TWI701221B - 支持玻璃基板的製造方法及半導體封裝體的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的支持玻璃基板的製造方法為用於支持加工基板的支持玻璃基板的製造方法，所述支持玻璃基板的製造方法的特徵在於包括：成形步驟，將支持玻璃基板成形；以及熱處理步驟，對成形後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動。

Description

支持玻璃基板的製造方法及半導體封裝體的製 造方法
本發明是有關於一種支持玻璃基板的製造方法，具體而言是有關於一種於半導體封裝體的製造步驟中用於支持加工基板的支持玻璃基板的製造方法。
對行動電話、筆記型個人電腦、個人數位助理(Personal Data Assistance，PDA)等可攜式電子設備要求小型化及輕量化。隨之該些電子設備中所使用的半導體晶片的安裝空間亦受到嚴格限制，半導體晶片的高密度的安裝成為課題。因此，近年來藉由三維安裝技術，即，將半導體晶片彼此積層，將各半導體晶片間配線連接，從而實現半導體封裝體的高密度安裝。
而且，現有的晶圓級封裝體(Wafer Level Package，WLP)是藉由以晶圓狀態形成凸塊後，利用切割加以單片化而製作。然而，現有的WLP中難以增加接腳數，且是以半導體晶片的背面露出的狀態安裝，故有半導體晶片容易產生缺損等問題。
因此，作為新穎的WLP，提出一種扇出(fan out)型WLP。扇出型WLP能夠增加接腳數，且藉由保護半導體晶片的端部，可防止半導體晶片的缺損等。
扇出型WLP中具有：利用樹脂的密封材使多個半導體 晶片成型而形成加工基板後，對加工基板的一個表面進行配線的步驟；以及形成焊料凸塊的步驟等。
該些步驟伴有約200℃的熱處理，故有密封材變形、加工基板的尺寸發生變化之虞。若加工基板的尺寸發生變化，則難以對加工基板的一個表面進行高密度配線，且亦難以準確地形成焊料凸塊。
根據所述情況，為了抑制加工基板的尺寸變化，研究有使用用於對加工基板進行支持的玻璃基板(參照專利文獻1)。
玻璃基板容易使表面平滑化，且具有剛性。因而，若使用玻璃基板作為支持基板，則能夠牢固且準確地支持加工基板。而且，玻璃基板容易透過紫外光、紅外光等光。因而，使用玻璃基板作為支持基板後，若藉由紫外線硬化型接著劑等而設置接著層等，則可容易地將加工基板與玻璃基板固定。進而，若設置吸收紅外線的剝離層等，則亦可容易地將加工基板與玻璃基板分離。作為其他方式，若藉由紫外線硬化型膠帶等而設置接著層等，則可容易地將加工基板與玻璃基板固定、分離。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-78113號公報
且說，若加工基板與玻璃基板的熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)不匹配，則於加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)。結果難以對加工基板的一個表面進行高密度配線，且亦難以準確地形成焊料凸塊。因而，重要的是使加工基板與玻璃基板的熱膨脹係數嚴密地相匹配。
先前，藉由調整玻璃基板的玻璃組成，而使玻璃基板的熱膨脹係數與加工基板的熱膨脹係數相匹配。
然而，即便調整玻璃基板的玻璃組成，亦存在因玻璃基板的熔融條件或成形條件的變動而導致玻璃基板的熱膨脹係數偏離目標值的情況。該情況下，廢棄玻璃基板或者將玻璃基板再熔融而使玻璃基板的熱膨脹係數發生變動，結果玻璃基板的製造成本上漲。
本發明鑒於所述情況而完成，其技術性課題在於創造一種可藉由簡單的方法來將成形後的支持玻璃基板的熱膨脹係數再調整為目標值的方法。
本發明者反覆進行各種實驗，結果發現，藉由對成形後的玻璃基板進行熱處理，可解決所述技術性課題，從而提出本發明。即，本發明的支持玻璃基板的製造方法為用於支持加工基板的支持玻璃基板的製造方法，所述支持玻璃基板的製造方法的特徵在於包括：成形步驟，將支持玻璃基板成形；以及熱處理步驟，對成形後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動。
本發明的支持玻璃基板的製造方法中，即便支持玻璃基板的熱膨脹係數偏離目標值，亦能夠藉由熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。藉此，不需要支持玻璃基板的廢棄或再熔融，且可使支持玻璃基板的製造成本低廉化。
第二，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為對成形步驟後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數降低。
第三，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為使熱處理的最高溫度高於(支持玻璃基板的應變點-100)℃。
第四，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於到達熱處理的最高溫度後，將熱處理溫度以5℃/min以下的速度降溫。
第五，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為藉由熱處理而將支持玻璃基板的翹曲量減小為40μm以下。此處，「翹曲量」是指支持結晶化玻璃基板整體的最高位點與最小平方焦點面之間的最大距離的絕對值、和最低位點與設小平方焦點面之間的最大距離的絕對值的合計值，例如能夠藉由神鋼(Kobelco)科研公司製造的SBW-331ML/d而進行測定。
第六，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為準備較支持玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的支持玻璃基板後，供於熱處理步驟。
