CN107452503A - 多层陶瓷电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷多层结构，其中陶瓷电介质层和主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成的内部电极层交替地层叠，并且所层叠的多个内部电极层交替地露出于所述陶瓷多层结构的一对端面；一对外部电极，其在所述一对端面中与内部电极层连接并且主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成；以及导体，其固定于所述陶瓷多层结构，位于其中所述多个内部电极层彼此面对的区域之外的区域中，并且主要由铁族过渡金属构成。
Description
技术领域
本发明的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。
背景技术
多层陶瓷电容器被构造成包括陶瓷多层结构，其中陶瓷电介质层和内部电极层交替地层叠，并且外部电极位于陶瓷多层结构的表面上且与内部电极层连接。例如，已知如下多层陶瓷电容器，其中外部电极具有三层结构，中间层由以Ni、Cu或Ni、Cu制成的合金制成的镀膜构成，并且使沉淀颗粒的平均粒径为0.005μm或更大且1μm或更小以提高可靠性(例如，日本专利申请公开第2000-357627号)。还已知一种技术，所述技术使外部电极具有多层结构，包括主要由Ag构成的第一层以及主要由Cu构成且具有4μm或更大厚度的第二层；并且使第一层和第二层的总厚度在多层电感器中为5μm或更大，以处理更高频率(例如，日本专利申请公开第2014-209590号)。
对多层陶瓷电容器进行封装工艺，在所述封装工艺中，多层陶瓷电容器包含在由纸或塑料制成的带形成的袋子中，从而以最终封装形式提供。在封装工艺期间的振动可能导致多层陶瓷电容器从袋子中脱落或在袋子中旋转。为了减少这些问题，可以考虑使用磁体来抑制多层陶瓷电容器脱落或旋转。然而，当内部电极层和外部电极主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成以改进高频特性时，难以用磁体来抑制多层陶瓷电容器脱落或旋转。
发明内容
根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，包括：陶瓷多层结构，其中陶瓷电介质层和主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成的内部电极层交替地层叠，并且多个层叠的内部电极层交替地露出于陶瓷多层结构的一对端面；一对外部电极，其在所述一对端面中与内部电极层连接并且主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成；以及导体，其固定于陶瓷多层结构，位于其中多个内部电极层彼此面对的区域之外的区域中，并且主要由铁族过渡金属构成。
附图说明
图1A是根据第一实施方式的多层陶瓷电容器的透视图，并且图1B是沿图1A中的线A-A截取的截面图；
图2A是印刷有内部电极层型式的片材的透视图，图2B是印刷有虚拟电极(dummyelectrode)型式的片材的透视图，并且图2C是示出层叠片材的状态的截面图；
图3示出多层陶瓷电容器的重量与Ni的重量之间的关系；
图4A是根据第二实施方式的多层陶瓷电容器的透视图，并且图4B是沿图4A中的线A-A截取的截面图；
图5是印刷有内部电极层和虚拟电极的片材的透视图；
图6是根据第三实施方式的多层陶瓷电容器的截面图；
图7是印刷有虚拟电极的片材的透视图；且
图8是根据第四实施方式的多层陶瓷电容器的截面图。
具体实施方式
下文将参考附图给出对本发明的实施方式的描述。
第一实施方式
图1A是根据第一实施方式的多层陶瓷电容器100的透视图，并且图1B是沿图1A中的线A-A截取的截面图。如图1A和图1B所示，第一实施方式的多层陶瓷电容器100包括具有长方体形状的陶瓷多层结构10以及一对外部电极20。
