JP7176167B2 - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態により、従来のサイドマージン部を形成する比較例と、誘電体グレインサイズに差異がある第1及び第2領域を含むサイドマージン部を形成する実施例をそれぞれ用意した。
111 誘電体層
112、113 第1及び第2サイドマージン部
121、122 第1及び第2内部電極
131 第1外部電極
132 第2外部電極
Claims (14)
- 誘電体層を含み、互いに対向する第1面及び第2面、前記第1面及び第2面を連結する第3面及び第4面、及び前記第1面から第4面と連結され、かつ互いに対向する第5面及び第6面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第1面及び第2面に露出し、かつ前記第3面又は第4面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第1面及び第2面に露出した前記内部電極の端部上に配置された第1サイドマージン部及び第2サイドマージン部と、
を含み、
前記セラミック本体は前記誘電体層を介して互いに対向するように配置される複数の内部電極を含んで容量が形成されるアクティブ部と前記アクティブ部の上部及び下部に形成されたカバー部を含み、
前記第1及び第2サイドマージン部は当該第1及び第2サイドマージン部の外側面に隣接した第1領域と前記第1面及び第2面に露出した内部電極に隣接した第2領域に分かれ、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズが第1領域に含まれる誘電体グレインサイズより大きく、
前記第1領域に含まれる誘電体グレインサイズは90nm以上410nm以下であり、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズは170nm以上700nm以下である、積層セラミックキャパシタ。 - 前記第2領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量は第1領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量よりも多い、請求項1に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第2領域のマグネシウム(Mg)の含量は前記第1及び第2サイドマージン部に含まれるチタン(Ti)100モルに対して10モル以上30モル以下である、請求項2に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記カバー部は前記セラミック本体の第5面及び第6面に隣接した第1領域と前記内部電極に隣接した第2領域に分かれ、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズが第1領域に含まれる誘電体グレインサイズより大きい、請求項1から3のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記カバー部のうち第2領域のマグネシウム(Mg)の含量は前記カバー部のうち第1領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量よりも多い、請求項4に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記誘電体層の厚さは0.4μm以下であり、前記内部電極の厚さは0.4μm以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第1領域の厚さは12μm以下であり、第2領域の厚さは3μm以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 複数個の第1内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第1セラミックグリーンシート及び複数個の第2内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第2セラミックグリーンシートを用意する段階と、
前記第1内部電極パターンと前記第2内部電極パターンが交差するように前記第1セラミックグリーンシートと前記第2セラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層本体を形成する段階と、
前記第1内部電極パターンと第2内部電極パターンの末端が幅方向に露出した側面を有するように前記セラミックグリーンシート積層本体を切断する段階と、
前記第1内部電極パターンと第2内部電極パターンの末端が露出した側面に第1サイドマージン部及び第2サイドマージン部を形成する段階と、
前記切断された積層本体を焼成して誘電体層と第1及び第2内部電極を含むセラミック本体を製造する段階と、
を含み、
前記セラミック本体は前記誘電体層を介して互いに対向するように配置される第1及び第2内部電極を含んで容量が形成されるアクティブ部と前記アクティブ部の上部及び下部に形成されたカバー部を含み、
前記第1及び第2サイドマージン部は当該第1及び第2サイドマージン部の外側面に隣接した第1領域と前記露出した内部電極に隣接した第2領域に分かれ、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズが第1領域に含まれる誘電体グレインサイズより大きく、
前記第1領域に含まれる誘電体グレインサイズは90nm以上410nm以下であり、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズは170nm以上700nm以下である、積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記第2領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量は第1領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量よりも多い、請求項8に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第2領域のマグネシウム(Mg)の含量は前記第1及び第2サイドマージン部に含まれるチタン(Ti)100モルに対して10モル以上30モル以下である、請求項9に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記カバー部は前記セラミック本体の第5面及び第6面に隣接した第1領域と前記内部電極に隣接した第2領域に分かれ、前記第2領域に含まれる誘電体グレインサイズが第1領域に含まれる誘電体グレインサイズより大きい、請求項8から10のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記カバー部のうち第2領域のマグネシウム(Mg)の含量は前記カバー部のうち第1領域に含まれるマグネシウム(Mg)の含量よりも多い、請求項11に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記誘電体層の厚さは0.4μm以下であり、前記第1及び第2内部電極の厚さは0.4μm以下である、請求項8から12のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第1領域の厚さは12μm以下であり、第2領域の厚さは3μm以下である、請求項8から13のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
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