JP2016155736A - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、「板厚方向、波長300nmにおける紫外線透過率」は、例えば、ダブルビーム型分光光度計を用いて、波長300nmの分光透過率を測定することで評価可能である。
10、26 支持ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
Claims (17)
- 20〜200℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が110×10−7/℃超であり、且つ160×10−7/℃以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
- 30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が115×10−7/℃超であり、且つ165×10−7/℃以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
- 半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持ガラス基板。
- ガラス内部に合わせ面を有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ヤング率が65GPa以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 50〜70%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜15%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜7%、BaO 0〜7%、ZnO 0〜7%、Na2O 10〜30%、K2O 2〜25%を含有することを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 53〜65%、Al2O3 3〜13%、B2O3 0〜10%、MgO 0〜6%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O+K2O 20〜40%、Na2O 12〜21%、K2O 5〜21%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であり、板厚偏差が30μm以下であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項1〜8の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
- 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項9に記載の積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項1〜8の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 請求項11〜13の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする半導体パッケージ。
- 半導体パッケージを備える電子機器であって、
半導体パッケージが、請求項14に記載の半導体パッケージであることを特徴とする電子機器。 - ガラス組成として、質量%で、SiO2 50〜70%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜15%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜7%、BaO 0〜7%、ZnO 0〜7%、Na2O 10〜30%、K2O 2〜25%を含有し、
20〜200℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が110×10−7/℃超であり、且つ160×10−7/℃以下であることを特徴とするガラス基板。 - ガラス組成として、質量%で、SiO2 50〜70%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜15%、MgO 0〜10%、CaO 0〜10%、SrO 0〜7%、BaO 0〜7%、ZnO 0〜7%、Na2O 10〜30%、K2O 2〜25%を含有し、
30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が115×10−7/℃超であり、且つ165×10−7/℃以下であることを特徴とするガラス基板。
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