陶瓷多层结构10由交替地层叠的陶瓷电介质层12和内部电极层14构成。多个层叠的内部电极层14交替地露出于陶瓷多层结构10的相对表面。外部电极20位于陶瓷多层结构10的表面中内部电极层14所露出的表面上，并且与内部电极层14连接。下文中，在陶瓷多层结构10的表面之中，在陶瓷电介质层12和内部电极层14层叠的方向上彼此面对的表面被称为主面40，与主面40相交且内部电极层14所露出的表面被称为端面42，并且与主面40和端面42相交且内部电极层14未露出的表面被称为侧面44。
虚拟电极18固定地位于陶瓷多层结构10的内部。虚拟电极18位于区域16a中并且比多个内部电极层14更靠近主面40，其中区域16a位于露出于陶瓷多层结构10的一对端面42中的一个端面的内部电极层14与该对端面42中的另一个端面之间，在陶瓷电介质层12和内部电极层14层叠的方向上延伸，并且位于陶瓷多层结构10内部。也就是说，虚拟电极18位于多个内部电极层14彼此面对的区域17之外的区域中。
陶瓷电介质层12主要由具有由通式ABO3所表示的钙钛矿结构的陶瓷材料构成。钙钛矿结构包括具有非化学计量组成的ABO3-α。例如，锆酸钙(CaZrO3)可以用作陶瓷材料。
内部电极层14由导电膜构成，所述导电膜主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成。外部电极20包括与陶瓷多层结构10接触的基电极22以及与基电极22接触且覆盖基电极22的镀膜24。基电极22和镀膜24主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成。例如，内部电极层14和外部电极20可以由主要由Cu构成的膜构成。由于内部电极层14和外部电极20主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成，因此能够获得较好的高频特性。
虚拟电极18由导电膜构成，所述导电膜主要由铁族过渡金属构成。例如，虚拟电极18可以由主要由Ni构成的膜构成。由于虚拟电极18位于陶瓷多层结构10内部的区域16a中比多个内部电极层14更靠近主面40，因此即使当虚拟电极18与外部电极20连接时，也能抑制通过虚拟电极18和内部电极层14形成电容。因此，即使当虚拟电极18主要由铁族过渡金属构成时，也能减小对高频特性的影响。另外，由于夹持陶瓷电介质层12的虚拟电极18具有相同的极性，因此即使当虚拟电极18与外部电极20连接时，也能抑制电容形成。
接下来将给出对多层陶瓷电容器100的制造工艺的描述。首先，根据目的将指定添加化合物添加到主要构成陶瓷电介质层12的陶瓷材料的粉末中。添加化合物的示例包括Mg、Mn、V、Cr、稀土元素(Y、Dy、Tm、Ho、Tb、Yb和Er)的氧化物，以及Sm、Eu、Gd、Co、Ni、Li、B、Na、K和Si的氧化物，或者玻璃。例如，将含有添加化合物的化合物与陶瓷材料的粉末混合，然后煅烧所得混合物。然后，将所得的陶瓷材料的颗粒与添加化合物湿混、干燥并研磨以制备陶瓷材料的粉末。
然后，向所得的陶瓷材料的粉末中加入诸如聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树脂的粘合剂、诸如乙醇或甲苯的有机溶剂、以及诸如酞酸二辛酯(DOP)的增塑剂，并湿混。使用所得到的浆料，通过例如模涂布法或刮刀法将厚度为0.8μm或更低的带状电介质生片涂布在基材上，然后干燥。
然后，通过丝网印刷或凹版印刷将用于形成内部电极层14的导电膏印刷在电介质生片的表面上，以形成印刷有内部电极层14的型式的片材。用于形成内部电极层14的导电膏含有主要构成内部电极层14的金属的粉末、粘合剂、溶剂以及根据需要的其它助剂。通过丝网印刷或凹版印刷将用于形成虚拟电极18的导电膏印刷在电介质生片的表面上，以形成印刷有虚拟电极18的型式的片材。用于形成虚拟电极的导电膏含有主要构成虚拟电极18的金属的粉末、粘合剂、溶剂以及根据需要的其它助剂。可以使用与上述用于形成内部电极层14的导电膏中含有的粘合剂和溶剂相同的粘合剂和溶剂。主要构成陶瓷电介质层12的陶瓷材料可以作为共同材料分布在用于形成内部电极层14的导电膏和用于形成虚拟电极18的导电膏中。
