WO2021192700A1 - 接合体 - Google Patents

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WO2021192700A1
WO2021192700A1 PCT/JP2021/005093 JP2021005093W WO2021192700A1 WO 2021192700 A1 WO2021192700 A1 WO 2021192700A1 JP 2021005093 W JP2021005093 W JP 2021005093W WO 2021192700 A1 WO2021192700 A1 WO 2021192700A1
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WO
WIPO (PCT)
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glass
wafer
less
thermal expansion
thickness
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/005093
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English (en)
French (fr)
Inventor
小川　修平
山本　宏行
Original Assignee
Ａｇｃ株式会社
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Publication date
Application filed by Ａｇｃ株式会社 filed Critical Ａｇｃ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Definitions

  • the present invention relates to a bonded body, and more particularly to a wafer bonded body in which a wafer and glass are bonded.
  • a bonded body obtained by joining a wafer and glass is used, for example, in the manufacture of electronic devices.
  • a ⁇ LED (microLED) display has attracted attention as a display for small electronic devices such as smartphones, digital cameras, and wearable devices, and the joint is used when manufacturing this ⁇ LED display.
  • a ⁇ LED display is a screen in which small LEDs of 100 ⁇ m or less are spread on the screen, and images are created by making them emit light. Since LEDs are self-luminous elements, unlike liquid crystal displays, no backlight is required, and current only needs to be passed through the LEDs of the image quality that you want to illuminate, so ⁇ LED displays have excellent power utilization efficiency and are downsized. Even when this is done, it is possible to increase the definition of the image.
  • the ⁇ LED display is formed by manufacturing LEDs on a wafer at a high density and bonding them to a wafer on which wiring and circuits are formed, and the above-mentioned joint is used as the wafer for manufacturing the LEDs. Since the wafer alone causes damage such as cracks in the transfer process and the heat treatment process in display manufacturing, a bonded body laminated on the wafer with glass as a substrate is used and irradiated with UV (ultraviolet rays) when it is finally commercialized. Peel off the substrate.
  • UV ultraviolet
  • the member has a first expansion coefficient ⁇ 1
  • the glass material or glass ceramic material has a second expansion coefficient ⁇ 2, and glass.
  • the material or glass-ceramic material has a surface having thickness, total thickness unevenness (TTV) in the surface, local thickness unevenness (LTV), and WARP, and is a joint body of a member and a glass material or a glass-ceramic material.
  • TTV total thickness unevenness
  • LTV local thickness unevenness
  • WARP WARP
  • a bonded body in which a wafer and glass are bonded is easily warped, which causes a problem that the wafer is peeled off or damaged.
  • a thin film of a wafer is required, but thinning the wafer makes it more liable to crack.
  • an object of the present invention is to provide a bonded body provided with a wafer having a micron thickness, in which warpage is suppressed and peeling and breakage of the wafer are reduced.
  • the present inventors join the wafer and the glass via a bonding layer containing a resin adhesive having a specific Young ratio, and set the thickness of the wafer and the glass within a specific range.
  • they have found that the above problems can be solved by more strictly adjusting the average coefficient of thermal expansion of both and setting the parallelism of the bonded body to a specific value or less, and have completed the present invention.
  • the present invention relates to the following (1) to (5).
  • a bonded body of a wafer and glass, the wafer and the glass are bonded via a bonding layer containing a resin adhesive having a Young coefficient of 2.0 GPa or less, and the thickness of the wafer is 1 to 70 ⁇ m.
  • the thickness of the glass is 0.1 to 1.5 mm, the absolute value of the difference between the average coefficient of thermal expansion of the wafer and the average coefficient of thermal expansion of the glass is 3.0 ppm / ° C. or less, and the bonding is performed.
  • the warp of the bonded body is suppressed, the damage of the wafer in the transport process and the heat treatment process can be reduced, and the handleability can be improved.
  • the transmittance of the glass with respect to light having a wavelength of 248 nm is 55% or more, the UV transmittance is high, so that it is suitable for applications requiring a step of peeling the wafer and the glass, such as those used in the manufacture of ⁇ LED displays. Can be used for.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the joined body according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the joined body according to the present invention.
  • the bonded body of the present invention is a bonded body of a wafer and glass which is a substrate, and as shown in FIG. 1, in the bonded body 1, the wafer 11 and the glass 13 are bonded via a bonding layer 15. There is.
  • the thickness of the wafer 11 in the bonded body 1 is 1 to 70 ⁇ m
  • the thickness of the glass substrate 13 is 0.1 to 1.5 mm
  • the absolute difference between the average coefficient of thermal expansion of the wafer 11 and the average coefficient of thermal expansion of the glass 13 is absolute.
  • the value is 3.0 ppm / ° C or less.
  • the bonding layer 15 contains a resin adhesive having a Young's modulus of 2.0 GPa or less.
  • the parallelism of the bonded body 1 is 15.0 ⁇ m or less.
  • the glass supports the wafer and the warp of the bonded body can be suppressed, so that the wafer having a micron thickness can be suppressed from peeling or breaking, the handleability is improved, and the thickness is extremely thin.
  • a bonded body can be realized.
  • each layer constituting the bonded body of the present embodiment and a method for producing the bonded body will be described in detail, and then the bonded body will be described in detail.
  • a wafer is a film-like molded body formed from an arbitrary material.
  • Materials that make up the wafer include, for example, silicon, silicon carbide, lithium tantalate, lithium niobate, lithium tetraborate, glass, ceramics, silicon carbide, gallium nitride, gallium oxide, gallium arsenide, indium phosphide, and sapphire. , Diamond, quartz and the like. Wafers can be molded from one or more materials selected from these groups. Among these, silicon, sapphire, and gallium arsenide are preferable as the wafer constituent material, and silicon is more preferable when used for a ⁇ LED display.
  • the thickness of the wafer is 1 to 70 ⁇ m.
  • the thickness is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, further preferably 7 ⁇ m or more, further preferably 55 ⁇ m or less, more preferably 50 ⁇ m or less, further preferably 35 ⁇ m or less, still more preferably 30 ⁇ m or less. 25 ⁇ m or less is particularly preferable, and 10 ⁇ m or less is most preferable.
  • the parallelism of the wafer is preferably 15.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the parallelism is the size of the maximum gap between the upper surface of the holding table and the lower surface of the joining body when the joint body is brought into contact with the upper surface of the holding table.
  • the parallelism of the wafer is 15.0 ⁇ m or less, the parallelism of the bonded body can be reduced to 15.0 ⁇ m or less, and thus the warp of the bonded body can be reduced.
  • the parallelism of the wafer is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 6.0 ⁇ m or less, and particularly preferably 3.0 ⁇ m or less. Further, the smaller the parallelism, the more the warpage of the bonded body can be reduced, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • the parallelism can be measured by, for example, a non-contact flatness measuring device (for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.).
  • a non-contact flatness measuring device for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.
  • the parallelism can be adjusted by changing the polishing speed of the surface grinding machine or lapping machine and the method of pouring the grinding fluid.
  • the flatness of the wafer is preferably 20.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the flatness is "the magnitude of deviation from a geometrically correct plane of a plane feature" and is defined by JIS 0621-1984. Specifically, it is defined as the distance between two planes when the distance between the two planes is minimized when the plane feature is sandwiched between two geometrically parallel planes.
  • the flatness of the wafer is 20.0 ⁇ m or less, the warp of the bonded body can be reduced when the bonded body is formed.
  • the flatness of the wafer is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 7.0 ⁇ m or less, and particularly preferably 4.0 ⁇ m or less. Further, the lower the flatness is, the more the warpage of the bonded body can be reduced, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.7 ⁇ m or more from the viewpoint of manufacturability.
  • the flatness can be measured by, for example, a three-dimensional coordinate measuring machine (for example, "xyzaxRVF-A” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).
  • the flatness can be adjusted by changing the polishing speed of the surface grinding machine or lapping machine and the method of pouring the grinding fluid.
  • the glass acts as a substrate that supports the wafer.
  • the glass is preferably plate-shaped.
  • the glass may be a single layer body made of one kind of glass plate, or may be a laminated body in which two or more glass plates are laminated.
  • the glass uses a glass in which the absolute value of the difference between the average coefficient of thermal expansion and the average coefficient of thermal expansion of the wafer to be bonded is 3.0 ppm / ° C or less.
  • the absolute value of the difference between the average coefficient of thermal expansion of the entire laminated body and the average coefficient of thermal expansion of the wafer should be 3.0 ppm / ° C. or less.
  • the "average coefficient of thermal expansion” means the average value of the coefficient of thermal expansion measured in the range of 20 to 200 ° C.
  • the absolute value of the difference between the average coefficient of thermal expansion of the wafer and the glass is more preferably 2.5 ppm / ° C. or less, further preferably 2.0 ppm / ° C. or less, still more preferably 1.5 ppm / ° C. or less. It is particularly preferably 0.0 ppm / ° C. or lower, and most preferably 0.5 ppm / ° C. or lower. Further, the lower limit is not particularly limited and may be 0 ppm / ° C.
  • the average coefficient of thermal expansion of silicon is 3.4 ppm / ° C., so that the average coefficient of thermal expansion of glass is 0.4 to 6.4 ppm / ° C. Is preferable.
  • the average coefficient of thermal expansion of glass is more preferably 0.9 ppm / ° C. or higher, further preferably 1.4 ppm / ° C. or higher, further preferably 1.9 ppm / ° C. or higher, particularly preferably 2.4 ppm / ° C. or higher, 2 9.9 ppm / ° C. or higher is particularly preferable, and 3.3 ppm / ° C. or higher is most preferable.
  • the average coefficient of thermal expansion of the glass is more preferably 5.9 ppm / ° C. or lower, further preferably 5.4 ppm / ° C. or lower, further preferably 4.9 ppm / ° C. or lower, and particularly preferably 4.4 ppm / ° C. or lower.
  • 3.9 ppm / ° C. or lower is preferable, and 3.5 ppm / ° C. or lower is most preferable.
  • the range of the average coefficient of thermal expansion of the glass can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • the average coefficient of thermal expansion of sapphire is 7.7 ppm / ° C., so that the average coefficient of thermal expansion of glass is preferably 4.7 to 10.7 ppm / ° C.
  • the average coefficient of thermal expansion of glass is more preferably 5.2 ppm / ° C. or higher, further preferably 5.7 ppm / ° C. or higher, further preferably 6.2 ppm / ° C. or higher, particularly preferably 6.7 ppm / ° C. or higher, 7 .2 ppm / ° C. or higher is particularly preferable, and 7.6 ppm / ° C. or higher is most preferable.
  • the average coefficient of thermal expansion of glass is more preferably 10.2 ppm / ° C. or lower, further preferably 9.7 ppm / ° C. or lower, further preferably 9.2 ppm / ° C. or lower, and particularly preferably 8.7 ppm / ° C. or lower. , 8.2 ppm / ° C. or lower is particularly preferable, and 7.8 ppm / ° C. or lower is most preferable.
  • the range of the average coefficient of thermal expansion of the glass can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • the average coefficient of thermal expansion of gallium arsenide is 5.7 ppm / ° C., so that the average coefficient of thermal expansion of glass is preferably 2.7 to 8.7 ppm / ° C. ..
  • the average coefficient of thermal expansion of glass is more preferably 3.2 ppm / ° C. or higher, further preferably 3.7 ppm / ° C. or higher, further preferably 4.2 ppm / ° C. or higher, particularly preferably 4.7 ppm / ° C. or higher, 5 .2 ppm / ° C. or higher is particularly preferable, and 5.6 ppm / ° C. or higher is most preferable.
