Ar₁可彼此相同或彼此不同，并且可经单键彼此连接，

L₁可选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

a1可为0至5的整数，其中，当a1为0时，*-(L₁)_a1-*'可为单键，并且当a1为2或更大时，两个或多个L₁可彼此相同或不同，

R₁可选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)和-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，其中Q₁至Q₃可各自独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，且

b1可为1至5的整数，其中，当b1为2或更大时，两个或更多个(L₁)_a1-R₁可彼此相同或不同。

在一个实施方式中，在式1中，

Ar₁可选自：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、吡啶并喹唑啉基和苯并咪唑并喹唑啉基；和

各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、吡啶并喹唑啉基和苯并咪唑并喹唑啉基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

L₁可选自：

亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；和

各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，且

R₁可选自：

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基和吡啶并萘啶基；

各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基和吡啶并萘啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

-S(＝O)₂(Q₁)和-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，其中Q₁、Q₂和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。

第一电子传输层中包括的含金属材料可如本文所限定的。

在一个实施方式中，选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个中包括的含金属材料可与第一电子传输层中包括的含金属材料相同。

在一个实施方式中，选自m-1个n型电荷产生层中的至少一个中包括的含金属材料可不同于第一电子传输层中包括的含金属材料。

根据实施方式的有机发光装置10可进一步包括在第一电子传输层和邻近于第一电子传输层的发光单元之间的第二电子传输层。第二电子传输层可包括电子传输材料。

在一个实施方式中，第二电子传输层中包括的电子传输材料可包括至少一个π电子耗尽的含氮环。例如，第二电子传输层中包括的电子传输材料可包括选自以下中的至少一个：三唑环、噁二唑环、苯并咪唑环、菲咯啉环、咪唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环和三嗪环。

在一个实施方式中，第一电子传输层中包括的电子传输材料可与第二电子传输层中包括的电子传输材料相同。

在一个实施方式中，空穴传输区可进一步包括缓冲层。缓冲层将在以下进一步详细描述。

在根据实施方式的有机发光装置10中，m可为例如，2或3。图2至4各自显示其中m为2的有机发光装置，并且图5显示其中m为3的有机发光装置。

在其中m为2的有机发光装置的实施方式中，

m个发光单元可包括第一发光单元和第二发光单元，

m-1个电荷产生层可包括电荷产生层，

电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，

第一发光单元可设置在第一电极和电荷产生层之间，

第二发光单元可设置在电荷产生层和第二电极之间，

电荷产生层可包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，其中n型电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，并且p型电荷产生层可设置在n型电荷产生层和第二发光单元之间，

n型电荷产生层可由含金属材料组成，

p型电荷产生层可包括空穴传输材料，

第二发光单元可包括空穴传输区，

空穴传输区可包括空穴传输层，

p型电荷产生层可邻近于第二发光单元中的空穴传输层，

p型电荷产生层的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可大于约5.5eV，且

p型电荷产生层的空穴传输材料的LUMO能级的绝对值可小于第二发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

在一个实施方式中，p型电荷产生层的空穴传输材料的LUMO能级的绝对值可等于或大于第二发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

在一个实施方式中，有机发光装置可进一步包括置于n型电荷产生层和第一发光单元之间的第一电子传输层。第一电子传输层可包括电子传输材料和含金属材料，并且含金属材料可为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合。

在一个实施方式中，有机发光装置可进一步包括置于第一电子传输层和第一发光单元之间的第二电子传输层。第二电子传输层可包括电子传输材料。电子传输材料和含金属材料可各自独立地如本文所定义。

在其中m为3的有机发光装置的实施方式中，

m个发光单元可包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，

m-1个电荷产生层可包括第一电荷产生层和第二电荷产生层，

第一电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，

第二电荷产生层可设置在第二发光单元和第三发光单元之间，

第一发光单元可设置在第一电极和第一电荷产生层之间，

第二发光单元可设置在第一电荷产生层和第二电荷产生层之间，

第三发光单元可设置在第二电荷产生层和第二电极之间，

第一电荷产生层可包括第一n型电荷产生层和第一p型电荷产生层，其中第一n型电荷产生层可设置在第一发光单元和第二发光单元之间，且第一p型电荷产生层可设置在第一n型电荷产生层和第二发光单元之间，

第二电荷产生层可包括第二n型电荷产生层和第二p型电荷产生层，其中第二n型电荷产生层可设置在第二发光单元和第三发光单元之间，且第二p型电荷产生层可设置在第二n型电荷产生层和第三发光单元之间，

第一n型电荷产生层或第二n型电荷产生层可由含金属材料组成，

第一p型电荷产生层或第二p型电荷产生层可包括空穴传输材料，

第二发光单元或第三发光单元可包括空穴传输区，

空穴传输区可包括空穴传输层，

第一p型电荷产生层可邻近于第二发光单元中的空穴传输层，或第二p型电荷产生层可邻近于第三发光单元中的空穴传输层，

第一p型电荷产生层或第二p型电荷产生层的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值可大于约5.5eV，且

