TW201338973A - 電子裝置之製造方法、及玻璃積層體之製造方法 - Google Patents

電子裝置之製造方法、及玻璃積層體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201338973A
TW201338973A TW102101529A TW102101529A TW201338973A TW 201338973 A TW201338973 A TW 201338973A TW 102101529 A TW102101529 A TW 102101529A TW 102101529 A TW102101529 A TW 102101529A TW 201338973 A TW201338973 A TW 201338973A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin layer
glass substrate
glass
substrate
electronic device
Prior art date
Application number
TW102101529A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI580566B (zh
Inventor
Daisuke Uchida
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of TW201338973A publication Critical patent/TW201338973A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI580566B publication Critical patent/TWI580566B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10798—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing silicone
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種附電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法，其即便於形成電子裝置用構件時、及將形成有電子裝置用構件之玻璃基板剝離後，玻璃基板表面之平坦性亦優異，其結果，可抑制電子裝置用構件之生產良率之降低。本發明係關於一種電子裝置之製造方法，其包括以下步驟：積層步驟，係將附樹脂層之支持基板與玻璃基板密接積層而獲得玻璃積層體；研磨步驟，係研磨玻璃基板之第2主面；構件形成步驟，係於經研磨之第2主面上形成電子裝置用構件；及分離步驟，係分離積層有電子裝置用構件之玻璃基板與附樹脂層之支持基板而獲得包含玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置；並且樹脂層之露出表面上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.1 μm以下。

Description

電子裝置之製造方法、及玻璃積層體之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法及玻璃積層體之製造方法。
近年來，太陽電池(PV，photovoltaic，光伏)、液晶面板(LCD，Liquid Crystal Display)、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)面板(OLED，Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)等裝置(電子機器)之薄型化、輕量化不斷進展，且該等裝置所使用之玻璃基板之薄板化不斷進展。若因薄板化導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性降低。
因此，自先前以來，廣泛採用於比最終厚度厚之玻璃基板上形成裝置用構件(例如薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理將玻璃基板薄板化的方法。然而，該方法中，例如於將1片玻璃基板之厚度自0.7 mm薄板化至0.2 mm或0.1 mm之情形時，由於藉由蝕刻液蝕去原來之玻璃基板之材料之大部分，故就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又，上述利用化學蝕刻之玻璃基板之薄板化方法中，有於玻璃基板表面存在細微之損傷之情況，並有因蝕刻處理而以損傷為起點形成細微之凹陷(蝕孔)而成為光學缺陷之情況。
最近，為了應對上述課題，提出準備積層有薄板玻璃基板與加強板之積層體，於積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置後，將加強 板自薄板玻璃基板分離之方法(例如參照專利文獻1)。加強板具有支持基板與固定於該支持基板上之樹脂層，樹脂層與薄板玻璃基板以可剝離之方式密接。積層體之樹脂層與薄板玻璃基板之界面剝離而自薄板玻璃基板分離的加強板可與新的薄板玻璃基板積層而以積層體之形式再利用。
另一方面，已知如專利文獻2之段落[0084]所述，若玻璃之表面存在大於0.100 μm之起伏，則難以進行形成於其表面之電路電極等之準確之圖案化，其結果，電路電極斷線、短路之機率上升，液晶顯示器等電子裝置之良率降低，並且難以保證其可靠性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第07/018028號說明書
[專利文獻2]日本專利特開第2009-13049號公報
本發明者等人對專利文獻1所記載之發明進行研究，結果發現於積層體之薄板玻璃基板上將顯示構件等電子裝置用構件形成為特定之圖案狀時，存在該圖案產生偏移、顯示面板之生產良率降低之情況。
對其原因進行研究，結果如專利文獻2所記載，積層之薄板玻璃表面之起伏之類之表面凹凸成為如上所述生產良率降低之原因。
因此，本發明者等人研磨專利文獻1所記載之積層體中之薄板玻璃基板之表面而製成平坦面，於其上進行電子裝置用構件等之形成。然而，若將形成有電子裝置用構件之薄板玻璃基板自積層體剝離，則剝離後之形成有電子裝置用構件之薄板玻璃基板之表面再次產生起伏。如上所述，此種表面之起伏會成為生產性之良率降低之原因。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種電子裝 置之製造方法，其即便於形成電子裝置用構件時、及將形成有電子裝置用構件之玻璃基板剝離後，玻璃基板表面之平坦性亦優異，其結果，可抑制電子裝置之生產良率之降低。又，本發明之目的亦在於提供一種用於該電子裝置之製造之玻璃積層體之製造方法。
本發明者對先前技術之問題進行研究，結果發現積層有玻璃基板之樹脂層表面之表面起伏與上述課題相關。基於該見解而進行銳意研究，結果發現藉由以下之構成可解決上述課題，從而完成本發明。
即，為了達成上述目的，本發明之第1態樣係一種電子裝置之製造方法，其包括下述步驟：積層步驟，係以具有支持基板與固定於支持基板單面之樹脂層且該樹脂層之露出表面顯示易剝離性的附樹脂層之支持基板之該樹脂層之露出表面、及具有第1主面及第2主面之板厚0.3 mm以下的玻璃基板之該第1主面作為積層面，將該附樹脂層之支持基板與玻璃基板密接積層而獲得玻璃積層體；研磨步驟，係研磨該玻璃積層體中之該玻璃基板之第2主面；構件形成步驟，係於該玻璃基板之經研磨之該第2主面上形成電子裝置用構件；及分離步驟，係將積層有該電子裝置用構件之該玻璃基板與該附樹脂層之支持基板分離，獲得包含該玻璃基板與該電子裝置用構件之電子裝置；並且該樹脂層之露出表面上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。
於第1態樣中，較佳為樹脂層之樹脂為矽酮樹脂。
於第1態樣中，較佳為矽酮樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
於第1態樣中，較佳為研磨為化學機械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)。
於第1態樣中，較佳為玻璃基板包含以氧化物基準之質量百分率 表示，含有下述成分之無鹼玻璃：SiO2：50~66%、Al2O3：10.5~24%、B2O3：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%、及ZrO2：0~5%。
於第1態樣中，較佳為玻璃基板包含以氧化物基準之質量百分率表示，含有下述成分之無鹼玻璃：SiO2：58~66%、Al2O3：15~22%、B2O3：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、及MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%。
本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，上述玻璃積層體包含經研磨之玻璃基板，上述方法包括以下步驟：積層步驟，係以具有支持基板與固定於支持基板單面之樹脂層且該樹脂層之露出表面表現出易剝離性的附樹脂層之支持基板之該樹脂層之露出表面、及具有第1主面及第2主面之板厚0.3 mm以下的玻璃基板之該第1主面作為積層面，將該附樹脂層之支持基板與玻璃基板密接積層而獲得玻璃積 層體；及研磨步驟，係研磨該玻璃積層體中之該玻璃基板之第2主面；並且該樹脂層表面之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。
於第2態樣中，較佳為樹脂層之樹脂為矽酮樹脂。
於第2態樣中，較佳為矽酮樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
於第2態樣中，較佳為研磨為化學機械研磨(CMP)。
