CN106340385B

CN106340385B - 多层陶瓷电子组件

Info

Publication number: CN106340385B
Application number: CN201610185907.9A
Authority: CN
Inventors: 金弘锡; 李忠垠; 金斗永; 金起汉; 崔芝睿; 李炅烈; 崔才烈; 曹秀景
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2015-07-06
Filing date: 2016-03-29
Publication date: 2019-06-04
Anticipated expiration: 2036-03-29
Also published as: KR20170005645A; KR102212640B1; CN106340385A; US20170011850A1; US10262795B2

Abstract

提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。陶瓷‑金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。此外，在一些示例中，相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷‑金属复合物的介电层完全地占据。陶瓷‑金属复合层可具有压纹式构造或树突式构造。

Description

多层陶瓷电子组件

本申请要求于2015年7月6日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0095991号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种具有高的介电常数和优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。

背景技术

通常，使用陶瓷材料的电子组件(例如，电容器、电感器、压电元件、变阻器、热敏电阻等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。

随着包含陶瓷材料的这些电子组件在需要高可靠性的领域中越来越多地被使用，对于高可靠性的多层陶瓷电子组件的需求已增加。

此外，近来，薄的多层电子组件已被大量地生产，对于超级电容多层陶瓷电子组件的需求已增加。

截至目前为止，多层陶瓷电容器的电性能和介电常数主要通过改变介电材料的组成、改变介电层的厚度以及改变内电极图案的形状来改善。

除了如上所述的用于改善电性能和介电常数的方法之外，还需要用于进一步改善电子组件的电性能和介电常数的方法。

发明内容

本公开的一方面可提供一种具有高的介电常数和优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。

根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。此外，陶瓷-金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，其中，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中。相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层以及被设置在内电极与介电层之间的陶瓷-金属复合层完全地占据。金属纳米颗粒设置在介电层的中部中。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括在多层陶瓷电子组件内彼此平行地设置且彼此分开的多个内电极。所述多个内电极均具有设置在所述多个内电极的两个背对表面上的陶瓷-金属复合层。

附图说明

根据下面参照附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征以及优点将被更加清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；

图2是根据一个说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图；

图3是根据第一示例性实施例的图2中的P部分的放大图；

图4是根据第二示例性实施例的图2中的P部分的放大图；

图5是根据另一说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图；

图6是根据第三示例性实施例的图5中的P部分的放大图；

图7是根据第四示例性实施例的图5中的P部分的放大图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明构思的实施例。

然而，本发明可按照许多不同的形式举例说明且并不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例，以使该公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶片(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。

将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与一个或更多个其它元件的位置关系。将理解的是，除了图中示出的方位之外，与空间相关的术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”可根据附图的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的与空间相关的描述做出相应解释。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例，并且无意限制本发明构思。如在此使用的，除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或组合，而不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/其组合。

在下文中，将参照示出本发明构思的实施例的示意图来描述本发明构思的实施例。在附图中，例如，示出了组件的理想形状。然而，由于制造技术和/或公差，相对于示出的组件，组件会被制造得具有修改的形状。因此，本发明构思的实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的特定形状，而是应被理解为包括由于制造工艺和非理想因素导致的形状的改变。本发明构思也可由在此示出的和/或描述的各个实施例的组合而构成。

以下描述的本发明构思的内容可具有多种构造。在此仅示出和描述说明性的构造，但本发明构思不限于此，并且应被理解为扩展至全部合适的构造。

多层陶瓷电子组件

图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图，图2是根据一个说明性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图。

参照图1，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及外电极131和132。

根据示例性实施例，图1和图2中示出的T方向指的是陶瓷主体110的厚度方向，图1和图2中的L方向指的是陶瓷主体110的长度方向，图1和图2中的W方向指的是陶瓷主体110的宽度方向。

厚度(T)方向指的是内电极和介电层的堆叠方向。

参照图1和图2，陶瓷主体110可具有：上表面和下表面，在厚度方向上彼此背对；第一侧表面和第二侧表面，在宽度方向上彼此背对；第三端表面和第四端表面，在长度方向上彼此背对。陶瓷主体110的形状不受具体限制。例如，陶瓷主体110可不呈具有笔直的面/线的六面体形状，而是可大体上呈六面体形状。

陶瓷主体110可包括多个介电层111以及内电极121和122，如图2所示。

陶瓷主体110可包括形成在介电层111上的内电极121和122。陶瓷主体110可包括有源(active)部，其中，包括形成在其上的内电极121、122的多个介电层111堆叠在有源部中；盖部，设置在有源部的上表面和下表面上。