  • the average coefficient of thermal expansion of glass is more preferably 8.2 ppm / ° C. or lower, further preferably 7.7 ppm / ° C. or lower, further preferably 7.2 ppm / ° C. or lower, and particularly preferably 6.7 ppm / ° C. or lower. , 6.2 ppm / ° C. or lower is particularly preferable, and 5.8 ppm / ° C. or lower is most preferable.
  • the range of the average coefficient of thermal expansion of the glass can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • the absolute value of the difference between the average coefficient of thermal expansion of the wafer and the glass can be set by adjusting the composition of the glass based on the average coefficient of thermal expansion of the wafer to be bonded.
  • glass examples include borosilicate glass, non-alkali aluminum borosilicate glass, soda-lime glass and the like.
  • borosilicate when used in a bonded body such as that used in the manufacture of ⁇ LED displays that finally perform the process of peeling glass from the wafer, borosilicate from the viewpoint of achieving both the expansion coefficient of glass and the ultraviolet transmission rate. At least one selected from the group consisting of acid glass and non-alkali aluminum borosilicate glass is preferable, and borosilicate glass is most preferable.
  • the composition of borosilicate glass is a composition expressed in terms of mass% based on oxide, and SiO 2 is 55 to 85%, Al 2 O 3 is 0 to 20%, and B 2 O 3 is 2 to 25%.
  • P 2 O 5 from 0 to 7.5%, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Li 2 O, Na 2 O and K 2 O. Examples thereof include glass containing up to 16% and 0 to 12% of ZrO 2 , but are not particularly limited.
  • the term "the Al 2 O 3 containing 0-20%", Al 2 O 3 is not essential may comprise up to 20%, a meaning of.
  • SiO 2 is an essential component for forming a mesh of glass and is a main component. It is preferable that SiO 2 is contained in an amount of 55% or more in order to improve the water resistance and heat resistance of the glass and make it less likely to be damaged by mechanical impact.
  • the content of SiO 2 is more preferably 60% or more, further preferably 65% or more.
  • SiO 2 is preferably contained in an amount of 85% or less in order to reduce the viscosity during glass production.
  • the content of SiO 2 is more preferably 78% or less, further preferably 73.5% or less, and particularly preferably 70% or less.
  • the range of the content of SiO 2 can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • Al 2 O 3 is a component for forming a mesh of glass and modifying the mesh of glass, and is preferably contained for improving the water resistance and weather resistance of glass and improving the ultraviolet transmittance.
  • the content of Al 2 O 3 is preferably 1% or more, more preferably 2% or more, still more preferably 4% or more.
  • Al 2 O 3 is preferably contained in an amount of 20% or less in order to reduce the viscosity during glass production and suppress devitrification.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 15% or less, further preferably 10% or less, and particularly preferably 7.5% or less.
  • the range of Al 2 O 3 content can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • B 2 O 3 is an essential component for maintaining the ultraviolet transmittance and promoting the melting of the glass raw material. In order to improve mechanical properties and weather resistance, it is preferable that B 2 O 3 is contained in an amount of 2% or more.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 5% or more, further preferably 10% or more, particularly preferably 15% or more, and most preferably 18% or more.
  • B 2 O 3 is preferably contained in an amount of 25% or less so as not to cause inconveniences such as generation of veins (reams) due to volatilization, erosion of the furnace wall, and deterioration of water resistance.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 23% or less, further preferably 21% or less, and particularly preferably 20% or less.
  • the range of B 2 O 3 content can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • P 2 O 5 may be contained in order to prevent crystallization and devitrification of the glass. When P 2 O 5 is contained, it is preferably 0.1% or more in order to stabilize the glass.
  • the content of P 2 O 5 is more preferably 2% or more, further preferably 3% or more, and particularly preferably 3.5% or more. It is preferable that P 2 O 5 is contained in an amount of 7.5% or less because the glass can be stabilized without increasing the high-temperature viscosity of the glass too much.
  • the content of P 2 O 5 is more preferably 6% or less, further preferably 5% or less.
  • the range of P 2 O 5 content can be specified by any combination of these upper and lower limits.
  • RO is at least one alkali metal selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr and Ba
  • the total content of RO is preferably 1% or more, more preferably 2% or more, still more preferably 3% or more.
  • the total RO content is preferably 15% or less, more preferably 12% or less, so that the coefficient of thermal expansion becomes too high, the ultraviolet transmittance is lowered, and inconveniences such as water resistance and weather resistance are not caused. , 9% or less is more preferable, 7% or less is particularly preferable, and 5% or less is most preferable.
  • the value of (SrO + BaO) / RO is 0.01 to 0.7 in order to prevent deterioration and damage due to ultraviolet rays. If the value exceeds 0.7, the devitrification temperature may increase and the glass may become unstable.
  • the value is more preferably 0.1 to 0.6, still more preferably 0.2 to 0.5.
  • R 2 O (R is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of Li, Na and K) is an essential component for promoting the melting of the glass raw material and adjusting the coefficient of thermal expansion, viscosity and the like. It is preferable that the total content is 0.1% or more. R 2 O content is more preferably 2% or more in total, more preferably 3% or higher, particularly preferably at least 4%. Thermal expansion coefficient of the glass becomes too high, decrease ultraviolet transmittance, water resistance, in order not to cause inconveniences such weather resistance drops, R 2 O content is preferably 15% or less in total, more than 12% Is more preferable, 9% or less is further preferable, 7% or less is particularly preferable, and 5% or less is most preferable.
  • the value of Li 2 O / R 2 O is preferably 0.01 to 0.7 in order to maintain the balance between the expansion coefficient and the ultraviolet transmittance. If the value exceeds 0.7, the devitrification temperature may increase and the glass may become unstable.
  • the value is more preferably 0.1 to 0.6, still more preferably 0.2 to 0.5.
  • ZrO 2 is a component that suppresses coloring due to ultraviolet irradiation, and can be contained as needed.
  • the content of ZrO 2 is more preferably 0.2% or more, further preferably 1.3% or more, particularly preferably 1.5% or more, and 1.7% or more in terms of improving the effect of suppressing coloring. Is the most preferable.
  • ZrO 2 is preferably contained in an amount of 12% or less because it may deteriorate the solubility of the glass.
  • the content of ZrO 2 is more preferably 10% or less, further preferably 8% or less, and particularly preferably 6% or less.
  • Fe 2 O 3 is a component that also becomes an impurity, and in order to maintain the ultraviolet transmittance and the color of the glass, the composition expressed in mass% based on the oxide is preferably 0.09% or less, and is 0. .04% or less is more preferable, 0.01% or less is further preferable, and 0.005% or less is particularly preferable.
  • Fe 2 O 3 is preferably 0.0003% or more, more preferably 0.0015% or more.
  • a more preferable composition of borosilicate glass is a composition expressed in mass% based on oxide, SiO 2 is 58 to 85%, Al 2 O 3 is 0 to 12%, B 2 O 3 is 10 to 23%, and MgO. 0-8% 0-8% of CaO, the SrO 0-8%, a BaO 0-8%, the ZnO 0-8%, the Li 2 O 0 ⁇ 7.5%, the Na 2 O 0 A glass containing ⁇ 13%, K 2 O 0-9% and ZrO 2 1.5-10%, more preferably 60-82% SiO 2 , 0-8% Al 2 O 3 , B.
  • 2 O 3 is 15 to 21%
  • MgO is 0 to 2%
  • CaO is 0 to 2%
  • SrO is 0 to 3%
  • BaO is 0 to 3%
  • ZnO is 0 to 3%
  • Li 2 O is 0. It is a glass containing 3 to 3.0%, Na 2 O of 0 to 11%, K 2 O of 0 to 3%, and ZrO 2 of 0 to 9%.
  • the preferable composition of borosilicate glass is a composition expressed in mass% based on oxide, and the total of SiO 2 and B 2 O 3 is preferably less than 95%, SiO 2 is preferably less than 75%, and Al. 2 O 3 is preferably less than 7%, Li 2 O is preferably less than 1.7%, the total of MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO is preferably less than 5.1%, and ZnO is less than 3.6%.
  • the total of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O is less than 2.9%, the impurity Fe 2 O 3 is preferably less than 0.025%, and TiO 2 is 0.3%. Less than is preferable, and the total of CeO 2 and V 2 O 5 is preferably less than 0.25%.
  • composition of the non-alkali aluminoborosilicate glass is specifically expressed in terms of mass% based on oxide, and contains 55 to 90% of SiO 2 , 0 to 21% of Al 2 O 3 , and 1 of B 2 O 3.
  • the "alkali-free” glass means a glass that does not substantially contain alkali metal oxides such as Na 2 O, K 2 O, and Li 2 O.
  • substantially not contained means that the alkali metal oxide is not contained unless it is unavoidably contained as an impurity or the like. In the embodiment of the present invention, the alkali metal inevitably contained is at most about 0.1% by mass.
  • a more preferable composition of the non-alkali aluminoborosilicate glass is a composition expressed in mass% based on the oxide, and SiO 2 is 58 to 80%, Al 2 O 3 is 0 to 12%, and B 2 O 3 is 3 to 22. %, MgO 3-9%, CaO 0-8%, SrO 0-4%, BaO 0-3% and ZnO 0-10%, more preferably SiO 2 60- 73%, Al 2 O 3 0.2-7%, B 2 O 3 5-19%, MgO 4-8%, CaO 0-5%, SrO 0-1%, BaO 0- It is a glass containing 2% and 0 to 8% of ZnO.
  • the preferable composition of the non-alkali aluminum borosilicate glass is a composition expressed in mass% based on the oxide, and the total of SiO 2 and B 2 O 3 is preferably less than 95%, SiO 2 is preferably less than 75%, and Al. 2 O 3 is preferably less than 7%, Li 2 O is preferably less than 1.7%, the total of MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO is preferably less than 5.1%, and ZnO is less than 3.6%.
  • Fe 2 O 3 which is an impurity is preferably less than 0.025%, TiO 2 is preferably less than 0.3%, and the total of CeO 2 and V 2 O 5 is preferably less than 0.25%.
  • the composition of soda-lime glass is a composition expressed in mass% based on oxides, and SiO 2 is 55 to 80%, Al 2 O 3 is 0 to 20%, Li 2 O, Na 2 O and K. 2-15% of one or more selected from the group consisting of 2 O in total, the MgO 0 ⁇ 11%, although the CaO 0 ⁇ 10% and a ZrO 2 glass containing 0-3%. in particular limitation Not done.
  • a more preferable composition of soda-lime glass is a composition expressed in terms of mass% based on oxide, which contains 60 to 75% of SiO 2 , 0 to 15% of Al 2 O 3 , 2 to 14% of Na 2 O, and K 2 A glass containing 0 to 3% O, 0 to 8% Li 2 O, 0 to 5% MgO and 0 to 5% CaO, and more preferably 63 to 73% SiO 2 and Al 2 O 3 0-10%, Na 2 O 2-11%, K 2 O 0-2%, Li 2 O 0-6%, MgO 0-3% and CaO 0-3%. ..
  • the glass may contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other components include coloring components, clarification components, and the like.
  • coloring component examples include metal oxide pigments composed of elements selected from Co, Mn, Fe, Ni, Cu, Cr, V, Bi, Se, Ti, Ce, Er, Nd and the like.
  • clarification component examples include SnO 2 , SO 3 , and Cl.
  • the glass has an average coefficient of thermal expansion of 3.0 ppm / ° C. or less as an absolute value of the difference from the average coefficient of thermal expansion of the wafer, depending on the wafer to be bonded. To use.
  • the preferable glass composition is a composition expressed in mass% based on the oxide, and SiO 2 is 63 to 81% and Al 2 is used.