藉由本發明，可提供一種電子裝置之製造方法，其即便於形成電子裝置用構件時、及將形成有電子裝置用構件之玻璃基板剝離後，玻璃基板表面之平坦性亦優異，其結果，可抑制電子裝置之生產良率之降低。又，本發明亦可提供一種用於該電子裝置之製造之玻璃積層體之製造方法。
10、100‧‧‧玻璃積層體
12、112‧‧‧支持基板
14、114‧‧‧樹脂層
14a‧‧‧樹脂層表面
16、116‧‧‧玻璃基板
16a、116a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b、116b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附樹脂層之支持基板
20‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
22‧‧‧電子裝置用構件
24‧‧‧電子裝置
圖1係本發明之電子裝置之製造方法之步驟圖。
圖2係本發明之玻璃積層體之一實施形態之模式剖面圖。
圖3係本發明之附電子裝置用構件之積層體之一實施形態之模式剖面圖。
圖4(a)~圖4(c)係使用先前技術之玻璃積層體之研磨步驟及分離步驟之模式剖面圖。
以下參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不受以下實施形態限制，可不脫離本發明之範圍而對以下之實施形態施加各種變形及置換。
再者，於本發明中，以下將支持基板之層與樹脂層之界面之剝離強度高於樹脂層與玻璃基板之層之界面之剝離強度的情況稱為樹脂 層與玻璃基板以可剝離之方式密接，支持基板與樹脂層係固定。
本發明者等人發現，作為先前技術(專利文獻1之發明)所使用之積層體中之玻璃基板之表面存在起伏之原因，可列舉玻璃基板本身之表面之起伏以及與玻璃基板相接之樹脂層表面之起伏，尤其是後者之因素較大。因此，首先，利用圖4對樹脂層表面之起伏與先前技術之問題之相關性進行說明。
如圖4(a)所示，先前之玻璃積層體100中，於支持基板112上之樹脂層114表面存在起伏之類之表面凹凸之情形時，由於與該表面相接而配置之玻璃基板116之板厚較薄，故而玻璃基板116以追隨樹脂層114表面之表面起伏之形式變形(參照圖4(a))。其後，藉由實施研磨步驟，玻璃基板116之露出之第1主面116a暫時平坦化。然而，若將玻璃基板116與樹脂層114剝離，則玻璃基板116之原本平坦之第2主面116b之恢復至平坦之力發揮作用而平坦化，但另一方面，應力施加於研磨步驟時平坦之第1主面116a而再次出現表面起伏。即，樹脂層114之表面起伏轉印至玻璃基板之表面。此種玻璃基板116剝離後之表面起伏之產生於在玻璃基板116之第1主面116a上形成電子裝置用構件後亦會產生。因此，若僅設置研磨步驟則無法獲得所需之效果。
因此，本發明者等人發現，藉由將樹脂層表面之起伏設於特定值以下，並且設置研磨步驟，可解決上述課題。藉由減小樹脂層表面之起伏，可減小積層於其上之玻璃基板之變形，且即便於下述分離步驟後，亦可抑制樹脂層表面之起伏轉印至玻璃基板之表面。進而，藉由研磨步驟，可去除玻璃基板本身之表面起伏或表面之微小瑕疵。尤其是若樹脂層之露出表面上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下，則積層於其上之玻璃基板之表面起伏亦成為其以下，可達成上述專利文獻2所述之電子裝置之良率之降低之抑制或可靠性之確保。
以下對電子裝置及積層體之製造方法以各步驟順序進行說明。
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態中之製造步驟的流程圖。如圖1所示，電子裝置之製造方法包括積層步驟(S102)、研磨步驟(S104)、構件形成步驟(S106)及分離步驟(S108)。
以下對各步驟所使用之材料及其程序進行詳細敍述。首先，對積層步驟(S102)進行詳細敍述。
[積層步驟]
積層步驟S102係以附樹脂層之支持基板之樹脂層之露出表面與具有第1主面及第2主面之特定之板厚的玻璃基板之第1主面作為積層面，將附樹脂層之支持基板之樹脂層與玻璃基板密接積層，獲得玻璃積層體的步驟。藉由實施該步驟S102，可獲得下述研磨步驟S104及構件形成步驟S106所使用之玻璃積層體。
圖2係本發明之玻璃積層體之一例之模式剖面圖。
如圖2所示，玻璃積層體10係支持基板12之層、玻璃基板16之層、及存在於該等間之樹脂層14之積層體。樹脂層14之一面固定於支持基板12之層上，其另一面與玻璃基板16之第1主面16a相接，樹脂層14與玻璃基板16之界面係以可剝離之方式密接。換言之，樹脂層14對玻璃基板16之第1主面16a具備易剝離性。
包含支持基板12之層及樹脂層14之兩層部分於製造液晶面板等電子裝置用構件之構件形成步驟S106中加強玻璃基板16。再者，將玻璃積層體10之包含支持基板12之層及樹脂層14之兩層部分自玻璃積層體10獨立者稱為附樹脂層之支持基板18。於附樹脂層之支持基板18中，樹脂層14係固定於支持基板12上。
該玻璃積層體10使用至構件形成步驟S106為止。即，該玻璃積層體10係使用至於該玻璃基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。其後，附樹脂層之支持基板18之層於其與 玻璃基板16之層之界面被剝離，附樹脂層之支持基板18之層不成為構成電子裝置之部分。經分離之附樹脂層之支持基板18可與新的玻璃基板16積層而作為玻璃積層體10再利用。
以下首先對構成玻璃積層體之各層(支持基板、樹脂層、玻璃基板)進行詳細敍述，其後對該步驟S102之程序進行詳細敍述。
(支持基板)
支持基板12與樹脂層14協動，支持玻璃基板16而將其增強，於下述構件形成步驟S106(電子裝置用構件之製造步驟)中電子裝置用構件之製造時防止玻璃基板16之變形、損傷、破損等。又，於使用厚度比先前薄之玻璃基板之情形時，藉由製成與先前之玻璃基板相同厚度之玻璃積層體10，可於構件形成步驟S106中使用適合先前厚度之玻璃基板之製造技術或製造設備，此亦為使用支持基板12之目的之一。
作為支持基板12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板、陶瓷板、金屬板等。於構件形成步驟S106伴有熱處理之情形時，支持基板12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成，支持基板12較佳為玻璃板。支持基板12尤佳為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基板12之積層有下述樹脂層14之表面之表面起伏較佳為以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。此處，「表面起伏」係使用公知之觸針式之表面形狀測定裝置，測定JIS B-0610(1987)所記載之WCA(濾波中心線起伏)而得之值。再者，於本發明中，將濾波起伏曲線之截斷值設為0.8 mm，將測定長度設為40 mm。若表面起伏為上述範圍內，則下述樹脂層14之與玻璃基板16接觸之表面(易剝離性表面)14a之表面起伏變小，結果即便於下述分離步驟S108後，形成有電子裝置用構件之玻璃基板16之第2主面之表面起伏亦較小，可抑制電子裝置用構件之位置偏移之產生。其中，就上述效果更優異之方面而 言，濾波中心線起伏較佳為0.070 μm以下，更佳為0.030 μm以下。再者，下限並無特別限制，較佳為0 μm。
再者，作為降低支持基板12表面之表面起伏之方法，可使用公知之研磨方法(例如公知之物理研磨或化學研磨；更具體而言為CMP等)。
支持基板12之厚度可厚於玻璃基板16，亦可薄於玻璃基板16。較佳為基於玻璃基板16之厚度、樹脂層14之厚度及玻璃積層體10之厚度而選擇支持基板12之厚度。例如，現行之構件形成步驟係以處理厚度0.5 mm之基板之方式設計，於玻璃基板16之厚度與樹脂層14之厚度之和為0.1 mm之情形時，將支持基板12之厚度設為0.4 mm。支持基板12之厚度於通常情形時較佳為0.2~5.0 mm。
於支持基板12為玻璃板之情形時，就容易處理、不易破裂等理由而言，玻璃板之厚度較佳為0.08 mm以上。又，就期待於形成電子裝置用構件後進行剝離時不破裂而適度撓曲般之剛性之理由而言，玻璃板之厚度較佳為1.0 mm以下。
玻璃基板16與支持基板12於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下簡稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則存在構件形成步驟S106中之加熱冷卻時，玻璃積層體10急遽翹曲、或玻璃基板16與附樹脂層之支持基板18剝離之可能性。於玻璃基板16之材料與支持基板12之材料相同之情形時，可抑制此種問題之產生。
(樹脂層)
樹脂層14係固定於支持基板12之至少單面上，又，與玻璃基板16以可剝離之方式密接。樹脂層14於進行將玻璃基板16與支持基板12分離之操作前防止玻璃基板16之位置偏移，並且藉由分離操作而容易地自玻璃基板16剝離，防止玻璃基板16等因分離操作而破損。又，樹 脂層14固定於支持基板12上，於分離操作中樹脂層14與支持基板12不剝離，可藉由分離操作而獲得附樹脂層之支持基板18。再者，為了使樹脂層14與玻璃基板16之界面容易藉由分離操作而剝離，較佳於開始分離操作時於其界面設置剝離起點而進行剝離。
樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a以可剝離之方式密接於玻璃基板16之第1主面16a。本發明中，將該樹脂層表面14a之可容易地剝離之性質稱為易剝離性(剝離性)。
於本發明中，上述固定與(可剝離之)密接於剝離強度(即剝離所需之應力)上存在差異，固定係指相對於密接而言，剝離強度較大。又，所謂可剝離之密接，係指可剝離，同時亦指可不產生固定之面之剝離而剝離。具體而言，意指本發明之玻璃積層體10中，進行將玻璃基板16與支持基板12分離之操作之情形時，於密接之面剝離，不於固定之面剝離。因此，若進行將玻璃積層體10分離為玻璃基板16與支持基板12之操作，則玻璃積層體10分離為玻璃基板16與附樹脂層之支持基板18兩者。
