CN107108333B - 具有高的紫外线透射率和耐晒性的低cte玻璃 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有高紫外线透射率和高耐晒性的低CTE玻璃，其包括无碱金属氧化物的组分：50‑75摩尔％的SiO2、3‑20摩尔％的Al2O3、5‑20摩尔％的B2O3、0‑15摩尔％的MgO、0‑15摩尔％的CaO、0‑15摩尔％的SrO和0‑15摩尔％的BaO，其中，MgO+CaO+SrO+BaO等于3至25摩尔％，以及每个多面体的非桥氧(NBO)的平均数等于或大于‑0.08或等于或小于‑0.38。另一方面，本发明作为选择地提供一种无碱土金属氧化物的组分：75‑85摩尔％的SiO2、0‑7摩尔％的Al2O3、8‑15摩尔％的B2O3、0‑8摩尔％的Na2O、0‑5摩尔％的K2O，其中非桥氧(NBO)优选等于或大于‑0.25且等于或小于‑0.10。本发明还提供了一种玻璃载体晶片及其用途，该玻璃载体晶片具有在248nm和/或308nm的波长下的高紫外线透射率、良好的耐晒性、长的循环使用寿命和降低的处理成本。

Description

具有高的紫外线透射率和耐晒性的低CTE玻璃
技术领域
本发明涉及一种具有高的紫外线透射率和耐晒性的用作玻璃载体晶片的低CTE玻璃。本发明还涉及由所述低CTE玻璃制成的玻璃载体晶片和其作为载体晶片在硅衬底的处理中的用途。
背景技术
使硅衬底变薄以便满足对于例如集成电路的尺寸减小的持续需求已经成为半导体工业中的常见处理。硅载体晶片已广泛地用作用于硅衬底的减薄和背面研磨的机械载体，以便于易碎的变薄的衬底的处理。硅衬底由此通常由粘合剂粘合到载体晶片。取决于粘合剂，硅衬底在处理后从载体晶片的脱粘可以通过例如溶剂释放或热释放来实现。
由于其有利的特性、例如视觉检查的光学透明性和其他基于电磁辐射的处理技术，玻璃已被用作载体晶片材料。特别是，玻璃载体晶片允许通过电磁辐射的照射的脱粘方法。在这种情况下，粘合剂对某类电磁辐射敏感，并且可以通过透明晶片进行照射，以减少或消除粘合剂效果(失活)。常用的粘合剂通常可以通过用紫外线激光辐射的照射(激光释放)而失活。紫外线激光辐射通常是在248纳米或308纳米的波长下，但取决于粘合剂也可以是其它波长。为了实现足够的脱粘的效果，通常要求例如在0.5mm的载体晶片的厚度下，在对应的波长下的紫外线透射率为高于20％。
紫外线激光释放过程中产生的一个普遍问题是在玻璃载体晶片的曝晒(solarization)，即由于通过激光辐射的照射，透射率劣化。如果玻璃载体晶片反复暴露于激光辐射，这是一个特别的问题。曝晒因此可以显著限制玻璃载体晶片的循环使用寿命。因此，玻璃载体晶片在半导体工业中的用途也需要具有高的耐晒性的玻璃，以产生长的循环使用寿命和最终降低的处理成本。
用于改善耐晒性的已知方法是添加控制量的CeO2、Fe2O3、TiO2、SnO2、As2O3、MnO2和V2O5，但是这将阻止(切除)在小于300nm的波长范围内的紫外线透射率。例如，诸如EP 0 735007 B1(欧司朗西尔韦尼亚公司)、US 5,528,107 A(Richard等)、US 7,217,673 B2(肖特股份公司)、US 7,517,822 B2(肖特股份公司)、US 2014/0117294 A(肖特股份公司)、US2013/0207058 A(肖特股份公司)，US 7,951,312 B2(肖特股份公司)、US 8,283,269 B2(肖特股份公司)和US 7,535,179 B2(肖特股份公司)的这些专利或申请公开了上述方案。很显然，用这种方法制备的玻璃由于在248纳米波长下的小于10％的低紫外线透射率而不能用于玻璃载体晶片。