  • O 3 is 0 to 18%
  • B 2 O 3 is 7.5 to 21%
  • Na 2 O is 0 to 12.5%
  • K 2 O is 0-1%
  • Li 2 O is 0 to 2.0%. Examples include glass containing.
  • the preferable glass composition is a composition expressed in mass% based on oxides, SiO 2 is 59 to 63%, and Al 2 is used.
  • O 3 is 0 to 0.2%
  • B 2 O 3 is 20 to 22%
  • Na 2 O is 11 to 12.5%
  • K 2 O is 0 to 1.2%
  • Li 2 O is 0 to 0.
  • Examples include glass containing 5% and 2 to 5.9% of ZrO 2.
  • the preferable glass composition is a composition expressed in mass% based on the oxide, and SiO 2 is 58 to 74. %, Al 2 O 3 0 to 2.0%, B 2 O 3 18 to 22%, Na 2 O 9 to 12%, K 2 O 0 to 0.7%, ZrO 2 5 to 11 % Included glass.
  • the glass preferably has UV transmittance, and specifically, the transmittance of the glass with respect to light having a wavelength of 248 nm is preferably 55% or more.
  • the transmittance of glass with respect to light having a wavelength of 248 nm is 55% or more, the transmittance of deep ultraviolet rays is high even in the ultraviolet region. can.
  • the transmittance of the glass with respect to light having a wavelength of 248 nm is more preferably 65% or more, further preferably 70% or more, particularly preferably 75% or more, and the upper limit is Although not particularly limited, it is preferably 95% or less, more preferably 90% or less, still more preferably 85% or less.
  • the thickness of the glass is 0.1 to 1.5 mm, and if it is within the above range, the wafer can be sufficiently supported and the handleability of the bonded body can be improved.
  • the thickness of the glass is preferably 0.2 mm or more, more preferably 0.3 mm or more, further preferably 0.6 mm or more, further preferably 1.3 mm or less, and even more preferably 1.2 mm or less. .1 mm or less is more preferable, 0.9 mm or less is particularly preferable, and 0.7 mm or less is most preferable.
  • the parallelism of the glass is preferably 15.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the warp of the bonded body can be reduced when the bonded body is formed.
  • the parallelism of the glass is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 6.0 ⁇ m or less, and particularly preferably 3.0 ⁇ m or less. Further, the smaller the parallelism, the more the warpage of the bonded body can be reduced, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • the parallelism can be measured by a non-contact flatness measuring device (for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.).
  • a non-contact flatness measuring device for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.
  • the parallelism can be adjusted by changing the polishing speed of the surface grinding machine or lapping machine and the method of pouring the grinding fluid.
  • the flatness of the glass is preferably 20.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the warp of the bonded body can be reduced when the bonded body is formed.
  • the flatness of the glass is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 7.0 ⁇ m or less, and particularly preferably 4.0 ⁇ m or less. Further, the lower the flatness is, the more the warpage of the bonded body can be reduced, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.7 ⁇ m or more.
  • the flatness can be measured by a three-dimensional coordinate measuring machine (for example, "xyzaxRVF-A” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).
  • the flatness can be adjusted by changing the polishing speed of the surface grinding machine or lapping machine and the method of pouring the grinding fluid.
  • the wafer and glass are bonded via a bonding layer containing a resin adhesive.
  • the bonding layer is formed from an adhesive composition containing, for example, a resin adhesive.
  • the resin adhesive is not particularly limited as long as it cures, and examples thereof include a photocurable adhesive, a thermosetting adhesive, a hot melt adhesive, and a solvent-volatile adhesive.
  • a photocurable adhesive e.g., a thermosetting adhesive
  • a hot melt adhesive e.g., a hot melt adhesive
  • a solvent-volatile adhesive e.g., a solvent-volatile adhesive
  • the resin adhesive one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the photocurable adhesive examples include an acrylic ultraviolet curable adhesive and an acrylic urethane ultraviolet curable adhesive.
  • UV irradiation is performed when the glass is peeled off when mounted on the device, so a photocurable adhesive that cures at a wavelength different from the wavelength used in the peeling step should be used. Is preferable.
  • thermosetting adhesive examples include acrylic adhesives, urethane adhesives, phenol adhesives, epoxy adhesives and the like.
  • hot melt adhesive examples include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) adhesive, styrene adhesive, polyester adhesive, polyamide adhesive, thermoplastic polyurethane adhesive, and polyolefin adhesive. Can be mentioned.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • solvent-volatile adhesive examples include chloroprene rubber-based adhesives and nitrile rubber-based adhesives.
  • the resin adhesive has a Young's modulus of 2.0 GPa or less when measured at 20 ° C.
  • the Young's modulus is preferably 1.5 GPa or less, more preferably 1.0 GPa or less, and even more preferably 0.5 GPa or less.
  • the upper limit of the Young's modulus of the resin adhesive is not particularly limited, but is preferably 0.01 GPa or more, more preferably 0.05 GPa or more, further preferably 0.1 GPa or more, and particularly preferably 0.2 GPa or more.
  • Young's modulus can be measured by the tensile load and the displacement of the resin when the tensile test is performed. Specifically, using a tensile tester (for example, "AC-300KN” (trade name) manufactured by TSE Co., Ltd.), by the tensile test method described in Japanese Industrial Standards (JIS-K7161-1). Desired.
  • a tensile tester for example, "AC-300KN” (trade name) manufactured by TSE Co., Ltd.
  • Examples of the resin adhesive having a Young ratio of 2.0 GPa or less include a styrene-butadiene copolymer having a styrene content of 20 to 60% by mass, a fluororesin, a chloroprene rubber, a nitrile rubber, and the like. From the viewpoint of flexibility and stability of adhesive strength, it is preferable to contain a styrene-butadiene copolymer having a styrene content of 25 to 50% by mass, a fluororesin, and a chloroprene rubber, and the styrene content is 25 to 45% by mass. Styrene-butadiene copolymer and fluororesin are more preferable.
  • the resin adhesive is preferably contained in an amount of 25% by mass or more in the adhesive composition forming the bonding layer.
  • the content of the resin adhesive in the adhesive composition is 25% by mass or more, the adhesive strength can be stabilized.
  • the content of the resin adhesive is more preferably 35% by mass or more, further preferably 45% by mass or more, particularly preferably 55% by mass or more, and preferably 80% by mass or less, and preferably 75% by mass or less. Is more preferable, 70% by mass or less is further preferable, and 65% by mass or less is particularly preferable.
  • the adhesive composition may contain other components as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other components include organic solvents such as ethyl acetate, acetone and methyl ethyl ketone, and oxide fine particles of metals such as sodium and magnesium.
  • the thickness of the bonding layer is preferably 0.1 to 20 ⁇ m. When the thickness of the bonding layer is within the above range, the parallelism and flatness of the bonded body can be reduced while relaxing the stress generated between the wafer and the glass substrate.
  • the thickness of the bonding layer is more preferably 0.3 ⁇ m or more, further preferably 0.5 ⁇ m or more, particularly preferably 0.7 ⁇ m or more, and even more preferably 8.0 ⁇ m or less, and 5.0 ⁇ m or less. Is more preferable, 4.0 ⁇ m or less is particularly preferable, and 1.0 ⁇ m or less is most preferable.
  • the method for producing the bonded body of the present embodiment is not particularly limited, but includes a step of laminating and adhering the wafer and the glass via the bonding layer. Specifically, a method of forming a bonding layer made of an adhesive composition on a glass substrate and then laminating a wafer on the surface of the bonding layer to produce a bonded body can be mentioned.
  • the adhesive composition is applied or molded on the glass substrate so as to have a thickness of 0.1 to 20 ⁇ m after curing. Place the resin sheet.
  • the resin adhesive is a thermoplastic resin
  • the adhesive composition is melted and applied, the adhesive composition is melted and applied by heating at a temperature of preferably 90 to 400 ° C., more preferably 110 to 370 ° C., and even more preferably 130 to 340 ° C.
  • the coating method include a method of coating using a roller, a brush, and a spray.
  • the wafer is laminated on the surface of the obtained bonding layer.
  • the resin adhesive is a thermosetting resin
  • the resin composition is cured by applying the resin composition on a glass substrate, laminating wafers, and then heating the resin composition.
  • the curing conditions are preferably 80 to 240 ° C., more preferably 100 to 160 ° C., preferably 0.5 to 10.0 hours, and more preferably 1.0 to 5.0 hours.
  • the resin adhesive is a photocurable resin
  • the resin composition is cured by applying the resin composition on a glass substrate, laminating the wafers, and then irradiating with radiation such as ultraviolet rays.
  • the curing conditions are preferably 80 to 400 mW / cm 2 , more preferably 100 to 250 W / cm 2 , preferably 1 to 120 minutes, and more preferably 3 to 60 minutes.
  • the wafer-side surface of the bonded body obtained as described above is polished by, for example, a surface grinding machine or a lapping machine to obtain a desired thickness in the range of 1 to 70 ⁇ m.
  • a surface grinding machine or a lapping machine it is preferable to use a wafer having an outer diameter smaller than that of the glass in order to prevent the wafer from protruding from the glass substrate due to the misalignment of the layers.
  • the obtained bonded body can be cut into a desired size and used.
  • the thickness of the bonded body is preferably 0.1 to 1.6 mm. If the thickness of the bonded body is too thin, the impact resistance is lowered and the wafer is easily damaged, and if it is too thick, the handleability is lowered.
  • the thickness of the bonded body is more preferably 0.3 mm or more, further preferably 0.45 mm or more, particularly preferably 0.6 mm or more, still more preferably 1.3 mm or less, and 1.0 mm or less. Is more preferable, and 0.7 mm or less is particularly preferable.
  • the size of the joined body may be appropriately adjusted according to the intended use and is not particularly limited.
  • the size of the preferred wafer is 15 ⁇ 710 cm 2, more preferably 42 ⁇ 320 cm 2, more preferably 70 ⁇ 180cm 2.
  • the joint of the present embodiment has a parallelism of 15.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the parallelism is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 6.0 ⁇ m or less, particularly preferably 3.0 ⁇ m or less, and most preferably 1.0 ⁇ m or less.
  • the lower the parallelism the higher the processing efficiency in the transfer step and the heat treatment step of the next step, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • the parallelism of the joined body can be measured by a non-contact flatness measuring device (for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.).
  • a non-contact flatness measuring device for example, "TFL2100” manufactured by Technomu Co., Ltd.
  • the bonded body of the present embodiment preferably has a flatness of 20.0 ⁇ m or less when measured at 20 ° C.
  • the flatness is more preferably 10.0 ⁇ m or less, further preferably 7.0 ⁇ m or less, particularly preferably 4.0 ⁇ m or less, and most preferably 1.0 ⁇ m or less.
  • the lower the flatness the higher the processing efficiency in the transfer step and the heat treatment step of the next step, so that the lower limit is not particularly limited, but it is preferably 0.7 ⁇ m or more.
  • the flatness of the joined body can be measured by a three-dimensional coordinate measuring machine (for example, "xyzaxRVF-A” manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).
  • the bonded body of the present embodiment preferably satisfies ⁇ 1 ⁇ ⁇ 2 when the average coefficient of thermal expansion of the wafer is ⁇ 1 and the average coefficient of thermal expansion of the glass is ⁇ 2.
  • ⁇ 1 is smaller than or equivalent to ⁇ 2
  • tensile stress is generated on the lower surface of the glass substrate, so that the generation of tensile stress on the thin wafer side can be suppressed, and damage to the wafer and the bonded body can be suppressed.
  • the average coefficient of thermal expansion can be measured by a thermomechanical analyzer (TMA) in which the temperature range to be measured is 20 to 200 ° C.