樹脂層14較佳為藉由接著力或黏著力等較強之結合力而固定於支持基板12表面上。例如，藉由使反應硬化性樹脂於支持基板12表面反應硬化而將硬化之樹脂接著於支持基板12表面。又，可於支持基板12表面與樹脂層14之間實施產生較強之結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高支持基板12表面與樹脂層14之間之結合力。
另一方面，較佳為以較弱之結合力使樹脂層14與玻璃基板16之第1主面16a結合，例如以由固體分子間之凡得瓦力所產生之結合力而結合。與玻璃基板16相接前之樹脂層表面14a較佳為易剝離性之表面，藉由使該易剝離性之樹脂層表面14a與玻璃基板16之第1主面16a接觸，可以較弱之結合力使兩表面結合。即，若樹脂層表面14a為易剝離性，則其與玻璃基板16之第1主面16a之界面上之剝離性更良好。 兩表面係無間隙地相接觸，於本發明中將該狀態稱為密接。
再者，藉由對通常含義下不為易剝離性之樹脂層之表面賦予易剝離性之表面處理，亦可使樹脂層表面成為易剝離性。又，即便為通常含義下不為易剝離性之樹脂層，只要為可以相對於上述固定中之結合力而言充分低之結合力進行密接之樹脂(且只要可不產生玻璃基板或支持基板之破損等而剝離)，則亦可不實施表面處理而用作樹脂層之材料。
尤其是於與玻璃基板相接之樹脂層表面為易剝離性之情形時，於剝離時因樹脂層表面之破損而使其一部分殘留於玻璃基板表面之情況較少。
如上所述，樹脂層14對支持基板12之表面之結合力相對高於樹脂層14對玻璃基板之第1主面16a之結合力。因此，樹脂層14與支持基板12之間之剝離強度高於樹脂層14與玻璃基板16之間之剝離強度。樹脂層14與支持基板12之間較佳為藉由黏著或接著而結合。但並不限定於此，只要相對高於樹脂層14對玻璃基板16之結合力，則樹脂層14與支持基板12之間亦可以由其他結合力所產生之力結合。
樹脂層14之表面14a(與玻璃基板16相接之表面)上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。「表面起伏」係使用公知之觸針式之表面形狀測定裝置，測定JIS B-0610(1987)所記載之WCA(濾波中心線起伏)而得之值。再者，於本發明中，將濾波起伏曲線之截斷值設為0.8 mm，將測定長度設為40 mm。若表面起伏為上述範圍內，則即便於下述分離步驟S108後，亦可抑制對形成有電子裝置用構件之玻璃基板16之第2主面產生表面起伏。結果，可抑制電子裝置用構件之位置偏移之產生。就本效果更優異之方面而言，較佳為0.070 μm以下，更佳為0.030 μm以下。下限並無特別限制，較佳為0 μm。
再者，作為降低樹脂層14表面之表面起伏之方法，可列舉：使 用表面起伏較小之支持基板12之方法；使用形成樹脂層14時所使用之樹脂層形成用組合物而於支持基板12上形成樹脂層形成用組合物之層(以下亦記為樹脂層形成用組合物層)後且硬化前，靜置具備樹脂層形成用組合物層之支持基板12之方法；將具有平坦之表面(以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下之表面)之平坦構件(較佳為於加熱環境下)按壓至樹脂層14之表面而轉印平坦性之方法；蝕刻樹脂層14之表面之方法等。
樹脂層14之大小並無特別限定。樹脂層14之大小可大於玻璃基板16或支持基板12，亦可小於玻璃基板16或支持基板12。
樹脂層14之厚度並無特別限定，就可減小表面起伏之方面而言，較佳為15 μm以下，更佳為2~15 μm，進而較佳為2~10 μm。其原因在於，若樹脂層14之厚度為此種範圍內，則樹脂層14與玻璃基板16之密接變得充分。又，其原因在於，即便存在樹脂層14與玻璃基板16之間夾雜氣泡或異物之情況，亦可抑制玻璃基板16之形變缺陷之產生。又，若樹脂層14之厚度過厚，則形成需要時間及材料，故而不經濟，且表面起伏容易變大。
再者，樹脂層14可包含兩層以上。此情形時「樹脂層14之厚度」意指所有層之合計之厚度。
又，於樹脂層14包含兩層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類亦可不同。
較佳為樹脂層14包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右)、或不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於，可更容易地與玻璃基板16剝離，同時與玻璃基板16之密接亦變得充分。
又，由於多數情況下樹脂層14於構件形成步驟S106中進行加熱處理，故較佳為具有耐熱性。
又，若樹脂層14之彈性模數過高，則有與玻璃基板16之密接性 降低之傾向。另一方面，若樹脂層14之彈性模數過低，則剝離性降低。
形成樹脂層14之樹脂之種類並無特別限定。例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂或矽酮樹脂。亦可混合若干種樹脂而使用。其中較佳為矽酮樹脂。其原因在於矽酮樹脂之耐熱性或剝離性優異。又，其原因在於，於支持基板12為玻璃板之情形時，藉由與玻璃板表面之矽烷醇基之縮合反應，容易固定於玻璃板上。矽酮樹脂層亦就即便於插入支持基板12與玻璃基板16之間之狀態下於例如大氣中、200℃左右處理1小時左右，剝離性亦幾乎未劣化方面而言較佳。
樹脂層14較佳為包含矽酮樹脂中用於剝離紙用之矽酮樹脂(硬化物)。剝離紙之剝離層之矽酮樹脂係使塗佈於剝離紙上之硬化性矽酮樹脂組合物之層硬化而形成。包含使用該硬化性矽酮樹脂組合物，並使該硬化性矽酮樹脂組合物於支持基板12之表面硬化而形成之硬化矽酮樹脂的樹脂層接著於支持基板12表面，並且其自由表面具有優異之易剝離性，故而較佳。又，由於柔軟性較高，故而即便氣泡或灰塵等異物混入樹脂層14與玻璃基板16之間，亦可抑制玻璃基板16之形變缺陷之產生。
用於形成此種樹脂層14之硬化性矽酮樹脂組合物根據其硬化機制而分類為縮合反應型矽酮樹脂組合物、加成反應型矽酮樹脂組合物、紫外線硬化型矽酮樹脂組合物及電子束硬化型矽酮樹脂組合物，可使用任一者。該等中，較佳為加成反應型矽酮樹脂組合物。其原因在於容易進行硬化反應，硬化後之樹脂層表面14a之易剝離性之程度良好，且耐熱性亦較高。
加成反應型矽酮樹脂組合物係含有主劑及交聯劑、於鉑系觸媒等觸媒之存在下硬化之硬化性之組合物。加成反應型矽酮樹脂組合物 之硬化係藉由加熱處理而促進。加成反應型矽酮樹脂組合物中之主劑較佳為具有與矽原子鍵結之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，烯基等成為交聯點。加成反應型矽酮樹脂組合物中之交聯劑較佳為具有與矽原子鍵結之氫原子(氫矽烷基)之有機聚矽氧烷(即有機氫聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，氫矽烷基等成為交聯點。
加成反應型矽酮樹脂組合物係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而硬化。
又，硬化性矽酮樹脂組合物於形態上包括溶劑型、乳液型及無溶劑型，可使用任一型。該等中較佳為無溶劑型。其原因在於生產性、安全性、環境特性方面優異。又，其原因在於，由於不含在形成樹脂層14時之硬化時、即加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬化時產生發泡之溶劑，故不易於樹脂層14中殘留氣泡。
又，作為硬化性矽酮樹脂組合物，具體而言，作為市售之商品名或型號，可列舉KNS-320A、KS-847(均為Shin-Etsu Silicone公司製造)、TPR6700(Momentive Performance Materials Japan有限公司製造)、乙烯基矽酮「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基矽酮「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基矽酮「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。
再者，KNS-320A、KS-847及TPR6700為預先含有主劑與交聯劑之硬化性矽酮樹脂組合物。
又，形成樹脂層14之矽酮樹脂(上述硬化性矽酮樹脂組合物之硬化物)較佳為具有矽酮樹脂層中之低分子量之矽酮等成分不易向玻璃基板16轉移之性質、即低矽酮轉移性。
(樹脂層之製造方法)
將樹脂層14固定於支持基板12上之方法並無特別限定。
例如，可於積層步驟S102前，實施於支持基板12上形成具有易剝離性之樹脂層14並固定之樹脂層形成步驟。例如，亦可實施將樹脂層形成用組合物(硬化性樹脂組合物)塗佈於支持基板12上而形成樹脂層14之樹脂層形成步驟。更具體而言，較佳為於支持基板12表面上形成成為樹脂層14之樹脂層形成用組合物層，繼而，使該樹脂層形成用組合物硬化而形成固定於支持基板12上之樹脂層14的方法。
又，例如亦可利用將膜狀之樹脂固定於支持基板12之表面之方法而形成樹脂層14。具體而言，可列舉為了賦予支持基板12之表面對膜之表面較高之固定力(較高之剝離強度)而對支持基板12之表面進行表面改質處理(底塗處理)，固定於支持基板12上的方法。例如，可例示矽烷偶合劑之類之化學上提高固定力之化學方法(底塗處理)、如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法、藉由如噴砂處理般增加表面粗度而增加抓固力之機械處理方法等。
於支持基板12表面上形成成為樹脂層14之樹脂層形成用組合物層，繼而使該樹脂層形成用組合物層硬化而形成樹脂層14之方法中，作為於支持基板12表面上形成樹脂層形成用組合物層之方法，例如可列舉將樹脂層形成用組合物塗佈於支持基板12上之方法。作為塗佈之方法，可列舉噴塗法、模塗法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。可根據樹脂組合物之種類而自此種方法中適當選擇。
又，於將成為樹脂層14之樹脂層形成用組合物塗佈於支持基板12上之情形時，其塗佈量較佳為1~100 g/m2，更佳為5~20 g/m2。