然后，将印刷有内部电极层14的型式的电介质生片切割成预定尺寸。类似地，将印刷有虚拟电极18的型式的电介质生片切割成预定尺寸。切割之后的片材在图2A和图2B中示出。图2A是印刷有内部电极层14的型式的片材30a的透视图，并且图2B是印刷有虚拟电极18的型式的片材30b的透视图。
然后，在剥离基材的状态下，层叠预定数目(例如10至40个)的印刷有虚拟电极18的型式的片材30b，在层叠片材30b的顶部层叠预定数目(例如4至50个)的印刷有内部电极层14的型式的片材30a，然后在层叠片材30a的顶部层叠预定数目(例如10至40个)的印刷有虚拟电极18的型式的片材30b。所有位于层叠片材30a的顶部和底部的片材不需要是印刷有虚拟电极18的型式的片材30b，而是可以包括没有印刷电极型式的电介质片材。图2C是示出层叠片材30a和30b的状态的截面图。在图2C中，省略内部电极层14和虚拟电极18的图示。如图2C中所示，电介质片材30a层叠成彼此交替地错开。由此，内部电极层14隔着陶瓷电介质层12层叠，使得内部电极层14彼此交替地错开。另外，当层叠片材30a和片材30b时，所述片材层叠成使得虚拟电极18与内部电极层14的一部分重叠。
然后，通过向层叠片材30a和30b施加压力而将层叠片材30a和30b接合在一起，然后通过切割机器将其垂直地和水平地切割成小片。此时，切割电介质片材30a和30b，使得内部电极层14的端缘露出于陶瓷电介质层12的长度方向上的两个端面。通过上述工艺获得具有长方体形状的陶瓷多层结构10。
然后，将用于形成基电极22的导电膏涂覆在所获得的陶瓷多层结构10的内部电极层14露出的一对端面42上。通过上述工艺获得成型体。用于形成基电极22的导电膏含有主要构成基电极22的金属的粉末、粘合剂、溶剂以及根据需要的其它助剂。可以使用与上述用于形成内部电极层14的导电膏中的粘合剂和溶剂相同的粘合剂和溶剂。另外，例如，主要构成陶瓷电介质层12的陶瓷材料作为共同材料分布在用于形成基电极22的导电膏中。使得用于形成基电极22的导电膏中的陶瓷材料的含量为5重量％或更少。
然后，将所得的成型体在具有例如约1.5体积％的H2的还原气氛中在约950℃下煅烧约两小时。该工艺使陶瓷电介质层12和内部电极层14的煅烧以及基电极22的烘烤能够同时进行。
然后，通过电镀在基电极22上形成镀膜24。通过此工艺获得多层陶瓷电容器100。
对多层陶瓷电容器进行封装工艺，在所述封装工艺中，多层陶瓷电容器包含在由纸或塑料制成的带形成的袋子中，从而以最终封装形式提供。在封装工艺期间的振动可能导致多层陶瓷电容器从袋子中脱落或在袋子中旋转。为了减少这些问题，考虑使用磁体来抑制多层陶瓷电容器脱落或旋转。然而，如上文所述，为了使高频特性较好，内部电极层和外部电极优选地主要由铁族过渡金属之外的过渡金属(Cu等)构成。在这种情况下，内部电极层和外部电极很难被吸到磁体。因此，当多层陶瓷电容器不包括任何内部电极层和外部电极之外的电极时，难以用磁体来抑制多层陶瓷电容器脱落或旋转。
相反，在第一实施方式中，为了获得较好的高频特性，内部电极层14和外部电极20主要由铁族过渡金属之外的过渡金属(Cu)构成，但是主要由铁族过渡金属(Ni)构成的虚拟电极18(导体)另外位于其中多个内部电极层14彼此面对的区域17之外的区域中。由于虚拟电极18被吸到磁体，因此能够用磁体来控制多层陶瓷电容器100的位置和姿态。因此，在保持较好高频特性的同时，能够抑制多层陶瓷电容器100从带制的袋子中脱落或在袋子中旋转，并且能够使多层陶瓷电容器100在封装工艺中的姿态稳定化。
此处，在虚拟电极18包含Ni作为铁族过渡金属时，检查相对于多层陶瓷电容器100的重量的Ni重量，以使姿态稳定化。图3示出多层陶瓷电容器100的重量与Ni的重量之间的关系。图3表示当施加到多层陶瓷电容器100的磁通密度是10高斯时能够使姿态稳定化的Ni的重量。在图3的式中，y表示Ni的重量，并且x表示多层陶瓷电容器的重量。如图3中所示，能够使多层陶瓷电容器100的姿态稳定化的Ni的重量相对于多层陶瓷电容器100的重量的近似曲线是(Ni的重量)＝0.00025×(多层陶瓷电容器的重量)0.6588。因此，该结果表明，当磁通密度为约10高斯时，能够通过满足条件(Ni的重量)≥0.00025×(多层陶瓷电容器的重量)0.6588来使姿态稳定化。
