TW201318843A - 積層體、積層體之製造方法、及附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種積層體,其依序具備支持板之層、樹脂層、及玻璃基板之層,且上述支持板之層與上述樹脂層之界面的剝離強度(y)高於上述樹脂層與上述玻璃基板之界面之剝離強度(x)或上述樹脂層之凝聚破壞強度(z),上述樹脂層之樹脂為交聯聚矽氧樹脂,上述交聯聚矽氧樹脂為包含式(1)所表示之有機矽氧基單元(A-1)、及式(2)所表示之有機矽氧基單元(B-1),(A-1)+(B-1)相對於全部有機矽氧基單元的比例為70~100莫耳%,且(A-1)相對於(A-1)與(B-1)之合計的比例為15~50莫耳%之交聯聚矽氧樹脂,□(上述式(1)中,R1表示氫原子或碳原子數1~4之烷基;上述式(2)中,R6及R7分別獨立地表示碳原子數1~4之烷基)。
Description
本發明係關於一種積層體、積層體之製造方法、及附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法。
近年來,太陽電池(PV(Photovoltaic))、液晶面板(LCD(Liquid Crystal Display))、有機EL(Electroluminescence,電致發光)面板(OLED(Organic Light Emitting Display))等裝置(電子機器)之薄型化、輕量化正在進步,該等裝置所使用之玻璃基板之薄板化正在進步。若玻璃基板之強度因薄板化而不足,則於裝置之製造步驟中,玻璃基板之操作性降低。
因此,自先前以來,廣泛採用如下方法:於厚度大於最終厚度之玻璃基板上形成裝置用構件(例如,薄膜電晶體)後,藉由化學蝕刻處理而使玻璃基板薄板化。然而,於該方法中,例如於使1片玻璃基板之厚度自0.7 mm薄板化至0.2 mm或0.1 mm之情形時,利用蝕刻液削去原本之玻璃基板之材料的大部分,因此就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又,在上述利用化學蝕刻之玻璃基板之薄板化方法中,於玻璃基板表面存在微細之傷痕之情形時,存在因蝕刻處理而以傷痕為起點形成微細之凹坑(Etch pit,腐蝕坑)並成為光學缺陷之情況。
最近,為了應對上述課題而提出有如下方法:準備積層
有薄板玻璃基板與加強板之積層體,於積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後,將支持板自薄板玻璃基板分離(例如,參照專利文獻1)。加強板具有支持板及固定於該支持板上之樹脂層,且以可剝離之方式與樹脂層及薄板玻璃基板密接。將積層體之樹脂層與薄板玻璃基板之界面剝離,自薄板玻璃基板分離之加強板可與新的薄板玻璃基板積層並作為積層體而再利用。
另一方面,作為耐熱性之樹脂層,已知有使用專利文獻2中所記載之熱硬化性樹脂而獲得之樹脂層。
專利文獻1:國際公開第07/018028號
專利文獻2:日本專利特開2009-215343號公報
關於專利文獻1中所記載之積層體,近年來逐漸要求更高之耐熱性。隨著形成於積層體之玻璃基板上之電子裝置用構件之高功能化或複雜化,形成電子裝置用構件時之溫度成為更高之溫度,並且曝露於該高溫下之時間亦需要長時間之情況並不少見。
專利文獻1中所記載之積層體可承受大氣中、300℃下、1小時之處理。但是,根據本發明者等人之研究,專利文獻1所記載之積層體中之樹脂層之聚矽氧樹脂於400℃下在短時間內分解並產生大量逸氣。此種逸氣之產生會污染形
成於玻璃基板上之電子裝置用構件,結果成為使電子裝置之生產性降低之原因。
又,亦有如下擔憂:因樹脂層之分解而使樹脂層本身產生龜裂等,與積層於其上之玻璃基板之密接性降低,於製造實施高溫處理之電子裝置用構件時容易產生玻璃基板之位置偏移等,結果使電子裝置之生產性降低。
進而,於將玻璃基板自積層體分離時,有熱劣化之樹脂層之一部分附著於製品側、即玻璃基板之剝離面之情況,其去除非常困難。
本發明者對專利文獻1中所記載之樹脂層之耐熱性提高進行研究。作為耐熱性較高之聚矽氧樹脂,已知有藉由縮合反應而交聯之聚矽氧樹脂。再者,專利文獻1中所記載之聚矽氧樹脂係藉由矽氫化反應而交聯之聚矽氧樹脂。藉由縮合反應而交聯之聚矽氧樹脂中,具有苯基等芳基鍵結於矽原子上之單元的聚矽氧樹脂具有尤其較高之耐熱性。作為此種聚矽氧樹脂,已知有專利文獻2等中所記載之聚矽氧樹脂。但是,將專利文獻2中所記載之聚矽氧樹脂用作專利文獻1中所記載之樹脂層之材料後,樹脂層之與玻璃基板積層的表面之表面狀態變得粗糙,玻璃基板對樹脂層之密接性未必充分,無法用作專利文獻1中所記載之積層體。
本發明係鑒於上述課題而完成者,其目的在於提供一種即便於高溫加熱處理條件下亦可使用並可藉由實施清潔化處理而保持經分離之玻璃基板之剝離面之清潔性的積層
體、及該積層體之製造方法。
又,本發明之目的在於提供一種使用該積層體的附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法。
本發明者等人為了解決上述課題而進行努力研究,結果完成了本發明。
即,本發明之第1態樣係一種積層體,其依序具備支持板之層、樹脂層、及玻璃基板之層,且上述支持板之層與上述樹脂層之界面的剝離強度(y)高於上述樹脂層與上述玻璃基板之界面之剝離強度(x)或上述樹脂層之凝聚破壞強度(z),上述樹脂層之樹脂為交聯聚矽氧樹脂,上述交聯聚矽氧樹脂為包含下述式(1)所表示之有機矽氧基單元(A-1)、及下述式(2)所表示之有機矽氧基單元(B-1),(A-1)+(B-1)相對於全部有機矽氧基單元的比例為70~100莫耳%,且(A-1)相對於(A-1)與(B-1)之合計的比例為15~50莫耳%之交聯聚矽氧樹脂。
於第1態樣中,交聯聚矽氧樹脂較佳為進而包含下述式(3)所表示之有機矽氧基單元(A-2)及下述式(4)所表示之有機矽氧基單元(B-2)中之至少任一者,[(A-1)+(B-2)]相對於[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]的比例為15~50莫耳%。
又,式(1)及式(3)中下述式(9)所表示之苯基(X)與式(2)及(4)中R6及/或R7所表示之烷基(Y)的比較佳為[(X)]/[(X)+(Y)]=10~40莫耳%。
進而,[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]相對於全部有機矽氧
基單元之比例較佳為95~100莫耳%。
又,下述式(1)~(4)所表示之有機矽氧基單元較佳為均為源自有機烷氧基矽烷化合物之單元。
進而,於第1態樣中,剝離強度(x)較佳為高於凝聚破壞強度(z)。又,上述樹脂層之厚度較佳為1~5 μm,上述支持板較佳為玻璃板。進而,上述支持板與上述玻璃基板於25~300℃下之平均線膨脹係數之差較佳為0~500×10-7/℃。
本發明之第2態樣係一種積層體之製造方法,其係本發明之第1態樣之積層體之製造方法,且使進行交聯硬化而成為下述交聯聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧樹脂之膜形成於支持板之表面,於上述支持板之表面上使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而形成交聯聚矽氧樹脂之膜,繼而於上述交聯聚矽氧樹脂之膜之表面積層玻璃基板。
於第2態樣中,較佳為硬化性聚矽氧樹脂包含有機烷氧基矽烷化合物之混合物之部分水解縮合物,並且藉由將包含該硬化性聚矽氧樹脂及溶劑之溶液塗佈於支持板之表面並去除溶劑而形成硬化性聚矽氧樹脂之膜。又,上述部分水解縮合物之重量平均分子量較佳為1萬~20萬。進而,上述部分水解縮合物之重量平均分子量更佳為1萬~10萬。
本發明之第3態樣係一種附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法,其係於本發明之第1態樣之積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附有電子裝置用構件之積層體,以樹脂層之玻璃基板側界面或樹脂層內部作為剝離面將該附有電子裝置用構件之積層體分離為附有電子
裝置用構件之玻璃基板與附有樹脂層之支持板,繼而使附有電子裝置用構件之玻璃基板之剝離面清潔化。
又,上述清潔化較佳為使用溶劑之清洗,清洗較佳為使用溶解度參數為7~15之溶劑者。
再者,以下將上述附有電子裝置用構件之玻璃基板稱為「附有構件之玻璃基板」。
根據本發明,可提供一種即便於高溫加熱處理條件下亦可使用並可藉由實施清潔化處理而保持經分離之玻璃基板之剝離面之清潔性的積層體、及該積層體之製造方法。
又,根據本發明,亦可提供一種使用該積層體之附有構件之玻璃基板之製造方法。
以下,參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明,但本發明並不限定於以下之實施形態,可於不脫離本發明之範圍之情況下對以下之實施形態進行各種變形及置換。
本發明之積層體依序具備支持板之層、樹脂層、及玻璃基板之層。即,於支持板之層與玻璃基板之層之間具有樹脂層,因此,樹脂層的一側與支持板之層接觸,另一側與玻璃基板之層接觸。
樹脂層與玻璃基板之界面具有剝離強度(x),若對樹脂層與玻璃基板之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力,則樹脂層與玻璃基板之界面剝離。樹脂層與支持板之界面具有剝離強度(y),若對樹脂層與支持板之界面施加超
過剝離強度(y)之剝離方向之應力,則樹脂層與支持板之界面剝離。另一方面,樹脂層之樹脂具有抗拒其本身之破壞之強度,若對樹脂層施加將玻璃基板與支持板剝離之方向之應力,則直至某種程度之應力為止不會造成破壞而能夠承受該應力。但是,若施加超過樹脂本身之強度之應力,則會使樹脂層破壞,將該樹脂層所能承受之限度之強度稱為凝聚破壞強度(z)。
於本發明之積層體(亦意指下述附有電子裝置用構件之積層體)中,上述剝離強度(y)高於上述剝離強度(x)或上述凝聚破壞強度(z)。因此,若對本發明之積層體施加將玻璃基板與支持板剝離之方向之應力,則本發明之積層體於樹脂層與玻璃基板之界面剝離而分離為玻璃基板與附有樹脂層之支持板,或者因樹脂層之凝聚破壞而分離為附著有樹脂之玻璃基板與附著有樹脂之支持板。可認為,成為兩態樣中之何種形態取決於剝離強度(x)與凝聚破壞強度(z)之大小,於剝離強度(x)高於凝聚破壞強度(z)之情形時,引起樹脂層之凝聚破壞,於剝離強度(x)低於凝聚破壞強度(z)之情形時,引起界面剝離。
如上所述,於本發明之積層體中之剝離強度(x)高於凝聚破壞強度(z)之情形時,若將積層體之玻璃基板與支持板剝離,則產生附著有樹脂之玻璃基板與附著有樹脂之支持板。如下所述,於在積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件後之積層體中,經分離之玻璃基板為附有構件之玻璃基板。於附有構件之玻璃基板之剝離面(玻璃基板之未
形成電子裝置用構件之面)附著有樹脂之情況欠佳,因此較佳為將附著於剝離面之樹脂去除。