第七，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為以板厚成為400μm以上且未滿2mm的方式將支持玻璃基板成形。
第八，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為藉由溢流下拉法(overflow down-draw method)而將支持玻璃基板成形。
第九，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於熱處理步驟後包括對支持玻璃基板的表面進行研磨而將整體板厚偏差減小為未滿2.0μm的研磨步驟。此處，「整體板厚偏差」為支持玻璃基板整體的最大板厚與最小板厚的差，例如能夠藉由神鋼(Kobelco)科研公司製造的SBW-331ML/d而進行測定。
第十，本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於熱處理步驟後包括將支持玻璃基板的周邊部切斷去除的切斷去除步驟。
第十一，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為包括：積層步驟，製作至少具備加工基板及用於支持加工基板的支持玻璃基板的積層體；以及加工處理步驟，對積層體的加工基板進行加工處理，並且支持玻璃基板是藉由所述支持玻璃基板的製造方法而製作。
第十二，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為加工基板至少具備利用密封材而成型的半導體晶片。
第十三，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為加工處理包括對加工基板的一個表面進行配線的處理。
第十四，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為加工處理包括對加工基板的一個表面形成焊料凸塊的處理。
1、27:積層體
10、26:支持玻璃基板
11、24:加工基板
12:剝離層
13、21、25:接著層
20:支持構件
22:半導體晶片
23:密封材
28:配線
29:焊料凸塊
圖1是表示本發明的積層體的一例的概念立體圖。
圖2(a)~圖2(g)是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。
以下，對本發明的支持玻璃基板的製造方法進行詳細說明。
本發明的支持玻璃基板的製造方法中，較佳為，首先將玻璃原料加以調配、混合，製作玻璃批料(batch)，將該玻璃批料投入至玻璃熔融爐後，將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至成形裝置，成形為板狀，從而獲得支持玻璃基板。
玻璃批料較佳為以成為所期望的熱膨脹係數的方式進行製備。具體而言，於在加工基板內半導體晶片的比例少、密封材的比例多時，較佳為以成為高膨脹的玻璃組成的方式製備玻璃批料，相反，於在加工基板內半導體晶片的比例多、密封材的比例少時，較佳為以成為低膨脹的玻璃組成的方式製備玻璃批料。
於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數規定為0×10-7/℃以上且未滿50×10-7/℃時，支持玻璃基板較佳為以如下方式製備玻璃批料：作為玻璃組成，以質量%計而含有55%~75%的SiO2、15%~30%的Al2O3、0.1%~6%的Li2O、0%~8%的Na2O+K2O(Na2O與K2O的合計量)、0%~10%的MgO+CaO+SrO+BaO(MgO、CaO、SrO及BaO的合計量)，亦較 佳為以含有55%~75%的SiO2、10%~30%的Al2O3、0%~0.3%的Li2O+Na2O+K2O(Li2O、Na2O及K2O的合計量)、5%~20%的MgO+CaO+SrO+BaO的方式製備玻璃批料，亦較佳為以含有55%~68%的SiO2、12%~25%的Al2O3、O%~15%的B2O3、5%~30%的MgO+CaO+SrO+BaO的方式製備玻璃批料。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數規定為50×10-7/℃以上且未滿70×10-7/℃時，支持玻璃基板較佳為以如下方式製備玻璃批料：作為玻璃組成，以質量%計而含有55%~75%的SiO2、3%~15%的Al2O3、5%~20%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、5%~15%的Na2O、0%~10%的K2O，進而佳為以含有64%~71%的SiO2、5%~10%的Al2O3、8%~15%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~6%的CaO、0%~3%的SrO、0%~3%的BaO、0%~3%的ZnO、5%~15%的Na2O、0%~5%的K2O的方式製備玻璃批料。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數規定為70×10-7/℃以上且85×10-7/℃以下時，支持玻璃基板較佳為以如下方式製備玻璃批料：作為玻璃組成，以質量%計而含有60%~75%的SiO2、5%~15%的Al2O3、5%~20%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、7%~16%的Na2O、0%~8%的K2O，進而佳為以含有60%~68%的SiO2、5%~15%的Al2O3、5%~20%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~3%的SrO、0%~3%的BaO、0%~3%的ZnO、8%~16%的Na2O、 0%~3%的K2O的方式製備玻璃批料。