於樹脂層形成用組合物中含有溶劑及樹脂之情形時，為了製造上述具備表現出特定之表面起伏之表面之樹脂層14，較佳為將樹脂層 形成用組合物中之溶劑之含量相對於組合物總量設為70質量%以下，其中更佳為設為60質量%以下，進而較佳為設為50質量%以下。藉由將溶劑量調整於上述範圍內，可抑制溶劑自形成之組合物之層揮發之量，結果，可獲得表面起伏較少之樹脂層14。再者，關於溶劑量之下限，只要可塗佈樹脂層形成用組合物，則並無特別限制，就處理性等方面而言，較佳為30質量%以上。
樹脂層形成用組合物所使用之溶劑之種類並無特別限制，就進一步抑制所獲得之樹脂層14之表面起伏之產生之方面而言，較佳為使用沸點為100℃以下之溶劑。
又，就可形成表面起伏更少之樹脂層14之方面而言，樹脂層形成用組合物之黏度較佳為40 mPa．s以下，更佳為20 mPa．s以下。再者，下限並無特別限制，就組合物之成膜性之方面而言，較佳為3 mPa．s以上。
再者，作為樹脂層形成用組合物中所含之樹脂，可列舉可形成上述樹脂層之樹脂，其中可較佳地列舉硬化性矽酮。
例如，於由加成反應型矽酮樹脂組合物形成樹脂層14之情形時，藉由上述噴塗法等公知之方法，將包含有機烯基聚矽氧烷、有機氫聚矽氧烷與觸媒之混合物之樹脂層形成用組合物X塗佈於支持基板12上，其後進行加熱硬化。
加熱硬化條件根據觸媒之調配量而有所不同，於大氣中，50℃~250℃下、較佳為100℃~200℃下進行反應。又，將該情形時之反應時間設為5~60分鐘，較佳設為10~30分鐘。
藉由使樹脂層形成用組合物X加熱硬化，而於硬化反應時，矽酮樹脂與支持基板12進行化學鍵結，又，藉由投錨效應，矽酮樹脂層與支持基板12結合而接著。藉由該等之作用，將矽酮樹脂層牢固地固定於支持基板12上。再者，於由樹脂層形成用組合物形成包含矽酮樹脂 以外之樹脂之樹脂層之情形時，亦可以與上述相同之方法形成固定於支持基板12上之樹脂層14。
再者，於支持基板12表面上形成成為樹脂層14之樹脂層形成用組合物層，繼而使該樹脂層形成用組合物層硬化而形成固定於支持基板12上之樹脂層14之方法中，就形成之樹脂層14之平坦性更加優異之方面而言，較佳為於形成樹脂層形成用組合物層後且硬化前，靜置具備樹脂層形成用組合物層之支持基板12。藉由靜置特定時間，可提高樹脂層形成用組合物層之表面之平坦性，並且去除樹脂層形成用組合物層所含之揮發成分，進一步抑制硬化時樹脂層14之表面粗糙。
靜置時之溫度並無特別限制，只要於低於硬化時之加熱條件之溫度的溫度下靜置即可，較佳為0℃~100℃，更佳為0℃~室溫(25℃左右)。
靜置時間並無特別限制，就樹脂層14之平坦性及生產性兩者之平衡更加優異之方面而言，較佳為30秒~1小時，更佳為1分鐘~10分鐘。
又，亦可視需要而於減壓下進行靜置。減壓之條件並無特別限制，就樹脂層14之平坦性及操作之效率性兩者之平衡更加優異之方面而言，較佳為1~1000 Pa，更佳為10~1000 Pa。
(玻璃基板)
玻璃基板16之第1主面16a與樹脂層密接，於與樹脂層14側為相反側之第2主面16b上設置有電子裝置用構件。
玻璃基板16之種類可為通常者，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板16之耐化學品性、耐透濕性優異，並且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，係使用JIS R 3102(1995年修正)所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板16之線膨脹係數較大，則由於構件形成步驟S106多 數情況下伴有加熱處理，故容易產生各種不良狀況。例如，於在玻璃基板16上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，若將加熱下形成有TFT之玻璃基板16冷卻，則有因玻璃基板16之熱收縮而使TFT之位置偏移過大之虞。
玻璃基板16係將玻璃原料熔融，將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板16可藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形溫度，並利用延伸等手段進行拉伸而使其變薄之方法(再曳引法)成形而獲得。
玻璃基板16之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算而得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃，可採用適合電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而液晶面板用之玻璃基板包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但通常含有鹼土類金屬成分)。如上所述，玻璃基板之玻璃可基於應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
作為玻璃基板16之玻璃，就熱膨脹率較小之方面而言，可較佳地列舉以氧化物基準之質量百分率表示，含有下述成分之無鹼玻璃：SiO2：50~66%、Al2O3：10.5~24%、B2O3：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、 BaO：0~13.5%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%、及ZrO2：0~5%。
又，作為玻璃基板16之玻璃，就熱膨脹率較小之方面而言，亦可較佳地列舉以氧化物基準之質量百分率表示，含有下述成分之無鹼玻璃：SiO2：58~66%、Al2O3：15~22%、B2O3：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、及MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%。
就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，玻璃基板16之厚度為0.3 mm以下，進而較佳為0.15 mm以下。於超過0.3 mm之情形時，不滿足玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之要求。於為0.3 mm以下之情形時，可賦予玻璃基板16良好之軟性。於為0.15 mm以下之情形時，可將玻璃基板16捲取為輥狀。
又，就玻璃基板16之製造較容易、玻璃基板16之操作較容易等理由而言，玻璃基板16之厚度較佳為0.03 mm以上。
再者，玻璃基板16亦可包含兩層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種類之材料。又，於該情形時，「玻璃基板16之厚度」意指所有層之合計之厚度。
(步驟之程序)
本步驟S102中，準備上述附樹脂層之支持基板18與玻璃基板 16，以上述附樹脂層之支持基板18之樹脂層表面14a與玻璃基板16之第1主面16a作為積層面而將兩者密接積層。樹脂層14之積層面具有易剝離性，可藉由通常之重疊與加壓而容易地以可剝離之方式密接。
具體而言，例如可列舉於常壓環境下，在易剝離性之樹脂層14之表面14a重疊玻璃基板16後，使用輥或壓機將樹脂層14與玻璃基板16壓接之方法。藉由利用輥或壓機進行壓接，而使樹脂層14與玻璃基板16進一步密接，故而較佳。又，藉由利用輥或壓機之壓接，可相對容易地去除混入樹脂層14與玻璃基板16之間之氣泡。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則由於可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由於真空下進行壓接，亦具有即便於殘留微小之氣泡之情形時，亦不會因加熱而使氣泡成長，不易導致玻璃基板16之應變缺陷的優點。
於使樹脂層14以可剝離之方式密接於玻璃基板16之第1主面16a上時，較佳為充分清洗樹脂層14及玻璃基板16之相互接觸之側之面，於潔淨度較高之環境下進行積層。即便於樹脂層14與玻璃基板16之間混入異物，亦由於樹脂層14會進行變形，故而不存在對玻璃基板16之表面之平坦性造成影響之情況，但潔淨度越高，其平坦性越良好，故而較佳。
藉由上述積層步驟S102而形成之玻璃積層體10可用於各種用途，例如可列舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，該用途中，玻璃積層體10多數情況下暴露於高溫條件(例如320℃以上)下(例如1小時以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
[研磨步驟]
研磨步驟S104係研磨積層步驟S102所獲得之玻璃積層體10中之玻璃基板16之第2主面16b的步驟。藉由設置本步驟S104，可去除玻璃基板16之第2主面16b之微小之凹凸及瑕疵，可提高形成電子裝置用構件之面之平坦性。藉此，可提高作為製品之電子裝置之可靠性。此效果對於本發明所使用之厚度為0.3 mm以下之玻璃基板較為明顯。其原因在於，厚度0.3 mm以下之玻璃基板難以單獨研磨，難以於製成玻璃積層體10前預先研磨。
研磨之方法並無特別限制，可採用公知之方法，可使用機械性研磨(物理研磨)或化學性研磨(化學研磨)。作為機械性研磨，可使用吹送陶瓷研磨粒進行研磨之噴砂方法、使用研磨片或磨石之研磨、並用研磨粒與化學溶劑之化學機械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)法等。
又，作為化學研磨(有時亦稱作濕式蝕刻)，可利用使用化學藥品研磨玻璃基板之表面之方法。
其中，就研磨後之玻璃基板16之第2主面16b之平坦性及清潔度更高之方面而言，較佳為化學機械研磨。再者，作為化學機械研磨所使用之研磨粒，可使用氧化鈰等公知之研磨粒。
藉由歷經上述積層步驟S102及研磨步驟S104，可製造包含經研磨之玻璃基板之玻璃積層體。
[構件形成步驟]
構件形成步驟S106係於在上述研磨步驟S104中經研磨之玻璃基板16之第2主面16b上形成電子裝置用構件之步驟。