改善耐晒性的另一方法是不使用任何如上所述的紫外线敏感剂或提高在硼硅酸盐玻璃中BO3的含量(参见例如US 5,547,904 A，肖特股份公司；US 5,599,753 A，JenaerGlaswerk有限公司；US 5,610,108 A，肖特玻璃)。因此，在这些专利或申请中，硼硅酸盐玻璃可以具有尽可能高的在248纳米的波长下的紫外线透射率，即远高于20％。然而，在这些文献中公开的硼硅酸盐玻璃出于几个原因不适合用作用于硅的背面研磨和减薄处理的载体玻璃晶片。例如，US 5,547,904 A(肖特股份公司)的一个问题是，Li2O用于硼硅酸盐玻璃，其在半导体工业中不是优选的，因为硅衬底可能被锂离子污染。US 5,599,753 A(Jenaer Glaswerk有限公司)和US 5,610,108 A(肖特玻璃)中所述的玻璃的热膨胀系数(CTE)为4-6ppm/K，因此不适合作为用于硅衬底的玻璃载体晶片，因为用作载体晶片的玻璃需要具有非常接近硅的CTE的CTE，以避免在处理过程中由于载体晶片和硅衬底之间不平衡的热膨胀导致的裂纹或翘曲。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种克服了现有技术的缺点的玻璃。尤其是，本发明的一个目的是提供一种特别是在248nm和/或308nm的波长下具有高的紫外线透射率和高的耐晒性的玻璃，其优选用作半导体工业中的硅衬底的玻璃载体晶片。本发明的另一目的是提供一种允许在半导体工业可重复使用的玻璃载体晶片的玻璃，所述玻璃载体晶片具有长的循环使用寿命和低的处理成本。本发明的另一目的是提供一种具有低的CTE、特别是CTE接近硅的CTE的玻璃。此外，本发明的一个目的是提供一种玻璃载体晶片和其在半导体工业中的用途。
该目的通过如在独立权利要求中限定的低CTE玻璃、玻璃载体晶片、用途与方法来解决。从属权利要求中限定了优选的实施例。本文中的“低CTE玻璃”通常是指CTE等于或小于4.0ppm/K的玻璃。
根据本发明的一个方面，具有高紫外线透射率和高耐晒性的低CTE玻璃包含如下无碱金属氧化物的组分(以摩尔百分比计)：
Figure BDA0001320679310000031
其中，MgO+CaO+SrO+BaO等于3-25摩尔％和每个多面体的非桥氧(NBO)的平均数等于或大于-0.08或等于或小于-0.38。
考虑到玻璃的结构，广泛使用了NBO(非桥氧)的概念。NBO可以视为反映由特定化学组分导致的玻璃的网络结构一个参数。已经令人惊奇地发现，本文所述的低CTE玻璃的NBO所示的网络结构影响了光学特性、特别是紫外线透射率。换言之，本文所述的低CTE玻璃的紫外线透射率可以通过调整玻璃内部的NBO含量而显著提高。
网络结构的结构可以用如下定义的四个参数X、Y、Z和R表征：
X＝每个多面体的非桥氧、即NBO的平均数；
Y＝每个多面体的桥氧的平均数；
Z＝每个多面体的氧的总平均数；以及
R＝氧的总数与网络形成剂的总数的比值。
R可以从低CTE玻璃的摩尔组分推算。四个参数X、Y、Z和R可以根据下式计算：
R＝Omol/(Simol+Almol+Bmol) (1)
Y＝2Z-2R (2)
X＝2R–Z。 (3)
对于硅酸盐，
Z＝4。 (4)
从式(1)、(3)和(4)，可以得出如下结论：
X＝2x Omol/(Simol+Almol+Bmol)–4 (5)
根据本发明的这一方面，具有等于或大于-0.08或等于或小于-0.38的NBO的无碱金属氧化物的低CTE玻璃可以在248纳米的波长下实现高于20％的紫外线透射率，使得所述玻璃在半导体工业中的载体晶片的应用中是特别有用的。
在此方面的一个优选实施方案中，无碱金属氧化物的组分包含55-70摩尔％范围中的SiO2和14-20摩尔％范围中的B2O3，其中，NBO优选等于或小于-0.38。
在此方面的另一优选实施方案中，无碱金属氧化物的组分包含65-75摩尔％范围中的SiO2和5-10摩尔％范围中的B2O3，其中，NBO优选等于或大于-0.08。
在另一优选实施方案中，无碱金属氧化物的组分包含2-15-摩尔％范围中的MgO和/或0-10摩尔％、特别是0-5摩尔％范围中的CaO和/或0-10摩尔％、特别是0-5摩尔％范围中的BaO。
根据另一方面，本发明作为选择地提供了一种低CTE玻璃，其包括如下无碱土金属氧化物的组分(以摩尔百分比计)：
Figure BDA0001320679310000041
优选地，所述无碱土金属氧化物的组分的NBO等于或大于-0.25并且等于或小于-0.10。
