TWI671865B - 玻璃基板、使用其的積層體及玻璃基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的技術性課題在於創造一種適於支撐供於高密度配線的加工基板、且可準確地辨別生產資訊等的玻璃基板及使用其的積層體。本發明的玻璃基板的特徵在於：為了解決該技術性課題，整體板厚偏差未滿2.0μm，且具有包含多個點的資訊辨別部。

Description

玻璃基板、使用其的積層體及玻璃基板的製造方法
本發明是有關於一種玻璃基板及使用其的積層體，具體而言是有關於一種於半導體封裝體的製造步驟中用於支撐加工基板的玻璃基板及使用其的積層體。
對行動電話、筆記型個人電腦、個人資料助理(Personal Data Assistance，PDA)等可攜式電子設備要求小型化及輕量化。隨之該些電子設備中所使用的半導體晶片的安裝空間亦受到嚴格限制，半導體晶片的高密度的安裝成為課題。因此，近年來藉由三維安裝技術，即，將半導體晶片彼此積層，將各半導體晶片間進行配線連接，來實現半導體封裝體的高密度安裝。
並且，現有的晶圓級封裝體(Wafer Level Package，WLP)是藉由以晶圓的狀態形成凸塊後，利用切割加以單片化而製作。然而，現有的WLP中難以增加接腳數，且是以半導體晶片的背面露出的狀態安裝，故有半導體晶片容易產生缺損等問題。
因此，作為新穎的WLP，提出一種扇出(fan out)型WLP。扇出型WLP能夠增加接腳數，且藉由保護半導體晶片的端部，可防止半導體晶片的缺損等。
扇出型WLP中具有：利用樹脂的密封材使多個半導體晶片成型而形成加工基板後，對加工基板的一個表面進行配線的步驟；以及形成焊料凸塊的步驟等。
該些步驟伴有約200℃~300℃的熱處理，故有密封材變形、加工基板的尺寸發生變化之虞。若加工基板的尺寸發生變化，則難以對加工基板的一個表面進行高密度配線，且亦難以準確地形成焊料凸塊。進而，於在加工基板內半導體晶片的比例少、密封材的比例多時，該傾向變得顯著。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-312983號公報
針對所述問題，有效的是使用玻璃基板作為支撐基板。玻璃基板易使表面平滑化，且具有剛性。因而，若使用玻璃基板，則能夠提高積層體整體的剛性，容易抑制加工基板的翹曲變形，從而牢固且準確地支撐加工基板。
然而，即便於使用玻璃基板作為支撐基板時，亦存在難以對加工基板的一個表面進行高密度配線的情況。
並且，若於玻璃基板的表面形成(標記(marking))二維碼的資訊辨別部(標記(mark))，則可對玻璃基板的生產資訊等進行管理並加以識別。該資訊辨別部通常形成於玻璃基板的周 邊區域，且以文字、記號等的形式由人的眼睛等來識別。進而認為，玻璃基板的資訊辨別部亦藉由電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)相機等光學元件來自動地辨別。此時，對資訊辨別部要求於自動化步驟中亦能夠準確地辨別。
作為形成資訊辨別部的方法，例如於專利文獻1中揭示如下方法，所述方法包括：於被標記材的表面形成膜或附著物的第一步驟，以及對形成膜或附著物的部分照射雷射光線，於將膜或附著物自被標記材去除的過程中，於被標記材的表面形成凹凸的第二步驟。然而，於專利文獻1所記載的方法中，由於在玻璃基板的表面形成有凹凸，故無法高精度地支撐加工基板，難以對加工基板的一個表面進行高密度配線。
本發明鑒於所述情況而完成，其技術性課題在於創造一種適於支撐供於高密度配線的加工基板、且可準確地辨別生產資訊等的玻璃基板及使用其的積層體。
本發明者反覆進行各種實驗，結果發現藉由減少玻璃基板的整體板厚偏差，進而藉由形成特定的資訊辨別部，可解決所述技術性課題，從而提出本發明。即，本發明的玻璃基板的特徵在於：整體板厚偏差未滿2.0μm，且具有包含多個點的資訊辨別部。此處，「整體板厚偏差」為玻璃基板整體的最大板厚與最小板厚的差，例如能夠藉由神鋼(Kobelco)科研公司製造的SBW-331ML/d而進行測定。