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數規定為超過85×10-7/℃且120×10-7/℃以下時，支持玻璃基板較佳為以如下方式製備玻璃批料：作為玻璃組成，以質量%計而含有45%~70%(55%~70%)的SiO2、3%~25%(較佳為3%~13%)的Al2O3、0%~8%(較佳為2%~8%)的B2O3、0%~20%的P2O5、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、10%~21%的Na2O、0%~5%的K2O。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數規定為超過120×10-7/℃且165×10-7/℃以下時，支持玻璃基板較佳為以如下方式製備玻璃批料：作為玻璃組成，以質量%計而含有53%~65%的SiO2、3%~13%的Al2O3、0%~5%的B2O3、0.1%~6%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、20%~40%的Na2O+K2O、12%~21%的Na2O、7%~21%的K2O。如此，容易將熱膨脹係數調整為目標值，且耐失透性提高，故容易形成整體板厚偏差小的支持玻璃基板。另外，「30℃~380℃的溫度範圍下的平均線熱膨脹係數」是指利用膨脹計(dilatometer)而測定的值。
玻璃批料中，作為澄清劑，亦可添加0.05質量%~2質量%的選自As2O3、Sb2O3、CeO2、SnO2、F、Cl、SO3的群組(較佳為SnO2、Cl、SO3的群組)中的一種或兩種以上。SnO2、SO3及Cl的合計量較佳為0質量%~1質量%、100ppm~3000ppm(0.01質量%~0.3質量%)、300ppm~2500ppm、特別是500ppm ~2500ppm。另外，若SnO2、SO3及Cl的合計量少於100ppm，則難以享有澄清效果。
就環境的觀點而言，As2O3、Sb2O3及F的使用較佳為極力控制，較佳為實質不含有。此處，具體而言，「實質不含有~」是指明示的成分的含量未滿500ppm(質量)。就環境的觀點而言，亦較佳為於玻璃組成中實質不含有PbO、Bi2O3。
於本發明的支持玻璃基板的製造方法中，較佳為以支持玻璃基板的楊氏模量成為60GPa以上(理想的是65GPa以上、70GPa以上、特別是75GPa~130GPa)的方式製備玻璃批料。於在加工基板內半導體晶片的比例少、密封材的比例多時，積層體整體的剛性降低，於加工處理步驟中加工基板容易翹曲。因此，若提高支持玻璃基板的楊氏模量，則容易抑制加工基板的翹曲變形，從而能夠牢固且準確地支持加工基板。此處，「楊氏模量」是指利用彎曲共振法而測定的值。
較佳為以支持玻璃基板的液相溫度成為未滿1150℃(理想的是1120℃以下、1100℃以下、1080℃以下、1050℃以下、1010℃以下、980℃以下、960℃以下、950℃以下、特別是940℃以下)的方式製備玻璃批料。而且，較佳為以支持玻璃基板的液相黏度成為104.8dPa．s以上(理想的是105.0dPa．s以上、105.2dPa．s以上、105.4dPa．s以上、特別是105.6dPa．s以上)的方式製備玻璃批料。如此，容易利用下拉法、特別是溢流下拉法將支持玻璃基板成形，故容易製作板厚小的支持玻璃基板，並且即便不對表面進行研 磨，亦可減小整體板厚偏差。或者，藉由少量的研磨，可將整體板厚偏差減小至未滿2.0μm，特別是未滿1.0μm。結果亦可使支持玻璃基板的製造成本低廉化。另外，「液相溫度」能夠藉由將通過標準篩30目(500μm)而殘留於50目(300μm)的玻璃粉末裝入鉑舟後，於溫度梯度爐中保持24小時，並測定結晶析出的溫度而算出。「液相黏度」能夠利用鉑球提拉法來測定。
本發明的支持玻璃基板的製造方法中，較佳為以板厚成為400μm以上且未滿2mm的方式將支持玻璃基板成形。支持玻璃基板的板厚較佳為400μm以上、500μm以上、600μm以上、700μm以上、800μm以上、900μm以上、特別是1000μm以上。若支持玻璃基板的板厚過小，則機械性強度降低，於半導體封裝體的製造步驟中支持玻璃基板容易破損。另一方面，若支持玻璃基板的板厚過大，則積層體的質量變大，因此操作性降低。而且，於半導體封裝體的製造步驟中，產生積層體無法清除半導體封裝體的製造裝置內的高度限制之虞。因而，支持玻璃基板的板厚較佳為未滿2.0mm、1.5mm以下、1.2mm以下、特別是1.1mm以下。
較佳為利用下拉法、特別是溢流下拉法將支持玻璃基板成形。溢流下拉法為使熔融玻璃自耐熱性的槽狀結構物的兩側溢出，一面使溢出的熔融玻璃於槽狀結構物的下頂端匯合而於玻璃內部形成成形匯合面，一面向下方延伸成形的方法。溢流下拉法中，應成為玻璃表面的面不與槽狀耐火物接觸，而是以自由表面 的狀態成形。因此，容易製作板厚小的支持玻璃基板，並且即便不對表面進行研磨，亦可減小整體板厚偏差。或者，藉由少量的研磨，可將整體板厚偏差減小平未滿2.0μm，特別是未滿1.0μm。結果可使支持玻璃基板的製造成本低廉化。
支持玻璃基板的成形方法除溢流下拉法以外，亦可選定例如流孔下引法(slot down draw method)、再拉法、浮式法等。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於熱處理步驟前包括測定成形後的支持玻璃基板的熱膨脹係數的步驟。如此，考慮到支持玻璃基板的熱膨脹係數的測定值的基礎上，控制熱處理條件(熱處理的最高溫度、熱處理的降溫速度等)，藉此容易將支持玻璃基板的熱膨脹係數調整為目標值。
本發明的支持玻璃基板的製造方法亦可於熱處理步驟前設置支持玻璃基板的清洗步驟。藉此，即便異物附著於支持玻璃基板，亦可防止所附著的異物因熱處理而燒附於支持玻璃基板的表面。