已经令人惊奇地发现，根据本发明的这一方面，无碱土金属氧化物的低CTE玻璃可以在248纳米的波长下实现高于25％的紫外线透射率，使得玻璃在半导体工业中的载体晶片的应用中是特别有用的。通过将NBO调节至等于或大于-0.25且等于或小于-0.10，可以进一步提高紫外线透射率。
在此方面的一个优选实施方案中，包括无碱土金属氧化物的组分的低CTE玻璃包含0到3摩尔％范围中的K2O。在另一优选实施方案中，无碱土金属氧化物的组分包含0-6摩尔％范围中、更优选1-5.5摩尔％范围中的Na2O。
对于根据本发明的低CTE玻璃在半导体工业中的用途，低CTE玻璃优选基本上不包含Li2O，以防止硅衬底被锂离子污染。"基本上不包含"特此是指小于0.01摩尔％的含量。
本发明的低CTE玻璃在248纳米的波长下具有等于或大于20％、优选等于或大于22％的紫外线透射率，并且在无碱土金属氧化物的低CTE玻璃的情况下等于或大于25％。在大于248纳米且小于780纳米的波长下的紫外线透射率由此优选等于或大于在248nm下的紫外线透射率。低CTE玻璃也具有在248纳米的波长下通过激光辐射100'000mJ/cm2的紫外线能量用量之后透射率损失低于1％的耐晒性。
在一个优选的实施方案中，如果低CTE玻璃具有小于0.01摩尔％的Fe2O3的含量，在248nm的波长下的紫外线透射率可以进一步提高。但是，这样高纯度的玻璃是昂贵的，但对于给定的要求仍然可以是优选的。
在一个优选的实施方案中，低CTE玻璃的转变温度Tg高于550℃，优选高于650℃和更优选高于700℃。
在另一优选的实施方案中，低CTE玻璃的热膨胀系数(CTE)等于或大于2.0ppm/K且等于或小于4.0ppm/K。优选地，玻璃的CTE接近于硅衬底的CTE约3ppm/K)，以便避免由于玻璃载体晶片和硅衬底之间的热膨胀系数的不匹配而可发生的翘曲和破裂。
在一个优选的实施方案中，本发明的低CTE玻璃提供为玻璃晶片，特别厚度为0.05至1.2mm范围中、优选0.1mm至0.7mm范围中的玻璃晶片。厚度可以特别是等于或小于1.2mm、等于或小于0.7mm、等于或小于0.5毫米、等于或小于0.25毫米、等于或小于0.1毫米、或者等于或小于0.05毫米。其他优选选择的厚度为100μm、200μm、250μm、400μm、500μm、550μm、700μm或1000μm。玻璃晶片的表面尺寸优选是约15厘米、20厘米、30厘米，或优选约6”、8”或12”。玻璃晶片的形状可以是矩形或圆形以及椭圆形。如果特定的应用需要，也可以使用其它的形状和尺寸。
基于以上描述，由本发明的低CTE玻璃制成的玻璃载体晶片在248纳米的波长下可以具有：高紫外线透射率、即紫外线透射率大于20％；良好的耐晒性、即在248纳米的波长下通过激光辐射100'000mJ/cm2的紫外线能量用量之后透射率损失低于1％；和长的循环使用寿命、即至少500次循环而不显著劣化。
本发明还涉及一种结合制品，包括根据本发明的低CTE玻璃制成的玻璃载体晶片和结合到其上的硅衬底。硅衬底优选通过粘合剂粘合到玻璃载体晶片上，其可以优选地通过照射UV辐射、特别是通过优选248纳米或者308纳米的波长下的激光辐射而失活。失活特此是指粘合剂层的粘合力可以通过照射UV辐射而充分地降低或消除，以使硅衬底从玻璃载体晶片脱粘。
根据本发明的玻璃载体晶片优选用作用于硅衬底的处理、特别是在硅衬底的变薄和/或背面研磨期间的载体晶片。在使用期间，硅衬底优选粘附到玻璃载体晶片、特别是通过粘合剂层，以及在处理过程中经由玻璃载体晶片操作。
本发明的低CTE玻璃示出了，在本发明的又一方面中，提供了一种用于提供具有高的紫外线透射率和高的耐晒性的低CTE玻璃的方法，所述低CTE玻璃包括SiO2、Al2O3和B2O3，所述方法包括：通过调整NBO数来改变给定的低CTE玻璃组分，以便提高在给定波长、特别是248nm和/或308nm的波长下的紫外线透射率、特别是使紫外线透射率提高至20％以上，其中NBO数定义为NBO＝2x Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4。本领域技术人员可以立即从本公开内容中得知如何从给定的低CTE玻璃组分开始可以以有限的努力通过调整NBO数实现高的紫外线透射率。