除非特别地描述，否则在陶瓷主体中对于上部分和下部分以及上表面和下表面不单独地进行区分，并且上部分和下部分以及上表面和下表面可被理解为分别具有与厚度方向上的一个部分和另一部分以及在厚度方向上彼此背对的一个表面和另一表面相同的含义。此外，上表面和下表面可被理解为分别具有与陶瓷主体的在厚度方向上彼此背对的第一主表面和第二主表面相同的含义。

内电极可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置在堆叠的介电层111上，以使介电层111中的每个介电层介于相邻的内电极121与122之间。

每个第一内电极121可暴露于陶瓷主体的长度方向上的第三端表面，每个第二内电极122可暴露于陶瓷主体的长度方向上的第四端表面。

第一内电极121和第二内电极122可由包含导电金属的导电膏形成。

导电金属可以为镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pb)或它们的合金，但不限于此。

外电极131和132可分别设置在陶瓷主体110的长度方向上的第三端表面和第四端表面上，从而分别连接到第一内电极121和第二内电极122。

外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132，其中，第一外电极131可连接到第一内电极121，第二外电极132可连接到第二内电极122。

外电极131和132可通过如下步骤形成：在陶瓷主体110的长度方向上的第三端表面和第四端表面上涂敷导电膏，然后对涂敷的导电膏进行烧结。然而，外电极131和132的形状以及形成外电极131和132的方法不受具体限制。

外电极131和132可设置在陶瓷主体的长度方向上的第三端表面和第四端表面上，并且延伸到陶瓷主体110的宽度方向上的第一侧表面和第二侧表面以及陶瓷主体110的在厚度方向上彼此背对的上表面和下表面的盖部，如图1和2所示。

根据示例性实施例，如图2所示，介电层111以及内电极121和122可沿陶瓷主体的厚度(T)方向堆叠。

盖部可设置在有源部的最外边的内电极的外表面上(例如，最上边的内电极之上和最下边的内电极之下)，以保护有源部免受外部冲击。

盖部可包括：上盖部，设置在有源部的上表面上(例如，有源部的最上边的内电极之上)；下盖部，设置在有源部的下表面上(例如，有源部的最下边的内电极之下)。

参照图2，在根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件中，陶瓷-金属复合层123可分别设置在内电极121和122与介电层111之间的界面上。例如，陶瓷-金属复合层123可设置在内电极121和122的背对的主表面上。

根据示例性实施例，陶瓷-金属复合层123可通过在陶瓷生片上印刷由陶瓷和金属形成的陶瓷-金属复合物而形成，或者在陶瓷生片上和陶瓷生片之下堆叠包含陶瓷-金属复合物的生片而形成。

以下将描述陶瓷-金属复合层123的更详细的描述。

根据示例性实施例，陶瓷-金属复合层123可分别设置在内电极121和122与介电层111之间的界面上，由于内电极121和122与介电层111之间的界面的空间电荷效应，因此可使得多层陶瓷电子组件的介电常数增大。

此外，陶瓷-金属复合层123可防止介电层中的裂纹(例如，翘曲裂纹等)扩展，从而改善多层陶瓷电子组件的机械性能。

此外，由于金属颗粒与介电层之间的界面的能垒，可使得绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)增大。

陶瓷-金属复合物可通过将陶瓷和金属混合而形成，并且可包含5％至30％体积百分比的金属。

在金属的含量大于30％体积百分比(vol％)的情况下，在陶瓷-金属复合物中金属颗粒会彼此连接，从而导致陶瓷-金属复合物呈现出与金属的电性能相同的电性能，因此导致可靠性方面的问题。

与陶瓷混合的金属的费米能量可以为4.0eV至6.0eV，但不限于此。

根据示例性实施例，由于金属的费米能量高(大约4.0eV至6.0eV)，因此空间电荷区可以宽，从而可使介电常数由于空间电荷效应而增大。

详细地讲，与陶瓷混合的金属可以为Ni、Pd、Pt、Ir、Au、Se、Mo和W中的任何一种或更多种。在这些金属与碳酸钡(BaTiO₃)形成界面的情况下，与其它金属相比，这些金属可形成更宽的空间电荷区，从而获得增大介电常数的效果。

根据示例性实施例，陶瓷-金属复合层123中的金属可具有5nm至600nm的颗粒尺寸。

由于空间电荷区形成在内电极(例如，121、122)与介电层(例如，111)之间的界面中，因此当制备陶瓷-金属复合物时，优选地，尽可能地使与内电极和介电层之间的界面的接触面积显著地增大。