圖3係本步驟S106所獲得之附電子裝置用構件之積層體之一例之模式剖面圖。附電子裝置用構件之積層體20包含上述玻璃積層體10與電子裝置用構件22。
首先，對本步驟S106所使用之電子裝置用構件進行詳細敍述，其後對步驟S106之程序進行詳細敍述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件22係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16之第2主面16b上，並構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件22，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件。作為顯示裝置用面板，包括有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
例如，作為太陽電池用構件，於矽型中，可列舉正極之氧化錫等之透明電極、以p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，此外，可列舉對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，於鋰離子型中，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等之透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，此外，可列舉對應於氫化鎳型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用構件，於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合裝置)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)中，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外，可列舉對應於壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
(步驟之程序)
上述附電子裝置用構件之積層體20之製造方法並無特別限定，可根據電子裝置用構件之構成構件之種類，藉由先前公知之方法，於 積層體10之玻璃基板16之第2主面16b表面上形成電子裝置用構件22。
再者，電子裝置用構件22亦可不為於玻璃基板16之第2主面16b上最終形成之所有構件(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可於其後之步驟中將自樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板製成附全部構件之玻璃基板(相當於下述電子裝置)。
又，可於自樹脂層14剝離之附全部構件之玻璃基板上，於其剝離面(第1主面16a)上形成其他電子裝置用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，其後，自附全部構件之積層體剝離附樹脂層之支持基板而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體組裝電子裝置，其後，自附全部構件之積層體剝離2片附樹脂層之支持基板而製造電子裝置。
例如，若以製造OLED之情形為例，為了於玻璃積層體10之玻璃基板16之與樹脂層14側為相反側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL結構體，進行如下各種層形成操作或處理：形成透明電極，進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等，形成背面電極，使用密封板密封等。作為該等層形成操作或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如TFT-LCD之製造方法包括：TFT形成步驟，於平面化後之玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，使用抗蝕劑溶液，於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等上形成圖案而形成薄膜電晶體(TFT)；CF(Color Filter，彩色濾光片)形成步驟，於另一平面化後之玻璃積層體10之玻璃基板16之第2主面16b上，將抗蝕劑溶液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)；貼合步驟，將附TFT之裝置基板與 附CF之裝置基板積層等各種步驟。
TFT形成步驟或CF形成步驟中，係利用周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b上形成TFT或CF。此時，使用抗蝕劑溶液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF前，亦可視需要清洗玻璃基板16之第2主面16b。作為清洗方法，可使用周知之乾式清洗或濕式清洗。
貼合步驟中，於附TFT之積層體與附CF之積層體之間注入液晶材料而積層。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
[分離步驟]
分離步驟S108係自上述構件形成步驟S106所獲得之附電子裝置用構件之積層體20將積層有電子裝置用構件22之玻璃基板16與附樹脂層之支持基板18分離，獲得包含電子裝置用構件22及玻璃基板16之電子裝置24(附電子裝置用構件之玻璃基板)之步驟。
於剝離時之玻璃基板16上之電子裝置用構件22為所需之全部構成構件之組成之一部分之情形時，亦可於分離後，於玻璃基板16上形成其餘之構成構件。
將玻璃基板16之第1主面16a與樹脂層14之表面14a剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於玻璃基板16與樹脂層14之界面插入鋒利之刀狀物而添加剝離之起點，其後吹送水與壓縮空氣之混合流體而剝離。較佳為以附電子裝置用構件之積層體20之支持基板12成為上側、電子裝置用構件22側成為下側之方式設置於壓盤上，使電子裝置用構件22側真空吸附於壓盤上(雙面積層有支持基板之情形時係依序進行)，於該狀態下，首先將刀具插入玻璃基板16-樹脂層14界面。並且，其後利用複數片真空吸盤吸附支持基板12側，自插入刀具之部位附近起依序使真空吸盤上升。如此，於樹脂層14與玻璃基板16之界面 形成空氣層，該空氣層向界面整面擴散，可容易地剝離支持基板12。
上述之製造方法較佳為用於行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之類之移動終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Emission，場發射)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場切換)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上而言於被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形均可應用。
[實施例]
以下藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不受該等例所限定。
<實施例1>
準備長350 mm、寬300 mm、板厚0.5 mm之玻璃基板(「AN100」，線膨脹係數為38×10-7/℃之無鹼玻璃板，旭硝子股份有限公司製造)作為支持基板，進行純水清洗、UV(Ultraviolet，紫外線)清洗而淨化表面，獲得表面經潔淨化之支持基板。
繼而，將作為成分(A)之直鏈狀乙烯基甲基聚矽氧烷(「VDT-127」，25℃下之黏度為700-800 cP(厘泊)，Azmax製造，1 mol有機聚矽氧烷中之乙烯基之mol%：0.325)與作為成分(B)之直鏈狀甲基氫聚矽氧烷(「HMS-301」，25℃下之黏度為25-35 cP(厘泊)，Azmax製造，1分子內之與矽原子鍵結之氫原子數：8個)以全部乙烯基與全部和矽原子鍵結之氫原子之莫耳比(氫原子/乙烯基)成為0.9之方式加以混合，並相對於該矽氧烷混合物100重量份，混合作為成分(C)之下述式(1)所表示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物1重量份。
HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3 式(1)
繼而，相對於成分(A)、成分(B)與成分(C)之合計量，以由鉑換算計鉑金屬濃度達到100 ppm之方式添加鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造，CAT-PL-56)，獲得有機聚矽氧烷組合物之混合液。
利用模塗機將所獲得之混合液塗佈於此前潔淨化之支持基板之第1主面上(速度5 mm/s、間隙150 μm、塗佈壓95 kPa)。其後，將塗佈於支持基板上之混合物(樹脂層形成用組合物層)於室溫下靜置10分鐘後，在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘，於支持基板上形成長350 mm×寬300 mm、厚15 μm之硬化矽酮樹脂層，獲得支持體A(附樹脂層之支持基板)。再者，硬化矽酮樹脂層之露出表面之濾波中心線起伏(WCA)為0.090 μm。
另一方面，對長350 mm、寬300 mm、板厚0.2 mm之玻璃基板(「AN100」，線膨脹係數為38×10-7/℃之無鹼玻璃板，旭硝子股份有限公司製造)進行純水清洗、UV清洗，將玻璃基板之表面潔淨化。
其後，將支持體A與玻璃基板對位後，使用真空加壓裝置，於室溫下使玻璃基板之第1主面與支持體A之硬化矽酮樹脂層之剝離性表面密接而獲得玻璃積層體。