本發明的支持玻璃基板的製造方法包括對成形後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動的熱處理步驟，該情況下，較佳為對成形步驟後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數降低。如此，容易將支持玻璃基板的熱膨脹係數控制為目標值。另外，亦能夠藉由熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數增加，該情況下，必須於成形時將支持玻璃基板充分徐冷後，供於熱處理步驟，而支持玻璃 基板的製造效率容易降低。
於熱處理步驟中，較佳為使支持玻璃基板的溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數降低0.05×10-7/℃~3×10-7/℃，更佳為降低0.1×10-7/℃~3×10-7/℃，進而佳為降低0.2×10-7/℃~1×10-7/℃，特佳為降低0.3×10-7/℃~0.8×10-7/℃。支持玻璃基板的熱膨脹係數因熔融條件、成形條件等的變動而發生變動。其變動幅度並不那麼大，但於需要嚴密地調整熱膨脹係數的支持玻璃基板的用途中，該些輕微的變動成為問題。並且，困難的是管理熔融條件、成形條件等而將熱膨脹係數控制為目標值。因此，若於熱處理步驟中調整熱處理條件(熱處理的最高溫度、熱處理的降溫速度等)，則即便不嚴密地管理熔融條件、成形條件等，亦容易將支持玻璃基板的熱膨脹係數控制為目標值。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為包括對成形後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的密度發生變動的熱處理步驟，該情況下，較佳為對成形步驟後的支持玻璃基板進行熱處理而使支持玻璃基板的密度上升。如此，於需要嚴密地調整支持玻璃基板的密度時，容易將支持玻璃基板的密度控制為目標值。另外，亦能夠藉由熱處理而使支持玻璃基板的密度降低，該情況下，必須於成形時將支持玻璃基板充分徐冷後，供於熱處理步驟，而支持玻璃基板的製造效率容易降低。
支持玻璃基板的密度的上升程度與支持玻璃基板的熱膨脹係數的降低程度相關。因而，若測定支持玻璃基板的密度的 上升值，則可簡單地估算支持玻璃基板的熱膨脹係數的降低值。於熱處理步驟中，較佳為使支持玻璃基板的密度上升0.001g/cm3~0.05g/cm3，進而佳為上升0.004g/cm3~0.03g/cm3，特佳為上升0.007g/cm3~0.015g/cm3。若密度的上升值為所述範圍外，則難以估算支持玻璃基板的熱膨脹係數的降低值。
熱處理的最高溫度較佳為超過(支持玻璃基板的應變點-100)℃、(支持玻璃基板的應變點-50)℃以上、(支持玻璃基板的應變點-30)℃以上、支持玻璃基板的應變點以上、(支持玻璃基板的應變點+10)℃以上、(支持玻璃基板的應變點+20)℃以上、(支持玻璃基板的應變點+30)℃以上、特別是(支持玻璃基板的應變點+50)℃以上。若熱處理的最高溫度過低，則用於使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動的熱處理時間不適當地變長，且熱處理效率容易降低。進而，難以藉由熱處理而使支持玻璃基板的熱膨脹係數降低。另一方面，若熱處理的最高溫度過高，則支持玻璃基板容易發生熱變形。因而，熱處理的最高溫度較佳為(支持玻璃基板的應變點+150)℃以下、(支持玻璃基板的應變點+120)℃以下。
於熱處理步驟中，為了自熱處理爐中安全地取出支持玻璃基板，需要自熱處理的最高溫度進行降溫。該降溫速度較佳為5℃/min以下、4℃/min以下、3℃/min以下、2℃/min以下、1℃/min以下、特別是0.8℃/min以下。若降溫速度過快，則於熱處理步驟後於支持玻璃基板容易殘留熱應變，且於自熱處理爐取出支持玻 璃基板時有支持玻璃基板破損之虞。另一方而，若降溫速度過慢，則用於使支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動的熱處理時間不適當地變長，且熱處理效率容易降低。因而，降溫速度較佳為0.01℃/min以上、0.05℃/min以上、0.1℃/min以上、0.2℃/min以上、特別是0.5℃/min以上。
較佳為準備較支持玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的支持玻璃基板後，供於熱處理步驟。如此，可於熱處理時減小支持玻璃基板的溫度不均。另外，若熱處理用托架的尺寸與支持玻璃基板的尺寸相同或小於支持玻璃基板的尺寸，則支持玻璃基板的一部分容易自熱處理用托架超出，於該超出的部分容易發生熱變形。
本發明的支持玻璃基板的製造方法中，較佳為藉由熱處理而將支持玻璃基板的翹曲量減小至40μm以下。並且，為了減小支持玻璃基板的翹曲量，較佳為於支持玻璃基板的上方配置耐熱基板，一面利用熱處理用托架與耐熱基板來夾持支持玻璃基板，一面進行熱處理。另外，耐熱基板能夠使用富鋁紅柱石(Mullite)基板、氧化鋁基板等。而且，較佳為於使多片支持玻璃基板積層的狀態下進行熱處理。藉此，積層於積層體下方的支持玻璃基板的翹曲量藉由積層於上方的支持玻璃基板的質量來適當地減小。進而，可提高支持玻璃基板的熱處理效率。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於熱處理步驟後包括對支持玻璃基板的表面進行研磨而將整體板厚偏差減小 為未滿2.0μm的研磨步驟。研磨處理的方法可採用各種方法，但較佳為如下方法：利用一對研磨墊來夾持支持玻璃基板的兩表面，一而使支持玻璃基板與一對研磨墊一同旋轉，一面對支持玻璃基板進行研磨處理。進而，一對研磨墊較佳為外徑不同，較佳為於研磨時以支持玻璃基板的一部分間歇性地超出研磨墊的方式進行研磨處理。藉此，容易減小整體板厚偏差，且亦容易減小翹曲量。另外，研磨處理中，研磨深度並無特別限定，研磨深度較佳為50μm以下、30μm以下、20μm以下、特別是10μm以下。研磨深度越小，支持玻璃基板的生產性越提高。