第一p型电荷产生层的空穴传输材料的LUMO能级的绝对值可小于第二发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值，或第二p型电荷产生层的空穴传输材料的LUMO能级的绝对值可小于第三发光单元的空穴传输层的LUMO能级的绝对值。

当n型电荷产生层由具有约2.0eV至约4.5eV的功函的含金属材料组成时，富电子的含金属材料和邻近于n型电荷产生层的发光单元的电子传输区的电子传输层之间的电子传输可顺利地进行。此外，通过电子传输，邻近于n型电荷产生层和p型电荷产生层之间的界面处的含金属材料可具有正电荷，使得p型电荷产生层内部的极性可分离。

因此，空穴可从p型电荷产生层传输到邻近于p型电荷产生层的发光单元中的空穴传输层而不引入另一p型掺杂剂，并且在这点上，可减少或消除由一般p型掺杂剂引起的电流泄露。

此外，当p型电荷产生层的空穴传输材料的HOMO能级的绝对值大于或等于邻近于p型电荷产生层的空穴传输层的HOMO能级的绝对值时，由于他们之间的HOMO能级的差异，从p型电荷产生层到邻近于p型电荷产生层的空穴传输层的空穴传输可变得更加有利，这可改善发光单元的效率并更有效地降低驱动电压。

此外，当有机发光装置包括第一电子传输层(包括含金属材料和电子传输材料)时，可进一步促进邻近的发光单元之间的电子传输，这可改善有机发光装置的效率。

此外，当有机发光装置进一步包括第二电子传输层(包括电子传输材料)时，可适当控制电子到邻近的发光单元的传输速度，这可改善有机发光装置的寿命。

[图2至5的描述]

图2是其中m为2的根据实施方式的有机发光装置11的示意图。在图2中，有机发光装置11具有包括第一电极110、第一发光单元153-1、电荷产生层155(包括n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155")、第二发光单元153-2(包括空穴传输层153-2a、发光层153-2b和电子传输层153-2c)以及第二电极190的堆叠结构。

图3是其中m为2的根据实施方式的有机发光装置12的示意图。在图3中，有机发光装置12具有包括第一电极110、第一发光单元153-1、第一电子传输层157、电荷产生层155(包括n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155")、第二发光单元153-2(包括空穴传输层153-2a、发光层153-2b和电子传输层153-2c)以及第二电极190的堆叠结构。

图4是其中m为2的根据实施方式的有机发光装置13的示意图。在图4中，有机发光装置13具有包括第一电极110、第一发光单元153-1、第二电子传输层159、第一电子传输层157、电荷产生层155(包括n型电荷产生层155'和p型电荷产生层155")、第二发光单元153-2(包括空穴传输层153-2a、发光层153-2b和电子传输层153-2c)以及第二电极190的堆叠结构。

图5是其中m为3的根据实施方式的有机发光装置14的示意图。在图5中，有机发光装置14具有包括第一电极110、第一发光单元153-1、第一电荷产生层155-1(包括第一n型电荷产生层155'-1和第一p型电荷产生层155"-1)、第二发光单元153-2(包括空穴传输层153-2a、发光层153-2b和电子传输层153-2c)、第二电荷产生层155-2(包括第二n型电荷产生层155'-2和第二p型电荷产生层155"-2)、第三发光单元153-3(包括空穴传输层153-3a、发光层153-3b和电子传输层153-3c)以及第二电极190的堆叠结构。

下文将结合图1至图5描述根据实施方式的有机发光装置10、11、12、13和14的结构和制造根据实施方式的有机发光装置10、11、12、13和14的方法。

[第一电极110]

在图1至图5中，基板可另外布置在第一电极110下或第二电极190上。基板可为例如，玻璃基板或透明塑料基板，其可提供优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易操作性和耐水性。

第一电极110可通过例如在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可选自具有高功函的材料以便于空穴注入。

第一电极110可为例如反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)和氧化锌(ZnO)。当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自例如镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)及其组合。

第一电极110可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[有机层150]

有机层150可设置在第一电极110上。有机层150可包括发光单元153、153-1、153-2和153-3中的至少一个。

有机层150可进一步包括空穴传输区和电子传输区，空穴传输区设置在第一电极110与发光单元153、153-1、153-2和153-3中的至少一个之间，电子传输区设置在发光单元153、153-1、153-2和153-3中的至少一个与第二电极190之间。

[有机层150中的空穴传输区]

空穴传输区可具有，例如，i)包括单种材料的单层结构、ii)包括多种不同的材料的单层结构或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区可包括，例如，选自空穴注入层、空穴传输层153-2a或153-3a、发光辅助层和电子阻挡层中的至少一个层。

例如，空穴传输区可具有单层结构或多层结构，所述单层结构包括单个层(包括多种不同的材料)，所述多层结构具有空穴注入层/空穴传输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层的结构、空穴注入层/发光辅助层的结构、空穴传输层/发光辅助层的结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中对于每种结构，构成层以它们所规定的顺序从第一电极110起依次堆叠。