本發明的玻璃基板的整體板厚偏差未滿2.0μm。若整體板厚偏差小至未滿2.0μm，則容易提高加工處理的精度。特別是由於可提高配線精度，故能夠進行高密度配線。並且玻璃基板的面內強度提高，玻璃基板及積層體變得難以破損。進而可增加玻璃基板的再利用次數(耐用數)。
本發明的玻璃基板具有包含多個點的資訊辨別部。如此，半導體封裝體的製造步驟中，能夠藉由CCD相機等光學元件來自動且準確地辨別玻璃基板的生產資訊等。
第二，本發明的玻璃基板較佳為點是藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成。如此，可於不對玻璃基板的整體板厚偏差造成不良影響的狀態下簡便地形成微小的點。
第三，本發明的玻璃基板較佳為點是由自內部向表層延伸的裂紋形成。如此，可於不對玻璃基板的整體板厚偏差造成不良影響的狀態下簡便地形成微小的點。
第四，本發明的玻璃基板較佳為相鄰點的中心間隔為100μm以下。如此，可於狹小的區域刻寫大量的資訊。
第五，本發明的玻璃基板較佳為點的直徑為0.5μm~10μm。如此，可於狹小的區域刻寫大量的資訊。
第六，本發明的玻璃基板較佳為於資訊辨別部輸入玻璃基板的製造公司名、玻璃基板的材質、玻璃基板的熱膨脹係數、玻璃基板的外徑、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整體板厚偏差、玻璃基板的製造年月日、玻璃基板的出貨年月日、玻璃基板的序 號(個體辨別編號)中的一種或兩種以上的資訊。
第七，本發明的玻璃基板較佳為翹曲量為60μm以下。此處，「翹曲量」是指玻璃基板整體的最高位點與最小平方焦點面之間的最大距離的絕對值、和最低位點與最小平方焦點面之間的最大距離的絕對值的合計值，例如能夠藉由神鋼(Kobelco)科研公司製造的SBW-331ML/d而進行測定。
第八，本發明的玻璃基板較佳為表面的全部或一部分為研磨面。
第九，本發明的玻璃基板較佳為藉由溢流下拉法(overflow down-draw method)而成形，即，於玻璃內部具有成形合流面。
第十，本發明的玻璃基板較佳為外形為晶圓形狀。
第十一，本發明的玻璃基板較佳為於半導體封裝體的製造步驟中用於支撐加工基板。
第十二，本發明的積層體較佳為至少具備加工基板及用於支撐加工基板的玻璃基板，且玻璃基板為所述玻璃基板。
第十三，本發明的積層體較佳為加工基板至少具備利用密封材而成型的半導體晶片。
第十四，本發明的玻璃基板的製造方法的特徵在於包括：(1)將玻璃原板切斷而獲得玻璃基板的步驟；(2)以玻璃基板的整體板厚偏差未滿2.0μm的方式對玻璃基板的表面進行研磨的步驟；以及(3)藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成自玻璃基板 的內部向表層延伸的裂紋，藉此形成包括多個點的資訊辨別部的步驟。
1、27‧‧‧積層體
10、26‧‧‧玻璃基板
11、24‧‧‧加工基板
12‧‧‧剝離層
13、21、25‧‧‧接著層
20‧‧‧支撐構件
22‧‧‧半導體晶片
23‧‧‧密封材
28‧‧‧配線
29‧‧‧焊料凸塊
圖1是表示本發明的積層體的一例的概念立體圖。
圖2(a)~圖2(g)是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。
圖3是表示[實施例1]的玻璃基板的資訊辨別部的顯微鏡照片。
本發明的玻璃基板中，整體板厚偏差較佳為未滿2μm、1.5μm以下、1μm以下、未滿1μm、0.8μm以下、0.1μm~0.9μm、特別是0.2μm~0.7μm。整體板厚偏差越小，越容易提高加工處理的精度。特別是由於可提高配線精度，故能夠進行高密度配線。且玻璃基板的強度提高，玻璃基板及積層體變得難以破損。進而可增加玻璃基板的再利用次數(耐用數)。