進而,即便將附著之樹脂去除,其量亦越少越容易去除,因此附著於剛分離後之剝離面之樹脂越少越好。可認為,剝離強度(x)越接近於凝聚破壞強度(z),產生部分性界面剝離之可能性變得越高,與附著於支持板上之樹脂量相比,附著於玻璃基板之剝離面之樹脂量變少。
再者,可認為,如下所述般於剝離強度(x)與凝聚破壞強度(z)大致相等之情形時容易產生剝離面附著有樹脂之玻璃基板,因此於本發明中將上述情形設為包含於剝離強度(x)高於凝聚破壞強度(z)之情形者。
如上所述,於本發明之積層體中之剝離強度(x)低於凝聚破壞強度(z)之情形時,若將積層體之玻璃基板與支持板剝離,則產生玻璃基板與附有樹脂層之支持板。剝離強度(x)越接近於凝聚破壞強度(z),則越容易產生樹脂層之凝聚破壞且越容易產生剝離面附著有樹脂之玻璃基板。於剝離強度(x)與凝聚破壞強度(z)接近之情形時,有於每個積層體中均產生附著有樹脂之玻璃基板與未附著樹脂之玻璃基板的可能性。因此,較佳為即便於認為無樹脂之附著之情形時,亦考慮於分離後之玻璃基板之剝離面附著微量之樹脂之可能性而進行去除樹脂之操作。
剝離強度(y)較佳為與剝離強度(x)及凝聚破壞強度(z)相比,充分高於兩者。藉此,可使附著於分離後之支持板上之樹脂量與玻璃基板相比相對增多。提高剝離強度(y),意
指提高樹脂層對支持板之附著力並於加熱處理後可維持對於玻璃基板之相對更高之附著力。
為了提高樹脂層對支持板之附著力,較佳為使硬化性聚矽氧樹脂於支持板上交聯硬化而形成樹脂層。利用交聯硬化時之接著力,可形成對支持板以較高之結合力結合之樹脂層。
另一方面,交聯硬化後之交聯聚矽氧樹脂對玻璃基板之結合力通常低於上述交聯硬化時所產生之結合力。因此,較佳為使硬化性聚矽氧樹脂於支持板上交聯硬化而形成樹脂層,其後於包含經交聯硬化之聚矽氧樹脂之樹脂層之面積層玻璃基板而製造積層體。
藉由縮合反應而交聯之交聯聚矽氧樹脂之層表面之附著性高於專利文獻1中所記載之藉由矽氫化反應而交聯之交聯聚矽氧樹脂之層表面。因此,於本發明中,可認為於在支持板上充分交聯硬化之聚矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板之情形時,樹脂層表面與玻璃基板表面之附著性高於專利文獻1中所記載之積層體之情形。因此,可認為本發明之積層體之剝離強度(x)與專利文獻1中所記載之積層體中之樹脂層與玻璃基板層之界面的剝離強度相比變高。
進而,可認為藉由縮合反應而交聯硬化之硬化性聚矽氧樹脂之反應性低於藉由矽氫化反應而交聯硬化之硬化性聚矽氧樹脂之反應性。因此,不容易使形成於支持板上之樹脂層之樹脂之交聯反應於與玻璃基板積層前充分結束。可認為,若於包含殘存有未反應之交聯點之交聯聚矽氧之樹
脂層積層玻璃基板,則於積層後未反應之交聯點交聯而使樹脂接著於玻璃基板上,使剝離強度(x)變高。尤其是於積層體之玻璃基板表面上形成電子裝置用構件時大多進行加熱處理,因此藉此促進玻璃基板與樹脂層之界面之結合,形成電子裝置用構件後之積層體(附有電子裝置用構件之積層體)之剝離強度(x)容易變得更高。
因此,於本發明中,可認為大多情況下於剝離時剝離強度(x)高於凝聚破壞強度(z)。
又,藉由縮合反應而交聯硬化之硬化性聚矽氧樹脂可於不使用硬化觸媒之情況下藉由加熱而充分地進行交聯反應。於殘存有硬化觸媒之交聯聚矽氧樹脂中,因硬化觸媒之作用而有產生由交聯聚矽氧樹脂之解聚合引起的低分子量聚矽氧之虞,因此,藉由不使用硬化觸媒,可減少低分子量聚矽氧之生成。
藉由低分子量聚矽氧較少,可發揮如下特徵:於在積層體之玻璃基板表面上形成電子裝置用構件時之高溫條件下,由低分子量聚矽氧引起的氣體之產生較少,由氣體之產生引起的電子裝置用構件之污染之虞較少。
再者,於氣體產生之容許量以下之範圍內,為了調整剝離強度,亦可於積層前對欲進行積層之界面實施使用矽化合物或氟化合物等之易剝離處理。
於本發明中,玻璃基板與支持板之分離通常係對形成電子裝置用構件後之積層體(附有電子裝置用構件之積層體)進行,因此可認為於經分離之玻璃基板(附有構件之玻璃
基板)之剝離面附著有樹脂。如上所述,於附有構件之玻璃基板之剝離面附著有樹脂之情況欠佳,附著於附有構件之玻璃基板之剝離面之樹脂通常必需去除。本發明中之樹脂具有溶劑溶解性,因此較佳為利用使用溶劑之去除操作將樹脂去除。
圖1係本發明之積層體之一例之模式性剖面圖。
如圖1所示,積層體10係支持板12之層、玻璃基板16之層、及存在於其等之間的樹脂層14之積層體。樹脂層14係其一面與支持板12之層接觸,並且其另一面與玻璃基板16之第1主表面16a接觸。換言之,樹脂層14與玻璃基板16之第1主表面16a接觸。
包含支持板12之層及樹脂層14之2層部分於製造液晶面板等電子裝置用構件之構件形成步驟中加強玻璃基板16。再者,將為了製造積層體10而預先製造之包含支持板12之層及樹脂層14的2層部分稱為附有樹脂層之支持板18。
該積層體10係使用至構件形成步驟為止。即,該積層體10係使用至於其玻璃基板16之第2主表面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。其後,形成有電子裝置用構件之積層體分離為支持板12與附有構件之玻璃基板,於在附有構件之玻璃基板之剝離面附著有樹脂之情形時,將其所附著之樹脂去除。附著有樹脂之支持板12(或具有樹脂層14之支持板12)並不成為構成電子裝置之部分。經分離之支持板12可視需要於去除附著之樹脂或樹脂層14後與新的玻璃基板16積層,並作為積層體10而再利
用。
以下,首先對構成積層體之各層(玻璃基板、支持板、樹脂層)及樹脂材料進行詳細敍述,其後對積層體及電子裝置之製造方法進行詳細敍述。
於玻璃基板16中,第1主表面16a與樹脂層14相接觸,於與樹脂層14側相反之側之第2主表面16b設置電子裝置用構件。
玻璃基板16之種類可為通常者,例如可列舉:LCD、OLED之類的顯示裝置用玻璃基板等。玻璃基板16之耐化學品性、耐透濕性優異,且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標,係使用JIS R 3102(1995年改正)中所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板16之線膨脹係數較大,則構件形成步驟大多伴隨加熱處理,因此容易產生各種不良情況。例如,於在玻璃基板16上形成TFT(Thin Film Transistor,薄膜電晶體)之情形時,若將於加熱下形成TFT之玻璃基板16冷卻,則有因玻璃基板16之熱收縮而導致TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板16係使玻璃原料熔融並使熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者,例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法(Fourcault)、魯伯法(Lubbers)等。又,尤其是厚度較薄之玻璃基板16係利用如下方法進行成形而獲得:暫時將成形為板狀之玻璃加熱至
可成形之溫度,利用延伸等方法進行拉伸而使其變薄之方法(再曳引法)。
玻璃基板16之玻璃並無特別限定,較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃,較佳為經氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃,係採用適合於電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如,由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響,故而液晶面板用之玻璃基板包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中,通常包含鹼土金屬成分)。如此,玻璃基板16之玻璃可根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言,玻璃基板16之厚度較佳為0.3 mm以下,更佳為0.15 mm以下。於0.3 mm以下之情形時,可對玻璃基板16賦予良好之軟性。於0.15 mm以下之情形時,可將玻璃基板16捲取為輥狀。
又,就玻璃基板16之製造較為容易、玻璃基板16之操作較為容易等理由而言,玻璃基板16之厚度較佳為0.03 mm以上。
再者,玻璃基板16亦可包含2層以上,於此情形時,形成各層之材料可為同種材料,亦可為不同種材料。又,於此情形時,「玻璃基板16之厚度」意指全部層之合計之厚度。
支持板12係支持玻璃基板16而使其加強,於下述構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中在電製造子裝置用構件時防止玻璃基板之變形、損傷、破損等。
作為支持板12,例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Stainless Steel,不鏽鋼)板等金屬板等。通常,構件形成步驟伴隨熱處理,因此支持板12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成,更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成,支持板12較佳為玻璃板。尤佳為支持板12為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
支持板12之厚度可厚於玻璃基板16,亦可薄於玻璃基板16。較佳為根據玻璃基板16之厚度、樹脂層14之厚度、及積層體10之厚度而選擇支持板12之厚度。例如,現行之構件形成步驟為以對厚度0.5 mm之基板進行處理之方式設計而成者,於玻璃基板16之厚度與樹脂層14之厚度之和為0.1 mm之情形時,將支持板12之厚度設為0.4 mm。支持板12之厚度較佳為通常情況下為0.2~5.0 mm。
於支持板12為玻璃板之情形時,就易操作、不易破裂等理由而言,玻璃板之厚度較佳為0.08 mm以上。又,就於形成電子裝置用構件後進行剝離時,期望不破裂且適度地彎曲之剛性之理由而言,玻璃板之厚度較佳為1.0 mm以下。
支持板12與玻璃基板16於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下,簡稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃
以下,更佳為300×10-7/℃以下,進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大,則於構件形成步驟中之加熱冷卻時,有積層體10嚴重翹曲、或支持板12與玻璃基板16剝離之可能性。於支持板12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時,可抑制此種問題之產生。