繼而，使用奧斯卡(Oscar)型研磨機研磨所獲得之玻璃積層體之玻璃基板之第2主面(露出表面)。作為研磨液，使用二氧化矽粒子之平均粒徑為0.08 μm、二氧化矽粒子之含量為10質量%之膠體氧化矽研磨溶液。作為研磨墊，使用絨面革素材。關於研磨條件，研磨液之供給量為30 ml/min，研磨壓力為20000 Pa，下壓盤之轉速為80 rpm，研磨時間為600秒。
研磨結束後，使經實施研磨處理之玻璃積層體中之玻璃基板之第2主面真空吸附於壓盤上，其後於玻璃基板之4處角部中之1處角部上之玻璃基板與矽酮樹脂層之界面插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具， 於玻璃基板與矽酮樹脂層之界面添加剝離之起點。然後，利用24個真空吸盤吸附支持基板後，自靠近插入刀具之角部之吸盤起依序上升。此處，刀具之插入係一面自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送除靜電性流體一面進行。繼而，一面自離子化器朝向形成之空隙持續吹送除靜電性流體，一面提拉真空吸盤。其結果，可於壓盤上將經實施研磨處理之玻璃基板自玻璃積層體分離。所獲得之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)為0.090 μm。根據該結果，可確認對玻璃積層體之玻璃基板實施研磨處理後分離之玻璃基板具有優異之表面平坦性。將結果彙總示於表1。
<實施例2>
相對於以與實施例1相同之程序獲得之有機聚矽氧烷組合物之混合液100重量份，添加43重量份之庚烷，製備混合溶液，利用模塗機(塗佈速度40 mm/s、間隙140 μm、塗佈壓50 kPa)將所獲得之混合溶液塗佈於支持基板上，於室溫下靜置10分鐘後，在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例1相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例3>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置30分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例2相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例4>
相對於以與實施例1相同之程序獲得之有機聚矽氧烷組合物之混合液100重量份，添加100重量份之庚烷，製備混合溶液，利用模塗機(塗佈速度40 mm/s、間隙100 μm、塗佈壓28 kPa)將所獲得之混合溶液塗佈於支持基板上，於室溫下靜置30秒後，在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例1相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例5>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置10分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例4相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例6>
將模塗機之塗佈速度由40 mm/s變更為80 mm/s而形成8 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例4相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例7>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置10分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成8 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例6相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例8>
相對於以與實施例1相同之程序獲得之有機聚矽氧烷組合物之混合液100重量份，添加150重量份之庚烷而製備混合溶液，利用模塗機(塗佈速度40 mm/s、間隙100 μm、塗佈壓20 kPa)將將所獲得之混合溶液塗佈於支持基板上，於室溫下靜置30秒後，在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例1相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例9>
藉由模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置10分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成8 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例8相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例10>
相對於以與實施例1相同之程序獲得之有機聚矽氧烷組合物之混合液100重量份，添加233重量份之庚烷而製備混合溶液，利用模塗機(塗佈速度40 mm/s、間隙70 μm、塗佈壓15 kPa)將所獲得之混合溶液塗佈於支持基板上，於室溫下靜置30秒後，在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例1相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例11>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置10分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例10相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行實施有研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<實施例12>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，於室溫下靜置30分鐘，其後在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘而形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例10相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，為0.100 μm以下。
<比較例1>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，不進行靜置而在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘，形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例1相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，超過0.100 μm。
<比較例2>
利用模塗機將混合溶液塗佈於支持基板上後，不進行靜置而在大氣中以180℃加熱硬化60分鐘，形成15 μm之硬化矽酮樹脂層，除此以外，按照與實施例2相同之程序，製作玻璃積層體並進行研磨處理，進行經實施研磨處理之玻璃基板之分離。將各種結果彙總示於表1。再者，自玻璃積層體分離之玻璃基板之第2主面之濾波中心線起伏(WCA)與樹脂層之濾波中心線起伏為相同程度，超過0.100 μm。
以下之表1中，固形物成分濃度係指有機聚矽氧烷組合物之混合液中之固形物成分濃度(除溶劑以外之濃度)，樹脂層WCA係指積層玻璃基板前之附樹脂層之支持基板中之樹脂層之露出表面的濾波中心線起伏。再者，濾波中心線起伏係依照JIS B-0610(1987)而測定。再者，將濾波起伏曲線之截斷值設為0.8 mm，將測定長度設為40 mm。
如上述表1所示，樹脂層之濾波中心線起伏為0.100 μm以下之實施例中，所獲得之玻璃基板之研磨處理面之濾波中心線起伏亦與樹脂層之值為大致相同程度，為0.100 μm以下。根據該結果可確認，藉由本製造方法獲得之玻璃基板之表面之起伏較小，於在該玻璃基板上製作電路電極等器件之情形時，可進一步抑制如專利文獻2所述之電路電極之斷線、短路等問題之產生。
又，根據實施例2與3之比較等可確認，靜置時間越長樹脂層之平坦性越優異。
另一方面，比較例1及2係如專利文獻1所具體記載般未設靜置時間而製造樹脂層之態樣。於該等比較例中，可確認樹脂層之濾波中心線起伏超過0.100 μm，結果所獲得之玻璃基板之研磨處理面之濾波中心線起伏亦超過0.100 μm，不宜作為電子裝置製造用之玻璃基板。
<實施例13>
於本例中，使用實施例1所製造之經實施研磨處理之玻璃積層體製作OLED。
更具體而言，藉由濺鍍法於玻璃積層體中之經實施研磨處理之玻璃基板之第2主面上使鉬成膜，並藉由利用光微影法之蝕刻形成閘極電極。繼而，藉由電漿CVD法，於設置有閘極電極之玻璃基板之第2主面側進而依序成膜氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽，然後藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由利用光微影法之蝕刻形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。繼而，藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主 面側進而成膜氮化矽而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由利用光微影法之蝕刻形成像素電極。