  • TMA thermomechanical analyzer
  • the application of the bonded body of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include electronic components such as LED displays, ⁇ LED displays, solar cells, high-performance thin film transistors, and semiconductor integrated circuits.
  • Examples 1 to 12 are examples, and examples 13 to 16 are comparative examples.
  • Young's modulus of the adhesive composition was measured using the Japanese Industrial Standards (JIS-K7161-1) using the autocom universal tester "AC-300KN” (trade name) manufactured by TSE Co., Ltd. ), The measurement was carried out at 20 ° C.
  • Example 1 Glass having the composition shown in Table 1 was melted at a temperature of 1650 ° C. for 5 hours in terms of mass% and mol% based on oxides, and this melt was poured into a cast iron mold to be molded and cooled. A 2000 g glass block was obtained. The glass block was subjected to outer diameter processing, slicing processing, and polishing processing to obtain a plate-shaped glass substrate having a diameter of ⁇ 112.0 mm and a thickness of 0.9 mm. The average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 2) of the glass substrate at 20 to 200 ° C. was 3.1 ppm / ° C.
  • the glass substrate was heated to a temperature of 200 ° C. on a hot plate.
  • the styrene-butadiene adhesive composition shown in Table 1 (“Tough Prene 125” manufactured by Asahi Kasei Corporation, Young's modulus 0.28 GPa) was melted at 200 ° C., and the thickness after curing was placed on a glass substrate by a fluorine-based sponge roller. was applied so as to have a thickness of 1.0 ⁇ m to form a bonding layer.
  • a silicon wafer (diameter ⁇ 101.4 mm, thickness 0.71 mm, average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 1) 3.9 ppm / ° C.) was placed on the bonding layer.
  • the thickness of the adhesive layer was made uniform by laminating an aluminum Tokiwa on the wafer, and the wafer and the glass substrate were joined by cooling and solidifying at a speed of 20 ° C./Hr as it was.
  • the glass substrate and wafer are polished by a surface grinding machine and a lapping machine until the parallelism between the glass substrate and the wafer is 20.0 ⁇ m or less, and the wafer is further polished to the thickness shown in Table 1 by the surface grinding machine and the lapping machine. A joint was obtained by doing so.
  • Table 1 shows the thickness, parallelism, flatness and ultraviolet transmittance of the glass substrate, and the thickness, parallelism and flatness of the wafer in the obtained bonded body.
  • Examples 2-3 A bonded body was prepared in the same manner as in Example 1 except that the composition of the glass was changed to that shown in Table 1 and the thickness, parallelism and flatness of the glass substrate and the wafer were changed to those shown in Table 1. ..
  • Example 4 Glass having the composition shown in Table 1 was melted at a temperature of 1650 ° C. for 5 hours in terms of mass% and mol% based on oxides, and this melt was poured into a cast iron mold to be molded and cooled. A 2000 g glass block was obtained. The glass block was subjected to outer diameter processing, slicing processing, and polishing processing to obtain a plate-shaped glass substrate having a diameter of ⁇ 112.0 mm and a thickness of 0.9 mm. The average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 2) of the glass substrate was 4.7 ppm / ° C.
  • a fluororesin sheet having a thickness of 35 ⁇ m (“Fluon + EA-2000” manufactured by AGC Inc., Young's modulus 0.67 GPa) is placed on the glass substrate, and a silicon wafer (average thermal expansion coefficient ( ⁇ 1) 3.9 ppm) is placed on the glass substrate. / ° C.) was superposed to obtain a laminate.
  • the laminate is placed in a vacuum hot press machine, the degree of vacuum is set to 0.6 MPa, a pressing force of 1.1 MPa is applied at a temperature of 370 ° C. for 20 minutes, and then the wafer is cooled and solidified at a rate of 20 ° C./Hr to solidify the wafer. And the glass substrate were joined.
  • the glass substrate and wafer are polished by a surface grinding machine and a lapping machine until the parallelism between the glass substrate and the wafer is 20.0 ⁇ m or less, and the wafer is further polished to the thickness shown in Table 1 by the surface grinding machine and the lapping machine. A joint was obtained by doing so.
  • Table 1 shows the thickness, parallelism, flatness and ultraviolet transmittance of the glass substrate, and the thickness, parallelism and flatness of the wafer in the obtained bonded body.
  • Examples 5 to 11 The same as in Example 1 except that the composition of the glass and the wafer were changed to those shown in Table 1 and the thickness, parallelism and flatness of the glass substrate and the wafer were changed to those shown in Table 1 or Table 2. A bonded body was prepared.
  • Example 12 Glass having the composition shown in Table 1 was melted at a temperature of 1650 ° C. for 5 hours in terms of mass% and mol% based on oxides, and this melt was poured into a cast iron mold to be molded and cooled. A 2000 g glass block was obtained. The glass block was subjected to outer diameter processing, slicing processing, and polishing processing to obtain a plate-shaped glass substrate having a diameter of ⁇ 112.0 mm and a thickness of 0.9 mm. The average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 2) of the glass substrate at 20 to 200 ° C. was 4.7 ppm / ° C.
  • An epoxy resin sheet having a thickness of 45 ⁇ m (“TSA-19” manufactured by Toray Industries, Inc., Young's modulus 1.94 GPa) was placed on the glass substrate, and a silicon wafer (average thermal expansion coefficient ( ⁇ 1)) was placed on the glass substrate. 9 ppm / ° C.) was superposed to obtain a laminate.
  • the laminate was placed in a vacuum hot press machine, the degree of vacuum was set to 0.6 MPa, a pressing force of 1.1 MPa was applied at a temperature of 100 ° C. for 60 minutes, and a pressing force of 1.1 MPa was further applied at a temperature of 170 ° C. to 120.
  • the wafer and the glass substrate were joined by adding a portion and then cooling and solidifying at a rate of 20 ° C./Hr.
  • the glass substrate and wafer are polished by a surface grinding machine and a lapping machine until the parallelism between the glass substrate and the wafer is 20.0 ⁇ m or less, and the wafer is further polished to the thickness shown in Table 2 by the surface grinding machine and the lapping machine. A joint was obtained by doing so.
  • Table 2 shows the thickness, parallelism, flatness and ultraviolet transmittance of the glass substrate, and the thickness, parallelism and flatness of the wafer in the obtained bonded body.