附图说明
以下借助示意性实施例并参照附图对本发明作进一步说明。在附图中相同的参考数字用来指示相同或相应的元件。附图示出了：
图1：具有通过在脱粘处理过程中的激光照射处理的玻璃载波件的结合制品的剖面图；
图2：示意性实施例的相对于NBO的248纳米的波长下的紫外线透射率；
图3：多个玻璃组合物的光谱透射率的图；
图4：根据本发明的优选实施例的高纯度(低Fe2O3含量)的玻璃和商品级玻璃之间的紫外线透射率的比较例。
具体实施方式
将通过下文中所述的示例和实施例并参照附图更详细地示出本发明的目的、特征和优点。
图1示意性示出了包括在通过激光释放的脱粘处理期间的玻璃载体晶片2的结合制品。结合制品1包括由粘合剂层4粘合在一起的根据本发明的玻璃制成的玻璃载体晶片2和硅衬底3，所述粘合剂层4可以通过电磁辐射的照射而失活。在本示例中，粘合剂层4可以通过在248nm波长下的UV辐射而失活，使得粘附力减少或消除，使得硅衬底3可以脱粘。所述脱粘(激光释放)通过由激光5穿过玻璃载体晶片2照射粘合剂层4来实现。在典型的处理中，将晶片安装在计算机数控(CNC)控制的平台(未示出)上并移动到静止的激光束5的下方。处理细节取决于激光和移动平台的性能。例如，具有800mJ的最大脉冲能量的248纳米的激光5以30赫兹的脉冲重复速率运行并散焦以在尺寸为1.01mm x 1.01mm的目标区域6上提供200mJ/cm2。低CTE玻璃/硅的结合制品1以30毫米/秒在脉冲式光束5的下方移动，使得脉冲重叠10μm。在这些条件下，将玻璃载体晶片2以20平方厘米/分钟的速率从硅衬底3干净地脱粘。
下文的表1示出了脱粘处理的一些一般参数。从表1中可以看出，玻璃载体晶片2可以承受至少500个循环，而不显著损失紫外线透射率、即具有高的耐晒性。根据本发明的玻璃载体晶片2可以承受来自紫外线激光器的248纳米波长下的至少100'000mJ/cm2的辐射，而在该波长下的透射率的下降远小于1％。
参数 数值
聚焦点: 1.01mm x 1.01mm
移动速度 30mm/秒
散焦的紫外线能量用量 200mJ/cm<sup>2</sup>
10个循环后的紫外线能量用量 2000mJ/cm<sup>2</sup>
20个循环后的紫外线能量用量 4000mJ/cm<sup>2</sup>
50个循环后的紫外线能量用量 10000mJ/cm<sup>2</sup>
100个循环后的紫外线能量用量 20000mJ/cm<sup>2</sup>
500个循环后的紫外线能量用量 100000mJ/cm<sup>2</sup>
表1:脱粘处理的一些一般参数
示例A
一个方面，本申请提供了一种具有高紫外线透射率和高耐晒性的低CTE玻璃，其包括如下无碱金属氧化物的组合物(以摩尔百分比计)：
Figure BDA0001320679310000071
Figure BDA0001320679310000081
其中，MgO+CaO+SrO+BaO等于3-25摩尔％和非桥氧(NBO)的平均数等于或大于-0.08或等于或小于-0.38。
下文列出的表2示出了无碱金属氧化物的低CTE玻璃(示例A)的根据本发明的此方面的8个样品(第1-5、13-15号)和7个比较样品(第6-12号)。
Figure BDA0001320679310000082
表2：低CTE玻璃的15个样品的参数(示例A)
从表2中可以看出，-0.38至-0.08范围中的NBO数(第6-12号样品)得到了248nm的波长下的紫外线透射率低于20％(也见图2)。因此，比较样品的低CTE玻璃由于在248nm波长下的低紫外线透射率而不适合作为载体玻璃。但是，NBO在-0.53至-0.38范围内(四舍五入)的样品1-5号和NBO在-0.08至0.02范围内(四舍五入)的样品13-15号、即NBO数等于或大于-0.08或等于或小于-0.38，在248nm的波长下的紫外线透射率高于20％。4号样品的异常高的紫外线透射率是由于特定的BaO含量的异常影响。