本發明的玻璃基板較佳為具有包含多個點的資訊辨別部，且點是藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成。作為雷射，能夠使用各種雷射，例如能夠使用釔鋁石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)雷射、半導體雷射、CO2雷射等。特別是，就形成微小的點的觀點而言，雷射較佳為使用波長300nm~400nm的半導體雷射。且，雷射輸出較佳為30mW~75mW。如此，難以產 生玻璃基板的破損、連結點之間的裂紋。
本發明的玻璃基板中，點較佳為由自內部向表層延伸的裂紋形成。裂紋深度較佳為1μm~70μm、5μm~50μm、10μm~40μm、特別是20μm~40μm。如此，難以產生玻璃基板的破損、連結點之間的裂紋。但是，若裂紋深度過大，則玻璃基板容易破損。
相鄰點的中心間隔較佳為100μm以下、60μm以下、50μm以下、40μm以下、特別是15μm~35μm。點的直徑較佳為0.5μm~10μm、特別是1μm~5μm。如此，可於狹小的區域刻寫大量的資訊。但是，若相鄰點的中心間隔過小，則裂紋容易於點之間傳播。且，若點的直徑過大，則裂紋容易於點之間傳播。
本發明的玻璃基板中，較佳為於資訊辨別部輸入生產資訊，例如，就生產管理的觀點而言，較佳為輸入玻璃基板的製造公司名、玻璃基板的材質、玻璃基板的熱膨脹係數、玻璃基板的外徑、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整體板厚偏差、玻璃基板的製造年月日、玻璃基板的出貨年月日、玻璃基板的序號中的一種或兩種以上的資訊。
翹曲量較佳為60μm以下、55μm以下、50μm以下、1μm~45μm、特別是5μm~40μm。翹曲量越小，越容易提高加工處理的精度。特別是由於可提高配線精度，故能夠進行高密度配線。進而可增加玻璃基板的再利用次數(耐用數)。
表面的算術平均粗糙度Ra較佳為10nm以下、5nm以 下、2nm以下、1nm以下、特別是0.5nm以下。表面的算術平均粗糙度Ra越小，越容易提高加工處理的精度。特別是由於可提高配線精度，故能夠進行高密度配線。且玻璃基板的強度提高，玻璃基板及積層體變得難以破損。進而可增加玻璃基板的再利用次數(支撐次數)。另外，「算術平均粗糙度Ra」能夠藉由原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)而進行測定。
本發明的玻璃基板可將表面的全部或一部分以未研磨的狀態供於使用，但較佳為表面的全部或一部分為研磨面，更佳為以面積比計而表面的50%以上為研磨面，進而佳為表面的70%以上為研磨面，特佳為表面的90%以上為研磨面。如此，容易減小整體板厚偏差，且亦容易地減小翹曲量。
研磨處理的方法可採用各種方法，但較佳為如下方法：以一對研磨墊夾持玻璃基板的兩表面，一面使玻璃基板與一對研磨墊一同旋轉，一面對玻璃基板進行研磨處理。進而，一對研磨墊較佳為外徑不同，且較佳為在研磨時以玻璃基板的一部分間歇性地超出研磨墊的方式進行研磨處理。藉此，容易減小整體板厚偏差，且亦容易減小翹曲量。另外，研磨處理中，研磨深度並無特別限定，研磨深度較佳為50μm以下、30μm以下、20μm以下、特別是10μm以下。研磨深度越小，玻璃基板的生產性越提高。
本發明的玻璃基板較佳為晶圓狀(大致正圓狀)，其直徑較佳為100mm以上、500mm以下，特別是150mm以上、450mm以下。如此，容易適用於半導體封裝體的製造步驟。亦可視需 要加工成其他形狀，例如矩形等形狀。
本發明的玻璃基板中，板厚較佳為未滿2.0mm、1.5mm以下、1.2mm以下、1.1mm以下、1.0mm以下、特別是0.9mm以下。板厚越薄，積層體的質量越變輕，故操作性提高。另一方面，若板厚過薄，則玻璃基板本身的強度降低，變得難以發揮作為支撐基板的性能。因而，板厚較佳為0.1mm以上、0.2mm以上、0.3mm以上、0.4mm以上、0.5mm以上、0.6mm以上、特別是超過0.7mm。
本發明的玻璃基板較佳為具有以下特性。