較佳為以支持玻璃基板的整體板厚偏差成為未滿2.0μm、1μm以下、特別是0.1μm~1μm的方式對支持玻璃基板的表面進行研磨，且較佳為以支持玻璃基板的表面的算數平均粗糙度Ra成為5nm以下、2nm以下、1.5nm以下、1nm以下、0.8nm以下、特別是0.5nm以下的方式對支持玻璃基板的表面進行研磨。整體板厚偏差越小，或者表面精度越高，越容易提高加工處理的精度。特別是由於可提高配線精度，故能夠進行高密度配線。而且，支持玻璃基板的強度提高，支持玻璃基板及積層體變得難以破損。另外，「算術平均粗糙度Ra」能夠藉由原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)而進行測定。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於熱處理步驟後包括將支持玻璃基板的周邊部切斷去除的切斷去除步驟，進而佳為於研磨步驟後包括將支持玻璃基板的周邊部切斷去除的切 斷去除步驟。於熱處理步驟中，存在如下傾向：與支持玻璃基板的中央部相比，周邊部的翹曲量大。因此，若於熱處理步驟後將支持玻璃基板的周邊部切斷去除，則可減小支持玻璃基板的翹曲量。
較佳為於將支持玻璃基板的周邊部切斷去除時，自矩形的支持玻璃基板剪切加工為大致圓板狀或晶圓狀。如此，容易適用於半導體封裝體的製造步驟。亦可視需要加工為除此以外的形狀，例如矩形等形狀。經剪切的支持玻璃基板的正圓度(其中，除凹口部以外)較佳為1mm以下，0.1mm以下，0.05mm以下，特別是0.03mm以下。止圓度越小，越容易適用於半導體封裝體的製造步驟。另外，正圓度的定義為自晶圓的外形的最大值減去最小值所得的值。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於切斷去除步驟後包括於支持玻璃基板的外周的一部分形成凹口部(對位部)的凹口加工步驟。藉此，使定位接腳等定位構件抵接於支持玻璃基板的凹口部，容易將支持玻璃基板位置固定。結果加工基板與支持玻璃基板的對位變得容易。另外，若亦於加工基板形成凹口部而使定位構件抵接，則加工基板與支持玻璃基板的對位變得更容易。
本發明的支持玻璃基板的製造方法較佳為於切斷去除步驟後包括對支持玻璃基板的端面(包含凹口部的端面)進行倒角加工的倒角步驟。藉此，可防止自端面產生玻璃粉等。倒角加 工中，可選定使用帶有槽的磨石的倒角加工、利用氫氟酸等的酸蝕刻的倒角加工等。
本發明的支持玻璃基板的製造方法中，較佳為不對支持玻璃基板進行離子交換處理。若進行離子交換處理，則支持玻璃基板的製造成本上漲，進而難以減小支持玻璃基板的整體板厚偏差。
本發明的半導體封裝體的製造方法的特徵在於包括：積層步驟，製作至少具備加工基板及用於支持加工基板的支持玻璃基板的積層體；以及加工處理步驟，對積層體的加工基板進行加工處理，並且支持玻璃基板是藉由所述支持玻璃基板的製造方法而製作。本發明的半導體封裝體的製造方法中，由於已記載本發明的支持玻璃基板的製造方法的技術性特徵，故省略該部分的詳細記載。
本發明的半導體封裝體的製造方法中，較佳為於加工基板與支持玻璃基板之間設置接著層。接著層較佳為樹脂，且較佳為例如熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂(特別是紫外線硬化樹脂)等。而且，較佳為具有可耐受半導體封裝體的製造步驟中的熱處理的耐熱性者。藉此，於半導體封裝體的製造步驟中接著層難以熔解，可提高加工處理的精度。另外，由於容易將加工基板與支持玻璃基板固定，故亦可使用紫外線硬化型膠帶作為接著層。
進而，較佳為於加工基板與支持玻璃基板之間，更具體而言於加工基板與接著層之間設置剝離層。如此，對加工基板進 行特定的加工處理後，容易將加工基板自支持玻璃基板剝離。就生產性的觀點而言，較佳為藉由雷射光等照射光進行加工基板的剝離。作為雷射光源，可使用釔鋁石榴石(YttriumAluminumGarnet，YAG)雷射(波長1064nm)、半導體雷射(波長780nm~1300nm)等紅外光雷射光源。而且，於剝離層中可使用藉由照射紅外線雷射而分解的樹脂。而且，亦可將高效地吸收紅外線並轉換為熱的物質添加於樹脂中。例如，亦可將碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等添加於樹脂中。
剝離層包括藉由雷射光等照射光而產生「層內剝離」或「界面剝離」的材料。即包括以下材料：若照射一定強度的光，則原子或分子中的原子間或分子間的結合力消失或減少，發生剝蝕(ablation)等，從而產生剝離的材料。另外，有藉由照射光的照射，剝離層中所含有的成分成為氣體被放出而導致分離的情況、與剝離層吸收光成為氣體並放出其蒸氣而導致分離的情況。
本發明的半導體封裝體的製造方法中，較佳為使加工基板的尺寸大於支持玻璃基板的尺寸。藉此，於積層加工基板與支持玻璃基板時兩者的中心位置稍有分離的情況下，加工基板的邊緣部亦難以超出支持玻璃基板。
本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為進而包括搬送積層體的搬送步驟。藉此，可提高加工處理的處理效率。另外，「搬送步驟」與「加工處理步驟」，無須分別進行，可同時進行。
本發明的半導體封裝體的製造方法中，加工處理較佳為 對加工基板的一個表面進行配線的處理、或於加工基板的一個表面形成焊料凸塊的處理。本發明的半導體封裝體的製造方法中，於該些處理時加工基板尺寸難以變化，故可適當地進行該些步驟。