繼而，於玻璃基板之第2主面側進而藉由蒸鍍法依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者、作為電子傳輸層之Alq3。繼而，藉由濺鍍法於玻璃基板之第2主面側使鋁成膜，藉由利用光微影法之蝕刻形成對向電極。繼而，於形成有對向電極之玻璃基板之第2主面上，介隔紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板而密封。藉由上述程序獲得之玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體相當於附電子裝置用構件之積層體。
繼而，使所獲得之玻璃積層體之密封體側真空吸附於壓盤上後，於玻璃積層體之角部之玻璃基板與矽酮樹脂層之界面插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具，將附樹脂層之支持基板自玻璃積層體分離，獲得OLED面板(相當於電子裝置；以下稱為面板A)。對製作之面板A連接IC(Integrated Circuit，積體電路)驅動器，於常溫常壓下驅動，結果於驅動區域內未觀察到顯示不均。又，於高溫高濕環境(80℃、80% RH)下驅動之情形時亦未觀察到顯示不均。
<實施例14>
於本例中，使用實施例1所製造之經實施研磨處理之玻璃積層體製作LCD。
準備2片玻璃積層體，首先，藉由濺鍍法於一方之玻璃積層體中之經實施研磨處理之玻璃基板之第2主面上使鉬成膜，藉由利用光微影法之蝕刻形成閘極電極。繼而，藉由電漿CVD法，於設置有閘極電極之玻璃基板之第2主面側進而依序成膜氮化矽、本徵非晶矽、n型非 晶矽，然後藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由利用光微影法之蝕刻形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。繼而，藉由電漿CVD法於玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由利用光微影法之蝕刻形成像素電極。繼而，藉由輥塗法於形成有像素電極之玻璃基板之第2主面上塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，並進行研磨。將所獲得之玻璃積層體稱作玻璃積層體A1。
繼而，藉由濺鍍法於另一玻璃積層體中之經實施研磨處理之玻璃基板之第2主面上使鉻成膜，並藉由利用光微影法之蝕刻形成遮光層。然後，於設置有遮光層之玻璃基板之第2主面側進而藉由模塗法塗佈彩色光阻，藉由光微影法及熱硬化形成彩色濾光片層。繼而，於玻璃基板之第2主面側進而藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，形成對向電極。然後，藉由模塗法於設置有對向電極之玻璃基板之第2主面上塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光微影法及熱硬化形成柱狀間隔片。繼而，藉由輥塗法於形成有柱狀間隔片之玻璃基板之第2主面上塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，並進行研磨。然後，藉由分注法於玻璃基板之第2主面側將密封用樹脂液描繪為框狀，並藉由分注法於框內滴加液晶後，使用上述玻璃積層體A1，將2片玻璃積層體之玻璃基板之第2主面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得具有LCD面板之積層體。以下將此處之具有LCD面板之積層體稱為附面板之積層體B2。
繼而，以與實施例1相同之方式將兩面之附樹脂層之支持基板自附面板之積層體B2剝離，獲得包含形成有TFT陣列之基板及形成有彩色濾光片之基板的LCD面板B(相當於電子裝置)。
對製作之LCD面板B連接IC驅動器，於常溫常壓下驅動，結果於驅動區域內未觀察到顯示不均。又，於高溫高濕環境(80℃、80% RH)下驅動之情形時亦未觀察到顯示不均。
<比較例3>
按照比較例1之程序，製造經實施研磨處理之玻璃積層體。
繼而，使用所獲得之玻璃積層體，按照與實施例13相同之程序製作OLED面板。
對所製作之面板連接IC驅動器，於常溫常壓下驅動，結果雖然於驅動區域內未觀察到顯示不均，但若於高溫高濕環境(80℃、80% RH)下長時間持續連接，則出現部分顯示不均。
本申請案係基於2012年1月18日提出申請之日本專利申請案2012-007927者，其內容係作為參照而引用於此。

Claims (10)

  1. 一種電子裝置之製造方法，其包括如下步驟：積層步驟，係以具有支持基板與固定於支持基板單面上之樹脂層且上述樹脂層之露出表面顯示易剝離性的附樹脂層之支持基板之上述樹脂層之露出表面、及具有第1主面及第2主面之板厚0.3 mm以下的玻璃基板之上述第1主面作為積層面，將上述附樹脂層之支持基板與玻璃基板密接積層，獲得玻璃積層體；研磨步驟，係研磨上述玻璃積層體中之上述玻璃基板之第2主面；構件形成步驟，係於上述玻璃基板之經研磨之上述第2主面上形成電子裝置用構件；分離步驟，係分離積層有上述電子裝置用構件之上述玻璃基板與上述附樹脂層之支持基板，獲得包含上述玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置；並且上述樹脂層之露出表面上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其中上述樹脂層之樹脂為矽酮樹脂。
  3. 如請求項2之電子裝置之製造方法，其中上述矽酮樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
  4. 如請求項1至3中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述研磨為化學機械研磨(CMP)。
  5. 如請求項1至4中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述玻璃基板包含以氧化物基準之質量百分率表示，含有下述成分之無鹼玻璃： SiO2：50~66%、Al2O3：10.5~24%、B2O3：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%、及ZrO2：0~5%。
  6. 如請求項1至4中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述玻璃基板包含以氧化物基準之質量百分率表示，含有下述成分之無鹼玻璃：SiO2：58~66%、Al2O3：15~22%、B2O3：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、及MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%。
  7. 一種玻璃積層體之製造方法，上述玻璃積層體包含經研磨之玻璃基板，且上述方法包括如下步驟：積層步驟，係以具有支持基板與固定於支持基板單面之樹脂層且上述樹脂層之露出表面顯示易剝離性的附樹脂層之支持基板之上述樹脂層之露出表面、及具有第1主面及第2主面之板厚0.3 mm以下的玻璃基板之上述第1主面作為積層面，將上述附樹 脂層之支持基板與玻璃基板密接積層，獲得玻璃積層體；及研磨步驟，係研磨上述玻璃積層體中之上述玻璃基板之第2主面；並且上述樹脂層表面上之表面起伏以濾波中心線起伏(WCA)計為0.100 μm以下。
  8. 如請求項7之玻璃積層體之製造方法，其中上述樹脂層之樹脂為矽酮樹脂。
  9. 如請求項8之玻璃積層體之製造方法，其中上述矽酮樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
  10. 如請求項7至9中任一項之玻璃積層體之製造方法，其中上述研磨為化學機械研磨(CMP)。
TW102101529A 2012-01-18 2013-01-15 A manufacturing method of an electronic device, and a method for manufacturing a glass laminate TWI580566B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012007927A JP5887946B2 (ja) 2012-01-18 2012-01-18 電子デバイスの製造方法、およびガラス積層体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201338973A true TW201338973A (zh) 2013-10-01
TWI580566B TWI580566B (zh) 2017-05-01

Family

ID=48811682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102101529A TWI580566B (zh) 2012-01-18 2013-01-15 A manufacturing method of an electronic device, and a method for manufacturing a glass laminate

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5887946B2 (zh)
KR (1) KR20130085018A (zh)
CN (1) CN103213371B (zh)
TW (1) TWI580566B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI622493B (zh) * 2013-11-11 2018-05-01 Asahi Glass Co Ltd Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