樹脂層14防止玻璃基板16之位置偏移直至進行將玻璃基板16與支持板12分離之操作為止,並且防止玻璃基板16等因分離操作而破損。樹脂層14之與玻璃基板16接觸之表面14a密接於玻璃基板16之第1主表面16a。樹脂層14以較弱之結合力結合於玻璃基板16之第1主表面16a,其界面之剝離強度(x)大多情況下低於樹脂層14與支持板12之間的界面之剝離強度(y)。樹脂層14與玻璃基板16之界面之結合力亦可於在積層體10之玻璃基板16之面(第2主表面16b)上形成電子裝置用構件之前後產生變化(即,剝離強度(x)亦可變化)。但是,較佳為於形成電子裝置用構件後,剝離強度(x)亦低於剝離強度(y)。
可認為樹脂層14與玻璃基板16之層係以較弱之接著力或由凡得瓦耳力(Van Der Waals force)引起之結合力結合。可認為,於形成樹脂層14後在其表面積層玻璃基板之情形時,在樹脂層14之交聯聚矽氧樹脂充分交聯至不表現接著力之程度之情況下,以由凡得瓦耳力引起之結合力結合。但是,如上所述,樹脂層14之交聯聚矽氧樹脂具有某種程度之較弱之接著力之情況並不少見。可認為即便於接著性
極低之情形時,在積層體製造後於該積層體上形成電子裝置用構件時,藉由加熱操作等,亦會使樹脂層14之交聯聚矽氧樹脂接著於玻璃基板面,樹脂層14與玻璃基板16之層之間的結合力上升。
視情況,亦可對積層前之樹脂層14之表面或積層前之玻璃基板16之第1主表面16a進行削弱兩者間之結合力之處理而將兩者積層。對積層之面進行非接著性處理等,其後積層,藉此可削弱樹脂層14與玻璃基板16之層的界面之結合力,降低剝離強度(x)。
樹脂層14係以接著力或黏著力等較強之結合力結合於支持板12表面。例如,藉由使下述硬化性聚矽氧樹脂於支持板12表面交聯硬化,可使經交聯之樹脂接著於支持板12表面而獲得較高之結合力。又,可實施使支持板12表面與樹脂層14間產生較強之結合力之處理(例如,使用偶合劑之處理)而提高支持板12表面與樹脂層14間之結合力。
樹脂層14與支持板12之層以較高之結合力結合,意指兩者之界面之剝離強度(y)較高。
樹脂層14之厚度並無特別限定,較佳為1~5 μm,更佳為1~4 μm,進而較佳為1~3 μm。若樹脂層14之厚度為上述範圍,則即便有於樹脂層14與玻璃基板16之間夾雜有氣泡或雜質之情況,亦可抑制玻璃基板16之應變缺陷之產生。又,若樹脂層14之厚度過厚,則形成時需要時間及材料,故而不經濟。
再者,樹脂層14亦可包含2層以上。於此情形時,「樹脂
層14之厚度」意指全部層之合計之厚度。
又,於樹脂層14包含2層以上之情形時,形成各層之樹脂亦可包含不同之交聯聚矽氧樹脂。
樹脂層14之樹脂具有作為其材料特性之其本身之強度,若承受凝聚破壞強度(z)以上之應力,則會使樹脂破壞。因此,使樹脂層14承受其厚度方向且拉伸方向之應力,若該應力成為凝聚破壞強度(z)以上,則會使樹脂層14於層之內部破壞。其結果,源自破壞面的玻璃基板側之樹脂層附著於玻璃基板表面,源自破壞面的支持板12側之樹脂層14附著於玻璃基板16表面。因此,於附有電子裝置用構件之積層體中,若樹脂層14之樹脂發生凝聚破壞,則一部分成為於第1主表面16a附著有樹脂之附有構件之玻璃基板,另一部分成為於表面附著有樹脂之支持板12。
關於交聯聚矽氧樹脂之凝聚破壞強度(z),作為其材料特性,只要未特別降低樹脂層14與支持板12之層之間的結合力,則高於上述剝離強度(y)之情況較少。另一方面,與上述剝離強度(x)相比,凝聚破壞強度(z)有低於剝離強度(x)之情況,亦有高於剝離強度(x)之情況。如上所述,剝離強度(x)可進行調整,且亦有變化之情況。尤其是於玻璃基板16之第2主表面16b上形成電子裝置用構件時剝離強度(x)容易上升,藉此凝聚破壞強度(z)容易變得低於剝離強度(x)。
於樹脂層14發生凝聚破壞之情形時,並不限於在玻璃基板16之第1主表面16a之整面附著樹脂。於凝聚破壞強度(z)
與剝離強度(x)之差較小之情形時,亦有如下情況:樹脂層14與玻璃基板16之層發生部分性界面剝離而產生玻璃基板表面之第1主表面16a之一部分中未附著樹脂之面。
樹脂層14包含交聯聚矽氧樹脂。交聯聚矽氧樹脂係使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而獲得。本發明中之硬化性聚矽氧樹脂為作為單體之水解性有機矽烷化合物之混合物(單體混合物),或為使單體混合物進行部分水解縮合反應而獲得之部分水解縮合物。又,亦可為部分水解縮合物與單體之混合物。作為本發明中之硬化性聚矽氧樹脂,較佳為單體混合物之部分水解縮合物。
為了使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化,通常藉由加熱而進行交聯反應而使其硬化(即,使其熱硬化)。藉由使硬化性聚矽氧樹脂熱硬化而獲得交聯聚矽氧樹脂。但是,亦有於硬化時並非必需進行加熱之情況,亦可進行室溫硬化。
通常,交聯聚矽氧樹脂包含稱作T單元之3官能有機矽氧基單元與被稱作D單元之2官能有機矽氧基單元。視情況,亦有包含稱作M單元之1官能有機矽氧基單元或稱作Q單元之4官能有機矽氧基單元之情況。再者,Q單元為不具有鍵結於矽原子上之有機基(具有鍵結於矽原子上之碳原子之有機基)之單元,但於本發明中,視為有機矽氧基單元。本發明中之下述有機矽氧基單元(A-1)或下述有機矽氧基單元(B-2)為T單元,下述有機矽氧基單元(B-1)或下述有機矽氧基單元(A-2)為D單元。再者,以下,亦將有機矽氧基
單元(A-1)簡稱為(A-1)單元,將有機矽氧基單元(B-1)簡稱為(B-1)單元。其他有機矽氧基單元亦相同。
通常,交聯聚矽氧樹脂中之M單元係用以調節交聯聚矽氧樹脂或硬化性聚矽氧樹脂之分子量,Q單元係用以增大交聯點。本發明中之交聯聚矽氧樹脂並非必需包含M單元及Q單元,較佳為不包含M單元及Q單元,即便有包含之情形,亦較佳為其數量較少。
就本發明之效果更優異之方面而言,本發明中之交聯聚矽氧樹脂之T單元與D單元之合計相對於全部有機矽氧基單元的比例較佳為90~100莫耳%,更佳為95~100莫耳%。於本發明中之交聯聚矽氧樹脂包含M單元及/或Q單元之情形時,M單元與Q單元之比例較佳為分別未達10莫耳%(其中,兩者之合計未達10莫耳%),較佳為分別未達5莫耳%(其中,兩者之合計未達5莫耳%)。尤佳為本發明中之交聯聚矽氧樹脂不含M單元與Q單元中之任一者。
於交聯聚矽氧樹脂含有較多M單元之情形時,樹脂之耐熱性容易降低,於含有較多Q單元之情形時,樹脂之脆性容易變大,均會產生不適合作為本發明中之樹脂層之材料之虞。
本發明中之交聯聚矽氧樹脂包含下述式(1)所表示之有機矽氧基單元(A-1)、及下述式(2)所表示之有機矽氧基單元(B-1)。(A-1)單元與(B-1)單元之合計量(以(A-1)+(B-1)表示)相對於全部有機矽氧基單元的比例為70~100莫耳%,(A-1)單元以外之T單元、(B-1)單元以外之D單元、M單元
及Q單元的合計量未達30莫耳%。較佳為不含M單元與Q單元,於此情形時,(A-1)單元以外之T單元與(B-1)單元以外之D單元的合計量未達30莫耳%。(A-1)+(B-1)相對於全部有機矽氧基單元的比例較佳為85~100莫耳%,更佳為90~100莫耳%。殘餘之單元較佳為(A-1)單元以外之T單元(尤佳為下述有機矽氧基單元(B-2))及/或(B-1)單元以外之D單元(尤佳為下述有機矽氧基單元(A-2))。
於本發明中之交聯聚矽氧樹脂中,(A-1)單元相對於(A-1)單元與(B-1)單元之合計的比例即(A-1)/[(A-1)+(B-1)]為15~50莫耳%。該比例更佳為20~40莫耳%。
於(A-1)單元未達15莫耳%之情形時,交聯聚矽氧樹脂之耐熱性較差,樹脂層容易產生空隙等,另一方面,於(A-1)單元超過50莫耳%之情形時,樹脂之脆性變大而樹脂層容易產生龜裂等,任一情形均容易使樹脂層形成時表面之平坦性降低,容易變得難以於其樹脂層表面積層玻璃基板。
於交聯聚矽氧樹脂包含(A-1)單元以外之T單元或(B-1)單元以外之D單元之情形時,全部T單元相對於包含(A-1)單元之全部T單元與包含(B-1)單元之全部D單元之合計量的比例即T/[T+D]較佳為15~50莫耳%,更佳為20~40莫耳%。若T單元之比例成為未達15莫耳%,則交聯聚矽氧樹脂之耐熱性容易降低,若T單元之比例超過50莫耳%,則交聯聚矽氧樹脂之脆性容易變大。
本發明中之有機矽氧基單元(A-1)為下述式(1)所表示之
單元,有機矽氧基單元(B-1)為下述式(2)所表示之單元。其中,於下述式(1)及式(2)中,R1表示氫原子或碳原子數1~4之烷基。R6、R7分別獨立地表示碳原子數1~4之烷基。
如式(1)所示,(A-1)單元為具有苯基之T單元,該苯基亦可具有碳原子數1~4之烷基。R1較佳為氫原子或碳原子數1或2之烷基,尤佳為氫原子。如式(2)所示,(B-1)單元為具有2個烷基之D單元。2個烷基較佳為分別為甲基或乙基,更佳為均為甲基。
具有芳香環鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元之交聯聚矽氧樹脂與具有烷基鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元之交聯聚矽氧樹脂相比,耐熱性較高。T單元之比例較大之交聯聚矽氧樹脂雖然耐熱性良好,但脆性容易變大,本發明中之交聯聚矽氧樹脂包含具有芳香環之T單元,藉此即便T單元之比例於某種程度上較少,亦成為耐熱性較高,脆性較低之交聯聚矽氧樹脂。
作為(A-1)單元以外之芳香環鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元,較佳為下述式(3)所表示之有機矽氧基單元(A-2),作為有機矽氧基單元(B-1)以外之烷基鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元,較佳為下述式(4)所表示之有機矽氧基單元(B-2)。(A-2)單元為D單元,(B-2)單元為T單元。於下述式(3)及式(4)中,R1表示氫原子或碳原子數1~4之烷基,R2表示碳原子數1~4之烷基。R6表示碳原子數1~4之烷基。
作為(A-1)單元或(A-2)單元以外之芳香環鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元,有具有2個芳香環之D單元。又,作為(B-1)單元或(B-2)單元以外之烷基鍵結於矽原子上之有機矽氧基單元,有具有碳數為5以上之烷基之D單元或T單元。但是,具有該等單元之交聯聚矽氧樹脂有機械物性等特性變得不充分之虞,作為本發明中之交聯聚矽氧樹脂,較佳為不含此種有機矽氧基單元者。
本發明中之交聯聚矽氧樹脂亦可包含(A-2)單元及(B-2)單元中之至少任一者。於本發明中之交聯聚矽氧樹脂包含
(A-1)單元、(B-1)單元、及(A-2)單元與(B-2)單元中之至少任一者之情形時,上述T單元相對於T單元與D單元之合計的比例為[(A-1)+(B-2)]相對於[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]的比例,較佳為15~50莫耳%,更佳為20~40莫耳%。
又,具有芳香環之有機矽氧基單元相對於全部有機矽氧基單元的比例即[(A-1)+(A-2)]相對於[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]的比例較佳為20~40莫耳%。該比例更佳為20~30莫耳%。