另外，在第一实施方式中，虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的内部。因此，能够在不改变陶瓷多层结构10的外部形状的情况下使多层陶瓷电容器100的姿态稳定化。
此外，在第一实施方式中，虚拟电极18位于陶瓷多层结构10内部的区域16a中，并且比多个内部电极层14更靠近主面40。因此，如上所述，能抑制通过虚拟电极18和内部电极层14形成电容，并且即使当虚拟电极18主要由铁族过渡金属构成时，也能够减小对高频特性的影响。
第一实施方式描述了一种示例性情况，其中虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的一对端面42附近，但是虚拟电极18可以位于一个端面42附近。然而，从姿态的稳定化角度而言，虚拟电极18优选地位于陶瓷多层结构10的一对端面42附近。另外，虚拟电极18可以位于陶瓷多层结构10的相对主面40中的一个主面附近。然而，从姿态的稳定化角度而言，虚拟电极18优选地位于两个相对的主面40附近。
虚拟电极18可以露出于陶瓷多层结构10的一对端面42，并且并非必需露出于这对端面42。当虚拟电极18露出于陶瓷多层结构10的端面42时，虚拟电极18可以与外部电极20接触，或并非必需与外部电极20接触。
第一实施方式描述了一种示例性情况，其中陶瓷电介质层12中含有的陶瓷材料是锆酸钙(CaZrO3)，但是并不意味着任何限制。陶瓷电介质层12中含有的陶瓷材料可以是钛酸钡(BaTiO3)、钛酸钙(CaTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)、或具有钙钛矿结构的Ba1-x-yCaxSryTi1- zZrzO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1)。
第一实施方式描述了一种示例性情况，其中内部电极层14和外部电极20主要由Cu构成，但是内部电极层14和外部电极20可以主要由铁族过渡金属之外的其它过渡金属构成。为了使高频特性较好，内部电极层14和外部电极20优选地由铁族过渡金属之外的过渡金属构成，并且优选地不包含任何铁族过渡金属。描述了虚拟电极18主要由Ni构成的示例性情况，但是虚拟电极18可以主要由其它铁族过渡金属(例如，Fe、Co)构成。虚拟电极18优选地由铁族过渡金属构成以用磁体使姿态稳定化，并且优选地不包含铁族过渡金属之外的任何过渡金属。
第二实施方式
图4A是根据第二实施方式的多层陶瓷电容器200的透视图，并且图4B是沿图4A中的线A-A截取的截面图。如图4A和图4B中所示，在第二实施方式的多层陶瓷电容器200中，虚拟电极18位于区域16b中，所述区域16b位于陶瓷多层结构10内部，是区域17之外的区域，位于陶瓷多层结构10的侧面44与内部电极层14之间，并且在陶瓷电介质层12和内部电极层14层叠的方向上延伸。例如，虚拟电极18和内部电极层14位于相同平面中。虚拟电极18可以露出于陶瓷多层结构10的侧面44，或并非必需露出于陶瓷多层结构10的侧面44。其它结构与第一实施方式的结构相同，因此省略其描述。
可以通过与第一实施方式相同的方法制造第二实施方式的多层陶瓷电容器200，不同之处在于，印刷有内部电极层14和虚拟电极18的片材不同于第一实施方式的片材。图5是印刷有内部电极层14和虚拟电极18的片材30c的透视图。第二实施方式的多层陶瓷电容器200的制造方法与第一实施方式的不同之处在于，预定数目(例如，4至50个)的片材30c层叠成彼此交替地错开，然后在层叠片材30c的顶部和底部层叠没有印刷电极的电介质片材。
在第二实施方式中，虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的内部的区域16b中。即使在这种情况下，也能抑制通过虚拟电极18和内部电极层14形成电容。因此，能够减小对高频特性的影响并且能够使多层陶瓷电容器200的姿态稳定化。