根据示例性实施例，在金属颗粒的尺寸大于大约600nm的情况下，表面面积与颗粒的体积的比值可从1％成指数地增大。因此，优选地，金属颗粒的尺寸为600nm或更小。

同时，在金属颗粒的尺寸为5nm或更小的情况下，金属的能隙(band gap)会增大。

图3是根据第一示例性实施例的图2中的P部分的放大图。

参照图3，在根据第一示例性实施例的多层陶瓷电子组件中，陶瓷-金属复合层123可具有压纹式(embossing type)构造。

如图3所示，压纹式构造意思是陶瓷-金属复合层123以多个半圆的形式设置在内电极121和122与介电层111之间的界面中。

压纹式构造可在如下两种情况下出现：陶瓷-金属复合物中的金属的含量(以体积百分比进行测量)增大的情况，或者在对陶瓷主体110进行烧结时温度缓慢升高或在高温下对陶瓷主体110进行烧结持续很长一段时间的情况。

图4是根据第二示例性实施例的图2中的P部分的放大图。

参照图4，在根据第二示例性实施例的多层陶瓷电子组件中，陶瓷-金属复合层123可具有树突式(dendrite type)构造。

如图4所示，树突式构造意思是陶瓷-金属复合层123可在内电极121和122与介电层111之间的界面中以具有彼此缠绕的分支的图案进行延伸。

树突式构造可在如下两种情况下出现：陶瓷-金属复合物中的陶瓷的含量(以体积百分比进行测量)增大的情况，或者在对陶瓷主体110进行烧结时温度快速升高或在高温下对陶瓷主体110进行烧结持续短时间的情况。

此外，如下描述的，树突式构造的陶瓷-金属复合层123可按照如下的情形实现：在包含在陶瓷-金属复合物中的金属颗粒上涂敷陶瓷和氧化物添加剂成分。

树突式构造的陶瓷-金属复合层123的使用可显著地增大有效电极面积，从而增大多层陶瓷电子组件的电容。

根据示例性实施例，比值(Td/Tt)可满足Td/Tt＞0.5，其中，Tt对应于介电层111中的一个介电层的厚度Tt(例如，两个相邻内电极121和122之间的距离)，其中，厚度Tt包括陶瓷-金属复合层123的厚度，Td对应于介电层111的除了陶瓷-金属复合层123之外的部分的厚度Td(例如，两个相邻的内电极121和122的陶瓷-金属复合层123之间的距离)。

与Td/Tt比值不在上述数值范围内的组件相比，当Td/Tt满足上述数值范围时，多层陶瓷电子组件100的介电常数会增大，并且绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)会由于金属颗粒与介电层之间的界面的能垒而增大。

在介电层111的除了陶瓷-金属复合层123之外的部分的厚度Td与介电层111中的一个介电层的厚度Tt的比值(Td/Tt)为0.5或更小的情况下，绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)会减小。

图5是根据另一示例性实施例的沿着图1中的A-A’线截取的剖视图。

根据图5中示出的示例性实施例，多层陶瓷电子组件100包括介电层111以及内电极121和122交替地设置在其中的陶瓷主体110，其中，全部的介电层111包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物。具体地讲，陶瓷-金属复合层123分别设置在内电极121和122与介电层111之间的界面上，金属纳米颗粒124设置在介电层111的位于相邻的陶瓷-金属复合层123之间的中部中。

由于除了图5中的实施例还包括分散且设置在介电层111的中部中的金属纳米颗粒124之外，根据图5中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件100具有根据图1中的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的全部特征，因此将省略其的详细描述，以避免重复描述。

图6是根据第三示例性实施例的图5中的P部分的放大图。

图7是根据第四示例性实施例的图5中的P部分的放大图。

参照图6和图7，根据第三示例性实施例和第四示例性实施例，与以上描述的分别与图3和图4相关的第一示例性实施例和第二示例性实施例相类似，陶瓷-金属复合层123可以为压纹式构造或树突式构造。

在下文中，将参照以上描述的示例性实施例中的每个的多层陶瓷电子组件更详细地描述制造或实现陶瓷-金属复合层123的方法。

陶瓷-金属复合层123中所使用的陶瓷-金属复合物可通过将能够显著地增大空间电荷效应的陶瓷和金属混合来制备。

然而，在使用通过如上所述进行混合而制备的陶瓷-金属复合物来制造多层陶瓷电容器的情况下，由于金属与陶瓷之间的烧结性质方面的差异，可使得在烧结期间金属颗粒变得彼此聚集。