再者,如上所述,(A-1)單元與(B-1)單元之合計相對於全部有機矽氧基單元的比例即[(A-1)+(B-1)]相對於[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]的比例為70~100莫耳%,較佳為85~100莫耳%,更佳為95~100莫耳%。
關於本發明中之交聯聚矽氧樹脂,上述式(1)及式(3)中之下述式(9)所表示之苯基(X)與上述式(2)及(4)中之R6及/或R7所表示之烷基(Y)的比較佳為[(X)]/[(X)+(Y)]=10~40(莫耳%),更佳為10~20(莫耳%)。若為10(莫耳%)以上,則耐熱性良好,保持所形成之樹脂層之平滑性,因此可良好地積層。若為40(莫耳%)以下,則具有可良好地積層之程度之黏著性。
式(9)中,R1表示氫原子或碳原子數1~4之烷基。
本發明中之交聯聚矽氧樹脂中之各有機矽氧基單元係由作為單體之水解性有機矽烷化合物產生。水解性有機矽烷化合物中之水解性基較佳為烷氧基,但並不限定於此,亦可為氯原子等鹵素原子、醯基、胺基、烷氧基烷氧基等。
作為成為交聯聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧樹脂,亦可為作為單體之水解性有機矽烷化合物之混合物,但較佳為由水解性有機矽烷化合物之混合物所獲得之部分水解縮合物。部分水解縮合物具有矽烷醇基,藉由矽烷醇基彼此之脫水縮合進行交聯而成為交聯聚矽氧樹脂。部分水解縮合物亦有包含水解性基之情況,亦有藉由水解性基與矽烷醇基之縮合反應或水解性基彼此之縮合反應而進行交聯硬化之情況。
作為單體之水解性有機矽烷化合物,較佳為具有烷氧基作為水解性基之烷氧基矽烷化合物。作為成為(A-1)單元之烷氧基矽烷化合物,較佳為下述式(5)所表示之化合物,作為成為(B-1)單元之烷氧基矽烷化合物,較佳為下述式(6)所表示之化合物。
於上述式(5)、式(6)中,R1、R6、R7分別與上述式(1)、式(2)中之R1、R6、R7相同。R3、R4、R5、R8、及R9分別獨立地表示碳原子數1~4之烷基。
R3、R4、R5、R8、R9較佳為分別獨立為甲基或乙基,尤佳為R3、R4、R5均為甲基,尤佳為R8、R9均為乙基。
作為成為(A-2)單元之烷氧基矽烷化合物,較佳為下述式(7)所表示之化合物,作為成為(B-2)單元之烷氧基矽烷化合物,較佳為下述式(8)所表示之化合物。
於上述式(7)、式(8)中,R1、R2、R6分別與上述式(3)、式(4)中之R1、R2、R6相同。R3、R4、R8、R9、R10分別獨
立地表示碳原子數1~4之烷基。
R3、R4、R8、R9、R10較佳為分別獨立為甲基或乙基,尤佳為R3、R4均為甲基,尤佳為R8、R9、R10均為乙基。
如上述式(5)~(8)與上述式(1)~(4)所示,各水解性有機矽烷化合物1分子與各有機矽氧基單元之1個係1對1地對應。即,交聯聚矽氧樹脂中之上述各有機矽氧基單元之比例與上述各水解性有機矽烷化合物(單體)之比例相對應。因此,藉由使用以與上述各有機矽氧基單元之比例相同之比例混合之單體混合物或由該單體混合物獲得之部分水解縮合物作為硬化性聚矽氧樹脂,而獲得具有上述比例之有機矽氧基單元之交聯聚矽氧樹脂。
再者,作為成為M單元之水解性有機矽烷化合物,較佳為三甲基乙氧基矽烷等三烷基烷氧基矽烷化合物,作為成為Q單元之水解性矽烷化合物(其中,於本說明書中視為水解性有機矽烷化合物),較佳為四乙氧基矽烷等四烷氧基矽烷化合物。
作為硬化性聚矽氧樹脂,亦可為將上述水解性有機矽烷化合物以成為上述各有機矽氧基單元之比例之方式混合而成之單體混合物。但是,就反應之控制或操作等方面而言,較佳為部分水解縮合物。以下,亦將部分水解縮合物稱為硬化性寡聚物。
部分水解縮合物係使如下單體混合物部分性地水解縮合而獲得,該單體混合物係將水解性有機矽烷化合物以成為上述各有機矽氧基單元之比例之方式混合而成。部分性地
水解縮合之方法並無特別限定。通常係使水解性有機矽烷化合物之混合物於溶劑中且於觸媒存在下反應而製造。作為觸媒,可使用酸觸媒或鹼觸媒,但為了控制反應而獲得適當之分子量之部分水解縮合物,較佳為使用鹼觸媒。又,水解反應通常較佳為使用水。本發明中所使用之部分水解縮合物較佳為於溶劑中使水解性有機矽烷化合物之混合物於鹼性水溶液之存在下反應而製造者。作為具體之部分水解縮合物之製造方法,較佳為上述專利文獻2中所記載之方法(尤其是其實施例中所記載之方法)。
於本發明中之硬化性聚矽氧樹脂為上述硬化性寡聚物(即,部分水解縮合物)之情形時,其利用GPC(Gel Permeation Chromatography,凝膠滲透層析法)測定的經聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為5千以上。該重量平均分子量更佳為1萬以上。若該分子量過低,則於交聯反應中副生之水或烷醇之量增多,於交聯聚矽氧樹脂中產生空隙之虞增大。又,若重量平均分子量過高,則有導致黏度變得過高、或溶劑溶解性降低等不良情況之虞,因此硬化性寡聚物之重量平均分子量較佳為20萬以下,更佳為10萬以下。
硬化性寡聚物之分子量之調節可藉由控制反應條件而進行。例如,調節製造硬化性寡聚物時之溶劑量,若提高水解性有機矽烷化合物之濃度,則獲得高分子量物,若降低濃度,則獲得低分子量物。
如上所述,硬化性寡聚物主要具有矽烷醇基作為反應性基,藉由矽烷醇基彼此之反應而交聯,成為交聯聚矽氧樹
脂。進行該交聯反應時,較佳為對硬化性聚矽氧樹脂進行加熱。矽烷醇基之交聯反應為脫水縮合反應而會副生出水,但本發明之積層體之樹脂層較薄,藉此可將例如於支持板上使硬化性寡聚物之膜硬化時所副生之水充分地去除。
用以交聯之溫度條件於維持交聯聚矽氧樹脂之耐熱性或與支持板之接著性之範圍內並無特別限制,較佳為300~475℃,更佳為350~450℃。又,加熱時間通常較佳為30~300分鐘,更佳為60~120分鐘。若溫度過低,則成為交聯不充分之樹脂而變得容易使樹脂之耐熱性降低或使樹脂層之平坦性降低,另一方面,若溫度過高,則容易使樹脂層與支持板之接著力降低。
於上述硬化性寡聚物以外之硬化性聚矽氧樹脂之交聯硬化中,有因交聯反應而除了水以外亦副生出烷醇等之情況,但可與水同樣地自樹脂中容易地去除。藉此,可使積層體之樹脂層中之水等揮發成分之量為極少量,可減少於在積層體之玻璃基板表面上形成電子裝置用構件時之高溫條件下由水等低分子化合物引起的氣體之產生。
為了於支持板12上形成樹脂層14,較佳為於支持板12上形成硬化性聚矽氧樹脂之層,使該硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而製成樹脂層14。為了於支持板12上形成硬化性聚矽氧樹脂之層,較佳為使用使硬化性聚矽氧樹脂溶解於溶劑中而成之溶液,將該溶液塗佈於支持板12上而形成溶液之層,繼而將溶劑去除而製成硬化性聚矽氧樹脂之層。可藉
由溶液之濃度之調整等而控制硬化性聚矽氧樹脂之層之厚度。
作為溶劑,只要為於作業環境下可使硬化性聚矽氧樹脂容易地溶解且可容易地揮發去除之溶劑,則並無特別限定。具體而言,例如可例示:乙酸丁酯、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。就藉由交聯反應而獲得之樹脂層容易變得平坦之方面而言,較佳為1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯。
作為包含硬化性聚矽氧樹脂與硬化性寡聚物之溶液之固形物成分濃度,較佳為30~70質量%,更佳為40~60質量%。
本發明之積層體10如上所述般為支持板12、玻璃基板16、及存在於其等之間的樹脂層14之積層體。
本發明之積層體10之製造方法並無特別限制,但為了獲得剝離強度(y)高於剝離強度(x)或凝聚破壞強度(z)之積層體,較佳為於支持板表面上使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而形成樹脂層之方法。即,使硬化性聚矽氧樹脂之膜形成於支持板之表面,於支持板表面上使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而形成交聯聚矽氧樹脂之膜,繼而於交聯聚矽氧樹脂之膜之表面積層玻璃基板而製造積層體之方法。
以下,將於支持板之表面形成硬化性聚矽氧樹脂之膜並於支持板表面上使硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而形成交聯聚矽氧樹脂之膜的步驟稱為樹脂層形成步驟,將於交聯聚矽氧樹脂之膜之表面積層玻璃基板而製成積層體之步驟稱
為積層步驟,對各步驟之工序進行詳細敍述。
於樹脂層形成步驟中,將包含上述硬化性聚矽氧樹脂及溶劑之溶液塗佈於支持板12之表面上,將溶劑去除而於支持板12之表面上形成硬化性聚矽氧樹脂之膜。繼而,使支持板12上之硬化性聚矽氧樹脂之膜熱硬化而形成樹脂層14。更具體而言,如圖2(A)所示,該步驟係於支持板12之至少單面之表面上形成樹脂層14。
於支持板12表面上塗佈硬化性聚矽氧樹脂之溶液之方法並無特別限定,可使用公知之方法。例如可列舉:噴塗法、模塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
硬化性聚矽氧樹脂較佳為於進行預硬化(Pre-cure)後進行硬化(正式硬化)而硬化。藉由進行預硬化,可獲得耐熱性優異之樹脂層。預硬化較佳為緊接溶劑之去除而進行,於此情形時,將溶劑自溶液之膜中去除而形成硬化性聚矽氧樹脂之膜之步驟與進行預硬化之步驟並無特別區別。溶劑之去除較佳為加熱至100℃以上而進行,藉由加熱至150℃以上,可緊接著進行預硬化。進行溶劑之去除與預硬化之溫度及加熱時間較佳為100~300℃、5~60分鐘,更佳為150~250℃、10~30分鐘。
使硬化性聚矽氧樹脂熱硬化之溫度條件於可提高樹脂層之耐熱性並可如上所述般控制玻璃基板與積層後之剝離強度(x)之範圍內並無特別限制,較佳為300~475℃,更佳為
350~450℃。又,加熱時間通常較佳為30~300分鐘,更佳為60~120分鐘。若熱硬化之溫度過低,則耐熱性或樹脂層之平坦性降低,另一方面,若溫度過高,則剝離強度(x)變得過低,均有玻璃基板之積層變得困難之情況。
積層步驟係於上述樹脂層形成步驟中獲得之樹脂層14之層上積層玻璃基板16而獲得依序具備支持板12之層、樹脂層14、及玻璃基板16之層的積層體之步驟。更具體而言,如圖2(B)所示,以樹脂層14之與支持板12側相反之側之表面14a、及具有第1主表面16a及第2主表面16b之玻璃基板16之第1主表面16a作為積層面,將樹脂層14與玻璃基板16積層而獲得積層體10。
將玻璃基板16積層於樹脂層14上之方法並無特別限制,可採用公知之方法。
例如可列舉:於常壓環境下在樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。再者,視需要,亦可於樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16後,使用輥或壓機將玻璃基板16壓接於樹脂層14上。藉由利用輥或壓機之壓接,可將混入至樹脂層14與玻璃基板16之層之間的氣泡相對容易地去除,故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接,則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接,故而更佳。藉由在真空下進行壓接,亦具有如下優點:即便於殘存微小之氣泡之情形時,氣泡亦不會因加熱而成長,不易導致玻璃基板16之應