  • Example 13 Glass having the composition shown in Table 1 was melted at a temperature of 1650 ° C. for 5 hours in terms of mass% and mol% based on oxides, and this melt was poured into a cast iron mold to be molded and cooled. A 2000 g glass block was obtained. The glass block was subjected to outer diameter processing, slicing processing, and polishing processing to obtain a plate-shaped glass substrate having a diameter of ⁇ 112.0 mm and a thickness of 0.9 mm. The average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 2) of the glass substrate at 20 to 200 ° C. was 4.7 ppm / ° C.
  • a fluorene-based epoxy adhesive composition (“OGSOL EG-200” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., Young's modulus 2.34 GPa) is placed on the glass substrate by a urethane-based sponge roller so that the thickness after curing is 1.3 ⁇ m. was applied to form a bonding layer. Then, a silicon wafer (diameter ⁇ 101.4 mm, thickness 0.9 mm, average coefficient of thermal expansion ( ⁇ 1) 3.9 ppm / ° C.) was placed on the bonded layer.
  • OGSOL EG-200 manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., Young's modulus 2.34 GPa
  • the wafer After joining, the wafer is polished by a surface grinding machine and a lapping machine until the parallelism between the glass substrate and the wafer becomes 20.0 ⁇ m or less, and then the wafer is polished to the thickness shown in Table 2 by the surface grinding machine and the lapping machine.
  • Table 2 shows the thickness, parallelism, flatness and ultraviolet transmittance of the glass substrate, and the thickness, parallelism and flatness of the wafer in the obtained bonded body.
  • Example 14 to 16 A bonded body was prepared in the same manner as in Example 1 except that the composition of the glass was changed to that shown in Table 2 and the thickness, flatness and parallelism of the glass substrate and the wafer were changed to those shown in Table 2. ..

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Abstract

本発明は、ミクロン厚みのウエハーを備えた接合体であって、反りの発生が抑制されて、ウエハーの剥離や破損が低減された接合体を提供することを目的とする。本発明は、ウエハーとガラスとの接合体であって、前記ウエハーと前記ガラスが、ヤング率が２．０ＧＰａ以下の樹脂接着剤を含む接合層を介して接合され、ウエハーの厚みが１～７０μｍであり、ガラスの厚みが０．１～１．５ｍｍであり、ウエハーの平均熱膨張係数とガラスの平均熱膨張係数の差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下であり、接合体の平行度が１５．０μｍ以下である接合体に関する。

Description

接合体
　本発明は、接合体に関し、更に詳しくは、ウエハーとガラスとが接合されたウエハー接合体に関する。
　ウエハーとガラスとを接合した接合体は、例えば、電子デバイスの製造において使用されている。例えば、近年ではスマートフォン、デジタルカメラ、ウェアラブルデバイス等の小型の電子デバイスのディスプレイとしてμＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ　ＬＥＤ）ディスプレイが注目されており、このμＬＥＤディスプレイを製造する際に前記接合体が用いられる。
　μＬＥＤディスプレイは、１００μｍ以下の小さなＬＥＤを画面上に敷き詰めたものであり、それらを発光させることで映像を作り出す。ＬＥＤは自発光素子であるので、液晶ディスプレイとは異なりバックライトが不要であり、また光らせたい画質の部分のＬＥＤにだけ電流を流せばよいので、μＬＥＤディスプレイは電力利用効率に優れ、また小型化した際にも映像の高精細化が可能である。
　μＬＥＤディスプレイは、ＬＥＤをウエハー上に高密度に作製し、配線や回路を形成したウエハーと貼り合わせることで形成され、このＬＥＤを作製するウエハーとして上記した接合体が用いられる。ウエハーだけでは搬送工程やディスプレイ製造における熱処理工程等で割れ等の破損が生じてしまうため、ガラスを基板としてウエハーに積層した接合体を用い、最終製品化するときにＵＶ（紫外線）を照射して基板を剥離する。
　ウエハーのような部材とガラスを接合する技術として、例えば特許文献１には、部材が第１の膨張係数α１を有し、ガラス材料又はガラスセラミック材料が第２の膨張係数α２を有し、ガラス材料又はガラスセラミック材料は、厚みと、表面内の全体厚みムラ（ＴＴＶ）と、局所厚みムラ（ＬＴＶ）と、ＷＡＲＰとを有する表面を有し、部材とガラス材料又はガラスセラミック材料との接合体がガラス材料又はガラスセラミック材料内の残留応力を有する接合体であって、接合体が、幾何学的および材料物理学的適合度ＫＧ＝１０×（α１／α２）×（（１－（ＬＴＶ／１．５））＋（１－（ＴＴＶ／７））＋（１－（ＷＡＲＰ／２００）））により特徴付けられ、常にＫＧ≧４である接合体が提案されている。
日本国特開２０１９－６６７１号公報
　従来、ウエハーとガラスとを接合した接合体は反りやすく、これによりウエハーの剥離や破損が生じてしまうという課題がある。特に、μＬＥＤディスプレイの製造に用いられるような接合体ではウエハーの薄膜化が求められるが、ウエハーを薄膜化することによってより割れやすくなる。
　そこで、本発明は、ミクロン厚みのウエハーを備えた接合体であって、反りの発生が抑制されて、ウエハーの剥離や破損が低減された接合体を提供することを課題とする。
　本発明者らは上記課題に対し鋭意検討を重ねた結果、ウエハーとガラスを、特定のヤング率を有する樹脂接着剤を含む接合層を介して接合し、ウエハーとガラスの厚みを特定範囲とするとともに、両者の平均熱膨張係数をより厳格に合わせて接合体の平行度を特定値以下とすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明は、下記（１）～（５）に関するものである。
（１）ウエハーとガラスとの接合体であって、前記ウエハーと前記ガラスが、ヤング率が２．０ＧＰａ以下の樹脂接着剤を含む接合層を介して接合され、前記ウエハーの厚みが１～７０μｍであり、前記ガラスの厚みが０．１～１．５ｍｍであり、前記ウエハーの平均熱膨張係数と前記ガラスの平均熱膨張係数の差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下であり、前記接合体の平行度が１５．０μｍ以下である接合体。
（２）平面度が２０．０μｍ以下である、前記（１）に記載の接合体。
（３）波長２４８ｎｍの光に対する前記ガラスの透過率が５５％以上である、前記（１）又は（２）に記載の接合体。
（４）前記接合層の厚みが０．１～２０μｍである、前記（１）～（３）のいずれかに記載の接合体。
（５）前記ウエハーの平均熱膨張係数をα１、前記ガラスの平均熱膨張係数をα２としたとき、α１≦α２を満たす、前記（１）～（４）のいずれかに記載の接合体。
　本発明によれば、接合体の反りが抑制されるので、搬送工程や熱処理工程におけるウエハーの破損を低減でき、ハンドリング性を向上できる。また、波長２４８ｎｍの光に対するガラスの透過率が５５％以上であると、ＵＶ透過性が高いため、μＬＥＤディスプレイの製造に用いられるような、ウエハーとガラスとを剥離する工程が必要な用途に好適に使用できる。
図１は、本実施形態に係る接合体の模式的断面図である。
　以下、本発明について説明するが、以下の説明における例示によって本発明は限定されない。
　なお、以下における百分率（％）は、特に断りがない限り、質量％を意味するものとする。
　図１は、本発明に係る接合体の模式的断面図である。
　本発明の接合体は、ウエハーと、基板であるガラスとの接合体であって、図１に示したように、接合体１は、ウエハー１１とガラス１３が接合層１５を介して接合されている。
　接合体１におけるウエハー１１の厚みは１～７０μｍであり、ガラス基板１３の厚みは０．１～１．５ｍｍであり、ウエハー１１の平均熱膨張係数とガラス１３の平均熱膨張係数の差の絶対値は３．０ｐｐｍ／℃以下である。また、接合層１５はヤング率が２．０ＧＰａ以下の樹脂接着剤を含む。そして、接合体１の平行度は１５．０μｍ以下である。上記構成の接合体とすることにより、ガラスがウエハーを支持し、かつ接合体の反りを抑制できるので、ミクロン厚みのウエハーが剥離や破損するのを抑制でき、ハンドリング性が向上し、極めて薄膜化された接合体が実現できる。
　以下で、本実施形態の接合体を構成する各層及び接合体の作製方法について詳述し、その後、接合体について詳述する。
（ウエハー）
　ウエハーは、任意の材料から形成される膜状の成形体である。ウエハーを構成する材料としては、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ガラス、セラミックス、炭化ケイ素、窒化ガリウム、酸化ガリウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、サファイア、ダイヤモンド、石英等が挙げられる。ウエハーはこれらの群から選択される１つの材料又は複数の材料から成形できる。ウエハー構成材料は、これらの中でも、シリコン、サファイア、ヒ化ガリウムが好ましく、μＬＥＤディスプレイ用に用いる場合はシリコンがより好ましい。
　ウエハーの厚みは１～７０μｍである。厚みは３μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上がより好ましく、７μｍ以上がさらに好ましく、また５５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３５μｍ以下がさらに好ましく、３０μｍ以下がよりさらに好ましく、２５μｍ以下が特に好ましく、１０μｍ以下が最も好ましい。
　ウエハーの平行度は、２０℃で測定したときに、１５．０μｍ以下であることが好ましい。平行度とは、接合体を保持台上面に当接させたとき、保持台上面と接合体下面の間の最大の隙間の大きさである。ウエハーの平行度が１５．０μｍ以下であると、接合体の平行度を１５．０μｍ以下にでき、よって接合体の反りを低減できる。
　ウエハーの平行度は、１０．０μｍ以下がより好ましく、６．０μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましい。また、平行度が小さいほど接合体の反りを低減できるため下限は特に限定されないが、０．５μｍ以上であることが好ましい。
　平行度は、例えば、非接触平面度測定装置（例えば、株式会社テクノミュー製「ＴＦＬ２１００」）により測定できる。
　平行度は、平面研削盤やラップ盤の研磨速度や研削液の注出方法を変更することにより調整できる。
　ウエハーの平面度は、２０℃で測定したときに、２０．０μｍ以下であることが好ましい。平面度とは、「平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさ」であり、ＪＩＳ　０６２１－１９８４で規定されるものである。具体的に、平面形体を幾何学的平行二平面で挟んだとき、平行二平面の間隔が最小となる場合の、二平面の間隔と定義される。ウエハーの平面度が２０．０μｍ以下であると、接合体としたときの接合体の反りを低減できる。
　ウエハーの平面度は、１０．０μｍ以下がより好ましく、７．０μｍ以下がさらに好ましく、４．０μｍ以下が特に好ましい。また、平面度が小さいほど接合体の反りを低減できるため下限は特に限定されないが、製造性の観点から０．７μｍ以上であることが好ましい。
　平面度は、例えば、三次元座標測定機（例えば、株式会社東京精密製「ｘｙｚａｘＲＶＦ－Ａ」）により測定できる。
　平面度は、平面研削盤やラップ盤の研磨速度や研削液の注出方法を変更することにより調整できる。
（ガラス）
　ガラスはウエハーを支持する基板の役割を担う。ガラスは板状であることが好ましい。ガラスは１種のガラス板からなる単層体であってもよいし、２枚以上のガラス板が積層された積層体でもよい。
　本発明では、ガラスは、その平均熱膨張係数が、接合されるウエハーの平均熱膨張係数との差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下となるガラスを用いる。ガラスが積層体の場合は、積層体全体での平均熱膨張係数がウエハーの平均熱膨張係数に対してその差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下となるようにする。ウエハーの平均熱膨張係数との差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下となる平均熱膨張係数を有するガラスを用いることで、接合体の反りが抑制され、ウエハー厚みを薄くすることができ、また、ハンドリング性が向上する。