空穴传输区可进一步包括选自例如m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：

<式201>

<式202>

在式201和202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xa1至xa4可各自独立地为0至3的整数，

xa5可为1至10的整数，并且

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团。

例如，在式202中，R₂₀₁和R₂₀₂可任选地通过单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，并且R₂₀₃和R₂₀₄可任选地通过单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。

在一个或多个实施方式中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₅可各自独立地选自：

亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₃₁至Q₃₃可各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个实施方式中，xa1至xa4可各自独立地为0、1或2。

在一个实施方式中，xa5可为1、2、3或4。

在一个实施方式中，R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₃₁至Q₃₃可各自独立地如本文所限定。

在一个实施方式中，在式201中,选自R₂₀₁至R₂₀₃中的至少一个可选自：

芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一个实施方式中，在式202中，i)R₂₀₁和R₂₀₂可通过单键彼此连接和/或ii)R₂₀₃和R₂₀₄可通过单键彼此连接。

在一个实施方式中，在式202中，选自R₂₀₁至R₂₀₄中的至少一个可选自：

咔唑基；以及

被选自以下的至少一个取代的咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由式201A表示：

<式201A>

在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由式201A(1)表示：

<式201A(1)>

在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由式201A-1表示：

<式201A-1>

在一个实施方式中，由式202表示的化合物可由式202A表示：

<式202A>

在一个实施方式中，由式202表示的化合物可由式202A-1表示：

<式202A-1>

在式201A、201A(1)、201A-1、202A和202A-1中，

L₂₀₁至L₂₀₃、xa1至xa3、xa5和R₂₀₂至R₂₀₄可各自独立地如本文中所定义，

R₂₁₁和R₂₁₂可各自独立地如本文中关于R₂₀₃所定义的，并且

R₂₁₃至R₂₁₇可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基。

在一个实施方式中，空穴传输区可包括选自化合物HT1至HT39的至少一个化合物：

空穴传输区的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内；空穴传输层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围的任一个内时，在驱动电压没有显著增加下可获得令人满意的空穴传输特性。

发光辅助层可根据由发光层发射的光的波长补偿光学共振距离，因此可改善所形成的有机发光装置的发光效率。电子阻挡层可阻挡来自电子传输区的电子的注入。发光辅助层和电子阻挡层可包括上文描述的材料。

[p-掺杂剂]

除了上文描述的材料之外，空穴传输区还可包括电荷产生材料以改善导电性。

电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散于空穴传输区中。

电荷产生材料可为例如p-掺杂剂。

在一个实施方式中，p-掺杂剂可具有-3.5eV或更低的LUMO能级。

p-掺杂剂可为选自例如醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的一种。

例如，p-掺杂剂可包括选自以下的至少一种：

醌衍生物，比如四氰醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)；

金属氧化物，比如钨氧化物和钼氧化物；

含氰基的化合物，比如1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)；以及

由式221表示的化合物：

<式221>

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，其中，选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个具有选自以下的取代基：氰基、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C₁-C₂₀烷基、被-Cl取代的C₁-C₂₀烷基、被-Br取代的C₁-C₂₀烷基和被-I取代的C₁-C₂₀烷基。

[有机层150中的发光层153、153-1、153-2或153-3]

在有机发光装置10、11、12、13或14中，发光单元153、153-1、153-2或153-3可包括发光层153-2b或153-3b，其中发光层153-2b或153-3b可具有如下的堆叠结构，其中选自红色发光层、绿色发光层、黄色发光层和蓝色发光层中的至少两个层彼此接触或彼此间隔开。此外，发光层153-2b或153-3b可具有如下的机构：其中选自红色发光材料、绿色发光材料、黄色发光材料和蓝色发光材料中的至少两种材料在单层中彼此混合。

电子传输(ET)-辅助层可进一步形成在发光层153-2b或153-3b之上，和/或空穴传输(HT)-辅助层可形成在发光层153-2b或153-3b之下。HT-辅助层可指用作如上所述的空穴传输层、发光辅助层和/或电子阻挡层的层，并且ET-辅助层可指用作将在以下描述的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的层。适合于HT-辅助层和ET-辅助层的材料可为适合于如上所述的空穴传输区和将在以下描述的电子传输区的材料。

发光层153-2b或153-3b可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括例如磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。

基于100重量份的主体，发光层153-2b或153-3b中的上述掺杂剂的量例如可在约0.01至约15重量份的范围内，但不限于此。

发光层153-2b或153-3b的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当发光层153-2b或153-3b的厚度在这些范围中的任一个内时，在驱动电压无显著增加下可获得优异的发光特性。

[发光层153-2b或153-3b中的主体]

主体可包括由式301表示的化合物：

<式301>

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁可为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

L₃₀₁可选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xb1可为0至5的整数，

R₃₀₁可选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)和-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，并且

xb21可为1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个实施方式中，在式301中，Ar₃₀₁可选自：

萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

在式301中，当xb11大于或等于2时，两个或更多个Ar₃₀₁可通过单键彼此连接。

在一个实施方式中，由式301表示的化合物可由式301-1或301-2表示：

<式301-1>

<式301-2>

在式301-1至301-2中，

X₃₀₁可为O、S或N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]，

R₃₁₁至R₃₁₄可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，并且

L₃₀₁、xb1、R₃₀₁和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地如本文中所限定的，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地如本文中关于L₃₀₁所限定的，

xb2至xb4可各自独立地如本文中关于xb1所限定的，并且

R₃₀₂至R₃₀₄可各自独立地如本文中关于R₃₀₁所限定的。

在一个实施方式中，在式301、301-1和301-2中，L₃₀₁至L₃₀₄可各自独立地选自：

亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₃₁至Q₃₃可各自独立地如本文中所定义的。

在一个实施方式中，在式301、301-1和301-2中，R₃₀₁至R₃₀₄可各自独立地选自：

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₃₁至Q₃₃可各自独立地如本文中所定义。

在一个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可选自铍(Be)络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物和Zn络合物。

在一个实施方式中，主体可包括选自9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和化合物H1至H55中的至少一个：

[有机层150中的发光层153-2b或153-3b中的磷光掺杂剂]

磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属络合物：

<式401>

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

在式401中，

M可选自，例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)和铥(Tm)，

L₄₀₁可选自由式402表示的配位体，

<式402>

在式402中，

xc1可为1、2或3，其中当xc1大于或等于2时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配位体，

xc2可为0至4的整数，其中当xc2大于或等于2时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

X₄₀₁至X₄₀₄可各自独立地为氮或碳，

X₄₀₁和X₄₀₃可通过单键或双键彼此连接，

X₄₀₂和X₄₀₄可通过单键或双键彼此连接，

A₄₀₁和A₄₀₂可各自独立地为C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₄₀₅可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，其中Q₄₁₁和Q₄₁₂可各自独立地为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，

X₄₀₆可为单键、O或S，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，其中Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₂₀芳基和C₁-C₂₀杂芳基，

xc11和xc12可各自独立地为0至10的整数，并且

在式402中，*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

在一个实施方式中，在式402中，A₄₀₁和A₄₀₂可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一个实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或者ii)X₄₀₁和X₄₀₂可各自同时为氮。

在一个实施方式中，在式402中，R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地选自：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

各自被选自以下中的至少一个取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基和降冰片烯基；

环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；

各自被选自以下中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，并且

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基和萘基。

在一个实施方式中，在式401中，当xc1大于或等于2时，两个或更多个L₄₀₁中的两个A₄₀₁可任选地通过作为连接基团的X₄₀₇彼此连接，或者两个或更多个L₄₀₁中的两个A₄₀₂可任选地通过作为连接基团的X₄₀₈彼此连接(参见化合物PD1至PD4和PD7)。X₄₀₇和X₄₀₈可各自独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₃)-*'、*-C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)-*'或*-C(Q₄₁₃)＝C(Q₄₁₄)-*'(其中Q₄₁₃和Q₄₁₄可各自独立地为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)。

在式401中，L₄₀₂可为单价、二价或三价有机配位体。例如，L₄₀₂可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸盐)、-C(＝O)、异腈、-CN和含磷材料(例如，磷化氢或亚磷酸盐)。

在一个实施方式中，磷光掺杂剂可选自，例如，化合物PD1至PD25，但实施方式不限于此：

[发光层153-2b或153-3b中的荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。

荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

<式501>

在式501中，

Ar₅₀₁可为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₅₀₁至L₅₀₃可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xd1至xd3可各自独立地为0至3的整数；

R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，并且

xd4可为1至6的整数。

在一个实施方式中，在式501中，Ar₅₀₁可选自：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个实施方式中，在式501中，L₅₀₁至L₅₀₃可各自独立地选自：

亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基和亚吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基。

在一个实施方式中，在式501中，R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地选自：

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基；以及

各自被选自以下中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基和吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，并且

在一个实施方式中，在式501中，xd4可为2。

在一个实施方式中，荧光掺杂剂可选自化合物FD1至FD22：

在一个实施方式中，荧光掺杂剂可选自以下化合物：

[有机层150中的电子传输区]

电子传输区可具有i)包括单种材料的单层结构、ii)包括多种不同的材料的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。

电子传输区可包括选自缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层153-2c或153-3c以及电子注入层中的至少一个层。

例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层的结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中对于每种结构，构成层从发光层起以它们所规定的顺序依次堆叠，但电子传输区的结构不限于此。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个π电子耗尽的含氮环。

术语“π电子耗尽的含氮环”指包括至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C₁-C₆₀杂环基。

例如，“π电子耗尽的含氮环”可为i)具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团；ii)杂多环基团，其中两个或更多个各自具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团彼此稠合；或者iii)杂多环基团，其中至少一个具有至少一个*-N＝*'部分的五元至七元杂单环基团与至少一个C₅-C₆₀碳环基稠合。

π电子耗尽的含氮环的非限制性实例可包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、异苯并噻唑、苯并噁唑、异苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑。

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物。

<式601>

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁可为取代或未取代的C₅-C₆₀碳环基或取代或未取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