變缺陷。
於積層玻璃基板16時,較佳為對與樹脂層14接觸之玻璃基板16之表面進行充分清洗,於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高,玻璃基板16之平坦性越良好,故而較佳。
再者,積層玻璃基板16後,亦可視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理,可使經積層之玻璃基板16對樹脂層14之接著性提高而形成適當之剝離強度(x),於下述構件形成步驟時變得不易產生電子裝置用構件之位置偏移等,電子裝置之生產性提高。
預退火處理之條件可根據所使用之樹脂層之種類而適當選擇最佳條件,但就使玻璃基板16與樹脂層14之間的剝離強度(x)更為適當之方面而言,較佳為以300℃以上(較佳為300~400℃)進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
本發明之積層體10可用於各種用途,例如可列舉製造下述之顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者,於該用途中,大多情況下將積層體10曝露於高溫條件(例如,400℃以上)下(例如,1小時以上)。
此處,所謂顯示裝置用面板,包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED(Light Emitting Diode,發光二極體)面板、MEMS(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS,微機電系統)快門式面板等。
於本發明中,使用上述之積層體製造包含玻璃基板與電子裝置用構件之附有電子裝置用構件之玻璃基板(附有構件之玻璃基板)。
該附有構件之玻璃基板之製造方法並無特別限定,但就電子裝置之生產性優異之方面而言,較佳為如下方法:於上述積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附有電子裝置用構件之積層體,以樹脂層之玻璃基板側界面或樹脂層內部為剝離面將所獲得之附有電子裝置用構件之積層體分離為附有構件之玻璃基板與附有樹脂層之支持板,繼而使附有構件之玻璃基板之剝離面清潔化。
以下,將於上述積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附有電子裝置用構件之積層體之步驟稱為構件形成步驟,將以樹脂層之玻璃基板側界面或樹脂層內部為剝離面將附有電子裝置用構件之積層體分離為附有構件之玻璃基板與附有樹脂層之支持板之步驟稱為分離步驟,將對附有構件之玻璃基板之剝離面進行清潔化之步驟稱為清潔化處理步驟。
以下,對各步驟中所使用之材料及工序進行詳細敍述。
構件形成步驟係於上述積層步驟中獲得之積層體10中之玻璃基板16上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言,如圖2(C)所示,於玻璃基板16之第2主表面16b(露出表面)上形成電子裝置用構件20而獲得附有電子裝置用構件之積
層體22。
首先,對本步驟中所使用之電子裝置用構件20進行詳細敍述,其後對步驟之工序進行詳細敍述。
電子裝置用構件20係於積層體10中之玻璃基板16上形成並構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言,作為電子裝置用構件20,可列舉:顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等中所使用之構件(例如,顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如,作為太陽電池用構件,於矽型中,可列舉:正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等,此外,亦可列舉:對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又,作為薄膜二次電池用構件,於鋰離子型中,可列舉:正極及負極之金屬或金屬氧化物等之透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等,此外,亦可列舉:對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又,作為電子零件用電路,於CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合器件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧半導體)中,可列舉:導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等,此外,亦可列舉:對應於壓力傳感器、加速度傳感器等各種傳感器、
或硬質印刷基板、軟性印刷基板、硬質軟性印刷基板等之各種構件等。
上述之附有電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限定,根據電子裝置用構件之構成構件之種類,利用先前公知之方法而於積層體10之玻璃基板16之第2主表面16b表面上形成電子裝置用構件20。
再者,電子裝置用構件20並非於玻璃基板16之第2主表面16b最終形成之構件之全部(以下,稱為「全部構件」)而為全部構件之一部分(以下,稱為「部分構件」)。於其後之步驟中,亦可將自樹脂層14剝離之附有部分構件之玻璃基板視為附有全部構件之玻璃基板(相當於下述電子裝置)。
又,對於自樹脂層14剝離之附有全部構件之玻璃基板,亦可於其剝離面(第1主表面16a)形成其他電子裝置用構件。又,亦可組裝附有全部構件之積層體,其後將支持板12自附有全部構件之積層體剝離而製造電子裝置。進而,亦可使用2片附有全部構件之積層體進行組裝,其後將2片支持板12自附有全部構件之積層體剝離而製造具有2片玻璃基板之附有構件之玻璃基板。
例如,若以製造OLED之情形為例,則為了於積層體10之玻璃基板16之與樹脂層14側相反之側的表面上(相當於玻璃基板16之第2主表面16b)形成有機EL構造體而進行如下各種層形成或處理:形成透明電極,進而於形成有透明
電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等,形成背面電極,使用密封板進行密封等。作為該等之層形成或處理,具體而言,例如可列舉:成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又,例如於製造TFT-LCD之情形時,包括如下步驟等各種步驟:TFT形成步驟,其係於積層體10之玻璃基板16之第2主表面16b上使用抗蝕劑液對藉由CVD法(Chemical Vapor Deposition,化學氣相沈積法)及濺鍍法等通常之成膜法所形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成而形成薄膜電晶體(TFT);CF(color filter,彩色濾光片)形成步驟,其係於另一積層體10之玻璃基板16之第2主表面16b上將抗蝕劑液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF);及貼合步驟,其係將TFT形成步驟中獲得之附有TFT之積層體與CF形成步驟中獲得之附有CF之積層體積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中,使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等而於玻璃基板16之第2主表面16b形成TFT或CF。此時,使用抗蝕劑液作為圖案形成用塗佈液。
再者,於形成TFT或CF之前,亦可視需要對玻璃基板16之第2主表面16b進行清洗。作為清洗方法,可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中,使附有TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附有CF之積層體之彩色濾光片形成面對向並使用密封劑(例如,元件形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後,於由附有TFT之積層體與附有CF之積層體形成之元件
內注入液晶材。作為注入液晶材之方法,例如有減壓注入法、滴加注入法。
分離步驟係以樹脂層14與玻璃基板16之界面或樹脂層14為剝離面,將上述構件形成步驟中獲得之附有電子裝置用構件之積層體22分離為積層有電子裝置用構件20之玻璃基板16(附有構件之玻璃基板)與支持板12,而獲得包含電子裝置用構件20及玻璃基板16之附有構件之玻璃基板24。
於剝離時之玻璃基板16上之電子裝置用構件20為必需之全部構成構件之形成的一部分之情形時,亦可於分離後使剩餘之構成構件形成於玻璃基板16上。
於經分離之附有構件之玻璃基板24之第1主表面16a,有時附著樹脂,有時不附著樹脂。如上所述,於剝離面為玻璃基板16之第1主表面16a與樹脂層14之界面之情形時,於附有構件之玻璃基板24之第1主表面16a不附著樹脂。於剝離面為樹脂層14之內部之情形(即,因樹脂層之凝聚破壞而產生剝離之情形)時,於附有構件之玻璃基板24之第1主表面16a附著有樹脂。於部分性地產生界面剝離與凝聚破壞剝離之情形時,附有構件之玻璃基板24之第1主表面16a產生附著有樹脂之部分與未附著樹脂之部分。
於經分離之支持板12之存在樹脂層14之表面附著有樹脂。於剝離面為玻璃基板16之第1主表面16a與樹脂層14之界面之情形時,成為與上述附有樹脂層之支持板18大致相同構成之附著有樹脂之支持板12。於為因樹脂層14之凝聚
破壞而產生之附著有樹脂之支持板之情形時,成為於與樹脂層14相接觸之表面之大致整面附著有樹脂之支持板,未附著樹脂之面較少。
再者,圖2(D)係表示樹脂層14發生凝聚破壞之情形,於玻璃基板16之與樹脂層14相接觸之表面附著有樹脂層14之一部分樹脂。
將玻璃基板16與支持板12剝離之方法並無特別限定。具體而言,例如可於玻璃基板16與樹脂層14之界面插入鋒利之刀具狀者而提供剝離之起點,然後,噴附水與壓縮空氣之混合流體等而進行剝離。較佳為以附有電子裝置用構件之積層體22之支持板12成為上側、電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上,將電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上(於在兩面積層支持板之情形時,依序進行),於該狀態下首先使刀具侵入至玻璃基板16-樹脂層14之界面。並且,其後利用複數個真空吸附焊墊吸附支持板12側,使真空吸附焊墊自插入有刀具之位置附近起依序上升。如此,於樹脂層14與玻璃基板16之界面或樹脂層14之凝聚破壞面形成空氣層,該空氣層擴展至界面或凝聚破壞面之整面,可將支持板12容易地剝離。