另外，在第二实施方式中，虚拟电极18和内部电极层14位于相同平面中。该结构使虚拟电极18和内部电极层14能够通过使用如图5所示的单个片材30c来形成。因此，能够简化制造工艺。
第二实施方式描述了一种示例性情况，其中虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的两个相对侧面44附近，但是虚拟电极18可以仅位于一个侧面44附近。然而，从姿态的稳定化角度而言，虚拟电极18优选地位于陶瓷多层结构10的两个相对侧面44附近。
第三实施方式
图6是根据第三实施方式的多层陶瓷电容器300的截面图。图6是与沿图1A中的线A-A截取的截面相对应的截面图。如图6中所示，在第三实施方式的多层陶瓷电容器300中，虚拟电极18位于如下区域中，所述区域位于陶瓷多层结构10内部，是区域17之外的区域，远离陶瓷多层结构10的一对端面42，并且位于陶瓷多层结构10的主面40与多个内部电极层14之间。也就是说，虚拟电极18不露出于陶瓷多层结构10的一对端面42。其它结构与第一实施方式的结构相同，因此省略其描述。
可以通过与第一实施方式相同的方法制造第三实施方式的多层陶瓷电容器300，不同之处在于，印刷有虚拟电极18的片材不同于第一实施方式的片材。图7是印刷有虚拟电极18的片材30d的透视图。第三实施方式的多层陶瓷电容器300的制造方法与第一实施方式的不同之处在于，层叠预定数目(例如，10至40个)的片材30d，然后在层叠片材30d的顶部将预定数目(例如，4至50个)的图2A中所示的片材30a层叠成彼此交替地错开，然后在层叠片材30a的顶部层叠预定数目(例如，10至40个)的片材30d。
在第三实施方式中，虚拟电极18远离陶瓷多层结构10的一对端面42，并且位于陶瓷多层结构10的主面40与多个内部电极层14之间。即使在这种情况下，也能抑制通过虚拟电极18和内部电极层14形成电容。因此，能够减小对高频特性的影响并且能够使多层陶瓷电容器300的姿态稳定化。另外，与第一实施方式相比，虚拟电极18的尺寸可以增加。因此，用磁体控制多层陶瓷电容器300变得容易。
第三实施方式描述了一种示例性情况，其中虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的两个相对主面40附近，但是虚拟电极18可以仅位于陶瓷多层结构10的一个主面40附近。然而，从姿态的稳定化角度而言，虚拟电极18优选地位于陶瓷多层结构10的两个相对主面40附近。
第四实施方式
图8是根据第四实施方式的多层陶瓷电容器400的截面图。图8是与沿图1A中的线A-A截取的截面相对应的截面图。如图8中所示，在第四实施方式的陶瓷电容器400中，虚拟电极18没有固定地位于陶瓷多层结构10内部，而是固定地位于陶瓷多层结构10的表面之中的主面40上。也就是说，虚拟电极18位于区域17之外的区域中。虚拟电极18包括与陶瓷多层结构10接触的基电极32以及与基电极32接触且覆盖基电极32的镀膜34。基电极32和镀膜34主要由铁族过渡金属构成。其它结构与第一实施方式的结构相同，因此省略其描述。
可以如下制造第四实施方式的陶瓷电容器400。首先，制备图2A的片材30a，并且将预定数目(例如，4至50个)的片材30a层叠成彼此交替地错开。然后，在层叠片材30a的顶部和底部层叠没有印刷电极的电介质片材。压制层叠片材以使其接合在一起，然后通过切割机器将其切割成小片以获得陶瓷多层结构10，在所述陶瓷多层结构10中，内部电极层14的端缘露出于陶瓷电介质层12的长度方向上的两个端面。用于形成基电极22的导电膏涂覆至所获得的陶瓷多层结构10的端面42上，并且用于形成基电极32的导电膏涂覆在主面40上。通过上述工艺获得成型体。用于形成基电极22的导电膏可以与第一实施方式中所描述的导电膏相同。用于形成基电极32的导电膏含有主要构成基电极32的金属的粉末、粘合剂、溶剂以及根据需要的其它助剂。粘合剂和溶剂可以与上述用于形成内部电极层14的导电膏中含有的粘合剂和溶剂相同。另外，例如，主要构成陶瓷电介质层12的陶瓷材料作为共同材料分布在用于形成基电极32的导电膏中。使得用于形成基电极32的导电膏中的陶瓷材料的含量为5重量％或更少。