在这种情况下，结果，陶瓷-金属复合层123可被实现或形成为压纹式构造陶瓷-金属复合层，如图3和图6所示。

压纹式构造陶瓷-金属复合层可增大电极表面面积，因此与以下描述的树突式构造陶瓷-金属复合层相比，绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)会相对减小。

因此，为了显著地增大面积并且防止绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)减小，更优选的可以为树突式构造陶瓷-金属复合层。

可通过如下所述的内容来实现或形成树突式构造陶瓷-金属复合层：增大陶瓷-金属复合物中的陶瓷的含量(例如，以体积百分比进行测量)，在对陶瓷主体进行烧结时使温度快速地升高，或者在高温下对陶瓷主体进行烧结持续短的时间。

同时，根据示例性实施例，可通过在包含在陶瓷-金属复合物中的金属颗粒上涂敷陶瓷或氧化物添加剂成分来实现树突式构造陶瓷-金属复合层。

如上所述，树突式构造陶瓷-金属复合层可显著地增大电极面积，因此可增大多层陶瓷电子组件的电容，并且可相对地增大绝缘电阻(IR)和击穿电压(BDV)。

如在第一示例性实施例和第二示例性实施例中可通过多重涂敷方法或多重印刷方法来实现将陶瓷-金属复合层123分别插入到内电极121和122与介电层111的界面中的方法。

也就是说，可通过在陶瓷生片上印刷由陶瓷和金属形成的陶瓷-金属复合物或者在陶瓷生片上和陶瓷生片之下堆叠包含陶瓷-金属复合物的生片来形成陶瓷-金属复合层123。

详细地讲，在陶瓷生片上印刷陶瓷-金属复合物的方法可通过如下步骤来实现：在陶瓷生片上印刷陶瓷-金属复合物，在陶瓷-金属复合物上印刷内电极，在内电极上印刷陶瓷-金属复合物以制成单个单元，然后重复堆叠单个单元。

接下来，可通过如下步骤来实现在陶瓷生片上和陶瓷生片之下堆叠包含陶瓷-金属复合物的生片的方法：在包含陶瓷-金属复合物的生片上堆叠陶瓷生片，将包含陶瓷-金属复合物的另一生片堆叠在陶瓷生片上，然后在包含陶瓷-金属复合物的另一生片上印刷内电极以制成单个单元，然后重复堆叠单个单元。

如在第三示例性实施例和第四示例性实施例中可通过多重涂敷方法或多重印刷方法来实现使用陶瓷-金属复合物来替换介电层111的方法。

也就是说，可使用陶瓷-金属复合物并且通过使用多重涂敷方法或多重印刷方法(对金属的含量和金属颗粒的形状进行不同的应用，以将陶瓷-金属复合层123实现为压纹式构造或树突式构造)来制造陶瓷生片。

实验性示例

根据本发明示例和对比示例的多层陶瓷电子组件100如下制造。

首先，为了制备陶瓷-金属复合物，将陶瓷和金属彼此混合，使得复合物中包含5％至30％体积百分比的金属。

在对应于压纹式构造的发明示例1和3中，将陶瓷-金属复合物制备为包含30％体积百分比的金属。

同时，在对应于树突式构造的发明示例2和4中，将陶瓷-金属复合物制备为包含5％体积百分比的金属。

与陶瓷混合的金属可以为Ni、Pd、Pt、Ir、Au、Se、Mo和W中的任何一种或更多种，在本发明示例中，使用镍(Ni)。

此外，陶瓷-金属复合物被制备为使得陶瓷-金属复合物中的金属具有600nm的颗粒尺寸。

在本发明示例1和2中，使用陶瓷-金属复合物来制造与以下描述的陶瓷生片分开的陶瓷-金属复合物生片，在发明示例3和4中，使用陶瓷-金属复合物来制造陶瓷生片。

接下来，将包含粉末(例如，钛酸钡(BaTiO₃)粉末等)的浆料涂敷到载膜上并使其干燥，以制备多个陶瓷生片。

在发明示例1和2中，在通过在陶瓷生片上印刷陶瓷-金属复合物，在陶瓷-金属复合物上印刷内电极并且在内电极上再次印刷陶瓷-金属复合物来制成单个单元之后，重复堆叠单个单元。

可选地，在通过在包含陶瓷-金属复合物的生片上堆叠陶瓷生片、在陶瓷生片上堆叠包含陶瓷-金属复合物的生片然后在包含陶瓷-金属复合物的生片上印刷内电极来制成单个单元之后，重复堆叠单个单元。