本發明的玻璃基板中，30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數較佳為0×10-7/℃以上且165×10-7/℃以下。藉此，容易將加工基板與玻璃基板的熱膨脹係數相匹配。而且，若兩者的熱膨脹係數相匹配，則於加工處理時容易抑制加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)。結果能夠對加工基板的一個表面進行高密度配線，且亦能夠準確地形成焊料凸塊。另外，「30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數」能夠利用膨脹計(dilatometer)而進行測定。
關於30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數，於在加工基板內半導體晶片的比例少、密封材的比例多時，較佳為使其上升，相反，於在加工基板內半導體晶片的比例多、密封材的比例少時，較佳為使其降低。
於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數設為 0×10-7/℃以上且未滿50×10-7/℃時，玻璃基板較佳為：作為玻璃組成，以質量%計而含有55%~75%的SiO2、15%~30%的Al2O3、0.1%~6%的Li2O、0%~8%的Na2O+K2O、0%~10%的MgO+CaO+SrO+BaO，或者亦較佳為含有55%~75%的SiO2、10%~30%的Al2O3、0%~0.3%的Li2O+Na2O+K2O、5%~20%的MgO+CaO+SrO+BaO。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數設為50×10-7/℃以上且未滿75×10-7/℃時，玻璃基板較佳為：作為玻璃組成，以質量%計而含有55%~70%的SiO2、3%~15%的Al2O3、5%~20%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、5%~15%的Na2O、0%~10%的K2O。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數設為75×10-7/℃以上且85×10-7/℃以下時，玻璃基板較佳為：作為玻璃組成，以質量%計而含有60%~75%的SiO2、5%~15%的Al2O3、5%~20%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、7%~16%的Na2O、0%~8%的K2O。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數設為超過85×10-7/℃且120×10-7/℃以下時，玻璃基板較佳為：作為玻璃組成，以質量%計而含有55%~70%的SiO2、3%~13%的Al2O3、2%~8%的B2O3、0%~5%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、10%~21%的Na2O、0%~5%的K2O。於將30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數設為超過120×10-7/℃且165×10-7/℃以下時，玻璃 基板較佳為：作為玻璃組成，以質量%計而含有53%~65%的SiO2、3%~13%的Al2O3、0%~5%的B2O3、0.1%~6%的MgO、0%~10%的CaO、0%~5%的SrO、0%~5%的BaO、0%~5%的ZnO、20%~40%的Na2O+K2O、12%~21%的Na2O、7%~21%的K2O。如此，容易將熱膨脹係數控制在所期望的範圍，且耐失透性提高，故容易形成整體板厚偏差小的玻璃基板。
楊氏模量較佳為65GPa以上、67GPa以上、68GPa以上、69GPa以上、70GPa以上、71GPa以上、72GPa以上、特別是73GPa以上。若楊氏模量過低，則難以維持積層體的剛性，且容易產生加工基板的變形、翹曲、破損。