除所述以外，作為加工處理亦可為以下處理的任一個：對加工基板的一個表面(通常與支持玻璃基板為相反側的表面)以機械方式進行研磨的處理、對加工基板的一個表面(通常與支持玻璃基板為相反側的表面)進行乾式蝕刻的處理、對加工基板的一個表面(通常與支持玻璃基板為相反側的表面)進行濕式蝕刻的處理。另外，本發明的半導體封裝體的製造方法中，加工基板難以產生翹曲，且可維持積層體的剛性。結果可適當地進行所述加工處理。
一面參照圖式一面對本發明進一步說明。
圖1是表示本發明的積層體1的一例的概念立體圖。圖1中，積層體1具備支持玻璃基板10與加工基板11。為了防止加工基板11的尺寸變化，將支持玻璃基板10貼附於加工基板11。於支持玻璃基板10與加工基板11之間配置有剝離層12與接著層13。剝離層12與支持玻璃基板10接觸，接著層13與加工基板11接觸。
由圖1所知，積層體1以支持玻璃基板10、剝離層12、接著層13、加工基板11的順序積層配置。支持玻璃基板10的形狀根據加工基板11而決定，但圖1中支持玻璃基板10及加工基板11的形狀均為大致圓板狀。剝離層12例如可使用藉由照射雷 射而分解的樹脂。而且，亦可將高效地吸收雷射光並轉換為熱的物質添加於樹脂中。例如為碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等。剝離層12是藉由電漿化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、溶膠-凝膠法的旋塗等而形成。接著層13包括樹脂，例如藉由各種印刷法、噴墨法、旋塗法、輥塗法等塗佈形成。而且，亦能夠使用紫外線硬化型膠帶。接著層13藉由剝離層12將支持玻璃基板10自加工基板11剝離後，利用溶劑等加以溶解去除。紫外線硬化型膠帶於照射紫外線後，能夠藉由剝離用膠帶來去除。
圖2(a)~圖2(g)是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。圖2(a)表示在支持構件20的一個表面上形成接著層21的狀態。亦可視需要在支持構件20與接著層21之間形成剝離層。繼而，如圖2(b)所示，於接著層21上貼附多個半導體晶片22。此時，使半導體晶片22的主動側的面與接著層21接觸。繼而，如圖2(c)所示，利用樹脂的密封材23使半導體晶片22成型(密封)。密封材23使用壓縮成形後的尺寸變化、將配線成形時的尺寸變化少的材料。接著，如圖2(d)、圖2(e)所示，將半導體晶片22經成型的加工基板24自支持構件20分離後，經由接著層25而與支持玻璃基板26接著固定。此時，將加工基板24的表面內的與埋入半導體晶片22側的表面為相反側的表面配置於支持玻璃基板26側。如此，可獲得積層體27。另外，亦可視需要於接著層25與支持玻璃基板26之間形成剝離層。進而，於 搬送所獲得的積層體27後，如圖2(f)所示，於加工基板24的埋入半導體晶片22側的表面形成配線28後，形成多個焊料凸塊29。最後自支持玻璃基板26分離加工基板24後，針對每個半導體晶片22將加工基板24切斷，供於之後的封裝體步驟。而且，支持玻璃基板26於經過利用HCl等的酸處理後供於再利用(圖2(g))。
[實施例]
以下基於實施例對本發明進行說明。另外，以下的實施例僅為例示。本發明並不受以下實施例的任何限定。
表1、表2表示本發明的實施例(試樣No.1~試樣No.7、試樣No.9~試樣No.22)與比較例(試樣No.8)。
Figure 105140524-A0305-02-0022-1
[表2]
Figure 105140524-A0305-02-0023-2
以如下方式製作試樣No.1~試樣No.7。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：作為玻璃組成，以質量%計而含有65.6%的SiO2、8.0%的Al2O3、9.1%的B2O3、12.8%的Na2O、3.2%的CaO、0.9%的ZnO、0.3%的SnO2、0.1%的Sb2O3，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1550℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為0.7mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為519℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。另外，試樣No.8表示未進行所述熱處理的成形後的玻璃基板。
進而，對於熱處理後的玻璃基板，藉由阿基米德(Archimedes)法來測定密度。
根據表1明確認為：試樣No.1~試樣No.7因特定的熱處理而熱膨脹係數降低。若利用該些資料，並適宜調整熱處理條件，則能夠使成形後的玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。進而認為：試樣No.1~試樣No.7因特定的熱處理而密度上升。因而，若適宜調整熱處理條件，則亦能夠使成形後的玻璃基板的密度變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.9、試樣No.10。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：作為玻璃組成，以質量%計而含有61.7%的SiO2、18.0%的Al2O3、0.5%的B2O3、14.5%的Na2O、2.0%的K2O、3.0%的MgO、0.3%的SnO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1600℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為1.1mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為567℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇 (NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.9、試樣No.10，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.11、試樣No.12。