然后，将所得的成型体在具有例如约1.5体积％的H2的还原气氛中在约950℃下煅烧约两小时。该工艺使陶瓷电介质层12和内部电极层14的煅烧以及基电极22和32的烘烤能够同时进行。
然后，通过电镀在基电极22上形成镀膜24，并且通过电镀在基电极32上形成镀膜34。通过上述工艺获得多层陶瓷电容器400。
在第四实施方式中，虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的表面上。即使在这种情况下，也能够减小对高频特性的影响并且能够使多层陶瓷电容器400的姿态稳定化。另外，由于虚拟电极18能够形成为较大并且虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的表面上，因此用磁体控制多层陶瓷电容器400变得容易。
第四实施方式描述了一种示例性情况，其中虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的主面40上，但是虚拟电极18可以位于陶瓷多层结构10的侧面44上。虚拟电极18位于陶瓷多层结构10的一个主面40或一个侧面44是足够的，但是从姿态的稳定化角度而言，虚拟电极18优选地位于陶瓷多层结构10的两个相对主面40或两个相对侧面44上。
尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但是应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行各种改变、替换和更改。
Claims (7)
1.一种多层陶瓷电容器，包括：
陶瓷多层结构，其中陶瓷电介质层和主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成的内部电极层交替地层叠，并且所层叠的多个内部电极层交替地露出于所述陶瓷多层结构的一对端面；
一对外部电极，其在所述一对端面中与所述内部电极层连接并且主要由铁族过渡金属之外的过渡金属构成；以及
导体，其固定于所述陶瓷多层结构，位于其中所述多个内部电极层彼此面对的区域之外的区域中，并且主要由铁族过渡金属构成。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述导体位于所述陶瓷多层结构内部。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述陶瓷多层结构具有长方体形状，并且
所述导体比所述多个内部电极层更靠近所述陶瓷多层结构的在层叠方向上彼此面对的主面中的至少一个并且位于如下区域中，所述区域位于所述多个内部电极层之中的露出于所述一对端面中的一个端面的内部电极层与所述一对端面中的另一个端面之间，在层叠方向上延伸，并且位于所述陶瓷多层结构内部。
4.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述陶瓷多层结构具有长方体形状，并且
所述导体位于如下区域中，所述区域位于所述陶瓷多层结构的侧面中的至少一个与所述多个内部电极层之间，在层叠方向上延伸，并且位于所述陶瓷多层结构内部，所述侧面与所述陶瓷多层结构的所述一对端面和在层叠方向上彼此面对的主面相交。
5.根据权利要求2所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述陶瓷多层结构具有长方体形状，并且
所述导体远离所述陶瓷多层结构的一对端面，并且位于所述陶瓷多层结构的在层叠方向上彼此面对的主面中的至少一个与所述多个内部电极层之间。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述导体位于所述陶瓷多层结构的表面上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多层陶瓷电容器，其中，
所述陶瓷电介质层由CaZrO3制成，
所述内部电极层和所述外部电极主要由Cu构成，并且
所述导体主要由Ni构成。
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