液相溫度較佳為未滿1150℃、1120℃以下、1100℃以下、1080℃以下、1050℃以下、1010℃以下、980℃以下、960℃以下、950℃以下、特別是940℃以下。如此，容易利用下拉法、特別是溢流下拉法將玻璃原板成形，故容易製作板厚小的玻璃基板，且可減小成形後的板厚偏差。進而，於玻璃基板的製造步驟時，容易防止產生失透結晶，玻璃基板的生產性下降的事態。此處，「液相溫度」能夠藉由將通過標準篩30目(500μm)而殘留於50目(300μm)的玻璃粉末裝入鉑舟後，於溫度梯度爐中保持24小時，並測定結晶析出的溫度而算出。
液相黏度較佳為104.6dPa．s以上、105.0dPa．s以上、105.2dPa．s以上、105.4dPa．s以上、105.6dPa．s以上、特別是105.8dPa．s以上。如此，容易利用下拉法、特別是溢流下拉法將玻璃原板成 形，故容易製作板厚小的玻璃基板，且可減小成形後的板厚偏差。進而，於玻璃基板的製造步驟時，容易防止產生失透結晶，玻璃基板的生產性下降的事態。此處，「液相黏度」能夠利用鉑球提拉法測定。另外，液相黏度為成形性的指標，液相黏度越高，成形性越提高。
102.5dPa．s下的溫度較佳為1580℃以下、1500℃以下、1450℃以下、1400℃以下、1350℃以下、特別是1200℃~1300℃。若102.5dPa．s下的溫度變高，則熔融性下降，玻璃基板的製造成本上漲。此處，「102.5dPa．s下的溫度」能夠利用鉑球提拉法測定。另外，102.5dPa．s下的溫度相當於熔融溫度，該溫度越低，熔融性越提高。
本發明的玻璃基板較佳為利用下拉法、特別是溢流下拉法進行成形。溢流下拉法為使熔融玻璃自耐熱性的槽狀結構物的兩側溢出，一面使溢出的熔融玻璃於槽狀結構物的下頂端匯合，一面向下方延伸成形而製造玻璃原板的方法。溢流下拉法中，應成為玻璃基板的表面的面不與槽狀耐火物接觸，而是以自由表面的狀態成形。因此容易製作板厚小的玻璃基板，且即便不對表面進行研磨，亦可減小板厚偏差。或者，藉由少量的研磨，可將整體板厚偏差減小至未滿2.0μm，特別是未滿1.0μm。結果可使玻璃基板的製造成本低廉化。
玻璃基板的成形方法除溢流下拉法以外，亦可選定例如流孔下引法(slot down draw method)、再拉法、浮式法等。
本發明的玻璃基板較佳為在藉由溢流下拉法成形後對表面進行研磨。如此，容易將板厚偏差控制在2μm以下、1μm以下、特別是未滿1μm。
本發明的玻璃基板較佳為不進行離子交換處理，且較佳為在表面不具有壓縮應力層。若進行離子交換處理，則玻璃基板的製造成本上漲。進而，若進行離子交換處理，則難以減小玻璃基板的整體板厚偏差。另外，本發明的玻璃基板並不排除進行離子交換處理並在表面形成壓縮應力層的態樣。若自提高機械性強度的觀點來說，較佳為進行離子交換處理並在表面形成壓縮應力層。
本發明的玻璃基板的較佳的製造方法的特徵在於包括：(1)將玻璃原板切斷而獲得玻璃基板的步驟；(2)以玻璃基板的整體板厚偏差未滿2.0μm的方式對玻璃基板的表面進行研磨的步驟；以及(3)藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成自玻璃基板的內部向表層延伸的裂紋，藉此形成包括多個點的資訊辨別部的步驟。此處，本發明的玻璃基板的製造方法的技術性特徵(較佳構成、效果)與本發明的玻璃基板的技術性特徵重複。因而，本說明書中對於該重複部分省略詳細記載。
所述玻璃基板的製造方法包括將玻璃原板切斷而獲得玻璃基板的步驟。將玻璃原板切斷的方法可選定各種方法。例如能夠利用：藉由雷射照射時的熱衝擊而切斷的方法、劃線後進行折斷分割的方法。
所述玻璃基板的製造方法較佳為包括將玻璃原板切斷而獲得玻璃基板後對玻璃基板進行退火的步驟。就減小玻璃基板的翹曲量的觀點而言，退火溫度較佳為設為玻璃基板的軟化點以上，退火溫度下的保持時間較佳為設為30分鐘以上。另外，退火可藉由電爐等熱處理爐來進行。
所述玻璃基板的製造方法包括以玻璃基板的整體板厚偏差未滿2.0μm的方式對玻璃基板的表面進行研磨的步驟，但該步驟的較佳態樣如上所述。
所述玻璃基板的製造方法包括藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成自玻璃基板的內部向表層延伸的裂紋，藉此形成包括多個點的資訊辨別部的步驟，但該步驟的較佳態樣如上所述。