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有56.2%的SiO2、13.0%的Al2O3、2.0%的B2O3、14.5%的Na2O、4.9%的K2O、2.0%的MgO、2.0%的CaO、4.0%的ZrO2、0.35%的SnO2、0.05%的Sb2O3、1.0%的CeO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1600℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為1.1mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為558℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇 (NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.11、試樣No.12，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.13、試樣No.14。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有60.4%的SiO2、10.7%的Al2O3、15.5%的Na2O、8.8%的K2O、1.7%的MgO、2.6%的CaO、0.3%的Sb2O3，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1400℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為1.1mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為452℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20 ℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.13、試樣No.14，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.15、試樣No.16。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有60.4%的SiO2、8.7%的Al2O3、13.6%的Na2O、12.7%的K2O、1.6%的MgO、2.5%的CaO、0.2%的Sb2O3、0.3%的SnO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1350℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為1.1mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為445℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平 均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.15、試樣No.16，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.17、試樣No.18。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有66.1%的SiO2、8.5%的Al2O3、12.4%的B2O3、8.4%的Na2O、3.3%的CaO、1.0%的ZnO、0.3%的SnO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1500℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為1.1mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為532℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.17、試樣No.18，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.19、試樣No.20。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有58.1%的SiO2、13.0%的Al2O3、0.1%的Li2O、14.5%的Na2O、5.5%的K2O、2.0%的MgO、2.0%的CaO、4.5%的ZrO2、0.3%的SnO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1500℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為0.7mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為517℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該最高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.19、試樣No.20，若適宜 調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