图3示出了根据本发明的第一方面的几个玻璃组合物在200纳米至350纳米的波长范围内的光谱透射率的图。细虚线对应于第11号样品并用作根据本发明的玻璃组分的基准。点划线对应于第13号样品，其具有-0.08的NBO数。实线对应于第15号样品，其具有0.01的NBO数(见表2)。如从图中所显而易见的，与第11号玻璃样品相比，根据本发明的第13和15号玻璃组分的具有增强的紫外线透射率。尤其是，也提高了在波长248nm和308纳米下的透射率，使得玻璃组分特别适合于例如玻璃载体晶片的应用。
虚线示出了具有第11号样品相同组分的玻璃样品，其中使用了高纯度的原料，即低的Fe2O3含量(也参见图4)。立刻显而易见的是，使用这样的高纯度材料大幅提高了紫外线透射率，其特别是而不仅是除了由调整NBO数导致的提高，使得所述玻璃适合用作玻璃载体晶片的应用。
示例B
根据另一方面，本发明作为选择地提供了一种低CTE玻璃，其包括如下无碱土金属氧化物的组分(以摩尔百分比计)：
Figure BDA0001320679310000091
优选地，NBO等于或大于-0.25并且等于或小于-0.10。
下文列出的表3示出了根据本发明(实施例B)的该方面的无碱土金属氧化物玻璃的五个样品(第16-20号)的参数。
Figure BDA0001320679310000092
表3：低CTE玻璃的5个样品的参数(示例B)
根据表3的无碱土金属氧化物玻璃的所有样品(即样品号16-20)的NBO数为-0.25至-0.10。所有样品的相应的248nm波长下的紫外线透射率显著高于20％。
示例A和B的所有样品制备成厚度为0.5毫米。根据本发明的所有样品(第1-5和13-20号)的热膨胀系数(CTE)大于2.0ppm/K且小于4.0ppm/K，其非常接近用于常规目的的硅的热膨胀系数(约3ppm/K)。低CTE玻璃优选基本上不含Li2O。
从表2和表3中，第1-5和13-20号样品的248nm下的紫外线透射率为大于20％。第16-20号样品的紫外线透射率甚至大于27％。
根据本发明的低CTE玻璃具有在248纳米的激光下的100'000mJ/cm2的紫外线能量用量之后透射率损失远小于1％的耐晒性。如可以从表2和3中得到的，在500个循环、每个循环的能量用量为200mJ/cm2的激光照射之后(相当于总计100'000mJ/cm2的紫外线能量用量)，根据本发明的所有样本(即第1-5和13-20号)在248纳米的透射率损失远小于1％。因此，根据本发明的低CTE玻璃具有优良的耐晒性，其延长了循环使用寿命并降低了处理成本。
图4示出相同玻璃组分的高纯度的和商品级之间的光谱透射率的比较。图4中所用的玻璃对应于第11号样品的玻璃。这里，“高纯度”是指与常规商品的可比较的玻璃相比，Fe2O3含量非常低。在本发明中，高纯度玻璃的Fe2O3含量小于0.01摩尔％。
图4中的实验数据示出了高纯度组分的紫外线透射率约为51％以及商品级组分仅约为10％(参照图4)。同样地，高纯度组分的波长308nm处的紫外线透射率为88％以及商品级组分仅为61％。商品级玻璃的紫外线透射率因此可以通过使用高纯度的原材料来显著改善。如图4中的示例所示，使用高纯度的材料通常显著改善玻璃、甚至是不形成本发明的一部分的玻璃的紫外线透射率。当然明显的是，当使用高纯度原料时，本发明的玻璃将实现相应的改进。
由于根据本发明的低CTE玻璃的优异性能，由其制成的载体玻璃晶片可以实现在248nm和/或308nm处的高紫外线透射率、良好的耐晒性、长的循环使用寿命以及由此降低的处理成本。
本文中的用于本发明的公开内容和描述的术语仅出于描述特定方面的目的，并且不以任何方式限制本发明。此外，本发明的整个说明书和权利要求书中，单词“包括”和该单词的其他形式、例如“包括”和“包含”，是指包括但不限于，不旨在排除例如其他添加剂或成分，除非明确声明。

Claims (24)

1.一种具有高紫外线透射率和高耐晒性的低CTE玻璃，包含如下无碱金属氧化物的组分以摩尔百分比计：
SiO2 50-75,
Al2O3 3-20,
B2O3 5-20,
MgO 0-15,
CaO 0-15,
SrO 0-15,
BaO 1-15,
其中，MgO+CaO+SrO+BaO等于3-25摩尔%以及每个多面体的非桥氧（NBO）的平均数等于或小于-0.38；或者