L₆₀₁可选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xe1可为0至5的整数，

R₆₀₁可选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且

xe21可为1至5的整数。

在一个实施方式中，选自xe11个Ar₆₀₁中的至少一个和选自xe21个R₆₀₁中的至少一个可包括如上所述的π电子耗尽的含氮环。

在一个实施方式中，在式601中，环Ar₆₀₁可选自：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

在式601中，当xe11大于或等于2时，两个或更多个Ar₆₀₁可通过单键彼此连接。

在一个实施方式中，在式601中，Ar₆₀₁可为蒽基。

在一个实施方式中，由式601表示的化合物可由式601-1表示：

<式601-1>

在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，并且X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，其中选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地如本文关于L₆₀₁所限定的，

xe611至xe613可各自独立地如本文关于xe1所限定的，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地与如本文关于R₆₀₁所限定的，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。

在一个实施方式中，在式601和601-1中，L₆₀₁和L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地选自：

各自被选自以下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并硅杂环戊二烯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异恶唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基。

在一个实施方式中，在式601和601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

在一个实施方式中，在式601和601-1中，R₆₀₁和R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地选自：

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异恶唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；

各自被选自以下的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及

-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，并且

Q₆₀₁和Q₆₀₂可各自独立地如本文中所定义的。

在一个实施方式中，电子传输区可包括选自化合物ET1至ET36中的至少一个化合物：

在一个实施方式中，电子传输区可包括选自以下中的至少一个化合物：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)、Alq₃、BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ：

缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可例如在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度在这些范围的任一个内时，在驱动电压无显著增加下可获得优异的空穴阻挡特性和/或电子控制特性。

电子传输层的厚度可在例如约

至约

例如，约

至约

的范围内。当电子传输层的厚度在这些范围的任一个内时，在驱动电压无显著增加下可获得令人满意的电子传输特性。

除了上文描述的材料，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)还可包括含金属材料。

含金属材料可包括，例如，选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可包括例如选自以下的金属离子：Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和铯(Cs)离子，并且碱土金属络合物可包括例如选自以下中的金属离子：铍(Be)离子、Mg离子、Ca离子、锶(Sr)离子和钡(Ba)离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的每种配位体可独立地选自例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯。

例如，含金属材料可包括Li络合物。例如，Li络合物可包括，化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，LiQ)或化合物ET-D2：

电子传输区可包括促进来自第二电极190的电子的注入的电子注入层。所述电子注入层可直接接触第二电极190。

电子注入层可具有例如，i)包括单种材料的单层结构、ii)包括多种不同的材料的单层结构或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可包括例如，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合。

碱金属可选自Li、Na、K、Rb和Cs。在一个实施方式中，碱金属可为Li、Na或Cs。在一个实施方式中，碱金属可为Li或Cs。

碱土金属可选自Mg、Ca、Sr和Ba。

稀土金属可选自例如，钪(Sc)、钇(Y)、铈(Ce)、镱(Yb)、钆(Gd)和铽(Tb)。

碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可分别选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。

碱金属化合物可选自碱金属氧化物(比如Li₂O、Cs₂O或K₂O)和碱金属卤化物(比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI和RbI)。在一个实施方式中，碱金属化合物可选自LiF、Li₂O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI。

碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物(比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(0<x<1)和Ba_xCa_1-xO(0<x<1))。在一个实施方式中，碱土金属化合物可选自BaO、SrO和CaO。

稀土金属化合物可选自例如，YbF₃、ScF₃、ScO₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃和TbF₃。在一个实施方式中，稀土金属化合物可选自YbF₃、ScF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃和TbI₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可每个分别包括如上文描述的碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，并且与碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物的金属离子配位的每个配位体可独立地选自例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯。

电子注入层可仅包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合。在各种实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合可均匀地或不均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在例如约

至约

例如，约

至约

的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围中的任一个内时，在驱动电压无显著增加下可获得令人满意的电子注入特性。

[第二电极190]

第二电极190可设置在有机层150上。第二电极190可为例如，阴极，其为电子注入电极，并且在这方面，用于形成第二电极190的材料可选自例如具有相对低的功函的金属、合金、导电性化合物及其混合物。

第二电极190可包括例如，选自以下中的至少一种：Li、Ag、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag、ITO和IZO。第二电极190可为例如，透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极190可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。

在上文中，已经参照图1-5描述了有机发光装置。

构成空穴传输区的层、发光层和构成电子传输区的层可各自使用一种或多种适当的方法在具体区域中形成，所述方法选自例如，真空沉积、旋转涂布、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)法、喷墨打印、激光打印和激光诱导的热成像(LITI)。

当构成空穴传输区的层、发光层和构成电子传输区的层各自通过真空沉积形成时，取决于将要包括在每个层中的化合物和每个层的预期结构，例如，真空沉积可在约100℃至约500℃范围内的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托范围内的真空度和约

/秒至约

/秒范围内的沉积速率下进行。

当构成空穴传输区的层、发光层和构成电子传输区的层各自通过旋转涂布形成时，取决于将要包括在每个层中的化合物和每个层的预期结构，例如，旋转涂布可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的温度下进行。

[取代基的一般定义]