本發明的積層體至少具備加工基板及用於支撐加工基板的玻璃基板，其特徵在於：玻璃基板為所述玻璃基板。此處，本發明的積層體的技術性特徵(較佳構成、效果)與本發明的玻璃基板的技術性特徵重複。因而，本說明書中對於該重複部分省略詳細記載。
本發明的積層體較佳為於加工基板與玻璃基板之間具有接著層。接著層較佳為樹脂，且較佳為例如熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂(特別是紫外線硬化樹脂)等。並且較佳為具有可耐受半導體封裝體的製造步驟中的熱處理的耐熱性。藉此半導體封裝體的製造步驟中接著層難以熔解，可提高加工處理的精度。另外，為了容易地將加工基板與玻璃基板固定，亦可使用紫外線硬 化型膠帶作為接著層。
本發明的積層體較佳為進而於加工基板與玻璃基板之間，更具體而言於加工基板與接著層之間具有剝離層。如此，對加工基板進行特定的加工處理後，容易將加工基板自玻璃基板剝離。就生產性的觀點而言，較佳為藉由雷射光等照射光進行加工基板的剝離。作為雷射光源，可使用YAG雷射(波長1064nm)、半導體雷射(波長780nm~1300nm)等紅外光雷射光源。並且，於剝離層中可使用藉由照射紅外線雷射而分解的樹脂。並且，亦可向樹脂中添加高效地吸收紅外線並轉換成熱的物質。例如，亦可向樹脂中添加碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等。
剝離層包括藉由雷射光等照射光而產生「層內剝離」或「界面剝離」的材料。即包括以下材料：若照射一定強度的光，則原子或分子中的原子間或分子間的結合力消失或減少，發生剝蝕(ablation)等，從而產生剝離的材料。另外，有藉由照射光的照射，剝離層中所含有的成分成為氣體被放出而導致分離的情況、與剝離層吸收光成為氣體並放出其蒸氣而導致分離的情況。
本發明的積層體中，玻璃基板較佳為比加工基板大。藉此於支撐加工基板與玻璃基板時兩者的中心位置稍有分離的情況下，加工基板的邊緣部亦難以超出玻璃基板。
使用本發明的玻璃基板的半導體封裝體的製造方法包括：準備至少具備加工基板及用於支撐加工基板的玻璃基板的積層體的步驟。至少具備加工基板及用於支撐加工基板的玻璃基板 的積層體具有所述材料構成。另外，作為玻璃基板的成形方法，可選定所述成形方法。
所述半導體封裝體的製造方法較佳為進而包括搬送積層體的步驟。藉此，可提高加工處理的處理效率。另外，「搬送積層體的步驟」與「對加工基板進行加工處理的步驟」，無須分別進行，可同時進行。
所述半導體封裝體的製造方法中，加工處理較佳為對加工基板的一個表面進行配線的處理、或於加工基板的一個表面形成焊料凸塊的處理。所述半導體封裝體的製造方法中，於該些處理時，加工基板的尺寸難以變化，故可適當地進行該些步驟。
除所述以外，作為加工處理亦可為以下處理的任一個：對加工基板的一個表面(通常與玻璃基板為相反側的表面)以機械方式進行研磨的處理、對加工基板的一個表面(通常與玻璃基板為相反側的表面)進行乾式蝕刻的處理、對加工基板的一個表面(通常與玻璃基板為相反側的表面)進行濕式蝕刻的處理。另外，本發明的半導體封裝體的製造方法中，加工基板難以產生翹曲，且可維持積層體的剛性。結果可適當地進行所述加工處理。
一面參照圖式一面對本發明進一步說明。
圖1為表示本發明的積層體1的一例的概念立體圖。圖1中，積層體1具備玻璃基板10與加工基板11。為了防止加工基板11的尺寸變化，特別是翹曲變形，將玻璃基板10貼附於加工基板11。於玻璃基板10與加工基板11之間配置有剝離層12與接 著層13。剝離層12與玻璃基板10接觸，接著層13與加工基板11接觸。