以摩尔百分比计的无碱土金属氧化物的组合物：
SiO2 78-85,
Al2O3 0-7,
B2O3 8-15,
Na2O 4.41-5.5,
K2O 1.39-5,
其中，NBO等于或大于-0.163且等于或小于-0.10,
其中，NBO定义为NBO = 2 × Omol/(Simol+Almol+Bmol) - 4。
2.根据权利要求1所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃基本上不含Li2O 2。
3.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，248nm处的紫外线透射率大于20%。
4.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，248nm处的紫外线透射率大于22%。
5.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃具有在248纳米的波长下通过激光辐射100'000 mJ/cm2的紫外线能量用量之后透射率损失低于1%的耐晒性。
6.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，Fe2O3的含量低于0.01摩尔%。
7.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃的转变温度Tg高于550℃。
8.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃的转变温度Tg高于650℃。
9.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃的转变温度Tg高于700℃。
10.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，热膨胀系数（CTE）大于2.0 ppm/K且小于4.0 ppm/K。
11.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃的厚度在0.05至1.2毫米的范围内。
12.根据权利要求1或2所述的低CTE玻璃，其特征在于，所述玻璃的厚度在0.1至0.7毫米的范围内。
13.一种由根据权利要求1至12中任一项所述的低CTE玻璃制成的玻璃载体晶片。
14.一种结合制品，其包括根据权利要求13所述的玻璃载体晶片和结合在其上的硅衬底。
15.根据权利要求14所述的结合制品，其中，所述玻璃载体晶片和所述硅衬底通过粘合剂结合。
16.根据权利要求15所述的结合制品，其中所述粘合剂可以通过照射UV辐射而失活。
17.根据权利要求15所述的结合制品，其中，所述粘合剂可以通过248纳米波长下的激光辐射而失活。
18.根据权利要求13所述的玻璃载体晶片在作为用于硅衬底的处理的载体晶片中的用途。
19.根据权利要求13所述的玻璃载体晶片在硅衬底的变薄和/或背面研磨期间作为载体晶片的用途。
20.根据权利要求18或19所述的用途，其特征在于，所述硅衬底粘附到所述玻璃载体晶片，以及在处理过程中经由所述玻璃载体晶片操作。
21.根据权利要求18或19所述的用途，其特征在于，所述硅衬底通过粘合剂层粘附到所述玻璃载体晶片。
22.一种用于提供具有高的紫外线透射率和高的耐晒性的低CTE玻璃的方法，所述低CTE玻璃至少包括SiO2、Al2O3和B2O3，所述方法包括：通过调整NBO数来改变给定的低CTE玻璃组分，以便提高在给定波长下的紫外线透射率，其中NBO数定义为NBO = 2 × Omol/(Simol+Almol+Bmol)-4。
23.根据权利要求22所述的方法，所述方法包括：通过调整NBO数来改变给定的低CTE玻璃组分，以便在给定波长下使紫外线透射率提高至20%以上。
24.根据权利要求22或23所述的方法，其中，所述给定波长为248nm和/或308nm的波长。
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