　なお、本明細書において、「平均熱膨張係数」とは、２０～２００℃の範囲で測定した熱膨張係数の平均値をいう。
　ウエハーとガラスの平均熱膨張係数の差の絶対値は、２．５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、２．０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、１．５ｐｐｍ／℃以下がよりさらに好ましく、１．０ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、０．５ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。また、下限は特に限定されず、０ｐｐｍ／℃であってもよい。
　具体的に、ウエハーを構成する材料がシリコンである場合、シリコンの平均熱膨張係数は３．４ｐｐｍ／℃であるので、ガラスの平均熱膨張係数は０．４～６．４ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ガラスの平均熱膨張係数は、０．９ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、１．４ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、１．９ｐｐｍ／℃以上がよりさらに好ましく、２．４ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、２．９ｐｐｍ／℃以上が中でも好ましく、３．３ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。
　また、ガラスの平均熱膨張係数は、５．９ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、５．４ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、４．９ｐｐｍ／℃以下がよりさらに好ましく、４．４ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、３．９ｐｐｍ／℃以下が中でも好ましく、３．５ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。前記ガラスの平均熱膨張係数の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　ウエハー構成材料がサファイアである場合、サファイアの平均熱膨張係数は７．７ｐｐｍ／℃であるので、ガラスの平均熱膨張係数は４．７～１０．７ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ガラスの平均熱膨張係数は、５．２ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、５．７ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、６．２ｐｐｍ／℃以上がよりさらに好ましく、６．７ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、７．２ｐｐｍ／℃以上が中でも好ましく、７．６ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。
　また、ガラスの平均熱膨張係数は、１０．２ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、９．７ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、９．２ｐｐｍ／℃以下がよりさらに好ましく、８．７ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、８．２ｐｐｍ／℃以下が中でも好ましく、７．８ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。前記ガラスの平均熱膨張係数の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　ウエハー構成材料がヒ化ガリウムである場合、ヒ化ガリウムの平均熱膨張係数は５．７ｐｐｍ／℃であるので、ガラスの平均熱膨張係数は２．７～８．７ｐｐｍ／℃であることが好ましい。ガラスの平均熱膨張係数は、３．２ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、３．７ｐｐｍ／℃以上がさらに好ましく、４．２ｐｐｍ／℃以上がよりさらに好ましく、４．７ｐｐｍ／℃以上が特に好ましく、５．２ｐｐｍ／℃以上が中でも好ましく、５．６ｐｐｍ／℃以上が最も好ましい。
　また、ガラスの平均熱膨張係数は、８．２ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、７．７ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましく、７．２ｐｐｍ／℃以下がよりさらに好ましく、６．７ｐｐｍ／℃以下が特に好ましく、６．２ｐｐｍ／℃以下が中でも好ましく、５．８ｐｐｍ／℃以下が最も好ましい。前記ガラスの平均熱膨張係数の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　ウエハーとガラスの平均熱膨張係数の差の絶対値は、接合するウエハーの平均熱膨張係数をもとに、ガラスの組成を調整することにより設定できる。
　以下に、本発明の接合体に用いることのできるガラスの具体例について説明する。
　ガラスとしては、ホウケイ酸ガラス、無アルカリアルミノホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス等が挙げられる。これらの中でも、最終的にウエハーからガラスを剥離する工程を行うμＬＥＤディスプレイの製造に用いられるような接合体に使用される場合には、ガラスの膨張率と紫外線透過率を両立させる観点から、ホウケイ酸ガラス及び無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスからなる群から選択される少なくとも１つが好ましく、ホウケイ酸ガラスを用いることが最も好ましい。
　ホウケイ酸ガラスの組成は、具体的に、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５５～８５％、Ａｌ２Ｏ３を０～２０％、Ｂ２Ｏ３を２～２５％、Ｐ２Ｏ５を０～７．５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群から選択される１種以上を合計で０．２～１６％、及びＺｒＯ２を０～１２％含むガラスが挙げられるが、特に限定されない。なお、例えば、「Ａｌ２Ｏ３を０～２０％含む」とは、Ａｌ２Ｏ３は必須ではないが２０％まで含んでもよい、の意である。
　ＳｉＯ２はガラスの網目を形成するための必須成分であり、主成分である。ガラスの耐水性、耐熱性を高め、機械的衝撃に対して傷つきにくくする等のために、ＳｉＯ２は５５％以上含有することが好ましい。ＳｉＯ２の含有量は、６０％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。ＳｉＯ２は、ガラス製造時の粘性を下げるために、８５％以下含有することが好ましい。ＳｉＯ２の含有量は、７８％以下がより好ましく、７３．５％以下がさらに好ましく、７０％以下が特に好ましい。ＳｉＯ２の含有量の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　Ａｌ２Ｏ３は、ガラスの網目形成及びガラスの網目を修飾するための成分であり、ガラスの耐水性、耐候性向上し紫外線透過率の改善のために含有させるのが好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、１％以上が好ましく、２％以上がより好ましく、４％以上がさらに好ましい。Ａｌ２Ｏ３は、ガラス製造時の粘性を下げ、失透を抑制するために、２０％以下含有することが好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、７．５％以下が特に好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　Ｂ２Ｏ３は、紫外線透過率を維持し、ガラス原料の溶融を促進するための必須成分である。機械的特性や耐候性を向上するために、Ｂ２Ｏ３は２％以上含有することが好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、５％以上がより好ましく、１０％以上がさらに好ましく、１５％以上が特に好ましく、１８％以上が最も好ましい。揮発による脈理（ｒｅａｍ）の生成、炉壁の侵食、耐水性低下等の不都合を生じさせないために、Ｂ２Ｏ３は２５％以下含有することが好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、２３％以下がより好ましく、２１％以下がさらに好ましく、２０％以下が特に好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　Ｐ２Ｏ５は、ガラスの結晶化や失透を防止するために含有してもよい。Ｐ２Ｏ５を含有する場合はガラスを安定化させるために、０．１％以上含有することが好ましい。Ｐ２Ｏ５の含有量は、２％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましく、３．５％以上が特に好ましい。ガラスの高温粘性を高くしすぎずに、ガラスを安定化できるため、Ｐ２Ｏ５は７．５％以下含有することが好ましい。Ｐ２Ｏ５の含有量は、６％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。Ｐ２Ｏ５の含有量の範囲は、これらの上限及び下限の任意の組み合わせで特定されうる。
　ＲＯ（ＲはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ金属。）は、ガラス原料の溶融を促進し、熱膨張係数、粘性等を調整するために含有させるのが好ましい。ＲＯの含有量は、合計で１％以上が好ましく、２％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましい。熱膨張係数が高くなりすぎ、紫外線透過率が低下し、耐水性、耐候性低下等の不都合を生じさせないために、ＲＯの含有量は、合計で１５％以下が好ましく、１２％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましく、７％以下が特に好ましく、５％以下が最も好ましい。
　なお、紫外線による劣化破損を防止する為に（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／ＲＯの値を０．０１～０．７とすることが好ましい。前記値が０．７超となると失透温度が高くなりガラスが不安定となる場合がある。前記値は、より好ましくは０．１～０．６、さらに好ましくは０．２～０．５である。
　Ｒ２Ｏ（ＲはＬｉ，Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ土類金属。）はガラス原料の溶融を促進し、熱膨張係数、粘性等を調整するための必須成分であり、合計で０．１％以上含有させることが好ましい。Ｒ２Ｏ含有量は、合計で２％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましく、４％以上が特に好ましい。ガラスの熱膨張係数が高くなりすぎ、紫外線透過率が低下し、耐水性、耐候性低下等の不都合を生じさせないために、Ｒ２Ｏ含有量は、合計で１５％以下が好ましく、１２％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましく、７％以下が特に好ましく、５％以下が最も好ましい。
　なお、膨脹係数と紫外線透過率のバランスを維持する為にＬｉ２Ｏ／Ｒ２Ｏの値を０．０１～０．７とすることが好ましい。前記値が０．７超となると失透温度が高くなりガラスが不安定となる場合がある。前記値は、より好ましくは０．１～０．６、さらに好ましくは０．２～０．５である。
　ＺｒＯ２は紫外線照射による着色を抑制する成分であり、必要に応じて含有させることができる。ＺｒＯ２の含有量は、着色を抑制する効果を向上する点で、０．２％以上がより好ましく、１．３％以上がさらに好ましく、１．５％以上が特に好ましく、１．７％以上が最も好ましい。ガラスの溶解性を悪化させるおそれがあるため、ＺｒＯ２は１２％以下含有することが好ましい。ＺｒＯ２の含有量は、１０％以下がより好ましく、８％以下がさらに好ましく、６％以下が特に好ましい。
　Ｆｅ２Ｏ３は不純物ともなる成分であり、紫外線透過率とガラスの色味を維持する為に、酸化物基準の質量％で表示した組成で、０．０９％以下であることが好ましく、０．０４％以下がより好ましく、０．０１％以下がさらに好ましく、０．００５％以下が特に好ましい。一方で、ガラスの清澄性を改善させ、溶融炉の底素地の温度制御をするために、Ｆｅ２Ｏ３は０．０００３％以上が好ましく、０．００１５％以上がより好ましい。
　より好ましいホウケイ酸ガラスの組成は、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５８～８５％、Ａｌ２Ｏ３を０～１２％、Ｂ２Ｏ３を１０～２３％、ＭｇＯを０～８％、ＣａＯを０～８％、ＳｒＯを０～８％、ＢａＯを０～８％、ＺｎＯを０～８％、Ｌｉ２Ｏを０～７．５％、Ｎａ２Ｏを０～１３％、Ｋ２Ｏを０～９％及びＺｒＯ２を１．５～１０％含むガラスであり、さらに好ましくは、ＳｉＯ２を６０～８２％、Ａｌ２Ｏ３を０～８％、Ｂ２Ｏ３を１５～２１％、ＭｇＯを０～２％、ＣａＯを０～２％、ＳｒＯを０～３％、ＢａＯを０～３％、ＺｎＯを０～３％、Ｌｉ２Ｏを０．３～３．０％、Ｎａ２Ｏを０～１１％、Ｋ２Ｏを０～３％及びＺｒＯ２を０～９％含むガラスである。
　中でも好ましいホウケイ酸ガラスの組成は、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計が９５％未満であることが好ましく、ＳｉＯ２は７５％未満が好ましく、Ａｌ２Ｏ３は７％未満が好ましく、Ｌｉ２Ｏは１．７％未満が好ましく、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯの合計が５．１％未満が好ましく、ＺｎＯは３．６％未満が好ましく、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合計が２．９％未満であることが好ましく、不純物であるＦｅ２Ｏ３は０．０２５％未満が好ましく、ＴｉＯ２は０．３％未満が好ましく、ＣｅＯ２及びＶ２Ｏ５の合計が０．２５％未満が好ましい。
　無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスの組成は、具体的に、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５５～９０％、Ａｌ２Ｏ３を０～２１％、Ｂ２Ｏ３を１～２８％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯからなる群から選択される１種以上を合計で０～２１％含むガラスが挙げられるが、特に限定されない。