TWI656967B (zh) * 2014-05-30 2019-04-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 玻璃積層體及其製造方法、電子裝置之製造方法
TWI671865B (zh) * 2015-02-23 2019-09-11 日商日本電氣硝子股份有限公司 玻璃基板、使用其的積層體及玻璃基板的製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6136909B2 (ja) * 2013-12-17 2017-05-31 旭硝子株式会社 樹脂層付き支持基板の製造方法、ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法
JP6136910B2 (ja) * 2013-12-17 2017-05-31 旭硝子株式会社 ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法
JP2015223810A (ja) * 2014-05-29 2015-12-14 旭硝子株式会社 樹脂層付き支持基板およびガラス積層体
DE102014110268B4 (de) * 2014-07-22 2017-11-02 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN104282442B (zh) * 2014-10-17 2017-09-29 华中科技大学 一种染料敏化太阳能电池光阴极及其制备方法和应用
WO2016104450A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 旭硝子株式会社 ガラス積層体、電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、ガラス板梱包体
JP6759222B2 (ja) 2015-02-02 2020-09-23 コーニング インコーポレイテッド ガラスラミネート物品のエッジを強化する方法及びそれによって形成されたガラスラミネート物品
JP6429388B2 (ja) * 2015-03-19 2018-11-28 株式会社ディスコ 積層デバイスの製造方法
KR102651767B1 (ko) * 2015-05-28 2024-03-28 에이지씨 가부시키가이샤 유리 기판 및 적층 기판
CN107709258B (zh) 2015-07-03 2022-04-01 Ａｇｃ株式会社 载体基板、层叠体、电子器件的制造方法
CN106865982B (zh) * 2017-03-03 2019-05-24 四川旭虹光电科技有限公司 电容式触控系统保护用玻璃
DE112018003666T5 (de) * 2017-07-19 2020-05-07 Mitsubishi Electric Corporation Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und halbleiterbauelement
JP7115850B2 (ja) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および加工装置
CN108874225B (zh) * 2018-06-27 2021-07-30 信利光电股份有限公司 一种超薄触摸屏功能片的制作方法
US20200041828A1 (en) * 2018-08-01 2020-02-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method of removing panel from suction surface, method of producing display panel, and panel catcher
CN109798843B (zh) * 2019-03-15 2020-11-13 本钢板材股份有限公司 一种判定冷轧工序中钢板表面波纹度影响因素的方法
JPWO2021251246A1 (zh) * 2020-06-10 2021-12-16
CN112297586B (zh) * 2020-10-14 2023-07-28 河北光兴半导体技术有限公司 显示面板用的层叠玻璃组件的分离方法
CN114904636B (zh) * 2022-04-15 2023-09-05 江苏日御光伏新材料科技有限公司 一种给玻璃粉体施加有机保护膜层的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3888223B2 (ja) * 2002-05-13 2007-02-28 ソニー株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP2005060215A (ja) * 2003-07-29 2005-03-10 Nippon Electric Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法
JP2008023625A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Nitta Haas Inc 被加工物保持材
JP5582446B2 (ja) * 2009-07-10 2014-09-03 日本電気硝子株式会社 フィルム状ガラスの製造方法及び製造装置
JP5436959B2 (ja) * 2009-07-14 2014-03-05 ニッタ・ハース株式会社 被加工物保持材の製造方法
WO2011090004A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 旭硝子株式会社 積層体の製造方法および積層体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI622493B (zh) * 2013-11-11 2018-05-01 Asahi Glass Co Ltd Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
TWI656967B (zh) * 2014-05-30 2019-04-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 玻璃積層體及其製造方法、電子裝置之製造方法
TWI671865B (zh) * 2015-02-23 2019-09-11 日商日本電氣硝子股份有限公司 玻璃基板、使用其的積層體及玻璃基板的製造方法
US10669184B2 (en) 2015-02-23 2020-06-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass substrate and laminate using same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI580566B (zh) 2017-05-01
CN103213371B (zh) 2016-09-28
JP5887946B2 (ja) 2016-03-16
CN103213371A (zh) 2013-07-24
KR20130085018A (ko) 2013-07-26
JP2013149713A (ja) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI580566B (zh) A manufacturing method of an electronic device, and a method for manufacturing a glass laminate
TWI649192B (zh) Glass laminate, method of manufacturing same, and method of manufacturing electronic component
TWI622493B (zh) Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
TWI645979B (zh) Glass laminate and method of manufacturing electronic device
JP6443350B2 (ja) ガラス積層体
JP6252490B2 (ja) ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材
TW201315593A (zh) 電子裝置之製造方法、附樹脂層之載體基板之製造方法
TW201318843A (zh) 積層體、積層體之製造方法、及附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法
US20170282500A1 (en) Glass laminate, method for producing electronic device, method for producing glass laminate, and glass plate package
CN109982834B (zh) 层叠基板和电子器件的制造方法
TWI613073B (zh) 玻璃積層體及其製造方法、以及附矽氧樹脂層之支持基材
TW201806761A (zh) 玻璃積層體及其製造方法
TWI775726B (zh) 玻璃積層體及其製造方法
TWI615272B (zh) 玻璃積層體之製造方法及電子裝置之製造方法
TWI656967B (zh) 玻璃積層體及其製造方法、電子裝置之製造方法
JP2014080348A (ja) ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法
TW201601902A (zh) 附有樹脂層之支持基板及其製造方法、玻璃積層體、與電子裝置之製造方法
TW201609420A (zh) 玻璃積層體、附無機層之支撐基板、電子裝置之製造方法及附無機層之支撐基板之製造方法