又,支持板12可與新的玻璃基板積層而製造本發明之積層體10。於不破壞樹脂層14而將其附著於經分離之支持板12之表面之情形時,可將該附著有樹脂層之支持板12用作上述附有樹脂層之支持板18,以與上述相同之方式重新製造積層體10。又,於為藉由樹脂層之凝聚破壞而分離之支
持板12之情形時,可將附著之樹脂去除而製成未附著樹脂之支持板12,使用該未附著樹脂之支持板12,以與上述相同之方式重新製造積層體10。作為該新的積層體10之製造方法,較佳為上述本發明之製造方法。
再者,於將附有構件之玻璃基板自積層體分離時,藉由控制利用電離器之噴附或濕度,可進一步抑制樹脂層之碎片靜電吸附於附有構件之玻璃基板上。
清潔化處理步驟係對上述分離步驟中獲得之附有構件之玻璃基板24中之玻璃基板16的剝離面(第1主表面16a)實施清潔化處理之步驟。藉由實施該步驟,可將附著於剝離面之樹脂或樹脂層、附著於剝離面之上述構件形成步驟中所產生之金屬片或塵埃等雜質去除,可維持剝離面之清潔性。其結果,黏附於玻璃基板16之剝離面之位相差膜或偏光膜等之黏著性提高。
更具體而言,藉由實施本步驟,如圖2(E)所示,將圖2(D)中附著於玻璃基板16之表面上之樹脂層之一部分去除。
關於清潔化處理之方法,只要可將附著於剝離面之樹脂或塵埃等去除,則該方法並無特別限制。例如可列舉如下方法:使附著物熱分解之方法,或藉由電漿照射或光照射(例如,UV(Ultraviolet,紫外線)照射處理)而將剝離面上之雜質去除之方法,或使用溶劑進行清洗處理之方法等。尤其是,就雜質之去除性更優異之方面而言,較佳為使用
溶劑之清洗處理方法。
使用溶劑之清洗處理方法中所使用之溶劑之種類可根據所使用之構成樹脂層之樹脂之種類而適當選擇最佳之溶劑。
例如較佳為使用含有sp值(Solubility parameter)即溶解度參數為7~15(單位:cal1/2cm-3/2)之溶劑之藥液進行清洗處理。更具體而言,較佳為使用含有甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、二甲苯、己烷、異烷烴等之藥液。進而,就環境負荷之觀點而言,較佳為使用含有醇系清洗液(例如,甲醇、乙醇、丙醇)之清洗液。該等溶劑可單獨使用或組合使用。
再者,視需要,亦可以電子裝置用構件20不與溶劑接觸之方式實施密封或遮蔽處理。又,較理想的是一併實施鼓風或加熱乾燥等溶劑去除處理。
上述之附有構件之玻璃基板24之製造方法適合於如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant,個人數位助理)之行動終端中所使用的小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED,作為LCD,包含TN(Twisted Nematic,扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic,超扭轉向列)型、FE(Field Emission,場發射)型、TFT型、MIM(Metal Insulator Metal,金屬-絕緣層-金屬)型、IPS(In-Plane Switching,橫向電場切換)型、VA(Vertical Aligned,垂直配向)型等。基本上可應用於被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形。
作為利用上述方法製造之附有構件之玻璃基板24,可列舉:具有玻璃基板與顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板與薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板,包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
以下,藉由實施例等對本發明進行具體說明,但本發明並不限定於該等例。
於以下之實施例1~6、比較例1~3中,作為玻璃基板,使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱200 mm,橫200 mm,板厚0.3 mm,線膨脹係數38×10-7/℃,旭硝子(Asahi Glass)公司製造,商品名「AN100」)。又,作為支持板,同樣使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱240 mm,橫240 mm,板厚0.4 mm,線膨脹係數38×10-7/℃,旭硝子公司製造,商品名「AN100」)。
相對於作為構成有機矽氧基單元(A-1)之化合物之苯基三甲氧基矽烷100質量份與作為構成有機矽氧基單元(B-1)之化合物之二甲基二乙氧基矽烷225質量份,添加甲苯230質量份。繼而,一面保持於10℃以下,一面於該混合物中滴加0.5質量%之氫氧化鈉水溶液140質量份,於10℃下攪拌3小時,於50℃下攪拌3小時。其後,於70℃下保持2小
時並將醇去除後,於75℃下攪拌10小時。
於所獲得之反應液中添加甲苯150質量份而進行稀釋,結果分離為2層。利用分液漏斗將下層之氫氧化鈉水溶液層去除。進行水洗直至上層之甲苯層之pH值成為7以下為止,其後利用孔徑0.5微米之薄膜過濾器進行過濾。於70℃下藉由加熱減壓將有機溶劑自所獲得之液中去除,獲得硬化性聚矽氧樹脂(S1)。
所獲得之硬化性聚矽氧樹脂(S1)之利用GPC(凝膠滲透層析法)測得之重量平均分子量(聚苯乙烯換算)為55000。又,藉由FT-IR(Fourier Transform Infrared Spectrometer,傅立葉轉換紅外線光譜儀)(紅外分光光度計),確認到源自Si-OH基之3200~3600 cm-1之吸收。
其次,將硬化性聚矽氧樹脂(S1)100質量份溶解於1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯200質量份中而製作包含硬化性聚矽氧樹脂(S1)之液狀物。
關於硬化性聚矽氧樹脂(S2)~(S5),係以與製造例1相同之方式按照表1所示之組成比製造。繼而,將所獲得之硬化性聚矽氧樹脂(S2)~(S5)溶解於1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯中而製作分別包含硬化性聚矽氧樹脂(S2)~(S5)之液狀物。
再者,以下之表1中,「矽烷醇基」欄意指硬化性聚矽氧樹脂(S1)~(S5)中是否含有矽烷醇基。又,表1中,(B-2)單元之莫耳%係設為「0」而計算。
首先,對板厚0.4 mm之支持板進行純水清洗後,進而進行UV清洗而使之清潔化。
其次,於支持板之第1主表面上利用旋轉塗佈機塗敷包含硬化性聚矽氧樹脂(S1)之液狀物(塗敷量30 g/m2)。
其次,將其於180℃下在大氣中加熱硬化10分鐘,將支持板上之組成物之層中之溶劑去除。其後,進而於450℃下在大氣中加熱硬化60分鐘而於支持板之第1主表面形成厚度2 μm之樹脂層。
其後,藉由真空加壓使玻璃基板與支持板之樹脂層面於室溫下貼合,其後於350℃下進行10分鐘加熱處理,將支持板之端部切割為與玻璃基板相同之尺寸並去除而進行倒角,獲得積層體A。
於所獲得之積層體A中,支持板與玻璃基板係以不產生氣泡之方式與樹脂層密接,亦無應變狀缺陷,平滑性亦良好。
其次,於大氣下在450℃下對積層體A進行60分鐘加熱處理,冷卻至室溫,結果未確認到積層體A之支持板與玻璃基板之分離或樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
然後,於積層體A之4個部位中之1個部位之角隅部中的玻璃基板與支持板之樹脂層之界面插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具而形成剝離之切口部,並且使真空吸附焊墊吸附於玻璃基板與支持板各自之非剝離面之面,相互朝使玻璃基板與支持板分離之方向施加外力,將玻璃基板與支持板以無破損之方式分離。此處,刀具之插入係一面自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附去靜電性流體一面進行。具體而言,一面朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附去靜電性流體一面提拉真空吸附焊墊。
再者,樹脂層之主要部分係與支持板一併自玻璃基板分離,根據該結果,確認支持板之層與樹脂層之界面之剝離強度(y)高於樹脂層與玻璃基板之界面之剝離強度(x)或樹脂層之凝聚破壞強度(z)。
繼而,對經分離之玻璃基板之剝離面進行1分鐘利用醇
溶液(Japan Alcohol Trading公司製造,Neocol R7)之毛刷清洗之後,進行鼓風、清潔化。
上述醇溶液包含乙醇86.6質量%、正丙醇(NPA)9.5質量%、甲醇2.6質量%、異丙醇(IPA)1.5質量%。
利用顯微鏡觀察清潔化後之玻璃板之表面,結果未見氧化物或樹脂等雜質、及傷痕。
利用與實施例1相同之方法,於支持板之第1主表面上形成包含硬化性聚矽氧樹脂(S2)之加熱硬化物之厚度1.5 μm之樹脂層。
繼而,利用與實施例1相同之方法獲得積層體B。
於所獲得之積層體B中,支持板與玻璃基板係以不產生氣泡之方式與樹脂層密接,亦無應變狀缺陷,平滑性亦良好。
其次,對積層體B進行與實施例1相同之加熱處理,結果未確認到積層體B之支持板與玻璃基板之分離或樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
然後,針對積層體B,利用與實施例1相同之方法,將玻璃基板與支持板以無破損之方式分離。
繼而,利用與實施例1相同之方法,對經分離之玻璃基板之剝離面進行清潔化。
利用顯微鏡觀察清潔化後之玻璃板之表面,結果未見氧化物或樹脂等雜質、及傷痕。
利用與實施例1相同之方法,於支持板之第1主表面上形成包含硬化性聚矽氧樹脂(S3)之加熱硬化物之厚度2 μm之樹脂層。
繼而,利用與實施例1相同之方法獲得積層體C。
於所獲得之積層體C中,支持板與玻璃基板係以不產生氣泡之方式與樹脂層密接,亦無應變狀缺陷,平滑性亦良好。
其次,對積層體C進行與實施例1相同之加熱處理,結果未確認到積層體C之支持板與玻璃基板之分離或樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
然後,針對積層體C,利用與實施例1相同之方法,將玻璃基板與支持板以無破損之方式分離。
繼而,利用與實施例1相同之方法,對經分離之玻璃基板之剝離面進行清潔化。
利用顯微鏡觀察清潔化後之玻璃板之表面,結果未見氧化物或樹脂等雜質、及傷痕。
於本例中,使用實施例1中獲得之積層體A製造OLED。