在发明示例3和4中，通过丝网印刷方法在陶瓷-金属复合物生片中的一些陶瓷生片上涂敷用于包含镍的内电极的导电膏来形成内电极图案。

此外，制备用于形成其上未印刷内电极图案的盖部的陶瓷生片。此外，通过将陶瓷浆料和用于内电极的导电膏彼此混合来制备用于形成缓冲层的片。

接下来，对其上印刷有内电极图案的陶瓷生片和其上未印刷有内电极图案的陶瓷生片进行堆叠并均衡地压制。

将进行均衡压制后的陶瓷多层主体切割为各个电子组件，以使堆叠的内电极图案的端部交替地暴露于切割表面，并且对切割的电子组件进行脱脂。

然后，对切割的电子组件进行烧结，从而形成陶瓷主体。

在烧结之后，陶瓷主体的尺寸为大约1.6mm×0.8mm×0.8mm(长度×宽度×厚度(L×W×T)，1608尺寸，误差范围：±0.1mm)。

发明示例1和3(例如，分别如图3和图6所示)通过在执行烧结时控制烧结温度升高速率使烧结温度缓慢地升高而实现，发明示例2和4(例如，分别如图4和7所示)通过使烧结温度快速地升高而实现。

此外，发明示例1和3通过在高温下执行烧结持续很长一段时间而实现，发明示例2和4通过在执行烧结的同时相对地减少烧结时间而实现。

在本公开的对比示例中，除了在普通方法中未使用陶瓷-金属复合物之外，通过与以上描述的制造多层陶瓷电容器的方法相同的方法来制造多层陶瓷电容器，因此不形成陶瓷-金属复合层。

如上所述，根据示例性实施例，基于金属颗粒与介电层之间的界面的空间电荷效应可有助于使多层陶瓷电子组件的介电常数增大。

此外，陶瓷-金属复合层可防止介电层中的裂纹(例如，翘曲裂纹等)扩展，从而改善多层陶瓷电子组件的机械性能。

虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和改变。

Claims

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中，

其中，陶瓷-金属复合层设置在内电极与介电层之间的界面上，

其中，介电层的中部中设置有金属颗粒，并且所述陶瓷-金属复合层具有压纹式构造或树突式构造。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层包含5％至30％体积百分比的金属。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层中的金属具有5nm至600nm的颗粒尺寸。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，比值Td/Tt满足Td/Tt>0.5，其中，Tt对应于所述介电层中的一个介电层的厚度Tt，其中，厚度Tt包括陶瓷-金属复合层的厚度，Td对应于所述一个介电层的除了陶瓷-金属复合层之外的部分的厚度Td。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合层中的金属具有4.0eV至6.0eV的费米能量。

6.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，介电层和内电极交替地设置在陶瓷主体中，

其中，相邻内电极之间的空间被包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层以及被设置在内电极与介电层之间的界面上的陶瓷-金属复合层完全地占据，其中，金属纳米颗粒设置在介电层的中部中，并且

所述陶瓷-金属复合层具有压纹式构造或树突式构造。

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合物包含5％至30％体积百分比的金属。

8.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合物中的金属具有5nm至600nm的颗粒尺寸。

9.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，比值Td/Tt满足Td/Tt>0.5，其中，Tt对应于所述介电层中的一个介电层的厚度Tt，其中，厚度Tt包括陶瓷-金属复合层的厚度，Td对应于所述一个介电层的除了陶瓷-金属复合层之外的部分的厚度Td。

10.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷-金属复合物中的金属具有4.0eV至6.0eV的费米能量。

11.一种多层陶瓷电子组件，包括：

多个内电极，在多层陶瓷电子组件内彼此平行地设置且彼此分开，

介电层，设置在所述多个内电极的多对相邻的内电极之间，

其中，所述多个内电极均具有设置在所述多个内电极的两个背对表面上的陶瓷-金属复合层，

其中，介电层包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物并且金属颗粒设置在介电层的中部中，所述陶瓷-金属复合层具有压纹式构造或树突式构造。

12.如权利要求11所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括：

两个外电极，分别设置在包括介电层和所述多个内电极的陶瓷主体的背对的端表面上。

13.如权利要求11所述的多层陶瓷电子组件，其中，多对相邻的内电极之间的空间仅填充有包含具有金属颗粒的陶瓷-金属复合物的介电层以及设置在内电极的表面上的陶瓷-金属复合层。