由圖1所知，積層體1以玻璃基板10、剝離層12、接著層13、加工基板11的順序積層配置。玻璃基板10的形狀根據加工基板11而決定，但圖1中玻璃基板10及加工基板11的形狀均為大致圓板形狀。剝離層12例如可使用藉由照射雷射而分解的樹脂。並且，亦可向樹脂中添加高效地吸收雷射光並轉換成熱的物質。例如為碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等。剝離層12藉由電漿化學氣相沈積法(Chemical vapor deposition，CVD)、溶膠-凝膠法的旋塗等而形成。接著層13包括樹脂，例如藉由各種印刷法、噴墨法、旋塗法、輥塗法等塗佈形成。並且，亦能夠使用紫外線硬化型膠帶。接著層13藉由剝離層12將玻璃基板10自加工基板11剝離後，利用溶劑等加以溶解去除。紫外線硬化型膠帶於照射紫外線後，能夠藉由剝離用膠帶來去除。
圖2(a)~圖2(g)是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。圖2(a)表示在支撐構件20的一個表面上形成接著層21的狀態。亦可視需要在支撐構件20與接著層21之間形成剝離層。繼而，如圖2(b)所示，於接著層21之上貼附多個半導體晶片22。此時，使半導體晶片22的主動側的面與接著層21接觸。繼而，如圖2(c)所示，利用樹脂的密封材23使半導體晶片22成型。密封材23使用壓縮成形後的尺寸變化、將配線成形時的尺寸變化少的材料。接著，如圖2(d)、圖2(e)所示，將半導體 晶片22經成型的加工基板24自支撐構件20分離後，經由接著層25而與玻璃基板26接著固定。此時，將加工基板24的表面內的與埋入半導體晶片22側的表面為相反側的表面配置於玻璃基板26側。如此可獲得積層體27。另外，亦可視需要於接著層25與玻璃基板26之間形成剝離層。進而搬送所獲得的積層體27後，如圖2(f)所示，於加工基板24的埋入半導體晶片22側的表面形成配線28後，形成多個焊料凸塊29。最後自玻璃基板26分離加工基板24後，針對每個半導體晶片22將加工基板24切斷，供於之後的封裝步驟(圖2(g))。
[實施例1]
以下基於實施例對本發明加以說明。另外，以下的實施例僅為例示。本發明並不受以下實施例的任何限定。
以如下方式，即作為玻璃組成，以質量%計成為65.2%的SiO2、8%的Al2O3、10.5%的B2O3、11.5%的Na2O、3.4%的CaO、1%的ZnO、0.3%的SnO2、0.1%的Sb2O3的方式調配玻璃原料後，投入至玻璃熔融爐並於1500℃~1600℃下進行熔融，繼而將熔融玻璃供給至溢流下拉成形裝置，以板厚成為0.7mm的方式進行成形。
繼而，將所獲得的玻璃原板沖裁成晶圓形狀，獲得玻璃基板，並且利用研磨裝置對該玻璃基板的表面進行研磨處理，藉此減小玻璃基板的整體板厚偏差。具體而言，以外徑不同的一對研磨墊夾持玻璃基板的兩表面，一面使玻璃基板與一對研磨墊一 同旋轉，一面對玻璃基板的兩表面進行研磨處理。研磨處理時，有時以玻璃基板的一部分超出研磨墊的方式進行控制。另外，研磨墊為胺基甲酸酯製，研磨處理時所使用的研磨漿料的平均粒徑為2.5μm，研磨速度為15m/min。
接著，對玻璃基板的深度30μm的地點照射波長349μm的半導體雷射(雷射輸出：50mW，脈衝寬度：數ns)，藉由熱衝擊來將包含多個點的資訊辨別部形成於玻璃基板的表面。此處，將點的中心間隔設為25μm，將點的直徑設為3μm，點由自內部延伸至表層的裂紋構成。圖3是表示該資訊辨別部的顯微鏡照片，照片內的黑點為點。另外，該資訊辨別部能夠藉由CCD相機等光學元件來辨別，且未確認到連結點之間的裂紋的產生。
最後，關於所獲得的玻璃基板，對整體板厚偏差與翹曲量進行測定，結果整體板厚偏差為0.55μm，翹曲量為30μm。
[實施例2]
首先，以成為表1所記載的試樣No.1~試樣No.7的玻璃組成的方式調配玻璃原料後，投入至玻璃熔融爐並於1500℃~1600℃下進行熔融，繼而將熔融玻璃供給至溢流下拉成形裝置中，以板厚成為0.8mm的方式分別成形。繼而，利用與[實施例1]相同的條件，將玻璃原板沖裁成晶圓形狀後，利用研磨裝置對所獲得的玻璃基板的表面進行研磨處理，藉此減小玻璃基板的整體板厚偏差，進而藉由半導體雷射來將資訊辨別部形成於玻璃基板。關於所獲得的各玻璃基板，評價30℃~380℃的溫度範圍下的 平均熱膨脹係數α30~380、密度ρ、應變點Ps、退火點Ta、軟化點Ts、高溫黏度104.0dPa．s下的溫度、高溫黏度103.0dPa．s下的溫度、高溫黏度102.5dPa．s下的溫度、高溫黏度102.0dPa．s下的溫度、液相溫度TL及楊氏模量E。另外，關於切斷後的各玻璃基板，對整體板厚偏差與翹曲量進行測定，結果整體板厚偏差分別為3μm，翹曲量分別為70μm，但關於形成資訊辨別部後的各玻璃基板，對整體板厚偏差與翹曲量進行測定，結果整體板厚偏差分別為0.45μm，翹曲量分別為35μm。