首先,於積層體A中之玻璃基板之第2主表面上,藉由電漿CVD法按照氮化矽、氧化矽、非晶矽之順序進行成膜。其次,藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層中,於氮氣環境下在450℃進行60分鐘加熱處理並進行脫氫處理。繼而,藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。其次,藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置將
低濃度之磷注入至非晶矽層中而形成N型及P型之TFT區域。繼而,於玻璃基板之第2主表面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後,藉由濺鍍法使鉬成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。其次,藉由光微影法與離子摻雜裝置將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域中而形成源極區域及汲極區域。繼而,於玻璃基板之第2主表面側,藉由利用電漿CVD法之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜,藉由利用濺鍍法之鋁之成膜及使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。其次,於氫氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理而進行氫化處理之後,藉由利用電漿CVD法之氮化矽之成膜而形成鈍化層。繼而,於玻璃基板之第2主表面側塗佈紫外線硬化性樹脂,藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。其次,藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成圖元電極。
繼而,藉由蒸鍍法,於玻璃基板之第2主表面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺成膜為正孔注入層,使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜為正孔傳輸層,使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]伸萘基-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜為發光層,使Alq3成膜為電子傳輸層。其次,藉由濺鍍法使鋁成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。其次,於玻璃基板之第2主表面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板進行密
封。按照上述工序,於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之積層體A(以下,稱為面板A)為本發明之附有電子裝置用構件之積層體(附有支持板之顯示裝置用面板)。
繼而,使面板A之密封體側真空吸附於壓盤之後,於面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具,給玻璃基板與樹脂層之界面提供剝離之起點。然後,利用真空吸附焊墊吸附面板A之支持板表面之後,使吸附焊墊上升。此處,刀具之插入係一面自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附去靜電性流體一面進行。其次,一面朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附去靜電性流體一面提拉真空吸附焊墊。其結果,壓盤上僅殘存形成有有機EL構造體之玻璃基板,可將附有樹脂層之支持板剝離。
繼而,利用與實施例1相同之方法對經分離之玻璃基板之剝離面進行清潔化,使用雷射裁刀或劃線-折斷法(scribe-break)對經分離之玻璃基板進行切割,分割成複數個單元之後,將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組裝,實施模組形成步驟而製作OLED。如此般獲得之OLED於特性上未產生問題。
於本例中,使用實施例1中獲得之積層體A製造LCD。
首先,準備2片積層體A,於一片之積層體A1中之玻璃基板之第2主表面上藉由電漿CVD法按照氮化矽、氧化
矽、非晶矽之順序進行成膜。其次,藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層中,於氮氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理並進行脫氫處理。繼而,藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。其次,藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置,將低濃度之磷注入至非晶矽層中,而形成N型及P型之TFT區域。繼而,於玻璃基板之第2主表面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜之後,藉由濺鍍法使鉬成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。其次,藉由光微影法與離子摻雜裝置,將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域中,而形成源極區域及汲極區域。繼而,於玻璃基板之第2主表面側,藉由利用電漿CVD法之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜,藉由利用濺鍍法之鋁之成膜及使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。其次,於氫氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理而進行氫化處理之後,藉由利用電漿CVD法之氮化矽之成膜而形成鈍化層。繼而,於玻璃基板之第2主表面側塗佈紫外線硬化性樹脂,藉由光微影法形成平坦化層及接觸孔。其次,藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成圖元電極。
繼而,將另一片之積層體A2於大氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理。其次,於積層體A中之玻璃基板之第2主表面上藉由濺鍍法使鉻成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成遮光層。其次,於玻璃基板之第2主表面側藉由模塗佈法塗佈彩色抗蝕劑,藉由光微影法及熱硬化而形成彩
色濾光片層。繼而,藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜,而形成對向電極。其次,於玻璃基板之第2主表面側藉由模塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液,藉由光微影法及熱硬化而形成柱狀間隔件。繼而,藉由輥式塗佈法塗佈聚醯亞胺樹脂液,藉由熱硬化形成配向層,並進行擦洗(rubbing)。
其次,藉由分注器法將密封用樹脂液繪製成框狀,藉由分注器法將液晶滴加於框內之後,使用上述形成有圖元電極之積層體A1,將2片積層體A之玻璃基板之第2主表面側彼此貼合,藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得LCD面板。
繼而,使積層體A1之第2主表面真空吸附於壓盤,於積層體A2之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具,而提供玻璃基板之第1主表面與樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。此處,刀具之插入係一面自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附去靜電性流體一面進行。其次,一面朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附去靜電性流體一面提拉真空吸附焊墊。然後,利用真空吸附焊墊吸附積層體A2之支持板之第2主表面之後,使吸附焊墊上升。其結果,壓盤上僅殘存附有積層體A1之支持板之LCD之空元件,可將支持板剝離。
繼而,使第1主表面形成有彩色濾光片之玻璃基板之第2主表面真空吸附於壓盤,於積層體A1之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具,而提供玻璃基板之第1主表面與樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。然後,利用真空吸附焊墊吸附積層體A1之支持基板之
第2主表面之後,使吸附焊墊上升。其結果,壓盤上僅殘存LCD元件,可將固定有樹脂層之支持板剝離。繼而,利用與實施例1相同之方法對剝離面進行清潔化。如此,獲得由厚度0.1 mm之玻璃基板構成的複數個LCD之元件。
繼而,藉由切割之步驟,分割為複數個LCD之元件。對完成所得之各LCD元件實施黏附偏光板之步驟,繼而實施模組形成步驟而獲得LCD。如此般獲得之LCD於特性上未產生問題。
於本例中,使用實施例1中獲得之積層體A製造OLED。
首先,於積層體A中之玻璃基板之第2主表面上藉由濺鍍法使鉬成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。其次,藉由電漿CVD法,於玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽成膜而形成閘極絕緣膜,繼而藉由濺鍍法使氧化銦鎵鋅成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成氧化物半導體層。繼而,藉由電漿CVD法,於玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽成膜而形成通道保護層,繼而,藉由濺鍍法使鉬成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成源極電極及汲極電極。其次,於大氣中在450℃下進行60分鐘加熱處理。繼而,於玻璃基板之第2主表面側進而藉由電漿CVD法使氮化矽成膜而形成鈍化層,繼而,藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜並藉由使用光微影法之蝕刻而形成圖元電極。
繼而,藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主表面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺成膜為正孔注入