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链饱和脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指C₁-C₆₀烷基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳碳双键的烃基，并且其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指C₂-C₆₀烯基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳碳三键的烃基，并且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指C₂-C₆₀炔基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指C₃-C₁₀环烷基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指具有至少一个选自N、O、Si、P和S的杂原子作为成环原子和1至10个碳原子的单价饱和单环基团，并且其实例包括1,2,3,4-噁三唑啶基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指C₁-C₁₀杂环烷基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳碳双键并且不具有芳香性的单价单环基团，并且其实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指C₃-C₁₀环烯基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环中具有至少一个选自N、O、Si、P和S的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价单环基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指C₁-C₁₀杂环烯基的二价基团。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指包括具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团，并且如本文中使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有含6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基的实例为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠接。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有碳环芳族体系(除了1至60个碳原子以外，具有至少一个选自N、O、Si、P和S的杂原子作为成环原子)的单价基团。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有碳环芳族体系(除了1至60个碳原子以外，具有至少一个选自N、O、Si、P和S的杂原子作为成环原子)的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基的实例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠接。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”表示为-O-A₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文中使用的C₆-C₆₀芳硫基表示为-S-A₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文中使用的术语“单价的非芳族稠合多环基团”指这样的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或更多个环，仅碳原子作为成环原子，并且整个分子结构是非芳香性的。单价的非芳族稠合多环基团的实例包括芴基。本文中使用的术语“二价的非芳族稠合多环基团”指单价的非芳族稠合多环基团的二价基团。

如本文中使用的术语“单价的非芳族稠合杂多环基团”指这样的单价基团(例如，具有2至60个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或更多个环，除了碳原子以外，还具有选自N、O、Si、P和S中的杂原子作为成环原子，并且整个分子结构不具有芳香性。单价的非芳族稠合杂多环基团的实例包括咔唑基。本文中使用的术语“二价的非芳族稠合杂多环基团”指单价的非芳族稠合杂多环基团的二价基团。

如本文中使用的术语“C₅-C₆₀碳环基”指仅具有碳原子作为成环原子(例如，5至60个碳原子)的单环或多环基团。C₅-C₆₀碳环基可为芳族碳环基或非芳族碳环基。C₅-C₆₀碳环基可为苯环、单价基团(比如苯基)或二价基团(比如亚苯基)。在一个实施方式中，取决于连接到C₅-C₆₀碳环基的取代基的数量，C₅-C₆₀碳环基可为三价基团或四价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”指与C₅-C₆₀碳环基具有相同结构的基团，但是除了碳(例如，1至60个碳原子)以外，包括选自N、O、Si、P和S中的至少一个杂原子作为成环原子。

选自取代的C₅-C₆₀碳环基、取代的C₁-C₆₀杂环基、取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代的二价的非芳族稠合多环基团、取代的二价的非芳族稠合杂多环基团、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀环烷基、取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代的C₃-C₁₀环烯基、取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代的单价的非芳族稠合杂多环基团的取代基中的至少一个取代基可选自：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基；

各自被选自以下的至少一个取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)和-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)；

C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团；

各自被选自以下的至少一个取代的C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团和单价的非芳族稠合杂多环基团：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)和-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)；以及

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。

如本文中使用的表述“Ph”指苯基，如本文中使用的表述“Me”指甲基，如本文中使用的表述“Et”指乙基，如本文中使用的表述“ter-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文中使用的表述“OMe”指甲氧基。

如本文中使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换言之，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文中使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换言之，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另有定义，本文中使用的符号*和*'，指在相应的式中与相邻原子的结合位点。

为了强调一个或多个实施方式的特性，提供以下实施例和对比例，但是可以理解的是，这些实施例和对比例不应被解释为限制实施方式的范围，这些对比例也不应被解释为在实施方式的范围之外。进一步，可以理解的是，实施方式不限于实施例和对比例中描述的特定细节。在描述合成例中使用的表述“使用B代替A”可指使用相同摩尔当量的B代替摩尔当量的A。

[实施例]

实施例1

作为基板和阳极，将具有15Ω/cm²

厚度的ITO玻璃基板(康宁有限公司的产品)切割成50mm×50mm×0.7mm的大小，使用异丙醇和纯水超声清洗各5分钟，通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洁，将所得ITO玻璃基板安装在真空沉积设备上。

将TATC

HAT-CN

和NPB

以所规定的顺序依次沉积在ITO玻璃基板上以形成空穴传输区。

将化合物HT1

沉积在空穴传输区上以形成HT-辅助层，将AND和DPAVBi(具有约5wt％的量)共沉积在HT-辅助层上以形成具有约

厚度的发光层，并且将Alq₃

沉积在发光层上以形成ET-辅助层，从而形成第一发光单元。

然后，将Yb(具有约2wt％的量)沉积在第一发光单元上以形成具有

厚度的n型电荷产生层，并且将化合物1

沉积在n型电荷产生层上以形成p型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。

将化合物HT1

沉积在第一电荷产生层上以形成HT-辅助层，将CBP和(BT)₂Ir(acac)(具有约15wt％的量)共沉积在HT-辅助层上以形成具有

厚度的发光层，并且将Alq₃

沉积在发光层上以形成ET-辅助层，从而形成第二发光单元。

然后，将Alq₃

沉积在第二发光单元上以形成电子传输层，并且将LiF

沉积在电子传输层上以形成电子注入层，从而形成电子传输区。

将Al

沉积在电子传输区上以形成阴极，从而完成有机发光装置的制造。

对比例1

以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置，除了将化合物ET1和Li(具有约10wt％的量)用作用于形成n型电荷产生层的材料，并且将HATCN用作用于形成p型电荷产生层的材料。