　なお、「無アルカリ」ガラスとは、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物を実質的に含有しないガラスを意味する。ここで、「実質的に含有しない」とは、不純物等として不可避的に含有される場合を除きアルカリ金属酸化物が含有されないことを意味する。本発明の実施形態においては、不可避的に含有されるアルカリ金属は、多くとも０．１質量％程度である。
　より好ましい無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスの組成は、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５８～８０％、Ａｌ２Ｏ３を０～１２％、Ｂ２Ｏ３を３～２２％、ＭｇＯを３～９％、ＣａＯを０～８％、ＳｒＯを０～４％、ＢａＯを０～３％及びＺｎＯを０～１０％含むガラスであり、さらに好ましくは、ＳｉＯ２を６０～７３％、Ａｌ２Ｏ３を０．２～７％、Ｂ２Ｏ３を５～１９％、ＭｇＯを４～８％、ＣａＯを０～５％、ＳｒＯを０～１％、ＢａＯを０～２％及びＺｎＯを０～８％含むガラスである。
　中でも好ましい無アルカリアルミノホウケイ酸ガラスの組成は、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計が９５％未満が好ましく、ＳｉＯ２は７５％未満が好ましく、Ａｌ２Ｏ３は７％未満が好ましく、Ｌｉ２Ｏは１．７％未満が好ましく、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯの合計が５．１％未満が好ましく、ＺｎＯは３．６％未満が好ましく、不純物であるＦｅ２Ｏ３は０．０２５％未満が好ましく、ＴｉＯ２は０．３％未満が好ましく、ＣｅＯ２及びＶ２Ｏ５の合計が０．２５％未満が好ましい。
　ソーダ石灰ガラスの組成は、具体的に、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５５～８０％、Ａｌ２Ｏ３を０～２０％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群から選択される１種以上を合計で２～１５％、ＭｇＯを０～１１％、ＣａＯを０～１０％及びＺｒＯ２を０～３％含むガラスが挙げられるが、特に限定されない。
　より好ましいソーダ石灰ガラスの組成は、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を６０～７５％、Ａｌ２Ｏ３を０～１５％、Ｎａ２Ｏを２～１４％、Ｋ２Ｏを０～３％、Ｌｉ２Ｏを０～８％、ＭｇＯを０～５％及びＣａＯを０～５％含むガラスであり、さらに好ましくは、ＳｉＯ２を６３～７３％、Ａｌ２Ｏ３を０～１０％、Ｎａ２Ｏを２～１１％、Ｋ２Ｏを０～２％、Ｌｉ２Ｏを０～６％、ＭｇＯを０～３％及びＣａＯを０～３％含むガラスである。
　ガラスには、本発明の効果を妨げない範囲においてその他の成分を含有してもよい。そのほかの成分としては、例えば、着色成分、清澄成分等が挙げられる。
　着色成分としては、例えば、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｎｄ等から選ばれる元素で構成される金属酸化物系顔料が挙げられる。
　清澄成分としては、例えば、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌが挙げられる。
　上記したように、本実施形態において、ガラスは接合されるウエハーに応じて、ガラスの平均熱膨張係数が、ウエハーの平均熱膨張係数との差の絶対値で３．０ｐｐｍ／℃以下となるものを使用する。
　以下に、ガラスとウエハー構成材料との具体的な組み合わせを例示する。
　ウエハー構成材料がシリコン（平均熱膨張係数：３．４ｐｐｍ／℃）である場合、好ましいガラスの組成としては、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を６３～８１％、Ａｌ２Ｏ３を０～１８％、Ｂ２Ｏ３を７．５～２１％、Ｎａ２Ｏを０～１２．５％、Ｋ２Ｏを０～１％、Ｌｉ２Ｏを０～２．０％含むガラスが挙げられる。
　ウエハー構成材料がサファイア（平均熱膨張係数：７．７ｐｐｍ／℃）である場合、好ましいガラスの組成としては、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５９～６３％、Ａｌ２Ｏ３を０～０．２％、Ｂ２Ｏ３を２０～２２％、Ｎａ２Ｏを１１～１２．５％、Ｋ２Ｏを０～１．２％、Ｌｉ２Ｏを０～０．５％、ＺｒＯ２を２～５．９％含むガラスが挙げられる。
　また、ウエハー構成材料がヒ化ガリウム（平均熱膨張係数：５．７ｐｐｍ／℃）である場合、好ましいガラスの組成としては、酸化物基準の質量％で表示した組成で、ＳｉＯ２を５８～７４％、Ａｌ２Ｏ３を０～２．０％、Ｂ２Ｏ３を１８～２２％、Ｎａ２Ｏを９～１２％、Ｋ２Ｏを０～０．７％、ＺｒＯ２を５～１１％含むガラスが挙げられる。
　本発明において、ガラスはＵＶ透過性を有することが好ましく、具体的に、波長２４８ｎｍの光に対するガラスの透過率が５５％以上であることが好ましい。波長２４８ｎｍの光に対するガラスの透過率が５５％以上であると、紫外線領域の中でも深紫外線の透過性が高いため、接合体のガラス側から紫外線を照射することで短時間でガラスとウエハーを剥離できる。
　波長２４８ｎｍの光に対するガラスの透過率は、ウエハーとガラスとの剥離作業性の観点から、６５％以上であることがより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、７５％以上が特に好ましく、また上限は特に限定されないが、９５％以下であることが好ましく、９０％以下がより好ましく、８５％以下がさらに好ましい。
　ガラスの厚みは０．１～１．５ｍｍであり、前記範囲であると、ウエハーを十分に支持し、接合体のハンドリング性を向上できる。ガラスの厚みは０．２ｍｍ以上であることが好ましく、０．３ｍｍ以上がより好ましく、０．６ｍｍ以上がさらに好ましく、また１．３ｍｍ以下であることが好ましく、１．２ｍｍ以下がより好ましく、１．１ｍｍ以下がさらに好ましく、０．９ｍｍ以下が特に好ましく、０．７ｍｍ以下が最も好ましい。
　ガラスの平行度は、２０℃で測定したときに、１５．０μｍ以下であることが好ましい。ガラスの平行度が１５．０μｍ以下であると、接合体としたときの接合体の反りを低減できる。
　ガラスの平行度は、１０．０μｍ以下がより好ましく、６．０μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましい。また、平行度が小さいほど接合体の反りを低減できるため下限は特に限定されないが、０．５μｍ以上であることが好ましい。
　平行度は、上記したように、非接触平面度測定装置（例えば、株式会社テクノミュー製「ＴＦＬ２１００」）により測定できる。
　平行度は、平面研削盤やラップ盤の研磨速度や研削液の注出方法を変更することにより調整できる。
　ガラスの平面度は、２０℃で測定したときに、２０．０μｍ以下であることが好ましい。ガラスの平面度が２０．０μｍ以下であると、接合体としたときの接合体の反りを低減できる。
　ガラスの平面度は、１０．０μｍ以下がより好ましく、７．０μｍ以下がさらに好ましく、４．０μｍ以下が中でも好ましい。また、平面度が小さいほど接合体の反りを低減できるため下限は特に限定されないが、０．７μｍ以上であることが好ましい。
　平面度は、上記したように、三次元座標測定機（例えば、株式会社東京精密製「ｘｙｚａｘＲＶＦ－Ａ」）により測定できる。
　平面度は、平面研削盤やラップ盤の研磨速度や研削液の注出方法を変更することにより調整できる。
（接合層）
　本実施形態の接合体は、樹脂接着剤を含む接合層を介してウエハーとガラスが接合されている。接合層は、例えば樹脂接着剤を含む接着剤組成物から形成される。
　樹脂接着剤は硬化するものであれば特に制限はなく、例えば、光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、溶剤揮発型接着剤等が挙げられる。樹脂接着剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光硬化性接着剤としては、例えば、アクリル系紫外線硬化型接着剤、アクリルウレタン系紫外線硬化型接着剤等が挙げられる。μＬＥＤディスプレイに用いる場合は、上記したように、デバイスへの搭載時にガラスを剥離する際にＵＶ照射を行うので、剥離工程に用いられる波長とは異なる波長で硬化する光硬化性接着剤を用いることが好ましい。
　熱硬化性接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、エポキシ系接着剤等が挙げられる。
　ホットメルト接着剤としては、例えば、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系接着剤、スチレン系接着剤、ポリエステル系接着剤、ポリアミド系接着剤、熱可塑性ポリウレタン系接着剤、ポリオレフィン系接着剤等が挙げられる。
　溶剤揮発型接着剤としては、例えば、クロロプレンゴム系接着剤、ニトリルゴム系接着剤等が挙げられる。
　中でも、ウエハーとガラス基板間に発生する応力を緩和させる観点から、硬化方法に制限はないが、エラストマー系のゴム弾性を有する接着剤を使用することが好ましい。
　本実施形態において、樹脂接着剤は、２０℃で測定したときのヤング率が２．０ＧＰａ以下である。樹脂接着剤のヤング率が２．０ＧＰａ以下であると、接合層は柔軟性を有するので接合体にかかる応力を緩和できる。ヤング率は、１．５ＧＰａ以下であることが好ましく、１．０ＧＰａ以下がより好ましく、０．５ＧＰａ以下がさらに好ましい。樹脂接着剤のヤング率の上限は特に限定されないが、０．０１ＧＰａ以上であることが好ましく、０．０５ＧＰａ以上がより好ましく、０．１ＧＰａ以上がさらに好ましく、０．２ＧＰａ以上が特に好ましい。
　なお、ヤング率は、引張試験を実施した時の引張荷重と樹脂の変位により測定できる。具体的に、引張試験機（例えば、株式会社ティー・エス・イー製「ＡＣ－３００ＫＮ」（商品名））を用いて、日本工業規格（ＪＩＳ－Ｋ７１６１－１）に記載された引張試験方法により求められる。
　ヤング率が２．０ＧＰａ以下の樹脂接着剤としては、例えば、スチレン含有量が２０～６０質量％のスチレン－ブタジエン共重合体、フッ素樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム等が挙げられ、これらの中でも、柔軟性と接着強度の安定性の観点から、スチレン含有量が２５～５０質量％のスチレン－ブタジエン共重合体、フッ素樹脂、クロロプレンゴムを含むことが好ましく、スチレン含有量が２５～４５質量％のスチレン－ブタジエン共重合体、フッ素樹脂がより好ましい。
　接合層を形成する接着剤組成物中、樹脂接着剤は２５質量％以上含むことが好ましい。接着剤組成物中の樹脂接着剤の含有量が２５質量％以上であると、接着強度を安定させることができる。樹脂接着剤の含有量は、３５質量％以上であることがより好ましく、４５質量％以上がさらに好ましく、５５質量％以上が特に好ましく、また８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下がさらに好ましく、６５質量％以下が特に好ましい。
　接着剤組成物には、本発明の効果を妨げない範囲において、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン等の有機溶媒や、ナトリウムやマグネシウム等の金属の酸化物微粒子等が挙げられる。
　接合層の厚みは、０．１～２０μｍであることが好ましい。接合層の厚みが前記範囲であるとウエハーとガラス基板間に発生する応力を緩和させつつ、接合体の平行度と平面度を小さくできる。
　接合層の厚みは、０．３μｍ以上であることがより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましく、０．７μｍ以上が特に好ましく、また、８．０μｍ以下であることがより好ましく、５．０μｍ以下がさらに好ましく、４．０μｍ以下が特に好ましく、１．０μｍ以下が最も好ましい。
（接合体の作製方法）
　本実施形態の接合体の作製方法は特に限定されないが、ウエハーとガラスとを、接合層を介して積層接着する工程を含む。具体的に、ガラス基板上で接着剤組成物からなる接合層を形成し、次いで接合層の表面にウエハーを積層して、接合体を製造する方法が挙げられる。
　接着剤組成物からなる接合層をガラス基板上に形成するには、ガラス基板上に、接着剤組成物を、硬化後の厚みで０．１～２０μｍとなるように塗布するか、または成形した樹脂シートを載置する。
　以下に、接着剤組成物を塗布することにより接合体を作製する方法を説明する。
　樹脂接着剤が熱可塑性樹脂である場合、樹脂組成物を溶融して塗布することが好ましい。溶融して塗布する場合には、好ましくは９０～４００℃、より好ましくは１１０～３７０℃、さらに好ましくは１３０～３４０℃の温度で加熱して、接着剤組成物を溶融させて、塗布する。塗布方法としては、例えば、ローラ、刷毛、スプレーを使用して塗布する方法が挙げられる。
　次に、得られた接合層の表面にウエハーを積層する。ウエハーは、取り扱い性の観点から、好ましくは１００～１０００μｍ、より好ましくは２００～７００μｍ、さらに好ましくは３００～５００μｍの膜厚のウエハーを用いることが好ましい。
　その後、好ましくは０．５～１２時間、より好ましくは５～１０時間で冷却して、固化させ、接合体を得る。
　樹脂接着剤が熱硬化性樹脂である場合、樹脂組成物をガラス基板上に塗布し、ウエハーを積層した後に加熱することにより、樹脂組成物を硬化させる。
　硬化の条件としては、好ましくは８０～２４０℃、より好ましくは１００～１６０℃で、好ましくは０．５～１０．０時間、より好ましくは１．０～５．０時間である。
　樹脂接着剤が光硬化性樹脂である場合、樹脂組成物をガラス基板上に塗布し、ウエハーを積層した後に紫外線等の放射線を照射することにより、樹脂組成物を硬化させる。
　硬化の条件としては、好ましくは８０～４００ｍW／ｃｍ２、より好ましくは１００～２５０W／ｃｍ２の紫外線強度で、好ましくは１～１２０分、より好ましくは３～６０分である。
　そしてその後、上記のようにして得られた接合体のウエハー側表面を、例えば、平面研削盤やラップ盤により研磨し、１～７０μｍの範囲の所望の厚みにする。
　なお、ガラスとウエハーの接合に際し、積層のズレによるウエハーのガラス基板からのはみ出しを防止するために、ウエハーはガラスよりも外径の小さいものを使用することが好ましい。また、得られた接合体は、所望の大きさに切断し、利用することもできる。
（接合体）
　接合体の厚みは、０．１～１．６ｍｍであることが好ましい。接合体の厚みが薄すぎると、耐衝撃性が低くなるのでウエハーが破損しやすくなり、また厚すぎると、ハンドリング性が低下する。
　接合体の厚みは、０．３ｍｍ以上であることがより好ましく、０．４５ｍｍ以上がさらに好ましく、０．６ｍｍ以上が特に好ましく、また、１．３ｍｍ以下であることがより好ましく、１．０ｍｍ以下がさらに好ましく、０．７ｍｍ以下が特に好ましい。