以如下方式製作試樣No.21、試樣No.22。首先，以如下方式將玻璃原料加以調配、混合：以質量%計而含有47.5%的SiO2、23.0%的Al2O3、13.1%的P2O5、14.7%的Na2O、1.5%的MgO、0.2%的SnO2，獲得玻璃批料後，供給至玻璃熔融爐並於1500℃下進行熔融，繼而將所獲得的熔融玻璃加以澄清、攪拌後，供給至溢流下拉法的成形裝置，以板厚成為0.7mm的方式進行成形。其後，將所獲得的玻璃基板切斷為矩形狀。另外，對於所獲得的玻璃基板，藉由美國試驗材料學會(AMERICAN SOCIETY FOR TESTING MATERIAL，ASTM)C336中記載的方法來測定應變點，結果為595℃。
繼而，準備較玻璃基板的尺寸大的熱處理用托架，於該熱處理用托架上載置成形後的玻璃基板，進而於該玻璃基板上載置耐熱基板後，將其投入至電爐中。繼而，將電爐內升溫至表中記載的最高溫度，於該設高溫度下保持表中記載的時間後，將電爐內以表中記載的降溫速度降溫。
對於熱處理後的玻璃基板，利用膨脹計(日本內奇(NETZSCH JAPAN)公司製造的DIL402C)來測定溫度範圍20℃~220℃下的平均線熱膨脹係數與溫度範圍30℃~380℃下的平均線熱膨脹係數。
根據表2明確：關於試樣No.21、試樣No.22，若適宜調整熱處理條件，則能夠使玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
根據表1、表2可知：若適宜調整熱處理條件，則能夠使具有各種玻璃組成的玻璃基板的熱膨脹係數變動為目標值。
進而，將熱處理後的各種玻璃基板(試樣No.1~試樣No.7、試樣No.9~試樣No.22：整體板厚偏差約4.0μm)沖裁為Φ300mm後，藉由研磨裝置面對玻璃基板的兩表面進行研磨處理。具體而言，利用外徑不同的一對研磨墊來夾持玻璃基板的兩表面，一面使玻璃基板與一對研磨墊一同旋轉，一面對玻璃基板的兩表面進行研磨處理。研磨處理時，有時以玻璃基板的一部分超出研磨墊的方式進行控制。另外，研磨墊為胺基甲酸酯製，將研磨處理時所使用的研磨漿料的平均粒徑設為2.5μm，將研磨速度設為15m/min。對於所獲得的各研磨完畢的玻璃基板，藉由神鋼(Kobelco)科研公司製造的Bow/Warp測定裝置SBW-331ML/d來測定整體板厚偏差與翹曲量。其結果，整體板厚偏差分別未滿1.0μm，翹曲量分別為35μm以下。

Claims (13)

  1. 一種支持玻璃基板的製造方法，其為用於支持加工基板的支持玻璃基板的製造方法，所述支持玻璃基板的製造方法的特徵在於包括：成形步驟，將支持玻璃基板成形；熱處理步驟，對成形後的所述支持玻璃基板進行熱處理而使所述支持玻璃基板的熱膨脹係數發生變動；以及切斷去除步驟，於所述熱處理步驟後將所述支持玻璃基板的周邊部去除。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中對所述成形步驟後的所述支持玻璃基板進行熱處理而使所述支持玻璃基板的熱膨脹係數降低。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中使熱處理的最高溫度高於(支持玻璃基板的應變點-100)℃。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中於到達熱處理的最高溫度後，將熱處理溫度以5℃/min以下的速度降溫。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中藉由熱處理而將所述支持玻璃基板的翹曲量減小為40μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中準備較所述支持玻璃基板的尺寸大的熱處理用 托架，於所述熱處理用托架上載置成形後的所述支持玻璃基板後，供於所述熱處理步驟。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中以板厚成為400μm以上且未滿2mm的方式將所述支持玻璃基板成形。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中藉由溢流下拉法而將所述支持玻璃基板成形。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支持玻璃基板的製造方法，其中於所述熱處理步驟後包括對所述支持玻璃基板的表面進行研磨而將整體板厚偏差減小為未滿2.0μm的研磨步驟。
  10. 一種半導體封裝體的製造方法，其特徵在於包括：積層步驟，製作至少具備加工基板及用於支持所述加工基板的支持玻璃基板的積層體；以及加工處理步驟，對所述積層體的所述加工基板進行加工處理，並且所述支持玻璃基板是藉由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的支持玻璃基板的製造方法而製作。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的半導體封裝體的製造方法，其中所述加工基板至少具備利用密封材而成型的半導體晶片。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的半導體封裝 體的製造方法，其中加工處理包括對所述加工基板的一個表面進行配線的處理。
  13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的半導體封裝體的製造方法，其中加工處理包括對所述加工基板的一個表面形成焊料凸塊的處理。
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