30℃~380℃的溫度範圍下的平均熱膨脹係數α30~380為利用膨脹計進行測定而得的值。
密度ρ為藉由周知的阿基米德(Archimedes)法進行測定而得的值。
應變點Ps、退火點Ta、軟化點Ts為基於ASTM C336的方法進行測定而得的值。
高溫黏度104.0dPa．s、高溫黏度103.0dPa．s、高溫黏度102.5dPa．s下的溫度為藉由鉑球提拉法進行測定而得的值。
液相溫度TL為將通過標準篩30目(500μm)而殘留於50目(300μm)的玻璃粉末裝入鉑舟，於溫度梯度爐中保持24小時後，藉由顯微鏡觀察而對結晶析出的溫度進行測定而得的值。
楊氏模量E是指藉由共振法進行測定而得的值。

Claims (12)

  1. 一種玻璃基板，其特徵在於：整體板厚偏差未滿2.0μm，且具有包含多個點的資訊辨別部，所述點是藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成，且所述點是由自內部向表層延伸的深度為5μm~70μm的裂紋形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板，其中相鄰點的中心間隔為100μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其中所述點的直徑為0.5μm~10μm。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其中於所述資訊辨別部輸入玻璃基板的製造公司名、玻璃基板的材質、玻璃基板的熱膨脹係數、玻璃基板的外徑、玻璃基板的板厚、玻璃基板的整體板厚偏差、玻璃基板的製造年月日、玻璃基板的出貨年月日、玻璃基板的序號中的一種或兩種以上的資訊。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其翹曲量為60μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其中表面的全部或一部分為研磨面。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其於玻璃內部具有成形合流面。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其中外形為晶圓形狀。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板，其於半導體封裝體的製造步驟中用於支撐加工基板。
  10. 一種積層體，其至少具備加工基板及用於支撐所述加工基板的玻璃基板，所述積層體的特徵在於：所述玻璃基板為如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的玻璃基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的積層體，其中所述加工基板至少具備利用密封材而成型的半導體晶片。
  12. 一種玻璃基板的製造方法，其特徵在於包括：(1)將玻璃原板切斷而獲得玻璃基板的步驟；(2)以所述玻璃基板的整體板厚偏差未滿2.0μm的方式對所述玻璃基板的表面進行研磨的步驟；以及(3)藉由利用雷射照射的熱衝擊來形成自所述玻璃基板的內部向表層延伸的深度為5μm~70μm的裂紋，藉此形成包括多個點的資訊辨別部的步驟。
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