　接合体の大きさは、用途に応じて適宜調整すればよく特に限定されない。好ましいウエハーの大きさは１５～７１０ｃｍ２であり、４２～３２０ｃｍ２がより好ましく、７０～１８０ｃｍ２がさらに好ましい。
　本実施形態の接合体は、２０℃で測定したときに、平行度が１５．０μｍ以下である。平行度が１５．０μｍ以下であると、接合体の反りが少なく、破損しにくい接合体が得られる。平行度は、１０．０μｍ以下であることがより好ましく、６．０μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましく、１．０μｍ以下が最も好ましい。また平行度が低いほど次工程の搬送工程や熱処理工程での処理効率を向上できるため下限は特に限定されないが、０．５μｍ以上であることが好ましい。
　接合体の平行度は、上記したように、非接触平面度測定装置（例えば、株式会社テクノミュー製「ＴＦＬ２１００」）により測定できる。
　本実施形態の接合体は、２０℃で測定したときに、平面度が２０．０μｍ以下であることが好ましい。平面度が２０．０μｍ以下であると、反りが抑制され、ウエハーの剥離や破損を抑制できる。平面度は、１０．０μｍ以下であることがより好ましく、７．０μｍ以下がさらに好ましく、４．０μｍ以下が特に好ましく、１．０μｍ以下が最も好ましい。また平面度が低いほど次工程の搬送工程や熱処理工程での処理効率を向上できるため下限は特に限定されないが、０．７μｍ以上であることが好ましい。
　接合体の平面度は、上記したように、三次元座標測定機（例えば、株式会社東京精密製「ｘｙｚａｘＲＶＦ－Ａ」）により測定できる。
　本実施形態の接合体は、ウエハーの平均熱膨張係数をα１、ガラスの平均熱膨張係数をα２としたとき、α１≦α２を満たすことが好ましい。α１がα２よりも小さいか同等であると、ガラス基板の下面に引張応力が生じるため、薄いウエハー側への引張応力の発生を抑制でき、ウエハー及び接合体の破損を抑制できる。
　なお、平均熱膨張係数は、測定する温度範囲を２０～２００℃とした熱機械分析装置（ＴＭＡ）により測定できる。
（接合体の用途）
　本発明の接合体の用途としては特に限定されないが、例えば、ＬＥＤディスプレイ、μＬＥＤディスプレイ、太陽電池、高性能薄膜トランジスタ、半導体集積回路等の電子部品が挙げられる。
　以下、本発明を実施例により詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の説明において、共通する成分は同じものを用いている。例１～１２は実施例であり、例１３～１６は比較例である。
（１）厚み
　ウエハー、ガラス基板、接合層及び接合体の厚みを、株式会社エー・アンド・デイ製のデジタルノギス「ＡＤ５７６４Ａ」（商品名）により測定した。
（２）平行度
　ウエハー、ガラス基板及び接合体について、株式会社テクノミュー製の非接触平面度測定装置「ＴＦＬ２１００」（商品名）により、２０℃で平行度を測定した。なお、ガラス基板の平行度は、外縁幅５ｍｍを除く領域で測定した。
（３）平面度
　ウエハー、ガラス基板及び接合体について、株式会社東京精密製の三次元座標測定機「ｘｙｚａｘ　ＲＶＦ－Ａ」（商品名）により、２０℃にて平面度を測定した。
　なお、ガラス基板の平面度は、外縁幅５ｍｍを除く領域で測定した。
（４）平均熱膨張係数
　ウエハー及びガラス基板について、ブルカー・エイエックスエス社製の熱機械分析装置（ＴＭＡ）「ＴＭＡ４０００ＳＡ」（商品名）を用いて、２０℃～２００℃の温度範囲で熱膨張係数を測定することにより平均熱膨張係数を求めた。
（５）紫外線透過率
　得られた接合体におけるガラス基板と同じ厚みのガラス基板について、分光光度計により、入射光の入射角を０°とし、波長２４８ｎｍの光に対する厚み方向の透過率を測定した。
（６）ヤング率
　接着剤組成物のヤング率を、株式会社ティー・エス・イー製のオートコム万能試験機「ＡＣ－３００ＫＮ」（商品名）を用いて、日本工業規格（ＪＩＳ－Ｋ７１６１－１）に記載された引張試験方法により２０℃で測定した。
（７）外観
　目視により接合体の外観を観察し、以下の評価基準に基づいて評価を行った。
　＜評価基準＞
　Ａ（良）：ウエハーにクラックや穴あき欠点がない
　Ｂ（不可）：ウエハーにクラックや穴あき欠点がある
（例１）
　酸化物基準の質量％表示及びモル％表示で、表１に示す組成を有するガラスを１６５０℃の温度で５時間溶融し、この溶融物を鋳鉄の金型に流し込み成形し、除冷を行い、２０００ｇのガラスブロックを得た。このガラスブロックに外径加工、スライス加工、研磨加工を行い、直径φ１１２．０ｍｍ、厚み０．９ｍｍの板状のガラス基板を得た。ガラス基板の２０～２００℃における平均熱膨張係数（α２）は３．１ｐｐｍ／℃であった。
　前記ガラス基板を、ホットプレート上で２００℃の温度に加熱した。次いで、表１に示すスチレンブタジエン系接着剤組成物（旭化成株式会社製「タフプレン１２５」、ヤング率０．２８ＧＰａ）を２００℃で溶融させ、フッ素系スポンジローラーによりガラス基板上に、硬化後の厚みが１．０μｍとなるように塗布し、接合層を形成した。その後、接合層上に、シリコンウエハー（直径φ１０１．４ｍｍ、厚み０．７１ｍｍ、平均熱膨張係数（α１）３．９ｐｐｍ／℃）を載置した。
　その後、ウエハー上にアルミ常盤を積層させることにより接着層の厚みを均一化させ、そのまま２０℃／Ｈｒの速度で冷却し固化させることでウエハーとガラス基板を接合した。
　接合後に、ガラス基板とウエハーの平行度が２０．０μｍ以下になるまで平面研削盤とラップ盤によりガラス基板及びウエハーを研磨し、さらに平面研削盤とラップ盤により表１に示す厚みまでウエハーを研磨することで接合体を得た。
　得られた接合体における、ガラス基板の厚み、平行度、平面度及び紫外線透過率、並びに、ウエハーの厚み、平行度及び平面度を表１に示す。
（例２～３）
　ガラスの組成を表１に示したものに変更し、ガラス基板とウエハーの厚み、平行度及び平面度を表１に示したものとした以外は、例１と同様にして、接合体を作製した。
（例４）
　酸化物基準の質量％表示及びモル％表示で、表１に示す組成を有するガラスを１６５０℃の温度で５時間溶融し、この溶融物を鋳鉄の金型に流し込み成形し、除冷を行い、２０００ｇのガラスブロックを得た。このガラスブロックに外径加工、スライス加工、研磨加工を行い、直径φ１１２．０ｍｍ、厚み０．９ｍｍの板状のガラス基板を得た。ガラス基板の平均熱膨張係数（α２）は４．７ｐｐｍ／℃であった。
　厚み３５μｍのフッ素樹脂シート（ＡＧＣ株式会社製「Ｆｌｕｏｎ＋ＥＡ－２０００」、ヤング率０．６７ＧＰａ）を、前記ガラス基板上に載置し、その上にシリコンウエハー（平均熱膨張係数（α１）３．９ｐｐｍ／℃）を重ね合わせて積層体を得た。積層体を真空ホットプレス機に入れ、真空度を０．６ＭＰａとし、３７０℃の温度にて１．１ＭＰａの加圧力を２０分間加え、その後２０℃／Ｈｒの速度で冷却し固化させることでウエハーとガラス基板を接合した。
　接合後に、ガラス基板とウエハーの平行度が２０．０μｍ以下になるまで平面研削盤とラップ盤によりガラス基板及びウエハーを研磨し、さらに平面研削盤とラップ盤により表１に示す厚みまでウエハーを研磨することで接合体を得た。
　得られた接合体における、ガラス基板の厚み、平行度、平面度及び紫外線透過率、並びに、ウエハーの厚み、平行度及び平面度を表１に示す。
（例５～１１）
　ガラスの組成及びウエハーを表１に示したものに変更し、ガラス基板とウエハーの厚み、平行度及び平面度を表１又は表２に示したものとした以外は、例１と同様にして、接合体を作製した。
（例１２）
　酸化物基準の質量％表示及びモル％表示で、表１に示す組成を有するガラスを１６５０℃の温度で５時間溶融し、この溶融物を鋳鉄の金型に流し込み成形し、除冷を行い、２０００ｇのガラスブロックを得た。このガラスブロックに外径加工、スライス加工、研磨加工を行い、直径φ１１２．０ｍｍ、厚み０．９ｍｍの板状のガラス基板を得た。ガラス基板の２０～２００℃における平均熱膨張係数（α２）は４．７ｐｐｍ／℃であった。
　厚み４５μｍのエポキシ系樹脂シート（東レ株式会社製「ＴＳＡ－１９」、ヤング率１．９４ＧＰａ）を、前記ガラス基板上に載置し、その上にシリコンウエハー（平均熱膨張係数（α１）３．９ｐｐｍ／℃）を重ね合わせて積層体を得た。積層体を真空ホットプレス機に入れ、真空度を０．６ＭＰａとし、１００℃の温度にて１．１ＭＰａの加圧力を６０分間加え、さらに１７０℃の温度にて１．１ＭＰａの加圧力を１２０分加え、その後２０℃／Ｈｒの速度で冷却し固化させることでウエハーとガラス基板を接合した。
　接合後に、ガラス基板とウエハーの平行度が２０．０μｍ以下になるまで平面研削盤とラップ盤によりガラス基板及びウエハーを研磨し、さらに平面研削盤とラップ盤により表２に示す厚みまでウエハーを研磨することで接合体を得た。
　得られた接合体における、ガラス基板の厚み、平行度、平面度及び紫外線透過率、並びに、ウエハーの厚み、平行度及び平面度を表２に示す。
（例１３）
　酸化物基準の質量％表示及びモル％表示で、表１に示す組成を有するガラスを１６５０℃の温度で５時間溶融し、この溶融物を鋳鉄の金型に流し込み成形し、除冷を行い、２０００ｇのガラスブロックを得た。このガラスブロックに外径加工、スライス加工、研磨加工を行い、直径φ１１２．０ｍｍ、厚み０．９ｍｍの板状のガラス基板を得た。ガラス基板の２０～２００℃における平均熱膨張係数（α２）は４．７ｐｐｍ／℃であった。
　フルオレン系エポキシ接着剤組成物（大阪ガスケミカル株式会社製「ＯＧＳＯＬ　ＥＧ－２００」、ヤング率２．３４ＧＰａ）をウレタン系スポンジローラーにより前記ガラス基板上に、硬化後の厚みが１．３μｍとなるように塗布し、接合層を形成した。その後、接合層上に、シリコンウエハー（直径φ１０１．４ｍｍ、厚み０．９ｍｍ、平均熱膨張係数（α１）３．９ｐｐｍ／℃）を載置した。
　その後、ウエハー上にアルミ常盤を積層させ、ホットプレート上で１７５℃の温度で５時間加熱することで接着剤を硬化させた。その後２０℃／Ｈｒの速度で冷却し固化させることでウエハーとガラス基板を接合した。
　接合後に、ガラス基板とウエハーの平行度が２０．０μｍ以下になるまで平面研削盤とラップ盤により研磨し、さらに平面研削盤とラップ盤により表２に示す厚みまでウエハーを研磨することで接合体を得た。
　得られた接合体における、ガラス基板の厚み、平行度、平面度及び紫外線透過率、並びに、ウエハーの厚み、平行度及び平面度を表２に示す。
（例１４～１６）
　ガラスの組成を表２に示したものに変更し、ガラス基板とウエハーの厚み、平面度及び平行度を表２に示したものとした以外は、例１と同様にして、接合体を作製した。
　例１～１６の接合体について、厚み、平行度、平面度、ウエハーとガラス基板の平均熱膨張係数の差の絶対値（｜α１－α２｜）を測定し、外観評価を行った。結果を表１及び２に示す。
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１及び表２の結果より、実施例である例１～１２はいずれも、反りが低減され、ウエハーに穴あきやクラックがない接合体が得られた。
　本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお、本出願は、２０２０年３月２３日付けで出願された日本特許出願（特願２０２０－５１１５４）に基づいており、その全体が引用により援用される。また、ここに引用されるすべての参照は全体として取り込まれる。
１　　接合体
１１　ウエハー
１３　ガラス
１５　接合層

Claims (5)

  1. 　ウエハーとガラスとの接合体であって、
    　前記ウエハーと前記ガラスが、ヤング率が２．０ＧＰａ以下の樹脂接着剤を含む接合層を介して接合され、
    　前記ウエハーの厚みが１～７０μｍであり、前記ガラスの厚みが０．１～１．５ｍｍであり、前記ウエハーの平均熱膨張係数と前記ガラスの平均熱膨張係数の差の絶対値が３．０ｐｐｍ／℃以下であり、前記接合体の平行度が１５．０μｍ以下である接合体。
  2. 　平面度が２０．０μｍ以下である、請求項１に記載の接合体。
  3. 　波長２４８ｎｍの光に対する前記ガラスの透過率が５５％以上である、請求項１又は２に記載の接合体。
  4. 　前記接合層の厚みが０．１～２０μｍである、請求項１～３のいずれかに記載の接合体。
  5. 　前記ウエハーの平均熱膨張係数をα１、前記ガラスの平均熱膨張係数をα２としたとき、α１≦α２を満たす、請求項１～４のいずれかに記載の接合体。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013234315A (ja) * 2012-04-13 2013-11-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム、及び貼付方法
WO2016125787A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 旭硝子株式会社 ガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
WO2017204167A1 (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
JP2018504356A (ja) * 2015-01-20 2018-02-15 ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 高いｕｖ透過率および耐ソラリゼーション性を示す低ｃｔｅガラス
JP2019006671A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ 部材、特に電子部材とガラス材料またはガラスセラミック材料との接合体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013234315A (ja) * 2012-04-13 2013-11-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム、及び貼付方法
JP2018504356A (ja) * 2015-01-20 2018-02-15 ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 高いｕｖ透過率および耐ソラリゼーション性を示す低ｃｔｅガラス
WO2016125787A1 (ja) * 2015-02-06 2016-08-11 旭硝子株式会社 ガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
WO2017204167A1 (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
JP2019006671A (ja) * 2017-06-22 2019-01-17 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ 部材、特に電子部材とガラス材料またはガラスセラミック材料との接合体

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