層,使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜為正孔傳輸層,使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]伸萘基-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜為發光層,使Alq3成膜為電子傳輸層。其次,藉由濺鍍法使鋁成膜,藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。繼而,於玻璃基板之第2主表面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板而進行密封。按照上述工序於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之積層體A(以下,稱為面板A)為本發明之附有電子裝置用構件之積層體(附有支持板之顯示裝置用面板)。
繼而,使面板A之密封體側真空吸附於壓盤後,於面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具而對玻璃基板與樹脂層之界面提供剝離之起點。然後,利用真空吸附焊墊吸附面板A之支持板表面後,使吸附焊墊上升。此處,刀具之插入係一面自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附去靜電性流體一面進行。其次,一面朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附去靜電性流體一面提拉真空吸附焊墊。其結果,壓盤上僅殘存形成有有機EL構造體之玻璃基板,可將附有樹脂層之支持板剝離。
繼而,利用與實施例1相同之方法對經分離之玻璃基板之剝離面進行清潔化,使用雷射裁刀或劃線-折斷法切割經分離之玻璃基板而使其分割為複數個元件後,將形成有
有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組裝,實施模組形成步驟而製作OLED。如此獲得之OLED於特性上未產生問題。
利用與實施例1相同之方法,於支持板之第1主表面上形成包含硬化性聚矽氧樹脂(S4)之加熱硬化物之厚度1 μm之樹脂層。
繼而,利用與實施例1相同之方法對玻璃基板與支持板之樹脂層面於室溫下進行真空加壓,結果樹脂層較硬,於玻璃基板與支持板之樹脂層面觀察到一部分未積層之部分。其後,於350℃下進行10分鐘加熱處理,結果玻璃基板與支持板之樹脂層面整面分離而無法形成積層體。
利用與實施例1相同之方法,於支持板之第1主表面上形成包含硬化性聚矽氧樹脂(S5)之加熱硬化物之厚度1 μm之樹脂層。樹脂層之表面為藉由利用目視之觀察而確認到不均之程度之平坦度。
繼而,利用與實施例1相同之方法對玻璃基板與支持板之樹脂層面於室溫下進行真空加壓,結果玻璃基板與支持板之樹脂層面整面分離而無法形成積層體。
利用與實施例1相同之方法,於支持板之第1主表面上形成包含硬化性聚矽氧樹脂(S6)之加熱硬化物之厚度1 μm之樹脂層。
繼而,利用與實施例1相同之方法對玻璃基板與支持板之樹脂層面於室溫下進行真空加壓,結果樹脂層較硬,於玻璃基板與支持板之樹脂層面觀察到一部分未積層之部分。其後,於350℃下進行10分鐘加熱處理,結果玻璃基板與支持板之樹脂層面整面分離而無法形成積層體。
利用純水清洗、UV清洗等使支持板(縱200 mm,橫200 mm,厚度0.4 mm)清潔化之後,於該支持板上利用旋轉塗佈機塗敷無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造,KNS-320A)100質量份與鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造,CAT-PL-56)2質量份之混合物(塗敷量10 g/m2),於180℃下在大氣中進行30分鐘加熱硬化而獲得膜厚16 μm之聚矽氧樹脂層。
利用純水清洗、UV清洗等使玻璃基板(縱200 mm,橫200 mm,厚度0.3 mm)之與聚矽氧樹脂層接觸之側之面清潔化後,利用真空加壓使支持板之聚矽氧樹脂層形成面與玻璃基板於室溫下貼合,而獲得具有加成聚合型聚矽氧樹脂層之玻璃積層體P。
首先,於積層體P中之玻璃基板之第2主表面上藉由電漿CVD法按照氮化矽、氧化矽、非晶矽之順序進行成膜。其次,於氮氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理並進行脫氫處理。若利用目視觀察脫氫處理後之積層體P,則於面內之一部分及積層體之端部,可觀察到由樹脂之揮發引起的發泡部,利用與實施例1相同之方法於積層體A之4個
部位中之1個部位之角隅部中的玻璃基板與支持板之樹脂層之界面插入厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具而形成剝離之切口部,並且使真空吸附焊墊吸附於玻璃基板與支持板各自之非剝離面之面,相互朝使玻璃基板與支持板分離之方向施加外力,使玻璃基板與支持板分離,於玻璃基板之剝離面即第1主表面上之一部分中確認到樹脂之附著。
其次,對附著有樹脂之玻璃基板之剝離面進行實施例1中實施之利用醇溶液(Japan Alcohol Trading公司製造,Neocol R7)之毛刷清洗,但無法將附著之樹脂去除。
實施例4~6由於係具有本發明之樹脂層之積層體,故而即便於高溫下形成電子裝置,亦未見對裝置特性之影響。推測其原因在於,不存在由積層體之樹脂層中之揮發成分引起的影響。
另一方面,對於非本發明之樹脂層之比較例4,可認為若於高溫下形成電子裝置,則可見發泡,產生揮發成分。又,無法將附著於玻璃基板之樹脂去除。
本申請案係基於2011年10月18日提出申請之日本專利申請案2011-228792者,其內容作為參照而併入本文中。
10‧‧‧積層體
12‧‧‧支持板
14‧‧‧樹脂層
14a‧‧‧樹脂層之第1主表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主表面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主表面
18‧‧‧附有樹脂層之支持板
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附有電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧附有構件之玻璃基板
圖1係本發明之積層體之一實施形態之模式性剖面圖。
圖2(A)-(E)係按步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之模式性剖面圖。
10‧‧‧積層體
12‧‧‧支持板
14‧‧‧樹脂層
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主表面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主表面
18‧‧‧附有樹脂層之支持板
Claims (15)
- 一種積層體,其依序具備支持板之層、樹脂層、及玻璃基板之層,且上述支持板之層與上述樹脂層之界面的剝離強度(y)高於上述樹脂層與上述玻璃基板之界面之剝離強度(x)或上述樹脂層之凝聚破壞強度(z),上述樹脂層之樹脂為交聯聚矽氧樹脂,上述交聯聚矽氧樹脂為包含式(1)所表示之有機矽氧基單元(A-1)、及式(2)所表示之有機矽氧基單元(B-1),且(A-1)+(B-1)相對於全部有機矽氧基單元的比例為70~100莫耳%,並且(A-1)相對於(A-1)與(B-1)之合計的比例為15~50莫耳%之交聯聚矽氧樹脂,
- 如請求項1之積層體,其中上述交聯聚矽氧樹脂進而包 含式(3)所表示之有機矽氧基單元(A-2)及式(4)所表示之有機矽氧基單元(B-2)中之至少任一者,[(A-1)+(B-2)]相對於[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)]的比例為15~50莫耳%,
- 如請求項2之積層體,其中上述式(1)及式(3)中式(9)所表示之苯基(X)與上述式(2)及(4)中R6及/或R7所表示之烷基(Y)的比為[(X)]/[(X)+(Y)]=10~40莫耳%。
- 如請求項2或3之積層體,其中[(A-1)+(A-2)+(B-1)+(B-2)] 相對於全部有機矽氧基單元的比例為95~100莫耳%。
- 如請求項1至4中任一項之積層體,其中上述式(1)~(4)所表示之有機矽氧基單元均為源自有機烷氧基矽烷化合物之單元。
- 如請求項1至5中任一項之積層體,其中上述樹脂層之厚度為1~5 μm。
- 如請求項1至6中任一項之積層體,其中上述支持板為玻璃板。
- 如請求項1至7中任一項之積層體,其中上述支持板與上述玻璃基板於25~300℃下之平均線膨脹係數之差為0~500×10-7/℃。
- 一種積層體之製造方法,其係使進行交聯硬化而成為交聯聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧樹脂之膜形成於支持板之表面,於上述支持板之表面上使上述硬化性聚矽氧樹脂交聯硬化而形成交聯聚矽氧樹脂之膜,繼而於上述交聯聚矽氧樹脂之膜之表面積層玻璃基板而製造依序具備支持板之層、樹脂層、及玻璃基板之層的積層體,交聯聚矽氧樹脂:包含式(1)所表示之有機矽氧基單元(A-1)、及式(2)所表示之有機矽氧基單元(B-1),(A-1)+(B-1)相對於全部有機矽氧基單元的比例為70~100莫耳%,且(A-1)相對於(A-1)與(B-1)之合計的比例為15~50莫耳%之交聯聚矽氧樹脂,
- 如請求項9之積層體之製造方法,其中上述硬化性聚矽氧樹脂包含有機烷氧基矽烷化合物之混合物之部分水解縮合物,且藉由將包含該硬化性聚矽氧樹脂及溶劑之溶液塗佈於上述支持板之表面並將上述溶劑去除而形成硬化性聚矽氧樹脂之膜。
- 如請求項10之積層體之製造方法,其中上述部分水解縮合物之重量平均分子量為1萬~20萬。
- 如請求項10之積層體之製造方法,其中上述部分水解縮合物之重量平均分子量為1萬~10萬。
- 一種附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法,其係於如請求項1至8中任一項之積層體中之上述玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附有電子裝置用構件之積層體, 以上述樹脂層之玻璃基板側界面或上述樹脂層內部作為剝離面使上述附有電子裝置用構件之積層體分離為附有電子裝置用構件之玻璃基板與附有樹脂層之支持板,繼而將上述附有電子裝置用構件之玻璃基板之剝離面清潔化。
- 如請求項13之附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法,其中上述清潔化為使用溶劑之清洗。
- 如請求項14之附有電子裝置用構件之玻璃基板之製造方法,其中上述清洗為使用溶解度參數為7~15之溶劑之清洗。
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