评估例1

测量实施例1和对比例1每个的有机发光装置的取决于驱动电压(V)的电流密度(mA/cm²)和取决于亮度的发光效率(cd/A)，并且其结果示于表1以及图6和图7中。

[表1]

参考图6和图7以及表1，可以确认与对比例1的有机发光装置的驱动电压和发光效率相比，实施例1的有机发光装置在降低驱动电压和增加发光效率方面具有改善的效果。此外，可以确认实施例1的发光装置显示出电流泄露的减少。

实施例2

以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置，除了沉积Al以形成具有约2nm厚度的n型电荷产生层，并且沉积化合物2以形成p型电荷产生层：

对比例2

以与实施例2中相同的方式制造有机发光装置，除了沉积HATCN以形成p型电荷产生层。

对比例3

以与实施例2中相同的方式制造有机发光装置，除了沉积m-MTDATA(具有约5.1eV的HOMO能级的绝对值)以形成p型电荷产生层。

对比例4

以与实施例2中相同的方式制造有机发光装置，除了以5:5的比率共沉积HATCN和m-MTDATA以形成p型电荷产生层。

评估例2

测量实施例2和对比例2-4每个的有机发光装置的取决于电压(V)的电流密度(J(mA/cm²))，其结果示于表2以及图8中，测量实施例2和对比例2-4每个的有机发光装置的相对于驱动时间的横向泄露电流，并且其结果示于表2以及图9中。在此，寿命(T₉₈)是有机发光装置达到其初始亮度的约98％所需要的驱动时间。

[表2]

参考表2以及图8和图9，可以确认与对比例2的有机发光装置相比，实施例2的有机发光装置保持了电流特性并呈现出长的寿命。此外，可以确认实施例2的有机发光装置显示出横向泄露电流的减少，从而增加了表面电阻同时降低了导电性。

此外，参考图8，可以确认与对比例2和对比例3的有机发光装置相比，实施例2的有机发光装置呈现出优异的电流特性。

实施例3

以与实施例2中相同的方式制造有机发光装置，除了沉积Yb以形成具有约2nm厚度的n型电荷产生层。

实施例4

以与实施例3中相同的方式制造有机发光装置，除了在n型电荷产生层之下形成包括98:2比率的ET1和Yb的厚度为约10nm的第一电子传输层。

对比例5

以与实施例3中相同的方式制造有机发光装置，除了在第一发光单元上沉积ET1和Li(具有10wt％的量)以形成具有约

厚度的n型电荷产生层。

评估例3

测量实施例3和实施例4以及对比例5每个的有机发光装置的取决于电压(V)的电流密度(mA/cm²)，并且其结果示于表3以及图10中。

[表3]

参考表3和图10，可以确认与对比例5的有机发光装置相比，实施例3和实施例4的有机发光装置显示出改善的电流密度和效率。

尤其是，与对比例5的有机发光装置相比，实施例4的有机发光装置显示出显著降低的驱动电压，因此，可以确认进一步包括第一电子传输层和第二电子传输层的有机发光装置的驱动电压可显著降低。

如上所述，本申请的实施方式可提供具有低驱动电压、高效率和长寿命的有机发光装置。

已经公开了示例性实施方式，尽管采用了具体术语，但是使用它们并且目的是仅在一般意义和描述性意义上进行解释，而不是限制性的目的。在一些例子中，如在提交本申请时对于本领域普通技术人员显然的是，结合特定实施方式描述的特征和/或要素可单独使用或结合其他实施方式的特征、特性和/或要素结合使用，除非另有具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如权利要求书中解释的本发明的精神和范围的情况下，可作出形式上和细节上的各种改变。

Claims

1.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

置于所述第一电极和所述第二电极之间的堆叠的多个发光单元，每个发光单元包括发光层；以及

电荷产生层，所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，所述电荷产生层置于每对邻近的发光单元之间，其中：

由所述发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长不同于由所述发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长，

至少一个n型电荷产生层由具有功函为2.0eV至4.5eV的含金属元素材料组成，所述含金属元素材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合，且

至少一个p型电荷产生层包括空穴传输材料，

邻近于包括所述空穴传输材料的所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区，

所述空穴传输区包括空穴传输层，

所述空穴传输材料的最高占有分子轨道能级的绝对值大于5.5eV，并且所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于邻近于所述p型电荷产生层的发光单元的空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述含金属元素材料具有2.5eV至4.0eV的功函。

3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述含金属元素材料包括选自以下的至少一种：镱、银、铝、钐、镁、锂、RbI、钛、铷、钠、钾、钡、锰和YbSi₂。

4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值大于所述空穴传输层的最高占有分子轨道能级的绝对值。

5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值为大于5.5eV且小于或等于7.0eV。

6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料选自不含有氰基的化合物，所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值为大于5.5eV且小于或等于7.0eV。

7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料选自含氨化合物和含咔唑化合物，所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的绝对值为大于5.5eV且小于或等于7.0eV。

8.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料选自由式201、式202和式301-2表示的化合物：

<式201>

<式202>

<式301-2>

其中，在式201、式202和式301-2中，

A₃₀₁至A₃₀₄各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，

X₃₀₁为O、S或N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]，

L₂₀₁至L₂₀₄以及L₃₀₁至L₃₀₄各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

L₂₀₅选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、取代或未取代的C₁-C₂₀亚烷基、取代或未取代的C₂-C₂₀亚烯基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亚环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亚芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团，

xa1至xa4各自独立地为0至3的整数，

xa5为1至10的整数，

xb1至xb4各自独立地为0至5的整数，

xb22和xb23各自独立地为0、1或2，

R₂₀₁至R₂₀₄以及Q₂₀₁各自独立地选自取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团或取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团，

R₃₀₁至R₃₀₄各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀环烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀杂环烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)和-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

R₃₁₁至R₃₁₄各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

Q₃₁至Q₃₃和Q₃₀₁至Q₃₀₃各自独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，以及

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述至少一个p型电荷产生层由所述空穴传输材料组成。

10.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一步包括第一电子传输层，所述第一电子传输层置于所述n型电荷产生层和邻近的发光单元之间，其中：

所述第一电子传输层包括电子传输材料和含金属元素材料，且

所述含金属元素材料包括金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合。

11.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述电子传输层的所述电子传输材料的量大于所述含金属元素材料的量。

12.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述第一电子传输层中的所述电子传输材料包括至少一个π电子耗尽的含氮环，所述π电子耗尽的含氮环是指包括至少一个*-N＝*'部分作为成环部分的C₁-C₆₀杂环基，*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

13.如权利要求10所述的有机发光装置，其中n型电荷产生层包括与所述第一电子传输层相同的含金属元素材料。

14.如权利要求10所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一步包括置于所述第一电子传输层和邻近的发光单元之间的第二电子传输层，所述第二电子传输层包括电子传输材料。

15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中2或3个所述发光单元置于所述第一电极和所述第二电极之间。

16.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：

两个发光单元置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述两个发光单元为第一发光单元和第二发光单元，所述电荷产生层置于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间，

所述第一发光单元置于所述第一电极和所述电荷产生层之间，且所述第二发光单元置于所述电荷产生层和所述第二电极之间，

所述n型电荷产生层置于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间，且所述p型电荷产生层置于所述n型电荷产生层和所述第二发光单元之间，

所述n型电荷产生层由所述含金属元素材料组成，

所述p型电荷产生层包括所述空穴传输材料，

所述第二发光单元包括空穴传输层，

所述p型电荷产生层邻近于所述第二发光单元的所述空穴传输层，

所述p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最高占有分子轨道能级的绝对值大于5.5eV，且

所述p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于所述第二发光单元的所述空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值。

17.如权利要求16所述的有机发光装置，其中所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的绝对值大于或等于所述第二发光单元的所述空穴传输层的最高占有分子轨道能级的绝对值。

18.如权利要求16所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一步包括置于所述n型电荷产生层和所述第一发光单元之间的第一电子传输层，其中：

19.如权利要求18所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一步包括置于所述第一电子传输层和所述第一发光单元之间的第二电子传输层，所述第二电子传输层包括电子传输材料。

20.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：

三个发光单元置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述三个发光单元为第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，

第一电荷产生层置于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间，且第二电荷产生层置于所述第二发光单元和所述第三发光单元之间，

所述第一发光单元置于所述第一电极和所述第一电荷产生层之间，所述第二发光单元置于所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层之间，且所述第三发光单元置于所述第二电荷产生层和所述第二电极之间，

所述第一电荷产生层包括第一n型电荷产生层和第一p型电荷产生层，所述第一n型电荷产生层置于所述第一发光单元和所述第二发光单元之间，且所述第一p型电荷产生层置于所述第一n型电荷产生层和所述第二发光单元之间，

所述第二电荷产生层包括第二n型电荷产生层和第二p型电荷产生层，所述第二n型电荷产生层置于所述第二发光单元和所述第三发光单元之间，且所述第二p型电荷产生层置于所述第二n型电荷产生层和所述第三发光单元之间，

所述第一n型电荷产生层或所述第二n型电荷产生层由所述含金属元素材料组成，

所述第一p型电荷产生层或所述第二p型电荷产生层包括所述空穴传输材料，

所述第二发光单元或所述第三发光单元包括所述空穴传输层，

所述第一p型电荷产生层邻近于所述第二发光单元的所述空穴传输层，或所述第二p型电荷产生层邻近于所述第三发光单元的所述空穴传输层，

所述第一p型电荷产生层或所述第二p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最高占有分子轨道能级的绝对值大于5.5eV，且

所述第一p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于所述第二发光单元的所述空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值，或所述第二p型电荷产生层的所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于所述第三发光单元的所述空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值。